KR100800253B1 - 실리콘 단결정 제조방법 - Google Patents

실리콘 단결정 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100800253B1
KR100800253B1 KR1020060101952A KR20060101952A KR100800253B1 KR 100800253 B1 KR100800253 B1 KR 100800253B1 KR 1020060101952 A KR1020060101952 A KR 1020060101952A KR 20060101952 A KR20060101952 A KR 20060101952A KR 100800253 B1 KR100800253 B1 KR 100800253B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
single crystal
temperature gradient
silicon single
melt
crucible
Prior art date
Application number
KR1020060101952A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20070072346A (ko
Inventor
조현정
Original Assignee
주식회사 실트론
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 실트론 filed Critical 주식회사 실트론
Priority to US11/643,201 priority Critical patent/US7427325B2/en
Priority to JP2006346581A priority patent/JP2007182373A/ja
Publication of KR20070072346A publication Critical patent/KR20070072346A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100800253B1 publication Critical patent/KR100800253B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/20—Controlling or regulating
    • C30B15/203—Controlling or regulating the relationship of pull rate (v) to axial thermal gradient (G)
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/10—Crucibles or containers for supporting the melt
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/20—Controlling or regulating
    • C30B15/206—Controlling or regulating the thermal history of growing the ingot
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/30—Mechanisms for rotating or moving either the melt or the crystal
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C30B29/06—Silicon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers

Abstract

본 발명은 실리콘 단결정 제조방법에 대한 것으로, 보다 구체적으로는 쵸크랄스키 법에 의한 실리콘 단결정 제조방법에 있어서, 단결정 성장의 고액계면 하부를 중심부와 외주부로 나누어서, 상기 중심부의 온도구배와 외주부의 온도구배를 각각 별도로 제어하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면 고액계면 하부에 위치하는 실리콘 융액을 중심부와 외주부로 나누었을 때, 중심부의 온도구배는 융액의 온도분포를 조절함으로써 직접적으로 제어하고, 외주부의 온도구배는 단결정의 온도구배를 조절하여 간접적으로 제어하여 융액의 온도분포를 효과적으로 제어할 수 있는바, 무결함 고품질 단결정 잉곳을 높은 성장속도로 제조할 수 있다.
고액계면, 온도구배, 외주부, 중심부

Description

실리콘 단결정 제조방법{PRODUCING METHOD OF SILICON SINGLE CRYSTAL INGOT}
도1은 본 발명의 일 실시예에 따라 쵸크랄스키 법에 의해 고품질 실리콘 단결정 잉곳을 성장시키는 과정을 도시한 단면도,
도2는 본 발명의 일실시예로서, 열 실드 갭 변화에 따른 단결정 외주부, 중심부 각각의 무결함 인상속도를 나타내는 그래프,
도3은 본 발명의 일실시예로서, 단결정의 회전속도(Vs)와 도가니 회전속도의 비(Vc)에 따른 외주부, 중심부 각각의 무결함 인상속도를 나타낸 그래프,
도4는 본 발명의 다른 실시예로서, 열실드 및 단결정의 회전속도(Vs)와 도가니 회전속도의 비(Vc)가 융액과 단결정의 외주부, 중심부 각각의 온도 구배에 미치는 영향을 간략히 나타낸 도면이다.
도5는 본 발명의 일실시예에 따른 무결함 실리콘 단결정을 성장시키기 위한 단결정 회전속도와 도가니 회전속도의 비(r)와 열실드 갭(g) 사이의 관계를 나타낸 그래프이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호설명>
10: 챔버 20: 석영 도가니
25: 도가니 지지대 30: 회전축
40: 히터 45: 보온통
50: 열실드
본 발명은 점결함이 없는 고품질 실리콘 단결정 잉곳 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 쵸크랄스키 법으로 실리콘 단결정 잉곳을 성장시킬 때 융액의 온도분포를 제어함으로써 성장결함이 제어된 고품질의 실리콘 단결정 잉곳 제조방법에 관한 것이다.
종래에는 반도체 소자 수율을 증대시킬 수 있는 고품질의 실리콘 단결정 잉곳을 성장시키기 위하여 주로 결정화 이후의 단결정 잉곳의 고온영역 온도분포를 제어하였다. 이는 결정화 이후 냉각에 따른 수축 등으로 유기되는 응력 등을 제어하거나 응고 시 발생한 점결함의 거동을 제어하기 위한 것이다.
일반적으로 쵸크랄스키 법에 따라 실리콘 단결정 잉곳을 성장시키는 방법에서는 석영 도가니의 내부에 다결정 실리콘을 적재하고 히터로부터 복사되는 열로 다결정 실리콘을 용융시켜 실리콘 융액으로 만든 다음, 실리콘 융액의 표면으로부터 실리콘 단결정 잉곳을 성장시킨다.
실리콘 단결정 잉곳을 성장시킬 때에는 도가니를 지지하는 축을 회전시키면서 도가니를 상승시켜 고-액 계면이 동일한 높이를 유지하도록 하고, 실리콘 단결 정 잉곳은 도가니의 회전축과 동일한 축을 중심으로 하여 도가니의 회전방향과 반대방향으로 회전시키면서 끌어 올린다. 이렇게 성장된 실리콘 단결정 잉곳은 슬라이싱(Slicing), 래핑(Lapping), 폴리싱(Polishing), 클리닝(Cleaning) 등 웨이퍼 가공 공정을 거침으로써 실리콘 단결정 웨이퍼가 되어 반도체 디바이스 기판으로 사용하게 된다.
US 6,045,610 특허 등 종래의 고품질 무결함 잉곳 또는 웨이퍼 및 그 제조방법은 보론코프 이론에 바탕을 두고 Δ(V/G)를 제어하고자 하였다. 보론코프이론(Voronkov Theory)이란, 결정 내에서 우세한 점결함(dominant point defect)은 V/G 값이 어느 임계값 보다 크면 베이컨시-풍부(vacancy-rich), V/G 값이 어느 임계값보다 작으면 인터스티셜-풍부(interstitial-rich)가 된다는 이론이다. 여기에서, V는 단결정 인상속도이며, 실리콘 단결정 내에서 점결함의 대류 파라미터(convection term)이다. 또한, G는 결정 용융액 계면 근처의 순간 축방향 온도구배이며, 결정 내 온도구배에 의한 점결함의 확산 파라미터(diffusion term)이다.
G가 지배적인(상대적으로 큰) 경우, 큰 온도구배에 의하여 열역학적인 점결함 농도구배도 따라서 크게 형성되므로 결정 방향으로의 점결함 확산이 커진다. 그런데, 인터스티셜(Interstitial)의 확산이동도가 베이컨시(vacancy)보다 크기 때문에 결과적으로 지배적인 점결함은 인터스티셜이 된다. 반면, V가 큰 경우에는, 단결정 인상에 의한 대류(convection) 때문에 결정화시에 베이컨시 농도가 인터스티셜 보다 높은 상태가 그대로 유지된다(G에 의한 효과가 작으므로). 즉, V/G 값이 어느 임계값보다 크면 베이컨시 풍부(vacancy-rich)가, V/G 값이 어느 임계값보다 작으면 인터스티셜 풍부(interstitial-rich)가 형성된다.
종래에는 성장 중인 실리콘 단결정 잉곳의 축방향 온도구배(G)를 결정의 반경에서 조절하기 위해 열실드와 같은 별도의 구조물을 설치하였다. 이러한 종래기술로는 대한민국 특허 등록번호 제374703호, 대한민국 특허 등록번호 제411571호, 미국 특허등록번호 6,527,859 등이 있다. 하지만 열실드는 단결정 외주부의 온도구배를 제어하는데는 효과가 있지만 단결정 중심부의 온도구배를 제어하는데는 한계가 있다.
다른 종래기술로, 대한민국 공개특허 제2004-84728호에서는 단결정 잉곳의 회전과 도가니 회전 방향을 같게 만드는 코로테이션(Co-rotation) 방법을 이용하여, 융액 내 온도분포를 조절함으로써 고품질 무결함 잉곳 또는 웨이퍼를 제조하고자 하였다. 하지만, 이러한 코로테이션 방법은 여러 가지 다른 제어 인자에 따라 오히려 융액 내 온도분포를 열화시킬 수도 있으며, 산소농도를 용이하게 제어할 수 없다는 한계가 있다.
또 다른 종래기술에서는 단결정 성장 공정의 여러 가지 공정 파라미터를 조절하여 단결정의 축방향 온도구배를 제어하려는 시도가 있었다. 하지만 공정 파라미터만을 조절해서는 실리콘 단결정 잉곳의 축방향 온도구배를 소망하는 바에 따라 조절할 수 없을 뿐만 아니라 점결함 농도가 낮은 고품질의 실리콘 단결정 잉곳을 높은 생산성으로 생산할 수 없는 문제가 있다.
디바이스 공정에 적합한 바람직한 웨이퍼 기판은 웨이퍼 표면 수 마이크로층까지 형성되는 디바이스 활성영역(Active Device region)에서는 베이컨시, 셀프-인 터스티셜 등 점결함을 제외한 모든 응집결함이 배제되는 것이 바람직하다.
한편, 대한민국 특허공개 제2001-6182호, 제2001-6227호, 및 제2001-6229호에 기재된 바와 같이, 종래에는 결정의 수직온도구배(G0)가 G0 = c+ax2의 형태를 갖기 때문에 단결정 잉곳 외주에서 중심방향을 향해 베이컨시 농도는 증가하는 반면에 인터스티셜 농도는 감소하는 경향을 가진다. 단결정 잉곳의 외주근처에서 충분한 외부확산(out-diffusion)이 발생하지 않으면 엘디피(LDP) 등 인터스티셜 특성의 결정 결함이 나타나기 때문에 대개는 중심부의 베이컨시 농도가 높은 상태에서 결정성장을 하게 된다. 따라서 평형농도보다 훨씬 높은 베이컨시 농도 때문에 웨이퍼 중심부에서 베이컨시 특성의 결정결함(예를 들면, 보이드(void), 산화적층결함(OiSF : oxidation induced stacking fault))이 발생되기 쉽다. 반면에 충분한 인터스티셜 외부확산을 위해서 결정의 냉각속도를 낮추게 되면 추가적인 핫존이 더 필요할뿐 아니라 단결정 잉곳의 성장속도도 낮아지게 되므로 생산성이 많이 떨어지는 문제가 있다.
고품질 실리콘 단결정 잉곳을 제조하기 위해 실리콘 단결정 잉곳의 온도 분포를 제어하는 다른 종래 기술로는 다음과 같은 것들이 있다. 일본 특원평2-119891에서는 단결정이 냉각되는 과정에서 고온영역의 핫존을 채용하여 실리콘 단결정 잉곳의 중심과 외주의 온도분포를 제어함으로써 응고 변형(strain of solidification)에 의한 실리콘 단결정 잉곳의 격자결함을 감소시키고자 하였으며, 특히 여기서는 냉각 슬리브(sleeve)에 의해 단결정 성장 방향으로 고화 율(solidification rate)을 증대시키고 격자결함을 감소시키고자 하였다. 또한 일본 특원평7-158458에서는 결정 내 온도분포와 결정의 인상속도를 제어하고자 하였으며, 일본 특원평 7-66074에서는 핫존을 개선하고 냉각속도를 제어함으로써 결함밀도를 제어하고자 하였다. 일본 특원평4-17542와 대한민국 공개특허 제2001-6229호에서는 핫존을 변경하고 냉각속도를 제어함으로써 점결함의 확산에 의해 결정 결함의 형성을 억제하고자 하였다. 대한민국 공개특허 제2002-82132호에서는 열실드와 수냉관을 개선함으로써 고품질 단결정 생산성을 향상시키고자 하였다.
그러나 이러한 종래 기술들은 고상반응에 기초하기 때문에 다음과 같은 문제점을 안고 있다. 첫째, 고품질 실리콘 단결정이라는 목적을 달성하는데 많은 제약이 따른다. 예를 들어, 대한민국 공개특허 제2001-6229호에서는 과포화된 점결함을 결정 결함으로 성장하기 전에 고온 영역에서 충분히 확산 반응시킴으로써 점결함의 농도를 낮추고자 하였으나, 그에 필요한 온도 유지시간이 심지어 16시간 이상이므로 이론적으로 가능할 뿐 실제 적용이 불가능한 문제점이 있었다.
둘째, 실질적인 효과를 거두지 못하는 경우가 대부분이다. 일본 특원평5-61924 및 Eidenzon등(Defect-free Silicon Crystals Grown by the Czochralski Technique, Inorganic Materials, Vol.33, No.3, 1997, pp.272-279)이 제안한 것과 같은 방식으로 결정의 인상속도를 주기적으로 변화시키면서 200mm 실리콘 단결정 잉곳을 성장시킨 결과, 목적하는 고품질 달성에 실패하였으며 오히려 공정의 불안정성만 야기되었다.
셋째, 고상반응 이론에만 기초한 발명은 높은 생산성을 달성할 수 없다. 대 한민국 공개특허 제2001-101045호에서는 가능한 최적의 열실드와 수냉관을 설계하였지만 실제로 고품질 단결정을 얻을 수 있는 인상속도가 0.4mm/min 정도로서 생산성이 낮은 문제가 있다.
또한, 상술한 종래 방법들에서는 목적하는 고품질 단결정의 획득 수율이 낮았다.
이에, 본 발명의 발명자들은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하고, 융액의 온도분포를 효과적으로 제어할 수 있는 방법을 연구하던 중, 융액의 온도구배와 단결정의 온도구배를 각각 별도로 제어하는 경우에 융액의 온도분포를 효과적으로 제어할 수 있다는 것을 확인하고, 본 발명을 완성하게 되었다.
따라서, 본 발명의 주된 목적은 융액의 온도구배에 직접적으로 영향을 미치는 인자들을 조절함과 동시에 단결정의 온도구배를 조절하여 간접적으로 융액의 온도구배를 제어함으로써, 융액의 온도분포를 효과적으로 제어할 수 있는 고품질 실리콘 단결정 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 목적은 고액계면 하부에 위치하는 실리콘 융액을 중심부와 외주부로 나누었을 때, 중심부의 온도구배는 융액의 온도분포를 조절하여 직접적으로 제어함으로써, 융액의 온도분포를 효과적으로 제어할 수 있는 고품질 실리콘 단결정 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 고액계면 하부에 위치하는 실리콘 융액을 중심부와 외주부로 나누었을 때, 외주부의 온도구배는 단결정의 온도구배를 조절하여, 융액 의 온도분포를 효과적으로 제어할 수 있는 고품질 실리콘 단결정 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 0.65mm/min 정도의 높은 인상속도로 무결함 고품질 단결정 잉곳을 높은 성장속도로 제조할 수 있는 고품질 실리콘 단결정 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 종래 방법들에서는 목적하는 고품질 단결정의 획득 수율이 낮은 문제를 해결할 수 있는 고품질 실리콘 단결정 제조방법을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 쵸크랄스키 법에 의한 고품질 실리콘 단결정 제조방법은 단결정 성장의 고액계면 하부를 중심부와 외주부로 나누어서, 상기 중심부의 온도구배와 외주부의 온도구배를 각각 별도로 제어하는 것을 특징으로 한다. 여기서, 중심부와 외주부의 경계 지점은 단결정의 반경(R)을 기준으로 고액계면의 중심으로부터 2/3 R이 되는 지점이다.
본 발명에 있어서, 상기 외주부의 온도구배는 단결정의 온도구배를 조절하여 제어한다. 바람직하게, 상기 단결정의 온도구배는 열실드의 갭을 조절하여 제어한다.이 때, 상기 열실드의 갭은 10mm ~ 50mm 이다.
본 발명에 있어서, 상기 중심부의 온도구배는 융액의 온도구배를 조절하여 제어한다. 바람직하게, 상기 융액의 온도구배는 단결정의 회전속도와 도가니 회전속도의 비를 조절하여 제어한다.
바람직하게, 상기 융액을 수용하는 도가니의 회전속도를 Vc 라 하고 상기 실리콘 단결정의 회전속도를 Vs 라 할 때, 상기 실리콘 단결정의 회전속도와 도가니 회전속의 비는 하기식을 만족시킨다.
3 ≤ Ln[Vs/Vc] ≤ 5
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 쵸크랄스키 법에 의한 고품질 실리콘 단결정 제조방법은 단결정의 회전속도와 도가니 회전속도의 비(r)와 열실드 갭(g)은 하기 관계식을 만족하는 것을 특징으로 한다.
Figure 112006075586045-pat00001
여기서, c는 바람직하게는 0.2 내지 1, 더욱 바람직하게는 0.3 내지 0.5이다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 실리콘 웨이퍼는 상기 고품질 실리콘 단결정 제조방법 중 어느 한 방법에 의하여 제조되는 것을 특징으로 한다.
이하 첨부된 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
본 발명의 발명자들은 실리콘 융액으로부터 고상의 실리콘 단결정 잉곳을 성장시킬 때, 단결정 잉곳의 온도 구배 조절 및 고-액 계면의 형태 조절만으로 점결함이 최소화된 고품질의 실리콘 단결정 잉곳을 성장시키는 데에는 한계가 있으며, 고품질 실리콘 단결정 잉곳 성장을 위한 보다 결정적인 인자가 있음을 인지하고, 본 발명을 완성시키기에 이르렀다.
즉, 본 발명에서는 결정화 이후에 일어나는 고상 반응의 한계를 극복하기 위하여 고화 이전인 액상의 유체상태를 철저히 분석하였으며 그 결과, 융액의 온도분포가 매우 중요하다는 것을 발견하였다.
일반적으로 결정성장은 원자 또는 분자 형태의 성장 단위가 결정성장계면 또는 준안정영역으로 이동하여 계면에 고착됨으로써 이루어지는데, 실리콘 융액 내 온도기울기가 커짐으로써 유체상태의 결정성장 단위가 결정성장계면 또는 준안정영역으로 이동하려는 구동력이 커지게 되는 것이다.
여기서 결정성장계면이란 결정화계면 또는 고액계면이라고도 하며 고상인 실리콘 단결정 잉곳과 액상인 실리콘 융액이 만나는 경계면이다. 준안정영역이란 액상인 실리콘 융액이 결정화되기 직전의 상태로서 결정성이 있기는 하지만 완전하지는 않은 영역을 의미한다.
따라서 실리콘 융액 내 온도기울기가 크면 성장 단위의 결정 성장 참여가 높아지므로 결정의 인상속도가 충분히 높지 않은 경우 과잉의 원자가 결정화되고, 그 결과 실리콘 단결정 잉곳은 셀프 인터스티셜 우세(self-interstitial rich) 특성을 갖게 된다. 반대로 실리콘 융액 내 온도기울기가 낮으면 결정화되려는 원자가 충분하지 않기 때문에 높은 결정의 인상속도는 베이컨시 우세(vacancy rich) 특성을 가지는 실리콘 단결정 잉곳을 만들게 된다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따라 쵸크랄스키 법에 의해 실리콘 단결정 잉곳을 성장시키는 과정을 도시한 단면도이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘 단결정 잉곳은 챔버(10)의 내부에서 성장된다.
상기 챔버(10) 내에는 실리콘 융액(SM)을 담으며 그 외주면은 흑연으로 이루어진 도가니 지지대(25)애 의해 둘러쌓인 석영 도가니(20)가 설치된다. 이때, 상기 도가니 지지대(25)는 회전축(30) 상에 고정 설치되고, 이 회전축(30)은 구동 수단(미도시)에 의해 회전되어 석영 도가니(20)를 회전시키면서 상승시켜 고-액 계면이 동일한 높이를 유지하도록 한다. 도가니 지지대(25)는 소정 간격을 두고 원통형의 히터(40)에 에워싸여지며, 이 히터(40)는 보온통(45)에 의해 에워싸여진다.
즉, 히터(40)는 도가니(25)의 측방에 설치되어 석영 도가니(20) 내에 적재된 고순도의 다결정실리콘 덩어리를 용융하여 실리콘 융액(SM)으로 만들며, 보온통(45)은 히터(40)에서 발산되는 열이 챔버(10)의 벽 쪽으로 확산되는 것을 방지하여 열 효율을 향상시킨다.
또한, 실리콘 단결정 잉곳(IG)과 도가니(20) 사이에는 잉곳(IG)을 에워싸도 록 열실드(50)를 설치하여 잉곳으로부터 방사되는 열을 차단한다. 이때, 열실드(50)에서 잉곳(IG)과의 최인접부에는 원통형의 열차폐부(60)를 부착 설치하여 열 흐름을 더욱 차단하여 열을 보존할 수도 있다.
또한, 챔버(10)의 상부에는 케이블을 감아 인상(引上)하는 인상 수단(미도시)이 설치되며, 이 케이블의 하부에는 석영 도가니(20) 내의 실리콘 융액(SM)에 접촉되어 인상하면서 단결정 잉곳(IG)을 성장시키는 종결정이 설치된다. 인상 수단은 단결정 잉곳(IG) 성장 시 케이블을 감아 인상하면서 회전 운동하며, 이때 실리콘 단결정 잉곳(IG)은 도가니(20)의 회전축(30)과 동일한 축을 중심으로 하여 도가니(20)의 회전방향과 반대방향으로 회전시키면서 끌어올리도록 한다.
챔버(10)의 상부로는, 성장되는 단결정 잉곳(IG)과 실리콘 융액(SM)에 아르곤(Ar), 네온(Ne) 및 질소(N) 등의 불활성 가스를 공급하고, 사용된 불활성 가스는 챔버(10)의 하부를 통해 배출시킨다.
본 발명의 일실시예에 따른 쵸크랄스키 법에 의한 고품질 실리콘 단결정 제조방법은 단결정 성장의 고액계면 하부를 중심부와 외주부로 나누어서, 상기 중심부의 온도구배와 외주부의 온도구배를 각각 별도로 제어한다. 여기서 중심부와 외주부의 경계는 단결정의 반경(R)을 기준으로 고액계면 중심으로부터 2/3R이 되는 지점이다.
이때, 상기 중심부의 온도구배는 융액의 온도구배를 조절하여 제어되고, 상기 외주부의 온도구배는 단결정의 온도구배를 조절하여 제어되는 것이 바람직하다.
상술한 바와 같이, 무결함 고품질 단결정 잉곳을 높은 성장속도로 제조하기 위해서는 융액의 온도분포를 효과적으로 제어하는 것이 매우 중요하다. 이에 따라, 융액의 온도분포를 효과적으로 제어하기 위해서는 첫째, 융액의 온도구배에 직접적으로 영향을 미치는 인자들을 조절하거나 둘째, 단결정의 온도구배를 조절함으로써 간접적으로 융액의 온도구배를 제어하는 것이 바람직하다. 따라서, 고액계면 하부에 위치하는 실리콘 융액을 중심부와 외주부로 나누었을 때, 중심부의 온도구배는 융액의 온도분포를 조절함으로써 직접적으로 제어하고, 외주부의 온도구배는 단결정의 온도구배를 조절하여 간접적으로 제어하는 것이 바람직하다.
실리콘 단결정 잉곳 성장 시의 단결정의 지배 점결함(dominant point defect)은 단결정 인상속도와 성장 시스템의 온도구배에 의해 결정된다. 또한, 상기 온도구배는 고액계면 부근의 값이기 때문에, 결정 내의 온도구배 및 융액 내의 온도구배에 영향을 받게 된다. 이는 하기의 수학식1에 따른 열균형 방정식(Heat balance equation)으로 알 수 있으며 또한, 단결정의 온도구배와 융액의 온도구배는 서로 비례하는 상관관계를 갖는다.
kSGS = kLGL + LfV
kS: 고체(단결정) 열전달 계수, GS : 고체(단결정) 온도구배
kL: 액체(융액) 열전달 계수, GL: 액체(융액) 온도구배
Lf: 결정화 잠열, V: 성장속도
따라서, 단결정의 온도구배는 열실드의 형상이나 재질뿐만 아니라 열실드 갭 에 의해 영향을 받는다. 예를 들어, 열실드 갭을 감소시키면 결정 외주로부터 좀 더 많은 열을 빼앗기 때문에 결정 외주부의 온도구배가 상승하여 그에 따른 무결함 인상속도도 증가된다.
상기 단결정의 온도구배는 열실드의 갭을 조절하여 제어하는 것이 바람직하다. 이때, 상기 열실드의 갭은 10mm ~ 50mm 인 것이 바람직하다.
도2에는 본 발명의 고품질 실리콘 단결정 제조방법의 일실시예로서, 열실드 갭 변화에 따른 단결정 외주부, 중심부 각각의 무결함 인상속도를 나타내었다. 도2를 참조하면, 단결정 외주부의 무결함 인상속도는 열실드 갭에 따라 크게 영향을 받지만, 단결정 중심부는 상대적으로 덜 민감함을 알 수 있다. 이로부터 열실드 갭의 변화에 따른 단결정의 온도구배 조절은 단결정 성장 시스템 외주부의 온도구배를 제어하는 효과적인 수단임을 확인하였다.
다음으로, 상기 융액의 온도구배는 단결정의 회전속도와 도가니 회전속도의 비를 조절하여 제어되는 것이 바람직하다. 융액의 온도구배 조절은 융액의 대류 등을 고려해야하기 때문에, 단결정의 온도구배 조절에 비해 상대적으로 복잡하다.
본 발명자는 실리콘 융액을 수용하는 도가니의 회전속도를 Vc 라 하고 상기 실리콘 단결정의 회전속도를 Vs 라 할 때, 상기 실리콘 단결정의 회전속도와 도가니 회전속도의 비는 하기식을 만족시키는 것이 바람직하다는 것을 확인하였다.
3 ≤ Ln[Vs/Vc] ≤ 5
상기 Ln[Vs/Vc]는 약 3.5 내지 4.5인 것이 보다 바람직하다.
도3은 단결정의 회전속도(Vs)와 도가니 회전속도(Vc)의 비에 따른 외주부 및 중심부 각각의 무결함 인상속도를 나타낸 그래프, 도4는 열실드 갭 및 단결정의 회전속도(Vs)와 도가니 회전속도의 비(Vc)가 융액과 단결정의 외주부 및 중심부 각각의 온도 구배에 미치는 영향을 개념적으로 나타낸 간단한 도면이다.
도3을 참조하면, Ln[Vs/Vc] 값이 증가함에 따라 고품질의 단결정이 구현되는 성장속도가 증가하다가 어느 일정 구간을 지나면서 다시 감소하는 경향을 보임을 확인할 수 있다. 낮은 도가니 회전속도에 비하여 단결정 회전속도가 너무 커질 경우에는 도가니 바닥의 차가운 융액의 상승으로 인해 고온영역의 온도가 감소하며, 따라서 융액의 수직방향 온도기울기가 감소하게 되기 때문이다.
보다 상세히 살펴보면, 이는 Ln[Vs/Vc] 값이 상술한 수치범위에 있을 때, 도가니 내부의 최고온 영역의 열량이 '채널효과'에 의해 고액계면 하부로 효과적으로 전달된다. '채널효과'란 도4에 도시된 바와 같이, 융액의 최고온영역으로부터 고온영역을 향한 가상의 채널(100)을 따라 열손실이 최소화되면서 열전달되는 것을 의미한다. 이러한 채널효과에 의해, 고액계면으로부터 고온영역까지의 융액 온도기울기(고액 계면에서 고온영역으로 가면서 온도가 증가함)가 더 증가하게 되어 무결함 인상속도가 소망하는 범위의 값을 갖게 되는 것이다.
또한 도3을 참조하면, Ln[Vs/Vc]=3.8 부근에서 중심부의 무결함 인상속도는 급격히 향상되는 반면, 외주부의 무결함 인상속도는 상대적으로 Ln[Vs/Vc]의 변화에 따른 변화가 적음을 알 수 있다. 이로부터 Ln[Vs/Vc]의 변화에 따른 융액내 온도구배 조절이, 결정성장 시스템 중심부의 온도구배를 제어하는 효과적인 수단임을 알 수 있다.
한편 Ln[Vs/Vc] 값이 3 내지 5 사이의 값을 갖게 되면, 채널 효과에 의해 고액 계면 하부의 융액 온도 기울기가 증가되지만, 채널 효과에 의한 융액 온도 분포가 실리콘 단결정의 엣지부를 넘어서까지 확장되면 실리콘 단결정의 반경 방향으로의 온도편차가 감소하게 된다. 그 결과, 단결정의 엣지 부분에서는 결정의 수직성장보다는 결정의 수평성장이 우세하게 되어 플라워(flower) 현상과 같은 비정상적인 결정성장이 이루어질 가능성이 있다. 이러한 문제를 해결하기 위해서는 열실드 갭, 단결정 회전속도, 사용하는 자장분포 등을 조절하여 실리콘 단결정의 엣지부 바깥쪽의 수평 온도 기울기를 증가시켜 주는 것이 바람직하다.
다음으로, 본 발명에 따른 쵸크랄스키 법에 의한 고품질 실리콘 단결정 제조방법은 무결함의 고품질 실리콘 단결정을 성장시키기 위해 단결정의 회전속도(Vs)와 도가니 회전속도(Vc)의 비(r)와 열실드 갭(g)은 하기 수학식2를 만족하도록 실리콘 단결정을 성장시키는 것이 바람직하다.
하기 수학식2에서, r0는 무결함 인상속도가 최대가 되는 실리콘 단결정의 회전속도와 도가니 회전속도의 비율이고, g0는 무결함 인상속도가 최대가 되었을 때의 열실드 갭이다. 하기 수학식2에서, c는 바람직하게는 0.2 내지 1, 더욱 바람직하게는 0.3 내지 0.5이다.
Figure 112006075586045-pat00002
도 5는 c=1일 때 In r/r0을 X 축으로, g/1을 Y축으로 하여 상기 수학식2를 도시한 그래프이다. 참고로, c가 1보다 큰 경우는 그래프가 X=0을 기준으로 브로드해지고, c가 1보다 작은 경우는 X=0을 기준으로 그래프가 좁아진다.
무결함의 실리콘 단결정을 성장시키기 위해서는 단결정 중심부의 무결함 인상속도와 단결정 외주부의 무결함 인상속도가 동일한 것이 바람직하다. 따라서 중심부의 무결함 인상속도가 증가되는 만큼 외주부의 무결함 인상속도도 증가될 수 있도록 r값과 g값을 선택해야 한다. 또한 그 반대로 중심부의 무결함 인상속도가 감소하는 만큼 외주부의 무결함 인상속도도 감소할 수 있도록 r값과 g값을 선택해야 한다. 도 5는 바로 이러한 조건을 충족하는 r 값과 g 값에 의해 만들어진 그래프이다. 그리고 r과 g의 관계를 표현한 상기 수학식2는 도 2 및 도 3의 그래프에 나타난 데이터들을 해석하여 실리콘 단결정의 중심부 및 외주부의 무결함 인상속도가 같도록 하는 r과 g 사이의 관계식을 컴퓨터를 이용한 수치 해석을 통하여 도출한 것이다.
도 5의 그래프가 나타내는 의미를 해석하면 다음과 같다. r값이 r0에 접근하면 도 3에 도시된 바와 같이 실리콘 단결정 중심부와 외주부의 무결함 인상속도가 증가되지만 증가폭은 동일하지 않다. 즉 실리콘 단결정 중심부가 외주부보다 무결함 인상속도 증가폭이 더 크다. 한편 도 5의 그래프에서 r 값이 r0에 접근할수록 열실드 갭 g 값은 감소한다. 그런데 g 값이 감소하면 도 2에 도시된 바와 같이 실리콘 단결정 외주부 및 중심부의 무결함 인상속도가 증가하는데, 실리콘 단결정 외주부가 중심부에 비해 무결함 인상속도의 증가폭이 더 크다. 따라서 r 값이 r0에 접근함에 따라 나타나는 실리콘 단결정 외주부의 상대적으로 낮은 인상속도를 열실드 갭 g를 조절하여 보상하여 실리콘 단결정의 중심부와 외주부의 무결함 인상속도를 동일하게 함으로써 고품질의 실리콘 단결정 성장이 가능하게 되는 것이다.
이상과 같이, 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 이것에 의해 한정되지 않으며 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술사상과 아래에 기재될 특허청구범위의 균등범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능함은 물론이다.
이상과 같은 본 발명에 따른 고품질 실리콘 단결정 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 실리콘 단결정 웨이퍼는 다음과 같은 효과가 있다.
본 발명의 고품질 실리콘 단결정 제조방법에 의하면, 융액의 온도분포를 효과적으로 제어할 수 있는바, 무결함 고품질 단결정 잉곳을 높은 성장속도로 제조할 수 있다.
즉, 융액의 온도구배에 직접적으로 영향을 미치는 인자들을 조절함과 동시에 단결정의 온도구배를 조절하여 간접적으로 융액의 온도구배를 제어함으로써 높은 생산성을 달성할 수 있다.
또한, 본 발명의 고품질 실리콘 단결정 제조방법에 의하면, 고액계면 하부에 위치하는 실리콘 융액을 중심부와 외주부로 나누었을 때, 중심부의 온도구배는 융액의 온도분포를 조절함으로써 직접적으로 제어하고, 외주부의 온도구배는 단결정의 온도구배를 조절하여 간접적으로 제어함으로써, 0.65mm/min 정도의 높은 인상속도로 무결함 고품질 단결정 잉곳을 높은 성장속도로 제조할 수 있다.
또한, 본 발명의 고품질 실리콘 단결정 제조방법에 의하면, 종래 방법들에서는 목적하는 고품질 단결정의 획득 수율이 낮은 문제를 해결할 수 있다.

Claims (11)

  1. 쵸크랄스키 법에 의한 실리콘 단결정 제조방법에 있어서,
    단결정 성장의 고액계면 하부를 중심부와 외주부로 나누어서, 상기 중심부의 온도구배와 외주부의 온도구배를 각각 별도로 제어하는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 외주부의 온도구배는 단결정의 온도구배를 조절하여 제어되는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정 제조방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 단결정의 온도구배는 열실드의 갭을 조절하여 제어되는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정 제조방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 열실드의 갭은 10mm ~ 50mm 인 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정 제조방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 중심부의 온도구배는 융액의 온도구배를 조절하여 제어되는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정 제조방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 융액의 온도구배는 단결정의 회전속도와 도가니 회전속도의 비를 조절하여 제어되는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정 제조방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 융액을 수용하는 도가니의 회전속도를 Vc 라 하고 상기 실리콘 단결정의 회전속도를 Vs 라 할 때, 상기 실리콘 단결정의 회전속도와 도가니 회전속의 비는 하기식을 만족시키는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정 제조방법.
    3 ≤ Ln[Vs/Vc] ≤ 5
  8. 쵸크랄스키 법에 의한 실리콘 단결정 제조방법에 있어서,
    단결정의 회전속도와 도가니 회전속도의 비(r)와 열실드 갭(g)은 하기 관계식을 만족하는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정 제조방법.
    Figure 112007067452230-pat00003
  9. 제8항에 있어서,
    상기 c는 0.2 내지 1의 값을 갖는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정 제조방법.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 c는 0.3 내지 0.5의 값을 갖는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정 제조방법.
  11. 삭제
KR1020060101952A 2005-12-30 2006-10-19 실리콘 단결정 제조방법 KR100800253B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/643,201 US7427325B2 (en) 2005-12-30 2006-12-21 Method for producing high quality silicon single crystal ingot and silicon single crystal wafer made thereby
JP2006346581A JP2007182373A (ja) 2005-12-30 2006-12-22 高品質シリコン単結晶の製造方法及びこれを用いて製造されたシリコン単結晶ウェーハ

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20050135365 2005-12-30
KR1020050135365 2005-12-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070072346A KR20070072346A (ko) 2007-07-04
KR100800253B1 true KR100800253B1 (ko) 2008-02-01

Family

ID=38507369

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060101952A KR100800253B1 (ko) 2005-12-30 2006-10-19 실리콘 단결정 제조방법

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR100800253B1 (ko)
CN (1) CN101037794A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101101096B1 (ko) 2009-01-19 2012-01-03 주식회사 엘지실트론 단결정 잉곳 성장 방법 및 이에 의해 성장된 단결정 잉곳

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI438313B (zh) * 2011-12-16 2014-05-21 C Sun Mfg Ltd 用於監控晶體生長狀態的方法及探測系統與可以監控晶體生長狀態的設備
CN107130295B (zh) * 2017-04-17 2019-07-09 宜昌南玻硅材料有限公司 一种消除硅芯棒隐裂的装置及方法
CN108950679B (zh) * 2018-06-28 2020-04-28 西安交通大学 一种在线监测直拉单晶炉内长晶界面形状的方法
JP7040491B2 (ja) * 2019-04-12 2022-03-23 株式会社Sumco シリコン単結晶の製造時におけるギャップサイズ決定方法、および、シリコン単結晶の製造方法
JP7432734B2 (ja) 2020-08-10 2024-02-16 西安奕斯偉材料科技股▲ふん▼有限公司 単結晶炉の組立スリーブ及び単結晶炉
CN111876823A (zh) * 2020-08-10 2020-11-03 西安奕斯伟硅片技术有限公司 一种单晶炉的组合套筒及单晶炉

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010101046A (ko) * 1998-11-20 2001-11-14 고마쯔 덴시 긴조꾸 가부시끼가이샤 실리콘 단결정 및 실리콘 단결정 웨이퍼의 제조 방법
KR20030039512A (ko) * 2001-11-13 2003-05-22 주식회사 실트론 단결정 실리콘 잉곳 제조 방법
KR20030058714A (ko) * 2001-12-31 2003-07-07 주식회사 실트론 실리콘 단결정 잉곳 성장장치의 열실드 및 그를 이용한실리콘 단결정 잉곳 제조방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010101046A (ko) * 1998-11-20 2001-11-14 고마쯔 덴시 긴조꾸 가부시끼가이샤 실리콘 단결정 및 실리콘 단결정 웨이퍼의 제조 방법
KR20030039512A (ko) * 2001-11-13 2003-05-22 주식회사 실트론 단결정 실리콘 잉곳 제조 방법
KR20030058714A (ko) * 2001-12-31 2003-07-07 주식회사 실트론 실리콘 단결정 잉곳 성장장치의 열실드 및 그를 이용한실리콘 단결정 잉곳 제조방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101101096B1 (ko) 2009-01-19 2012-01-03 주식회사 엘지실트론 단결정 잉곳 성장 방법 및 이에 의해 성장된 단결정 잉곳

Also Published As

Publication number Publication date
KR20070072346A (ko) 2007-07-04
CN101037794A (zh) 2007-09-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100582240B1 (ko) 실리콘 단결정 웨이퍼 및 그 제조방법
KR100840751B1 (ko) 고품질 실리콘 단결정 잉곳 제조 방법, 성장 장치 및그로부터 제조된 잉곳 , 웨이퍼
US6045610A (en) Methods of manufacturing monocrystalline silicon ingots and wafers by controlling pull rate profiles in a hot zone furnance
US6472040B1 (en) Semi-pure and pure monocrystalline silicon ingots and wafers
KR100831044B1 (ko) 고품질 실리콘 단결정 잉곳의 성장장치, 그 장치를 이용한성장방법
US6197111B1 (en) Heat shield assembly for crystal puller
US7524371B2 (en) Method for manufacturing defect-free silicon single crystal
KR100800253B1 (ko) 실리콘 단결정 제조방법
US7427325B2 (en) Method for producing high quality silicon single crystal ingot and silicon single crystal wafer made thereby
JP5249498B2 (ja) シリコン単結晶の成長方法，成長装置及びそれから製造されたシリコンウエハ
KR100331552B1 (ko) 잉곳-용융물 경계의 중앙 및 가장자리에서의 온도구배의 조절에 의한 단결정 실리콘 잉곳의 제조를 위한 초크랄스키 풀러, 상기 초크랄스키 풀러용 열차단체 및 상기 초크랄스키 풀러의 개량방법.
JP4151474B2 (ja) 単結晶の製造方法及び単結晶
KR100788018B1 (ko) 실리콘 단결정 잉곳 및 그로부터 제조된 실리콘 웨이퍼
KR20090034534A (ko) 극저결함 반도체 단결정의 제조방법 및 그 제조 장치
KR20030059293A (ko) 베이컨시-지배 단결정 실리콘의 열 이력을 제어하는 공정
KR100714215B1 (ko) 고품질 실리콘 단결정 잉곳 및 그로부터 제조된 고 품질 실리콘 웨이퍼
KR100793371B1 (ko) 실리콘 단결정 성장 방법 및 성장 장치
JP4016471B2 (ja) 結晶育成方法
KR102492237B1 (ko) 실리콘 단결정 잉곳의 성장 방법 및 장치
KR100749938B1 (ko) 고품질 실리콘 단결정 잉곳 성장장치 및 성장방법
KR100831052B1 (ko) 실리콘 단결정 잉곳의 산소농도 조절방법, 이를 사용하여제조된 잉곳
KR100827033B1 (ko) 무결함 단결정 제조 방법 및 이 방법에 의해 제조된 단결정
JP2004217504A (ja) 単結晶製造用黒鉛ヒーター及び単結晶製造装置ならびに単結晶製造方法
KR20070048002A (ko) 실리콘 단결정 잉곳의 산소농도 조절방법, 이를 사용하여제조된 잉곳 및 웨이퍼
KR20150058751A (ko) 실리콘 단결정 잉곳, 그 잉곳을 제조하는 방법 및 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130111

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131223

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141223

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151223

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161227

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171222

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181226

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191219

Year of fee payment: 13