KR100692876B1 - 대상물의 표면에 잔주름 형상 패턴을 형성하기 위한 장치및 방법 - Google Patents
대상물의 표면에 잔주름 형상 패턴을 형성하기 위한 장치및 방법 Download PDFInfo
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Abstract
크기와 모양을 다양하게 형성하면서 대상물의 표면에 직접 홀로그램용 잔주름 형상(미세패턴)을 형성할 수 있는 잔주름 형상 형성장치 및 방법이 개시된다. 잔주름 형상 형성장치는 동일한 주파수와 서로 다른 위상차를 갖는 광을 합성시킨 합성광을 생성하는 광원부 및 상기 합성광의 간섭패턴을 따라 그 표면에 잔주름 형상이 형성되는 대상체가 고정되는 지그, 상기 지그의 제1 단부와 접촉하고 상기 광원방향으로 이동 가능한 지그 변위자 및 상기 지그의 제1 단부와 대응하는 제2 단부와 접촉하고 상기 지그 변위자를 고정하는 가공평판을 포함한다. 따라서, 지그 변위자의 높이변화를 통하여 광의 입사각을 조정함으로써 상기 잔주름 형상(미세패턴)의 크기와 모양을 다양하게 형성할 수 있다.
Description
도 1은 종래의 잔주름 형상 형성장치를 개략적으로 나타내는 구성도이다.
도 2는 상기 잔주름 형상 형성장치에 의해 형성된 잔주름 형상의 단면형상을 나타내는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 의한 홀로그램용 잔주름 형상 형성장치를 개략적으로 나타내는 구성도이다.
도 4는 표면에 미세 패턴을 가공할 대상체가 위치한 상기 홀로그램용 잔주름 형상 형성장치의 가공부를 나타내는 평면도이다.
도 5는 도 3에 도시된 홀로그램용 잔주름 형상 형성장치에 의해 형성된 홀로그램용 잔주름 형상의 일실시예를 나타내는 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일실시예에 따라 대상체의 표면에 직접 홀로그램용 잔주름 형상(미세패턴)을 형성하는 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 7은 코팅층을 더 포함하는 홀로그램용 잔주름 형상을 나타내는 단면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100: 광원부 110: 포커싱 렌즈
500: 가공부 510: 지지대
520: 높이 조절장치 530: 가공평판
540: 지그 변위자 550: 지그
본 발명은 대상물의 표면에 홀로그램용 패턴을 형성하기 위한 장치 및 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 대상물의 표면에 홀로그램 효과를 증대할 수 있는 다양한 모양과 크기를 갖는 패턴을 형성하는 장치 및 이를 이용하여 홀로그램용 경사 패턴을 형성하는 방법에 관한 것이다.
최근 상품의 가치를 향상시키기 위하여 제품의 표면에 홀로그램을 형성하는 홀로그래피 기술이 널리 이용되고 있다. 홀로그래피 기술은 두 개의 레이저 광이 서로 만나 일으키는 빛의 간섭효과를 이용, 사진용 필름과 유사한 2차원 표면에 3차원 이미지를 기록하는 기술을 의미하는 것으로서, 디지털 정보기록, 3차원 화상처리 등에 널리 사용되고 있으며, 입체사진이나 입체영화를 만드는 기초기술로 이용되고 있다. 특히, 상기 홀로그래피 기술에 의해 형성된 3차원 이미지인 홀로그램은 소비자의 눈길을 효과로 상업적 측면에서 각광을 받고 있으며, 복잡한 과정을 거쳐 제작되기 때문에 동일한 영상을 복제하는 것이 불가능하여 은행이나 신용카드 의 위조방지 등과 같은 제품보호용으로도 널리 이용되고 있다.
홀로그램은 간섭성이 우수한 2개의 광이 2차원 평면에 형성된 패턴에 의해 회절된 광의 간섭현상이므로 간섭성이 우수한 광원과 충분한 회절능력을 갖춘 잔주름 형상(미세패턴)에 의해 그 품질이 결정된다. 이러한 이유에 의해, 간섭성과 지향성이 우수하고 렌즈로 집속하여 미소영역에 고에너지를 집중시킬 수 있는 레이저 광이 홀로그래피 기술의 광원으로 가장 널리 이용되고 있으며, 수 μm의 간격으로 형성된 잔주름 형상(미세패턴)을 구비하는 2차원 필름이 이용되고 있다.
일반적으로 상기 레이저 광은 완전한 직사광으로 사출된다 할지라도 회절이나 레이저 발진기의 광학적 정밀도 등의 한계에 의해 집속 가능한 최소 스폿의 직경은 레이저 광의 파장정도까지 줄이는 것이 극히 곤란하여 특정 대상체의 표면에 홀로그램을 위한 간섭광을 형성할 정도로 수 μm의 간격을 갖는 잔주름 형상(미세패턴)을 형성하는 것은 불가능하였다. 그러므로, 포토레지스트 또는 포토폴리머를 감광물질로 이용하여 상기와 같은 잔주름 형상(미세패턴)을 갖는 필름을 별도로 제작하여 대상체의 표면에 접착하는 방식을 이용하였다. 그러나, 이러한 방식은 색상변화에 적극적으로 대응할 수 없을 뿐만 아니라 공정수의 증가와 이에 따른 비용 상승이라는 난점을 갖고 있다.
상술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위해, 레이저를 이용하여 대상체의 표면에 직접 홀로그램용 잔주름 형상(미세패턴)을 형성하는 레이저 가공기술이 홀로그래피 기술에 응용되고 있다.
상기 레이저 가공기술에 의하면, 동일한 진동수를 가지면서 일정한 위상차를 갖는 복수의 레이저를 간섭시키고, 상기 간섭 레이저를 집광렌즈나 오목거울 등과 같은 집속수단을 이용하여 포커싱하면 상기 대상체의 표면에는 줄무늬 형상의 간섭패턴이 형성된다. 즉, 상기 간섭 레이저가 보강간섭을 일으키는 영역에 위치하는 대상체의 표면은 배증된 광 에너지에 의해 용융되고, 상쇄간섭을 일으키는 영역에 위치하는 대상체의 표면은 서로 상쇄되어 소멸된 광에너지로 말미암아 아무런 영향을 받지 않게 된다. 따라서, 상기 대상체의 표면에는 상기 간섭패턴의 강도분포에 대응하는 잔주름 형상(미세패턴)이 형성된다.
상술한 바와 같은 레이저 가공을 거친 대상체의 조사영역에는 간격이 가시광의 파장역에 가까운 1μm 혹은 그 이하로 형성되는 수백개의 미세 줄무늬가 형성되어 잔주름 형상(미세패턴)을 형성하게 된다. 따라서, 상기와 같은 레이저 가공을 수행하면서 상기 대상체의 방향을 X방향 또는 Y방향으로 변위시킴으로써 대상체 표면의 전부 또는 일부에 직접 잔주름 형상(미세패턴)을 형성한다.
그러나, 이와 같은 종래의 잔주름 형상(미세패턴) 형성장치는 대상체의 표면에 대하여 주사되는 레이저 광의 주사각도가 일정하게 형성되어 있으므로, 상기 대상체의 표면에 형성되는 잔주름 형상(미세패턴)의 모양이 일정하게 고정되는 문제점이 있다.
도 1은 종래의 잔주름 형상(미세패턴) 형성장치를 개략적으로 나타내는 구성도이며, 도 2는 상기 잔주름 형상(미세패턴) 형성장치에 의해 형성된 잔주름 형상(미세패턴)의 단면형상을 나타내는 단면도이다.
도 1을 참조하면, 광원(1)에서 발생된 2개의 광이 서로 간섭하여 합성파를 형성한 후 집속수단(2)을 경유하여 잔주름 형상(미세패턴)(P)을 형성할 대상체(W)의 표면으로 주사한다. 이때, 상기 대상체(W)를 고정하는 지지대(T)를 x방향 및 y방향을 따라 이송시킴으로써 상기 대상체(W)의 전 표면 또는 부분적인 표면에 상기 잔주름 형상(미세패턴)(P)을 형성하게 된다. 예를 들면, 상기 합성광을 상기 대상체의 x방향을 따라 충분히 조사시킨 후 y방향으로 상기 대상체를 이송시킴으로써 그 표면에 상기 잔주름 형상(미세패턴)을 형성하게 된다. 상기 합성광의 강도, 상기 대상체의 물성 및 상기 x방향 및 y방향의 이송속도 등이 모두 일정하게 주어지므로 상기 잔주름 형상(미세패턴)의 단면은 도 2에 도시된 바와 같이 항상 일정한 모양을 갖게 된다.
상기 잔주름 형상(미세패턴)을 홀로그램의 필름으로 이용하는 경우에는, 그 크기와 모양이 모두 동일하여 다양한 홀로그램을 표현하지 못하고 홀로그램의 품질을 저하시키는 문제점이 있다. 상기 대상체의 표면에 대한 상기 합성광의 주사각도는 상기 집속수단의 변경에 의하더라도 가능하지만, 이는 광학 시스템의 전체적인 변경을 초래하여 형성되는 잔주름 형상(미세패턴)의 품질을 저하시킬 뿐만 아니라, 잔주름 형상(미세패턴) 형성을 위해 많은 시간을 소모하는 문제점이 있어서, 다품종 소량 생산을 벗어난 대량생산에는 적합하지 않다는 한계가 있다.
이에 따라, 다양한 모양과 크기를 갖는 잔주름 형상(미세패턴)을 대량으로 신속하게 대상체의 표면에 제작할 수 있는 홀로그램용 패턴 가공방법이 요구되고 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 대상체의 표면에 대하여 경사면을 구비하는 홀로그램용 잔주름 형상(미세패턴)을 대상체의 표면에 직접 형성하는 홀로그램용 패턴 형성장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 홀로그램용 패턴 형성장치를 이용하여 경사면을 구비하는 홀로그램용 잔주름 형상(미세패턴)을 형성하는 방법을 제공하는 것이다.
상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 홀로그램용 패턴 형성장치에 의하면, 동일한 주파수와 서로 다른 위상차를 갖는 광을 합성시킨 합성광을 생성하는 광원부 및 상기 합성광의 간섭패턴을 따라 그 표면에 잔주름 형상(미세패턴)이 형성되는 대상체가 고정되는 지그, 상기 지그의 제1 단부와 접촉하고 상기 광원방향으로 이동 가능한 지그 변위자 및 상기 지그의 제1 단부와 대응하는 제2 단부와 접촉하고 상기 지그 변위자를 고정하는 가공평판을 포함한다. 상기 광은 다수의 레이저 발생기로부터 각각 발생한 레이저 또는 하나의 레이저 발생기로부터 발생한 레이저를 분할한 분할 레이저를 포함한다. 특히, 상기 지그 변위자의 이동에 따라 상기 지그의 제1 단부도 함께 이송하여, 상기 가공평판에 대하여 상기 지그는 소정의 기울기를 갖는다. 본 발명의 바람직한 일실시예로서, 상기 잔주름 형상(미세패턴)의 간격은 0.5마이크로미터 내지 2.0마이크로미터의 범위를 가지며, 상기 대상체는 금속물질을 포함한다. 상기 가공평판과 연결되어 상기 가공평판을 상기 광원방향으로 구동하기 위한 높이 조절장치를 더 포함한다.
상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 홀로그램용 잔주름 형상(미세패턴) 형성방법을 개시한다. 먼저, 홀로그램용 잔주름 형상(미세패턴)을 형성할 대상체를 가공평판의 상부에 위치하는 지그에 고정한다. 이어서, 상기 가공평판에 대하여 소정의 경사각을 갖도록 상기 지그의 기울기를 결정하고, 상기 대상체의 표면으로 동일한 주파수와 서로 다른 위상차를 갖는 광을 합성시킨 합성광을 주사하여 상기 합성광의 간섭패턴에 대응하는 패턴을 형성한다. 일실시예로서, 상기 기울기를 결정하는 단계는 상기 지그의 제1 단부와 연결되는 지그 변위자의 높이를 변경하는 단계를 포함한다. 일실시예로서, 상기 패턴은 일측면이 상기 가공평판에 대하여 기울어지게 형성되며, 상기 패턴은 0.5마이크로미터 내지 2.0마이크로미터의 간격을 갖도록 형성한다. 일실시예로서, 상기 대상체를 고정하는 단계 이전에 상기 대상체의 표면을 정밀하게 가공하는 표면 가공단계를 더 포함하며, 본 실시예에 의한 상기 대상체의 표면은 평탄화 공정에 의해 가공된다. 일실시예로서, 상기 평탄화 공정은 전해 연마공정, 화학 기계적 연마(chemical mechanical polishing, CMP) 공정, 전면 식각공정 또는 이들의 조합을 포함한다. 또한, 상기 패턴을 보호하고 광의 반사율 및 굴절율을 향상시킬 수 있는 코팅막을 형성하는 단계를 더 포함하며, 상기 코팅층은 단일층 또는 다층막을 포함한다. 본 발명의 다른 실시예에 의하면, 상기 패턴 및 상기 대상체의 표면순도를 높이기 위한 세정단계를 더 포함하며, 상기 세정공정은 초음파를 이용하여 수행하는 것을 포함한다.
본 발명에 의하면, 별도의 홀로그램용 필름을 이용하지 않고 대상체의 표면에 직접 홀로그램용 잔주름 형상(미세패턴)을 형성할 수 있으며, 지그 변위자의 높이를 변경함으로써 대상체의 표면으로 입사되는 광의 입사각을 용이하게 변경할 수 있다. 따라서, 대상체의 표면에 형성되는 잔주름 형상(미세패턴)의 모양과 크기를 용이하게 변경하여 생성되는 홀로그램의 표시품질을 높일 수 있는 장점이 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하고자 한다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 의한 홀로그램용 잔주름 형상(미세패턴) 장치를 개략적으로 나타내는 구성도이며, 도 4는 표면에 미세 패턴을 가공할 대상체가 위치한 상기 홀로그램용 잔주름 형상(미세패턴) 형성장치의 가공부를 나타내는 평면도이다. 도 5는 도 3에 도시된 홀로그램용 잔주름 형상(미세패턴) 형성장치에 의해 형성된 홀로그램용 잔주름 형상(미세패턴)의 일실시예를 나타내는 단면도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 본 발명의 일실시예에 의한 홀로그램용 잔주름 형상(미세패턴) 형성장치(900)는 합성광을 생성하는 광원(100)과 상기 합성광의 주사에 의해 표면에 잔주름 형상(미세패턴)이 형성되는 가공 대상체(W)가 위치하는 가공부(500)를 포함한다.
상기 광원(100)은 2개의 레이저를 생성하여 합성렌즈(미도시)에 의해 합성시킴으로써 합성파를 생성하고 상기 합성파는 포커싱 렌즈(110)를 경유하여 상기 가공 대상체(W)의 표면으로 주사된다. 일실시예로서, 상기 광원은 약 1064nm의 발진파장을 갖는 Nd:YVO4 광원, Nd:YAG 광원 또는 Nd:YLF 광원에서 생성된 레이저 중 약 1KHz 내지 약 200KHz 범위의 고주파 신호를 이용하며, 상기 포커싱 렌즈(110)는 약 100mm 내지 약 254mm의 초점심도를 갖도록 설정된다. 특히, 본 실시예에서 상기 포커싱 렌즈(110)는 약 160mm의 초점심도를 갖는다. 상기 가공 대상체(W)는 상기 포커싱 렌즈(110)의 초점거리 보다 짧거나 먼 거리에 위치할 수 있지만 본 실시예의 경우에 상기 포커싱 렌즈(110)의 초점거리보다 먼 거리에 위치하여 상기 레이저의 빔 스포트 직경이 약 20μm 내지 약 40μm의 범위를 갖도록 조절한다. 바람직하게는, 간섭패턴의 명료성을 향상하기 위해 광속의 직진성을 향상하기 위한 원통형 렌즈를 더 포함할 수 있다. 본 실시예에서는 2개의 레이저를 생성하여 합성하는 것을 예시하고 있지만, 1개의 레이저를 생성하여 이를 분할하고 분할된 광을 합성하여 상기 합성파를 형성할 수 있음은 자명하다. 이때, 상기 레이저 분할을 위한 수단으로서 스플리터, 45도 분광 프리즘, 1쌍의 투사경 또는 다수의 삼각추 프리즘 등을 이용할 수 있다.
상기 가공부(500)는 상부면이 평탄하게 형성된 평판 형상의 지지대(510), 상기 지지대(510)의 상부에 위치하여 수직방향으로 이동가능하게 설치되는 높이 조절장치(520), 상기 높이 조절장치(520)의 상부에 위치하고 평탄한 상부면을 갖는 가공 평판(530), 상기 가공평판(530)의 상부면에 위치하고 높이 조절이 가능한 지그 변위자(540) 및 상부면에 상기 가공 대상체(W)가 고정되는 평판으로서 일단부는 상기 지그 변위자(540)의 상부와 접촉하며 타단부는 상기 가공평판(530)의 상부면과 접촉하는 지그(550)를 포함한다.
상기 지지대(510)는 상기 가공부(500)의 전체 설치면적을 결정하며 설치 장소의 바닥과 면접하여 상기 가공 대상체(W)에 대한 잔주름 형상(미세패턴) 형성시 진동이나 기타 외란으로부터 상기 가공평판(530)을 보호한다.
상기 높이 조절장치(520)는 내부에 위치하는 스텝 모터 등과 같은 내부 구동 원에 의해 작동되어 상부에 접촉하고 있는 가공평판(530)의 위치를 높이 방향으로 조절한다. 이하에서는, 상기 가공평판(530)의 상부면의 일방향을 x축, 상기 일방향과 수직한 다른 일방향을 y축으로 정의한다. 따라서, 상기 가공평판(530)의 상부면은 x-y평면을 형성한다. 한편, 상기 x-y평면과 수직하고 상기 광원(100)을 향하는 방향으로 z축을 정의한다. 따라서, 상기 높이 조절장치(520)는 상기 가공평판(530)을 z축을 따라 이송시켜 상기 가공평판(530)의 상부면에 위치하는 가공 대상체(W)와 상기 광원(100)사이의 거리를 조절한다. 광의 세기는 광원으로부터의 거리제곱에 반비례하므로 상기 높이 조절장치(520)를 통하여 상기 광원(100)과 상기 대상체(W) 사이의 거리를 조절함으로써 상기 대상체(W)에 형성되는 미세 패턴의 깊이를 조절할 수 있다.
상기 가공평판(530)은 상기 대상체(W)를 고정하는 지그(550)와 상기 지그(550)의 일단부 위치를 z축 방향으로 조절할 수 있는 지그 변위자(540)를 구비하고 상기 잔주름 형상(미세패턴)을 대상체에 형성하는 동안 상기 지그(550) 및 지그 변위자(540)를 안정적으로 위치시킨다. 이때, 상기 지그의 일단부(552)는 상기 지그 변위자(540)의 상부에 접촉하고 이와 대응하는 타단부(554)는 상기 가공평판(530)의 상부에 접촉하여 상기 지그(550)는 상기 가공평판(530)의 상부면에 대하여 소정의 경사각(θ)만큼 기울어지게 된다. 따라서, 상기 광원(100)으로부터 출사된 광은 상기 대상체(W)의 표면에 대하여 경사각(θ)만큼 기울어지게 주사된다.
이에 따라, 상기 대상체(W)의 표면에 형성되는 잔주름 형상(미세패턴)(P)도 수직방향에 대하여 상기 경사각(θ)에 대응하는 기울기를 가지면서 형성되며, 상기 잔주름 형상(미세패턴)(P)은 상기 대상체(W)의 표면에 톱니 모양 또는 사다리꼴 모양 등과 같이 패턴의 측면이 경사진 다양한 형상으로 형성된다.
상기 경사각(θ)은 상기 지그 변위자(540)의 높이를 변화시킴으로써 조절가능하며, 이에 따라 상기 잔주름 형상(미세패턴)(P)의 기울기도 조절가능하다. 또한, 상기 패턴과 패턴과 사이의 폭은 상기 광원으로 사용하는 합성파의 보강간섭과 보강간섭 사이의 간격에 해당하므로 광학의 간섭이론 및 회절이론에 따라 다양한 조절이 가능하다. 특히, 인접패턴 사이의 간격이 더 크게 벌어지는 경우에는 톱니모양이나 사다리꼴 모양뿐만 아니라 다양한 형태의 변형된 형태가 가능함은 자명하다. 예를 들면, 상기 대상체의 재질, 레이저의 출력, 레이저의 마킹 가공속도, 지연속도, 점핑속도, 집광 렌즈의 초점 스포트의 직경, 상기 포커싱 렌즈(110)의 구면수차, 상기 경사각, 가공 횟수, 피가공물과 렌즈간의 위치, 레이저의 조사순서 등에 모두 영향을 받는다. 상기와 같은 다양한 조건들을 제어함으로써 잔주름 형상(미세패턴)의 모양을 변경할 수 있고 이에 따라 상기 패턴의 간격을 변경할 수 있다. 본 실시예의 경우 상기 잔주름 형상(미세패턴)은 약 0.5마이크로미터 내지 약 2.0마이크로미터의 범위에서 간격이 형성된다. 그러나, 상기 잔주름 형상(미세패턴)의 간격은 상기 합성광의 발진파장에 비례하므로 상기 발진파장을 변경함으로써 다양한 범위의 간격을 형성할 수 있음은 자명하다.
상기 합성광이 상기 대상체(W)의 표면으로 조사되는 동안 상기 지그 변위자(540)의 높이를 변화시킴으로써 인접 패턴 상호간의 패턴 깊이를 차별적으로 형성할 수 있음은 자명하다. 또한, 상기 높이 조절자(520)는 상기 가공평판(520)을 상기 x-y 평면 내에서 상기 가공평판(530)의 중심축에 대하여 회전시키는 회전 조절자(미도시)를 더 구비할 수 있다. 따라서, 상기 잔주름 형상(미세패턴)은 상기 대상체(W)의 길이방향에 대하여 원하는 각도만큼 경사지게 형성함으로써 상기 x-y평면 내에서 임의의 방향으로 패턴을 형성할 수 있다. 즉, 상기 잔주름 형상(미세패턴)은 상기 높이 조절자(520)에 의해 패턴의 깊이를 조절하고 상기 회전 조절자에 의해 상기 대상체(W)의 길이방향에 대한 기울기를 조절하면서 상기 잔주름 형상(미세패턴)을 형성할 수 있다. 따라서, 종래에 비하여 다양한 폭과 형상 및 깊이를 갖는 잔주름 형상(미세패턴)을 상기 대상체(W)의 표면에 직접 형성할 수 있다. 일실시예로서, 상기 가공평판(530)이 회전하기 전에 상기 대상체(W)의 폭방향을 따라 상기 잔주름 형상(미세패턴)이 형성된 경우, 상기 회전 조절자에 의해 상기 가공평판(530)을 90도만큼 회전시킴으로써 상기 대상체(W)의 길이방향을 따라 상기 잔주름 형상(미세패턴)을 형성할 수 있다.
상기 대상체(W)는 일실시예로서, 스테인레스 스틸 재질의 서스, 니켈, 크롬, 아연, 알루미늄, 티타늄, 양백, 구리 등과 같은 금속재료를 포함한다. 그러나, 반드시 이에 한정하는 것은 아니며 상기 레이저 가공에 대한 내성을 구비하는 재료라면 어떠한 재질이라도 가능한 것은 자명하다.
이하, 상기 잔주름 형상(미세패턴) 형성장치를 이용하여 대상체(W)의 표면에 직접 홀로그램용 잔주름 형상(미세패턴)을 형성하는 방법을 상세히 기술한다.
도 6은 본 발명의 일실시예에 따라 대상체의 표면에 직접 홀로그램용 잔주름 형상(미세패턴)을 형성하는 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 3 및 도 6을 참조하면, 잔주름 형상(미세패턴)을 형성할 대상체(W)의 표면을 정밀하게 가공하여 밀러수준의 표면을 형성한다 (단계S10). 일실시예로서, 상기 대상체(W)의 표면은 전해 연마, 화학 기계적 평탄화 공정(chemical mechanical polishing, CMP) 등으로 표면가공을 수행한다. 일실시예로서, 상기 대상체(W)는 그 표면에 홀로그램용 패턴을 형성할 필요가 있는 모든 재료를 포함하며, 상기 표면가공에 대한 강도와 이후에 수행되는 레이저 가공에 대한 강도를 갖추고 있으면 어떠한 재료이든 상관없다. 일실시예로서, 상기 대상체(W)는 스테인레스 스틸 재질의 서스, 니켈, 크롬, 아연, 알루미늄, 티타늄, 양백, 구리 등과 같은 금속재료를 포함한다.
표면가공이 완료된 상기 대상체(W)를 상기 잔주름 형상(미세패턴) 형성장치(900)의 지그(550) 상부면에 탑재한다 (단계 S20). 이와 같은 탑재과정은 조작자에 의해 수동으로 진행할 수도 있고, 상기 대상체(W)를 포함하고 있는 컨테이너를 구비하는 로봇암에 의해 수행될 수도 있다. 바람직하게는, 상기 대상체(W)의 탑재 후 상기 지그(550)의 상부면과 상기 대상체(W) 사이의 수평검사를 실시하여 상기 광원(110)으로부터 출사되는 상기 합성광에 대하여 정확한 입사면을 유지할 수 있도록 한다.
상기 지그 변위자(540)의 높이를 조절하여 상기 가공평판(530)에 대한 지그(550)의 경사각을 결정한다(단계 S30). 상기 경사각에 의해 상기 대상체(W)의 표면에 형성되는 잔주름 형상(미세패턴)(P)의 형상과 크기가 결정된다. 일실시예에서, 상기 지그 변위자는 상기 경사각(θ)이 약 0도 내지 약 15도의 범위를 갖도록 그 높이가 조절된다. 그러나, 상기 경사각(θ)은 상기 대상체에 형성되는 잔주름 형상(미세패턴)(P)의 폭과 크기에 따라 다양한 범위를 가질 수 있으며, 본 발명의 기술사상이 상기한 경사각의 범위 내로 한정되지 않음은 자명하다. 이때, 상기 높이 조절장치(520)도 함께 조정함으로써 상기 잔주름 형상(미세패턴)(P)의 형상과 크기뿐 아니라 깊이까지 결정할 수 있다. 또한, 상기 높이 조절자(520)에 구비된 상기 회전 조절자를 조정함으로써 상기 가공평판(520)을 상기 x-y 평면 내에서 상기 가공평판(530)의 중심축에 대하여 소정의 각도만큼 회전시킬 수 있다. 따라서, 상기 잔주름 형상(미세패턴)은 상기 높이 조절자(520)에 의해 패턴의 깊이를 조절하고 상기 회전 조절자에 의해 상기 대상체(W)의 길이방향에 대한 기울기를 조절하면서 상기 잔주름 형상(미세패턴)을 형성할 수 있다. 따라서, 종래에 비하여 다양한 폭과 형상 및 깊이를 갖는 잔주름 형상(미세패턴)을 상기 대상체(W)의 표면에 직접 형성할 수 있다. 일실시예로서, 원하는 홀로그램에 대응하는 패턴의 크기와 형상을 미리 컴퓨터 프로그램으로 저장시켜 놓은 후, 상기 지그 변위자(540) 및 상기 회전 조절자 및 높이 조절자(520)를 구동시킬 수 있는 콘트롤러를 상기 프로그램과 연동시킴으로써 수치제어 방법을 이용하여 상기 잔주름 형상(미세패턴)의 크기와 형상을 다양하게 결정할 수 있다.
상기 대상체(W)의 기울기 및 상기 광원(100)과 대상체 사이의 거리가 결정되면 상기 대상체(W)의 표면으로 상기 광원으로부터 잔주름 형상(미세패턴)을 형성하기 위한 레이저 합성광이 조사된다 (단계 S40). 상기 합성광은 상기 포커싱 렌즈(110)를 경유하여 상기 대상체의 표면으로 조사되며 폭 방향인 x방향으로의 조사 를 완료한 후 상기 지그(550)를 길이 방향인 y방향으로 이송하면서 상기 대상체의 표면 전부 또는 일부에 잔주름 형상(미세패턴)을 형성한다. 이때, 상기 가공평판(530)에 대하여 상기 지그(550)가 상기 경사각만큼 기울어져 있으므로, 상기 레이저 합성광도 상기 대상체(W) 표면의 법선에 대하여 상기 경사각만큼 기울어진 채로 입사된다. 따라서, 상기 레이저 합성광의 보강간섭에 의해 용해되는 대상체(W)의 용융면도 상기 대상체의 표면에 대하여 상기 경사각의 여각만큼의 기울기를 가지면서 형성된다. 이때, 상기 광원의 구면수차, 상기 포커싱 렌즈의 직경, 렌즈의 굴절율, 상기 렌즈와 대상체(W)와의 거리, 상기 경사각, 레이저 출력, 주파수, 가공횟수 및 가공 순서 등의 조건을 변경함으로써 상기 대상체의(W)의 표면에 형성되는 잔주름 형상(미세패턴)의 모양과 크기 등을 다르게 형성할 수 있다. 일실시예로서, 상기 레이저 합성광은 약 20μm 내지 약 40μm의 빔 스포트 직경을 가지면서 상기 대상체의 길이방향인 y방향을 따라 약 100mm/sec 내지 약 2000mm/sec의 속도로 이송된다. 따라서, 상기 빔 스포트의 직경 안에 약 1μm인 간격을 갖는 잔주름 형상(미세패턴)이 약 30개 내지 약 40개 형성된다. 상기 빔 스포트의 직경을 가공조건과 잔주름 형상(미세패턴)의 사용조건을 고려하여 조절한다면, 다양한 간격을 갖는 잔주름 형상(미세패턴)을 형성할 수 있으며 더욱 다양한 홀로그램 효과를 구현할 수 있다. 본 실시예에 의한 잔주름 형상(미세패턴)은 약 0.5마이크로미터 내지 약 2.0마이크로미터의 범위의 패턴간격을 갖도록 형성된다. 도 5에 도시된 상기 잔주름 형상(미세패턴)(P)의 간격은 인접한 패턴들의 꼭지점 사이의 거리를 의미하며, 상기 합성파의 발진파장에 비례하므로 파장을 변경함으로써 다양한 간격을 형 성할 수 있음은 이미 기술한 바와 같다.
이어서, 상기 대상체(W)를 상기 지그(550)로부터 제거하고 상기 대상체(W)의 표면을 세척하여(단계 S50) 상기 대상체(W)의 표면에 대한 레이저 가공 과정에서 발생할 수 있는 불순물을 제거함으로써 상기 잔주름 형상(미세패턴)(P) 및 상기 표면의 순도를 높인다. 일실시예로서, 상기 대상체(W)는 탈이온수 (Deionized Water), 아세톤 이소프로필 알코올 (Acetone isopropyl alcohol), 트리클로로 에틸렌 (trichloroethylen, TCE) 또는 이들의 혼합물을 이용하여 세척된다. 상기 탈이온수 (Deionized Water), 아세톤 이소프로필 알코올 (Acetone isopropyl alcohol), 트리클로로 에틸렌 (trichloroethylen, TCE) 또는 이들의 혼합물은 상기 대상체(W)를 세정하기 위한 일실시예일 뿐이며 공정조건 및 공정 환경에 따라 다양한 대체 세정제를 이용하여 세정할 수 있음은 자명하다. 다른 실시예로서, 상기 세척공정은 초음파를 이용하여 수행할 수도 있다.
이어서, 표면에 형성된 잔주름 형상(미세패턴)을 보호하고 광의 반사 및 굴절율을 향상시킬 수 있도록 도 7에 도시된 바와 같은 코팅막(D)을 형성한다(단계 S60). 상기 코팅층은 초발수 박막 코팅층이나 고경도 코팅층을 포함한다. 이때, 상기 코팅층은 단일층뿐만 아니라 다층막으로 형성된 멀티코팅 층도 이용할 수 있음은 자명하다. 따라서, 상기 미세 패턴에 의해 형성되는 홀로그램의 선명도를 향상시킬 수 있다.
상술한 바와 같은 잔주름 형상(미세패턴) 형성 장치 및 이를 이용한 잔주름 형상(미세패턴) 형성 방법에 의하면, 레이저 가공 대상물이 위치하는 지그의 일단부 위치를 자유롭게 변경할 수 있는 지그 변위자를 형성하여 상기 잔주름 형상(미세패턴) 형성공정 전 또는 공정진행 중에 상기 지그의 경사각을 변화시킴으로써 상기 대상체의 표면으로 입사되는 레이저 합성광의 입사각을 변화시킬 수 있다. 이에 따라, 상기 대상체(W)의 표면에 형성되는 홀로그램용 잔주름 형상(미세패턴)의 모양과 크기 및 깊이를 각각 다르게 형성할 수 있다. 또한, 홀로그램용 필름을 이용하는 것이 아니라 대상체의 표면에 직접 홀로그램용 잔주름 형상(미세패턴)을 형성함으로써 홀로그램 공정을 단축할 수 있고, 패턴의 모양과 크기를 자유 롭게 변형함으로써 다양한 홀로그램을 보다 선명하게 표현할 수 있는 장점이 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술 분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
Claims (24)
- 동일한 주파수와 서로 다른 위상차를 갖는 광을 합성시킨 합성광을 생성하는 광원부; 및상기 합성광의 간섭패턴을 따라 그 표면에 잔주름 형상이 형성되는 대상체가 고정되는 지그, 상기 지그의 제1 단부와 접촉하고 상기 광원방향으로 이동 가능한 지그 변위자 및 상기 지그의 제1 단부와 대응하는 제2 단부와 접촉하고 상기 지그 변위자를 고정하는 가공평판을 포함하는 것을 특징으로 하는 홀로그램용 잔주름 형상 형성장치.
- 제1항에 있어서, 상기 광은 다수의 레이저 발생기로부터 각각 발생한 레이저인 것을 특징으로 하는 홀로그램용 잔주름 형상 형성장치.
- 제1항에 있어서, 상기 광은 하나의 레이저 발생기로부터 발생한 레이저를 분할한 분할 레이저인 것을 특징으로 하는 홀로그램용 잔주름 형상 형성장치.
- 제1항에 있어서, 상기 지그 변위자의 이동에 따라 상기 지그의 제1 단부도 함께 이송하여, 상기 가공평판에 대하여 상기 지그는 소정의 기울기를 갖는 것을 특징으로 하는 홀로그램용 잔주름 형상 형성장치.
- 제4항에 있어서, 상기 지그는 약 1도 내지 15도의 기울기를 갖는 것을 특징으로 하는 홀로그램용 잔주름 형상 형성장치.
- 제1항에 있어서, 상기 잔주름 형상의 간격은 약 0.5마이크로미터 내지 약 2.0마이크로미터의 범위를 갖는 것을 특징으로 하는 홀로그램용 잔주름 형상 형성장치.
- 제1항에 있어서, 상기 대상체는 금속물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 홀로그램용 잔주름 형상 형성장치.
- 제1항에 있어서, 상기 가공평판과 연결되어 상기 가공평판을 상기 광원방향으로 구동하기 위한 높이 조절장치를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 홀로그램용 잔주름 형상 형성장치.
- 제8항에 있어서, 상기 높이 조절장치 및 상기 지그 변위자를 동시에 상기 광원부 방향으로 이동시켜 상기 잔주름 형상의 모양 및 패턴 깊이를 동시에 변화시키는 것을 특징으로 하는 홀로그램용 잔주름 형상 형성장치.
- 제8항에 있어서, 상기 높이 조절장치는 상기 가공평판을 중심축에 대하여 회전시키기 위한 회전 조절자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 홀로그램용 잔주름 형상 형성장치.
- 홀로그램용 잔주름 형상을 형성할 대상체를 가공평판의 상부에 위치하는 지그에 고정하는 단계;상기 가공평판에 대하여 소정의 경사각을 갖도록 상기 지그의 기울기를 결정하는 단계; 및상기 대상체의 표면으로 동일한 주파수와 서로 다른 위상차를 갖는 광을 합성시킨 합성광을 주사하여 상기 합성광의 간섭패턴에 대응하는 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 홀로그램용 잔주름 형상 형성방법.
- 제11항에 있어서, 상기 지그의 기울기를 결정하는 단계는 상기 지그의 제1 단부와 연결되는 지그 변위자의 높이를 변경하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 홀로그램용 잔주름 형상 형성방법.
- 제11항에 있어서, 상기 지그의 기울기를 결정하는 단계는 상기 합성광을 생성하는 광원부에 대한 상기 가공평판의 상대위치를 결정하는 높이 조절단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 홀로그램용 잔주름 형상 형성방법.
- 제11항에 있어서, 상기 지그의 기울기를 결정하는 단계는 상기 가공평판의 중심축에 대하여 상기 가공평판을 회전시키는 회전 조절단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 홀로그램용 잔주름 형상 형성방법.
- 제11항에 있어서, 상기 합성광은 레이저를 포함하는 것을 특징으로 하는 홀로그램용 잔주름 형상 형성방법.
- 제11항에 있어서, 상기 패턴은 적어도 하나의 일측면이 상기 가공평판에 대하여 기울어지게 형성되는 것을 특징으로 하는 홀로그램용 잔주름 형상 형성방법.
- 제11항에 있어서, 상기 패턴은 0.5마이크로미터 내지 2.0마이크로미터의 간격을 갖는 것을 특징으로 하는 홀로그램용 잔주름 형상 형성방법.
- 제11항에 있어서, 상기 대상체를 고정하는 단계 이전에 상기 대상체의 표면을 정밀하게 가공하는 표면 가공단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 홀로그램용 잔주름 형상 형성방법.
- 제18항에 있어서, 상기 표면가공은 평탄화 공정을 통하여 수행되는 것을 특징으로 하는 홀로그램용 잔주름 형상 형성방법.
- 제19항에 있어서, 상기 평탄화 공정은 전해 연마 공정, 화학 기계적 연마(chemical mechanical polishing, CMP)공정 및 전면식각 공정 중의 어느 하나 또 는 이들의 조합을 포함하는 것을 특징으로 하는 홀로그램용 잔주름 형상 형성방법.
- 제11항에 있어서, 상기 패턴을 보호하고 광의 반사율 및 굴절율을 향상시킬 수 있는 코팅막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 홀로그램용 잔주름 형상 형성방법.
- 제21항에 있어서, 상기 코팅층은 단일층 또는 다층막을 포함하는 것을 특징으로 하는 홀로그램용 잔주름 형상 형성방법.
- 제11항에 있어서, 상기 패턴 및 상기 대상체의 표면순도를 높이기 위한 세정단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 홀로그램용 잔주름 형상 형성방법.
- 제23항에 있어서, 상기 세정공정은 초음파를 이용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 홀로그램용 잔주름 형상 형성방법.
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|---|---|
| KR (1) | KR100692876B1 (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR200461686Y1 (ko) | 2007-06-15 | 2012-07-30 | 쿠쿠전자주식회사 | 전기밥솥용 내솥의 물눈금 표시장치 |
| US11803155B2 (en) | 2020-08-20 | 2023-10-31 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method and apparatus for generating computer-generated hologram |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05232851A (ja) * | 1992-02-20 | 1993-09-10 | Ricoh Co Ltd | 干渉縞形成装置 |
| JPH06301324A (ja) * | 1993-04-12 | 1994-10-28 | Toppan Printing Co Ltd | 機械読み取り情報入りホログラムとそれを備えた物品およびその作成方法ならびに情報読取方法 |
| KR19990005336A (ko) * | 1997-06-30 | 1999-01-25 | 배순훈 | 볼륨 홀로그래픽 디지탈 데이터 저장 시스템의 공간 중첩 방법 |
| JP2003337524A (ja) | 2002-05-17 | 2003-11-28 | Pioneer Electronic Corp | 角度多重型のホログラム記録装置及び方法並びにホログラム再生装置及び方法 |
-
2006
- 2006-04-05 KR KR1020060031094A patent/KR100692876B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05232851A (ja) * | 1992-02-20 | 1993-09-10 | Ricoh Co Ltd | 干渉縞形成装置 |
| JPH06301324A (ja) * | 1993-04-12 | 1994-10-28 | Toppan Printing Co Ltd | 機械読み取り情報入りホログラムとそれを備えた物品およびその作成方法ならびに情報読取方法 |
| KR19990005336A (ko) * | 1997-06-30 | 1999-01-25 | 배순훈 | 볼륨 홀로그래픽 디지탈 데이터 저장 시스템의 공간 중첩 방법 |
| JP2003337524A (ja) | 2002-05-17 | 2003-11-28 | Pioneer Electronic Corp | 角度多重型のホログラム記録装置及び方法並びにホログラム再生装置及び方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR200461686Y1 (ko) | 2007-06-15 | 2012-07-30 | 쿠쿠전자주식회사 | 전기밥솥용 내솥의 물눈금 표시장치 |
| US11803155B2 (en) | 2020-08-20 | 2023-10-31 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method and apparatus for generating computer-generated hologram |
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