KR100669134B1 - Multilayer adhesive film for semiconductor package - Google Patents

Multilayer adhesive film for semiconductor package Download PDF

Info

Publication number
KR100669134B1
KR100669134B1 KR1020060078610A KR20060078610A KR100669134B1 KR 100669134 B1 KR100669134 B1 KR 100669134B1 KR 1020060078610 A KR1020060078610 A KR 1020060078610A KR 20060078610 A KR20060078610 A KR 20060078610A KR 100669134 B1 KR100669134 B1 KR 100669134B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
adhesive
adhesive layer
resin
film
die bonding
Prior art date
Application number
KR1020060078610A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
장경호
김광무
이경환
Original Assignee
주식회사 이녹스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 이녹스 filed Critical 주식회사 이녹스
Application granted granted Critical
Publication of KR100669134B1 publication Critical patent/KR100669134B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/27—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83191—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on the semiconductor or solid-state body

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Abstract

An adhesive film for a semiconductor package is provided to improve chipping resistive capability in a dicing process and to prevent the generation of delamination by reinforcing the adhesiveness of the adhesive film itself in a low temperature range. A wafer dicing adhesive layer(2), a first die bonding layer(3) and a second die bonding layer(4) are sequentially deposited on a base film(1). The wafer dicing adhesive layer is made of an UV curing resin composition. The first and the second die bonding layers are made of a predetermined mixture of a thermosetting resin and a thermoplastic resin. A first glass transition temperature of the first die bonding layer is in a range of 30 to 80 deg C. A second glass transition temperature of the second die bonding layer is in a range of -20 to 20 deg C.

Description

반도체 패키지용 접착필름{Multilayer Adhesive Film for Semiconductor Package}Multilayer Adhesive Film for Semiconductor Package

도 1은 본 발명의 다층구조로 된 접착필름 단면도이다.1 is a cross-sectional view of an adhesive film having a multilayer structure of the present invention.

도 2는 웨이퍼 링 프레임에 의해 접착필름을 고정한 후 실리콘 웨이퍼를 접착필름에 부착하기 직전의 상태를 나타낸 상태도이다.Figure 2 is a state diagram showing a state immediately before attaching the silicon wafer to the adhesive film after fixing the adhesive film by the wafer ring frame.

도 3은 실리콘 웨이퍼를 다이싱 가공한 후 자외선을 조사하는 상태를 나타낸 상태도이다.3 is a state diagram showing a state in which ultraviolet rays are irradiated after dicing a silicon wafer.

도 4는 접착필름을 팽창시킨 후 IC 칩을 픽업하는 상태를 나타낸 상태도이다.Figure 4 is a state diagram showing a state of picking up the IC chip after expanding the adhesive film.

***도면의 주요부분에 대한 부호의 설명***** Explanation of symbols for main parts of drawings **

1: 유연성의 기재필름 6: 실리콘 웨이퍼1: Flexible base film 6: Silicon wafer

2: 자외선 경화형 점착층 7 : 링 프레임2: ultraviolet curing adhesive layer 7: ring frame

3: 다이본딩용 제1접착층 8: 자외선 방출램프3: First bonding layer for die bonding 8: UV emitting lamp

4: 다이본딩용 제2접착층 9 : 다층구조를 가지는 접착필름4: second bonding layer for die bonding 9: an adhesive film having a multilayer structure

5 : 접착제 보호필름 5: adhesive protective film

본 발명은 반도체 패키지용 접착필름에 관한 것으로, 보다 상세하기로는 반도체 패키지 제조공정에 있어서 실리콘웨이퍼를 일정 크기로 다이싱함과 동시에 다이싱에 의해 얻어진 개개의 칩들을 접착필름이 부착된 상태로 픽업한 후, 리드프레임에 부착할 수 있도록 구성된 기능성 접착필름에 관한 것이다.The present invention relates to an adhesive film for a semiconductor package, and more particularly, in the semiconductor package manufacturing process, a silicon wafer is diced to a certain size and individual chips obtained by dicing are picked up with an adhesive film attached thereto. After that, it relates to a functional adhesive film configured to be attached to the lead frame.

종래의 반도체 패키지 제조과정에서는 리드프레임이나 회로기판 부재에 반도체 칩을 부착함에 있어서 먼저 다이 고정용 패드 부위에 액상 접착제를 주입, 도포하고 여기에 반도체 칩을 탑재한 후, 액상의 접착제층을 일정시간 고온경화시킨 후, 와이어본딩이나 몰딩공정을 행하는 다단계 과정의 공정법이 채택되어왔다.In a conventional semiconductor package manufacturing process, in attaching a semiconductor chip to a lead frame or a circuit board member, first, a liquid adhesive is injected and applied to a die fixing pad portion, a semiconductor chip is mounted thereon, and then a liquid adhesive layer is applied for a predetermined time. After hardening at high temperature, a multi-step process method of performing a wire bonding or molding process has been adopted.

하지만 최근 전자기기의 소형화, 고기능화, 대용량화 추세가 확대되고 이에 따른 반도체 패키지의 고밀도화, 고집적화에 대한 필요성이 급격히 커짐에 따라 반도체 칩 크기가 점점 커지고 있으며 집적도 측면에서도 개선하기 위하여 칩을 다단으로 적층하는 스택패키지 방법이 점차로 증가하고 있다.However, with the recent trend of miniaturization, high functionality, and large capacity of electronic devices, and the necessity for higher density and higher integration of semiconductor packages, the size of semiconductor chips is increasing, and stacks of chips stacked in multiple layers to improve the degree of integration are also required. Package methods are increasing.

이러한 다단의 칩 적층방법에 있어서 종래의 액상 접착제를 적용할 경우, 그 점도거동이나 경시변화 등에 의한 접착제 도포량 및 도포형상 면에서 불균형이 발생되기 쉽고 접착강도 또한 불충분한 경우가 많다. In the case of applying the conventional liquid adhesive in such a multi-stage chip stacking method, unevenness is easily generated in terms of the amount of the adhesive applied and the shape of the coating due to the viscosity behavior or the change over time, and the adhesive strength is often insufficient.

즉, 액상 접착제의 도포량이 부족할 경우 반도체 칩과 리드프레임과의 접착강도가 낮아져 와이어본딩공정에서 반도체 칩이 박리되거나 쉬프트되기 쉬우며, 반 면 도포량이 너무 많으면 반도체 칩 위에까지 액상 접착제가 흘러나와 칩 특성이 불량하게 되어 제품의 수율 및 신뢰성이 저하되는 결과를 초래하게 된다.In other words, when the coating amount of the liquid adhesive is insufficient, the adhesive strength between the semiconductor chip and the lead frame is low, so that the semiconductor chip is easily peeled off or shifted in the wire bonding process. If the coating amount is too large, the liquid adhesive flows out onto the semiconductor chip. Poor properties result in lower yield and reliability of the product.

이러한 문제점들을 해결하기 위하여 액상 접착제 대신에 필름상 접착제를 다이본딩 재료로 사용하는 시도가 이미 오래 전부터 시행되어왔다(예로써 미국특허 USP-4,961,804).In order to solve these problems, attempts to use film adhesives as die-bonding materials instead of liquid adhesives have been made for a long time (for example, US Pat. No. 4,961,804).

여기에 기술된 필름상 접착제의 경우, 기재필름 상에 접착제 층을 직접도포한 후, 기재필름 계면에서 접착제층이 박리가능하게 설치한 것으로 반도체 웨이퍼 이면에 접착필름을 부착하고 다이싱한 후, 기재필름을 연신하여 개개의 칩을 접착제층과 함께 픽업하여 그 접착제 층을 이용하여 리드프레임 등의 피착체에 고정시키도록 제시되어 있다. 하지만 반도체 웨이퍼에 부착된 접착제를 다이싱 하기 위한 웨이퍼와의 높은 부착력과 다이싱 후, 접착제 층과 일체로 기재필름으로부터 박리할 수 있는 양호한 박리성이라고 하는 두 가지 상반된 특성을 균형 있게 유지하는 것이 어려워 산업상 적용가능성이 아주 낮다는 문제점이 있었다.In the case of the film adhesive described herein, the adhesive layer is directly applied onto the base film, and then the adhesive layer is detachably provided at the interface of the base film. It is proposed to draw a film to pick up individual chips together with an adhesive layer and to fix it to an adherend such as a leadframe using the adhesive layer. However, it is difficult to maintain a balance between the high adhesion of the wafer for dicing the adhesive attached to the semiconductor wafer and the two opposite properties of good peelability that can be peeled off from the base film integrally with the adhesive layer after dicing. There was a problem that the industrial applicability is very low.

이와 같은 문제점을 극복하기 위해서, 다양한 개선법이 제안되었다. 예로써, 일본출원특허 1989-068939, 일본출원특허 1990-328186, 한국출원특허 1995-068123 등에서는 기재필름과 다이 본딩용 접착층 사이에 자외선 경화가능한 점착제 층을 형성, 개입시킴에 따라 웨이퍼 다이싱 후에 자외선으로 경화하여 점착제 층과 접착제 층 사이의 점착력을 저하시킴으로써 개개의 칩을 픽업하기 용이하게 하는 방법이 제안되어 있다.In order to overcome such a problem, various improvement methods have been proposed. For example, Japanese Patent Application No. 1989-068939, Japanese Patent Application No. 1990-328186, Korean Patent Application No. 1995-068123, etc., form a UV-curable pressure-sensitive adhesive layer between the base film and the die bonding adhesive layer, and then after wafer dicing. A method has been proposed that makes it easy to pick up individual chips by curing with ultraviolet rays to lower the adhesive force between the pressure sensitive adhesive layer and the adhesive layer.

하지만 일본출원특허 1989-068939나 한국출원특허 1995-068123의 경우, 기재필름과 접착제 층 사이에 자외선 경화가 가능한 점착층을 개입함에 있어서 그 접착제 조성물이나 상세특성에 대해서 명확하게 기술되지 않고 있으며, 일본출원특허 1990-328186의 경우, 다이본딩용 접착제 층을 물성이 다른 두 층으로 구성하고는 있지만 100℃ 이상 Tg를 갖는 접착제의 경우에는 60℃ 이하의 저온 웨이퍼 부착공정으로는 다이싱공정에 있어서의 웨이퍼의 칩핑현상을 방지하기 위한 충분한 웨이퍼 부착력을 얻는 것이 어려울 뿐만 아니라 자외선 경화 후의 용이한 박리성을 동시에 부여하는 것이 곤란하다는 문제점이 있다.However, in the case of Japanese Patent Application No. 1989-068939 or Korean Patent Application No. 1995-068123, the adhesive composition and the detailed characteristics are not clearly described in intervening the adhesive layer capable of UV curing between the base film and the adhesive layer. In the case of the patent application 1990-328186, the adhesive bonding layer for die bonding is composed of two layers having different physical properties, but in the case of the adhesive having a Tg of 100 ° C. or higher, the low temperature wafer attaching step of 60 ° C. or lower is performed in the dicing step. Not only is it difficult to obtain sufficient wafer adhesion to prevent chipping of the wafer, but also it is difficult to simultaneously provide easy peelability after UV curing.

그러나, 최근의 반도체 패키지 동향에서는, 상술한 반도체 칩들의 소형 박형화ㆍ고성능화가 급격히 진행되고 또한 다기능화가 진행됨에 따라 2개 이상의 반도체 칩을 적층화한 3D 패키지가 급증하고 있으며 또한 반도체 웨이퍼 두께도 더욱 극박화 되고 있는 추세이다. 이와 같은 극박 웨이퍼는 특성상 매우 취약해 다이싱공정에서 웨이퍼 깨어짐 발생이 용이하고 또한 다기능화, 고용량화로 인한 칩크기 대형화로 인해 픽업시 높은 장력이 걸리게 되어 다이싱공정을 용이하게 진행하기 위해서는 웨이퍼와의 저온 고부착력 요구되고, 다이싱 후에는 픽업하기 용이한 낮은 박리력이라는 상반된 특성을 잘 밸런스 시킬 수 있는 다층구조의 접착필름에 대한 요구가 더욱 커지고 있다.However, in the recent semiconductor package trend, as the above-mentioned miniaturization and high performance of the semiconductor chips are rapidly progressing and the multifunctionalization is progressing, the 3D package in which two or more semiconductor chips are stacked is rapidly increasing, and the semiconductor wafer thickness is further increased. The trend is getting thinner. Such ultra-thin wafers are very fragile in nature, so it is easy to cause cracking in the dicing process, and due to the large size of the chip due to the multifunctionality and high capacity, high tension is required during pick-up. There is an increasing demand for an adhesive film having a multi-layer structure capable of well balancing the opposite property of low peel force, which is required at low temperature and high adhesion force and which is easy to pick up after dicing.

본 발명은 이러한 문제점들을 해결하기 위한 것으로, 60℃ 이하의 저온에서 도 극박 웨이퍼에 대한 저온 부착력을 향상시킴에 따라 다이싱공정에서는 내칩핑성이 우수하고 자외선 경화 후에는 점접착층간 박리력이 최소화된 다층 필름을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention is to solve these problems, it is excellent in the chipping resistance in the dicing process as it improves the low temperature adhesion to the ultra-thin wafer even at a low temperature below 60 ℃ and after the ultraviolet curing to minimize the adhesive force between the adhesive layer It is an object to provide a multilayer film.

본 발명의 다른 목적은 다이본딩용 접착필름이 부착된 개개의 칩들을 픽업하기에 용이하도록 한 다이본딩용 접착필름의 조성물을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a composition of an adhesive film for die bonding, which facilitates picking up individual chips to which an adhesive film for die bonding is attached.

본 발명의 접착필름은, 기재필름(1) 상에 웨이퍼 다이싱용 점착층(2)과 다이본딩용 제1접착층(3) 및 제2접착층(4)이 순서적으로 적층되되, 다이싱용 점착층(2)은 자외선 경화형 수지 조성물이 사용되고, 다이본딩용 접착층(3, 4)은 열경화성수지와 열가소성수지 혼합물이 사용되며, 제1접착층(3) 및 제2접착층(4)은 유리전이온도가 적어도 10℃ 이상의 차이를 가지는 것이 사용되는 것을 특징으로 한다.In the adhesive film of the present invention, the adhesive layer 2 for wafer dicing, the first adhesive layer 3 and the second adhesive layer 4 for die bonding are sequentially stacked on the base film 1, and the adhesive layer for dicing is used. UV curable resin composition (2) is used, the bonding layer (3, 4) for die bonding is used a thermosetting resin and a thermoplastic resin mixture, the first adhesive layer (3) and the second adhesive layer (4) has a glass transition temperature of at least Characterized by having a difference of 10 ℃ or more.

이하, 본 발명을 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail.

본 발명에 있어서 다층필름 구조상 접착층의 지지재로 사용되는 기재필름(1) 종류는 특히 한정되지는 않지만, 자외선 경화를 효율적으로 일으키게 하기 위해서는 자외선 투과성 기재인 것이 바람직하다. Although the kind of base film 1 used as a support material of an adhesive layer on a multilayer film structure in this invention is not specifically limited, In order to make UV harden | curing efficiently, it is preferable that it is an ultraviolet permeable base material.

이러한 자외선 투과성필름의 예로는 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리부텐 필름, 폴리부타디엔 필름, 폴리메틸펜텐 필름, 폴리염화비닐 필름, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름, 폴리우레탄 필름, 에틸렌·비닐 아세테이트 필름, 에틸렌·(메타)아크릴산 공중합체 필름, 폴리스티렌 필름 및 폴리카보네이트 필름 등 을 예로들 수 있는데, 이들 중 두 가지 이상의 성분으로 상호 적층된 필름이거나 가교시킨 필름도 적용이 가능하다.Examples of such UV-transmitting film include polyethylene film, polypropylene film, polybutene film, polybutadiene film, polymethylpentene film, polyvinyl chloride film, polyethylene terephthalate film, polyurethane film, ethylene vinyl acetate film, ethylene Meta) acrylic acid copolymer film, polystyrene film and polycarbonate film, and the like, for example, may be applied to a film laminated or cross-linked with two or more of these components.

또한 필요에 따라서는 1축 또는 2축 연신처리 등에 의해 열수축성을 부여할 수 있는데 열수축성은 다이싱 후에 기재필름이 열수축 됨에 따라 기재상의 점착층과 다이본딩용 접착제층간의 접착면적을 줄여주는 효과를 발현하여 칩 픽업을 용이하게 해 주는 부수적인 효과를 얻을 수 있다는 점에서 바람직하다.In addition, if necessary, heat shrinkage can be imparted by uniaxial or biaxial stretching treatment. The heat shrinkage effect of reducing the adhesive area between the adhesive layer on the substrate and the adhesive layer for die bonding as the base film is thermally contracted after dicing. It is preferable in that it can obtain the side effect which makes expression and chip pick-up easy.

또한 기재필름의 표면은 기재필름 상에 형성되는 점착층과의 밀착성을 향상시키기 위하여 코로나처리, 플라즈마처리, 크롬산처리 등 물리적 또는 화학적 처리를 가하는 것이 가능하다. 하지만 상기 기재필름 성분들 중에서 폴리염화비닐의 경우 반도체 웨이퍼의 표면을 오염시킬 수 있는 염소이온을 다량 포함하고 있는 안정제 및 가소제 등을 함유하고 있어 가급적 사용하지 않는 것이 바람직하다. In addition, the surface of the base film may be subjected to physical or chemical treatment, such as corona treatment, plasma treatment, chromic acid treatment in order to improve the adhesion with the adhesive layer formed on the base film. However, polyvinyl chloride in the base film components contains a stabilizer and a plasticizer containing a large amount of chlorine ions that may contaminate the surface of the semiconductor wafer.

본 발명의 기재필름 두께는 특히 한정되지는 않지만, 20~200μm가 바람직하며, 특히 반도체 제조공정에서 다이싱된 칩의 픽업을 원활하게 하기 위한 익스팬딩성 면에서 50~150μm가 더욱 바람직하다. Although the thickness of the base film of this invention is not specifically limited, 20-200 micrometers is preferable, Especially, 50-150 micrometers is more preferable in terms of the expandability for smooth pick-up of the diced chip in a semiconductor manufacturing process.

상기 기재필름 상에 형성되는 자외선 경화형 웨이퍼다이싱용 점착층(2)의 경우 종래의 반도체 패키지 제조공정에 있어서 다이싱공정용도로 일반적으로 시판되고 있는 자외선 경화형 다이싱필름 제품들 중에서 적합한 제품을 선정하여 사용하거나 점착층을 직접 제조하여 사용할 수 있으나, 종래의 패키지 방식에 있서서의 단단한 표면특성을 가지는 실리콘웨이퍼 계면특성과 달리 본 발명에서는 가열용융성 및 매우 유연한 표면특성을 가지는 열경화성수지 표면에서의 박리성 요구되는 바, 60℃ 부착공정에서도 점착성분이 경화성수지로의 이행현상이 나타나지 않도록 점착성분을 보다 엄밀하게 조절해야 한다는 측면에서 자체 제작품을 적용하는 것이 보다 바람직하다. In the case of the UV curable wafer dicing adhesive layer 2 formed on the base film, a suitable product is selected from among UV curable dicing film products generally available for dicing process in a conventional semiconductor package manufacturing process. Although it can be used or the adhesive layer can be prepared directly, in the present invention, unlike the silicon wafer interface characteristics of the solid surface characteristics in the conventional packaging method, in the present invention, the heat-melting and peeling on the surface of the thermosetting resin having a very flexible surface characteristics As required, it is more preferable to apply a self-made product in view of the more precise control of the adhesive component in order to prevent the adhesive component from transitioning to the curable resin.

이러한 자외선 경화형 점착제를 구성하는 주요성분으로는 자외선 경화전에 일정한 점착력을 나타냄과 동시에 점착필름으로서의 연성 및 강도를 부여하는 지지체로서 고분자량의 아크릴공중합체 또는 고무성분과 탄소-탄소 2중 결합 등의 방사선 경화성의 작용기를 가짐에 따라 자외선 조사에 따라 점착성 감소시키는 역할의 광경화성 올리고머성분, 그리고 고분자 공중합 성분을 일차 열경화시킴에 따라 점착성분들 간의 응집력을 높여주는 가교제성분 및 광개시제 성분들로 구성된다.The main components constituting the UV-curable pressure-sensitive adhesive is a support that provides a certain adhesive force before UV curing and imparts ductility and strength as an adhesive film, and radiation such as a high molecular weight acrylic copolymer or a rubber component and a carbon-carbon double bond. It is composed of a photocurable oligomer component having a role of reducing adhesiveness by irradiation with ultraviolet rays as it has a curable functional group, and a crosslinking agent component and a photoinitiator component that enhances cohesion between adhesive components as the first thermal curing of the polymer copolymer component.

상기 고분자량 아크릴계 공중합체로서 예를 들면, (메타) 아크릴산 에스테르 모노머 및 (메타) 아크릴산 유도체로부터 얻을 수 있는 탄소수가 1~18 이내인 아크릴산 알킬 에스테르 공중합체 등이 이용될 수 있는데 이중에서도 특히 바람직하게는 아크릴산 메틸, 메타크릴산 메틸, 아크릴산 에틸, 메타크릴 산 에틸, 아크릴산 프로필, 메타크릴산 프로필, 아크릴산 부틸, 메타아크릴산 부틸 등이 적당하며 특히 점착필름의 응집력 및 내열성 등의 개질을 목적으로 알킬에스테르와 가교반응을 일으킬 수 있는 반응기를 가지는 모노머 성분을 포함하는 것이 바람직하다. As the high molecular weight acrylic copolymer, for example, an acrylic acid alkyl ester copolymer having 1 to 18 carbon atoms that can be obtained from a (meth) acrylic acid ester monomer and a (meth) acrylic acid derivative may be used. Methyl acrylate, methyl methacrylate, ethyl acrylate, ethyl methacrylate, propyl acrylate, propyl methacrylate, butyl acrylate, butyl methacrylate and the like are particularly suitable for the purpose of modifying the cohesive strength and heat resistance of the adhesive film. And a monomer component having a reactor capable of causing a crosslinking reaction.

이러한 모노머 성분으로서 예를 들면, 카르복실에틸(메타) 아크릴레이트, 카르복실펜틸(메타) 아크릴레이트, 이타콘산, 말레인산, 후말산등의 카르복실기함유 모노머와 무수 말레산, 무수 이타콘산등의 산무수물 모노머；(메타) 아크릴산 2－히드록시 에틸, (메타) 아크릴산 2－히드록시 프로필, (메타) 아크릴산 4－히드 록시 부틸, (메타) 아크릴산 6－히드록시 헥실, (메타) 아크릴산 8－히드록시 옥틸, (4－히드록시 메틸 시클로 헥실) 메틸(메타) 아크릴레이트등의 히드록실기함유 모노머그리고 아크릴아미드, 아크릴로니트릴 등이 사용가능하며 이들 공중합 가능한 모노머 성분들은 경우에 따라서 1종 또는 2종 이상을 혼용하여 사용할 수 있으며 특히 피착체와의 밀착성이나 점착 성이 조절이 용이하다는 점에서 히드록시 에틸 아크릴레이트등의 수산기 함유 모노머를 도입하는 것 바람직하다. As such a monomer component, for example, carboxyl group-containing monomers such as carboxyl ethyl (meth) acrylate, carboxypentyl (meth) acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid and acid anhydrides such as maleic anhydride and itaconic anhydride Monomer; (meth) acrylic acid 2-hydroxyethyl, (meth) acrylic acid 2-hydroxypropyl, (meth) acrylic acid 4-hydroxybutyl, (meth) acrylic acid 6-hydroxyhexyl, (meth) acrylic acid 8-hydroxy Hydroxyl group-containing monomers such as octyl, (4-hydroxymethyl cyclohexyl) methyl (meth) acrylate, and acrylamide, acrylonitrile and the like can be used. These can be used in combination, and in particular, the adhesiveness and adhesion to the adherend can be easily adjusted, such as hydroxyethyl acrylate and the like. To introduce containing monomers are preferred.

이러한 고분자량의 아크릴계 공중합체가 가져야할 주요특성으로는 점착필름의 초기점착력 및 점착성분들간의 응집력 향상을 위하여 분자량이 30,000~500,000 이내인 것이 적당하며 더욱 바람직하게는 50,000~200,000 이내인 것이 좋다. 만약 분자량이 이보다 적을 경우에는 점착필름의 응집력이 떨어져 자외선 경화 후 점착제 성분이 상대기재로 전사되는 현상을 초래하게 되며 이보다 클 경우에는 타 점착성분들과의 상용성이 떨어져 균일한 점착특성을 구현할 수 없을 뿐만 아니라 자외선 경화시 상분리현상이 나타나 칩 픽업 용이성이라는 본래의 특성을 저해할 수 있다. 또한 상기 아크릴계 공중합체의 적정 혼입량의 경우 점착필름 100중량부 중에 50~80 중량부 이내가 되도록 사용하는 것이 바람직하다. 만약 그 사용량이 50중량부 이하가 되면 점착필름의 점착력이 충분하지 못하게 되며 반대로 80중량부 이상을 사용하게되면 자외선 경화 후에도 점착력이 너무 높고 감광성 올리고머들간의 원할한 광중합을 저해하게 되어 원활한 칩 픽업성을 얻을 수 없게된다. As a main characteristic of the high molecular weight acrylic copolymer, the molecular weight is preferably 30,000 to 500,000 or less, and more preferably 50,000 to 200,000, in order to improve the initial adhesion of the adhesive film and the cohesion between the adhesive components. If the molecular weight is less than this, the cohesive force of the adhesive film is lowered, which causes the adhesive component to be transferred to the counterpart after UV curing. If the molecular weight is larger than this, it is not compatible with other adhesive components, and thus it is impossible to realize uniform adhesive properties. In addition, phase separation may occur during UV curing, which may inhibit the original characteristics of chip pick-up. In addition, the proper amount of the acrylic copolymer is preferably used to be within 50 to 80 parts by weight in 100 parts by weight of the adhesive film. If the amount is 50 parts by weight or less, the adhesive force of the adhesive film is not sufficient. On the contrary, when 80 parts by weight or more is used, the adhesive force is too high even after UV curing, and it inhibits the smooth photopolymerization between the photosensitive oligomers. You won't be able to get it.

또한 상기 아크릴계 공중합체 성분과 더불어 자외선에 의한 광경화반응을 진행시키기 위하여 분자내 주쇄 또는 측쇄에 적어도 1개 이상의 중합성 탄소-탄소 이 중결합을 가지고 있는 광경화형 올리고머가 필수적인데 이러한 광경화형 올리고머로서는 우레탄 올리고머, 우레탄(메트)아크릴레이트, 트라이메틸올 프로판 트라이(메트)아크릴레이트, 테트라메틸올 메탄 테트라(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 트라이(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타 에리트리톨 모노하이드록시펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 헥사(메트)아크릴레이트 , 1,4-부탄디올 디(메트)아크릴레이트 등을 예로 들 수 있으며 이들 광경화형 올리고머는 점착특성 조절면에서 더욱 효과를 높이기 위하여 1종 또는 2종 이상 혼용하여 사용할 수도 있으며, 최적 혼입량은 점착성분 100중량부 중 10~30중량부 이내가 바람직한데 이보다 적은 함량일 경우에는 자외선 경화에 의한 점착력 감소효과가 충분하지 못하며, 반면 이보다 많은 양을 사용하게되면 경화되지 못한 미반응 올리고머 함량이 많아져 점착력을 상승시키는 문제점이 있다.In addition, the photocurable oligomer having at least one polymerizable carbon-carbon double bond in the main or side chain of the molecule is essential for the photocuring reaction by ultraviolet rays together with the acrylic copolymer component. Urethane oligomer, urethane (meth) acrylate, trimethylol propane tri (meth) acrylate, tetramethylol methane tetra (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylic Latent, dipentaerythritol monohydroxypenta (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, 1,4-butanediol di (meth) acrylate, and the like. In order to enhance the effect in terms of property control, use one or two or more The optimum amount of mixing is preferably within 10-30 parts by weight of 100 parts by weight of the adhesive component. If the content is less than this, the effect of reducing the adhesion by UV curing is not sufficient. There is a problem in that the unreacted oligomer content is increased to increase the adhesive strength.

또한 특별히 본 발명에 있어서의 접착필름은 다층구조 형상인 것을 특징으로 함에 따라 구조상 상기 점착층에 밀착되는 제 2 접착층과 자외선 조사 후, 계면점착력을 보다 효과적으로 낮추기 위해서는 실리콘아크릴레이트 올리고머를 혼용하여 사용하는 것이 바람직하다. 하지만 실리콘아크릴레이트 올리고머의 경우 점착성분 중에 과량으로 투입할 경우 자외선 조사 후 미반응 올리고머가 제 2 접착층으로 이행하여 이후의 칩부착공정에서 칩과 기재와의 접착력을 떨어뜨리는 문제점을 유발할 수 있으므로 실리콘아크릴레이트 혼입량은 광경화형올리고머 사용량의 20%를 넘지 않는 것이 바람직하다.In addition, the adhesive film in the present invention is characterized in that the multi-layered structure, so that after the second adhesive layer and UV irradiation in close contact with the adhesive layer in the structure, in order to more effectively lower the interfacial adhesion force is used by using a mixture of silicone acrylate oligomer It is preferable. However, in the case of silicone acrylate oligomer, when excessively added to the adhesive component, the unreacted oligomer after UV irradiation may move to the second adhesive layer, which may cause a problem of lowering the adhesive strength between the chip and the substrate in the subsequent chip attaching process. It is preferable that the rate mixing amount does not exceed 20% of the photocurable oligomer usage.

상기 점착층에는 자외선 조사 전의 아크릴계 점착제 성분에 내부 경화제를 적당하게 혼용함으로써 수평균 분자량을 높여 초기 접착력 및 응집력을 조절할 수도 있다. 이러한 내부 경화제로서는 열경화가 가능한 에폭시계 경화제, 혹은 인산염계 경화제, 혹은 이소시아네이트계 경화제를 첨가하여 사용할 수 있으며 이중 경화온도, 속도, 점착력 등을 조절하기 용이하다는 측면에서 이소시아네이트 경화제가 바람직하다.In the adhesive layer, an internal curing agent may be appropriately mixed with the acrylic pressure-sensitive adhesive component before ultraviolet irradiation to increase the number average molecular weight, thereby controlling initial adhesion and cohesion. As such an internal curing agent, an isocyanate curing agent is preferable in view of thermosetting, epoxy curing agent, phosphate curing agent, or isocyanate curing agent.

상기 이소시아네이트경화제로서는 예를들면, 방향족 다가 이소시아네이트화합물, 지방족 다가 이소시아네이트화합물, 지환족 다가 이소시아네이트화합물 및 이들의 다가 이소시아네이트 화합 물의 3량체 및 이들 다가 이소시아네이트화합물과 폴리올화합물을 반응시키셔 얻어지는 말단 이소시아네이트 우레탄 예비중합체 등을 들 수 있다.As the isocyanate curing agent, for example, an aromatic polyisocyanate compound, an aliphatic polyisocyanate compound, a cycloaliphatic polyisocyanate compound and a terpolymer of polyvalent isocyanate compounds thereof, and a terminal isocyanate urethane prepolymer obtained by reacting these polyvalent isocyanate compounds with a polyol compound Etc. can be mentioned.

유기 다가 이소시아네이트화합물 또는 유기 다가 이민화합물은 점착제 조성물 100중량부에 대해 통상 0.1~10중량부, 특히 1~5중량부 배합하는 것이 바람직하다. 또한 점착층 중에 기재필름 팽창시 또는 픽업시에 발생하는 정전기를 억제할 수 있기 때문에 칩 크랙방지 효과가 있다는 점에서 대전방지제를 첨가하는 것도 가능하다.It is preferable to mix | blend an organic polyhydric isocyanate compound or an organic polyhydric imine compound normally 0.1-10 weight part, especially 1-5 weight part with respect to 100 weight part of adhesive compositions. In addition, since the static electricity generated when the base film is expanded or picked up in the adhesive layer can be suppressed, it is also possible to add an antistatic agent in that it has a chip crack prevention effect.

또한 상기의 점착제 중에 자외선 조사에 따라 광경화형 올리고머에 함유된 탄소-탄소 이중결합기 간의 부가반응을 일으킬 수 있는 자유라디칼을 분해, 생성하는 기능의 광중합 개시제를 혼입함으로써 적은 자외선 조사량에도 효율적인 광경화를 일으킬수 있다는 점에서 바람직하다. 이러한 광개시제로서는 250~800 nm의 파장의 빛을 조사하는 것으로써 활성화 되는 것이면 모두 사용가능하며 1종 또는 2종 이상 병용하여도 좋다. In addition, by incorporating a photopolymerization initiator having a function of decomposing and generating free radicals that can cause an addition reaction between carbon-carbon double bond groups contained in the photocurable oligomer in accordance with the ultraviolet irradiation in the above-mentioned pressure-sensitive adhesives, efficient photocuring is caused even at a low ultraviolet irradiation amount. It is preferable in that it can be. As such photoinitiators, any one can be used as long as the photoinitiator is activated by irradiating light with a wavelength of 250 to 800 nm, and may be used alone or in combination of two or more thereof.

이러한 광중합 개시제로서는 예를 들면 벤조페논, 아세토페논, 벤조인, 벤조인 메틸 에테르, 벤조인 에틸 에테르, 벤조인 이소프로필 에테르, 벤조인 이소부틸 에테르, 벤조인 안식향산, 벤조인안식향산 메틸, 벤조인디메틸케탈, 2,4-디에틸티옥산톤, 히드록시 시클로헥실 페닐 케톤, 벤질 디페닐 설파이드, 테트라메틸티우람 모노설파이드, 아조비스이소 부티로니트릴, 벤질, 디벤질, 디아세틸 및 β-클로로안트라퀴논 등을 들 수 있으며 점착제 조성물의 0.5~5중량부 이내로 투입하는 것이 바람직하다. 만약 상기의 함량범위를 벗어나게되면 광개시효율이 떨어지거나 점착제 보관상에 문제가 발생할 수 있으므로 부적합하게 된다.As such a photoinitiator, for example, benzophenone, acetophenone, benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin isobutyl ether, benzoin benzoic acid, benzoin benzoic acid methyl, benzoin dimethyl Ketal, 2,4-diethylthioxanthone, hydroxy cyclohexyl phenyl ketone, benzyl diphenyl sulfide, tetramethylthiuram monosulfide, azobisisobutyronitrile, benzyl, dibenzyl, diacetyl and β-chloroanthra Quinone etc. are mentioned, It is preferable to add into 0.5-5 weight part of pressure-sensitive adhesive compositions. If the content is out of the above range is not suitable because the photo-initiation efficiency is lowered or problems may occur in the adhesive storage.

본 발명의 다이본딩용 접착층(3, 4)은 60℃ 이하의 비교적 저온에서 웨이퍼 이면과 양호한 부착력을 발휘함과 동시에 하부의 점착층과는 낮은 박리력을 유지해야하는 아주 상반된 특성이 요구되는 바, 단일층으로 형성될 경우, 양립된 두 개 특성을 고루 만족하기 곤란하게 된다. The die bonding adhesive layers 3 and 4 of the present invention exhibit very good adhesion to the back surface of the wafer at a relatively low temperature of 60 ° C. or lower, and at the same time require very opposite characteristics to maintain a low peeling force with the lower adhesive layer. When formed in a single layer, it becomes difficult to evenly satisfy two compatible properties.

이에 본 발명자들은 연구를 거듭한 결과, 다이본딩용 접착층을 특성이 서로 상이한 2개층을 별도로 제작 한 후, 합지공정을 통해 다층구조형의 접착층을 제작함으로써 양립된 두 가지 물성을 동시에 구현할 수 있었다.Accordingly, the inventors of the present invention have repeatedly studied two layers having different characteristics from each other in the die bonding adhesive layer, and then achieved two physical properties simultaneously by manufacturing a multilayer structure adhesive layer through a lamination process.

점착층(2)과 접하는 제1접착층(3)의 수지조성물은 Tg가 30~80℃ 이내가 되며, 웨이퍼 이면과 부착되는 제2접착층(4)의 수지조성물의 Tg는 -20~20℃ 이내인 특성을 가진다. 또한 두 접착제 조성물간 Tg 차이가 적어도 10℃ 이상이 되어야만 목적하는 특성이 발휘된다.The resin composition of the first adhesive layer 3 in contact with the adhesive layer 2 has a Tg of 30 to 80 ° C or less, and the Tg of the resin composition of the second adhesive layer 4 adhered to the back surface of the wafer is -20 to 20 ° C. Has the property of In addition, the desired properties are exhibited only when the Tg difference between the two adhesive compositions is at least 10 ° C.

다이본딩용 제 1 접착층(3)을 구성하는 수지조성물의 유리전이온도는 웨이퍼 다이싱공정에서의 웨이퍼 이면과의 부착력 저하로 인한 칩핑현상을 방지하고 100℃ 이상의 고온 다이본딩 공정에서는 충분한 부착력을 얻기 위해서는 30℃ 이상 80℃ 이하인 것이 바람직하다. 이때 제1접착층(3)의 유리전이온도가 30℃ 이하가 되면 기재필름 상의 점착층(2)과 제1접착층(3)이 직접 맞닿아 적층된 상태로 있기 때문에 상온(23℃)에서 장기 보관시, 두 층 사이에서 점착 또는 접착성분의 전이로 인하여 경시적으로 특성변화가 초래되어 다이싱 후 칩 픽업력이 높아지는 문제점이 나타날 수 있으며, 반면 접착층 Tg가 80℃ 이상이 되면 100~150℃ 내외의 다이본딩공정 에서 리드프레임과의 충분한 접착력을 얻을 수 없게 된다.The glass transition temperature of the resin composition constituting the first bonding layer 3 for die bonding prevents chipping due to a decrease in adhesion to the back side of the wafer in the wafer dicing process and obtains sufficient adhesion in a high temperature die bonding process of 100 ° C. or higher. It is preferable that they are 30 degreeC or more and 80 degrees C or less in order. In this case, when the glass transition temperature of the first adhesive layer 3 is 30 ° C. or less, the adhesive layer 2 and the first adhesive layer 3 on the base film are in direct contact with each other and are stacked, so that they are stored at room temperature (23 ° C.) for a long time. During the dicing, a change in characteristics may occur over time due to the transfer of adhesion or adhesive components between the two layers, resulting in a problem of increasing the chip pick-up force after dicing.On the other hand, when the adhesive layer Tg is 80 ° C. or more, it may be around 100 to 150 ° C. In the die bonding process, sufficient adhesive force with the lead frame cannot be obtained.

다이본딩용 제1 접착층(3)의 수지조성물은 필름상을 형성할 수 있는 통상의 접착성분이면 모두 적용 가능하지만 보다 구체적으로는 열가소성수지와 열경화성수지의 혼합물형태가 반도체 패키지 조립공정 및 신뢰성면에서 바람직하다. The resin composition of the first bonding layer 3 for die bonding may be applied as long as it is a common adhesive component capable of forming a film, but more specifically, a mixture of thermoplastic resin and thermosetting resin may be used in terms of semiconductor package assembly process and reliability. desirable.

여기서 열가소성수지 성분은 경화 전 상태에서는 각각의 접착성분들이 혼합된 상태에서 필름화될 수 있도록 상호 결합력을 부여하며 경화 후에는 접착층 내에 균일하게 분산됨에 따라 외부로부터 발생되는 응력에 대해 저항성을 가지게 함으로써 접착층의 취성을 향상시키는 효과가 있으며, 열경화성수지성분의 경우는 경화 전에는 가열에 따라 점성이 급격히 저하되어 웨이퍼부착 및 다이본딩 부착력을 향상시킬 수 있으며 경화 후에는 그물구조의 결합형태를 가짐에 따라 내열성 및 내습성이 향상되어 반도체 신뢰성을 부여한다는 점에서 각각 효과가 있다.Here, the thermoplastic resin component imparts mutual bonding force so that each adhesive component may be filmed in a mixed state before curing, and after curing, the thermoplastic resin may be uniformly dispersed in the adhesive layer to resist resistance from external stresses. It has the effect of improving the brittleness of the thermosetting resin component, and before curing, the viscosity decreases rapidly with heating, which can improve wafer adhesion and die-bonding adhesion. After curing, it has heat resistance and It is effective in that moisture resistance improves and it gives semiconductor reliability.

다이본딩용 제1접착층(3)의 수지조성물 중의 열가소성수지 성분으로서는 특 히 제한되지 않지만, 예를 들면 폴리스티렌, 아크릴산 공중합체, 폴리이미드, 폴리에테르이미드, 폴리아마이드, 폴리우레탄, 폴리페닐렌에테르수지 등이 있으며 열경화성수지와의 분산성, 유기용매 가용성 면에서 아크릴산 공중합체나 폴리에스테르수지, 폴리이미드 수지 등이 바람직하며 이들 수지들은 단독 또는 2종 이상을 혼용해서 사용할 수가 있지만 접착필름의 내열성, 내습성, 접착성 및 유리전이온도 조절용이성 등의 측면에서 2개 이상을 혼합하여 사용하는 것이 더욱 바람직하다.The thermoplastic resin component in the resin composition of the first bonding layer 3 for die bonding is not particularly limited. For example, polystyrene, acrylic acid copolymer, polyimide, polyetherimide, polyamide, polyurethane, polyphenylene ether resin Acrylic acid copolymers, polyester resins, polyimide resins, and the like, in terms of dispersibility with thermosetting resins and solubility in organic solvents, and these resins may be used alone or in combination of two or more thereof. It is more preferable to mix and use two or more from a viewpoint of wettability, adhesiveness, and ease of glass transition temperature adjustment.

또한 접착필름을 구성함에 있어서 열경화성수지와의 열가소성수지의 혼합비는 상기 특성들을 전반적으로 고려하여 결정되어야 하지만 일반적으로 열가소성수지 성분이 접착제 조성물의 30~60중량% 이내로 조절하는 것이 바람직한데 이보다 적은 양을 혼합할 경우 상온에서 접착필름이 너무 딱딱해져서 필름의 취급성이 떨어지게 되며 이보다 많이 사용하게되면 열경화성수지 성분이 작아져 경화성 부족에 따른 내열성 및 내습성이 떨어지는 문제점이 있다.In addition, in the construction of the adhesive film, the mixing ratio of the thermoplastic resin with the thermosetting resin should be determined in consideration of the above characteristics in general, but in general, the thermoplastic resin component is preferably controlled within 30 to 60% by weight of the adhesive composition. When mixed, the adhesive film becomes too hard at room temperature, so the handleability of the film is lowered, and when used more than this, there is a problem in that the heat-curable resin component becomes smaller, resulting in inferior heat resistance and moisture resistance due to insufficient curing.

본 발명에 사용될 수 있는 아크릴산 공중합체로서는 아크릴산, 아크릴산 에스테르, 메타크릴산 에스테르, 아크릴로니트릴 중 적어도 1개 이상을 모노머 성분으로 한 공중합체를 예로 들 수 있으며 특히 접착제 경화 후 내열성 향상을 목적으로 하여 에폭시수지와의 경화반응이 가능하도록 측쇄에 관능기를 포함한 구조가 더욱 바람직하며 이러한 관능기 부가형 아크릴모노머로서는 글리시딜 에테르기를 가지는 글리시딜메타아크릴레이트, 수산기를 가지는 히드록시 메타아크릴레이트, 카르복실기를 가지는 카르복실메타아크릴레이트 등을 포함한 공중합체가 바람직하다. 또한 접착제 조성물의 필름성 및 내열성 향상을 위해서는 상기 아크릴산 공중합체 의 적정 수평균 분자량은 10,000~1,000,000, 더욱 바람직하게는 50,000~500,000 이내가 바람직하다.Examples of the acrylic acid copolymer that can be used in the present invention include copolymers containing at least one of acrylic acid, acrylic acid esters, methacrylic acid esters and acrylonitrile as monomer components, and particularly for the purpose of improving heat resistance after curing of the adhesive. The structure containing a functional group in a side chain is more preferable so that a curing reaction with an epoxy resin is possible. Such functional group addition type acrylic monomer has glycidyl methacrylate having a glycidyl ether group, a hydroxy methacrylate having a hydroxyl group, and a carboxyl group. Copolymers containing carboxymethyl acrylate and the like are preferred. In addition, in order to improve the film properties and heat resistance of the adhesive composition, the appropriate number average molecular weight of the acrylic acid copolymer is preferably 10,000 to 1,000,000, more preferably 50,000 to 500,000.

본 발명에 사용될 수 있는 폴리에스테르수지로서는 2가 이상의 카르보닐산과 2가 이상의 글리콜 성분으로부터 에스테르화 반응을 통해서 제조되며 에폭시수지와의 상용성이 좋은 것이면 특별히 제한되지 않는다. The polyester resin which can be used in the present invention is prepared through esterification from divalent or higher carbonyl acid and a divalent or higher glycol component and is not particularly limited as long as it has good compatibility with epoxy resin.

상기 폴리에스테르수지의 조성물 중 카르보닐산성분으로 예를들면 테레프탈산, 이소프탈산, 오르소프탈산, 1,5－나프탈산, 2,6－나프탈산, 4, 4＇－디페닐디카르본산, 2, 2＇－디페닐디카르 본산, 4,4＇－디페닐에테르디카르본산등의 방향족 2염기산과 아디핀산, 아제라인산, 세바신산, 1,4－사이클로헥산디카르본산, 1,3－사이클로헥산디카르본산, 1,2－사이클로헥산디카르본산, 4－메틸-1,2－사이클로헥산디카르본산, 다이머산 등의 지방족이나 지환족 2염기산 등이 적절 하다.In the composition of the polyester resin, for example, terephthalic acid, isophthalic acid, orthophthalic acid, 1,5-naphthalic acid, 2,6-naphthalic acid, 4,4'-diphenyldicarboxylic acid, 2 Aromatic dibasic acids such as 2'-diphenyldicarboxylic acid, 4,4-'diphenyl ether dicarboxylic acid, adipic acid, azeline acid, sebacic acid, 1,4-cyclohexanedicarboxylic acid, 1,3- Aliphatic and alicyclic dibasic acids such as cyclohexanedicarboxylic acid, 1,2-cyclohexanedicarboxylic acid, 4-methyl-1,2-cyclohexanedicarboxylic acid and dimer acid are suitable.

또한 글리콜성분으로는 에칠렌글리콜, 프로필렌 글리콜, 1,3－프로판디올, 2－메틸-1,3－프로판디올, 1,2－부탄디올, 1,3－부탄디올, 1,4－부탄디올, 1,5－펜탄디올, 1,6－헥산디올, 3－메틸-1,5－펜탄디올, 네오펜틸글리콜, 디에칠렌글리콜, 디프로필렌글리콜, 2,2,4－트리메틸-1,3－펜탄디올, 사이클로디메타놀, 네오펜틸히드록시 피바린산 에스테르, 비스페놀 A의 에틸렌옥사이드 부가물 및프로필렌 옥사이드 부가물, 수소화 비스페놀A의 에틸렌옥사이드 부가물 및 프로필렌옥사이드 부가물, 1,9－노난디올, 2－메틸옥탄디올, 1,10－도데칸디올, 2－부틸-2－에틸-1,3－프로판디올, 트리사이클로데칸디메타놀 등을 들 수 있으며 또한 폴리에틸렌 글리콜, 폴리프로필렌 글리콜, 폴리테트라메칠렌글리콜 등 폴리에테르글리콜 성분 등을 사용하는 것도 좋으며 에폭시수지와의 가교반응이 가능하도록 관능기를 부가하여 내열성을 향상시키기 위한 목적으로 측쇄에 관능기 부가형 성분을 첨가해도 좋다. As the glycol component, ethylene glycol, propylene glycol, 1,3-propanediol, 2-methyl-1,3-propanediol, 1,2-butanediol, 1,3-butanediol, 1,4-butanediol, 1,5 -Pentanediol, 1, 6- hexanediol, 3-methyl- 1, 5- pentanediol, neopentyl glycol, diethylene glycol, dipropylene glycol, 2, 2, 4- trimethyl- 1, 3- pentanediol, between Clodimethanol, neopentylhydroxy pivalinic acid ester, ethylene oxide adduct and propylene oxide adduct of bisphenol A, ethylene oxide adduct and propylene oxide adduct of hydrogenated bisphenol A, 1,9-nonanediol, 2-methyloctanediol , 1,10-dodecanediol, 2-butyl-2-ethyl-1,3-propanediol, tricyclodecanedimethanol, and the like, and polyethers such as polyethylene glycol, polypropylene glycol, and polytetramethylene glycol It is also good to use glycol, etc. You may add a functional group addition type component to a side chain for the purpose of adding a functional group and improving heat resistance so that crosslinking reaction with resin may be possible.

이러한 측쇄 관능기형 카르보닐산 성분으로 예를들면, 벤조페논 테트라카르본산 2무수물이나 무수 트리멜리트산, 무수 피로멜리트산, 에칠렌글리콜비스안하이드로 트리멜리테이트, 글리세롤트리스안하이드로트리멜리테이트 등을 첨가하여도 좋다.Examples of such side-chain functional carbonyl acid components include benzophenone tetracarboxylic dianhydride, trimellitic anhydride, pyromellitic anhydride, ethylene glycol bishydrohydro trimellitate, glycerol tris-anhydro trimellitate, and the like. You may also do it.

이러한 폴리에스테르수지의 적정 수평균분자량은 다이본딩용 접착층의 접착특성 및 내열성 등의 측면에서 볼 때 5,000~200,000, 더욱 바람직하게는 10,000 ~100,000 이내의 것을 사용하는 것이 좋다. The appropriate number average molecular weight of the polyester resin is preferably 5,000 to 200,000, more preferably 10,000 to 100,000 in view of the adhesive properties and heat resistance of the adhesive layer for die bonding.

본 발명에 사용될 수 있는 폴리이미드수지는 그 우수한 내열성, 내습성을 바탕으로 종래부터 다이본딩용 또는 리드프레임 접착용으로 많이 적용되어 오고 있으며 최근에는 열경화성수지와 혼용한 하이브리드형 접착제로 하여 종래의 경우 250℃ 이상의 고온부착용에만 적용 가능한 것에서 150℃ 이하의 중온 부착공정등에도 적용이 가능한 제품이 개발되고 있으며 특히 폴리이 미드수지의 경우 타 고분자수지와 달리 중합 원부재를 적정하게 선택함에 따라 최종 중합물의 유리전이온도 조절이 매우 용이하다는 점에서 바람직하다.Polyimide resin that can be used in the present invention has been widely applied for die bonding or lead frame bonding on the basis of its excellent heat resistance and moisture resistance, and in recent years as a hybrid adhesive mixed with a thermosetting resin Products that can be applied only to high temperature attachments above 250 ℃ and to medium temperature attachment processes below 150 ℃ are being developed. Especially in the case of polyimide resins, unlike other polymer resins, the final polymer is selected by appropriately selecting the raw material for polymerization. It is preferable in that transition temperature control is very easy.

본 발명에 사용될 수 있는 폴리이미드수지로서는 측쇄 또는 주쇠사슬에 이미드결합 가지는 형태를 가지는 것이라면 특별히 제한은 없지만 수평균 분자량이 5,000~500,000 이내인 것이 바람직하며 보다 바람직하게는 10,000~50,000 정도인 것이 적절하다. The polyimide resin that can be used in the present invention is not particularly limited as long as it has a form having an imide bond in the side chain or the main chain, but preferably has a number average molecular weight of 5,000 to 500,000, more preferably 10,000 to 50,000. Do.

상기와 같은 폴리이미드계 수지에는 반응성 관능기를 가지지 않는 열가소성 폴리이미드계 수지와 가열에 의해 열경화성수지와 반응할 수 있는 관능기, 예를들면 카르복실기 또는 하드록실기를 측쇄에 가지고 있어도 좋으며 일반적으로 방향족 디아민과 방향족 테트라카르본산 2무수물과의 혼합물로부터 폴리아미드산 전구체을 합성하고 이것을 다시 가열함에 따라 탈수 이미드화 하는 것에 의해 올리고머상의 폴리이미드 수지를 얻을 수 있다.The above polyimide resin may have a thermoplastic polyimide resin which does not have a reactive functional group and a functional group capable of reacting with the thermosetting resin by heating, such as a carboxyl group or a hardoxyl group, on the side chain. An oligomeric polyimide resin can be obtained by synthesizing a polyamic acid precursor from a mixture with an aromatic tetracarboxylic dianhydride and heating it again to dehydrate imidization.

본 발명에 사용될 수 있는 열가소성 폴리이미드 수지의 중합에 사용하는 산 2무수물 모노머로서 예를들면 3,3＇,4,4＇－비페닐테트라카르본산 2무수물, 3,3＇, 4,4＇－벤조페논테트라카르본산2 무수물, 4,4＇－옥시디프탈산 2무수물, 에틸렌글리콜 비스트리멜리트산2 무수물, 4, 4＇－비스페놀A 2무수물, 무수 피로멜리트산, 2,3,6,7－나프탈렌테트라카르본산2 무수물, 1,4,5,7－나프탈렌테트라카르본산2 무수물, 1,2,5,6－나프탈렌테트라카르본산 2무수물, 1,2-(에틸렌)비스(트리멜리테이트산무수물), 1,3-(트리메틸렌)비스(트리메리테이트산무수물) 등을 들 수 있으며. 이것들을 단독 혹은 2종 이상 혼합해서 사용하는 것도 가능하다.As the acid dianhydride monomer used for the polymerization of the thermoplastic polyimide resin which can be used in the present invention, for example, 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 3,3', 4,4 ' -Benzophenonetetracarboxylic acid dianhydride, 4,4'- oxydiphthalic acid dianhydride, ethylene glycol bistrimellitic acid dianhydride, 4, 4'- bisphenol A dianhydride, pyromellitic dianhydride, 2,3,6, 7-naphthalene tetracarboxylic dianhydride, 1,4,5,7-naphthalene tetracarboxylic dianhydride, 1,2,5,6-naphthalene tetracarboxylic dianhydride, 1,2- (ethylene) bis (trimeli) Tate acid anhydride), 1, 3- (trimethylene) bis (trimerate anhydride), etc. are mentioned. It is also possible to use these individually or in mixture of 2 or more types.

또한 상기의 산2무수물과 반응하는 지방족 혹은 방향족디아민으로서는, 메칠렌디아민, 에틸렌디아민, 테트라메칠렌디아민, 펜타메칠렌디아민, 헥사메칠렌디아민, 헵타메칠렌디디아민, 옥타메칠렌디아민, 2,4－디아미노톨루엔, m－자일렌디아민, p－자일렌디아민, m－페닐렌디아민, p－페닐렌디아민, 2,6－디아미노피리딘, 2,5－디아미노피리딘, 1,4－디아미노사이클로헥산, 피페라진, 4,6－디메틸-m－페닐렌디아민, 2,5－디메틸-p－페닐렌디아민, 4,4＇－디아미노디페닐프로판, 3,3＇－디 아미노디페닐에탄, 4,4＇－디아미노디페닐메탄, 3,3＇－디아미노디페닐메탄, 4,4＇－디아미노디페닐셜폰, 3,3＇－디아미노디페닐셜폰, 4,4＇－디아미노디페닐에테르, 3,3＇－디아미노비페닐, 3,3＇－디메틸-4,4＇－디아미노비페닐, 1,3－비스(3－아미노페녹시)벤젠, 2,2－비스4－(4－아미노페녹시) 페닐프로판, 1,3－비스(4－아미노페녹시)벤젠, 비스-4－(4－아미노 페녹시)페닐술폰, 비스-4－(3－아미노페녹시)페닐술폰, p－비스(2－메틸-4－아미노펜틸)벤젠 등을 들 수가 있다. Moreover, as aliphatic or aromatic diamine which reacts with said acid dianhydride, methylene diamine, ethylenediamine, tetramethylenediamine, pentamethylenediamine, hexamethylenediamine, heptamethylenediamine, octamethylenediamine, 2,4 -Diaminotoluene, m-xylenediamine, p-xylenediamine, m-phenylenediamine, p-phenylenediamine, 2,6-diaminopyridine, 2,5-diaminopyridine, 1,4-dia Minocyclohexane, piperazine, 4,6-dimethyl-m-phenylenediamine, 2,5-dimethyl-p-phenylenediamine, 4,4'-diaminodiphenylpropane, 3,3-di-diaminodi Phenylethane, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 3,3'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenylsulfone, 3,3'-diaminodiphenylsulfone, 4,4 VIII-diamino diphenyl ether, 3,3'- diamino biphenyl, 3,3'- dimethyl-4,4'- diamino biphenyl, 1, 3-bis (3-aminophenoxy) benzene, 2 , 2-vis 4 -(4-aminophenoxy) phenyl propane, 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene, bis-4- (4-aminophenoxy) phenylsulfone, bis-4- (3-aminophenoxy) Phenyl sulfone, p-bis (2-methyl- 4-aminopentyl) benzene, etc. are mentioned.

상기의 지방족 및 방향족 디아민은 단독 또는 2 종류 이상을 조합하여 이용해도 괜찮다.Said aliphatic and aromatic diamine may be used individually or in combination of 2 or more types.

또한 상기 폴리이미드수지의 디아민 성분 중의 하나로서 디아미노폴리실록산을 이용하는 것이 보다 바람직하다. 디아미노폴리실록산으로서 예를들면, 1,3－비스(3－아미노프로필)테트라메틸실록산,α,ω－비스(3－아미노프로필)폴리디메틸실록산, 1,3－비스(4－아미노페닐)테트라메틸실록산,α,ω－비스(4－아미노페닐)폴리디메틸실록산, 1,3－비스(3－아미노페닐)테트라메틸실록산,α,ω－비스(3－아미노페닐)폴리디메틸실록산, 1,3－비스(3－아미노프로필)테트라페닐실록산,α,ω－비스(3－아미노프로필)폴리디페닐실록산등을 들 수 있으며 이들의 단독 혹은 2종 이상 혼합하여 사용 것도 가능하며 디아미노폴리실록산은 디아민성분 총량의 5~50 몰% 이내로 사용하는 것이 바람직하다.Moreover, it is more preferable to use diamino polysiloxane as one of the diamine components of the said polyimide resin. Examples of the diamino polysiloxanes include 1,3-bis (3-aminopropyl) tetramethylsiloxane, α, ω-bis (3-aminopropyl) polydimethylsiloxane and 1,3-bis (4-aminophenyl) tetra Methylsiloxane, alpha, ω-bis (4-aminophenyl) polydimethylsiloxane, 1,3-bis (3-aminophenyl) tetramethylsiloxane, alpha, ω-bis (3-aminophenyl) polydimethylsiloxane, 1, 3-bis (3-aminopropyl) tetraphenyl siloxane, α, ω-bis (3-aminopropyl) polydiphenyl siloxane, etc. can be mentioned, These can be used individually or in mixture of 2 or more types, and diamino polysiloxane can be used. It is preferable to use within 5-50 mol% of the total amount of a diamine component.

본 발명의 다이본딩용 제1접착층(3) 조성물로 이용될 수 있는 열경화성수지로는 자외선 조사에 의해서는 경화하지 않지만, 가열함에 따라서는 삼차원 그물구조를 가져 피착체에 강고하게 접착하는 성질과 내열성을 가질 수 있는 수지이라면 특히 제한되지 않는다.The thermosetting resin which can be used as the composition of the first bonding layer 3 for die bonding according to the present invention is not cured by ultraviolet irradiation, but has a three-dimensional network structure upon heating and strongly adheres to the adherend. The resin which may have is not particularly limited.

예를 들면, 에폭시 수지, 불포화 폴리에스테르수지, 열경화성 아크릴수지, 페놀수지, 디아릴프탈레이트수지, 폴리우레탄수지 등을 들 수 있다. 이러한 열경화성수지는 단독 또는 2종 이상을 병용해 사용하는 것이 가능하며 특히 경화 전에는 낮은 용융점도를 가져 부착공정에 적용하기가 용이하며 또한 경화 후에는 고내열성 나타내어야하는 상반된 특성을 발현할 수 있다는 점에서 에폭시수지가 매우 적합하게 이용될 수 있다.Examples thereof include epoxy resins, unsaturated polyester resins, thermosetting acrylic resins, phenol resins, diaryl phthalate resins, polyurethane resins, and the like. These thermosetting resins can be used alone or in combination of two or more. Especially, they have low melt viscosity before curing and are easy to apply to the attaching process, and can exhibit opposite characteristics that should be exhibited high heat resistance after curing. Epoxy resins can be used very suitably.

이러한 에폭시수지로서는 종래부터 공지된 여러 가지의 에폭시수지가 이용될 수 있지만, 통상은, 분자량 300~5000 정도의 것이 바람직하며 더욱 바람직하게는 500~2000 이내인 고체상의 에폭시수지를 사용하는 것이 바람직하다. 또한 에폭시수지의 경우 일반적으로 용융특성을 환구법에 의한 연화점을 기준으로 구분하는 것이 통례이므로 상기 고체상 에폭시수지의 적정 연화점은 30~100℃, 바람직하게는 40~70℃ 이내인 것이 좋다. 연화점이 30℃ 이하가 되면 상온에서 접착층 표면 의 점착력이 높아져 다이싱 후 칩 픽업성이 저하되며 연화점이 100℃ 이상이 되면 150℃ 미만의 리드프레임 부착공정에서 리드프레임과 칩간의 충분한 부착력을 얻을 수 없게 된다.As such epoxy resin, various conventionally known epoxy resins can be used, but in general, a molecular weight of about 300 to 5000 is preferable, and more preferably, a solid epoxy resin of 500 to 2000 is preferably used. . In addition, in the case of epoxy resins, it is common to classify the melting characteristics based on softening point by the ring and ball method, so that the appropriate softening point of the solid epoxy resin is 30 to 100 ° C, preferably 40 to 70 ° C. If the softening point is 30 ℃ or less, the adhesive force on the surface of the adhesive layer is increased at room temperature, and thus the chip pick-up property is reduced after dicing. If the softening point is 100 ℃ or more, sufficient adhesion between the leadframe and the chip can be obtained in the leadframe attachment process of less than 150 ℃. There will be no.

이러한 에폭시수지로는 예를 들면, 비스페놀 A형, 비스페놀 F형, 비스페놀 S형, 취소화 비스페놀 A형, 수소첨가 비스페놀 A형, 비스페놀 AF형, 비페닐형, 나프타렌형, 플로렌형, 페놀노볼락형, 크레졸노보락형, 트리스하이드록실페닐메탄형, 테트라페닐메탄형 등의 2 관능 또는 다관능 에폭시수지가 이용될 수 있지만 경화 성, 접착성 및 내열,내습성 등의 물성면에서 비교적 우수한 비스페놀 A형, 크레졸노볼락형 및 페놀노볼락형 에폭시수지가 바람직하며 이들을 단독 또는 2종 이상을 병용해서 사용할 수 있다.As such an epoxy resin, for example, bisphenol A type, bisphenol F type, bisphenol S type, undoped bisphenol A type, hydrogenated bisphenol A type, bisphenol AF type, biphenyl type, naphthylene type, florene type, phenol no. Although bifunctional or polyfunctional epoxy resins such as a rock type, a cresol novolak type, a tris hydroxyl phenylmethane type, and a tetraphenylmethane type can be used, bisphenols having excellent physical properties such as curability, adhesion, heat resistance, and moisture resistance can be used. Type A, cresol novolak type, and phenol novolak type epoxy resins are preferable, and these may be used alone or in combination of two or more thereof.

상기 접착제 조성물에는 필요에 따라 경화제를 배합할 수가 있으며 이러한 경화제로는 공지의 것이라면 특별히 제한 없이 사용할 수가 있다. 예를 들면, 페놀수지, 산무수물, 아민화합물, 이미다졸 화합물, 폴리아민 화합물, 히드라지드화합물, 디시안디아미드 등을 들 수 있다.A hardening | curing agent can be mix | blended with the said adhesive composition as needed, and if it is a well-known thing as this hardening | curing agent, it can use without a restriction | limiting in particular. For example, a phenol resin, an acid anhydride, an amine compound, an imidazole compound, a polyamine compound, a hydrazide compound, a dicyandiamide, etc. are mentioned.

이들 중에서 상온에서 장기간 보관하여도 접착특성 변화가 적은 잠재성의 경화제가 보다 적절하게 사용될 수 있으므로 페놀수지, 방향족아민화합물, 디시안디아미드 등이 바람직하다.Of these, phenolic resins, aromatic amine compounds, dicyandiamides and the like are preferable because latent hardeners having a small change in adhesive properties can be used more appropriately even after long-term storage at room temperature.

예를 들면 페놀수지로서는 페놀노볼락수지, 크레졸노볼락수지, 비스페놀A노볼락수지, 페놀아랄킬수지, 폴리-p-비닐페놀 t-부틸페놀노볼락수지, 나프톨노볼락수지 등을 들 수 있다.For example, phenol novolak resin, cresol novolak resin, bisphenol A novolak resin, phenol aralkyl resin, poly-p-vinyl phenol t-butyl phenol novolak resin, naphthol novolak resin and the like can be given. .

방향족아민경화제로서는 m-자일렌디아민, m-페닐렌디아민, 디아미노디페닐메탄, 디아미노디페닐셜폰, 디아미노디에칠디페닐메탄, 디아미노디페닐에테르, 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 2,2‘-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]셜폰, 4,4’-비스(4-아미노페녹시)비페닐, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠 등을 사용하는 것이 가능하다. Examples of the aromatic amine hardener include m-xylenediamine, m-phenylenediamine, diaminodiphenylmethane, diaminodiphenylsulfone, diaminodiethyldiphenylmethane, diaminodiphenylether, 1,3-bis (4-amino Phenoxy) benzene, 2,2'-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] schaphone, 4,4'-bis (4-amino It is possible to use phenoxy) biphenyl, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene and the like.

이러한 경화제성분은 접착제 조성물 중의 열경화성 수지 100중량부에 대해서 통상 5~30 중량부로 혼합하는 것이 좋으며 경화제 혼입량이 5 중량부 미만일 경우 에는 경화성수지의 경화효과가 부족하여 내열성 저하가 초래되며 반면에 30중량부를 초과하여 혼입하면 수지와의 반응성이 높아지게 되어 접착필름의 취급성, 장기보관성 등의 물성특성이 크게 떨어지게 된다. It is preferable to mix the curing agent component in an amount of 5 to 30 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the thermosetting resin in the adhesive composition. When the amount of the curing agent is mixed in an amount of less than 5 parts by weight, the curing effect of the curable resin is insufficient, resulting in a decrease in heat resistance. When mixed in excess, the reactivity with the resin is increased, and the physical properties such as handleability and long-term storage of the adhesive film are greatly reduced.

또한 이들 경화제도 필요에 따라 단독 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다.Moreover, these hardeners can also be used individually or in combination of 2 or more types as needed.

상기 접착제 조성물에는 경화촉진제를 배합할 수 도 있으며 종래부터 알려져 온 여러가지의 경화촉진제가 사용가능하다. 예를 들면, 아민계, 이미다졸계, 인계, 붕소계, 인-붕소계 등의 경화촉진제를 들 수 있다.The adhesive composition may be blended with a curing accelerator, and various curing accelerators known in the art may be used. For example, hardening accelerators, such as an amine type, an imidazole type, phosphorus type, a boron type, and a phosphorus-boron type, are mentioned.

이들 경화촉진제의 최적 배합량은 경화성수지 100 중량부에 대해서, 바람직하게는 0. 1~10 중량부, 더욱 바람직하게는 0. 5~5 중량부 비율이 적합하며 단독 또는 2종 이상을 병용하여도 좋다.The optimum blending amount of these curing accelerators is preferably from 0.1 to 10 parts by weight, more preferably from 0.5 to 5 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the curable resin, and may be used alone or in combination of two or more. good.

또, 상기 접착제 조성물에는 필요에 따라서 유기재료나 무기재료를 첨가할 수도 있다. 유기재료로서는, 실란커플링제, 티탄커플링제, 표면조정제, 산화방지제, 점착부여제 등을 들 수 있다. 무기재료로서는, 알루미나, 실리카, 수산화알미늄, 수산화마그네슘, 탄산칼슘 등의 무기입자들이 접착필름 표면점착성 및 컷팅성 면에서 효과가 좋으며 그 외 필요에 따라 안료나 염료 등도 첨가할 수도 있다.Moreover, an organic material or an inorganic material can also be added to the said adhesive composition as needed. Examples of the organic material include silane coupling agents, titanium coupling agents, surface conditioners, antioxidants, and tackifiers. As the inorganic material, inorganic particles such as alumina, silica, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate and the like are effective in terms of adhesive film surface adhesion and cutting properties, and other pigments or dyes may be added as necessary.

무기재료의 배합비율은 특히 제한되지 않지만, 접착제 조성물 중의 50 중량부 이하가 바람직하다. 첨가량이 50 중량부를 초과하게 되면 접착제 조성물의 용제 용해력이 떨어져 균일한 코팅성을 확보할 수 없으며 특히 저온 웨이퍼부착공정에서 피착체와의 젖음특성을 저해함에 따라 충분한 부착력을 얻을 수 없게 된다.Although the compounding ratio of an inorganic material is not specifically limited, 50 weight part or less in an adhesive composition is preferable. If the added amount exceeds 50 parts by weight, the solvent dissolving power of the adhesive composition is lowered to ensure uniform coating property, and in particular, in the low temperature wafer attaching process, the sufficient wettability with the adherend is impaired, thereby preventing sufficient adhesion.

상기와 같은 접착제 조성물로 구성되는 다이본딩용 제1접착층(3)의 경우 점착층과의 계면부착력은 상온(23℃)에서의 점착력(90o 필링값 기준, 박리속도 100 mm/분)을 기준하여 다이싱공정에서의 웨이퍼의 고정유지력 및 형성된 칩의 칩핑현상을 방지하기 위해서는 50 g/cm 이상인 것이 바람직하다. In the case of the first bonding layer 3 for die bonding composed of the adhesive composition as described above, the interfacial adhesion force with the adhesive layer is based on the adhesive force at room temperature (23 ° C) (based on 90 ° peeling value, peeling rate 100 mm / min). Therefore, in order to prevent the holding force of the wafer and the chipping phenomenon of the formed chip in the dicing process, it is preferably 50 g / cm or more.

또한 자외선 조사에 따라 점착층이 경화된 후에는 다이본딩 제 1접착층(3)과의 계면부착력은 다이싱공정을 통해 형성된 칩의 원할한 픽업을 위해서는 상온 점착력 기준 10 g/cm 이하, 바람직하게는 5 g/cm 이하를 유지하는 것이 좋다.In addition, after the adhesive layer is cured by UV irradiation, the interfacial adhesion force with the die bonding first adhesive layer 3 is 10 g / cm or less, preferably at room temperature adhesive force, for smooth pickup of chips formed through the dicing process. It is recommended to keep below 5 g / cm.

상온 점착력이 10 g/cm 이상을 유지할 경우, 원할한 칩 픽업이 이루어지지 않으며 특히 웨이퍼가 100um 이하의 극박형일 경우 칩 파손을 초래할 우려가 있다. If the room temperature adhesive force is maintained at 10 g / cm or more, smooth chip pick-up is not made, especially if the wafer is very thin or less than 100um there is a risk of chip breakage.

본 발명의 다이본딩용 제2접착층(4)을 구성하는 수지조성물은 가열에 따라 경화되는 특성을 가진 접착제 조성물이라면 특별히 제한되지 않지만 웨이퍼 이면과의 부착성과 웨이퍼 다이싱공정 에서의 컷팅성 등을 감안할 때 유리전이온도가 -20℃ 이상 20℃ 이하인 것이 바람직하다. 유리전이온도가 -20℃ 이하가 되면 접착제 끈적임성이 너무 커서 웨이퍼 부착공정에서의 취급성이 떨어지거나 다이싱공정에서의 절단성 저하를 초래하게 되며 20℃ 보다 높게 되면 60℃ 이하의 웨이퍼 이면과의 부착공정에서 다이본딩용 제 2접착층(4)과의 충분한 부착력을 얻지 못하게 된다.The resin composition constituting the second bonding layer 4 for die bonding according to the present invention is not particularly limited as long as it is an adhesive composition having a property of being cured by heating, but the adhesiveness with the back surface of the wafer and the cutting property in the wafer dicing process are considered. The glass transition temperature is preferably -20 ° C or more and 20 ° C or less. If the glass transition temperature is -20 ℃ or lower, the adhesive stickiness is too great, which causes inferior handleability in the wafer attaching process or decreases the cutting property in the dicing process. In the attaching process, sufficient adhesion with the second bonding layer 4 for die bonding cannot be obtained.

또한 다이본딩용 제 2접착층(4)을 구성하는 수지조성물은 다이본딩용 제 1접착층(3)를 구성하는 수지조성물과 성분상으로 달라도 무관하지만 가능한 한 동일하 게 유지하는 것이 고분자 조성물간의 상분리 현상에 의한 층간 접착력 저하를 방지하는데 효과적이다. In addition, the resin composition constituting the second bonding layer 4 for die-bonding may be different from the resin composition constituting the first bonding layer 3 for die-bonding. It is effective in preventing the interlayer adhesion decrease by.

바람직하게는 접착제 조성물의 100 중량부 중 90 중량부 이상의 성분은 동일하게 유지하되 유리전이온도를 10℃ 이상 낮추기 위하여 고상 에폭시 수지 첨가량의 중 5~20 중량부 이하를 액상에폭시수지로 변경하거나 열가소성수지 성분을 유리전이온도가 낮은 것을 적용함에 따라서 다이본딩용 제2접착층(4)을 용이하게 얻을 수 있다.Preferably, at least 90 parts by weight of 100 parts by weight of the adhesive composition are kept the same, but in order to lower the glass transition temperature by 10 ° C. or more, 5-20 parts by weight or less of the solid epoxy resin addition amount is changed to liquid epoxy resin or thermoplastic resin. By applying the component having a low glass transition temperature, the second bonding layer 4 for die bonding can be easily obtained.

본 발명의 다이본딩용 제2접착층(4)과 웨이퍼 이면과의 부착력은 부착온도 60℃를 기준할 경우 상온 점착력 기준 180o 필링값이 20 g/cm 이상을 유지하는 것이 바람직하다.When the adhesive force between the second bonding layer 4 for die bonding of the present invention and the back surface of the wafer is based on an adhesion temperature of 60 ° C, it is preferable that the 180 ° peeling value based on the normal temperature adhesive force is maintained at 20 g / cm or more.

웨이퍼와의 점착력이 20 g/cm 미만이 되면 웨이퍼와의 밀착력이 약해져 다이싱 공정시에 칩 비산을 일으키거나 칩핑현상을 초래하여 바람직하지 않다.When the adhesive force with the wafer is less than 20 g / cm, the adhesive force with the wafer is weakened, which causes chip scattering or chipping during the dicing process, which is not preferable.

상기 다이본딩용 제2접착층(4)은 이형 처리된 보호필름에 의해 보호되고 있어도 괜찮다. 이형필름은 웨이퍼 부착시까지 다이본딩용 접착층 표면을 보호하는 보호재로서의 기능을 가지고 있다. The second bonding layer 4 for die bonding may be protected by a release-treated protective film. The release film has a function as a protective material for protecting the surface of the die bonding adhesive layer until the wafer is attached.

보호필름으로 적합한 재질로서는 폴리에틸렌, 폴리프로필렌이나 폴리에칠렌테레프탈레이트 등의 기재필름에 실리콘계, 불소계, 장쇄의 알킬아크릴레이트계 박리제 등을 사용하여 접착필름과의 박리를 보다 용이하게 하도록 표면처리한 것이 바람직하다.As a suitable material for a protective film, a surface treatment such as polyethylene, polypropylene, or polyethylene terephthalate is preferably surface treated to make it easier to peel off the adhesive film using a silicone-based, fluorine-based, or long-chain alkyl acrylate-based release agent. .

[실시예]EXAMPLE

이하에 본 발명을 실시예에 의해 설명하지만 본 발명은 이들 실시예에 한정되지는 않는다.Although an Example demonstrates this invention below, this invention is not limited to these Examples.

<제조예 1> 점착층 조성물Preparation Example 1 Adhesive Layer Composition

(A1) 냉각수를 이용하여 80 ℃로 온도를 유지할 수 있는 1ℓ 유리 반응기에 교반기와 환류콘덴서를 설치하고 온도계로 반응시간에 따른 온도변화를 감지할 수 있는 장치를 이용하여 중합하였다. 에틸아세테이트와 중합하려고 하는 부틸아크릴레이트 48.17 g, 에틸아크릴레이트 10.01 g 및 2-히드록시에틸메타아크릴레이트 3.26 g을 중합 반응기에 넣고 질소를 충진한 후 30분간 교반하면서 가스를 제거하였다. 그리고, 중합개시제로서 벤조일퍼옥사이드(70%) 0.54 g 을 에틸아세테이트에 녹여 적하깔대기를 이용하여 적하시킨 후, 80 ℃에서 12시간 환류시켜 중합을 실시하였다. 중합 후의 고형분의 함량을 40%가 되도록 에칠아세테이트 용매로 보정하여 점도가 23℃ 온도에서 10,000-15,000cps 이내인 아크릴 점착제를 얻었다. (A1) A stirrer and reflux condenser were installed in a 1 L glass reactor capable of maintaining a temperature at 80 ° C. using cooling water, and polymerization was performed using a device capable of detecting temperature change according to reaction time with a thermometer. 48.17 g of butyl acrylate to be polymerized with ethyl acetate, 10.01 g of ethyl acrylate and 3.26 g of 2-hydroxyethyl methacrylate were placed in a polymerization reactor, and charged with nitrogen to remove gas while stirring for 30 minutes. Then, 0.54 g of benzoyl peroxide (70%) was dissolved in ethyl acetate as a polymerization initiator and added dropwise using a dropping funnel, followed by polymerization under reflux at 80 ° C for 12 hours. The content of solids after polymerization was corrected with an ethyl acetate solvent to be 40% to obtain an acrylic pressure-sensitive adhesive having a viscosity of 10,000-15,000 cps at a temperature of 23 ° C.

상기 점착제 용액 35g에 아이소시아네이트 경화제로 코로네이트-L(니폰폴리우렌탄사) 0.8g, 광경화형 올리고머로 우레탄아크릴레이트(사토머사, CN-940) 3.8g , 실리콘아크릴레이트(사토머사, CN-9800) 0.6g 및 광개시제로 이가큐어184(시바스페셜티사) 0.2g 을 용제내에서 잘 혼합한 후 두께가 100um 인 폴리프로 필렌필름재질의 기재필름사에 상기 우레탄아크릴레이트계 점착제 조성물을 두께가 10um가 되도록 균일하게 도포한 후 80℃, 10분 건조시킴으로써 자외선 경화형 다이싱필름을 얻을 수 있었다.To 35 g of the pressure-sensitive adhesive solution, 0.8 g of coronate-L (Nippon Polyurethane Co.) as an isocyanate curing agent, 3.8 g of urethane acrylate (Sartomer, CN-940) with a photocurable oligomer, and silicone acrylate (Sartomer, CN-9800) 10g of the urethane acrylate pressure-sensitive adhesive composition to the base film of polypropylene film having a thickness of 100 μm after mixing well with 0.6 g and 0.2 g of Igacure 184 (Ciba Specialty Co.) as a photoinitiator. After apply | coating as uniformly as possible, it was able to obtain an ultraviolet curing dicing film by drying at 80 degreeC for 10 minutes.

(A2) (A1)에서 제조한 아크릴점착제 용액 35g에 경화제로 코로네이트-L(니폰폴리우렌탄사) 0.8g 과 광경화형 올리고머로 CN-940(우레탄아크릴레이트, 사토머사) 8g 및 광개시제로 이가큐어184(시바스페셜티사) 0.5g을 혼합한 것을 제외하고는 모두 동일한 조건으로 다이싱용 점착필름을 얻었다.(A2) To 35 g of the acrylic adhesive solution prepared in (A1), 0.8 g of Coronate-L (Nippon Polyuretan Co., Ltd.) as a curing agent and 8 g of CN-940 (urethane acrylate, Satomer) as a photocurable oligomer and an igureur as a photoinitiator Except having mixed 0.5g of 184 (Ciba specialty company), the adhesive film for dicing was obtained on the same conditions all.

(A3) 상기 점착제 중합물과의 특성비교를 위하여 일반품인 자외성 경화형 다이싱필름 제품 (일본 상기화학사 제조 UHP-110M3 )을 적용하여 다층필름을 제조하였음.(A3) A multilayer film was prepared by applying an ultraviolet-curable dicing film product (UHP-110M3 manufactured by Nippon Chemical Co., Ltd.), which is a general product, to compare characteristics with the pressure-sensitive adhesive polymer.

<제조예 2> <Manufacture example 2>

(B) 다이본딩용 접착제층 (B) Die bonding adhesive layer

아래 표1 에서와 같이 아크릴, 폴리에스테르수지, 폴리이미드수지 등의 열가소성수지와 에폭시 수지, 페놀수지, 방향족디아민, 실리카 및 경화촉진제로 구성되는 열경화성수지의 성분들을 동표에 나타내는 비율로 배합한 다이본딩용 제1접착층 및 제2접착층의 조성물을 6가지로 조제하고, 그 조성물들을 톨루엔/메칠에칠케톤을 각각 50:50 혼합한 혼합용제로 균일하게 혼합 용해하였다. 이 혼합용액을 이형처리한 폴리에스테르 필름 상에 도포한 후 150℃에서 5분 동안 건조시켜, 혼합용제를 제거하는 것으로써, 두께가 10um인 B-스테이지화한 다이본딩용 제 1접착층 및 제 2접착층을 얻고 이 두 접착제층을 100℃ 롤라미네이션으로 합지시킴으로써 두께가 20um 인 다이본딩용 접착제층을 얻었다.As shown in Table 1 below, a die-bonding mixture of thermoplastic resins such as acrylic resins, polyester resins, and polyimide resins, and components of thermosetting resins composed of epoxy resins, phenol resins, aromatic diamines, silicas, and curing accelerators in the ratios shown in the table Six compositions of the first adhesive layer and the second adhesive layer were prepared, and the compositions were mixed and dissolved uniformly with a mixed solvent of 50:50 each of toluene / methylketone. The mixed solution was applied onto a release-treated polyester film and then dried at 150 ° C. for 5 minutes to remove the mixed solvent. The first adhesive layer for B-staged die bonding having a thickness of 10 μm and the second were An adhesive layer was obtained and the two adhesive layers were laminated by 100 ° C. lamination to obtain an adhesive layer for die bonding having a thickness of 20 μm.

[표 1]TABLE 1

조성물Composition 다이본딩 제 1접착층(3)Die bonding first adhesive layer (3) 다이본딩 제 2접착층(4)Die bonding second adhesive layer 4 B1B1 B2B2 B3B3 B4B4 C1C1 C2C2 C3C3 C4C4 에폭시1Epoxy 1 1515 1515 1515 1010 55 55 55 55 에폭시2Epoxy 2 3030 3030 -- 2525 2525 2525 2525 2525 에폭시3Epoxy 3 -- -- -- 1010 1515 1515 1515 1515 에폭시4Epoxy 4 -- -- 3030 -- -- -- -- -- 경화제1Curing agent 1 1010 55 -- 1010 -- 1010 55 1010 경화제2Hardener 2 -- -- 1010 -- -- -- -- -- 경화제3Hardener 3 -- 55 -- -- 1010 -- 55 -- 가소성수지1Plastic Resin 1 1616 1111 66 3030 2525 2525 -- 4141 가소성수지2Plastic Resin 2 2525 -- -- -- -- 1616 1616 -- 가소성수지3Plastic Resin 3 -- 3030 -- 1111 1616 -- 2525 -- 가소성수지4Plastic Resin 4 -- -- 3535 -- -- -- -- -- 경화촉진제Curing accelerator 1One 1One 1One 1One 1One 1One 1One 1One 첨가제additive 33 33 33 33 55 55 55 55 Tg (℃)Tg (℃) 5656 3232 8282 44 -5-5 1212 2828 -25-25

에폭시수지1:비스페놀 A형 에폭시수지(국도화학 YD-011 당량:450g/eq, 연화점 : 70 )Epoxy Resin 1: Bisphenol A epoxy resin (Kukdo Chemical YD-011 equivalent: 450 g / eq, Softening point: 70)

에폭시수지2:크레졸노볼락형 에폭시수지(국도화학 YDCN-505 당량:200g/eq, 연화점 : 62 )Epoxy Resin 2: Cresol Novolac Epoxy Resin (Kukdo Chemical YDCN-505 Equivalent: 200g / eq, Softening Point: 62)

에폭시수지3:비스페놀 A형 에폭시수지(국도화학 YD-128 당량:180g/eq, 연화점 : - )Epoxy Resin 3: Bisphenol A epoxy resin (Kukdo Chemical YD-128 Equivalent: 180 g / eq, Softening Point:-)

에폭시수지4:크레졸노볼락형 에폭시수지(국도화학 YDCN-500-90 당량 205g/eq, 연화점 : 93 )Epoxy resin 4: Cresol novolac epoxy resin (Kukdo Chemical YDCN-500-90 equiv. 205g / eq, Softening point: 93)

경화제1 : 노볼락형 페놀수지(강남화성 페놀라이트 TD-2131 OH당량:110 g/eq, 연화점 : 80℃)Curing agent 1: Novolak-type phenolic resin (Gangnam Chemical phenolite TD-2131 OH equivalent: 110 g / eq, softening point: 80 ℃)

경화제2 : 노볼락형 페놀수지(강남화성 페놀라이트 TD-2090, OH당량:115 g/eq, 연화점 : 125℃)Curing agent 2: Novolac-type phenolic resin (Gangnam Chemical phenolite TD-2090, OH equivalent weight: 115 g / eq, softening point: 125 ° C)

경화제3 : 디아미노디페닐셜폰 (와까야마세이카, 세이카큐어-S, 분자량 : 248 )Curing agent 3: diaminodiphenylsulfone (Wakayama Seika, Seikacure-S, molecular weight: 248)

가소성수지1 : 아크릴산 공중합체수지 (니폰제온사 AR71, 무늬점도 : 40, 유리전이온도 : -18℃)Plastic Resin 1: Acrylic Copolymer Resin (Nippon Xeon AR71, Pattern Viscosity: 40, Glass Transition Temperature: -18 ℃)

가소성수지2 : 폴리이미드수지 (신에츠사 분자량 : 30,000 유리전이온도 75℃)Plastic resin 2: polyimide resin (Shin-Etsu Co., Ltd. molecular weight: 30,000 glass transition temperature 75 ℃)

가소성수지3 : 폴리에스테르수지(에스케이씨 ES-360, 유리전이온도 : 17℃ 수평균분자량:28,000) Plastic resin 3: Polyester resin (ESCEI ES-360, glass transition temperature: 17 ℃, number average molecular weight: 28,000)

가소성수지4 : 폴리에스테르수지(에스케이씨 ES-100, 유리전이온도 : 65℃ 수평균분자량:21,000)Plastic resin 4: Polyester resin (Esuke C ES-100, glass transition temperature: 65 ℃ number average molecular weight: 21,000)

경화촉진제 : 이미다졸 화합물 (시코쿠화성, 큐아졸 2PH)Curing accelerator: imidazole compound (sichokuizable, curazole 2PH)

첨가제 : 합성실리카 (평균입경 1um, 최대입경 10um)Additive: Synthetic silica (average particle size 1um, maximum particle size 10um)

※유리전이온도 : 퍼킨엘머사제 시차열량주사계 분석장비(TAC-7)를 활용하여 -40~200℃까지 분당 10℃ 승온조건하에서 열량분석을 통하여 측정하였다.※ Glass transition temperature: measured by calorie analysis at 10 ℃ per minute temperature up to -40 ~ 200 ℃ by using a differential calorimeter scanning system (TAC-7) manufactured by Perkin Elmer.

실시예 1~4), 비교예 1~4 )Examples 1-4) and Comparative Examples 1-4)

제조예1 및 제조예2 과정에서 얻은 점착층 및 접착층을 이용하여 표2와 같은 조합으로 점착층 및 접착층을 합지한 다이싱·다이본딩용 다층구조의 접착필름 8가지를 제조하고 각각의 다층필름에 대해서 아래와 같은 평가기준에 의해 비교평가하였다. 결과는 아래의 표2와 같다.By using the adhesive layer and adhesive layer obtained in Preparation Example 1 and Preparation Example 2, eight adhesive films having a multilayer structure for dicing and die bonding in which the adhesive layer and the adhesive layer were laminated were prepared, and each multilayer film was prepared. Were evaluated according to the following evaluation criteria. The results are shown in Table 2 below.

(1) 웨이퍼 부착력(1) wafer adhesion

다이본딩 제 1 접착제 및 2 접착제을 합지한 후, 폴리에스테르 기재필름(두께 38um, 코로나표면처리품)과 다이본딩 제 1 접착층이 대면되도록 온도 100℃에서 롤 라미네이션(니또정밀사제 DR－8500 라미네이션장비)을 행하여 합지된 접착필름을 얻었다. 이를 다시 60℃의 핫 플레이트 상에 두께가 800um인 8인치 실리콘 웨이퍼(디스코 사제 DFG－840 연삭장비, ＃2300 그라인딩면)를 올려놓은 다음, 다이본딩 제 2 접착층과 웨이퍼 이면이 밀착되도록 롤라미네이션장비를 이용하여 롤압력 200g/cm, 롤이동속도 1 M/분 조건으로 라미네이션을 행하였다. 그 후, 접착필름을 10mm 폭으로 절단한 후, 23℃(실온)에서 30분간 정치 한 후, 23℃의 항온실에서 폴리에스테르필름 기재와 함께 박리각을 180о하여 접착필름을 박리하였을 때 필강도를 측정함으로써 웨이퍼와의 부착력을 측정하였다.(접착필름의 인장 속도 300 mm/min)After laminating the first and second die-bonding adhesives, roll lamination at a temperature of 100 ° C. so that the polyester base film (thickness 38 μm, corona surface treated product) and the die-bonding first adhesive layer face each other (DR-8500 lamination equipment manufactured by Nito Precision Co., Ltd.) Was carried out to obtain a laminated adhesive film. The 8-inch silicon wafer (Disco DFG-840 grinding machine, ＃ 2300 grinding surface), which is 800um thick, is placed on a 60 ° C hot plate, and then the lamination equipment is formed so that the die bonding second adhesive layer closely adheres to the wafer back surface. Lamination was carried out using a roll pressure of 200g / cm, a roll moving speed of 1 M / min. Thereafter, the adhesive film was cut into a width of 10 mm, left at 23 ° C. (room temperature) for 30 minutes, and peeled off when the adhesive film was peeled off at a temperature of 180 ° with the polyester film substrate in a constant temperature room at 23 ° C. The adhesive force with the wafer was measured by measuring the strength. (The tensile speed of the adhesive film is 300 mm / min.)

(2) 자외선 조사 전, 후의 벗김강도(2) Peel strength before and after UV irradiation

기재필름상에 미리 코팅된 점착제층 위에 다이본딩용 제 1, 2 접착제층을 순서적으로 합지한 후, 상기 (1)과 같은 웨이퍼 부착력 측정조건과 동일하게 웨이퍼 이면에 롤라미네이션을 행한 후, 기재필름과 점착필름을 박리시킴으로써 자외선 조사전의 필강도를 측정하고, 또한 기재필름 측면 방향에서 100 mJ/cm2 세기의 자외선을 조사한 후, 박리함으로써 자외선 조사 후 필강도 변화를 측정하였다. After laminating the first and second adhesive layers for die-bonding on the pressure-sensitive adhesive layer previously coated on the base film, and performing lamination on the back surface of the wafer in the same manner as the wafer adhesion force measurement conditions as in (1) above, Peel strength before UV irradiation was measured by peeling off the film and the adhesive film, and 100 mJ / cm 2 in the side direction of the base film. After irradiating ultraviolet rays of intensity, peeling was performed to measure the change in peel strength after ultraviolet irradiation.

(3) 칩 접착강도(3) chip adhesive strength

박리강도 측정을 위하여 고하중하에서도 파손되지 않도록 두께가 800um 인 실리콘웨이퍼 이면에 다이본딩용 제 2접착층이 대면되도록 온도 120℃에서 롤라미네이션 한 후, 다시 보호필름을 제거함으로써 나타나는 제 1 접착층 표면과 1 Oz 동박을 100℃ 롤라미네이션하였다. In order to measure the peel strength, roll lamination is carried out at a temperature of 120 ° C. so that the second bonding layer for die bonding faces the back surface of the silicon wafer having a thickness of 800 μm so as not to be damaged under high load. The Oz copper foil was laminated at 100 ° C.

이 상태로 칩과 동박과의 접착강도를 180о 박리하면서 강도를 측정함으로써 경화 전 접착력을 구하였고, 또한 상기 시편을 175℃ x 5 hr 동안 고온 경화과정을 거친 후, 180о 박리강도를 측정하였다. In this state, the adhesive strength between the chip and the copper foil was measured while peeling 180 ° , and the adhesive strength was determined before curing. Furthermore, the specimen was subjected to a high temperature curing process for 175 ° C x 5 hr, and then 180 ° peel strength was measured. .

(4) 내칩핑성(4) chipping resistance

회로패턴이 형성된 직경 8 인치의 실리콘웨이퍼를 이면 연마처리해 두께 80um로 한 후, 폴리싱처리하여 경면처리한 웨이퍼를 이용하였다. 이후 (1)과 같이 다이접착 제2층과 60℃ 롤라미네이션을 행하고 10mm x 15 mm 사이즈로 풀 컷팅 다이싱(디스코사제, DFD－651 다이싱장비))을 행하면서 다이싱시의 칩핑되는 현상유무를 관측하여 다음과 같은 기준으로 구분하였다.An 8-inch-diameter silicon wafer on which a circuit pattern was formed was polished on the back surface to a thickness of 80 um, and then polished to a mirror-treated wafer. Thereafter, as shown in (1), the lamination was performed with the second layer of the die-bonding layer at 60 ° C and 10 mm x 15 mm. Full cutting dicing (Disco Co., Ltd., DFD-651 dicing equipment) was performed in size, and the presence or absence of the chipping phenomenon at the time of dicing was observed and classified as follows.

○ : 칩 가장자리에서 30um 이하 크기로 칩 파편발생○: Chip fragments are generated at the size of 30um or less at the chip edge.

△ : 칩 가장자리에 30~60um 이내의 크기로 칩 파편발생△: Chip fragments occur within 30 ~ 60um at chip edge

× : 칩 가장자리에 60um 이상의 크기로 칩 파편발생 ×: chip fragments over 60um on chip edge

(5) 픽업성(5) pickup

칩 사이즈를 10 mm x 15 mm 사이즈로 풀 컷팅 다이싱을 행한 후, 기재필름 아래쪽으로부터 픽업용 니들로 1차로 칩 엣지면에서 박리되게 한 후 다시 상부에서 진공 콜렉터로 칩(칩상 웨이퍼)을 픽업했다. 픽업성 기준은 다음과 같다.After full-cut dicing to a chip size of 10 mm x 15 mm, the chip (wafer on chip) was picked up by a vacuum collector from the upper side after being first peeled off the chip edge surface with a pick-up needle from the bottom of the base film. . Pickup criteria are as follows.

「○」: 1회로 픽업이 가능한 경우`` ○ '': When pick-up is possible once

「△」: 2~3회 재시도로 픽업이 가능한 경우「△」: When pickup is possible with 2 ~ 3 retries

「× 」: 픽업 할 수 없었던 경우 `` × '': If you could not pick up

(6) 내열성(6) heat resistance

반도체 패키지내에서의 다이본딩용 접착필름의 흡습에 따른 내열내습성을 평가하기 위하여 (3)과 같이 칩과 동박과의 경화시편을 제작한 것을 260℃ 납조에 30 초간 침적시킨 후, 현미경 관찰을 통하여 기포생성 여부를 확인하였다. 또한 상기 경화시편을 85℃/85%RH 하에서 48시간 동안 방치하여 흡습처리한 후 다시 260℃ 납조에 30초간 침적시킴으로써 흡습 후 내열성을 평가혔다.In order to evaluate the heat and moisture resistance according to the moisture absorption of the die-bonding adhesive film in the semiconductor package, a hardened specimen of the chip and the copper foil was fabricated in a 260 ° C. bath for 30 seconds, and then microscopic observation was performed. It was confirmed whether the bubble generation through. In addition, the cured specimen was left to stand at 85 ° C./85%RH for 48 hours to absorb moisture, and then immersed in a 260 ° C. lead bath for 30 seconds to evaluate heat resistance after absorption.

내열성평가 기준은 다음과 같다.The heat resistance evaluation criteria are as follows.

○ : 기포생성 면적이 전체면적의 10% 이하○: Bubble generation area is 10% or less of the total area

△ : 기포생성 면적이 10~50% 이내△: bubble generation area within 10-50%

× : 기포생성 면적이 50% 이상X: bubble generation area of 50% or more

[표 2]TABLE 2

조 성Furtherance 실시예1 Example 1 실시예2Example 2 실시예3Example 3 실시예4Example 4 비교예1Comparative Example 1 비교예2Comparative Example 2 비교예3Comparative Example 3 비교예4Comparative Example 4 비교예5Comparative Example 5 점 착 제Adhesive A1A1 A1A1 A1A1 A2A2 A2A2 A1A1 A1A1 A1A1 A2A2 다이 접착 필름Die adhesive film 제1층First floor B1B1 B2B2 B1B1 B2B2 B3B3 B4B4 B1B1 B2B2 B1B1 제2층2nd layer C1C1 C2C2 C2C2 C1C1 C1C1 C2C2 C3C3 C4C4 C1C1 특 성Characteristics 웨이퍼부착력 (g/cm)Wafer Bonding Force (g / cm) 170170 6060 7070 180180 160160 8080 3030 250250 170170 180o 필강도 (g/cm)180 o peel strength (g / cm) 노광전Before exposure 4040 5050 3535 5555 2525 110110 3535 6060 7070 노광후After exposure 77 88 66 88 44 2020 55 99 1515 접착 강도 (g/cm)Adhesive strength (g / cm) 경화전Before hardening 160160 190190 150150 210210 4040 320320 120120 220220 160160 경화후After curing 1,1001,100 1,7001,700 1,4001,400 1,8001,800 600600 1,6001,600 1,1001,100 1,3001,300 1,1001,100 내칩핑성Chipping resistance ○○ ○○ ○○ ○○ ×× △△ ×× ×× ×× 픽 업 성Pick up castle ○○ ○○ ○○ ○○ △△ ×× △△ △△ ×× 내열성Heat resistance 흡습전Absorption ○○ ○○ ○○ ○○ ○○ △△ ○○ ○○ ○○ 흡습후After moisture absorption ○○ ○○ ○○ ○○ ○○ ×× △△ △△ ○○

이상의 실시예를 통하여 확인되는 바와 같이, 본 발명의 반도체 패키지용 접착필름은 웨이퍼 부착력, 필강도, 접착강도, 내칩핑성, 픽업성 및 내열성이 현저하게 향상되었다.As confirmed through the above examples, the adhesive film for semiconductor package of the present invention has significantly improved wafer adhesion, peel strength, adhesive strength, chipping resistance, pickup and heat resistance.

Claims (5)

기재필름(1) 상에 웨이퍼 다이싱용 점착층(2)과 다이본딩용 제1접착층(3) 및 제2접착층(4)이 순서적으로 적층되되, 다이싱용 점착층(2)은 자외선 경화형 수지 조성물로 구성되고, 다이본딩용 접착층(3, 4)은 열경화성수지와 열가소성수지 혼합물로 구성되어, 제1접착층(3)의 유리전이온도는 30~80℃, 제2접착층(4)의 유리전이온도는 -20~20℃의 영역을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지용 접착필름.The wafer dicing adhesive layer 2, the die bonding first adhesive layer 3, and the second adhesive layer 4 are sequentially stacked on the base film 1, and the dicing adhesive layer 2 is an ultraviolet curable resin. The adhesive layers 3 and 4 for die bonding are composed of a thermosetting resin and a thermoplastic resin mixture, and the glass transition temperature of the first adhesive layer 3 is 30 to 80 ° C. and the glass transition of the second adhesive layer 4. Adhesive film for a semiconductor package, characterized in that the temperature has a region of -20 ~ 20 ℃. 제1항에 있어서, 다이본딩용 제1접착층(3)과 제2접착층(4)의 유리전이온도가 적어도 10℃ 이상의 차이를 가짐에 따라 60℃로 예열된 웨이퍼와 부착시 제2접착층(4)과 웨이퍼와의 부착력은 60 g/cm 이상을 유지하며, 자외선 경화 후에는 점착층(2)와 제2접착층(4)과의 박리력은 10 g/cm 이하를 동시에 만족할 수 있는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지용 접착필름.2. The second adhesive layer (4) according to claim 1, wherein the glass transition temperature of the first bonding layer (3) and the second bonding layer (4) for die bonding has a difference of at least 10 ° C. or more, and the second adhesive layer (4) when attached with a wafer preheated to 60 ° C. 3. ) And the adhesion force between the wafer and the wafer are maintained at 60 g / cm or more, and after UV curing, the peel force between the adhesive layer 2 and the second adhesive layer 4 can satisfy 10 g / cm or less simultaneously. Adhesive film for semiconductor packages. 제1항에 있어서, 다이싱용 점착층(2)이 열경화형 관능기를 함유하는 아크릴계 공중합체 50~80중량부, 열경화제로서 디아이소시아네이트 화합물이 1~5중량부, 광경화형 올리고머로서 우레탄아크릴레이트와 실리콘아크릴레이트 혼합물을 10~30 중량부 및 광개시제 0.5~5중량부로 구성되는 조성물인 것을 특징으로 함에 따라 자외선 경화가 가능한 반도체 패키지용 접착필름.The dicing adhesive layer (2) is 50 to 80 parts by weight of an acrylic copolymer containing a thermosetting functional group, 1 to 5 parts by weight of a diisocyanate compound as a thermosetting agent, and urethane acrylate as a photocuring oligomer. Adhesive film for a semiconductor package capable of ultraviolet curing, characterized in that the composition consisting of 10 to 30 parts by weight of the silicone acrylate mixture and 0.5 to 5 parts by weight of the photoinitiator. 제1항에 있어서, 다이본딩용 접착층(3, 4)을 구성하는 조성물 중의 열경화성수지 부분이 에폭시 관능기를 2개 이상을 가지며 연화점이 30~100℃ 이내인 다관능 에폭시수지를 60~90중량부, 경화제로서 방향족디아민 또는 페놀수지를 각각 단독 사용하거나 또는 혼용하여 10~40중량부, 경화촉진제 0.1~10중량부로 구성되는 반도체 패키지용 접착필름.The polyfunctional epoxy resin according to claim 1, wherein the thermosetting resin portion in the composition constituting the die bonding adhesive layers 3 and 4 has two or more epoxy functional groups and a softening point of 30 to 100 ° C. The adhesive film for semiconductor packages which consists of 10-40 weight part and 0.1-10 weight part of hardening accelerators individually or individually using aromatic diamine or a phenol resin as a hardening | curing agent. 제1항에 있어서, 다이본딩용 접착제(3, 4)을 구성하는 조성물 중의 열가소성수지성분이 아크릴산 공중합체 또는 폴리에스테르수지, 폴리이미드수지 중에서 적어도 2개 이상을 혼합하여, 접착제 조성물의 30~60중량% 이내로 사용되는 반도체 패키지용 접착필름.The thermoplastic resin component in the composition constituting the die-bonding adhesives (3, 4) according to claim 1, wherein at least two or more of the acrylic acid copolymer, the polyester resin, and the polyimide resin are mixed to form the adhesive composition. Adhesive film for semiconductor packages used within weight percent.
KR1020060078610A 2006-05-08 2006-08-21 Multilayer adhesive film for semiconductor package KR100669134B1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060040970 2006-05-08
KR20060040970 2006-05-08

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100669134B1 true KR100669134B1 (en) 2007-01-16

Family

ID=38013784

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060078610A KR100669134B1 (en) 2006-05-08 2006-08-21 Multilayer adhesive film for semiconductor package

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100669134B1 (en)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100844383B1 (en) * 2007-03-13 2008-07-07 도레이새한 주식회사 Adhesive film for stacking semiconductor chip
WO2009113831A2 (en) * 2008-03-14 2009-09-17 제일모직 주식회사 Multi-functional tape for semiconductor package and a method for manufacturing semiconductor device using the same
KR101332969B1 (en) 2010-12-31 2013-11-25 동국대학교 산학협력단 Non-Solvent Type Pressure Sensitive Adhesive Resin Composition and Pressure Sensitive Adhesive Film Containing Thereof
KR101604771B1 (en) * 2009-03-30 2016-03-18 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 Release process paper and process for producing same
WO2018216967A1 (en) * 2017-05-22 2018-11-29 주식회사 엘지화학 Multi-layer adhesive tape
WO2019203572A1 (en) * 2018-04-17 2019-10-24 주식회사 엘지화학 Adhesive composition for semiconductor circuit connection, and adhesive film comprising same
KR20190121252A (en) * 2018-04-17 2019-10-25 주식회사 엘지화학 Adhesive composition for semiconductor circuit connection and adhesive film containing the same

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100844383B1 (en) * 2007-03-13 2008-07-07 도레이새한 주식회사 Adhesive film for stacking semiconductor chip
WO2009113831A2 (en) * 2008-03-14 2009-09-17 제일모직 주식회사 Multi-functional tape for semiconductor package and a method for manufacturing semiconductor device using the same
WO2009113831A3 (en) * 2008-03-14 2009-12-10 제일모직 주식회사 Multi-functional tape for semiconductor package and a method for manufacturing semiconductor device using the same
US8309219B2 (en) 2008-03-14 2012-11-13 Cheil Industries, Inc. Multi-function tape for a semiconductor package and method of manufacturing a semiconductor device using the same
KR101604771B1 (en) * 2009-03-30 2016-03-18 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 Release process paper and process for producing same
KR101332969B1 (en) 2010-12-31 2013-11-25 동국대학교 산학협력단 Non-Solvent Type Pressure Sensitive Adhesive Resin Composition and Pressure Sensitive Adhesive Film Containing Thereof
WO2018216967A1 (en) * 2017-05-22 2018-11-29 주식회사 엘지화학 Multi-layer adhesive tape
US11549036B2 (en) 2017-05-22 2023-01-10 Koza Novel Materials Korea Co., Ltd. Multi-layer adhesive tape
WO2019203572A1 (en) * 2018-04-17 2019-10-24 주식회사 엘지화학 Adhesive composition for semiconductor circuit connection, and adhesive film comprising same
KR20190121252A (en) * 2018-04-17 2019-10-25 주식회사 엘지화학 Adhesive composition for semiconductor circuit connection and adhesive film containing the same
KR102204964B1 (en) 2018-04-17 2021-01-19 주식회사 엘지화학 Adhesive composition for semiconductor circuit connection and adhesive film containing the same
US11834415B2 (en) 2018-04-17 2023-12-05 Lg Chem, Ltd. Adhesive composition for semiconductor circuit connection and adhesive film including the same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100894173B1 (en) Mulitlayer adhesive film for semiconductor package
KR101089631B1 (en) Multilayer adhesive film for semiconductor package
TWI641481B (en) Resin film forming composite sheet
KR102007111B1 (en) Semiconductor processing tape
KR101492629B1 (en) Adhesive composition, adhesive sheet and production process for semiconductor device
KR100669134B1 (en) Multilayer adhesive film for semiconductor package
WO2018105613A1 (en) Tape for semiconductor processing
JP2008247936A (en) Sticky adhesive composition, sticky adhesive sheet and method for producing semiconductor device
JPWO2014155756A1 (en) Adhesive sheet, composite sheet for forming protective film, and method for producing chip with protective film
JP5005258B2 (en) Adhesive composition, adhesive sheet and method for producing semiconductor device
JP7155245B2 (en) Die bonding film, dicing die bonding sheet, and method for manufacturing semiconductor chip
KR20190030667A (en) Dicing·die bonding sheet
TW201706387A (en) Composite sheet for forming protective film
JP2008231366A (en) Pressure-sensitive adhesive composition, pressure-sensitive adhesive sheet, and method for manufacturing semiconductor device
KR20190113746A (en) Semiconductor Processing Tape
JP2006241174A (en) Film-formed adhesive for die-bonding, and adhesive sheet and semi-conductor device by using the same
JP5566141B2 (en) Adhesive composition, adhesive sheet and method for producing semiconductor device
JP5513734B2 (en) Adhesive composition, adhesive sheet, and method for manufacturing semiconductor device
KR100860098B1 (en) Adhesive film for semiconductor package
KR20170029416A (en) Protective membrane forming film
JP2009292888A (en) Adhesive composition, adhesive sheet, and method for producing semiconductor device
TWI735803B (en) Tape for semiconductor processing
JP2011198914A (en) Adhesive composition for semiconductor, adhesive sheet for semiconductor, and method of manufacturing semiconductor device
JP5426831B2 (en) Adhesive composition, adhesive sheet and method for producing semiconductor device
CN112930380A (en) Film-like adhesive and sheet for semiconductor processing

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121212

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131128

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141217

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151209

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161226

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171226

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190107

Year of fee payment: 13

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200102

Year of fee payment: 14