KR100684500B1 - A solder ball attach plate using mems tech and making method therefore - Google Patents

A solder ball attach plate using mems tech and making method therefore Download PDF

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Abstract

A method for manufacturing a solder ball attach plate using a MEMS technology for use in semiconductor device manufacture equipment and the solder ball attach plate are provided to reduce the size and to improve the accuracy of the solder ball attach plate by simultaneously forming through-holes by wet-etching. First and second materials(20,30) are cleaned. A thin films(22,32) for etch protection are formed on upper and lower surfaces of the first and the second materials. A photoresist is applied on the thin films to form etch layers(23,33). An exposing process is performed by using masks having different shapes and the etch layers are developed to form patterns of the masks. A dry etching performed on the exposed thin films. A wet etching process is performed on the exposed first and second materials to form through-holes. The first material is laminated on the second materials to be polished.

Description

멤스기술을 이용한 반도체 소자 제조설비용 볼납어태치 플레이트의 제조방법 및 그 볼납어태치 플레이트{A solder ball attach plate using MEMS tech and making method therefore}A method of manufacturing a ball solder attach plate for a semiconductor device manufacturing facility using MEMS technology and a solder ball attach plate using MEMS tech and making method therefore}

도 1 내지 도 22는 본 발명의 일 실시예에 따른 멤스기술을 이용한 반도체 소자 제조설비용 볼납어태치 플레이트의 제조방법 및 이에 따른 볼납 어태치 플레이트를 설명하기 위한 공정 단면도.1 to 22 are cross-sectional views illustrating a method for manufacturing a ball solder attach plate for a semiconductor device manufacturing facility using MEMS technology and a ball solder attach plate according to the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

10: 볼납 어태치 플레이트 20: 제 1 자재(판)10: ball solder attach plate 20: first material (plate)

30: 제 2 자재(판) 21, 31: 관통공30: second material (plate) 21, 31: through hole

22, 32: 에칭 마스크용 박막 23, 33: 사진식각층22, 32: thin film for etching mask 23, 33: photo etching layer

24, 34: 마스크 24, 34: mask

본 발명은 멤스기술을 이용한 반도체 소자 제조설비용 볼납어태치 플레이트의 제조방법 및 그 볼납어태치 플레이트에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 멤스기술을 이용하여 기계적인 가공으로 제작할 수 없는 초소형 및 초정밀도를 갖으면서도 성능이 우수한 볼납 어태치 플레이트를 제작할 수 있도록 함으로서, 고집적화 되어가는 반도체 소자를 제조하기 위한 기재상에 요구되는 크기의 볼납을 요구되는 집적도로 볼납을 마운팅할 수 있는 멤스기술을 이용한 반도체 소자 제조설비용 볼납어태치 플레이트의 제조방법 및 볼납어태치 플레이트에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a ball lead attach plate for a semiconductor device manufacturing facility using MEMS technology and to a ball lead attach plate thereof, and more particularly, to a microminiature and ultra precision that cannot be manufactured by mechanical processing using MEMS technology. Manufacture of semiconductor devices using MEMS technology that enables mounting of solders with required integration on the substrate for manufacturing highly integrated semiconductor devices by manufacturing high-performance ball solder attachment plates The present invention relates to a method for producing a ball solder attachment plate for equipment and a ball lead attachment plate.

일반적으로, 종래의 볼납 어태치 플레이트는 반도체 제조공정중 볼납 어태치 공정을 실시하는 볼납 어태치 툴에 핵심부품으로서, 하면부에 볼납수용부가 오목하게 형성되고, 상면부에 상기 볼납수용부와 연통되게 수직으로 관통형성된 핀홀을 구비하고, 상기 볼납 어태치 툴의 하면에 장착되어 지며, 상기 핀홀에 이젝트핀이 상하작동가능하게 조립되어 있어 상기 볼납수용부에 볼납이 수용된 상태에서 이젝트핀이 볼납을 이젝팅하여 볼납을 반도체 소자의 제조용 기재상에 어태칭하는 것이며, 이러한 종래의 볼납 어태치 플레이트는 정밀 기계가공에 의해 제작되었다.In general, a conventional ball solder attach plate is a key component of a ball solder attach tool for performing a solder attachment process in a semiconductor manufacturing process. It has a vertically penetrating pin hole, and is mounted on the lower surface of the ball lead attach tool, the eject pin is assembled to the pin hole to operate up and down, so that the eject pin in the state where the ball lead is accommodated in the ball accommodating part. Ejecting and attaching the solder lead on a substrate for manufacturing a semiconductor device, such a conventional solder lead plate was manufactured by precision machining.

그러나, 상기와 같은 종래의 볼납어태치 플레이트의 제조방법은 반도체 소자가 점차적으로 고집적화로 발전되어 감에 따라 볼납 어태치 플레이트도 이러한 반도체 소자를 제조하기 위해 보다 소형화 및 정밀화되어야 하지만 현재의 정밀 기계가공으로는 요구되는 크기와 정밀도를 갖도록 볼납 어태치 플레이트를 제작할 수 없다는 문제점이 있었다.However, in the conventional method of manufacturing a ball solder attach plate as described above, as a semiconductor device is gradually developed into a high integration, the solder lead attach plate must be further miniaturized and refined to manufacture such a semiconductor device. There was a problem in that it is not possible to manufacture a ball lead attach plate to have the required size and precision.

본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 고려하여 안출한 것으로서, 그 목적은 멤스기술을 이용하여 기계적인 가공으로 제작할 수 없는 초소형 및 초정밀도를 갖으면서도 성능이 우수한 볼납 어태치 플레이트를 제작할 수 있도록 함으로서, 고 집적화 되어가는 반도체 소자를 제조하기 위한 기재상에 요구되는 크기의 볼납을 요구되는 집적도로 볼납을 마운팅할 수 있는 멤스기술을 이용한 반도체 소자 제조설비용 볼납어태치 플레이트의 제조방법를 제공하는 것이다.The present invention has been made in view of the conventional problems as described above, the object of the present invention is that by using MEMS technology to produce a ball-bolt attach plate with excellent performance while having a very small and ultra-precision that can not be produced by mechanical processing In addition, the present invention provides a method for manufacturing a ball solder attachment plate for a semiconductor device manufacturing facility using MEMS technology, which can mount a lead solder to a required integration level on a substrate for manufacturing a semiconductor device that is becoming highly integrated.

또한, 본 발명의 다른 목적은 상기 본 발명의 제조방법에 따라 제조된 볼납 어태치 플레이트를 제공하는 것이다.In addition, another object of the present invention is to provide a ball solder attach plate manufactured according to the manufacturing method of the present invention.

상기 본 발명의 목적은 제 1 및 제 2 자재를 세척하는 단계와; 각 자재의 상하면에 식각 보호용 박막을 형성하는 단계와; 상기 식각 보호용 박막상에 감광물질을 도포하여 사진식각층을 형성하는 단계와; 형상이 다른 패턴을 갖는 마스크를 이용하여 노광공정을 실시하고, 현상하여 상기 사진식각층에 상기 마스크의 패턴을 형성하는 단계와; 사진식각층의 패턴형성에 의해 노출된 식각 보호용 박막상에 건식식각을 실시하는 단계와; 건식식각에 의해 노출된 제 1자재와 제 2자재상에 습식식각공정을 실시하여 관통공을 형성하는 단계와; 습식식각공정에 의해 형성된 관통공의 중심선이 일축상에 위치되도록 제 2 자재상에 제 1 자재를 적층하여 본딩하는 단계와; 적층된 자재가 요구되는 두께를 갖도록 제 1 자재의 상면을 수평으로 연마하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 멤스기술을 이용한 반도체 소자 제조설비용 볼납어태치 플레이트의 제조방법에 의해 달성될 수 있는 것이다.The object of the present invention is to clean the first and second materials; Forming a thin film for etching protection on upper and lower surfaces of each material; Forming a photolithography layer by coating a photosensitive material on the etch protection thin film; Performing an exposure process using a mask having a pattern having a different shape, and developing to form a pattern of the mask on the photolithography layer; Performing dry etching on the etch protection thin film exposed by the pattern formation of the photolithography layer; Forming a through hole by performing a wet etching process on the first material and the second material exposed by dry etching; Stacking and bonding the first material on the second material such that the centerline of the through hole formed by the wet etching process is located on one axis; It can be achieved by the manufacturing method of the ball solder attachment plate for semiconductor device manufacturing equipment using the MEMS technique, characterized in that the step of horizontally polishing the upper surface of the first material so that the laminated material has the required thickness. .

또한, 본 발명의 목적은 제 1 및 제 2 자재를 세척하는 단계와; 각 자재의 상하면에 각각 식각 보호용 박막을 형성하는 단계와; 상기 각각의 식각 보호용 박막상에 감광물질을 도포하여 사진식각층을 각각 형성하는 단계와; 형상이 다른 패턴을 갖는 마스크를 이용하여 노광공정을 실시하고, 현상하여 상기 각각의 사진식 각층에 상기 마스크의 패턴을 형성하는 단계와; 각각의 사진식각층의 패턴형성에 의해 노출된 각각의 식각 보호용 박막상에 건식식각을 실시하는 단계와; 건식식각에 의해 노출된 제 1자재와 제 2자재의 상하면 상에 습식식각공정을 실시하여 관통공을 형성하는 단계와; 습식식각공정에 의해 형성된 관통공의 중심선이 일축상에 위치되도록 제 2 자재상에 제 1 자재를 적층하여 본딩하는 단계와; 적층된 자재가 요구되는 두께를 갖도록 제 1 자재의 상면을 수평으로 연마하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 멤스기술을 이용한 반도체 소자 제조설비용 볼납어태치 플레이트의 제조방법에 의해 달성될 수 있는 것이다.It is also an object of the present invention to clean the first and second materials; Forming a thin film for etching protection on upper and lower surfaces of each material; Forming a photolithography layer by coating a photosensitive material on each of the etch protection thin films; Performing an exposure process using a mask having a pattern having a different shape, and developing to form a pattern of the mask on each of the photographic layers; Performing dry etching on each of the etch protective thin films exposed by the patterning of each photolithography layer; Forming a through hole by performing a wet etching process on upper and lower surfaces of the first material and the second material exposed by dry etching; Stacking and bonding the first material on the second material such that the centerline of the through hole formed by the wet etching process is located on one axis; It can be achieved by the manufacturing method of the ball solder attachment plate for semiconductor device manufacturing equipment using the MEMS technique, characterized in that the step of horizontally polishing the upper surface of the first material so that the laminated material has the required thickness. .

본 발명의 다른 목적은 요구되는 간격 및 직경을 갖고 요구되는 패턴으로 관통형성되는 다수개의 관통공이 형성된 제 1 판와; 요구되는 간격과 직경을 갖고 요구되는 패턴으로 관통형성되는 다수개의 관통공을 갖고, 관통공의 중심선이 일축상에 위치되도록 제 1 판상에 적층되어 본딩되는 제 2 판으로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조설비용 볼납어태치 플레이트에 의해 달성될 수 있는 것이다.Another object of the present invention is a first plate formed with a plurality of through holes are formed in the desired pattern with the required spacing and diameter; A semiconductor having a plurality of through holes formed in a desired pattern with a required spacing and diameter, and composed of a second plate laminated and bonded on the first plate so that the center line of the through holes is located on one axis; It can be achieved by a ball lead attach plate for device manufacturing equipment.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 멤스기술을 이용한 반도체 소자 제조설비용 볼납어태치 플레이트의 제조방법 및 그 볼납 어태치 플레이트에 대하여 구체적으로 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing a ball solder attach plate for a semiconductor device manufacturing facility using MEMS technology and a ball solder attach plate thereof will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1 내지 도 22는 본 발명의 일 실시예에 따른 멤스기술을 이용한 반도체 소자 제조설비용 볼납어태치 플레이트의 제조방법 및 이에 따른 볼납 어태치 플레 이트를 설명하기 위한 공정 단면도이다.1 to 22 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a ball solder attach plate for a semiconductor device manufacturing facility using MEMS technology and a ball solder attach plate according to the present invention.

도 1 내지 도 22를 참조하면, 본 발명에 따른 멤스기술을 이용한 반도체 소자 제조설비용 볼납어태치 플레이트의 제조방법의 일 실시예는 제 1 및 제 2 자재(20)(30)를 세척하는 단계와; 각 자재(20)(30)의 상하면에 식각 보호용 박막(22)(32)을 형성하는 단계와; 상기 식각 보호용 박막(22)(32)상에 감광물질을 도포하여 사진식각층(23)(33)을 형성하는 단계와; 형상이 다른 패턴을 갖는 마스크(24)(34)를 이용하여 노광공정을 실시하고, 현상하여 상기 사진식각층(23)(33)에 상기 마스크(24)(34)의 패턴을 형성하는 단계와; 사진식각층(23)(33)의 패턴형성에 의해 노출된 식각 보호용 박막(22)(32)상에 건식식각을 실시하는 단계와; 건식식각에 의해 노출된 제 1자재(20)와 제 2자재(30)상에 습식식각공정을 실시하여 관통공(21)(31)을 형성하는 단계와; 습식식각공정에 의해 형성된 관통공(21)(31)의 중심선이 일축상에 위치되도록 제 2 자재(30)상에 제 1 자재(20)를 적층하여 본딩하는 단계와; 적층된 자재가 요구되는 두께를 갖도록 제 1 자재(20)의 상면을 수평으로 연마하는 단계로 구성된다.1 to 22, an embodiment of a method of manufacturing a ball solder attach plate for a semiconductor device manufacturing facility using MEMS technology according to the present invention may include washing the first and second materials 20 and 30. Wow; Forming etch protection thin films (22) (32) on the upper and lower surfaces of each material (20) (30); Forming a photo etching layer (23, 33) by applying a photosensitive material on the etch protection thin film (22) (32); Performing an exposure process using masks 24 and 34 having patterns having different shapes, and developing them to form patterns of the masks 24 and 34 on the photoetch layers 23 and 33; ; Performing dry etching on the etch protective thin films 22 and 32 exposed by the pattern formation of the photo etching layers 23 and 33; Forming a through hole (21) (31) by performing a wet etching process on the first material (20) and the second material (30) exposed by dry etching; Stacking and bonding the first material 20 on the second material 30 so that the center line of the through holes 21 and 31 formed by the wet etching process is positioned on one axis; And grinding the upper surface of the first material 20 horizontally so that the laminated material has the required thickness.

여기서, 상기 제 1 자재(20)의 관통공(21)은 제 2 자재(30)의 관통공(31) 보다 직경이 작게 형성된다.Here, the through hole 21 of the first material 20 is formed smaller in diameter than the through hole 31 of the second material 30.

이러한 제조방법은 제 1 및 제 2자재(20)(30)에 대한 관통공(21)(31)을 제 1 및 제 2자재(20)(30)의 상면에서만 습식식각공정에 의해 형성시키기 때문에 관통공(21)(31)의 형성이 다소 느릴 수 있다.Such a manufacturing method forms the through holes 21 and 31 for the first and second materials 20 and 30 by wet etching only on the upper surfaces of the first and second materials 20 and 30. The formation of the through holes 21 and 31 may be somewhat slow.

또한, 본 발명에 따른 멤스기술을 이용한 반도체 소자 제조설비용 볼납어태 치 플레이트의 제조방법의 다른 실시예는 제 1 및 제 2 자재(20)(30)를 세척하는 단계와; 각 자재(20)(30)의 상하면에 각각 식각 보호용 박막(22)(32)을 형성하는 단계와; 상기 각각의 식각 보호용 박막(22)(32)상에 감광물질을 도포하여 사진식각층(23)(33)을 각각 형성하는 단계와; 형상이 다른 패턴을 갖는 마스크(24)(34)를 이용하여 노광공정을 실시하고, 현상하여 상기 각각의 사진식각층(23)(33)에 상기 마스크(24)(34)의 패턴을 형성하는 단계와; 각각의 사진식각층(23)(33)의 패턴형성에 의해 노출된 각각의 식각 보호용 박막(22)(32)상에 건식식각을 실시하는 단계와; 건식식각에 의해 노출된 제 1자재(20)와 제 2자재(30)의 상하면 상에 습식식각공정을 실시하여 관통공(21)(31)을 형성하는 단계와; 습식식각공정에 의해 형성된 관통공(21)(31)의 중심선이 일축상에 위치되도록 제 2 자재(30)상에 제 1 자재(20)를 적층하여 본딩하는 단계와; 적층된 자재가 요구되는 두께를 갖도록 제 1 자재(20)의 상면을 수평으로 연마하는 단계로 구성된다.In addition, another embodiment of the manufacturing method of the ball solder attachment plate for semiconductor device manufacturing equipment using MEMS technology according to the present invention comprises the steps of washing the first and second materials (20) (30); Forming etch protection thin films (22) (32) on the upper and lower surfaces of each material (20) (30); Forming photo etch layers (23) (33) by coating a photosensitive material on each of the etch protection thin films (22) (32); An exposure process is performed using masks 24 and 34 having patterns having different shapes, and developed to form patterns of the masks 24 and 34 on the respective photoetch layers 23 and 33. Steps; Performing dry etching on each of the etch protective films 22 and 32 exposed by the patterning of each of the photo etching layers 23 and 33; Forming a through hole (21) (31) by performing a wet etching process on the upper and lower surfaces of the first material (20) and the second material (30) exposed by dry etching; Stacking and bonding the first material 20 on the second material 30 so that the center line of the through holes 21 and 31 formed by the wet etching process is positioned on one axis; And grinding the upper surface of the first material 20 horizontally so that the laminated material has the required thickness.

여기서, 제 1 자재(20)의 관통공(21)은 제 2 자재의 관통공(31) 보다 직경이 작게 형성된다.Here, the through hole 21 of the first material 20 is formed smaller in diameter than the through hole 31 of the second material.

이러한 제조방법은 제 1 및 제 2자재(20)(30)에 대한 관통공(21)(31)을 제 1 및 제 2자재(20)(30)의 상면 및 하면세서 동시에 습식식각공정에 의해 형성시키기 때문에 관통공(21)(31)의 형성이 상기 일 실시예의 제조방법에 비하여 빠르다는 장점이 있다.This manufacturing method is a wet etching process at the same time the upper surface and the lower surface of the first and second materials 20, 30 through the through holes 21, 31 for the first and second materials 20, 30, Since the formation of the through-holes 21 and 31 is faster than that of the manufacturing method of the above-described embodiment.

본 발명에 따른 멤스기술을 이용한 반도체 소자 제조설비용 볼납어태치 플레이트(10)는 요구되는 간격 및 직경을 갖고 요구되는 패턴으로 관통형성되는 다수개 의 관통공(21)(31)이 형성된 제 1 판(20)와; 요구되는 간격과 직경을 갖고 요구되는 패턴으로 관통형성되는 다수개의 관통공(21)(31)을 갖고, 관통공(21)(31)의 중심선이 일축상에 위치되도록 제 1 판(20)상에 적층되어 본딩되는 제 2 판(30)으로 구성된다.The ball lead attach plate 10 for a semiconductor device manufacturing facility using MEMS technology according to the present invention has a first gap having a plurality of through holes 21 and 31 formed therethrough in a required pattern with a required spacing and diameter. Plate 20; The first plate 20 has a plurality of through holes 21 and 31 formed in a desired pattern with a required spacing and diameter, and the center line of the through holes 21 and 31 is located on one axis. It consists of a second plate 30 laminated and bonded to.

여기서, 상기 제 1 판(20)의 관통공(21)은 제 2 판(30)의 관통공(31)의 직경 보다 작으며, 상기 제 2 판(30)의 두께는 제 1 판(20)의 두께 보다 얇다.Here, the through hole 21 of the first plate 20 is smaller than the diameter of the through hole 31 of the second plate 30, and the thickness of the second plate 30 is the first plate 20. Thinner than the thickness of.

상기 제 1 기재(판)(20)는 이젝트핀이 상하 작동가능하게 조립되는 핀홀이며, 제 2 기재(판)(30)은 볼납이 수용되는 볼납수용부이다.The first substrate (plate) 20 is a pin hole in which the eject pin is assembled to be operated up and down, and the second substrate (plate) 30 is a ball accommodating portion in which ball solder is accommodated.

상기와 같은 구성을 갖는 본 발명에 따른 멤스기술을 이용한 반도체 소자 제조설비용 볼납어태치 플레이트의 제조방법는 정밀기계가공으로 제조할 수 있는 고집적이고, 높은 정밀도를 요구하는 볼납 어태치 플레이트를 멤스기술을 사용하여 저렴하게 제조할 수 있도록 함으로서, 고집적의 반도체 소자를 저렴한 제조단가로 제조할 수 있는 것이다.Method of manufacturing a ball solder attach plate for semiconductor device manufacturing equipment using the MEMS technology according to the present invention having the above configuration has a high density, high precision ball solder attach plate that can be manufactured by precision machining, MEMS technology By making it inexpensive to use, a highly integrated semiconductor device can be manufactured at a low manufacturing cost.

상기와 같은 구성을 갖는 본 발명에 따른 멤스기술을 이용한 반도체 소자 제조설비용 볼납어태치 플레이트의 제조방법 및 그 볼납 어태치 플레이트는 멤스기술을 이용하여 기계적인 가공으로 제작할 수 없는 초소형 및 초정밀도를 갖으면서도 성능이 우수한 볼납 어태치 플레이트를 제작할 수 있도록 함으로서, 고집적화 되어가는 반도체 소자를 제조하기 위한 기재상에 요구되는 크기의 볼납을 요구되는 집적도로 볼납을 마운팅할 수 있는 효과를 갖는다.Method of manufacturing a ball solder attach plate for semiconductor device manufacturing equipment using MEMS technology having the above-described configuration and the ball solder attach plate are extremely small and ultra precision that cannot be manufactured by mechanical processing using MEMS technology. By making it possible to manufacture a high performance ball lead attach plate, it has the effect of mounting the lead solder to the required integration of the required size solder on the substrate for manufacturing a semiconductor device to be highly integrated.

Claims (6)

제 1 및 제 2 자재(20)(30)를 세척하는 단계와; 각 자재(20)(30)의 상하면에 식각 보호용 박막(22)(32)을 형성하는 단계와; 상기 식각 보호용 박막(22)(32)상에 감광물질을 도포하여 사진식각층(23)(33)을 형성하는 단계와; 형상이 다른 패턴을 갖는 마스크(24)(34)를 이용하여 노광공정을 실시하고, 현상하여 상기 사진식각층(23)(33)에 상기 마스크(24)(34)의 패턴을 형성하는 단계와; 사진식각층(23)(33)의 패턴형성에 의해 노출된 식각 보호용 박막(22)(32)상에 건식식각을 실시하는 단계와; 건식식각에 의해 노출된 제 1자재(20)와 제 2자재(30)상에 습식식각공정을 실시하여 관통공(21)(31)을 형성하는 단계와; 습식식각공정에 의해 형성된 관통공(21)(31)의 중심선이 일축상에 위치되도록 제 2 자재(30)상에 제 1 자재(20)를 적층하여 본딩하는 단계와; 적층된 자재가 요구되는 두께를 갖도록 제 1 자재(20)의 상면을 수평으로 연마하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 멤스기술을 이용한 반도체 소자 제조설비용 볼납어태치 플레이트의 제조방법.Washing the first and second materials (20) (30); Forming etch protection thin films (22) (32) on the upper and lower surfaces of each material (20) (30); Forming a photo etching layer (23, 33) by applying a photosensitive material on the etch protection thin film (22) (32); Performing an exposure process using masks 24 and 34 having patterns having different shapes, and developing them to form patterns of the masks 24 and 34 on the photoetch layers 23 and 33; ; Performing dry etching on the etch protective thin films 22 and 32 exposed by the pattern formation of the photo etching layers 23 and 33; Forming a through hole (21) (31) by performing a wet etching process on the first material (20) and the second material (30) exposed by dry etching; Stacking and bonding the first material 20 on the second material 30 so that the center line of the through holes 21 and 31 formed by the wet etching process is positioned on one axis; A method of manufacturing a ball solder attach plate for a semiconductor device manufacturing facility using MEMS technology, comprising the step of horizontally polishing the upper surface of the first material (20) so that the laminated material has the required thickness. 제 1항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 자재(20)(30)의 관통공(21)(31)은 상이한 직경을 갖는 것을 특징으로 하는 멤스기술을 이용한 반도체 소자 제조설비용 볼납어태치 플레이트의 제조방법.2. The ball solder attach plate for a semiconductor device manufacturing facility using MEMS technique according to claim 1, wherein the through holes 21 and 31 of the first and second materials 20 and 30 have different diameters. Manufacturing method. 제 1 및 제 2 자재(20)(30)를 세척하는 단계와; 각 자재(20)(30)의 상하면에 각각 식각 보호용 박막(22)(32)을 형성하는 단계와; 상기 각각의 식각 보호용 박막(22)(32)상에 감광물질을 도포하여 사진식각층(23)(33)을 각각 형성하는 단계와; 형상이 다른 패턴을 갖는 마스크(24)(34)를 이용하여 노광공정을 실시하고, 현상하여 상기 각각의 사진식각층(23)(33)에 상기 마스크(24)(34)의 패턴을 형성하는 단계와; 각각의 사진식각층(23)(33)의 패턴형성에 의해 노출된 각각의 식각 보호용 박막(22)(32)상에 건식식각을 실시하는 단계와; 건식식각에 의해 노출된 제 1자재(20)와 제 2자재(30)의 상하면 상에 습식식각공정을 실시하여 관통공(21)(31)을 형성하는 단계와; 습식식각공정에 의해 형성된 관통공(21)(31)의 중심선이 일축상에 위치되도록 제 2 자재(30)상에 제 1 자재(20)를 적층하여 본딩하는 단계와; 적층된 자재가 요구되는 두께를 갖도록 제 1 자재(20)의 상면을 수평으로 연마하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 멤스기술을 이용한 반도체 소자 제조설비용 볼납어태치 플레이트의 제조방법.Washing the first and second materials (20) (30); Forming etch protection thin films (22) (32) on the upper and lower surfaces of each material (20) (30); Forming photo etch layers (23) (33) by coating a photosensitive material on each of the etch protection thin films (22) (32); An exposure process is performed using masks 24 and 34 having patterns having different shapes, and developed to form patterns of the masks 24 and 34 on the respective photoetch layers 23 and 33. Steps; Performing dry etching on each of the etch protective films 22 and 32 exposed by the patterning of each of the photo etching layers 23 and 33; Forming a through hole (21) (31) by performing a wet etching process on the upper and lower surfaces of the first material (20) and the second material (30) exposed by dry etching; Stacking and bonding the first material 20 on the second material 30 so that the center line of the through holes 21 and 31 formed by the wet etching process is positioned on one axis; A method of manufacturing a ball solder attach plate for a semiconductor device manufacturing facility using MEMS technology, comprising the step of horizontally polishing the upper surface of the first material (20) so that the laminated material has the required thickness. 요구되는 간격 및 직경을 갖고 요구되는 패턴으로 관통형성되는 다수개의 관통공(21)(31)이 형성된 제 1 판(20)와; 요구되는 간격과 직경을 갖고 요구되는 패턴으로 관통형성되는 다수개의 관통공(21)(31)을 갖고, 관통공(21)(31)의 중심선이 일축상에 위치되도록 제 1 판(20)상에 적층되어 본딩되는 제 2 판(30)으로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조설비용 볼납어태치 플레이트.A first plate 20 having a plurality of through holes 21 and 31 formed in a desired pattern with a required spacing and diameter; The first plate 20 has a plurality of through holes 21 and 31 formed in a desired pattern with a required spacing and diameter, and the center line of the through holes 21 and 31 is located on one axis. Ball solder attachment plate for a semiconductor device manufacturing equipment, characterized in that consisting of a second plate (30) laminated and bonded to. 제 4항에 있어서, 상기 제 1 판(20)의 관통공(21)은 제 2 판(30)의 관통공(31)의 직경 보다 작은 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조설비용 볼납어태치 플레이트.5. The ball solder attach plate for semiconductor device manufacturing equipment according to claim 4, wherein the through hole (21) of the first plate (20) is smaller than the diameter of the through hole (31) of the second plate (30). 제 5항에 있어서, 상기 제 2 판(30)의 두께는 제 1 판(20)의 두께 보다 얇은 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조설비용 볼납어태치 플레이트.6. The ball solder attach plate for a semiconductor device manufacturing facility according to claim 5, wherein the thickness of the second plate (30) is thinner than that of the first plate (20). ..
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