KR100693523B1 - 이동 통신 단말기에서 보조 메모리 구동 회로 - Google Patents

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KR100693523B1
KR100693523B1 KR1020060028041A KR20060028041A KR100693523B1 KR 100693523 B1 KR100693523 B1 KR 100693523B1 KR 1020060028041 A KR1020060028041 A KR 1020060028041A KR 20060028041 A KR20060028041 A KR 20060028041A KR 100693523 B1 KR100693523 B1 KR 100693523B1
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Abstract

본 발명은 이동 통신 단말기에 연결된 보조 메모리를 안정적으로 구동시키도록 한 이동 통신 단말기에서 보조 메모리 구동 회로에 관한 것으로, 보조 메모리와, 해당 보조 메모리가 삽입되는 소켓과, 해당 소켓을 통해 해당 보조 메모리에 필요한 전원을 공급하는 제1전원 공급부를 구비한 이동 통신 단말기에 있어서, 상기 보조 메모리가 상기 소켓에 삽입된 경우에, 상기 소켓에 전원을 공급하여 검출 신호를 출력시켜 주는 제2전원 공급부와; 상기 제2전원 공급부에 의해 출력되는 검출 신호를 감지하여 스위칭 제어 신호를 생성시켜 주는 제어부와; 상기 제어부에서 생성된 스위칭 제어 신호에 따라, 상기 제1전원 공급부에서 공급하는 전원을 상기 보조 메모리로 스위칭시켜 주는 제1스위칭부와; 상기 제2전원 공급부에 의해 출력되는 검출 신호에 따라, 상기 보조 메모리와 상기 제어부를 상호 연결시켜 주는 제2스위칭부를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 함으로써, 보조 메모리를 구동시켜 주는 공급 전원의 예기치 못한 현상에 대하여 보조 메모리를 보호하며, 이동 통신 단말기의 슬립 모드 진입시 전원 전압과 접지 라인 사이 누설 전류(Leakage Current) 발생을 방지하여 해당 단말기의 배터리 사용시간을 증가시켜 주는 효과가 있다.

Description

이동 통신 단말기에서 보조 메모리 구동 회로{Circuit of Driving an Assistance Memory in a Mobile Communication Terminal}
도 1은 종래의 이동 통신 단말기에서 보조 메모리 구동 회로를 나타낸 도면.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 이동 통신 단말기에서 보조 메모리 구동 회로를 나타낸 도면.
*** 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ***
11, 21: 보조 메모리 소켓 12: 전원 공급부
13, 22: 보조 메모리 구동 회로부 14, 25: 제어부
22-1: 제1스위칭부 22-2: 제2스위칭부
23: 제1전원 공급부 24: 제2전원 공급부
본 발명은 이동 통신 단말기에서 보조 메모리 구동 회로에 관한 것으로, 특 히, 이동 통신 단말기에 연결된 보조 메모리를 안정적으로 구동시키도록 한 이동 통신 단말기에서 보조 메모리 구동 회로에 관한 것이다.
최근에, 이동 통신 단말기의 보조 메모리로 플래시 메모리를 주로 사용하고 있다. 이것은 플래시 메모리가 이동 통신 단말기 내부에 구비된 MSM에서 지원하는 MMC 인터페이스 사용이 가능하며, 플래시 메모리의 크기가 다른 보조 메모리에 비해 비교적 작다는 큰 장점이 있기 때문이다. 예를 들어, 트랜스 플래시(Trans-Flash) 메모리는 소형 SD 카드 크기의 약 1/4보다 조금 큰 크기이다.
그러면, 종래의 이동 통신 단말기에서 보조 메모리 구동 회로의 구성을 살펴보면, 도 1에 도시된 바와 같이, 보조 메모리가 삽입되어 있는 보조 메모리 소켓(11), 전원 공급부(12), 보조 메모리 구동 회로부(13) 및 제어부(14)를 포함하여 이루어져 있다.
상기 보조 메모리 소켓(11)에 상기 보조 메모리가 삽입되는 경우, 상기 보조 메모리 소켓(11)은 내부에 구비된 제1스위치 단자(SW_1)와 제2스위치 단자(SW_2)를 연결시키는 구조로 이루어진다. 또한, 상기 보조 메모리 소켓(11)은 상기 보조 메모리 구동 회로부(13)로부터 전원을 전달받는 전원 단자(T_VDD)와, 명령 신호를 전달받는 명령 단자(T_CMD)와, 클럭 신호를 전달받는 클럭 단자(T_CLK)와, 데이터 신호를 전달받는 데이터 단자(T_DATA)를 더 포함하여 이루어진다.
상기 전원 공급부(12)는 상기 보조 메모리 구동 회로부(13)의 동작에 필요한 전원을 상기 보조 메모리 구동 회로부(13)에 공급한다.
상기 보조 메모리 구동 회로부(13)는 내부에 다수개의 커패시터(C1~4)와 다수개의 저항(R1~R5)을 구비하며, 상기 전원 공급부(13)로부터 공급되는 전원을 상기 보조 메모리 소켓(11)으로 전달한다.
또한, 상기 보조 메모리 구동 회로부(13)는 상기 보조 메모리 소켓(11)으로부터 출력되는 전원을 공급받아 검출 신호를 발생시켜 상기 제어부(14)로 출력한다.
여기서, 상기 저항(R1~R5)은 풀다운(pull-down) 저항으로서, 상기 전원 공급부(12)와 상기 제어부(14) 사이에 연결되어 있는 각 라인(T_FLASH_CMD, T_FLASH_CLK, T_FLASH_DATA, T_FLASH_DETECT) 상에 구비되며, 해당 커패시터(C1~4)는 상기 전원 공급부(12)와 각 접지라인 사이에 구비된다.
상기 제어부(14)는 상기 보조 메모리 구동 회로부(13)를 통해 출력되는 검출 신호를 감지하여 상기 보조 메모리 소켓(11)에 상기 보조 메모리가 삽입된 것을 인식하며, 상기 보조 메모리를 제어하기 위한 신호를 상기 보조 메모리 구동 회로부(13)로 출력한다.
상술한 바와 같은 구성을 가진 이동 통신 단말기에서 보조 메모리 구동 회로의 동작을 살펴보면 다음과 같다.
우선, 상기 전원 공급부(12)는 상기 보조 메모리 구동 회로부(13)에 전원을 공급한다.
그러면, 상기 보조 메모리 구동 회로부(13)는 상기 전원 공급부(13)로부터 공급되는 전원을 전달받아 상기 보조 메모리 소켓(11)의 제1스위치 단자(SW_1)로 전달한다.
이때, 상기 보조 메모리가 상기 보조 메모리 소켓(11)에 삽입되는 경우, 상기 보조 메모리 소켓(11)은 내부에 구비된 제1스위치 단자(SW_1)와 제2스위치 단자(SW_2)를 연결시키는 구조로 이루어져 있으므로, 상기 제1스위치 단자(SW_1)로 공급된 전원을 상기 제2스위치 단자(SW_2)를 통해 상기 보조 메모리 구동 회로부(13)로 출력한다.
이에, 상기 보조 메모리 구동 회로부(13)는 상기 보조 메모리 소켓(11)의 제2스위치 단자(SW_2)를 통해 전원을 공급받아 검출 신호를 발생시켜 상기 제어부(14)로 출력한다.
그리고, 상기 제어부(14)는 상기 보조 메모리 구동 회로부(13)로부터 검출 신호를 입력받아 상기 보조 메모리가 상기 보조 메모리 소켓(11)에 삽입된 것을 감지하며, 상기 보조 메모리 구동 회로부(13)를 통해 제어 신호를 전달하여 상기 보조 메모리를 제어한다.
그러나, 상기 보조 메모리가 상기 보조 메모리 소켓(11)에 연결되지 않은 경우에, 상기 전원 공급부(12)는 상기 보조 메모리 구동 회로부(13)에 계속 전원을 공급함으로써, 상기 전원 공급부(12)와 접지 라인 사이에 전압레벨을 생성시켜주게 된다.
다시 말해서, 상기 보조 메모리가 상기 보조 메모리 소켓(11)에 연결되어 있지 않거나, 이동 통신 단말기가 슬립 모드로 진입할 경우에, 상기 전원 공급부(12)와 상기 접지 라인 사이에서 흐르는 누설 전류(Leakage Current)에 의하여, 해당 이동 통신 단말기의 배터리에서 전류 소모량이 많아지게 되어, 해당 배터리의 사용시간이 감소되는 문제점이 있었다.
또한, 상기 전원 공급부(12)로부터 상기 보조 메모리 구동 회로부(13)를 통해 상기 보조 메모리 소켓(11)으로 이미 전원이 인가된 상태인 경우에, 상기 보조 메모리를 연결하게 되면, 상기 해당 보조 메모리의 기능 정지 및 열화 현상이 나타난다. 즉, 상기 보조 메모리가 상기 전원 공급부(12)의 예기치 못한 이상현상에 의해 여러 가지 좋지 않은 영향을 받는 문제점이 있었다.
진술한 바와 같은 문제점들을 해결하기 위한 것으로, 본 발명은 이동 통신 단말기에 연결된 보조 메모리를 안정적으로 구동시키도록 한 이동 통신 단말기에서 보조 메모리 구동 회로를 제공하는데, 그 목적이 있다.
또한, 본 발명은 이동 통신 단말기에 연결하는 보조 메모리인 트랜스 플래시(Trans-Flash) 메모리를 안정적으로 구동시켜 줌으로써, 해당 트랜스 플래시 메모리를 구동시켜 주는 전원 공급부의 예기치 못한 현상에 의해 해당 트랜스 플래시 메모리의 기능 정지 및 열화 현상 발생 등의 좋지 않은 영향에 대하여 해당 메모리를 보호하는데, 그 목적이 있다.
또한, 본 발명은 이동 통신 단말기가 슬립모드로 진입하는 경우나, 이동 통신 단말기에 트랜스 플래시 메모리를 연결하지 않은 경우에, 보조 메모리 구동 회로의 전원 전압과 접지 라인 사이 누설 전류 발생을 방지하여 상기 이동 통신 단말 기의 배터리 사용시간을 증가시키는데, 그 목적이 있다.
상술한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시 예에 따른 이동 통신 단말기에서 보조 메모리 구동 회로는, 보조 메모리와, 해당 보조 메모리가 삽입되는 소켓과, 해당 소켓을 통해 해당 보조 메모리에 필요한 전원을 공급하는 제1전원 공급부를 구비한 이동 통신 단말기에 있어서, 상기 보조 메모리가 상기 소켓에 삽입된 경우에, 상기 소켓에 전원을 공급하여 검출 신호를 출력시켜 주는 제2전원 공급부와; 상기 제2전원 공급부에 의해 출력되는 검출 신호를 감지하여 스위칭 제어 신호를 생성시켜 주는 제어부와; 상기 제어부에서 생성된 스위칭 제어 신호에 따라, 상기 제1전원 공급부에서 공급하는 전원을 상기 보조 메모리로 스위칭시켜 주는 제1스위칭부와; 상기 제2전원 공급부에 의해 출력되는 검출 신호에 따라, 상기 보조 메모리와 상기 제어부를 상호 연결시켜 주는 제2스위칭부를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상기 제2전원 공급부는, 상기 보조 메모리가 상기 보조 메모리 소켓에 삽입되어 상기 보조 메모리 소켓에 구비된 제1스위치 단자와 제2스위치 단자가 연결된 경우에, 해당 제1스위치 단자로 전원을 공급하여 해당 제2스위치 단자를 통해 하이(high) 레벨의 검출 신호를 상기 제어부와 제2스위칭부로 출력시켜 주는 것을 특징으로 한다.
상기 제어부는, 상기 제2전원 공급부에 의해 출력되는 하이 레벨의 검출 신 호를 감지하여 상기 보조 메모리가 상기 보조 메모리 소켓에 연결된 것을 인식하며, 로우 레벨의 인에이블 신호를 출력시켜 상기 제1스위칭부의 스위칭 동작을 제어하는 것을 특징으로 한다.
상기 제1스위칭부는, P채널 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상기 제2스위칭부는, 아날로그 스위치로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 실시 예에 따른 이동 통신 단말기에서 보조 메모리 구동 회로의 구성은 도 2에 도시된 바와 같이, 트랜스 플래시(Trans-Flash) 메모리가 삽입되어 있는 보조 메모리 소켓(21), 보조 메모리 구동 회로부(22), 제1전원 공급부(23), 제2전원 공급부(24) 및 제어부(25)를 포함하여 이루어진다.
상기 보조 메모리 소켓(21), 제1전원 공급부(23)의 역할 및 구성은 종래의 기술과 동일하므로 그 설명을 생략한다.
그러면, 상기 보조 메모리 구동 회로부(22)는 상기 전원 공급부(13)로부터 공급되는 전원을 전달받아 상기 보조 메모리 소켓(11)의 제1스위치 단자(SW_1)로 전달한다.
상기 보조 메모리 구동 회로부(22)는 제1스위칭부(22-1), 제2스위칭부(22-2), 다수개의 저항(R1~R7) 및 다수개의 커패시터(C1~C4)를 포함하여 이루어진다.
상기 제1스위칭부(22-1)는 예를 들어, P채널 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)를 이용하여 이루어지며, 상기 제어부(25) 에서 생성된 스위칭 제어 신호에 따라, 상기 제1전원 공급부(23)로부터 공급되는 보조 메모리 동작에 필요한 전원을 상기 보조 메모리 소켓(21)으로 스위칭시켜 준다.
상기 제2스위칭부(22-2)는 예를 들어, 아날로그 스위치를 이용하여 이루어지며, 상기 제2전원 공급부(24)에 의해 상기 보조 메모리 구동 회로부(22)에서 출력되는 검출 신호에 따라, 상기 보조 메모리 소켓(21)과 상기 제어부(25)를 상호 연결시켜 준다. 여기서, 상기 아날로그 스위치는 상기 제2전원 공급부(24)에 의해 출력되는 검출 신호를 내부에 구비된 인에이블 단자(IN1, IN2)를 통해 입력받아, 상기 트랜스 플래시 메모리가 삽입되어 있는 보조 메모리 소켓(21)과 상기 제어부(25)를 연결시켜 준다.
상기 제2전원 공급부(24)는 상기 보조 메모리 구동 회로부(22)에서 검출 신호를 출력시키도록 하기 위한 별도의 전원을 상기 보조 메모리 소켓(21)에 공급한다. 해당 보조 메모리 소켓(21)과 연결된 이때, 상기 제2전원 공급부(24)는 상기 제1전원 공급부(23)와 별도로 구비되는 것을 잘 이해해야 한다.
상기 제어부(25)는 예를 들어, MSM으로서, 상기 보조 메모리 구동 회로부(22)에서 출력되는 검출 신호를 감지하여 상기 보조 메모리 소켓(21)에 상기 트랜스 플래시 메모리가 삽입된 것을 인식하며, 상기 제1스위칭부(22-1)의 스위칭 제어를 하기 위한 스위칭 제어 신호(즉, 인에이블 신호(FLASH_PWR_EN))를 제1스위칭부(22-1)로 출력시킨다.
본 발명의 실시 예에 따른 이동 통신 단말기에서 보조 메모리 구동 회로의 동작을 다음과 같이 설명한다.
먼저, 제1전원 공급부(23)는 보조 메모리 구동 회로부(22)의 동작에 필요한 전원을 공급함과 동시에, 제2전원 공급부(24)는 보조 메모리 구동 회로부(22)를 통해 상기 보조 메모리 소켓(21)의 제1스위치 단자(SW_1)로 전원을 공급한다.
그러면, 상기 보조 메모리 구동 회로부(22)는 상기 제1전원 공급부(23)로부터 공급되는 전원을 상기 보조 메모리 소켓(21)에 구비된 전원 단자(T_VDD)로 공급함과 동시에, 상기 제2전원 공급부(24)로부터 공급되는 전원을 상기 보조 메모리 소켓(21)에 구비된 제1스위치 단자(SW_1)로 전달한다.
이때, 상기 트랜스 플래시 메모리가 상기 보조 메모리 소켓(21)에 삽입되는 경우, 상기 보조 메모리 소켓(21)에 구비된 제1스위치 단자(SW_1)와 제2스위치 단자(SW_2)가 연결되며, 이에 해당 제1스위치 단자(SW_1)를 통해 상기 제2전원 공급부(24)로부터 공급된 전원을 입력받아, 해당 입력받은 전원을 해당 제2스위치 단자(SW_2)를 통해 상기 보조 메모리 구동 회로부(22)로 출력한다.
이에 따라, 상기 보조 메모리 구동 회로부(22)는 상기 보조 메모리 소켓(21)의 제2스위치 단자(SW_2)를 통해 전원을 공급받아 검출 신호를 발생시켜 상기 제어부(25)로 출력한다. 여기서, 상기 보조 메모리 구동 회로부(22)에서는 하이(high) 레벨의 검출 신호를 출력시켜 주는데, 이때 해당 하이 레벨의 검출 신호는 상기 제2스위칭부(22-2)로도 입력된다.
이에, 상기 제2스위칭부(22-2)는 상기 하이 레벨의 검출 신호를 내부에 구비 된 인에이블 단자(IN1, IN2)를 통해 입력받아, 상기 트랜스 플래시 메모리가 삽입되어 있는 보조 메모리 소켓(21)과 상기 제어부(25) 사이를 상호 연결시킨다.
그리고, 상기 제어부(25)는 상기 보조 메모리 구동 회로부(22)로부터 출력되는 하이 레벨의 검출 신호를 감지하여 상기 트랜스 플래시 메모리가 상기 보조 메모리 소켓(21)에 삽입된 것을 인식하며, 이에 상기 제1스위칭부(22-1)의 스위칭 동작을 제어하기 위한 스위칭 제어 신호(즉, 로우 레벨의 인에이블 신호(FLASH_PWR_EN))를 제1스위칭부(22-1)로 출력시킨다.
이에, 상기 제1스위칭부(22-1)는 상기 제어부(25)에서 생성된 스위칭 제어 신호에 따라, 상기 제1전원 공급부(23)로부터 공급되는 상기 트랜스 플래시 메모리 동작에 필요한 전원을 상기 보조 메모리 소켓(21)으로 스위칭시켜 준다. 즉, 해당 제1스위칭부(22-1)에 구비된 P채널 MOSFET을 온(on)되게 하여 도통시킨다.
그 다음에, 상기 제1전원 공급부(23)는 상기 도통된 P채널 MOSFET을 통해 상기 트랜스 플래시 메모리에 구비된 전원 단자(T_VDD)로 전원을 공급하여, 상기 트랜스 플래시 메모리를 실질적으로 구동시키는 전원을 공급한다.
이와 동시에, 상기 제어부(25)는 제어 신호를 상기 보조 메모리 구동 회로부(22)를 통해 상기 보조 메모리 소켓(21)으로 전달하여 상기 트랜스 플래시 메모리를 제어한다.
반면에, 상기 보조 메모리 소켓(21)에 상기 트랜스 플래시 메모리를 삽입하지 않은 경우에, 상기 보조 메모리 소켓(21)의 제1스위치 단자와 상기 제2스위치 단자는 구조적으로 서로 연결되지 않는다. 이에, 상기 제2전원 공급부(24)는 상기 제1스위치 단자(SW_1)에 전원을 공급하지만, 해당 전원은 상기 제2스위치 단자(SW_2)를 통해 출력되지 못한다.
이에, 상기 보조 메모리 구동 회로(22)는 상기 제2스위치 단자에서 출력되는 전원을 공급받지 못하므로, 로우 레벨의 검출 신호를 상기 제2스위칭부(22-2)와 상기 제어부로 출력시킨다.
그러면, 상기 제2스위칭부(22-2)는 내부에 구비된 인에이블 단자(IN1,2)를 통해 상기 로우 레벨의 검출 신호를 입력받아, 상기 보조 메모리 구동 회로(22)에 구비되어 있는 접지단자와 상기 제어부(25)를 상호 연결시킨다. 즉, 상기 트랜스 플래시 메모리와 상기 제어부(25)의 연결과 상기 제1전원공급부(23)와 상기 제어부(25)와의 연결을 차단시킨다.
이로 인해, 이동 통신 단말기가 슬립모드로 진입하는 경우나, 이동 통신 단말기에 보조 메모리를 연결하지 않은 경우에, 해당 이동 통신 단말기 내부에 구비된 보조 메모리 구동 회로에 누설 전류가 흐르는 것을 방지할 수 있다.
또한, 상기 제어부(25)는 상기 로우 레벨의 검출 신호를 감지하여 상기 트랜스 플래시 메모리가 상기 보조 메모리 소켓(21)에 삽입되지 않은 것을 인식하며, 상기 보조 메모리 구동 회로부(22)를 통해 제어 신호를 전달하지 않는다.
또한, 상기 제어부는(25) 상기 제1스위칭부(22-1)의 스위칭 제어를 하기 위한 스위칭 제어 신호(즉, 하이 레벨의 인에이블 신호(FLASH_PWR_EN))를 제1스위칭부(22-1)로 출력시킨다.
그러면, 상기 제1스위칭부(22-1)는 상기 제어부(25)에서 생성된 스위칭 제어 신호에 따라, 상기 제1전원 공급부(23)로부터 공급되는 상기 트랜스 플래시 메모리 동작에 필요한 전원을 상기 보조 메모리 소켓(21)으로 전달되지 못하게 차단해 준다. 즉, 해당 제1스위칭부(22-1)에 구비된 P채널 MOSFET을 오프(off)되게 하여 도통시키지 않는다.
이로 인해, 이동 통신 단말기에 트랜스 플래시 메모리 연결 여부에 따라, 상기 보조 메모리 구동 회로의 구동 전원을 온/오프 할 수 있게 되어, 해당 트랜스 플래시 메모리를 구동시켜 주는 공급 전원의 예기치 못한 현상에 의한 해당 메모리의 기능 정지 및 열화 현상 발생 등의, 여러 가지 좋지 않은 영향에 대하여 해당 메모리를 보호한다.
진술한 바와 같이, 본 발명에 의하면 이동 통신 단말기에 연결된 트랜스 플래시 메모리를 안정적으로 구동시켜줌으로써, 해당 트랜스 플래시 메모리를 구동시켜 주는 공급 전원의 예기치 못한 현상에 의한 해당 메모리의 기능 정지 및 열화 현상 발생 등의 좋지않은 영향에 대하여 해당 메모리를 보호해 주며, 이동 통신 단말기의 슬립 모드 진입시 전원 전압과 접지 라인 사이 누설 전류(Leakage Current) 발생을 방지하여 해당 단말기의 배터리 사용시간을 증가시켜 주는 효과가 있다.

Claims (5)

  1. 보조 메모리와, 해당 보조 메모리가 삽입되는 소켓과, 해당 소켓을 통해 해당 보조 메모리에 필요한 전원을 공급하는 제1전원 공급부를 구비한 이동 통신 단말기에 있어서,
    상기 보조 메모리가 상기 소켓에 삽입된 경우에, 상기 소켓에 전원을 공급하여 검출 신호를 출력시켜 주는 제2전원 공급부와;
    상기 제2전원 공급부에 의해 출력되는 검출 신호를 감지하여 스위칭 제어 신호를 생성시켜 주는 제어부와;
    상기 제어부에서 생성된 스위칭 제어 신호에 따라, 상기 제1전원 공급부에서 공급하는 전원을 상기 보조 메모리로 스위칭시켜 주는 제1스위칭부와;
    상기 제2전원 공급부에 의해 출력되는 검출 신호에 따라, 상기 보조 메모리와 상기 제어부를 상호 연결시켜 주는 제2스위칭부를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 이동통신 단말기에서 보조 메모리 구동 회로.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 제2전원 공급부는, 상기 보조 메모리가 상기 소켓에 삽입되어 상기 소켓에 구비된 제1스위치 단자와 제2스위치 단자가 연결된 경우에, 해당 제1스위치 단자로 전원을 공급하여 해당 제2스위치 단자를 통해 하이 레벨의 검출 신호를 상 기 제어부와 제2스위칭부로 출력시켜 주는 것을 특징으로 하는 이동 통신 단말기에서 보조 메모리 구동 회로.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 제2전원 공급부에 의해 출력되는 하이 레벨의 검출 신호를 감지하여 상기 보조 메모리가 상기 보조 메모리 소켓에 연결된 것을 인식하며, 로우 레벨의 인에이블 신호를 출력시켜 상기 제1스위칭부의 스위칭 동작을 제어하는 것을 특징으로 하는 이동 통신 단말기에서 보조 메모리 구동 회로.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 제1스위칭부는, P채널 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 이동 통신 단말기에서 보조 메모리 구동 회로.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 제2스위칭부는, 아날로그 스위치로 이루어지는 것을 특징으로 하는 이동 통신 단말기에서 보조 메모리 구동 회로.
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