KR100680242B1 - 실리콘 단결정의 성장 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 초크랄스키(czochralski, CZ) 법으로 실리콘 단결정의 성장 시 수평자기장의 중심 위치 및 세기, 실리콘 단결정의 회전 속도를 조절하여 초기산소농도 및 산소의 분포를 조절할 수 있는 실리콘 단결정의 성장 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 실리콘 단결정의 성장 방법에서는 도가니 내의 실리콘 융액의 표면에서부터 상기 도가니의 바닥면 사이에 자기장의 중심이 위치하도록 수평 자기장을 인가하면서 실리콘 단결정을 성장시킨다. 이 때, 상기 수평 장기장의 중심이 상기 실리콘 융액의 표면에서부터 이로부터 400mm 깊이의 실리콘 융액 내부 사이에 위치하도록 할 수 있다. 상기 수평 자기장의 세기는 1000 내지 4500 G(gause)의 범위에 속할 수 있다. 그리고, 상기 실리콘 단결정의 회전 속도는 3 내지 10 rpm(revolution per minute)의 범위에 속할 수 있다.
실리콘, 단결정, 수평, 자기장, 산소

Description

실리콘 단결정의 성장 방법{GROWING METHOD OF SILICON SINGLE CRYSTAL}
도 1은 일반적인 실리콘 단결정의 성장 장치를 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명에 따른 실리콘 단결정의 성장 방법을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시예 1, 실시예 2, 및 실시예 3에 따라 성장된 실리콘 단결정의 길이 방향에 대한 초기산소농도를 도시한 그래프이다.
도 4는 본 발명의 실시예 1, 실시예 2, 및 실시예 3에 따라 성장된 실리콘 단결정의 길이 방향에 대한 ORG(oxygen radial gradient) 값을 도시한 그래프이다.
도 5는 본 발명의 실시예 1, 실시예 2, 및 실시예 3에 따라 성장된 실리콘 단결정의 반경 방향에 대한 FPD(flow pattern defect)의 밀도를 도시한 그래프이다.
본 발명은 실리콘 단결정의 성장 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 수평자기장을 이용하여 실리콘 단결정의 초기산소농도 및 산소 분포를 조절할 수 있는 실리콘 단결정의 성장 방법에 관한 것이다.
최근 정보기술(information technology, IT) 산업 등의 발달에 의해 이러한 정보기술 산업의 핵심 기술에 해당하는 반도체에 대한 관심이 높아지고 있다. 반도체는 컴퓨터, 가전제품, 휴대폰, 액정표시장치 등의 다양한 분야에 적용될 수 있어 이러한 반도체 기술에 대한 연구가 활발하게 진행되고 있다.
반도체를 제조하기 위해서는 웨이퍼를 제조하고 이러한 웨이퍼에 소정의 이온을 주입하고 회로 패턴을 형성하는 단계 등을 거쳐야 한다. 이 때, 웨이퍼의 제조를 위해서는 먼저 단결정 실리콘을 잉곳(ingot) 형태로 성장시켜야 하는데, 이를 위해 초크랄스키(czochralski, CZ) 법 또는 플로팅 존(floating zone, FZ) 법이 적용될 수 있다. 그런데, 플로팅 존 법을 적용하여 단결정 실리콘을 성장시키는 경우에는 대구경의 실리콘 단결정의 제조가 어렵고 공정 비용이 매우 비싼 문제가 있는 바 초크랄스키 법을 적용하여 단결정 실리콘을 성장시키는 것이 일반적이다.
초크랄스키 법은 석영 도가니(quartz crucible)에 실리콘을 용융시킨 후 시드(seed) 실리콘 단결정을 용융 실리콘 내에 담근 후 소정의 속도로 회전시키면서 인상시켜 실리콘 단결정을 성장시키는 방법이다. 이렇게 초크랄스키 법에 의해 제조된 실리콘 단결정 잉곳을 슬라이싱(slicing)하고, 래핑(lapping), 식각, 세정 및 폴리싱(polishing) 등의 공정을 수행하여 실리콘 웨이퍼의 제조를 완료한다.
초크랄스키 법에 의해 성장되어 제조된 실리콘 웨이퍼는 공정 특성상 일정 수준의 초기산소농도를 가진다. 즉, 실리콘을 용융시킬 수 있는 온도에서 공정을 진행하는 동안 석영 도가니로부터 용해된 산소가 성장중인 실리콘 단결정으로 혼입되어 실리콘 단결정 원자구조에서 격자간 위치에 존재하게 된다.
이렇게 실리콘 웨이퍼 내에 혼입된 격자간 산소는 고집적화되는 반도체 소자 공정에서 다양한 형태로 이용되고 있다. 이러한 예로는 격자간 산소를 이용하여 기계적 강도를 향상시키거나, 격자간 산소가 미소 내부 결함(bulk micro defect, BMD)으로 반도체 소자 공정 중에 발생하는 금속 불순물을 제거하는 진성 게터링 사이트(intrinsic gettering site)로 작용하는 것 등이 있다.
고품질의 실리콘 단결정 및 이에 의해 제조되는 실리콘 웨이퍼의 제조에 있어서 초기산소농도의 제어 및 산소분포의 균질성이 중요해지고 있다. 이에 따라 실리콘 단결정 성장 시 산소 농도 및 분포를 제어할 수 있는 새로운 방법에 대한 요구가 높아지고 있다.
본 발명은 상기와 같은 점에 착안한 것으로, 본 발명의 목적은 수평 자기장을 이용하여 실리콘 단결정 내로 유입되는 산소 농도의 양 및 산소의 분포를 조절하여 고품질의 실리콘 단결정을 제조할 수 있는 실리콘 단결정의 성장 방법을 제공하는 것이다.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실리콘 단결정의 성장 방법은, 도가니 내의 실리콘 융액에 시드(seed) 실리콘 단결정을 담근 후 상기 시드 실리콘 단결정을 회전시키면서 인상시켜 실리콘 단결정을 성장시키는 초크랄스키(czochralski, CZ) 법에 의한 실리콘 단결정의 성장 방법에 있어서, 상기 도가니 내의 실리콘 융액 표면에서부터 상기 도가니의 바닥면 사이에 자기장의 중심이 위치하도록 수평 자기장을 인가하고, 상기 수평 자기장의 중심 위치 및 세기, 상기 실리콘 단결정의 회전 속도를 조절하여 실리콘 단결정의 초기산소농도 및 산소의 분포를 조절하면서 실리콘 단결정을 성장시키는 것을 그 특징으로 한다.
상기 수평 장기장의 중심이 상기 실리콘 융액의 표면에서부터 이로부터 400mm 깊이의 실리콘 융액 내부 사이의 위치에 위치하도록 할 수 있다. 상기 수평자기장의 세기는 1000 내지 4500 G(gause)의 범위에 속할 수 있다.
상기 실리콘 단결정의 회전 속도는 3 내지 10 rpm(revolution per minute)의 범위에 속할 수 있다.
상기 수평 장기장의 중심 위치는 상기 실리콘 융액의 표면에서부터 이로부터 400mm 깊이의 실리콘 융액 내부 사이의 위치로 조절하고, 상기 수평자기장의 세기는 1000 내지 4500 G 사이로 조절하며, 상기 실리콘 단결정의 회전 속도는 3 내지 10 rpm 사이로 조절할 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실리콘 단결정의 성장 방법을 상세히 설명한다.
도 1은 일반적인 실리콘 단결정의 성장 장치를 도시한 도면이다. 실리콘 단결정의 성장 장치에 대해서는 본 발명에 관련되는 부분에 대해서 상세하게 설명하였으며 본 발명과의 관련성이 적은 부분의 설명은 생략하였다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실리콘 단결정의 성장 방법을 적용할 수 있는 성장 장치는 챔버(10)를 구비하고, 챔버 내부(10)에서 실리콘 단결정의 성장이 일어난다.
챔버 내부(10) 내에는 실리콘 융액(30)을 담는 석영 도가니(11)가 설치되며, 이 석영 도가니(11)의 외부에는 일례로 흑연으로 이루어진 도가니 지지대(13)가 석영 도가니(11)를 에워싸도록 설치된다.
도가니 지지대(13)는 회전축(15) 상에 고정 설치되고, 이 회전축(15)은 구동수단(미도시)에 의해 회전되어 석영 도가니(11)를 일방향(A)으로 회전시키면서 상승시켜 실리콘 융액(30)과 실리콘 단결정(40)이 만나는 고-액 계면(35)의 높이가 일정하게 유지되도록 한다. 도가니 지지대(13)는 소정 간격을 두고 일례로 원통형으로 이루어지는 히터(17)에 의해 에워싸여진다. 이러한 히터(17)는 보온통(18)에 의해 에워싸여진다.
히터(17)는 석영 도가니(11) 내에 적재되는 고순도의 다결정 실리콘 덩어리를 융용하여 실리콘 융액(30)으로 만들며, 보온통(18)은 히터(17)에서 발산되는 열이 챔버(10)의 벽 쪽으로 확산되는 것을 방지하여 열 효율을 향상시킨다.
챔버(10)의 상부에는 케이블을 감아 실리콘 단결정을 회전시키면서 인상(引上)시키는 인상 수단(미도시)이 설치되며, 이 케이블의 하부에 실리콘 단결정 성장 시작을 위한 시드(seed) 실리콘 단결정이 장착된다. 이 때, 인상 수단은 실리콘 단결정(40)을 석영 도가니(11) 회전 방향(A)의 반대 방향(B)으로 회전시키면서 인상시킨다.
그리고, 실리콘 단결정(40)과 석영 도가니(11) 사이에는 실리콘 단결정(40)을 에워싸도록 열실드(19)가 설치될 수 있다. 열실드(19)는 웨이퍼 면내에서의 균일한 특성을 위해 결정 반경방향으로의 수직온도기울기 편차를 줄이기 위해 개발된 것으로, 실리콘 단결정(40)으로 방사되는 열을 차단하여 실리콘 단결정(40)의 외주 부에서의 냉각속도를 늦추는 역할을 한다. 이러한 열실드(19)는 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 탄소(C) 또는 실리콘카바이드(SiC)가 코팅된 흑연으로 이루어질 수 있고, 열실드(19)는 다양한 형상을 가질 수 있다.
그리로, 챔버(10)의 외부로 실리콘 융액(30)에 수평 자기장을 인가하는 자석(20)이 설치된다. 본 발명에서는 챔버(10)의 외부로 자석(20)이 위치하는 것을 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 자석(20)이 챔버(10)의 내부에 위치하는 등 다양한 배치 상태를 가질 수 있으며 이 또한 본 발명의 범위에 속한다.
그리고, 도 1에 도시한 실리콘 단결정의 성장 장치는 단지 본 발명을 예시하기 위한 것이며 본 발명이 여기에 한정되는 것은 아니다. 따라서 본 발명에서는 다른 구조의 실리콘 단결정의 성장 장치가 적용될 수 있으며 이 또한 본 발명의 범위에 속한다.
이하에서는 도 2를 참조하여 이러한 실리콘 단결정 성장 장치를 이용한 본 발명의 실리콘 단결정 성장 방법에 대하여 상세하게 설명한다. 도 2는 본 발명에 따른 실리콘 단결정의 성장 방법을 개략적으로 도시한 도면이다. 도 2에서는 도 1의 실리콘 단결정 성장 장치 중 설명에 관련된 부분만을 도시하였다.
본 발명에 따른 실리콘 단결정의 성장 방법은 초크랄스키(czochralski, CZ) 법에 의해 실리콘 단결정 성장시킨다. 석영 도가니(11) 내에 담겨진 실리콘 융액(30)에 시드(seed) 실리콘 단결정을 담근 후 이를 일방향(B)으로 회전시키면서 인상시켜 실리콘 단결정(40)을 성장시킨다.
실리콘 단결정의 성장 과정은, 시드(seed) 실리콘 단결정으로부터 가늘고 긴 형상을 갖는 단결정을 성장시키는 네킹(necking) 단계, 이러한 네킹 부분으로부터 결정을 직경 방향으로 성장시켜 원하는 직경으로 성장시키는 숄더링(shouldering) 단계, 및 단결정 실리콘을 용융 실리콘과 분리하는 테일링(tailing) 단계를 포함한다. 숄더링 단계에서 성장된 부분이 웨이퍼로 제조되는 부분이다.
이렇게 초크랄스키 법에 의해 실리콘 단결정을 성장시키는 경우 석영 도가니로부터 용해된 산소가 실리콘 단결정으로 혼입될 수 있는데, 석영 도가니(11)의 라운딩부(11R) 부근은 다른 부분보다 온도가 높으므로 다른 부분보다 많은 양의 산소가 실리콘 융액(30)으로 용해된다. 이에 따라, 라운딩부(11R) 부근의 실리콘 융액(30)에는 상대적으로 많은 양의 산소가 용해되어 있다.
즉, 석영 도가니(11)의 라운딩부(11R) 부근의 실리콘 융액(30)이 고-액 계면(35)으로 유입되는 정도에 따라 실리콘 단결정(40)의 초기산소농도 및 산소의 분포가 결정될 수 있다.
본 발명에서는 실리콘 융액(30)에 인가되는 수평 자기장(25)의 중심 위치(25C) 및 자기장의 세기를 조절함과 동시에 시드 실리콘 단결정(40)의 회전 속도를 조절함으로써 라운딩부(11R) 부근 실리콘 융액(30)의 이동 경로를 제어하고, 이에 따라 실리콘 단결정(40)의 초기산소농도 및 산소의 분포를 조절한다.
실리콘 융액(30)에 인가되는 수평 자기장(25)은 수평 자기장의 중심 위치(25C)를 경계로 하여 실리콘 융액(30)의 대류 셀을 구분한다. 즉, 수평 자기장(25)의 중심 위치(25C)를 기준으로 상부에는 실리콘 단결정(40)의 회전에 의해 석영 도 가니(11)의 반경 방향으로의 흐르는 대류 셀(이하 '상층류'라 한다)이 형성되고, 하부에는 높은 온도의 라운딩부(11R) 부근에서의 열 대류와 석영 도가니(12) 회전에 따른 원심력에 의해 형성된 대류가 복합적으로 혼합된 대류 셀이 형성된다.
이 때, 수평 자기장(25)의 중심 위치(25C)를 상하로 변화시킴으로써 상층류의 폭을 조절하여 실리콘 단결정(40) 내의 초기산소농도 및 산소의 분포를 조절할 수 있다. 이러한 상층류의 폭이 커질수록 다량의 산소가 용해되어 있는 라운딩부(11R) 부근의 융액이 고-액 계면(35)으로 더 많이 유입되고, 이에 따라 실리콘 단결정(40) 내의 초기산소농도가 증가한다.
즉, 본 발명에서 수평 자기장(25)의 중심 위치(25C)를 실리콘 융액(37) 표면쪽으로 위치시키는 경우에는 라운딩부(11R) 부근의 실리콘 융액(30)의 유입을 감소시켜 낮은 초기산소농도를 갖는 실리콘 단결정을 형성할 수 있으며, 석영 도가니(11)의 바닥면(11B)에 인접하게 위치시키는 경우에는 라운딩부(11R) 부근의 실리콘 융액(30)의 유입을 증가시켜 높은 초기산소농도를 갖는 실리콘 단결정(40)을 형성할 수 있다. 그리고, 이러한 라운딩부(11R) 부근의 실리콘 융액(30)의 유입양에 따라 실리콘 단결정(40)의 산소 분포를 조절할 수 있다.
따라서, 본 발명에서는 수평 자기장(25)에 의해 대류 셀을 구분하면서 상층류의 폭을 조절하기 위해서 수평 자기장(25)의 중심 위치(25C)를 실리콘 융액(37)의 표면에서부터 석영 도가니(11)의 바닥면(11B)까지의 범위 내에 위치하도록 한다. 일례로, 수평 가기장(25)의 중심 위치(25C)를 실리콘 융액(30)의 표면(37)을 기준으로 0 내지 400 mm 의 실리콘 융액(30) 깊이에 대응되도록 위치시킬 수 있다. 그리고, 본 발명에서는 수평 자기장(25)의 중심 위치(25C)와 함께 수평 자기장(25)의 세기를 1000 내지 4500 G(gause) 범위 내로 조절하여 초기산소농도 및 산소 분포를 조절한다.
그리고, 실리콘 단결정(40)의 회전 속도를 변화시킴으로써 상층류의 유속을 조절하고, 이에 따라 실리콘 단결정(40) 내의 초기산소농도 및 산소의 분포를 조절할 수 있다. 실리콘 단결정(40)의 회전 속도를 증가시킬수록 상층류의 유속이 커져 다량의 산소가 용해되어 있는 라운딩부(11R) 부근의 실리콘 융액(30)이 고-액 계면(35)으로 더 많이 유입되고, 이에 따라 실리콘 단결정(40) 내의 초기산소농도가 증가한다.
즉, 본 발명에서 실리콘 단결정(40)을 낮은 회전 속도로 회전시켜 고-액 계면(35)으로 유입되는 라운딩부(11R) 부근의 실리콘 융액(30) 양을 줄여 낮은 초기산소농도를 갖는 실리콘 단결정(40)을 형성할 수 있으며, 실리콘 단결정(40)을 높은 회전 속도로 회전시켜 고-액 계면(35)으로 유입되는 라운딩부(11R) 부근의 실리콘 융액(30) 양을 늘려 높은 초기산소농도를 갖는 실리콘 단결정(40)을 형성할 수 있다. 그리고, 이러한 라운딩부(11R) 부근의 실리콘 융액(30)의 유입양에 따라 실리콘 단결정(40)의 산소 분포를 조절할 수 있다.
본 발명에서 실리콘 단결정(40)의 회전 속도는 실리콘 단결정(40)의 적절한 성장 속도를 유지하면서 고품질의 실리콘 단결정(40)으로 성장시키기 위하여 3 내지 10 rpm(revolution per minute) 범위 내에 속할 수 있다. 이러한 범위 내에서 실리콘 단결정(40)의 회전 속도를 변화시킴으로써 실리콘 단결정(40)의 초기산소농 도 및 산소 분포를 조절할 수 있다.
전술한 바와 같이 본 발명에 따른 실리콘 단결정 성장 방법에서는 수평 자기장(25)의 중심(25C) 위치 및 세기, 그리고 실리콘 단결정(40)의 회전 속도를 조절하여 석영 도가니(11)에서 용해된 산소의 이동 경로를 제어하고, 이에 따라 실리콘 단결정(40)의 초기산소농도를 조절하여 각 적용 분야에 적절한 초기산소농도 및 산소 분포를 갖는 실리콘 단결정(40)을 제조하는 것이 가능하다. 또한, 이에 따라 실리콘 단결정(40)의 면내 산소분포를 조절할 수 있다.
이하에서는 실험예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다. 이러한 실험예는 본 발명을 예시하기 위한 것이며 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
실시예 1
수평 자기장의 중심 위치를 실리콘 융액의 표면으로부터 77mm의 거리만큼 들어간 실리콘 융액의 내부에 대응하도록 위치시킨 후 실리콘 단결정을 성장시켰다. 수평 자기장의 세기는 1000 내지 4500 G의 범위에 속하도록 하고, 실리콘 단결정의 회전 속도는 3 내지 10 rpm의 범위에 속하도록 한 상태에서 실리콘 단결정을 성장시켰다.
실시예 2
다른 조건은 실시예 1의 성장 방법과 동일한 조건을 유지하면서 수평 자기장의 중심 위치를 실리콘 융액의 표면으로부터 각각 127 mm의 거리만큼 들어간 실리콘 융액 내부에 대응하도록 위치시킨 후 실리콘 단결정을 성장시켰다.
실시예 3
다른 조건은 실시예 1 및 실시예 2의 성장 방법과 동일한 조건을 유지하면서 수평 자기장의 중심 위치를 실리콘 융액의 표면으로부터 각각 177 mm의 거리만큼 들어간 실리콘 융액 내부에 대응하도록 위치시킨 후 실리콘 단결정을 성장시켰다.
이러한 실시예 1 내지 실시예 3에 따라 성장된 실리콘 단결정의 길이 방향에 따른 초기산소농도를 측정하여 도 3에 도시하고, 실리콘 단결정의 길이 방향에 따른 ORG(oxygen radial gradient) 값을 도 4에 도시하였다. 그리고, 실시예 1 내지 실시예 3 에 따른 실리콘 단결정의 반경 방향에 따른 FPD(flow pattern defect) 밀도를 측정하여 도 5에 나타내었다.
도 3에 나타난 바와 같이, 실시예 1, 실시예 2, 실시예 3으로 갈수록 이에 의해 성장된 실리콘 단결정의 초기산소농도가 높아짐을 알 수 있다. 즉, 실리콘 융액 표면에 대한 수평 자기장의 중심위치를 더 낮게 위치시킨 상태에서 실리콘 단결정을 성장시킬수록 실리콘 단결정의 종축 방향의 초기산소농도가 증가함을 알 수 있다. 이는 수평 자기장의 중심 위치가 실리콘 융액의 하부에 위치할수록 다량의 산소가 용해된 석영 도가니의 라운딩부 부근의 융액이 고-액 계면으로 더 많이 유입될 수 있기 때문이다.
도 4에 나타난 바와 같이, 실시예 1, 실시예 2, 실시예 3으로 갈수록 이에 의해 성장된 실리콘 단결정의 길이방향으로의 ORG가 더 균일함을 알 수 있다. 도 4에서, ORG라 함은 실리콘 단결정의 면내 산소 분포의 균일도를 평가하는 지표로 이러한 ORG 값이 낮을수록 면내의 산소 분포가 더 균일한 것을 나타낸다.
즉, 수평 자기장의 중심 위치를 더 낮게 위치시킨 상태에서 성장시킨 실리콘 단결정에서 이의 길이방향에 따른 면 내의 산소 분포 균일도가 더 높은 것을 알 수 있다. 이에 따라 본 발명의 실리콘 단결정 성장 방법에서는 수평 자기장의 중심 위치를 조절함으로써 면 내의 산소 분포 또한 조절할 수 있음을 알 수 있다.
즉, 수평 자기장의 중심 위치를 조절함으로써 실리콘 단결정의 초기산소농도 및 산소 분포를 조절할 수 있음을 알 수 있다. 이는 단결정 실리콘의 회전 속도를 함께 조절하는 경우에 더욱 효과적이다.
그리고, 도 5를 참조하면, 실리콘 단결정의 성장 시 실리콘 융액의 표면에 대한 수평 자기장의 중심 위치가 낮아질수록 FPD 밀도가 낮아짐을 알 수 있다. 이는 수평 자기장의 중심 위치가 낮아질수록 석영 도가니의 라운딩부 부근의 융액이 고-액 계면으로 더 많이 유입되어 계면에서 결정의 종축 방향의 온도 구배인 G 가 커지기 때문이다.
이상을 통해 본 발명에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.
본 발명에 따른 실리콘 단결정의 성장 방법에서는 수평 자기장의 중심 위치 및 세기, 실리콘 단결정의 회전 속도를 조절함으로써 실리콘 단결정의 초기산소농도 및 산소의 분포를 조절할 수 있다. 따라서, 자석의 위치 및 세기, 실리콘 단결정의 회전 속도를 조절하여 각 분야에서 필요한 특성을 만족하는 실리콘 단결정을 간단한 방법으로 제조할 수 있다.
이에 따라, 기술의 발전과 급변하는 시장 상황에 따라 적절하게 대응하면서 고품질의 실리콘 단결정을 제조할 수 있다.

Claims (6)

  1. 도가니 내의 실리콘 융액에 시드(seed) 실리콘 단결정을 담근 후 상기 시드 실리콘 단결정을 회전시키면서 인상시켜 실리콘 단결정을 성장시키는 초크랄스키(czochralski, CZ) 법에 의한 실리콘 단결정의 성장 방법에 있어서,
    상기 도가니 내의 실리콘 융액 표면에서부터 상기 도가니의 바닥면 사이에 자기장의 중심이 위치하도록 수평 자기장을 인가하고,
    상기 수평 자기장의 중심 위치 및 세기, 상기 실리콘 단결정의 회전 속도를 조절하여 실리콘 단결정의 초기산소농도 및 산소의 분포를 조절하면서 실리콘 단결정을 성장시키는 실리콘 단결정의 성장 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 수평 장기장의 중심이 상기 실리콘 융액의 표면에서부터 이로부터 400mm 깊이의 실리콘 융액 내부 사이에 위치하도록 하는 실리콘 단결정의 성장 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 수평 자기장의 세기는 1000 내지 4500 G(gause)의 범위에 속하는 실리콘 단결정의 성장 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 실리콘 단결정의 회전 속도는 3 내지 10 rpm(revolution per minute)의 범위에 속하는 실리콘 단결정의 성장 방법.
  5. 삭제
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 수평 장기장의 중심 위치는 상기 실리콘 융액의 표면에서부터 이로부터 400mm 깊이의 실리콘 융액 내부 사이로 조절하고, 상기 수평자기장의 세기는 1000 내지 4500 G 사이로 조절하며, 상기 실리콘 단결정의 회전 속도는 3 내지 10 rpm 사이로 조절하는 실리콘 단결정의 성장 방법.
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