KR100688952B1 - 기판 냉각 및 디척킹 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 기판 냉각 및 디척킹 방법에 관한 것으로서, 이를 보면, 1) 개폐밸브와 바이패스 밸브가 개방된 상태에서 냉각 가스를 공급하는 단계; 2) 상기 공급된 냉각 가스의 압력값을 설정하는 단계; 3) 상기 압력값이 유지되도록 상기 냉각 가스를 계속하여 공급하면서 그 유량을 측정하는 단계;를 포함하는 기판 냉각방법과, 1) 정전척 전극에 인가되는 직류전원을 차단하는 단계; 2) 개폐밸브는 개방되고, 바이패스 밸브는 차단된 상태에서 냉각 가스를 공급하는 단계; 3) 상기 정전척과 기판 사이에 공급되는 냉각 가스의 압력값을 예비값으로 재설정하는 단계; 4) 상기 예비값이 유지되도록 상기 냉각 가스를 계속하여 공급하면서 그 유량을 측정하는 단계; 5) 상기 냉각 가스의 유량이 미리 설정된 해제값 이상으로 높아지면 상기 정전척에 위치된 기판을 들어올려 외부로 배출하는 단계;를 포함하는 기판 디척킹(dechucking) 방법에 관한 것이다.
본 발명은 하부전극 상에 공급되는 냉각 가스의 공급 상태를 조절함으로써 기판의 냉각 효율은 높이고, 디척킹(Dechucking) 유무를 정확히 확인할 수 있는 효과가 있다.
냉각방법, 디척킹 방법, 냉각 가스, 기판
Description
도 1은 본 발명의 기판 냉각 방법에 따른 제 1 실시예를 나타내는 공정도.
도 2a는 본 발명의 기판 냉각 방법의 밸브가 개방된 상태를 나타내는 개략적인 단면도.
도 2b는 본 발명의 기판 디척킹 방법의 바이패스 밸브가 차단된 상태를 나타내는 개략적인 단면도.
도 3은 본 발명의 기판 디척킹 방법에 따른 제 2 실시예를 나타내는 공정도.
도 4는 본 발명의 기판 디척킹 방법에 따른 제 3 실시예를 나타내는 공정도.
<도면 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10 : 기판 11 : 정전척
12 : 개폐밸브 13 : 바이패스 밸브
본 발명은 기판의 냉각 및 탈착 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 하부전극 상에 공급되는 냉각 가스를 이용해 기판의 냉각 효율은 높이고 디척킹 (Dechunking) 여부를 확인할 수 있는 기판의 냉각 및 탈착 방법에 관한 것이다.
일반적으로 플라즈마 처리장치는 고정밀도로 프로세스제어를 할 수 있는 등의 이유로부터 기판의 제조 프로세스에서 널리 사용되고 있다. 플라즈마 처리장치로서는 매엽식이나 배치식의 장치가 있고, 예를 들어 매엽식 장치에서는 진공챔버내에 상하로 전극을 대향 배치함과 동시에 하부전극 상에 기판을 채치하여 이들 전극간에 고주파 전력을 공급하도록 하고 있다. 이러한 플라즈마 처리장치에 있어서 기판을 소정의 온도로 균일하게 유지할 필요가 있고, 이 때문에 하부전극 쪽에는 온도조절수단이나 열전달용 백사이드 가스의 공급수단 등이 조합되어 있다. 공지의 플라즈마 처리장치에서는 하부전극 쪽에 예를 들어 진공챔버의 벽부에 연속하는 그라운드부재가 절연부를 통하여 설치되어 있다. 하부전극은 고주파 전원에 접속됨과 동시에 그라운드부재는 접지되어 있다. 그리고, 하부전극과 그라운드 전극과의 사이에 고주파 전력이 인가된다.
그라운드 부재의 하단부 다시 말하면, 진공척의 하부로부터는 절연부재로 되는 백사이드 가스용 가스 도입관이 그라운드부재 및 절연부를 통하여 하부전극의 하면까지 뻗치도록 설치되어 있고, 상기 가스관의 상단은 하부전극 내의 통기로 및 통기실을 다수의 가스 송출구멍에 연결되어 통하여 있다. 또 하부전극 내에는 냉매가 통하여 흐르는 냉매조가 형성되어 있다.
그리고, 처리시에는 정전척에 의하여 하부전극 상에 기판을 흡착하고, 가스도입관으로부터 백사이드가스 예를 들면, He 가스를 가스 송출구멍으로부터 기판의 배면쪽으로 빨아들이고, 기판내 온도 분포의 균일화를 도모하고 있다.
처리가 완료된 후는 정전척을 오프함과 동시에 가스 도입관을 통하여 백사이드 가스를 흡입하고, 가스 도입관 내에 남아있는 백사이드 가스의 압력에 의하여 기판이 날아가지 않도록 하고 있다.
이러한 플라즈마 처리장치에서는 기판을 유지하는 정전척에 정전 및 흡착시트를 설치하고, 이 정전흡착 시트에 다수의 개구를 형성하고, 이 개구를 통하여 기판과 정전 흡착시트와의 사이에 예를 들면, He가스등의 기체를 충진하는 것이 행해지고 있다. 이와 같은 기체의 충진에 의하여 기판의 사이에 열전달을 균일화시킬 수 있도록 하고 있다.
그러나 상기 공지 기술을 보면 다음과 같은 문제점이 있다.
상기 냉각 가스는 도입관을 통해 기판의 배면 상에 공급되고 개폐밸브와 바이패스밸브에 의해 제어되는데, 이때 기판이 안착된 상태에서 개폐밸브와 바이패스밸브는 항시 개방되어 냉각 가스를 순환시킴으로써 기판을 냉각시키는 대는 문제가 없으나 기판에 소정 공정이 끝나 후 기판의 디척킹(탈착)시 냉각 가스의 순환으로 인해 냉각 가스의 유량에 의한 디척킹 유무를 확인하는데 있어서 유량변화를 알 수 없어 디척킹 유무의 확인이 어려움 문제점이 있었다.
또한, 반대로 상기 개폐밸브는 개방시키고, 상기 바이패스 밸브는 차단시킨 상태에서 냉각 가스가 과임 공급되었을 때만 개방되도록 하였을 때 이때 냉각 가스가 순환되지 않아 냉각 가스의 미세한 유량변화까지 체크할 수 있어서 디척킹시 기판의 탈착 유무를 정확히 확인할 수 있으나 상기 냉각 가스가 정체되어 있어서 기판 냉각 효율은 저하되는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명은 하부전극 상에 공급되는 냉각 가스의 공급 상태를 조절하여 기판의 냉각 효율은 높이고, 디척킹(Dechucking) 유무를 정확히 확인할 수 있는 기판 냉각 및 탈착 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명은 앞서 본 목적을 달성하기 위하여 다음과 같은 구성을 가진 실시예에 의해 구현된다.
본 발명의 기판 냉각 방법은, 플라즈마 처리장치 내부의 정전척에 장착된 기판을 냉각하는 방법에 있어서,
1) 개폐밸브와 바이패스 밸브가 개방된 상태에서 냉각 가스를 공급하는 단계; 2) 상기 공급된 냉각 가스의 압력값을 설정하는 단계; 3) 상기 압력값이 유지되도록 상기 냉각 가스를 계속하여 공급하면서 그 유량을 측정하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 기판 냉각 방법에 있어서, 상기 1)단계는 상기 냉각 가스가 항시 오버로드(Overload) 될 수 있도록 하는 것이 바람직하다.
본 발명의 기판 냉각 방법에 있어서, 상기 기판 냉각방법은 플라즈마 처리공정 중 수행되는 것이 바람직하다.
본 발명의 기판 냉각 방법에 있어서, 상기 압력값은 상기 정전척과 기판 사이의 정전력 보다 낮은 값으로 설정될 수 있다.
본 발명의 기판 냉각 방법에 있어서, 상기 냉각 가스는 헬륨(He)으로 하는 것이 바람직하다.
본 발명의 기판 디척킹 방법은, 1) 정전척 전극에 인가되는 직류전원을 차단하는 단계; 2) 개폐밸브는 개방되고, 바이패스 밸브는 차단된 상태에서 냉각 가스를 공급하는 단계; 3) 상기 정전척과 기판 사이에 공급되는 냉각 가스의 압력값을 예비값으로 재설정하는 단계; 4) 상기 예비값이 유지되도록 상기 냉각 가스를 계속하여 공급하면서 그 유량을 측정하는 단계; 5) 상기 냉각 가스의 유량이 미리 설정된 해제값 이상으로 높아지면 상기 정전척에 위치된 기판을 들어올려 외부로 배출하는 단계;를 포함하여 이루어진다.
본 발명의 기판 디척킹 방법에 있어서, 상기 예비값은 플라즈마 처리 공정 진행 중의 냉각 가스 압력값보다 낮은 값으로 설정될 수도 있다.
본 발명의 기판 디척킹 방법에 있어서, 상기 디척킹 방법은, 플라즈마 공정처리가 완료된 후에 플라즈마를 제거한 상태에서 수행될 수 있다.
본 발명의 기판 디척킹 방법에 있어서, 상기 디척킹 방법은, 플라즈마 공정처리가 완료된 후에 플라즈마를 유지한 상태에서 수행될 수도 있다.
본 발명의 기판 디척킹 방법에 있어서, 상기 1)단계 전에 알에프파워(RF Power), 공정가스, 공정압력을 재설정하는 단계;가 더 부가될 수 있다.
본 발명의 기판 디척킹 방법에 있어서, 상기 재설정된 알에프파워(RF Power)는 플라즈마 처리 공정 진행 중의 알에프파워보다 낮게 할 수 있다.
본 발명의 기판 디척킹 방법에 있어서, 상기 재설정된 공정압력은 플라즈마 처리 공정 진행 중의 공정압력보다 낮게 할 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.
<실시예 1>
도 1 또는 도 2a를 참조하여 본 발명의 제 1 실시예를 설명한다.
본 실시예에 따른 기판 냉각 방법에서는 우선 기판을 냉각시킬 수 있는 냉각 가스를 기판과 정전척 사이에 공급하는 단계(S10)이다.
이 단계는 플라즈마 처리장치 내부에 인가된 RF전원과 공정 가스가 기판(10)에 소정 공정 처리하는 과정에 기판(10)이 고온 상태가 되는데 이때 냉각을 하지 않을 경우 기판에 손상을 줄 수 있기 때문에 기판의 온도를 떨어뜨려야 한다. 그러므로 상기 정전척(11)의 하부에 구비된 냉각 가스관로 상에 냉각 가스를 공급하는데 상기 냉각 가스는 플라즈마 처리장치 외부에 구비된 냉각 가스 공급관에 의해 그 내부로 공급되며 상기 냉각 가스 공급관에는 개폐밸브(12)와 바이패스 밸브(13)가 구비되어 있어서, 상기 개폐밸브(12)를 개방하면 냉각 가스가 기판과 정전척 사이에 형성된 공간에 공급하며, 상기 개폐밸브(12)가 개방된 상태에서 상기 바이패스 밸브(13)를 개방시켜 냉각 가스를 오버로드(Overload) 되도록 한다. 이때 상기 냉각 가스로는 혈륨(He)을 사용함으로써, 상기 냉각 가스가 오버로드될 때 정전척과 기판 사이에 공급된 냉각 가스도 같이 유동되도록 하여 하부전극 상에 구비된 냉매와 기판이 효율적인 대류현상을 통해 기판을 냉각시킬 수 있게 한다.
여기서 상기 개폐밸브측과 바이패스 밸브측 상에는 유량측정 센서와 압력측정 센서가 구비되는 것이 바람직하며, 상기 유량측정 센서와 압력측정 센서를 이용해 공급관로 상의 압력과 유량을 측정함으로써 상기 냉각 가스가 항시 오버로드될 수 있도록 한다.
다음으로는 상기 측정 센서에 의해 측정된 압력을 통해 정전척의 정전력에 의해 안착된 기판이 상기 정전척에서 이탈하는 것을 방지하고 냉각 가스의 누수를 최소화할 수 있는 압력 설정 및 유량 측정 단계(S11)이다. 이 단계는 상술한 것과 같이 상기 압력측정 센서와 유량측정 센서에 의해 공급되는 냉각 가스를 측정하여 기판의 날림과 냉각 가스 누수를 최소화하며 상기 기판을 충분히 냉각할 수 있게 하는 압력값과 유량을 측정한다.
여기서 압력값은 경험적으로 측정되는 값으로서, 기판과 정전척 사이에 형성된 정전력을 측정하여 상기 측정된 정전력에 의해 압력값을 설정하는데, 이때 상기 압력값은 상기 정전력 보다 낮게 설정되는 것이 바람직하다.
<실시예 2>
도 3 또는 도 2b를 참조하여 본 발명의 제 2 실시예를 설명한다.
본 실시예에 따른 기판 디척킹(dechucking) 방법에서는 우선 플라즈마 처리장치 내부에 인가된 RF전원 및 공정가스를 차단하는 단계(S110)가 진행된다.
이 단계에서는 기판에 대한 공정 처리가 완료된 뒤에 기판의 디척킹을 준비 하는 단계로서, 공정 처리 중에 사용되던 RF전원과 공정 가스를 차단하는 것이다.
이렇게 RF 전원과 공정가스를 차단하면, 플라즈마 처리장치 내부에 발생된 플라즈마가 제거된다. 다만, 기판과 정전척 사이에 공급되는 냉각 가스는 계속하여 공급한다.
다음으로는 상기 정전척 전극에 인가된 직류 전원을 차단하는 단계(S120)가 진행된다.
이 단계에서는 정전척과 기판 사이에 발생된 정전력을 제거하기 위하여 정전척에 인가된 직류전원을 제거한다. 이렇게 직류전원이 차단되면, 기판과 정전척 사이에 집중되었던 전하가 빠져나가기 시작한다.
여기에서 S110 단계와 S120 단계는 순서를 바꾸어서 진행할 수도 있다.
도 2b에 도신 바와 같이, 다음으로는 정전척과 기판 사이에 계속하여 공급되는 냉각 가스의 압력을 예비값으로 재설정되도록 하는데, 여기서 개폐밸브(12)는 개방된 상태에서 바이패스 밸브(13)는 차단하여 냉각 가스가 오버로드되는 것을 차단시켜 상기 예비값을 갖도록 냉각 가스를 계속하여 공급한다(S130).
상기 바이패스 밸브(13)의 차단은 공급되는 냉각 가스가 오버로드되는 것을 막으로써 냉각 가스 공급량을 일정하게 유지시켜 유량 측정을 용이하게 할 수 있게 하고, 그리고 상기 바이패스 밸브가 차단된 상태로 냉각 가스를 공급함으로써 정전척(11)의 정전력을 제거하였을 때 기판(10)과 정전척(11) 사이의 냉각 가스 누수를 더욱 확실히 알 수 있기 때문이다.
여기에서 예비값이라 함은, 공정 진행 중의 냉각 가스의 압력과 달리, 정전 력 해제 여부를 확인하기 위하여 부가적으로 공급되는 냉각 가스의 압력값을 말한다.
상기 예비값은 공정 진행 중의 냉각 가스 압력값 보다 높은 값일 수도 있고, 낮은 값일 수도 있으나, 낮은 것이 바람직하다. 정전력 해제가 진행되면 유출되는 냉각 가스의 양이 많아지므로, 동일한 양의 냉각 가스를 공급하면, 냉각 가스의 압력이 계속하여 낮아지게 된다. 따라서 냉각 가스의 압력이 예비값을 갖도록 하기 위하여는 냉각 가스의 유량이 증가하여야 하며, 이 단계에서는 이러한 증가하는 냉각 가스의 유량(공급량)을 모니터링 한다(S130).
다음으로는 냉각 가스를 차단하는 단계(S140)가 진행된다.
이 단계에서는 미리 설정된 해제값 이상으로 상기 냉각 가스의 유량이 높아지면 냉각 가스의 공급을 차단하는 것이다. 여기에서 해제값이라 함은 경험적으로 측정되는 값으로서, 기판과 정전척 사이에 형성되었던 정전력이 완전히 해제되어 기판을 정전척으로부터 들어올려도 기판에 아무런 영향이 없는 상태의 냉각 가스의 유량을 말한다. 따라서 이러한 해제값을 다수번의 실험을 통하여 확정한 후, 상기 해제값 이상으로 냉각 가스의 유량이 올라가는 경우에는 정전력이 완전히 해제된 것으로 보고, 개폐밸브를 차단시켜 냉각 가스 공급을 중단하는 것이다.
마지막으로 기판을 들어올려 외부로 배출하는 단계(S150)가 진행된다. 이 단계에서는 정전력이 완전히 해제된 상태에서, 플라즈마 처리장치 내에 구비되어 있는 리프트 핀을 이용하여 기판을 들어올리고, 외부에서 진입되는 반송 로봇을 이용하여 기판을 외부로 배출하여 공정을 마무리하는 단계이다.
<실시예 3>
도 4를 참조하여 본 발명의 제 3 실시예를 설명한다.
본 실시예에서는 플라즈마 처리장치 내부의 플라즈마를 유지한 상태에서 기판 디척킹 방법을 진행한다. 따라서 플라즈마 처리장치 내부의 RF파워와 공정가스를 그대로 유지한 상태에서 공정이 진행된다.
특히, 이때 플라즈마 처리장치 내부의 RF파워나 공정가스, 공정 압력을 재설정하는 단계(S210)가 진행된다. 즉, 공정 진행 조건과 다른 조건 하에서 기판 디척킹 방법이 진행되는 것이다. 특히 재설정되는 공정가스는 아르곤인 것이 바람직하고, 재설정되는 상기 RF파워나 공정 압력은 공정(플라즈마 처리공정) 진행 조건보다 낮게 설정되는 것이 바람직하다. 이렇게 플라즈마를 유지한 상태에서 기판을 디척킹 시키는 경우에는, 플라즈마가 없는 상태보다 정전력이 빨리 약해지는 장점이 있다.
다음으로는 상기 정전척 전극에 인가된 직류 전원을 차단하는 단계(S220)가 진행된다. 이 단계에서는 정전척과 기판 사이에 발생된 정전력을 제거하기 위하여 정전척에 인가된 직류전원을 제거한다. 이렇게 직류전원이 차단되면, 기판과 정전척 사이에 집중되었던 전하가 빠져나가기 시작한다.
다음으로는 정전척과 기판 사이에 계속하여 공급되는 냉각 가스의 압력을 예비값으로 재설정하고, 상기 예비값을 갖도록 냉각 가스를 계속하여 공급한다(S230).
여기에서 예비값은 상술한 바와 같다. 또한 상기 바이패스 밸브는 차단된 상태에서 진행된다. 정전력 해제가 진행되면 유출되는 냉각 가스의 양이 많아지므로, 동일한 양의 냉각 가스를 공급하면, 냉각 가스의 압력이 계속하여 낮아지게 된다. 따라서 냉각 가스의 압력이 예비값을 갖도록 하기 위하여는 냉각 가스의 유량이 증가하여야 하며, 이 단계에서는 이러한 증가하는 냉각 가스의 유량(공급량)을 모니터링한다(S230).
다음으로는 RF전원, 공정가스 및 냉각 가스를 차단하는 단계(S240)가 진행된다. 이 단계에서는 미리 설정된 해제값 이상으로 상기 냉각 가스의 유량이 높아지면 RF전원, 공정가스 및 냉각 가스의 공급을 차단하는 것이다. 여기서 해제값도 상술한 해제값과 동일하다.
마지막으로 기판을 들어올려 외부로 배출하는 단계(S250)가 진행된다. 이 단계에서는 정전력이 완전히 해제된 상태에서, 플라즈마 처리장치 내에 구비되어 있는 리프트 핀을 이용하여 기판을 들어올리고, 외부에서 진입되는 반송 로봇을 이용하여 기판을 외부로 배출하여 공정을 마무리하는 단계이다.
이상의 본 발명은 상기에 기술된 실시예들에 의해 한정되지 않고, 당업자들에 의해 다양한 변형 및 변경을 가져올 수 있으며, 이는 첨부된 청구항에서 정의되는 본 고안의 취지와 범위에 포함된다.
본 발명은 앞서 본 구성에 의해 다음과 같은 효과를 가진다.
본 발명은 하부전극 상에 공급되는 냉각 가스의 공급 상태를 조절함으로써 기판의 냉각 효율은 높이고, 디척킹(Dechucking) 유무를 정확히 확인할 수 있는 효과가 있다.
Claims (12)
- 플라즈마 처리장치 내부의 정전척에 장착된 기판을 냉각하는 방법에 있어서,1) 개폐밸브와 바이패스 밸브가 개방된 상태에서 냉각 가스를 공급하는 단계;2) 상기 공급된 냉각 가스의 압력값을 설정하는 단계;3) 상기 압력값이 유지되도록 상기 냉각 가스를 계속하여 공급하면서 그 유량을 측정하는 단계;를 포함하며,상기 1)단계는 상기 냉각 가스가 항시 오버로드(Overload) 될 수 있도록 하는 것을 특징으로 하는 기판 냉각방법.
- 플라즈마 처리장치 내부의 정전척에 장착된 기판을 냉각하는 방법에 있어서,1) 개폐밸브와 바이패스 밸브가 개방된 상태에서 냉각 가스를 공급하는 단계;2) 상기 공급된 냉각 가스의 압력값을 설정하는 단계;3) 상기 압력값이 유지되도록 상기 냉각 가스를 계속하여 공급하면서 그 유량을 측정하는 단계;를 포함하며,상기 압력값은 상기 정전척과 기판 사이의 정전력 보다 낮은 값인 것을 특징으로 하는 기판 냉각방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 기판 냉각방법은 플라즈마 처리공정 중 진행되는 것을 특징으로 하는 기판 냉각방법.
- 삭제
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 냉각 가스는 헬륨(He)인 것을 특징으로 하는 기판 냉각방법.
- 플라즈마 처리장치 내부의 정전척에 장착된 기판을 디척킹 하는 방법에 있어서,1) 정전척 전극에 인가되는 직류전원을 차단하는 단계;2) 개폐밸브는 개방되고, 바이패스 밸브는 차단된 상태에서 냉각 가스를 공급하는 단계;3) 상기 정전척과 기판 사이에 공급되는 냉각 가스의 압력값을 예비값으로 재설정하는 단계;4) 상기 예비값이 유지되도록 상기 냉각 가스를 계속하여 공급하면서 그 유량을 측정하는 단계;5) 상기 냉각 가스의 유량이 미리 설정된 해제값 이상으로 높아지면 상기 정전척에 위치된 기판을 들어올려 외부로 배출하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 디척킹(dechucking) 방법.
- 제 6 항에 있어서,상기 예비값은 플라즈마 처리 공정 진행 중의 냉각 가스 압력값보다 낮은 값인 것을 특징으로 하는 기판 디척킹 방법.
- 제 6 항에 있어서,상기 디척킹 방법은, 플라즈마 공정처리가 완료된 후에 플라즈마를 제거한 상태에서 수행되는 것을 특징으로 하는 기판 디척킹 방법.
- 제 6 항에 있어서,상기 디척킹 방법은, 플라즈마 공정처리가 완료된 후에 플라즈마를 유지한 상태에서 수행되는 것을 특징으로 하는 기판 디척킹 방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 1)단계 전에 알에프파워(RF Power), 공정가스, 공정압력을 재설정하는 단계;가 더 부가되는 것을 특징으로 하는 기판 디척킹 방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 재설정된 알에프파워(RF Power)는 플라즈마 처리 공정 진행 중의 알에프파워보다 낮은 것을 특징으로 하는 기판 디척킹 방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 재설정된 공정압력은 플라즈마 처리 공정 진행 중의 공정압력보다 낮은 것을 특징으로 하는 기판 디척킹 방법.
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|---|---|---|---|
| KR1020050078556A KR100688952B1 (ko) | 2005-08-26 | 2005-08-26 | 기판 냉각 및 디척킹 방법 |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101233757B1 (ko) | 2011-07-27 | 2013-02-15 | 주식회사 디엠에스 | 기판 디척킹 방법 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07231032A (ja) * | 1994-02-15 | 1995-08-29 | Oki Electric Ind Co Ltd | 試料保持装置 |
| JPH10240356A (ja) | 1997-02-21 | 1998-09-11 | Anelva Corp | 基板処理装置の基板温度制御法と基板温度制御性判定法 |
| KR20010020060A (ko) * | 1999-08-31 | 2001-03-15 | 윤종용 | 플라즈마 처리 장치에서의 후방 가스 공급 시스템 |
| JP2002367965A (ja) | 2001-06-05 | 2002-12-20 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
-
2005
- 2005-08-26 KR KR1020050078556A patent/KR100688952B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07231032A (ja) * | 1994-02-15 | 1995-08-29 | Oki Electric Ind Co Ltd | 試料保持装置 |
| JPH10240356A (ja) | 1997-02-21 | 1998-09-11 | Anelva Corp | 基板処理装置の基板温度制御法と基板温度制御性判定法 |
| KR20010020060A (ko) * | 1999-08-31 | 2001-03-15 | 윤종용 | 플라즈마 처리 장치에서의 후방 가스 공급 시스템 |
| JP2002367965A (ja) | 2001-06-05 | 2002-12-20 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101233757B1 (ko) | 2011-07-27 | 2013-02-15 | 주식회사 디엠에스 | 기판 디척킹 방법 |
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