KR100714074B1 - Inorganic light emitting apparatus and method of manufacturing thereof - Google Patents

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Abstract

무기 광 발생 장치 및 이의 제조 방법이 개시되어 있다. 무기 광 발생 장치는 평면상에서 보았을 때, 제1 영역 및 제1 영역의 주변에 배치된 제2 영역을 갖는 베이스 기판, 제1 영역에 배치된 제1 전극, 제1 전극 상에 배치되는 무기 발광층, 제1 전극 상에 배치되며 무기 발광층을 덮는 유전층, 제1 전극과 마주보도록 상기 유전층상에 배치된 제2 전극, 제1 전극 상에 배치되며 유전층 및 제2 전극을 덮는 제1 차단층 및 제1 전극의 노출된 측면을 덮어 제1 전극의 측면을 통해 침투되는 열화물질을 차단하는 제2 차단층을 포함한다. 이로써, 수분 및/또는 산소와 같은 열화물질이 무기 광 발생 장치의 내부로 침투하는 것을 억제하여, 무기 광 발생 장치의 수명을 크게 향상시킨다.An inorganic light generating device and a method of manufacturing the same are disclosed. The inorganic light generating apparatus includes a base substrate having a first region and a second region disposed around the first region, a first electrode disposed in the first region, an inorganic light emitting layer disposed on the first electrode, when viewed in plan view, A dielectric layer disposed on the first electrode and covering the inorganic light emitting layer, a second electrode disposed on the dielectric layer so as to face the first electrode, a first blocking layer disposed on the first electrode and covering the dielectric layer and the second electrode and the first electrode And a second blocking layer covering the exposed side of the electrode to block the deterioration material penetrating through the side of the first electrode. This suppresses penetration of deteriorated substances such as moisture and / or oxygen into the inorganic light generating device, thereby greatly improving the life of the inorganic light generating device.

Description

무기 광 발생 장치 및 이의 제조 방법{INORGANIC LIGHT EMITTING APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF}Inorganic light generating device and its manufacturing method {INORGANIC LIGHT EMITTING APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF}

도 1은 종래 무기 광 발생 장치의 내부 구조를 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing the internal structure of a conventional inorganic light generating device.

도 2는 본 발명의 일실시예에 의한 무기 광 발생 장치의 단면도이다.2 is a cross-sectional view of an inorganic light generating apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 무기 광 발생 장치의 제조 방법을 도시한 순서도이다.3 is a flowchart illustrating a method of manufacturing an inorganic light generating device according to an embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명에 의한 무기 광 발생 장치의 제조 방법에 따른 베이스 기판 및 제1 전극층을 도시한 단면도이다.4 is a cross-sectional view illustrating a base substrate and a first electrode layer according to a method of manufacturing an inorganic light generating device according to the present invention.

도 5는 도 4에 도시된 제1 전극층 상에 무기 발광층을 형성한 것을 도시한 단면도이다.FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating the formation of an inorganic light emitting layer on the first electrode layer illustrated in FIG. 4.

도 6은 도 5에 도시된 무기 발광층을 덮는 유전체층을 도시한 단면도이다.FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a dielectric layer covering the inorganic light emitting layer illustrated in FIG. 5.

도 7은 도 6에 도시된 유전체층 상에 형성된 제2 전극을 도시한 단면도이다.FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating a second electrode formed on the dielectric layer illustrated in FIG. 6.

도 8은 도 7에 도시된 제2 전극 및 유전체층을 덮는 제1 차단층을 도시한 단면도이다.FIG. 8 is a cross-sectional view illustrating a first blocking layer covering the second electrode and the dielectric layer illustrated in FIG. 7.

도 9는 도 8에 도시된 제1 전극층을 패터닝 하여 제1 전극을 형성하는 것을 도시한 단면도이다.FIG. 9 is a cross-sectional view illustrating the formation of a first electrode by patterning the first electrode layer illustrated in FIG. 8.

도 10은 도 9에 도시된 제1 전극의 노출된 측면을 덮는 제2 차단층을 도시한 단면도이다.FIG. 10 is a cross-sectional view illustrating a second blocking layer covering an exposed side surface of the first electrode illustrated in FIG. 9.

본 발명은 무기 광 발생 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 향상된 수명을 갖는 무기 광 발생 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an inorganic light generating device and a manufacturing method thereof. More specifically, the present invention relates to an inorganic light generating device having an improved lifetime and a method of manufacturing the same.

일반적으로, 정보를 표시하기 위한 표시장치로는 음극선관 방식 표시장치(Cathode Ray Tube type display device, CRT), 액정표시장치(liquid crystal display device, LCD), 플라즈마 표시패널(plasma display panel, PDP), 전계발광소자(이하, 광 발생 장치라고 칭한다) 등이 있다. 음극선관 방식 표시장치는 열전자 방출에 따른 형광물질의 발광을 이용하여 정보를 표시하고, 액정표시장치는 두 장의 전극 사이에 개재된 액정의 전기-광학적 특성을 이용하여 정보를 표시하며, 플라즈마 표시패널은 대전된 한 쌍의 전극 사이에서 기체의 방전 현상을 이용하여 정보를 표시하며, 광 발생 장치는 전계발광효과를 이용하여 정보를 표시한다.In general, a display device for displaying information includes a cathode ray tube type display device (CRT), a liquid crystal display device (LCD), a plasma display panel (PDP). And electroluminescent elements (hereinafter referred to as light generating devices). The cathode ray tube display device displays information using light emission of a fluorescent material according to hot electron emission, and the liquid crystal display device displays information using the electro-optical characteristics of a liquid crystal interposed between two electrodes, and a plasma display panel. Indicates information using a discharge phenomenon of gas between a pair of charged electrodes, and the light generating device displays information using an electroluminescent effect.

이들 중 광 발생 장치는 자체 발광 특성, 발광체에 따라 다양한 색을 표시할 수 있고, 시야각(visual angle)이 넓고, 콘트라스트비(contrast ration) 및 해상도가 높으며, 온도 및 진동에 따라 표시특성의 감소가 없고, 응답속도가 빠른 장점을 갖는다.Among them, the light generating device can display various colors according to self-luminous characteristics and light emitters, has a wide visual angle, high contrast ratio and high resolution, and decreases display characteristics with temperature and vibration. It has no merit and quick response speed.

이와 같은 광 발생 장치는 유기 광 발생 장치 및 무기 광 발생 장치로 구분 되며, 유기 광 발생 장치 및 무기 광 발생 장치는 중소형 표시장치로 모두 사용 가능하며, 특히 무기 광 발생 장치는 중소형 표시장치 뿐만 아니라 중소형 표시장치의 백라이트로도 사용할 수 있다.Such a light generating device is classified into an organic light generating device and an inorganic light generating device, and the organic light generating device and the inorganic light generating device can be used as small and medium sized display devices. It can also be used as a backlight for a display device.

도 1은 종래 무기 광 발생 장치의 내부 구조를 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing the internal structure of a conventional inorganic light generating device.

도 1을 참조하면, 종래 무기 광 발생 장치(10)는 산화 주석 인듐(Indium Tin Oxide, ITO)과 같은 투명 전극(1)을 갖는 기판(2), 투명 전극(1) 상에 배치된 형광층(3), 형광층(3)을 덮는 유전체층(4), 유전체층(4)의 상면에 배치된 금속 전극(5) 및 방습층(6)을 포함한다.Referring to FIG. 1, a conventional inorganic light generator 10 includes a substrate 2 having a transparent electrode 1 such as indium tin oxide (ITO), and a fluorescent layer disposed on the transparent electrode 1. (3), a dielectric layer 4 covering the fluorescent layer 3, a metal electrode 5 and a moisture proof layer 6 disposed on the upper surface of the dielectric layer 4 are included.

종래에는 투명 전극(1)이 형성된 대형 기판(2) 상에 복수개의 무기 광 발생 장치(10)를 동시에 형성하고, 기판(2)상에 형성된 각 무기 광 발생 장치(10)를 개별화(singulation)하여 무기 광 발생 장치(10)를 제조하였다.Conventionally, a plurality of inorganic light generators 10 are simultaneously formed on a large substrate 2 having a transparent electrode 1 formed thereon, and individual inorganic light generators 10 formed on the substrate 2 are singulated. The inorganic light generating device 10 was manufactured.

그러나, 종래 무기 광 발생 장치(10)를 개별화 할 때, 기판(2) 상에 형성된 투명 전극(1)은 기판(2)과 함께 절단되고, 이 결과 무기 광 발생 장치(10)내에 형성된 투명 전극(1)의 절단부(end portion)에 크랙(crack)이 발생될 수 있다. 투명전극(1)의 절단부는 방습층(6)으로부터 노출되기 때문에 무기 광 발생 장치(10)의 투명 전극(1)의 절단부에 크랙이 발생될 경우, 대기에 포함된 수분 및 산소 등은 크랙을 통해 형광층(3)으로 침투될 수 있다. 형광층(3)으로 침투된 수분 및 산소는 형광층(3)에 포함된 황화아연(ZnS) 등과 화학적으로 반응하여 가스가 발생되고, 가스에 따른 기포에 의해 무기 광 발생 장치(10)가 손상되거나 무기 광 발생 장치(10)의 수명이 크게 감소될 수 있다.However, when individualizing the conventional inorganic light generator 10, the transparent electrode 1 formed on the substrate 2 is cut together with the substrate 2, and as a result, the transparent electrode formed in the inorganic light generator 10 Cracks may occur in the end portion of (1). Since the cutout of the transparent electrode 1 is exposed from the moisture barrier layer 6, when a crack occurs in the cutout of the transparent electrode 1 of the inorganic light generating device 10, moisture, oxygen, etc. contained in the atmosphere are broken through the crack. Can penetrate into the fluorescent layer 3. Water and oxygen penetrated into the fluorescent layer 3 chemically react with zinc sulfide (ZnS) and the like contained in the fluorescent layer 3 to generate gas, and the inorganic light generating device 10 is damaged by bubbles caused by the gas. Or the lifetime of the inorganic light generating device 10 can be greatly reduced.

본 발명의 실시예들은 수분 및/또는 산소의 침투를 억제하여 수명이 향상된 무기 광 발생 장치를 제공한다.Embodiments of the present invention provide an inorganic light generating device having improved lifespan by inhibiting the penetration of moisture and / or oxygen.

본 발명의 실시예들은 상기 무기 광 발생 장치의 제조 방법을 제공한다.Embodiments of the present invention provide a method of manufacturing the inorganic light generating device.

이와 같은 본 발명의 하나의 목적을 구현하기 위하여, 본 발명은 평면상에서 보았을 때, 제1 영역 및 제1 영역의 주변에 배치된 제2 영역을 갖는 베이스 기판, 제1 영역에 배치된 제1 전극, 제1 전극 상에 배치되는 무기 발광층, 제1 전극 상에 배치되며 무기 발광층을 덮는 유전층, 제1 전극과 마주보도록 상기 유전층상에 배치된 제2 전극, 제1 전극 상에 배치되며 유전층 및 제2 전극을 덮는 제1 차단층 및 제1 전극의 노출된 측면을 덮어 제1 전극의 측면을 통해 침투되는 열화물질을 차단하는 제2 차단층을 포함하는 광원 장치를 제공한다.In order to realize one object of the present invention, the present invention is a base substrate having a first region and a second region disposed in the periphery of the first region, the first electrode disposed in the first region when viewed in plan view An inorganic light emitting layer disposed on the first electrode, a dielectric layer disposed on the first electrode and covering the inorganic light emitting layer, a second electrode disposed on the dielectric layer to face the first electrode, a dielectric layer and a first electrode disposed on the first electrode; A light source device includes a first blocking layer covering a second electrode and a second blocking layer covering an exposed side surface of the first electrode to block deterioration material penetrating through the side surface of the first electrode.

본 발명의 다른 목적을 구현하기 위하여, 본 발명은 베이스 기판 상에 제1 면적을 갖는 제1 전극층을 형성하고, 제1 전극층 상에 제1 면적보다 작은 제2 면적을 갖는 무기발광층을 형성하고, 무기발광층이 덮이도록 제1 전극층 상에 유전층을 형성한다. 제1 전극층과 마주보도록 유전층상에 제2 전극을 형성하고, 제1 전극층 제2 전극 및 유전층을 덮는 제1 차단층을 제1 전극층 상에 형성하고, 제1 차단층을 식각 마스크로 이용하여 제1 전극층을 식각 하여 베이스 기판 상에 제1 전극을 형성한다. 제1 전극의 노출된 측면을 덮어 제1 전극의 측면을 통해 열화물질이 침투하는 것을 방지하기 위한 제2 차단층을 베이스 기판 상에 형성하는 것을 포함하는 광원 장치의 제조 방법을 제공한다.In order to realize another object of the present invention, the present invention is to form a first electrode layer having a first area on the base substrate, an inorganic light emitting layer having a second area smaller than the first area on the first electrode layer, A dielectric layer is formed on the first electrode layer to cover the inorganic light emitting layer. A second electrode is formed on the dielectric layer to face the first electrode layer, a first blocking layer covering the first electrode layer, the second electrode and the dielectric layer is formed on the first electrode layer, and the first blocking layer is used as an etching mask. The first electrode layer is etched to form a first electrode on the base substrate. A method of manufacturing a light source device including forming a second blocking layer on a base substrate to cover an exposed side surface of a first electrode and prevent penetration of deterioration material through a side surface of the first electrode.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들에 따른 무기 광 발생 장치 및 이의 제조 방법에 대하여 상세하게 설명하지만, 본 발명이 하기의 실시예들에 제한되는 것은 아니며, 해당 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양한 다른 형태로 구현할 수 있을 것이다. 첨부된 도면에 있어서, 기판, 층(막), 영역 또는 구조물들 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. 본 발명에 있어서, 각 층(막), 영역 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역들의 "상에", "상부에" 또는 "하부"에 형성되는 것으로 언급되는 경우에는 각 층(막), 영역 또는 구조물들이 직접 기판, 각 층(막), 영역들 위에 형성되거나 아래에 위치하는 것을 의미하거나, 다른 층(막), 다른 영역 또는 다른 구조물들이 기판 상에 추가적으로 형성될 수 있다. 또한, 각 층(막), 영역, 전극, 또는 구조물들이 "제1", "제2"," 제3" 및/또는 "제4" 등으로 언급되는 경우, 이러한 부재들을 한정하기 위한 것이 아니라 단지 각 층(막), 영역 또는 구조물들을 구분하기 위한 것이다. 따라서, "제1", "제2", "제3" 및/또는 "제4" 등으로 언급된 경우 각 층(막), 영역, 전극 또는 구조물들에 대하여 각기 선택적으로 또는 교환적으로 사용될 수 있다.Hereinafter, an inorganic light generating apparatus and a method of manufacturing the same according to preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited to the following embodiments, Those skilled in the art will be able to implement the present invention in various other forms without departing from the spirit of the present invention. In the accompanying drawings, the dimensions of the substrates, layers (films), regions or structures are shown to be larger than actual for clarity of the invention. In the present invention, each layer (film), region or structure is referred to as being formed on the substrate, each layer (film), or "on", "upper" or "lower" of each layer (film). ), Means that regions or structures are formed directly above or below the substrate, each layer (film), regions, or other layers (films), other regions or other structures may be additionally formed on the substrate. In addition, when each layer (film), region, electrode, or structure is referred to as "first", "second", "third" and / or "fourth", etc., it is not intended to limit these members. It is merely to distinguish each layer (film), area or structure. Thus, when referred to as "first", "second", "third" and / or "fourth", etc., each of the layers (films), regions, electrodes or structures may be used selectively or interchangeably, respectively. Can be.

무기 광 발생 장치Inorganic light generator

도 2는 본 발명의 일실시예에 의한 무기 광 발생 장치의 단면도이다.2 is a cross-sectional view of an inorganic light generating apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 무기 광 발생 장치(100)는 베이스 기판(base substrate;110), 제1 전극(first electrode;120), 무기 발광층(inorganic light emitting layer;130), 유전층(dielectric layer;140), 제2 전극(second electrode;150), 제1 차단층(first blocking layer;160) 및 제2 차단층(second blocking layer;170)을 포함한다. 이에 더하여, 무기 광 발생 장치(100)는 전원 공급 유닛(power supply;180)을 더 포함할 수 있다.Referring to FIG. 2, the inorganic light generating apparatus 100 may include a base substrate 110, a first electrode 120, an inorganic light emitting layer 130, and a dielectric layer 140. ), A second electrode 150, a first blocking layer 160, and a second blocking layer 170. In addition, the inorganic light generator 100 may further include a power supply unit 180.

베이스 기판(110)은 무기 광 발생 장치(100)의 제1 전극(120), 무기 발광층(130), 유전층(140), 제2 전극(150), 제1 차단층(160) 및 제2 차단층(170)을 지지하기 위한 지지체(supporter)로서 역할을 한다. 본 실시예에서, 베이스 기판(110)은 광 투과율이 우수한 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethyleneterephtalate, PET) 수지와 같은 합성수지를 포함할 수 있다. 이와 다르게, 베이스 기판(110)은 광 투과율이 우수한 유리(glass) 또는 크리스털(crystal) 등으로 제작될 수 있다.The base substrate 110 includes the first electrode 120, the inorganic light emitting layer 130, the dielectric layer 140, the second electrode 150, the first blocking layer 160, and the second blocking of the inorganic light generating device 100. It serves as a supporter for supporting layer 170. In the present embodiment, the base substrate 110 may include a synthetic resin such as polyethylene terephthalate (PET) resin having excellent light transmittance. Alternatively, the base substrate 110 may be made of glass or crystal having excellent light transmittance.

본 실시예에서, 베이스 기판(110)의 상면은, 예를 들어, 2 개의 영역(region)들로 구분된다. 예를 들어, 베이스 기판(110)의 상면은, 예를 들어, 제1 영역(first region, FR) 및 제2 영역(second region, SR)을 포함한다. 평면상에서 보았을 때, 제1 영역(FR)은 베이스 기판(110)의 상면의 중앙 부분에 배치되고, 제2 영역(SR)은 제1 영역(FR)의 주변에 배치된다. 본 실시예에서, 제2 영역(SR)은 제1 영역(FR)을 감싸는 형상을 갖는다. 예를 들어, 제1 영역(FR)은 사각형 형상을 가질 수 있다.In the present embodiment, the upper surface of the base substrate 110 is divided into two regions, for example. For example, the top surface of the base substrate 110 may include, for example, a first region FR and a second region SR. In a plan view, the first region FR is disposed at the center portion of the upper surface of the base substrate 110, and the second region SR is disposed at the periphery of the first region FR. In the present embodiment, the second region SR has a shape surrounding the first region FR. For example, the first region FR may have a rectangular shape.

제1 전극(120)은 베이스 기판(110)의 제 1 영역(FR) 내에 형성되며, 따라서, 제1 전극(120)의 에지(edge)는 베이스 기판(110)의 상면의 에지로부터 소정 간격 이격 된다. 제1 전극(120)의 에지를 베이스 기판(110)의 상면의 에지로부터 소정 간격 이격 시킬 경우, 제1 전극(120)을 통해 후술될 무기 발광층(130)으로 수분 및/또는 산소가 침투되는 것을 억제할 수 있다.The first electrode 120 is formed in the first region FR of the base substrate 110, so that the edge of the first electrode 120 is spaced apart from the edge of the upper surface of the base substrate 110 by a predetermined distance. do. When the edge of the first electrode 120 is spaced apart from the edge of the upper surface of the base substrate 110 by a predetermined interval, the penetration of moisture and / or oxygen into the inorganic light emitting layer 130 to be described later through the first electrode (120). It can be suppressed.

제1 전극(120)은 얇은 두께를 갖는 박막 형상을 갖는다. 본 실시예에서, 제1 전극(120)을 이루는 물질의 예로서는 투명하면서 도전성인 산화 주석 인듐(Indium Tin Oxide, ITO), 산화 아연 인듐(Indium Zinc Oxide, IZO) 또는 아몰퍼스 산화 주석 인듐(amorphous Indium Tin Oxide, a-ITO) 등을 들 수 있다. 이들은 단독 또는 복합적으로 사용될 수 있다. 본 실시예에서, 제1 전극(120)은, 예를 들어, 산화 주석 인듐(ITO)을 포함한다.The first electrode 120 has a thin film shape having a thin thickness. In this embodiment, examples of the material constituting the first electrode 120 include transparent and conductive tin indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or amorphous tin indium tin (amorphous indium tin). Oxide, a-ITO), etc. are mentioned. These may be used alone or in combination. In the present embodiment, the first electrode 120 includes, for example, tin indium oxide (ITO).

제1 전극(120)은 화학 기상 증착(chemical vapor deposition) 공정, 스퍼터링(sputtering) 공정 또는 스크린 프린팅(screen printing) 공정 등 다양한 공정에 의하여 형성될 수 있다.The first electrode 120 may be formed by various processes such as a chemical vapor deposition process, a sputtering process, or a screen printing process.

제1 전극(120) 상에는 무기 발광층(130)이 배치된다. 본 실시예에서, 무기 발광층(130)은 형광체를 포함하는 형광층을 포함한다. 본 실시예에서, 무기 발광층(130)은 무기 발광층(130)의 외부에서 제공된 전자(electron)를 가시광선(visible ray)으로 변경한다. 본 실시예에서, 무기 발광층(130)은 수십 ∼ 수백㎛의 두께를 갖는다. 본 실시예에서, 제1 전극(120)이 제1 면적을 가질 경우, 제1 전극(120) 상에 형성된 무기 발광층(130)은 제1 면적보다 작은 제2 면적을 가진다.The inorganic emission layer 130 is disposed on the first electrode 120. In the present embodiment, the inorganic light emitting layer 130 includes a fluorescent layer including a phosphor. In the present exemplary embodiment, the inorganic light emitting layer 130 converts electrons provided from the outside of the inorganic light emitting layer 130 into visible light. In the present embodiment, the inorganic light emitting layer 130 has a thickness of several tens to several hundred μm. In the present embodiment, when the first electrode 120 has a first area, the inorganic light emitting layer 130 formed on the first electrode 120 has a second area smaller than the first area.

유전층(140)은 전기적 저항이 매우 큰 박막으로, 무기 발광층(130)을 덮는 다. 유전층(140)을 이루는 절연 물질의 예로서는 BaTiO3, SrTiO3, (Pb,La)TiO3 등을 들 수 있다. 이들은 단독 또는 복합적으로 사용될 수 있다. 본 실시예에서, 유전층(140)은 베이스 기판(110)과 접촉되지 않는 두께를 갖는다. 예를 들어, 유전층(140)은 수~수십㎛의 두께를 갖고, 유전층(140)은 제1 전극(120) 상에 배치된다.The dielectric layer 140 is a thin film having a very high electrical resistance and covers the inorganic light emitting layer 130. Examples of the insulating material forming the dielectric layer 140 include BaTiO 3 , SrTiO 3 , (Pb, La) TiO 3 , and the like. These may be used alone or in combination. In this embodiment, the dielectric layer 140 has a thickness that is not in contact with the base substrate 110. For example, the dielectric layer 140 has a thickness of several tens to several tens of micrometers, and the dielectric layer 140 is disposed on the first electrode 120.

제2 전극(150)은 유전층(140)의 상부에 배치되어 제1 전극(120)과 마주보도록 배치된다. 본 실시예에서, 제2 전극(150)은 얇은 두께를 갖는 금속 박막을 포함한다. 제2 전극(150)을 이루는 금속의 예로서는 알루미늄, 알루미늄 합금, 은(silver) 등을 들 수 있다. 이들은 단독 또는 복합적으로 사용될 수 있다.The second electrode 150 is disposed on the dielectric layer 140 to face the first electrode 120. In the present embodiment, the second electrode 150 includes a metal thin film having a thin thickness. Examples of the metal constituting the second electrode 150 include aluminum, an aluminum alloy, silver, and the like. These may be used alone or in combination.

제1 차단층(160)은 제2 전극(150), 유전층(140)을 덮는다. 제1 차단층(160)은 제1 전극(120)상에 배치된다. 본 실시예에서, 평면상에서 보았을 때, 제1 전극(120)의 면적 및 형상은 제1 차단층(160)의 면적 및 형상과 실질적으로 동일하다. 본 실시예에서, 제1 차단층(160)이 제1 전극(120) 상에 배치되기 때문에 제1 전극(120)의 측면은 제1 차단층(160)에 의하여 덮이지 않는다.The first blocking layer 160 covers the second electrode 150 and the dielectric layer 140. The first blocking layer 160 is disposed on the first electrode 120. In this embodiment, when viewed in plan view, the area and shape of the first electrode 120 are substantially the same as the area and shape of the first blocking layer 160. In the present embodiment, since the first blocking layer 160 is disposed on the first electrode 120, the side surface of the first electrode 120 is not covered by the first blocking layer 160.

제2 차단층(170)은 제1 차단층(160)에 의하여 덮이지 않는 제1 전극(120)의 노출된 측면을 덮는다. 본 실시예에서, 제2 차단층(170)이 제1 전극(120)의 노출된 측면을 덮음으로써 제1 전극(120)의 측면에 형성될 수 있는 크랙을 통해 수분 및/또는 산소가 무기 발광층(130)으로 침투되는 것을 억제할 수 있다.
상기 제1 및 제2 차단층(160, 170)은 방습 및 마스킹을 위한 층으로 우레탄, 에폭시, 폴리에스터 등을 포함하는 일반적인 수지로 구성될 수 있다. 바람직하게는, 상기 제1 및 제2 차단층(160, 170)은 폴리에스터계의 수지로 형성되어 방습특성을 개선함과 동시에 유연성을 향상할 수 있다. The second blocking layer 170 covers the exposed side surface of the first electrode 120 not covered by the first blocking layer 160. In the present embodiment, the second blocking layer 170 covers the exposed side of the first electrode 120, so that moisture and / or oxygen may be formed in the inorganic light emitting layer through cracks that may be formed on the side of the first electrode 120. Penetration into 130 can be suppressed.
The first and second blocking layers 160 and 170 may be formed of a general resin including urethane, epoxy, polyester, etc. as a layer for moisture proofing and masking. Preferably, the first and second blocking layers 160 and 170 may be formed of a polyester resin to improve moisture resistance and at the same time improve flexibility.

한편, 무기 광 발생 장치(100)로부터 광을 발생하기 위해서, 제1 전극(120) 및 제2 전극(150)에는 각각 전원 공급 유닛(180)이 전기적으로 연결될 수 있다. 전 원 공급 유닛(180)은, 예를 들어, 제1 전극(120) 및 제2 전극(150)에 교류 전압(AC voltage)을 인가할 수 있다.Meanwhile, in order to generate light from the inorganic light generating device 100, the power supply unit 180 may be electrically connected to the first electrode 120 and the second electrode 150, respectively. The power supply unit 180 may apply an AC voltage to the first electrode 120 and the second electrode 150, for example.

앞서 설명한 바에 의하면, 본 실시예에 의한 무기 광 발생 장치(100)의 제1 전극(120)은 베이스 기판(110)의 상면의 에지로부터 베이스 기판(110)의 중앙부를 향해 오프셋(off-set)된 형상을 갖는다. 베이스 기판(110)의 면적보다 작은 면적은 갖는 제1 전극(120)의 상면에는 형광층(130), 유전층(140), 제2 전극(150) 및 제1 차단층(160)이 배치되고, 제1 차단층(160)에 의하여 덮이지 않은 제1 전극(120)의 노출된 측면은 제2 차단층(170)에 의하여 덮인다.As described above, the first electrode 120 of the inorganic light generating apparatus 100 according to the present embodiment is offset from the edge of the upper surface of the base substrate 110 toward the center of the base substrate 110. Has a shape. The fluorescent layer 130, the dielectric layer 140, the second electrode 150, and the first blocking layer 160 are disposed on an upper surface of the first electrode 120 having an area smaller than that of the base substrate 110. An exposed side surface of the first electrode 120 not covered by the first blocking layer 160 is covered by the second blocking layer 170.

따라서, 제1 전극(120)의 노출된 측면에 크랙이 발생되는 것을 억제 및 제1 전극(120)의 노출된 측면을 따라 수분 및/또는 산소의 침투에 따른 무기 발광층(130)의 열화를 방지하여, 무기 광 발생 장치(100)의 수명을 보다 향상시킬 수 있다.Therefore, it is possible to prevent cracks from occurring on the exposed side of the first electrode 120 and to prevent degradation of the inorganic light emitting layer 130 due to penetration of moisture and / or oxygen along the exposed side of the first electrode 120. Thus, the life of the inorganic light generating device 100 can be further improved.

무기 광 발생 장치의 제조 방법Manufacturing method of the inorganic light generating device

도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 무기 광 발생 장치의 제조 방법을 도시한 순서도이다. 도 4는 본 발명에 의한 무기 광 발생 장치의 제조 방법에 따른 베이스 기판 및 제1 전극층을 도시한 단면도이다.3 is a flowchart illustrating a method of manufacturing an inorganic light generating device according to an embodiment of the present invention. 4 is a cross-sectional view illustrating a base substrate and a first electrode layer according to a method of manufacturing an inorganic light generating device according to the present invention.

도 3 및 도 4들을 참조하면, 단계 10에서, 베이스 기판(115)상에 제1 전극층(125)이 형성된다. 본 실시예에서, 베이스 기판(115)은 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지로 제작된 대형 기판이다. 제1 전극층(125)은 베이스 기판(115)의 상면에 형성 되며, 제1 전극층(125)은 화학기상증착 공정, 스퍼터링 공정 또는 스크린 프린팅 공정 등에 의하여 베이스 기판(115)의 상면 상에 형성된다.3 and 4, in step 10, the first electrode layer 125 is formed on the base substrate 115. In the present embodiment, the base substrate 115 is a large substrate made of polyethylene terephthalate resin. The first electrode layer 125 is formed on the upper surface of the base substrate 115, and the first electrode layer 125 is formed on the upper surface of the base substrate 115 by a chemical vapor deposition process, a sputtering process, or a screen printing process.

제1 전극층(125)을 형성하기 이전에, 베이스 기판(115)의 표면에 부착된 이물질은 초음파 세정, 습식 세정 등과 같은 세정 공정을 통해 제거될 수 있다. 세정 공정이 수행된 후, 베이스 기판(115)의 표면에 묻은 세정액은 베이스 기판(115)을 향해 분사된 기체에 의하여 건조된다. 또한, 제1 전극층(125)을 형성한 후, 제1 전극층(125)의 표면에 부착된 이물질은 초음파 세정, 습식 세정 등과 같은 세정 공정을 통해 제거되고, 세정 공정이 수행된 후, 제1 전극층(125)의 표면에 묻은 세정액은 제1 전극층(125)을 향해 분사된 기체에 의하여 건조된다.Before forming the first electrode layer 125, the foreign matter attached to the surface of the base substrate 115 may be removed through a cleaning process such as ultrasonic cleaning, wet cleaning, or the like. After the cleaning process is performed, the cleaning liquid buried on the surface of the base substrate 115 is dried by the gas injected toward the base substrate 115. In addition, after the first electrode layer 125 is formed, foreign matter adhered to the surface of the first electrode layer 125 is removed through a cleaning process such as ultrasonic cleaning, wet cleaning, and the like, and after the cleaning process is performed, the first electrode layer The cleaning liquid on the surface of the 125 is dried by the gas injected toward the first electrode layer 125.

도 5는 도 4에 도시된 제1 전극층 상에 무기 발광층을 형성한 것을 도시한 단면도이다.FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating the formation of an inorganic light emitting layer on the first electrode layer illustrated in FIG. 4.

도 3 및 도 5들을 참조하면, 단계 20에서, 제1 전극층(125)의 상면에는 무기 발광층(130)이 형성된다. 본 실시예에서, 무기 발광층(130)은, 예를 들어, 스크린 프린팅의 방법에 의하여 제1 전극층(125)의 상면에 인쇄된다. 무기 발광층(130)을 제1 전극층(125)의 상면에 형성하기 위해서 전자(electron)에 의하여 가시광선을 발생하는 형광체에 유전특성을 갖는 고분자(Polymer) 바인더와 휘발성 유기 용매를 혼합하여 형광체 혼합물을 형성한다. 이어서, 형광체 혼합물을 일정 시간 교반하여 스크린 프린팅 방법으로 제1 전극층(125)의 상면에 박막 형태로 도포 한다. 도포 된 형광체 혼합물은 가열된 기체에 의하여 건조되어 제1 전극층(125)의 상면에는 무기 발광층(130)이 형성된다. 본 실시예에서, 무기 발광층(130)의 면적은 제1 전 극층(125)의 면적보다 다소 작게 형성되며, 무기 발광층(130)의 두께가 요구되는 두께가 될 때까지 형광체 혼합물의 도포 및 건조를 반복한다.3 and 5, in step 20, an inorganic emission layer 130 is formed on an upper surface of the first electrode layer 125. In the present embodiment, the inorganic light emitting layer 130 is printed on the upper surface of the first electrode layer 125 by, for example, a method of screen printing. In order to form the inorganic light emitting layer 130 on the upper surface of the first electrode layer 125, a phosphor mixture is mixed with a polymer binder having a dielectric property and a volatile organic solvent in a phosphor that generates visible light by electrons. Form. Subsequently, the phosphor mixture is stirred for a predetermined time and coated on the upper surface of the first electrode layer 125 by a screen printing method. The applied phosphor mixture is dried by a heated gas to form an inorganic light emitting layer 130 on the upper surface of the first electrode layer 125. In this embodiment, the area of the inorganic light emitting layer 130 is formed to be somewhat smaller than the area of the first electrode layer 125, and the coating and drying of the phosphor mixture until the thickness of the inorganic light emitting layer 130 becomes the required thickness. Repeat.

도 6은 도 5에 도시된 무기 발광층을 덮는 유전체층을 도시한 단면도이다.FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a dielectric layer covering the inorganic light emitting layer illustrated in FIG. 5.

도 3 및 도 6을 참조하면, 단계 30에서, 무기 발광층(130)의 상면에는 유전체층(140)이 스크린 프린팅 방법에 의하여 형성된다. 유전체층(140)을 형성하기 위하여 절연 물질인 BaTiO3, SrTiO3, (Pb,La)TiO3 등을 유전특성을 갖는 고분자(Polymer) 바인더와 유기 용매에 용해시킨 혼합물을 제조한다. 이어서, 혼합용액을 일정 시간 동안 교반한 후, 혼합물을 스크린 프린팅 방법에 의하여 무기 발광층(130)상에 도포 한다. 이어서, 박막 형태로 무기 발광층(130) 상에 도포 된 혼합용액을 가열된 기체로 건조하여 무기 발광층(130)을 덮는 유전체층(140)을 형성한다.3 and 6, in step 30, a dielectric layer 140 is formed on the top surface of the inorganic light emitting layer 130 by a screen printing method. In order to form the dielectric layer 140, a mixture obtained by dissolving an insulating material such as BaTiO 3 , SrTiO 3 , (Pb, La) TiO 3 , in a polymer binder having dielectric properties and an organic solvent is prepared. Subsequently, after the mixed solution is stirred for a predetermined time, the mixture is applied onto the inorganic light emitting layer 130 by a screen printing method. Subsequently, the mixed solution applied on the inorganic light emitting layer 130 in the form of a thin film is dried with a heated gas to form a dielectric layer 140 covering the inorganic light emitting layer 130.

도 7은 도 6에 도시된 유전체층 상에 형성된 제2 전극을 도시한 단면도이다.FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating a second electrode formed on the dielectric layer illustrated in FIG. 6.

도 3 및 도 6을 참조하면, 단계 40에서, 유전체층(140)의 상면에는 제2 전극(150)이 배치된다. 제2 전극(150)은 도전성 접착물질에 도전성 비드(bead)를 혼합한 도전체를 스크린 프린팅 방식으로 유전체층(140)상에 박막 형태로 형성한다. 이어서, 박막 형상을 갖는 도전체는 가열된 기체에 의하여 건조되어 유전체층(140)의 상면에는 제2 전극(150)이 배치된다. 본 실시예에서, 도전성 비드를 이루는 금속의 예로서는, 알루미늄, 알루미늄 합금 또는 은(silver)을 들 수 있다.3 and 6, in step 40, the second electrode 150 is disposed on the top surface of the dielectric layer 140. The second electrode 150 forms a thin film on the dielectric layer 140 by a screen printing method of a conductor in which a conductive bead is mixed with a conductive adhesive material. Subsequently, the conductor having a thin film shape is dried by heated gas so that the second electrode 150 is disposed on the upper surface of the dielectric layer 140. In this embodiment, examples of the metal constituting the conductive beads include aluminum, aluminum alloy or silver.

도 8은 도 7에 도시된 제2 전극 및 유전체층을 덮는 제1 차단층을 도시한 단면도이다.FIG. 8 is a cross-sectional view illustrating a first blocking layer covering the second electrode and the dielectric layer illustrated in FIG. 7.

도 3 및 도 8들을 참조하면, 단계 50에서, 유전체층(140) 및 제2 전극(150)을 덮기 위해 유전체층(140) 및 제2 전극(150) 상에는 제1 차단층(160)이 형성된다. 본 실시예에서, 제1 차단층(160)은 스크린 프린팅 방법에 의하여 형성되며, 제1 차단층(160)은 제1 전극층(125)의 상면에 형성된다. 상기 제1 차단층(160)은 우레탄, 에폭시, 폴리에스터를 포함하는 일반적인 수지로 구성될 수 있다. 제1 차단층(160)은 외부의 수분 및/또는 산소가 무기 발광층(130)으로 침투하는 것을 억제한다.3 and 8, in step 50, a first blocking layer 160 is formed on the dielectric layer 140 and the second electrode 150 to cover the dielectric layer 140 and the second electrode 150. In the present embodiment, the first blocking layer 160 is formed by the screen printing method, and the first blocking layer 160 is formed on the upper surface of the first electrode layer 125. The first blocking layer 160 may be made of a general resin including urethane, epoxy, and polyester. The first blocking layer 160 suppresses penetration of external moisture and / or oxygen into the inorganic light emitting layer 130.

도 9는 도 8에 도시된 제1 전극층을 패터닝 하여 제1 전극을 형성하는 것을 도시한 단면도이다.FIG. 9 is a cross-sectional view illustrating the formation of a first electrode by patterning the first electrode layer illustrated in FIG. 8.

도 3 및 도 9들을 참조하면, 단계 60에서, 무기 발광층(130), 유전체층(140), 제2 전극(150) 및 제1 차단층(160)이 형성된 후, 제1 차단층(160)을 식각 마스크(etching mask)로 이용하여 제1 차단층(160)은 식각 된다. 구체적으로, 제1 전극층(125)은 산화 주석 인듐(ITO)을 식각 하는 에천트(etchant)에 의한 습식 식각(wet etching) 공정 또는 플라즈마를 이용한 건식 식각(dry etching) 공정에 의하여 식각 되어, 베이스 기판(115) 상에는 제1 전극(120)이 형성된다. 이때, 평면상에서 보았을 때, 제1 전극(120)의 평면 형상 및 면적은 제1 차단층(160)의 표면 형상 및 면적과 실질적으로 동일하다.3 and 9, in step 60, after the inorganic light emitting layer 130, the dielectric layer 140, the second electrode 150, and the first blocking layer 160 are formed, the first blocking layer 160 is formed. The first blocking layer 160 is etched using the etching mask. Specifically, the first electrode layer 125 is etched by a wet etching process using an etchant for etching tin indium oxide (ITO) or a dry etching process using plasma to form a base. The first electrode 120 is formed on the substrate 115. In this case, when viewed in plan view, the planar shape and area of the first electrode 120 are substantially the same as the surface shape and area of the first blocking layer 160.

도 10은 도 9에 도시된 제1 전극의 노출된 측면을 덮는 제2 차단층을 도시한 단면도이다.FIG. 10 is a cross-sectional view illustrating a second blocking layer covering an exposed side surface of the first electrode illustrated in FIG. 9.

도 3 및 도 10을 참조하면, 단계 70에서, 제1 전극(120)의 측면은 제1 차단층(160)에 의하여 덮이지 않고 따라서 제1 전극(120)의 측면은 외부에 대하여 노출된다. 따라서, 제1 전극(120)의 측면을 통해 외부의 수분 및/또는 산소가 제1 전극 (120)을 통해 무기 발광층(130)으로 침투할 수 있다.3 and 10, in step 70, the side surface of the first electrode 120 is not covered by the first blocking layer 160 and thus the side surface of the first electrode 120 is exposed to the outside. Therefore, external moisture and / or oxygen may penetrate into the inorganic light emitting layer 130 through the first electrode 120 through the side surface of the first electrode 120.

이를 방지하기 위해서, 제1 차단층(160)의 외측면에는 제2 차단층(170)이 스크린 프린팅 등의 방법에 의하여 형성된다. 상기 제2 차단층(160)도 우레탄, 에폭시, 폴리에스터를 포함하는 일반적인 수지로 구성될 수 있다. 바람직하게는, 상기 제1 및 제2 차단층(160,170)은 동일한 수지로 구성될 수 있으며, 보다 바람직하게는 폴리에스터계의 수지로 구성된다. 이때, 제2 차단층(170)은 제1 전극(120)의 노출된 측면을 덮어 제1 전극(120)의 노출된 측면을 통해 수분 및/또는 산소가 무기 발광층(130)으로 침투되는 것을 방지 및 제1 차단층(160)으로 전달되는 수분 및/또는 산소를 다시 한번 차단하여, 무기 광 발생 장치(100)의 수명을 크게 향상시킨다.In order to prevent this, the second blocking layer 170 is formed on the outer surface of the first blocking layer 160 by a method such as screen printing. The second blocking layer 160 may also be made of a general resin including urethane, epoxy, and polyester. Preferably, the first and second blocking layers 160 and 170 may be made of the same resin, and more preferably, a polyester resin. In this case, the second blocking layer 170 covers the exposed side of the first electrode 120 to prevent moisture and / or oxygen from penetrating into the inorganic light emitting layer 130 through the exposed side of the first electrode 120. And once again blocking moisture and / or oxygen transferred to the first blocking layer 160, thereby greatly improving the life of the inorganic light generating device 100.

도 3을 다시 참조하면, 단계 80에서, 도 4 내지 도 10에 도시된 공정을 통해 베이스 기판(115) 상에 복수개의 무기 광 발생 장치(100)가 형성될 경우, 각 무기 광 발생 장치(100)를 개별화하여 무기 광 발생 장치(100)를 제조한다.Referring back to FIG. 3, in step 80, when a plurality of inorganic light generating devices 100 are formed on the base substrate 115 through the process illustrated in FIGS. 4 to 10, each inorganic light generating device 100 is formed. ) Is manufactured separately to manufacture the inorganic light generating device 100.

선택적으로, 무기 광 발생 장치(100)의 제1 전극(120) 및 제2 전극(150)은 교류 전원을 인가하는 전원 공급 유닛(미도시)과 전기적으로 연결될 수 있다.Optionally, the first electrode 120 and the second electrode 150 of the inorganic light generating device 100 may be electrically connected to a power supply unit (not shown) that applies AC power.

본 실시예에 따르면, 베이스 기판(115)상에 제1 전극층(125), 형광층(130), 유전체층(140), 제2 전극(150), 제1 차단층(160)을 순차적으로 형성한 후, 제1 차단층(160)을 식각 마스크로 이용하여 제1 전극층(125)을 패터닝 하여 제1 전극(120)을 형성한다. 이어서, 제1 전극(120)의 노출된 측면을 제2 차단층(170)에 의하여 덮음으로써 외부의 수분 및/또는 산소가 제1 전극(120)의 노출된 측면을 통해 무기 발광층(130)으로 침투하는 것을 억제하여, 무기 광 발생 장치(100)의 수명을 크게 향상시킨다.According to the present exemplary embodiment, the first electrode layer 125, the fluorescent layer 130, the dielectric layer 140, the second electrode 150, and the first blocking layer 160 are sequentially formed on the base substrate 115. Thereafter, the first electrode layer 125 is patterned using the first blocking layer 160 as an etching mask to form the first electrode 120. Subsequently, the exposed side of the first electrode 120 is covered by the second blocking layer 170 so that external moisture and / or oxygen may pass through the exposed side of the first electrode 120 to the inorganic light emitting layer 130. By suppressing penetration, the life of the inorganic light generating device 100 is greatly improved.

이상에서 상세하게 설명한 바에 의하면, 외부의 수분 및/또는 산소가 무기 광 발생 장치의 내부로 침투하는 경로에 차단층을 형성하여 광 발생 장치의 내부로 침투하는 수분 및/또는 산소를 차단하여 무기 광 발생 장치의 수명을 크게 향상시킨다.As described in detail above, the inorganic light is formed by blocking a moisture and / or oxygen penetrating into the light generating device by forming a blocking layer in a path through which external moisture and / or oxygen penetrates into the inorganic light generating device. Significantly improve the life of the generator.

앞서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통상의 지식을 갖는 자라면 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.In the detailed description of the present invention described above with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art or those skilled in the art having ordinary knowledge in the scope of the invention described in the claims to be described later It will be understood that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the scope of the present invention.

Claims (10)

평면상에서 보았을 때, 제1 영역 및 상기 제1 영역의 주변에 배치된 제2 영역을 갖는 베이스 기판;A base substrate having a first region and a second region disposed around the first region in plan view; 상기 제1 영역에 배치된 제1 전극;A first electrode disposed in the first region; 상기 제1 전극 상에 배치되는 무기 발광층;An inorganic light emitting layer disposed on the first electrode; 상기 제1 전극 상에 배치되며, 상기 무기 발광층을 덮는 유전층;A dielectric layer disposed on the first electrode and covering the inorganic light emitting layer; 상기 제1 전극과 마주보도록 상기 유전층상에 배치된 제2 전극;A second electrode disposed on the dielectric layer so as to face the first electrode; 상기 제1 전극 상에 배치되며 상기 유전층 및 상기 제2 전극을 덮는 제1 차단층; 및A first blocking layer disposed on the first electrode and covering the dielectric layer and the second electrode; And 상기 제1 전극의 노출된 측면을 덮어 상기 제1 전극의 측면을 통해 침투되는 열화물질을 차단하는 제2 차단층을 포함하는 광원 장치.And a second blocking layer covering the exposed side surface of the first electrode to block the deterioration material penetrating through the side surface of the first electrode. 제1 항에 있어서, 상기 제1 전극의 평면 형상 및 치수는 상기 제1 차단층의 평면 형상 및 치수와 실질적으로 동일한 것을 특징으로 하는 광원 장치.The light source device of claim 1, wherein the planar shape and dimensions of the first electrode are substantially the same as the planar shape and dimensions of the first blocking layer. 제1 항에 있어서, 상기 제1 전극은 도전성 투명 전극이고, 상기 제2 전극은 금속 전극인 것을 특징으로 하는 광원 장치.The light source device of claim 1, wherein the first electrode is a conductive transparent electrode, and the second electrode is a metal electrode. 제1 항에 있어서, 상기 제1 전극 및 제2 전극에 교류 전원을 인가하는 교류 전원 공급 장치를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광원 장치.The light source device according to claim 1, further comprising an AC power supply for applying AC power to the first electrode and the second electrode. 제1 항에 있어서, 상기 무기 발광층은 형광층인 것을 특징으로 하는 광원 장치.The light source device of claim 1, wherein the inorganic light emitting layer is a fluorescent layer. 베이스 기판 상에 제1 면적을 갖는 제1 전극층을 형성하는 단계;Forming a first electrode layer having a first area on the base substrate; 상기 제1 전극층 상에 상기 제1 면적보다 작은 제2 면적을 갖는 무기발광층을 형성하는 단계;Forming an inorganic light emitting layer having a second area smaller than the first area on the first electrode layer; 상기 무기발광층이 덮이도록 상기 제1 전극층 상에 유전층을 형성하는 단계;Forming a dielectric layer on the first electrode layer to cover the inorganic light emitting layer; 상기 제1 전극층과 마주보도록 상기 유전층상에 제2 전극을 형성하는 단계;Forming a second electrode on the dielectric layer so as to face the first electrode layer; 상기 제1 전극층 제2 전극 및 상기 유전층을 덮는 제1 차단층을 상기 제1 전극층 상에 형성하는 단계;Forming a first blocking layer on the first electrode layer, the first blocking layer covering the first electrode layer, the second electrode, and the dielectric layer; 상기 제1 차단층을 식각 마스크로 이용하여 상기 제1 전극층을 식각 하여 베이스 기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계; 및Etching the first electrode layer by using the first blocking layer as an etching mask to form a first electrode on a base substrate; And 상기 제1 전극의 노출된 측면을 덮어 상기 제1 전극의 측면을 통해 열화물질이 침투하는 것을 방지하기 위한 제2 전극층을 베이스 기판 상에 형성하는 단계를 포함하는 광원 장치의 제조 방법.Forming a second electrode layer on the base substrate to cover the exposed side surface of the first electrode and to prevent the penetration of deteriorated material through the side surface of the first electrode. 제6 항에 있어서, 상기 제1 전극층은 투명하면서 도전성인 산화 주석 인듐(Indium Tin Oxide)을 포함하는 것을 특징으로 하는 광원 장치의 제조 방법.The method of claim 6, wherein the first electrode layer comprises indium tin oxide which is transparent and conductive. 제6 항에 있어서, 상기 제1 전극층은 건식 식각 또는 습식 식각에 의하여 상기 베이스 기판으로부터 제거되는 것을 특징으로 하는 광원 장치의 제조 방법.The method of claim 6, wherein the first electrode layer is removed from the base substrate by dry etching or wet etching. 제6 항에 있어서, 상기 무기 발광층, 상기 유전층, 상기 제2 전극, 상기 제1 차단층 및 상기 제2 차단층은 스크린 인쇄 방식에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 광원 장치의 제조 방법.The method of claim 6, wherein the inorganic light emitting layer, the dielectric layer, the second electrode, the first blocking layer, and the second blocking layer are formed by a screen printing method. 제6 항에 있어서, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 교류 전원을 제공하는 교류 전원 인가부를 상기 제1 및 제2 전극들에 전기적으로 연결하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광원 장치의 제조 방법.The light source apparatus of claim 6, further comprising electrically connecting an AC power applying unit that provides AC power to the first electrode and the second electrode to the first and second electrodes. Manufacturing method.
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