KR100667676B1 - 플라즈마 처리 장치의 가스분사장치 - Google Patents

플라즈마 처리 장치의 가스분사장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 공정챔버 내의 프로세스 영역으로 반응가스를 균일하게 공급하는 플라즈마 처리장치의 가스분사장치에 관한 것으로, 본 발명은 외부로부터 공급되는 반응가스가 유입되는 가스 유입포트들을 갖는 상부판; 상기 상부판 아래에 상기 상부판과 함께 제1버퍼공간을 형성하는 그리고 복수의 제1관통홀들이 형성된 제1분배판; 상기 제1분배판 아래에 상기 제1분배판과 함께 제2버퍼공간을 형성하는 그리고 복수의 제2관통홀들이 형성된 제2분배판; 상기 제2분배판 아래에 상기 제2분배판과 함께 제3버퍼공간을 형성하는 그리고 상기 복수의 제3관통홀들이 형성되며 상기 프로세스 영역과 대면하는 제3분배판을 포함하는 가스분사장치로 이루어진다.

Description

플라즈마 처리 장치의 가스분사장치{GAS INJECTION APPARATUS OF PLASMA TREATMENT APPARATUS}
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치에 사용되는 가스분사장치의 정단면 사시도;
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 가스분사장치가 적용된 플라즈마 처리 장치의 단면 구성도;
도 3은 가스분사장치 내에서의 반응가스 흐름을 보여주는 도면이다.
< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 >
100 : 플라즈마 처리 장치
110 : 가스분사장치
112 : 상부판
120 : 제1분배판
126 : 제2분배판
130 : 제3분배판
본 발명은 플라즈마 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 공정 챔버 내의 프로세스 영역으로 반응가스를 공급하는 플라즈마 처리장치의 가스분사장치에 관한 것이다.
최근의 반도체 소자의 고집적화, 반도체 웨이퍼의 대구경화, 액정 디스플레이의 대면적화 등에 따라 에칭 처리나 성막 처리를 하는 처리 장치의 수요가 날로 증가하고 있다. 플라즈마 에칭 장치, 플라즈마 CVD 장치, 플라즈마 애싱 장치와 같은 플라즈마 처리 장치에 있어서도 그 상황은 마찬가지이다. 즉, 생산량(Throughput)을 향상시키기 위하여 플라즈마의 고도화, 피처리물(반도체 웨이퍼, 글래스 기판)의 대면적화에 대한 대응 및 클린화 등의 실현이 중요과제로 대두되고 있다.
이러한 플라즈마 처리 장치에서 반응가스(원료가스+첨가가스)는 가스분사장치의 분사홀들을 통해 공정챔버 내부로 주입되게 된다. 그러나 기존의 플라즈마 처리 장치의 가스분사장치는 원료가스와 첨가가스가 충분히 혼합시키지 않은 상태에서 공정챔버 내부로 주입하는 구조로 이루어져 있어, 반응가스가 공정챔버 내부로 균일하게 뿌려지지 않게 됨으로써 웨이퍼의 성막이나 에칭이 균일하게 이루어지지 않게 되어 공정 불량을 초래하는 문제점이 발생되고 있다.
이에 본 발명은 상술한 종래 기술상의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 두가지 이상의 가스 혼합이 충분히 일어나도록 하여 챔버내 고밀도 플라즈마가 균일하게 생성되도록 하는 새로운 형태의 플라즈마 처리 장 치의 가스분사장치를 제공함에 있다. 본 발명의 또 다른 목적은 플라즈마 및 반응 가스에 강한 재질로 하며 플라즈마에 노출되는 분배판의 탈부착이 쉽도록 하여 메인터런스성을 향상시키도록 한 새로운 형태의 플라즈마 처리 장치의 가스분사장치를 제공함에 있다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 플라즈마 처리 장치의 가스분사장치에 있어서: 외부로부터 공급되는 반응가스가 유입되는 가스 유입포트들을 갖는 상부판; 상기 상부판 아래에 상기 상부판과 함께 제1버퍼공간을 형성하는 그리고 복수의 제1관통홀들이 형성된 제1분배판; 상기 제1분배판 아래에 상기 제1분배판과 함께 제2버퍼공간을 형성하는 그리고 복수의 제2관통홀들이 형성된 제2분배판; 상기 제2분배판 아래에 상기 제2분배판과 함께 제3버퍼공간을 형성하는 그리고 상기 복수의 제3관통홀들이 형성되며 상기 프로세스 영역과 대면하는 제3분배판을 포함한다.
본 발명에 따른 가스분사장치에 의하면, 상기 상부판의 상면에 설치되는 플라즈마 발생부를 더 포함하며, 상기 플라즈마 발생부는 TCP 또는 ICP 안테나를 전극으로 사용하거나 CCP와 같이 평판을 전극으로 사용할 수 있다.
본 발명에 따른 가스분사장치에 의하면, 상기 제1관통홀들 각각은 경사진 가스통로로 이루어지되, 서로 이웃하는 상기 제1관통홀들은 서로 대칭되게 이루어지며, 상기 제2관통홀들 각각은 경사진 가스통로로 이루어지되, 서로 이웃하는 상기 제2관통홀들은 서로 대칭되게 이루어진다.
본 발명에 따른 가스분사장치에 의하면, 상기 제1관통홀들과 상기 제2관통홀들은 상기 제2버퍼공간을 중심으로 서로 면대칭되게 형성됨으로써, 상기 반응가스는 상기 제1관통홀들과 제2버퍼공간 그리고 제2관통홀들에 의한 마름모 형태의 가스통로를 거치면서 균일한 혼합이 이루어진다.
본 발명에 따른 가스분사장치에 의하면, 상기 제1관통홀들과 상기 제2관통홀들은 서로 이웃하는 2개의 관통홀들이 한 쌍으로 이루어지되, 한 쌍의 상기 제1관통홀들은 상기 반응가스가 퍼지도록 바깥쪽으로 경사지게 형성되고, 한 쌍의 상기 제2관통홀들은 상기 반응가스가 모아지도록 안쪽으로 경사지게 형성된다.
본 발명에 따른 가스분사장치에 의하면, 상기 상부판은 상기 제1버퍼공간의 중앙 영역과 가장자리 영역내로 상기 반응가스를 공급하는 중앙홀들과 가장자리홀들을 포함한다.
본 발명에 따른 가스분사장치에 의하면, 상기 상부판은 가장자리 둘레에 형성되는 그리고 외부로부터 반응가스가 유입되는 환형의 유입공간을 가지며, 상기 가장자리홀들은 상기 유입공간과 상기 제1버퍼공간 사이의 개구들이다.
본 발명에 따른 가스분사장치에 의하면, 상기 제1,2,3분배판은 플라즈마 및 반응가스에 강한 티타늄 합금 소재로 이루어진다.
본 발명에 따른 가스분사장치에 의하면, 상기 가스분사장치는 상기 상부판와, 제1,2,3분배판의 단부를 고정하면서 상기 공정챔버의 상부에 고정되는 외부링을 더 포함한다.
본 발명에 따른 가스분사장치에 의하면, 상기 제3분배판은 상기 외부링으로 부터 탈부착 된다.
이하, 본 발명에 따른 플라즈마 처리 장치의 가스분사장치를 첨부한 도면들을 참조하여 상세히 설명한다.
본 발명은 여기서 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구현될 수 있다. 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상과 특징이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다. 도면들에 있어서, 각각의 장치는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 개략적으로 도시된 것이다. 또한, 각각의 장치에는 본 명세서에서 자세히 설명되지 아니한 각종의 다양한 부가 장치가 구비되어 있을 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 나타낸다.
(실시예)
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 플라즈마 처리 장치에 사용되는 가스분사장치의 정단면 사시도이고, 도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 가스분사장치가 적용된 플라즈마 처리 장치의 단면 구성도이다. 도 3은 가스분사장치 내에서의 반응가스 흐름을 보여주는 도면이다.
본 실시예에서, 본 발명의 가스분사장치(110)가 포함된 플라즈마 처리 장치(100)에 대해 설명하기로 한다. 도 1 내지 도 3을 참조하면, 공정챔버(102)는 반응가스 공급 시스템(200)과 연결된다. 반응가스 공급 시스템(200)은 공정챔버(102)내로의 반응가스 공급을 제어하기 위해 사용될 수 있다.
반응가스는 반응가스 공급 시스템(200)에 의해 상기 공정챔버(102)내로 받아 들여지고 전달된다. 특정 실시예에 따라서, 반응가스는 반응가스 공급 시스템(200)의 둘 이상의 공급라인(202)을 통해 상기 가스분사장치(110)로 공급된다. 상기 공급라인들은 상기 가스분사장치(110) 내의 서로 다른 원하는 영역으로 반응가스를 공급할 수 있다. 부가적으로, 반응가스의 유량은 반응가스 공급 시스템(200)에 의해 조절될 수 있다.
상기 반응가스는 단일가스이거나 원료가스(source gas)와 첨가가스(inert gas)의 혼합물일 수 있다. 즉, 상기 가스분사장치(110)로 공급되는 반응가스는 이미 상기 반응가스 공급 시스템(200)에서 혼합된 가스일 수 있다. 대안적으로, 원료가스와 첨가가스는 별도의 경로를 통해 독립적으로 공급되고, 반응가스 공급 시스템(200)에서 혼합되며, 그 후 혼합된 반응가스는 둘 이상의 공급라인(202)을 통해 상기 가스분사장치 내부의 서로 다른 원하는 영역으로 공급될 수 있다. 또는, 상기 반응가스는 원료가스(source gas)와 첨가가스(inert gas)가 별도의 공급라인(202)을 통해 상기 가스분사장치 내부의 서로 다른 원하는 영역으로 공급될 수 있다.
상기 플라즈마 처리 장치(100)는 전자기척(ESC)(104)을 구비하는 공정챔버(102)를 포함한다. 웨이퍼는 공정챔버 내의 전자기척(104)상에 놓여진다. 상기 전자기척(104)은 라디오주파수(RF)전원(미도시됨)에 연결될 수 있는 하부 전극이라 할 수 있다. 상기 웨이퍼(w)의 표면은 공정챔버(102) 내로 방출되는 적절한 플라즈마 처리 반응가스에 의해 에칭된다.
상기 플라즈마 처리 장치(100)는 공정챔버(102)내의 프로세스 영역으로 반응가스를 균일하게 공급하는 가스분사장치(110)를 포함한다. 상기 가스분사장치(110) 는 상부판(112)과, 제1,2,3분배판(120.126,130) 그리고 이들의 단부를 고정하면서 상기 공정챔버의 상부에 고정되는 외부링(134)을 포함한다. 상기 가스분사장치는 상기 제1,2,3분배판들에 의해 제1,2,3버퍼공간(a,b,c)을 제공한다.
상기 가스분사장치(110)의 상부에는 플라즈마 발생부가 설치된다. 이 플라즈마 발생부는 상기 상부판의 상면에 유도코일로서 나선 형상의 안테나(140)를 포함한다. 공정챔버(102) 내로 반응가스를 공급하여 플라즈마를 생성하기 위해 안테나(140)에 수백 kHz 내지 수백 MHz의 고주파 전력이 급전된다. 상기 플라즈마 발생부는 TCP 또는 ICP 안테나를 전극으로 사용하거나 CCP와 같이 평판을 전극으로 사용할 수 있다.
상기 상부판(112)은 반응가스 공급라인(202)들로부터 반응가스가 유입되는 가스 유입포트(114)들과, 이 가스 유입포트들(114)와 연결되는 중앙홀(116)들과 가장자리홀(118)들을 갖는다. 상기 상부판(112)은 가장자리 둘레에 환형의 유입공간(117)을 가지며, 반응가스는 상기 유입공간(117)에서 가장자리홀(118)들을 통해 제1버퍼공간(a)으로 흐른다. 상기 중앙홀(116)들은 중앙에서 바깥쪽으로 경사지게 형성되며, 상기 가장자리홀(118)들은 수평하게 형성된다. 상기 중앙홀(116)들을 통해 도입되는 반응가스는 제1버퍼공간(a)의 중심으로부터 바깥쪽으로 퍼지도록 흐르며, 상기 가장자리홀(118)들을 통해 도입되는 반응가스는 제1버퍼공간(a)의 가장자리로부터 중앙쪽으로 모이도록 흐르게 된다.
상기 제1분배판(120)은 상기 상부판(112) 아래에 배치되며, 상기 상부판(112)과 함께 제1버퍼공간(a)을 제공하게 된다. 상기 제1분배판(120)에는 복수의 제1관통홀(122)들이 형성된다. 이 제1관통홀(122)들은 각각 경사지게 형성되되, 서로 이웃하는 제1관통홀들끼리는 서로 대칭되게 이루어진다.
상기 제2분배판(126)은 상기 제1분배판(120) 아래에 배치되며, 상기 제1분배판(120)과 함께 제2버퍼공간(b)을 제공하게 된다. 상기 제2분배판(126)에는 복수의 제2관통홀(128)들이 형성된다. 이 제2관통홀(128)들은 각각 경사지게 형성되되, 상기 제2버퍼공간(b)을 중심으로 서로 면대칭되게 형성된다. 도 3을 자세히 살펴보면, 한 쌍의 제1관통홀(122)들과 그 아래에 면대칭되게 형성된 한 쌍의 제2관통홀(128)들을 의해 마름모형의 가스 유로가 제공되는 것을 알 수 있다.
상기 제3분배판(130)은 상기 제2분배판(126) 아래에 배치되며, 상기 제2분배판(126)과 함께 제3버퍼공간(c)을 제공하게 된다. 상기 제3분배판(126)에는 복수의 제3관통홀(132)들이 형성된다. 상기 제3관통공(132)의 모양은 임의로 정할 수 있다. 예컨대, 본 발명의 실시예에서와 같이, 입구가 넓고 출구가 좁은 형태도 가능하고, 또는 입구와 출구의 직경이 같은 형태도 가능하며, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 제3분배판(130)은 일정한 주기로 교체되어야 하며, 이를 위해 상기 제3분배판(130)은 상기 외부링(134)에 탈착가능하게 설치된다. 탈착하는 방법은 볼트를 이용할 수도 있고, 고정된 홈으로 제3분배판을 끼워넣는 방법을 이용할 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
반응가스는 상기 제3버퍼공간(c)에서 다시한번 균일하게 혼합된 후, 제3분배판(130)의 제3관통홀(132)들을 통해 공정챔버 내부의 프로세스 영역으로 공급된다.
상기 가스분사장치(110)는 제1버퍼공간(a)에 분포된 반응가스를 아래층의 제2버퍼공간(b)으로 균일하게 분포시키기 위해 사선형의 제1관통홀(122)들이 형성된 제1분배판(120)과, 상기 제2버퍼공간(b)에 분포된 반응가스를 아래층의 제3버퍼공간(c)으로 균일하게 분포시키기 위해 사선형의 제2관통홀(128)들이 형성된 제2분배판(126) 그리고 상기 제3버퍼공간(c)에 분포된 반응가스를 공정챔버(102)의 프로세스 영역으로 균일하게 분포시키기 위해 수직형의 제3관통홀(132)들이 형성된 제3분배판(130)으로 이루어진다.
한편, 상기 제1,2,3분배판은 플라즈마 및 반응가스에 강한 것, 바람직하게는 티타늄 합금 소재로 이루어질 수 있다.
도 3을 참조하면서 상기 가스분사장치에서의 반응가스 흐름을 설명하면 다음과 같다.
상기 반응가스 공급라인(202)들로부터 제공되는 반응가스는 상기 상부판(112)의 중앙홀(116)들과 가장자리홀(118)들을 통하여 상기 제1버퍼공간(a)의 중앙부분과 가장자리부분으로 도입된다. 이때, 상기 중앙홀(116)들을 통해 도입되는 반응가스는 제1버퍼공간(a)의 중심으로부터 바깥쪽으로 퍼지도록 흐르며, 상기 가장자리홀(118)들을 통해 도입되는 반응가스는 제1버퍼공간(a)의 가장자리로부터 중앙쪽으로 모이도록 흐르게 되면서 제1버퍼공간(a)에는 반응가스가 고르게 분포된다. 상기 제1버퍼공간(a)으로 도입된 반응가스는 상기 제1분배판(120)의 제1관통홀(122)들을 통하여 상기 제2버퍼공간(b)으로 유입된다. 이때, 서로 이웃하는 한 쌍의 제1관통홀(122)들은 바깥쪽으로 경사지게 형성되어 있어, 상기 제2버퍼공간(b) 으로 유입되는 반응가스는 경사진 형태로 퍼지게 되면서 고르게 혼합된다. 즉, 상기 제1관통홀(122)들 각각은 경사져 있는데, 특히 서로 이웃하는 제1관통홀(122)들은 서로 대칭되게 이루어져 있어, 반응가스는 제2버퍼공간(b)으로 유입되면서 자연스럽게 혼합이 된다(도 3에 반응가스의 흐름이 화살표로 표시되어 있다).
상기 제2버퍼공간(b)으로 도입된 반응가스는 상기 제2분배판의 제2관통홀(128)들을 통하여 상기 제3버퍼공간(c)으로 유입된다. 이때, 서로 이웃하는 한 쌍의 제2관통홀(128)들은 안쪽으로 경사지게 형성되어 있어, 상기 제3버퍼공간(c)으로 유입되는 반응가스는 경사진 형태로 모이게 되면서 고르게 혼합된다. 즉, 상기 제2관통홀들 각각은 경사져 있는데, 특히 서로 이웃하는 제2관통홀들은 서로 대칭되게 이루어져 있어, 반응가스는 제3버퍼공간(c)으로 유입되면서 자연스럽게 혼합이 된다(도 3에 반응가스의 흐름이 화살표로 표시되어 있다). 반응가스는 상기 제3버퍼공간(c)에서 다시한번 균일하게 혼합된 후, 제3분배판(130)의 직선형태의 제3관통홀(132)들을 통해 공정챔버 내부의 프로세스 영역으로 공급된다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 그리고, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예들은 본 발명을 실시하는데 있어 최선의 상태를 설명하기 위한 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용 도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 공정챔버 내로 분사되는 이종의 반응가스를 다이아몬드 형태(마름모 형태)의 가스 유로를 따라 유니폼하게 제어됨으로써 가스분사장치 아래의 프로세스 영역에 고밀도의 균일한 플라즈마를 여기하는 것이 가능하여 에칭이나 성막시 공정 균일성을 높일 수 있다. 그 뿐만 아니라, 챔버내 발생된 플라즈마에 의해 노출되어 손상되는 제3분배판을 쉽게 교체할 수 있기 때문에 장비의 메인터너스maintenance)성을 향상시킬 수 있다.

Claims (11)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 공정챔버내의 프로세스 영역으로 반응가스를 공급하기 위한 플라즈마 처리 장치의 가스분사장치에 있어서:
    외부로부터 공급되는 상기 반응가스가 유입되는 가스 유입포트들을 갖는 상부판;
    상기 상부판 아래에 상기 상부판과 함께 제1버퍼공간을 형성하는 그리고 복수의 제1관통홀들이 형성된 제1분배판;
    상기 제1분배판 아래에 상기 제1분배판과 함께 제2버퍼공간을 형성하는 그리고 복수의 제2관통홀들이 형성된 제2분배판;
    상기 제2분배판 아래에 상기 제2분배판과 함께 제3버퍼공간을 형성하는 그리고 상기 복수의 제3관통홀들이 형성되며 상기 프로세스 영역과 대면하는 제3분배판을 포함하되;
    상기 제1관통홀들 각각은 경사진 가스통로로 이루어지되, 서로 이웃하는 상기 제1관통홀들은 서로 대칭되게 이루어지며,
    상기 제2관통홀들 각각은 경사진 가스통로로 이루어지되, 서로 이웃하는 상기 제2관통홀들은 서로 대칭되게 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치의 가스분사장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제1관통홀들과 상기 제2관통홀들은 상기 제2버퍼공간을 중심으로 서로 면대칭되게 형성됨으로써, 상기 반응가스는 상기 제1관통홀들과 제2버퍼공간 그리고 제2관통홀들에 의한 마름모 형태의 가스통로를 거치면서 균일한 혼합이 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치의 가스분사장치.
  6. 공정챔버내의 프로세스 영역으로 반응가스를 공급하기 위한 플라즈마 처리 장치의 가스분사장치에 있어서:
    외부로부터 공급되는 상기 반응가스가 유입되는 가스 유입포트들을 갖는 상부판;
    상기 상부판 아래에 상기 상부판과 함께 제1버퍼공간을 형성하는 그리고 복수의 제1관통홀들이 형성된 제1분배판;
    상기 제1분배판 아래에 상기 제1분배판과 함께 제2버퍼공간을 형성하는 그리고 복수의 제2관통홀들이 형성된 제2분배판;
    상기 제2분배판 아래에 상기 제2분배판과 함께 제3버퍼공간을 형성하는 그리고 상기 복수의 제3관통홀들이 형성되며 상기 프로세스 영역과 대면하는 제3분배판을 포함하되;
    상기 제1관통홀들과 상기 제2관통홀들은 서로 이웃하는 2개의 관통홀들이 한 쌍으로 이루어지며,
    한 쌍의 상기 제1관통홀들은 상기 반응가스가 퍼지도록 바깥쪽으로 경사지게 형성되고, 한 쌍의 상기 제2관통홀들은 상기 반응가스가 모아지도록 안쪽으로 경사지게 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치의 가스분사장치.
  7. 공정챔버내의 프로세스 영역으로 반응가스를 공급하기 위한 플라즈마 처리 장치의 가스분사장치에 있어서:
    외부로부터 공급되는 상기 반응가스가 유입되는 가스 유입포트들을 갖는 상부판;
    상기 상부판 아래에 상기 상부판과 함께 제1버퍼공간을 형성하는 그리고 복수의 제1관통홀들이 형성된 제1분배판;
    상기 제1분배판 아래에 상기 제1분배판과 함께 제2버퍼공간을 형성하는 그리고 복수의 제2관통홀들이 형성된 제2분배판;
    상기 제2분배판 아래에 상기 제2분배판과 함께 제3버퍼공간을 형성하는 그리고 상기 복수의 제3관통홀들이 형성되며 상기 프로세스 영역과 대면하는 제3분배판을 포함하되;
    상기 상부판은 상기 제1버퍼공간의 중앙 영역과 가장자리 영역내로 상기 반응가스를 공급하는 중앙홀들과 가장자리홀들을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치의 가스분사장치.
  8. 공정챔버내의 프로세스 영역으로 반응가스를 공급하기 위한 플라즈마 처리 장치의 가스분사장치에 있어서:
    외부로부터 공급되는 상기 반응가스가 유입되는 가스 유입포트들을 갖는 상부판;
    상기 상부판 아래에 상기 상부판과 함께 제1버퍼공간을 형성하는 그리고 복수의 제1관통홀들이 형성된 제1분배판;
    상기 제1분배판 아래에 상기 제1분배판과 함께 제2버퍼공간을 형성하는 그리고 복수의 제2관통홀들이 형성된 제2분배판;
    상기 제2분배판 아래에 상기 제2분배판과 함께 제3버퍼공간을 형성하는 그리고 상기 복수의 제3관통홀들이 형성되며 상기 프로세스 영역과 대면하는 제3분배판을 포함하되;
    상기 상부판은 가장자리 둘레에 형성되는 그리고 외부로부터 반응가스가 유입되는 환형의 유입공간을 가지며, 상기 가장자리홀들은 상기 유입공간과 상기 제1버퍼공간 사이의 개구들인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치의 가스분사장치.
  9. 공정챔버내의 프로세스 영역으로 반응가스를 공급하기 위한 플라즈마 처리 장치의 가스분사장치에 있어서:
    외부로부터 공급되는 상기 반응가스가 유입되는 가스 유입포트들을 갖는 상부판;
    상기 상부판 아래에 상기 상부판과 함께 제1버퍼공간을 형성하는 그리고 복수의 제1관통홀들이 형성된 제1분배판;
    상기 제1분배판 아래에 상기 제1분배판과 함께 제2버퍼공간을 형성하는 그리고 복수의 제2관통홀들이 형성된 제2분배판;
    상기 제2분배판 아래에 상기 제2분배판과 함께 제3버퍼공간을 형성하는 그리고 상기 복수의 제3관통홀들이 형성되며 상기 프로세스 영역과 대면하는 제3분배판을 포함하되;
    상기 제1,2,3분배판은 플라즈마 및 반응가스에 강한 티타늄 합금 소재로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치의 가스분사장치.
  10. 공정챔버내의 프로세스 영역으로 반응가스를 공급하기 위한 플라즈마 처리 장치의 가스분사장치에 있어서:
    외부로부터 공급되는 상기 반응가스가 유입되는 가스 유입포트들을 갖는 상부판;
    상기 상부판 아래에 상기 상부판과 함께 제1버퍼공간을 형성하는 그리고 복수의 제1관통홀들이 형성된 제1분배판;
    상기 제1분배판 아래에 상기 제1분배판과 함께 제2버퍼공간을 형성하는 그리고 복수의 제2관통홀들이 형성된 제2분배판;
    상기 제2분배판 아래에 상기 제2분배판과 함께 제3버퍼공간을 형성하는 그리고 상기 복수의 제3관통홀들이 형성되며 상기 프로세스 영역과 대면하는 제3분배판; 및
    상기 상부판과, 제1,2,3분배판의 단부를 고정하면서 상기 공정챔버의 상부에 고정되는 외부링을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치의 가스분사장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제3분배판은 상기 외부링으로부터 탈부착 되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치의 가스분사장치.
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