KR100685940B1 - Display device and method for fabricating the same - Google Patents
Display device and method for fabricating the same Download PDFInfo
- Publication number
- KR100685940B1 KR100685940B1 KR1020000042850A KR20000042850A KR100685940B1 KR 100685940 B1 KR100685940 B1 KR 100685940B1 KR 1020000042850 A KR1020000042850 A KR 1020000042850A KR 20000042850 A KR20000042850 A KR 20000042850A KR 100685940 B1 KR100685940 B1 KR 100685940B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- light
- conductive layer
- transmissive conductive
- light transmissive
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 45
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims abstract description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 15
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 11
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 claims description 11
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 claims description 3
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 claims 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 7
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 2
- -1 Boro Phosphorus Chemical compound 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Geometry (AREA)
- Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)
Abstract
본 발명은 낮은 구동전압에서도 가동 전극에 충분한 인력을 공급할 수 있는 디스플레이 장치 및 제조방법을 제공하기 위한 것으로, 본 발명의 디스플레이 장치는 기판과, 상기 기판상에 형성된 복수개의 광흡수층들과, 상기 광흡수층들을 포함한 상기 기판 전면에 형성된 광투과성 전도층과, 상기 광투과성 전도층의 상측에 형성되는 복수개의 가동 전극들과, 상기 기판의 배면에 형성된 백라이트를 포함하여 구성되고, 본 발명의 디스플레이 장치 제조방법은 기판상에 복수개의 광흡수층들을 형성하는 공정과, 상기 광흡수층들을 포함한 기판 전면에 광투과성 전도층을 형성하는 공정과, 상기 광투과성 전도층상에 희생층을 형성하는 공정과, 상기 광흡수층들 사이에 상응하는 상기 희생층상에 복수개의 가동 전극들을 형성하는 공정과, 상기 희생층을 제거하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.The present invention is to provide a display device and a manufacturing method capable of supplying a sufficient attraction force to the movable electrode even at a low drive voltage, the display device of the present invention, a plurality of light absorption layers formed on the substrate, and the light Manufacture of a display device according to the present invention, comprising a transparent conductive layer formed on the front surface of the substrate including absorbing layers, a plurality of movable electrodes formed on the upper side of the transparent conductive layer, and a backlight formed on the rear surface of the substrate. The method includes forming a plurality of light absorbing layers on a substrate, forming a light transmissive conductive layer on the front surface of the substrate including the light absorbing layers, forming a sacrificial layer on the light transmissive conductive layer, and Forming a plurality of movable electrodes on the sacrificial layer corresponding to each other; It characterized by including the process of removing.
가동 전극, 광흡수층Movable Electrode, Light Absorption Layer
Description
도 1은 종래 기술에 따른 디스플레이 장치의 평면도1 is a plan view of a display device according to the prior art
도 2a 및 2b는 도 1의 A-A'선에 따른 단면도로서 비표시상태에서의 전극의 배치를 보여주는 단면2A and 2B are cross-sectional views taken along a line A-A 'of FIG. 1 to illustrate the arrangement of electrodes in a non-display state.
도 2b는 도 1의 A-A'선에 따른 단면도로서, 표시 상태에서의 전극의 배치를 보여주는 단면도FIG. 2B is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. 1, showing a layout of electrodes in a display state.
도 2c는 도 1의 B-B'선에 따른 단면도FIG. 2C is a cross-sectional view taken along the line BB ′ of FIG. 1.
도 3은 본 발명 제 1 실시예에 따른 디스플레이 장치의 평면도3 is a plan view of a display device according to a first embodiment of the present invention;
도 4는 도 3의 A-A'선에 따른 단면도4 is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. 3.
도 5a 내지 5e는 본 발명 제 1 실시예에 따른 디스플레이 장치의 제조공정 단면도5A to 5E are cross-sectional views of a manufacturing process of the display device according to the first embodiment of the present invention.
도 6은 본 발명 제 2 실시예에 따른 디스플레이 장치의 평면도6 is a plan view of a display device according to a second exemplary embodiment of the present invention.
도 7은 도 6의 A-A'선에 따른 단면도 FIG. 7 is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. 6.
도 8은 본 발명 제 3 실시예에 따른 디스플레이 장치의 평면도8 is a plan view of a display apparatus according to a third embodiment of the present invention.
도 9는 도 8의 A-A'선에 따른 단면도9 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. 8.
도면의 주요부분에 대한 부호의 설명Explanation of symbols for main parts of the drawings
20 : 백라이트 21 : 기판20: backlight 21: substrate
23a : 광흡수층 25 : 광투과성 전도층23a: light absorbing layer 25: light transmitting conductive layer
27 : 희생층 29 : 탄성물질층27: sacrificial layer 29: elastic material layer
31 : 가동 전극 31: movable electrode
본 발명은 디스플레이 장치에 관한 것으로, 특히 광 빔을 변조하여 화상을 디스플레이하기 위한 디스플레이 장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a display device, and more particularly, to a display device for displaying an image by modulating a light beam and a method of manufacturing the same.
차세대 디스플레이 장치로서 각종 평판 디스플레이 장치(FPD:Flat Panel Display)에 대한 연구가 활발히 진행되고 있으며 그 중 일반화된 디스플레이 장치에는 액정의 전기광학적 특성을 이용하는 액정 디스플레이 장치(LCD:Liquid Crystal Display)와, 가스 방전을 이용하는 플라즈마 디스플레이 패널(PDP:Plasma Display Panel) 등이 있다.As a next-generation display device, various flat panel displays (FPDs) are being actively researched. Among them, generalized display devices include liquid crystal displays (LCDs) using electro-optical characteristics of liquid crystals, and gases. And a plasma display panel (PDP) using discharge.
그 중 액정 디스플레이 장치(이하, "LCD"라 약칭함)는 시야각이 좁고 응답속 도가 느릴 뿐 아니라 반도체 제조공정을 이용한 박막 트랜지스터(TFT:Thin Film Transistor) 및 전극 등을 형성하여야 하므로 공정이 복잡하다는 난점이 있고, 플라즈마 디스플레이 패널(PDP)은 제조 공정이 단순하여 대면적화에 유리하다는 장점은 있으나, 전력 소비가 클 뿐 아니라, 방전 및 발광 효율이 낮고 고가라는 난점이 있다.Among them, the liquid crystal display device (hereinafter, abbreviated as "LCD") has a narrow viewing angle, a slow response speed, and requires a thin film transistor (TFT) and an electrode using a semiconductor manufacturing process. Plasma display panel (PDP) has the advantage that the manufacturing process is simple and advantageous to large area, but the power consumption is high, and the discharge and luminous efficiency is low and expensive.
이러한 평판 디스플레이 장치의 문제들을 해결할 수 있는 새로운 디스플레이 장치의 개발이 진행되고 있다.Development of a new display device that can solve the problems of such a flat panel display device is in progress.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 종래 기술에 따른 디스플레이 장치를 설명하기로 한다.Hereinafter, a display apparatus according to the related art will be described with reference to the accompanying drawings.
도 1은 종래 기술에 따른 디스플레이 장치의 평면도이다.1 is a plan view of a display device according to the prior art.
도 1에 도시된 바와 같이, 기판(11)상에 일정 간격을 두고 나란하게 형성된 복수개의 고정 전극(13)들과, 상기 고정 전극(13)과 고정 전극(13)의 사이에 상응하는 부위에서 상기 고정 전극(13)의 방향과 동일 방향으로 형성된 복수개의 가동 전극(15)들로 구성되며, 상기 가동 전극(15)의 장방향에 따른 양쪽 끝단은 고정 전극(13)의 장방향에 따른 양쪽 끝단보다 연장된 구조를 갖는다. 또한, 가동 전극(15)의 단방향에 따른 양쪽 끝단은 고정 전극(13)의 단방향에 따른 양쪽 끝단 과 오버랩되는 구조를 갖는다.As shown in FIG. 1, a plurality of
이에, 고정 전극(13)과 가동 전극(15)간에 전압이 인가되지 않은 상태에서는 상기 가동 전극(15)이 부상되어 기판(11)의 하부의 백라이트에서 투사된 빛이 표시면으로 투과되고, 전압이 인가된 상태에서는 상기 가동 전극(15)이 고정 전극(13)과 접촉되어 백라이트의 빛이 표시면쪽으로 투과되지 못한다.Accordingly, in a state where no voltage is applied between the
이를 도 2a 및 2b에 도시된 단면도를 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.This will be described in detail with reference to the cross-sectional views shown in FIGS. 2A and 2B.
도 2a 및 2b는 도 1의 A-A'선에 따른 단면도로서, 기판(11)상에 소정 간격을 두고 나란하게 형성되는 고정 전극(13)들과, 전압 신호에 응답하여 각각의 고정 전극(13)들의 양변에 중첩되는 가동 전극(15)들로 구성된다. 여기서, 고정 전극(13)들은 기판(11)상에 스트라이프(Stripe) 형태로 형성되며, 가동 전극(15)들은 그 장방향에 따른 양쪽 끝단이 기판(11)에 고정되며 그 중앙 부분은 기판(11)으로부터 소정 간격 부상되어 전기적 신호에 의해 상, 하로 움직이게 된다. 2A and 2B are cross-sectional views taken along the line AA ′ of FIG. 1, and the
도 2a는 비표시 상태에서의 전극의 배치를 보여주는 단면으로서, 고정 전극(13)들과 가동 전극(15)들에는 소정 레벨의 전압이 인가된다. 이에, 고정 전극(13)들과 가동 전극(15)들간에는 정전기력에 의한 인력이 작용하게 되어 가동 전극(15)들이 인접한 고정 전극(13)에 접촉하게 된다. 이때, 고정 전극(13)들과 가동 전극(15)들은 기판(11)의 배면에 설치된 백라이트(Back light)(19)로부터 입사되는 광을 차단하게 되어 표시면은 블랙(Black)으로 표시된다.2A is a cross-sectional view showing an arrangement of electrodes in a non-display state. A predetermined level of voltage is applied to the
이와 반대로, 표시 상태에서는 즉, 도 2b에서와 같이, 고정 전극(13)들과 가 동 전극(15)들에는 전압이 인가되지 않는다. 따라서 가동 전극(15)들은 자신의 탄성 복원력에 의해 원래의 상태로 복구하게 되므로 기판(11)과 고정 전극(13)으로부터 부상된다. 이때, 고정 전극(13)들과 가동 전극(15)들 사이에는 광 경로가 형성되며 이 광 경로를 통해 백라이트(19)로부터 입사된 광이 표시면으로 투과되어 화이트(White)로 표시된다. 참고로, 도 2a 내지 2b의 미설명 부호 "17"은 탄성물질층을 지시한다.In contrast, in the display state, that is, as shown in FIG. 2B, no voltage is applied to the
한편, 도 2c는 도 1의 B-B'선에 따른 단면도로서, 기판(11)상에서 가동 전극(15)이 일정 간격을 갖고 형성됨을 볼 수 있다. 2C is a cross-sectional view taken along the line BB ′ of FIG. 1, and it can be seen that the
그러나 상기와 같은 종래 디스플레이 장치는 전압이 인가되는 고정 전극과 가동 전극간의 오버랩되는 면적이 작기 때문에 전압을 인가함에 따라 가동 전극이 이동할 수 있도록 충분한 인력을 주기 위해서는 매우 큰 구동 전압이 필요하다는 문제점이 있었다. However, since the overlapping area between the fixed electrode and the movable electrode to which the voltage is applied is small, the conventional display device as described above has a problem that a very large driving voltage is required to give sufficient attraction force to move the movable electrode when the voltage is applied. .
본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로, 낮은 구동전압에서도 가동 전극에 충분한 인력을 공급할 수 있는 디스플레이 장치 및 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention has been made to solve the above problems of the prior art, and an object of the present invention is to provide a display device and a manufacturing method that can supply a sufficient attraction force to the movable electrode even at a low driving voltage.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 디스플레이 장치는 기판과, 상기 기판상에 형성된 복수개의 광흡수층들과, 상기 광흡수층들을 포함한 상기 기판 상에 형성된 광투과성 전도층과, 상기 광투과성 전도층의 상측에 형성되는 복수개의 가동 전극들과, 상기 기판의 배면에 형성된 백라이트를 포함하여 구성된다. The display device of the present invention for achieving the above object is a substrate, a plurality of light absorbing layers formed on the substrate, a light transmissive conductive layer formed on the substrate including the light absorbing layers and the light transmissive conductive layer It includes a plurality of movable electrodes formed on the upper side, and a backlight formed on the back of the substrate.
여기서, 상기 광투과성 전도층은 기판의 전면에 형성하지 않고 스트라이프 타입(Stripe type)이나 섬(island) 모양으로 형성할 수도 있다.The light transmissive conductive layer may be formed in a stripe type or an island shape without being formed on the entire surface of the substrate.
그리고 본 발명의 디스플레이 장치 제조방법은 기판상에 복수개의 광흡수층들을 형성하는 공정과, 상기 광흡수층들을 포함한 기판 전면에 광투과성 전도층을 형성하는 공정과, 상기 광투과성 전도층상에 희생층을 형성하는 공정과, 상기 광흡수층들 사이에 상응하는 상기 희생층상에 복수개의 가동 전극들을 형성하는 공정과, 상기 희생층을 제거하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.The display device manufacturing method of the present invention comprises the steps of forming a plurality of light absorbing layers on the substrate, forming a light transmitting conductive layer on the entire surface including the light absorbing layer, and forming a sacrificial layer on the light transmitting conductive layer And forming a plurality of movable electrodes on the sacrificial layer corresponding to the light absorbing layers, and removing the sacrificial layer.
이와 같은 본 발명의 디스플레이 장치는 구동 전압을 감소시키기 위해 하부 기판의 전 영역 또는 특정 영역에 빛을 투과할 수 있으면서 도전성을 갖는 물질, 예컨대 광투과성 전도층을 형성하는 것을 특징으로 한다.The display device of the present invention is characterized by forming a conductive material, such as a light transmissive conductive layer while being able to transmit light to the entire area or a specific area of the lower substrate in order to reduce the driving voltage.
즉, 백라이트에서 입사된 빛을 투과할 수 있으며 도전성을 갖는 물질을 광흡수층의 상측에 형성함으로써, 상기 물질과 가동 전극간에 전압을 인가하였을 때, 전압이 인가되어지는 면적이 커지도록 하여 낮은 구동전압하에서도 가동 전극에 충분한 인력을 공급할 수 있도록 하였다.That is, by forming a conductive material on the upper side of the light absorbing layer that can transmit the light incident from the backlight, when the voltage is applied between the material and the movable electrode, the area where the voltage is applied is increased so that the low driving voltage Under the circumstances, sufficient manpower could be supplied to the movable electrode.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 디스플레이 장치의 바람직한 실시예를 설명하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the display device according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
제 1 실시예First embodiment
도 3은 본 발명 제 1 실시예에 따른 디스플레이 장치의 평면도이고, 도 4는 도 3의 A-A'선에 따른 단면도이다.3 is a plan view of a display device according to a first exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. 3.
도 3 및 도 4에 도시한 바와 같이, 기판(21)과, 상기 기판(21)상에 소정 간격을 두고 일방향으로 형성되는 복수개의 광흡수층(23a)들과, 상기 광흡수층(23a)들을 포함한 기판(21) 전면에 형성된 광투과성 전도층(25)과, 인접하는 광흡수층 (23a) 사이에 상응하는 상기 광투과성 전도층(25)의 상측에 형성되는 복수개의 가동 전극(31)들을 포함하여 구성된다.As shown in FIGS. 3 and 4, a
여기서, 각각의 가동 전극(31)은 그와 인접하는 광흡수층(23a)과 소정 부분 오버랩되며, 상기 가동 전극(31)은 기판(21)을 기준으로 해서 상기 광흡수층(23a) 보다 상측에 위치하며, 그 양측 끝단은 마이크로브릿지(Microbridge)를 구성한다.Here, each
상기 가동 전극(31)의 하부에는 탄성물질층(29)이 더 구비되며, 상기 광흡수층(23a)은 불투명 물질로 형성하는 것이 바람직하고, 탄성물질층(29)은 탄성 특성이 좋은 불투명 물질로 형성하는 것이 바람직하다. 여기서, 상기 광흡수층(23a)은 도전성 물질이거나 비도전성 물질이어도 무관하다.An
이와 같은 본 발명의 디스플레이 장치는 광흡수층(23a)을 포함한 기판(21) 전면에 광투과성 전도층(25)이 형성되어 있으므로 가동 전극(31)을 구동하기 위한 구동 전압을 낮게 하여도 충분한 인력이 공급되기 때문에 구동 전압을 감소시킬 수 있다.In the display device of the present invention, the light-transmitting
한편, 도 4의 미설명 부호 "20"는 백라이트(Blacklight)를 지시한다.Meanwhile,
이와 같은 디스플레이 장치는 비표시 상태일 경우, 광투과성 전도층(25)과 가동 전극(31)간에 소정의 전압이 인가되므로 광투과성 전도층(25)과 가동 전극(31)간에는 정전기력에 의한 인력이 작용하여 가동 전극(31)이 광투과성 전도층(25)에 접촉된다. 따라서, 기판(21)의 배면에 형성된 백라이트(20)로부터 입사된 빛이 투과되지 못하고 차단되기 때문에 표시면은 블랙(Black)으로 표시된다. 반면에 표시 상태에서는 상기 광투과성 전도층(25)과 가동 전극(31)간에 전압이 인가되지 않으므로 가동 전극(31)의 탄성에 의해 원래의 상태로 복귀하게 되어 가동 전극(31)은 광투과성 전도층(25)으로부터 부상하여 소정의 간격을 유지하게 된다. 따라서, 백라이트(20)로부터 입사된 빛이 상기 간격을 통해 표시면으로 투과되어 화면에는 화상이 디스플레이 된다.When the display device is in a non-display state, since a predetermined voltage is applied between the transparent
이에, 본 발명에 제 1 실시예에 따른 디스플레이 장치의 제조방법을 도 5a 내지 5e를 참조하여 설명하면 다음과 같다.Thus, the method of manufacturing the display device according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 5A to 5E.
도 5a에 도시한 바와 같이, 기판(21)상에 광흡수층으로 사용될 물질층(23)을 형성하고, 상기 물질층(23)상에 포토레지스트(도시하지 않음)를 도포한 후, 노광 및 현상 공정을 통해 패터닝한다. 이후, 상기 패터닝된 포토레지스트를 마스크로 이용한 식각 공정으로 상기 물질층(23)을 선택적으로 제거하여 도 5b에 도시한 바와 같이, 서로 일정 간격을 갖고 일 방향으로 복수개의 광흡수층(23a)들을 형성한다. As shown in FIG. 5A, a
여기서, 상기 광흡수층(23a)으로 사용될 물질층(23)은 전도성의 물질이나 비전도성의 물질 중 어느 것을 사용하여도 무방하며 불투명 물질이면 된다.Here, the
도 5c에 도시한 바와 같이, 상기 광흡수층(23a)을 포함한 기판(21) 전면에 광투과성 전도층(25)을 형성한 후, 상기 광투과성 전도층(25)상에 희생층(27)을 형성하는데, 상기 희생층(27)은 이후 공정에서 가동 전극을 형성한 후에 제거되는 물질로서, 통상은, 실리콘산화막(SiO2), 포토레지스트(Photoresist), SOG(Spin On Glass), 폴리이미드(Polyimide), PSG(Phosphorus Silicate Glass), BPSG(Boro Phosphorus Silicate Glass)등을 이용한다. 여기서, 상기 광투과성 전도층(25)의 물질로서는 예컨대, ITO(Indium Tin Oxide), ZnO(Zinc Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide)를 포함한다.As shown in FIG. 5C, after forming the transparent
이어서, 마이크로브릿지가 형성될 부위의 희생층(27)을 제거한 후, 도 5d에 도시한 바와 같이, 상기 희생층(27)의 상부에 탄성물질층(29)을 형성한다. 이때, 도면은 도 4의 A-A'선에 따른 단면이므로 희생층(27)이 제거된 부분은 나타나지 않는다. 이어서, 전면에 전도성 물질층을 형성하고, 그 위에 포토레지스트(도시하지 않음)를 도포한 후, 노광 및 현상 공정으로 패터닝하고, 패터닝된 포토레지스트를 마스크로 이용한 식각 공정으로 상기 전도성 물질층 및 탄성물질층(29)을 선택적으로 제거하여 도 5e에 도시한 바와 같이, 그 하부에 탄성물질층(29)이 형성된 복수개의 가동 전극(31)들을 형성한다. 마지막으로 상기 희생층(27)만을 선택적으로 제거하면, 본 발명 제 1 실시예에 따른 디스플레이 장치 제조공정이 완료된다.Subsequently, after the
상기 희생층(27)은 습식 식각으로 제거되며, 통상은 불산(HF)용액으로 제거하거나, 상기 불산 용액 이외에 BHF(Buffered Dydrofluoric Acid), Dilute HF을 사용할 수 있다. 또한, 상기 희생층(27)이 포토레지스트일 경우에는 포토레지스트용 스트리퍼(stripper)을 사용할 수 있다.The
제 2 실시예Second embodiment
전술한 본 발명 제 1 실시예는 구동 전압을 감소시키기 위해 광투과성 전도층을 고정 전극을 포함한 기판의 전면에 형성하였으나, 본 발명 제 2 실시예에서는 광투과성 전도층을 부분적으로 형성하였다.In the above-described first embodiment of the present invention, a transparent conductive layer is formed on the front surface of the substrate including the fixed electrode in order to reduce the driving voltage. In the second embodiment of the present invention, the transparent conductive layer is partially formed.
광투과성 전도층을 부분적으로 형성함에 따라 구동 전압은 본 발명 제 1 실시예에 비해 약간 증가하는 경향이 있으나, 투과 효율은 오히려 증가하게 된다.As the light transmitting conductive layer is partially formed, the driving voltage tends to increase slightly compared to the first embodiment of the present invention, but the transmission efficiency is rather increased.
도 6은 본 발명 제 2 실시예에 따른 디스플레이 장치의 평면도이고, 도 7은 도 6의 A-A'선에 따른 단면도이다.6 is a plan view of a display device according to a second exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 7 is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. 6.
도 6 및 도 7에 도시한 바와 같이, 본 발명 제 2 실시예에 따른 디스플레이 장치는 기판(21)과, 상기 기판(21)상에서 일정 간격을 갖고 일방향으로 형성된 복수개의 광흡수층(23a)들과, 상기 광흡수층(23a)들을 가로지르는 방향으로 형성되며 서로 일정 간격을 갖는 복수개의 광투과성 전도층(25)들과, 인접하는 광흡수층(23a) 사이에 상응하는 부위에 형성되며 인접한 광흡수층(23a)과는 소정 부분 오버랩되는 복수개의 가동 전극(31)들을 포함하여 구성된다.6 and 7, the display device according to the second embodiment of the present invention includes a
여기서, 각각의 가동 전극(31)은 그와 인접하는 광흡수층(23a)과 소정 부분 오버랩되며, 상기 가동 전극(31)은 기판을 기준으로 해서 상기 광투과성 전도층(25)보다 상측에 위치하며, 그 양측 끝단은 상기 기판(21)과 연결되어 마이 크로브릿지(Microbridge)를 구성한다.Here, each of the
상기 가동 전극(31a)의 하부에는 탄성물질층(29)이 더 구비되며, 상기 광흡수층(23a)은 전도성 또는 비전도성의 불투명 물질로 형성하는 것이 바람직하고, 탄성물질층(29)은 탄성 특성이 좋은 불투명 물질로 형성하는 것이 바람직하다. An
이와 같이, 광투과성 전도층(25)을 기판 전면에 형성하지 않고 부분적으로 형성하여 투과 효율을 증가시키는 것이 가능하다.In this manner, it is possible to form the light transmissive
한편, 도 7의 미설명 부호 "20"는 백라이트(Blacklight)를 지시한다.Meanwhile,
여기서, 도 6에 도시된 광투과성 전도층(25)은 광흡수층(23a)을 가로지르는 스트라이프(Stripe) 타입으로 형성되었으나, 상기 스트라이프 타입에 한정하지 않고, 부분적으로 경사를 갖는 형태로 형성하거나, 섬 모양으로 형성하는 것이 가능하다. Here, the transparent
이와 같이 구성된 본 발명 제 2 실시예에 따른 디스플레이 장치의 제조방법은 제 1 실시예의 제조방법과 거의 유사하며, 단지, 광흡수층(23a)을 포함한 기판 전면에 광투과성 전도층(25)을 형성한 후 부분적으로 제거하는 공정만이 더 추가되는 바, 이하에서 생략하기로 한다.The manufacturing method of the display device according to the second embodiment of the present invention configured as described above is almost similar to the manufacturing method of the first embodiment, except that the light-transmitting
한편, 상기 광투과성 전도층(25)의 폭은 반드시 일정하지 않아도 되며, 본 발명 제 3 실시예에 따른 도면인 도 8에 도시한 바와 같이, 인접한 광투과성 전도층(25)간의 간격 또한 일정하지 않아도 된다. 참고로, 도 9는 도 8의 A-A'선에 따른 단면도로서, A-A'선은 광흡수층(23a)과 가동 전극(31)이 오버랩되는 부분을 중심으로 절단한 것이다.
On the other hand, the width of the transparent
따라서, 도 9에 도시한 바와 같이, 광흡수층(23a)의 상부에 부분적으로 그리고 서로 간격이 일정하지 않는 광투과성 전도층(25)이 형성되어 있고, 상기 광투과성 전도층(25)의 상측에 가동 전극(31)이 상기 광흡수층(23a)과 동일방향으로 형성되는 것을 볼 수 있다.Therefore, as shown in FIG. 9, a light-transmitting
이상 상술한 바와 같이, 본 발명의 디스플레이 장치 및 그 제조방법은 다음과 같은 효과가 있다.As described above, the display device of the present invention and the manufacturing method thereof have the following effects.
첫째, 광흡수층을 포함한 기판 전면에 광투과성 전도층이 형성되어 있으므로 가동 전극간의 전압 인가 면적을 극대화할 수 있어 낮은 구동전압에서도 가동 전극에 충분한 인력을 공급할 수 있다.First, since the light transmissive conductive layer is formed on the front surface of the substrate including the light absorbing layer, it is possible to maximize the voltage application area between the movable electrodes, thereby providing sufficient manpower to the movable electrodes even at a low driving voltage.
둘째, 광투과성 전도층을 부분적으로 형성하여 구동 전압을 감소시킴과 동시에 투과 효율이 저하되는 것을 방지할 수 있다.Second, the light transmitting conductive layer may be partially formed to reduce the driving voltage and to prevent the transmission efficiency from decreasing.
Claims (16)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020000042850A KR100685940B1 (en) | 2000-07-25 | 2000-07-25 | Display device and method for fabricating the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020000042850A KR100685940B1 (en) | 2000-07-25 | 2000-07-25 | Display device and method for fabricating the same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20020009270A KR20020009270A (en) | 2002-02-01 |
KR100685940B1 true KR100685940B1 (en) | 2007-02-22 |
Family
ID=19679897
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020000042850A KR100685940B1 (en) | 2000-07-25 | 2000-07-25 | Display device and method for fabricating the same |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100685940B1 (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8081374B2 (en) | 2008-09-03 | 2011-12-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display device |
US9244302B2 (en) | 2013-01-16 | 2016-01-26 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and a method of manufacturing the same |
US9880411B2 (en) | 2012-06-29 | 2018-01-30 | Samsung Display Co., Ltd. | Liquid crystal display and method of manufacturing the same |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI231865B (en) | 2003-08-26 | 2005-05-01 | Prime View Int Co Ltd | An interference display cell and fabrication method thereof |
US7719752B2 (en) | 2007-05-11 | 2010-05-18 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | MEMS structures, methods of fabricating MEMS components on separate substrates and assembly of same |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR940012024A (en) * | 1992-11-10 | 1994-06-22 | 양승택 | Micro photo-switching device and its manufacturing method |
JP2000131627A (en) * | 1998-10-27 | 2000-05-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | Optical modulation element and array type optical modulation element as well as plane display device |
KR20010055224A (en) * | 1999-12-10 | 2001-07-04 | 구본준, 론 위라하디락사 | Transparent Type Display Device Using Micro Light Modulator |
KR20010100566A (en) * | 2000-05-03 | 2001-11-14 | 구본준, 론 위라하디락사 | Transparent Type Display Device Using Micro Electro-mechanical System |
-
2000
- 2000-07-25 KR KR1020000042850A patent/KR100685940B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR940012024A (en) * | 1992-11-10 | 1994-06-22 | 양승택 | Micro photo-switching device and its manufacturing method |
JP2000131627A (en) * | 1998-10-27 | 2000-05-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | Optical modulation element and array type optical modulation element as well as plane display device |
KR20010055224A (en) * | 1999-12-10 | 2001-07-04 | 구본준, 론 위라하디락사 | Transparent Type Display Device Using Micro Light Modulator |
KR20010100566A (en) * | 2000-05-03 | 2001-11-14 | 구본준, 론 위라하디락사 | Transparent Type Display Device Using Micro Electro-mechanical System |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8081374B2 (en) | 2008-09-03 | 2011-12-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display device |
US9880411B2 (en) | 2012-06-29 | 2018-01-30 | Samsung Display Co., Ltd. | Liquid crystal display and method of manufacturing the same |
US9244302B2 (en) | 2013-01-16 | 2016-01-26 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and a method of manufacturing the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20020009270A (en) | 2002-02-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100538328B1 (en) | Liquid Crystal Display Device And Fabricating Method Thereof | |
US8599348B2 (en) | High light transmittance in-plane switching liquid crystal display device and method for manufacturing the same | |
KR100968339B1 (en) | Liquid Crystal Display device and the fabrication method thereof | |
KR20080062265A (en) | Array substrate for in-plane switching mode liquid crystal display device | |
CN111221192B (en) | Display panel and method for manufacturing the same | |
KR20070068577A (en) | Liquid crystal display panel and method of manufaturing the same | |
KR100961268B1 (en) | array substrate for liquid crystal display device | |
KR20020010322A (en) | Display device using micro electro-mechanical system | |
KR100685940B1 (en) | Display device and method for fabricating the same | |
KR101380784B1 (en) | Method for fabricating liquid crystal display device | |
KR101182302B1 (en) | Liquid Crystal Display Device and method of manufacturing the same | |
KR100606960B1 (en) | Display device using micro light modulator | |
KR101725993B1 (en) | Method for fabricating liquid crystal display device | |
KR101055209B1 (en) | LCD and its manufacturing method | |
KR100606959B1 (en) | Display device using micro light modulator and method for fabricating the same | |
KR20060125042A (en) | The color filter substrate using by conductive polymer and fabricating the same | |
JP4255126B2 (en) | Electrophoretic display device and manufacturing method thereof | |
KR101669929B1 (en) | Mask for exposure and chip on glass type liquid crystal display device with narrow bezel manufactured by using the same | |
KR20050113748A (en) | In plane switching mode liquid crystal display device and the fabrication method | |
KR100610606B1 (en) | Method Of Fabricating Display Device Using Micro Light Modulator | |
KR100796493B1 (en) | Liquid crystal display device | |
KR101028996B1 (en) | Array substrate for liquid crystal display device by separately driving and method of fabricating the same | |
KR101380228B1 (en) | Array substrate for Chip on glass type liquid crystal display device | |
KR100949498B1 (en) | The mask for liquid crystal display device and the method for fabricating the one using the same | |
KR100517594B1 (en) | Thin film transistor substrate for liquid crystal display (LCD) and Method of manufacturing the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20121228 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20131227 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150127 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160128 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170116 Year of fee payment: 11 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |