KR100683493B1 - 고밀도플라즈마 증착 장치 및 그를 이용한 트렌치 갭필 방법 - Google Patents

고밀도플라즈마 증착 장치 및 그를 이용한 트렌치 갭필 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100683493B1
KR100683493B1 KR1020040060735A KR20040060735A KR100683493B1 KR 100683493 B1 KR100683493 B1 KR 100683493B1 KR 1020040060735 A KR1020040060735 A KR 1020040060735A KR 20040060735 A KR20040060735 A KR 20040060735A KR 100683493 B1 KR100683493 B1 KR 100683493B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
plasma
generator
trigger pulse
frequency
wafer
Prior art date
Application number
KR1020040060735A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20060011743A (ko
Inventor
정광복
Original Assignee
주식회사 하이닉스반도체
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 하이닉스반도체 filed Critical 주식회사 하이닉스반도체
Priority to KR1020040060735A priority Critical patent/KR100683493B1/ko
Publication of KR20060011743A publication Critical patent/KR20060011743A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100683493B1 publication Critical patent/KR100683493B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
    • H01L21/76224—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using trench refilling with dielectric materials

Abstract

80nm 이하의 갭필공간에서도 오버행과 같은 갭필불량없이 트렌치를 갭필할 수 있는 고밀도플라즈마증착장치 및 그를 이용한 트렌치 갭필 방법을 제공하기 위한 것으로, 본 발명의 고밀도플라즈마증착장치는 챔버, 상기 챔버 내부에 위치하는 웨이퍼, 및 상기 웨이퍼 상에 고밀도플라즈마산화막을 증착시키기 위해 선택적으로 일정 주기 동안은 파워를 공급하여 플라즈마가 턴온되도록 하고, 나머지 일정 주기 동안은 파워를 공급하지 않아 플라즈마가 턴오프상태를 유지하도록 펄스 형태로 파워를 공급하는 펄스드 파워 공급기(플라즈마의 발생을 위한 저주파 RF 파워를 발생시키는 저주파 RF 발생기와 플라즈마의 이온 및 라디칼들을 상기 웨이퍼쪽으로 끌어당기기 위한 고주파 RF 파워를 발생시키는 고주파 RF 발생기, 및 플라즈마의 선택적 턴온/턴오프를 제공하도록 트리거 펄스를 발생시키는 트리거 펄스 RF 발생기를 구비)를 포함한다.
HDP, 오버행, 저주파RF, 고주파RF, 트리거펄스, 플라즈마 턴온, 펄스드 파워플라즈마, 듀티비, 주파수

Description

고밀도플라즈마 증착 장치 및 그를 이용한 트렌치 갭필 방법{APPARATUS FOR HIGH DENSITY PLASMA DEPOSITION AND METHOD FOR GAPFILLING OF TRENCH USING THE SAME}
도 1은 종래 기술에 따른 고밀도플라즈마 증착 장치의 구성도,
도 2는 종래기술에 따른 트렌치 갭필의 문제점을 나타낸 도면,
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 고밀도플라즈마 증착 장치의 구성도,
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 트리거 펄스의 주기에 따른 플라즈마의 온/오프를 나타낸 도면.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
200 : 챔버
201 : 웨이퍼
202 : 정전척
203 : 이동장치
204 : 가스주입구
205 : 유도코일
206 : 터보펌프
207 : 펄스드 파워 공급기
본 발명은 반도체 제조 기술에 관한 것으로, 특히 고밀도플라즈마 증착 장치 및 그를 이용한 트렌치 갭필 방법에 관한 것이다.
반도체 기술의 진보와 더불어 더 나아가서는 반도체 소자의 고속화, 고집적화가 진행되고 있다. 이에 수반해서 패턴에 대한 미세화의 필요성이 점점 높아지고 있으며, 패턴의 치수도 고정밀화가 요구되고 있다. 이는 반도체 소자에 있어서, 넓은 영역을 차지하는 소자 분리 영역에도 적용된다.
반도체 소자의 소자분리(ISO) 공정으로는 로코스(LOCOS) 공정이 대부분 이용되었다. 그러나, 로코스 방식의 소자 분리공정은 그 가장자리 부분에 새부리 형상의 버즈빅이 발생하여, 활성영역의 면적을 감소시키면서 누설전류를 발생시키는 단점을 갖는다.
현재에는 좁은 폭을 가지면서, 우수한 소자 분리 특성을 갖는 STI(shallow trench isolation) 공정이 제안되었다. 상기한 STI 공정시 트렌치의 갭필특성 향상을 위해 고밀도플라즈마(High Density Plasma; HDP) 방식의 산화막을 이용하고 있다.
도 1은 종래기술에 따른 고밀도플라즈마(HDP) 장치를 도시한 구성도이다.
도 1을 참조하면, 종래 고밀도플라즈마(HDP) 장치는 챔버(100), HDP 공정에 의해 막이 증착될 웨이퍼(101), 웨이퍼(101) 아래에 위치하여 웨이퍼(101)를 고정시키는 정전척(102), 정전척(102) 아래에 위치하며 웨이퍼(101)의 로딩 및 언로딩을 담당하는 이동장치(103), 챔버(100)의 측면쪽에 구비된 가스주입구(104), 챔버(100)를 가열하기 위한 유도코일(105), 챔버(100)의 바닥쪽에 위치하여 부산물을 외부로 배출하기 위한 터보펌프(106), 플라즈마를 발생시키기 위한 저주파 RF 파워(Low Frequency RF power; LF RF)와 플라즈마내 이온 및 라디칼들을 웨이퍼(101)쪽으로 끌어당기기 위한 고주파 RF 파워(High Frequency RF power; HF RF)를 발생시키는 파워공급기(107)를 구비한다. 여기서, 저주파 RF 파워는 소스파워(Source power)라 일컫고, 고주파 RF 파워는 바이어스파워(Bias power)라 일컬으며, 파워공급기(107)는 RF 발생기(RF generator)이다.
도 1과 같은 고밀도플라즈마(HDP) 장치를 이용하여 트렌치를 갭필하는 방법이 도 2에 도시되어 있다.
도 2를 참조하면, 반도체기판(11) 상에 패드산화막(12)과 패드질화막(13)의 순서로 적층된 패드패턴을 형성하고, 패드패턴을 식각배리어로 반도체기판(11)을 식각하여 트렌치(14)를 형성한다. 그리고 나서, 트렌치(14) 표면에 측벽산화막(15)을 형성한 후, 측벽산화막(15)을 포함한 전면에 라이너질화막(16)과 라이너산화막(17)을 적층한다.
이와 같이, 라이너산화막(17)이 형성된 트렌치(14)를 갭필하기 위해 반도체 기판(11)을 도 1의 고밀도플라즈마(HDP) 장치의 챔버 내부로 이동시킨다.
도 1의 챔버(11) 내부에 비활성가스인 헬륨(He)을 흘려주고, 파워공급기(107)를 이용하여 저주파 RF 파워(LF RF)를 발생시켜 챔버(100) 내부에 플라즈마를 발생시킨다. 이처럼 플라즈마를 발생시킨 상태에서, 가스주입구(104)를 통해 일정 시간동안 소스가스(SiH4와 O2)를 챔버(100) 내부에 공급한다. 그리고 나서, 파워공급기(107)를 이용하여 고주파RF파워(HF RF)를 발생시켜 플라즈마 중의 SiH4와 O2의 이온을 웨이퍼쪽으로 가속시켜 HDP-SiO2(18)를 증착하므로써 트렌치(14)의 갭필을 진행한다. 즉, HDP-SiO2(18)의 증착동안 파워공급기(107)가 계속 턴온(Turn on)된 상태에서 소스가스의 공급 및 이온화 현상에 의해 증착하는 원리를 사용한다.
셀영역에 형성되는 트렌치의 깊이가 3200Å 정도라 할때, 이러한 깊이를 갖는 트렌치 갭필시 HDP-SiO2(18)의 증착률은 2370Å/분을 나타낸다. 그리고, 갭필 가능한 공간(즉, 트렌치의 폭)은 활성영역과 활성영역 사이의 가장 열악한 공간을 기준으로 할 때 80nm∼90nm 정도 된다.
그러나, 갭필가능한 공간이 80nm 이하로 좁아질 경우에는 보이드(Void, 19)가 발생하여 갭필불량을 초래하는 문제가 있다. 상기한 보이드(19)는, 트렌치(14)를 갭필할 때 증착두께가 증가함에 따라 트렌치(14)의 탑부분에 오버행(Overhang, 20)이 발생하는 것에 그 원인이 있다.
이러한 오버행을 방지하기 위해 증착스텝을 2스텝 또는 3스텝으로 분리하여 증착하는 방법이 제안되었다.
그러나, 여전히 80nm 이하의 갭필공간에서는 갭필불량을 유발하고 있다.
본 발명은 상기한 종래기술의 문제점을 해결하기 위해 제안된 것으로, 80nm 이하의 갭필공간에서도 오버행과 같은 갭필불량없이 트렌치를 갭필할 수 있는 고밀도플라즈마증착장치 및 그를 이용한 트렌치 갭필 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 고밀도플라즈마증착장치는 챔버, 상기 챔버 내부에 위치하는 웨이퍼, 및 상기 웨이퍼 상에 고밀도플라즈마산화막을 증착시키기 위해 선택적으로 일정 주기 동안은 파워를 공급하여 플라즈마가 턴온되도록 하고, 나머지 일정 주기 동안은 파워를 공급하지 않아 플라즈마가 턴오프상태를 유지하도록 펄스 형태로 파워를 공급하는 펄스드 파워 공급기를 포함하되, 상기 펄스드 파워 공급기는 상기 플라즈마의 발생을 위한 저주파 RF 파워를 발생시키는 저주파 RF 발생기와 상기 플라즈마의 이온 및 라디칼들을 상기 웨이퍼쪽으로 끌어당기기 위한 고주파 RF 파워를 발생시키는 고주파 RF 발생기를 갖고, 상기 플라즈마의 선택적 턴온/턴오프를 제공하도록 트리거 펄스를 발생시키는 트리거 펄스 RF 발생기를 구비하고, 상기 고밀도플라즈마 산화막은 SiH4와 O2를 소스가스로 사용하여 증착하되, 상기 저주파 RF 발생기와 상기 고주파 RF 발생기를 계속 턴온시킨 상태에서 상기 트리거펄스를 이용하여 상기 SiH4만 선택적으로 온/오프시키고 상기 O2는 계속 주입하는 것을 특징으로 한다.
바람직하게, 상기 트리거펄스는 구형파, 사인파 또는 삼각파를 사용하는 것 을 특징으로 하고, 상기 트리거펄스의 듀티비를 10%∼90%로 조절하는 것을 특징으로 하며, 상기 트리거펄스의 주파수는 1㎑∼100㎑를 사용하는 것을 특징으로 하고, 상기 트리거펄스를 상기 저주파 RF 발생기에만 사용하거나, 고주파 RF 발생기에만 사용하거나 또는 저주파 RF 발생기와 고주파 RF 발생기에 모두 사용하는 것을 특징으로 한다.
삭제
그리고, 본 발명의 트렌치 갭필 방법은 소정 깊이의 트렌치가 형성된 웨이퍼를 챔버 내부로 로딩시키는 단계, 및 상기 챔버 내부에 플라즈마를 선택적으로 온/오프시켜 상기 트렌치를 갭필하는 고밀도플라즈마산화막을 증착하되, 일정 주기 동안은 파워를 공급하여 상기 플라즈마를 턴온시키고 나머지 일정 주기동안은 파워를 공급하지 않아 상기 플라즈마를 오프시키는 트리거펄스를 이용하여 증착하는 단계를 포함하고, 상기 고밀도플라즈마 산화막은 SiH4와 O2를 소스가스로 사용하여 증착하되, 상기 플라즈마를 발생시키는 저주파 RF와 상기 플라즈마를 상기 웨이퍼쪽으로 끌어당기는 고주파 RF를 계속 턴온시킨 상태에서 상기 트리거펄스를 이용하여 상기 SiH4만 선택적으로 온/오프시키고 상기 O2는 계속 주입하는 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부 도면을 참조하여 설명하기로 한다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 고밀도플라즈마(HDP) 장치의 구성도이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 고밀도플라즈마(HDP) 장치는 챔버(200), HDP 공정에 의해 막이 증착되는 웨이퍼(201), 웨이퍼(201) 아래에 위치하여 웨이퍼(201)를 고정시키는 정전척(202), 정전척(202) 아래에 위치하며 웨이퍼(201)의 로딩 및 언로딩을 담당하는 이동장치(203), 챔버(200)의 측면쪽에 구비된 가스주입구(204), 챔버(200)를 가열하기 위한 유도코일(205), 챔버(200)의 바닥쪽에 위치하여 부산물을 외부로 배출하기 위한 터보펌프(206), 플라즈마를 발생시키기 위한 저주파 RF 파워(LF RF)와 플라즈마내 이온 및 라디칼들을 웨이퍼(201)쪽으로 끌어당기기 위한 고주파 RF 파워(HF RF)를 발생시키는 펄스드파워공급기(207)를 구비한다.
도 3에서, 펄스드 파워공급기(207)는 HDP 공정동안 계속 턴온 상태를 유지하는 것이 아니라, 선택적으로 일정 주기 동안은 턴온되고, 나머지 일정 주기동안은 턴오프상태를 유지하여, 펄스 형태로 파워를 공급하기 위해 트리거 펄스(Trigger pulse)를 발생할 수 있는 10kHz의 주파수를 갖는 트리거펄스 RF 발생기를 추가로 구비한다. 그리고, 본 발명에서 트리거펄스는 구형파, 사인파 또는 삼각파를 사용하고, 트리거펄스의 듀티비를 10%∼90%로 조절하며, 트리거펄스의 주파수는 1㎑∼100㎑를 사용한다.
위와 같은 트리거펄스를 LF 발생기에만 사용하거나 HF 발생기에만 사용하거나 또는 LF 발생기 및 HF 발생기 모두에 사용할 수도 있다. 예컨대, 펄스드 파워공급기(207)는 LF RF 발생기와 HF RF 발생기를 갖는데, 각 RF 발생기에 트리거펄스를 사용하거나 두 RF 발생기 모두에 트리거펄스를 사용할 수 있다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 트리거 펄스의 주기에 따른 플라즈마의 온/오프를 나타낸 도면이다.
도 4를 참조하면, 펄스드 파워공급기(207)는 트리거 펄스(Trigger pulse)를 발생할 수 있는 10kHz의 주파수를 갖는 RF 발생기를 종래 RF 발생기의 파워모듈에 추가로 장착하므로써 구성 가능하고, 트리거 펄스의 (+) 주기(21)동안에만 펄스드파워공급기(207)가 턴온되어 플라즈마 발생 및 증착이 이루어지며, 트리거펄스의 (-) 주기(22)동안에는 펄스드 파워공급기(207)가 턴오프되어 플라즈마가 턴오프되고 이에 따라 증착이 되지 않는 원리를 이용한다.
본 발명은 오버행이 발생되지 않는 범위에서 갭필에 중요한 역할을 하는 초기 증착스텝의 800∼2500Å까지의 HDP 산화막을 펄스드 파워 플라즈마를 이용하여 증착하고, 이후 증착스텝에서는 증착률이 좋은 고압 가스 조건으로 증착한다. 여기서, 초기 증착스텝시 펄스를 사용하게 되면 일정 시간 동안 증착이 된 후, 플라즈마가 오프된다. 그리고 다시 (-) 주기 이후의 (+) 주기동안 증착을 하게 된다. 이 경우는 일정한 두께를 적층하므로 오버행으로 인한 갭필불량을 방지할 수 있다. 이때 (+) 주기동안 플라즈마가 온되어 증착될 때의 두께를 제어하기 위해서 펄스 입력신호 주파수의 듀티비(duty ratio)를 조절하면 된다.
도 4에서는 10kHz의 50% 듀티비(Duty ratio)를 보여주고 있으며, 듀티비를 10%∼90%까지 조절하면 된다. 뿐만 아니라 트리거 펄스의 주파수를 10kHz보다 더 작은 낮은 주파수를 사용한다면 (+) 주기동안에 증착되는 양은 더 많아지며 높은 주파수를 사용하게 된다면 (+) 주기 동안에 증착되는 양은 더 적어진다.
다른 실시예로, 트리거 펄스를 SiH4 파이날밸브(final valve)의 스위칭 신호로도 사용할 수 있다. 이 경우는 LF RF와 HF RF는 계속 턴온되어 있는 상태에서 라디칼 가스인 SiH4의 온/오프를 이용하여 증착, 비증착, 증착의 형태로 이루어진다. 이때의 장점은 증착은 트리거펄스를 HF RF와 LF RF의 파워모듈에 연결한 것과 같은 효과를 내며, (-) 주기동안은 SiH4 가스만 오프되면서 O2 가스는 계속하여 주입된다. 이때, O2의 역할은 스퍼터링 역할을 하게 되어 오버행되는 부분은 자연스럽게 사라지게 된다.
상술한 바와 같이 본 발명은 갭필에 영향을 주는 트렌치 깊이의 일부는 펄스드 파워 플라즈마를 이용하여 트리거펄스의 (+) 주기동안은 증착을 실시하고, (-) 주기동안에는 플라즈마를 오프하여 증착을 하지 않는다. 이러한 방법은 통상적인 ALD(Atomic Layer Deposition) 방법과 유사하지만 각각의 원자층을 제어하지 않고 일정 두께를 제어하는 측면에서는 쓰루풋 측면에서 ALD에 비해 월등히 우수하다.
본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
상술한 본 발명은 80nm 이상의 고집적 반도체 소자의 트렌치 갭필에 있어서 활성영역간의 공간이 80nm 이하로 좁아지더라도 보이드없이 트렌치를 갭필할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 트리거펄스의 듀티비나 주파수를 제어하여 적정의 증착률을 이용할 수 있으므로 쓰루풋(Through-put)을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.

Claims (17)

  1. 삭제
  2. 챔버;
    상기 챔버 내부에 위치하는 웨이퍼; 및
    상기 웨이퍼 상에 고밀도플라즈마산화막을 증착시키기 위해 선택적으로 일정 주기 동안은 파워를 공급하여 플라즈마가 턴온되도록 하고, 나머지 일정 주기 동안은 파워를 공급하지 않아 플라즈마가 턴오프상태를 유지하도록 펄스 형태로 파워를 공급하는 펄스드 파워 공급기를 포함하되,
    상기 펄스드 파워 공급기는 상기 플라즈마의 발생을 위한 저주파 RF 파워를 발생시키는 저주파 RF 발생기와 상기 플라즈마의 이온 및 라디칼들을 상기 웨이퍼쪽으로 끌어당기기 위한 고주파 RF 파워를 발생시키는 고주파 RF 발생기를 갖고, 상기 플라즈마의 선택적 턴온/턴오프를 제공하도록 트리거 펄스를 발생시키는 트리거 펄스 RF 발생기를 구비하고,
    상기 고밀도플라즈마 산화막은 SiH4와 O2를 소스가스로 사용하여 증착하되, 상기 저주파 RF 발생기와 상기 고주파 RF 발생기를 계속 턴온시킨 상태에서 상기 트리거펄스를 이용하여 상기 SiH4만 선택적으로 온/오프시키고 상기 O2는 계속 주입하는 것을 특징으로 하는 고밀도플라즈마 증착 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 트리거펄스는 구형파, 사인파 또는 삼각파를 사용하는 것을 특징으로 하는 고밀도플라즈마 증착 장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 트리거펄스의 듀티비를 10%∼90%로 조절하는 것을 특징으로 하는 고밀도플라즈마 증착 장치.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 트리거펄스의 주파수는 1㎑∼100㎑를 사용하는 것을 특징으로 하는 고밀도플라즈마 증착 장치.
  6. 제2항에 있어서,
    상기 트리거펄스를 상기 저주파 RF 발생기에만 사용하는 것을 특징으로 하는 고밀도플라즈마 증착 장치.
  7. 제2항에 있어서,
    상기 트리거펄스를 상기 고주파 RF 발생기에만 사용하는 것을 특징으로 하는 고밀도플라즈마 증착 장치.
  8. 제2항에 있어서,
    상기 트리거펄스를 상기 저주파 RF 발생기와 상기 고주파 RF 발생기에 모두 사용하는 것을 특징으로 하는 고밀도플라즈마 증착 장치.
  9. 삭제
  10. 소정 깊이의 트렌치가 형성된 웨이퍼를 챔버 내부로 로딩시키는 단계; 및
    상기 챔버 내부에 플라즈마를 선택적으로 온/오프시켜 상기 트렌치를 갭필하는 고밀도플라즈마산화막을 증착하되, 일정 주기 동안은 파워를 공급하여 상기 플라즈마를 턴온시키고 나머지 일정 주기동안은 파워를 공급하지 않아 상기 플라즈마를 오프시키는 트리거펄스를 이용하여 증착하는 단계를 포함하고,
    상기 고밀도플라즈마 산화막은 SiH4와 O2를 소스가스로 사용하여 증착하되, 상기 플라즈마를 발생시키는 저주파 RF와 상기 플라즈마를 상기 웨이퍼쪽으로 끌어당기는 고주파 RF를 계속 턴온시킨 상태에서 상기 트리거펄스를 이용하여 상기 SiH4만 선택적으로 온/오프시키고 상기 O2는 계속 주입하는 것을 특징으로 하는 트렌치 갭필 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 트리거펄스는 구형파, 사인파 또는 삼각파를 사용하는 것을 특징으로 하는 트렌치 갭필 방법.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 트리거펄스의 듀티비를 10%∼90%로 조절하는 것을 특징으로 하는 트렌치 갭필 방법.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 트리거펄스의 주파수는 1㎑∼100㎑를 사용하는 것을 특징으로 하는 트렌치 갭필 방법.
  14. 제10항에 있어서,
    상기 플라즈마는 저주파 RF 발생기에 의해 발생되고, 고주파 RF 발생기에 의해 상기 플라즈마는 상기 웨이퍼쪽으로 끌어당겨지며, 상기 트리거펄스를 상기 저주파 RF 발생기에만 사용하는 것을 특징으로 하는 트렌치 갭필 방법.
  15. 제10항에 있어서,
    상기 플라즈마는 저주파 RF 발생기에 의해 발생되고, 고주파 RF 발생기에 의해 상기 플라즈마는 상기 웨이퍼쪽으로 끌어당겨지며, 상기 트리거펄스를 상기 고주파 RF 발생기에만 사용하는 것을 특징으로 하는 트렌치 갭필 방법.
  16. 제10항에 있어서,
    상기 플라즈마는 저주파 RF 발생기에 의해 발생되고, 고주파 RF 발생기에 의해 상기 플라즈마는 상기 웨이퍼쪽으로 끌어당겨지며, 상기 트리거펄스를 상기 고주파 RF 발생기와 상기 저주파 RF 발생기에 모두 사용하는 것을 특징으로 하는 트렌치 갭필 방법.
  17. 삭제
KR1020040060735A 2004-07-31 2004-07-31 고밀도플라즈마 증착 장치 및 그를 이용한 트렌치 갭필 방법 KR100683493B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040060735A KR100683493B1 (ko) 2004-07-31 2004-07-31 고밀도플라즈마 증착 장치 및 그를 이용한 트렌치 갭필 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040060735A KR100683493B1 (ko) 2004-07-31 2004-07-31 고밀도플라즈마 증착 장치 및 그를 이용한 트렌치 갭필 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060011743A KR20060011743A (ko) 2006-02-03
KR100683493B1 true KR100683493B1 (ko) 2007-02-15

Family

ID=37121751

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040060735A KR100683493B1 (ko) 2004-07-31 2004-07-31 고밀도플라즈마 증착 장치 및 그를 이용한 트렌치 갭필 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100683493B1 (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100752190B1 (ko) * 2006-09-04 2007-08-27 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 소자의 갭필 방법
KR101489326B1 (ko) * 2008-09-09 2015-02-11 삼성전자주식회사 기판의 처리 방법
KR102482734B1 (ko) * 2020-11-13 2022-12-30 충남대학교산학협력단 고주파 펄스 소스 및 저주파 펄스 바이어스를 이용한 플라즈마 극고종횡비 식각 방법

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4837185A (en) 1988-10-26 1989-06-06 Intel Corporation Pulsed dual radio frequency CVD process
US6193855B1 (en) * 1999-10-19 2001-02-27 Applied Materials, Inc. Use of modulated inductive power and bias power to reduce overhang and improve bottom coverage

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4837185A (en) 1988-10-26 1989-06-06 Intel Corporation Pulsed dual radio frequency CVD process
US6193855B1 (en) * 1999-10-19 2001-02-27 Applied Materials, Inc. Use of modulated inductive power and bias power to reduce overhang and improve bottom coverage

Also Published As

Publication number Publication date
KR20060011743A (ko) 2006-02-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10861678B2 (en) Plasma etching apparatus and method
US10755894B2 (en) Power supply system
US7749914B2 (en) Plasma etching method
US9455153B2 (en) Plasma processing method
KR101811910B1 (ko) 질화규소막에 피처를 에칭하는 방법
US7972968B2 (en) High density plasma gapfill deposition-etch-deposition process etchant
KR20170093111A (ko) 에칭 방법
KR20160028370A (ko) 에칭 방법
JP2009010376A (ja) 分離プラズマ制御を利用したハイブリッドエッチングチャンバ
KR970067690A (ko) 고밀도 플라즈마 막의 고유 스트레스를 감소하기 위한 방법 및 그 장치
KR20110139660A (ko) 기판 처리 방법
KR102514465B1 (ko) 유전체 재료를 증착하기 위한 방법들
KR20210112415A (ko) 반도체 구조들을 에칭하기 위한 방법들 및 장치
US8277906B2 (en) Method of processing a substrate
JP2013131587A (ja) プラズマ処理方法
TWI690993B (zh) 成膜裝置及成膜方法
KR20190008226A (ko) 에칭 방법
KR100683493B1 (ko) 고밀도플라즈마 증착 장치 및 그를 이용한 트렌치 갭필 방법
JP2021182619A (ja) プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置
KR20060105857A (ko) 반도체 소자의 트렌치 소자분리막 형성방법
KR101503258B1 (ko) 플라즈마를 이용한 기판 처리 방법
US11145493B2 (en) Plasma etching apparatus and plasma etching method
KR20220136136A (ko) 에칭 방법 및 에칭 처리 장치
JP2004235457A (ja) ヒューズ、半導体装置、ヒューズの製造方法および半導体装置の製造方法
JP2010161156A (ja) プラズマエッチング方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
J201 Request for trial against refusal decision
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20110126

Year of fee payment: 5

LAPS Lapse due to unpaid annual fee