KR100659847B1 - A defocus improvement device of semeconductor pattern process - Google Patents

A defocus improvement device of semeconductor pattern process Download PDF

Info

Publication number
KR100659847B1
KR100659847B1 KR1020050130026A KR20050130026A KR100659847B1 KR 100659847 B1 KR100659847 B1 KR 100659847B1 KR 1020050130026 A KR1020050130026 A KR 1020050130026A KR 20050130026 A KR20050130026 A KR 20050130026A KR 100659847 B1 KR100659847 B1 KR 100659847B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
defocus
chuck
pattern process
semiconductor pattern
Prior art date
Application number
KR1020050130026A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
오민재
Original Assignee
동부일렉트로닉스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 동부일렉트로닉스 주식회사 filed Critical 동부일렉트로닉스 주식회사
Priority to KR1020050130026A priority Critical patent/KR100659847B1/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100659847B1 publication Critical patent/KR100659847B1/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
    • G03F9/7026—Focusing
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

A defocus improving apparatus in a semiconductor pattern process is provided to prevent the generation of semiconductor pattern failure by supporting horizontally a wafer regardless of the existence of particles using a plurality of movable pin members. A defocus improving apparatus in a semiconductor pattern process includes a chuck and a plurality of movable pin members. The chuck(10) is used for loading a wafer(1). The chuck has a flat upper surface. The plurality of movable pin members(20) are fixed to the chuck in order to support horizontally the wafer regardless of the existence of particles(2) on a rear surface of the wafer.

Description

반도체 패턴공정의 디포커스 개선 장치{A defocus improvement device of semeconductor pattern process}A defocus improvement device of semeconductor pattern process

도 1은 종래의 반도체 패턴공정 중 도포 단계에서 웨이퍼를 지지하고 있는 상태를 도시한 도면.1 is a view showing a state of supporting a wafer in a coating step of a conventional semiconductor pattern process.

도 2는 종래의 반도체 패턴공정 중 도포 단계에서 웨이퍼 내에 단차가 발생된 상태를 보인 도면.2 is a view illustrating a step in which a step is generated in a wafer in a coating step of a conventional semiconductor pattern process;

도 3은 본 발명에 따른 반도체 패턴공정의 디포커스 개선 장치를 도시한 도면.3 is a diagram illustrating a defocus improving apparatus of a semiconductor pattern process according to the present invention;

도 4는 반도체 패턴공정의 디포커스 개선 장치에 있어서, 웨이퍼를 지지하는 유동 핀부재를 도시한 단면도.4 is a cross-sectional view showing a flow fin member for supporting a wafer in the defocus improving apparatus of the semiconductor pattern process.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *

1: 웨이퍼 2: 미립자1: wafer 2: fine particles

10:척 20: 유동 핀부재10: Chuck 20: floating pin member

22: 유체 수용함 24: 가로막22: fluid container 24: diaphragm

26: 유동 핀 28: 센서26: floating pin 28: sensor

본 발명은 반도체 패턴공정의 디포커스 개선 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 패턴공정의 포토 공정 중 도포 단계에서 웨이퍼 뒷면에 부착된 미립자에 의해 발생될 수 있는 단차를 없애 패턴 불량에 따른 디포커스를 개선하기 위한 반도체 패턴공정의 디포커스 개선 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for improving defocus of a semiconductor pattern process, and more particularly, to defocus due to a defective pattern by removing a step that may be generated by fine particles adhered to the back surface of a wafer in an application step during a photo process of a semiconductor pattern process. It relates to a defocus improving apparatus of a semiconductor pattern process to improve the.

일반적으로, 반도체 제조공정 중 패턴공정은 웨이퍼에 미세 회로를 만들기 위한 공정이다.In general, the pattern process in the semiconductor manufacturing process is a process for making a fine circuit on the wafer.

따라서, 상기 웨이퍼에 미세 회로를 만들기 위해서, 먼저 포토레지스트 코팅장비를 이용하여 웨이퍼 표면에 포토레지스트(Photo-resist)를 코팅하고, 그 후 노광(Exposure) 단계인 도포 단계를 이행한다.Therefore, in order to make a fine circuit on the wafer, first, a photoresist is coated on the surface of the wafer using a photoresist coating equipment, and then an application step, which is an exposure step, is performed.

상기 도포 단계에서는, 도 1에 도시된 바와 같이, 먼저 웨이퍼(1)를 평탄한 척(Chuck, 10)에 올려놓은 후, 웨이퍼(1)를 고정시키기 위해 진공 상태를 유지하여 웨이퍼(1)를 고정시키고, 그 다음에 미세 회로를 그려 놓은 포토 마스크(photo mask)를 코팅된 포토레지스트 위에 놓고 빛을 쪼여서 감광물질을 반응시키고, 그 후 현상 단계를 거쳐 미세 회로를 만든다.In the applying step, as shown in FIG. 1, the wafer 1 is first placed on a flat chuck 10, and then the wafer 1 is fixed by maintaining a vacuum state to fix the wafer 1. Then, a photo mask on which the microcircuits are drawn is placed on the coated photoresist and the light is reacted to react with the photosensitive material. Then, a microcircuit is formed through a developing step.

그러나, 상기의 도포 단계에서는 척(10)의 평활 상태와 웨이퍼(1) 내의 미립자에 의해 단차가 생기게 되는 데, 이로 인하여 쇼트(shot) 내의 단차가 높고 낮은 지역간에 미세 회로가 정확하게 형성되지 않고 디포커스(Defocus)가 발생되기 때문에, 이후 공정에서 모든 공정이 정확히 진행 완료된다 하더라도 칩(chip)이 동작되지 않은 경우가 종종 발생하게 된다.However, in the above coating step, a step is caused by the smooth state of the chuck 10 and the fine particles in the wafer 1, so that a fine circuit is not accurately formed between the high and low areas in the shot. Since defocus is generated, even when all processes are correctly completed in a subsequent process, a chip often does not operate.

상기와 같은 웨이퍼(1) 내에서 단차를 유발시키는 원인은 여러 가지가 있는데, 그 중에서, 도 2에 도시된 바와 같이, 도포 단계에서 웨이퍼(1) 뒷면에 미세먼지와 같은 미립자(2)가 부착되어 있으면 웨이퍼(1)를 지지하는 척(10)의 고정 핀이 미립자(2)에 의해 웨이퍼 내 단차가 발생하게 된다There are a number of causes of the step in the wafer 1 as described above, among them, as shown in Figure 2, the fine particles (2), such as fine dust is attached to the back of the wafer 1 in the coating step If there is, the fixing pin of the chuck 10 for supporting the wafer 1 causes the step in the wafer due to the fine particles 2.

이로 인하여, 도포 단계에서 패턴 불량의 디포커스 현상이 발생되는 문제점이 유발된다.As a result, a problem arises in that a defocus phenomenon of a pattern defect occurs in an application step.

상기한 바와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은, 반도체 패턴공정의 포토 공정 중 도포 단계에서 웨이퍼 뒷면에 부착된 미립자에 의해 발생될 수 있는 단차를 없애 패턴 불량에 따른 디포커스를 개선하기 위한 반도체 패턴공정의 디포커스 개선 장치를 제공하는 데에 있다.An object of the present invention for solving the above problems is to improve the defocus due to a pattern defect by eliminating the step that may be caused by the fine particles attached to the back of the wafer in the application step during the photo process of the semiconductor pattern process An object of the present invention is to provide an apparatus for improving defocus of a semiconductor pattern process.

상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 실시예는, 반도체 포토 공정 중 도포 단계에서 웨이퍼의 디포커스를 개선하기 위한 반도체 패턴공정의 디포커스 개선 장치에 있어서, 웨이퍼가 단차 없이 수평으로 올려질 수 있도록 평탄하게 이루어진 척; 및 상기 척에 고정되어서 웨이퍼를 수평으로 지지하는 유동 핀부재;를 포함하는 것을 특징으로 한다.Embodiments according to the present invention for achieving the above object, in the defocus improving device of the semiconductor pattern process for improving the defocus of the wafer in the coating step of the semiconductor photo process, the wafer is raised horizontally without step A chuck made flat so as to lose weight; And a floating pin member fixed to the chuck to horizontally support the wafer.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 유동 핀부재는, 유압을 형성하기 위해 유체를 수용하는 유체 수용함과, 상기 유체 수용함 내부에 설치되되 외부의 힘에 의해 상하 이동되게 설치되는 가로막과, 상기 유체 수용함의 상부에서 입출가능하도 록 상기 가로막의 상부에 설치되어서 상기 웨이퍼를 지지하는 유동 핀을 포함하는 것을 특징으로 한다.According to an embodiment of the present invention, the flow pin member is a fluid container for receiving a fluid to form a hydraulic pressure, and the diaphragm is installed in the fluid container but is moved up and down by an external force, and And a flow pin installed above the diaphragm to support the wafer so that the fluid can be extracted from the upper portion of the fluid container.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 유동 핀부재는, 유체 수용함 내의 유압을 조절하기 위한 센서를 추가로 포함한다.According to an embodiment of the invention, the flow fin member further comprises a sensor for adjusting the hydraulic pressure in the fluid reservoir.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 유동 핀은 유체 수용함 및 가로막의 중앙부에 설치되게 한다.According to an embodiment of the invention, the flow pin is adapted to be installed in the center of the fluid reservoir and the diaphragm.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 유체는 오일인 것이 바람직하다.According to an embodiment of the invention, the fluid is preferably oil.

이하, 본 발명에 따른 반도체 패턴공정의 디포커스 개선 장치에 대한 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.Hereinafter, a preferred embodiment of a defocus improving apparatus of a semiconductor pattern process according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명에 따른 반도체 패턴공정의 디포커스 개선 장치를 도시한 도면이며, 도 4는 반도체 패턴공정의 디포커스 개선 장치에 있어서, 웨이퍼를 지지하는 유동 핀부재를 도시한 단면도이다.3 is a diagram illustrating a defocus improving apparatus of a semiconductor pattern process according to the present invention, and FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a moving fin member supporting a wafer in the defocus improving apparatus of a semiconductor pattern process.

반도체 웨이퍼에 미세 회로를 그려 놓기 위한 포토 공정 중 도포 단계에서 웨이퍼를 지지하는 척의 핀을 조절함으로써 단차를 제거하여 디포커스를 개선하기 위한 본 발명에 따른 반도체 패턴공정의 디포커스 개선 장치는, 도 3에 도시된 바와 같이, 척(10)에 고정되어서 웨이퍼(1)를 지지하는 종래의 고정 핀과는 다르게 웨이퍼(1) 뒷면에 미립자(2)가 부착되면 도포 단계에서 상하로 유동가능하게 작동하는 핀을 장착한다.Defocus improving apparatus of the semiconductor pattern process according to the present invention for removing the step to improve the defocus by adjusting the pin of the chuck supporting the wafer in the coating step of the photo process for drawing the fine circuit on the semiconductor wafer, Figure 3 As shown in FIG. 2, unlike the conventional fixing pins fixed to the chuck 10 to support the wafer 1, when the fine particles 2 are attached to the back surface of the wafer 1, they are movable up and down in the application step. Install the pin.

즉, 상기 웨이퍼(1) 내의 단차를 제거하여 디포커스를 개선하기 위한 장치에 있어서는, 척(10)과 상기 척(10)에 고정되게 설치되지만 상하로 이동이 가능한 유 동 핀부재(20)를 구성한다.That is, in the apparatus for improving the defocus by removing the step in the wafer 1, the floating pin member 20 is fixed to the chuck 10 and the chuck 10 but is movable up and down. Configure.

여기서, 상기 척(10)은 그 위에 웨이퍼(1)가 올려질 때 단차 없이 수평으로 올려질 수 있도록 평탄하게 이루어지게 한다.Here, the chuck 10 is made flat so that it can be raised horizontally without a step when the wafer 1 is placed thereon.

상기 유동 핀부재(20)는 척(10)에 고정되어서 웨이퍼(1)를 수평으로 지지하되 외력에 의해 상하 작동 가능하도록 설치된다.The floating pin member 20 is fixed to the chuck 10 to support the wafer 1 horizontally, but is installed to be able to be operated up and down by an external force.

상기와 같이 상하로 작동할 수 있게 설치되는 유동 핀부재(20)는, 도 4에 도시된 바와 같이, 유압을 형성하기 위해 유체를 수용하는 유체 수용함(22)과, 상기 유체 수용함(22) 내부에 설치되되 외부의 힘에 의해 상하 이동되게 설치되는 가로막(24)과, 상기 유체 수용함(22)의 상부에서 입출가능하도록 가로막(24)의 상부에 설치되어서 웨이퍼(1)를 지지하는 유동 핀(26)으로 이루어진다.As shown in FIG. 4, the flow pin member 20 installed to be able to operate up and down as described above includes a fluid container 22 for receiving fluid to form hydraulic pressure, and the fluid container 22. Installed on the inside of the diaphragm 24 so as to be moved up and down by an external force, and installed on the diaphragm 24 so as to be accessible from the upper portion of the fluid container 22 to support the wafer 1. It consists of a floating pin 26.

또한, 상기 유동 핀부재(20)는, 유체 수용함(22) 내부의 유압을 적절하게 제어할 수 있도록 하기 위한 센서(28)를 추가로 포함한다.In addition, the flow pin member 20 further includes a sensor 28 to enable appropriate control of the hydraulic pressure inside the fluid reservoir 22.

여기서, 상기 유동 핀(26)은 가로막(4)에 의한 균일한 유압을 받을 수 있고 수직 상하 이동을 할 수 있도록 하기 위하여 유체 수용함(22) 및 가로막(24)의 중앙부에 설치되는 것이 바람직하다.Here, the flow pin 26 is preferably installed in the center of the fluid container 22 and the diaphragm 24 in order to receive a uniform hydraulic pressure by the diaphragm 4 and to enable vertical vertical movement. .

상기 유체 수용함(22) 내부에 수용되는 유체는 가로막(24)과 유동 핀(26)의 상하 이동이 세밀하게 제어될 수 있도록 하기 위하여 오일이 사용되는 것이 바람직하다.The fluid contained in the fluid container 22 is preferably used for oil so that the vertical movement of the diaphragm 24 and the flow pin 26 can be finely controlled.

상기의 유동 핀부재(20)의 작동상태를 살펴보면, 유동 핀(26)과 결합되는 가로막(24) 하부에 유체를 주입하여 유체 수용함(22) 내에서 일정한 유압이 유지되게 한다. Looking at the operating state of the flow pin member 20, the fluid is injected into the lower portion of the diaphragm 24 coupled to the flow pin 26 to maintain a constant hydraulic pressure in the fluid container (22).

따라서, 만약 웨이퍼(1) 뒷면에 미세 먼지와 같은 미립자(2)가 부착되고, 도포 과정 중 웨이퍼(1)를 고정시키는 척(10)에서 베큠(vacuum) 상태로 유지하면 미립자(2)가 부착된 유동 핀(26)의 부위는 미립자(2)가 부착되지 않은 부위보다 많은 힘이 가해지기 때문에 유동 핀(26)에 가해진 힘만큼 아래 방향으로 움직여서 웨이퍼(1) 내 단차 발생을 억제하게 되는 것이다.Therefore, if the fine particles 2 such as fine dust adhere to the back surface of the wafer 1, and the fine particles 2 adhere to the chuck 10 holding the wafer 1 during the coating process, the fine particles 2 adhere. Since more force is applied to the portion of the flow pin 26 to which the fine particles 2 are not attached, the portion of the flow pin 26 moves downward by the force applied to the flow pin 26 to suppress the generation of steps in the wafer 1. .

따라서, 상기한 바와 같이 웨이퍼(1)를 지지하는 척(10)의 핀을 고정 핀이 아닌 유동 핀(26)을 사용함으로써 웨이퍼(1) 뒷면에 미세먼지와 같은 미립자(2)가 부착되었을 경우에 미립자(2)의 크기 만큼 유동 핀(26)이 아래로 움직여 웨이퍼(1) 내 단차 발생을 억제하고, 그 단차로 인하여 발생될 수 있는 패턴 불량의 디포커스를 방지한다.Therefore, when the fine particles 2 such as fine dust adhere to the back surface of the wafer 1 by using the floating pin 26 instead of the fixing pin, the pin of the chuck 10 supporting the wafer 1 as described above. The flow pins 26 are moved downward by the size of the fine particles 2 to suppress the generation of steps in the wafer 1 and to prevent defocusing of pattern defects that may occur due to the steps.

이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 또한 설명하였으나, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않으며, 특허청구범위에서 청구된 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변경은 기재된 청구범위 내에 있게 된다.Although the above has been shown and described with respect to the preferred embodiments of the present invention, the present invention is not limited to the above-described embodiment, in the technical field to which the present invention pertains without departing from the spirit of the invention as claimed in the claims. Various modifications can be made by those skilled in the art, and such changes will fall within the scope of the claims set forth.

상기한 바와 같은 본 발명에 따른 반도체 패턴공정의 디포커스 개선 장치를 이용하면, 반도체 패턴공정의 도포 공정 중 웨이퍼 뒷면에 미립자가 부착되었을 경우에도 척의 유동 핀에 의해 웨이퍼 내에서 단차가 발생되지 않아 패턴 불량이 방 지되는 효과를 얻을 수 있다.When the defocus improving apparatus of the semiconductor pattern process according to the present invention as described above is used, even when fine particles adhere to the back surface of the wafer during the coating process of the semiconductor pattern process, a step is not generated in the wafer by the flow pin of the chuck. The effect of preventing defects can be obtained.

Claims (5)

반도체 포토 공정 중 도포 단계에서 웨이퍼의 디포커스를 개선하기 위한 반도체 패턴공정의 디포커스 개선 장치에 있어서,In the defocus improving apparatus of the semiconductor pattern process for improving the defocus of the wafer in the coating step of the semiconductor photo process, 웨이퍼(1)가 단차 없이 수평으로 올려질 수 있도록 평탄하게 이루어진 척(10); 및 A chuck 10 made flat so that the wafer 1 can be raised horizontally without a step; And 상기 척(10)에 고정되어 웨이퍼(1)를 수평으로 지지하는 유동 핀부재(20);를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패턴공정의 디포커스 개선 장치.And a floating fin member (20) fixed to the chuck (10) to horizontally support the wafer (1). 제1항에 있어서, 상기 유동 핀부재(20)는,The method of claim 1, wherein the floating pin member 20, 유압을 형성하기 위해 유체를 수용하는 유체 수용함(22)과,A fluid container 22 for receiving fluid to create hydraulic pressure, 상기 유체 수용함(22) 내부에 설치되되 외부의 힘에 의해 상하 이동되게 설치되는 가로막(24)과,A diaphragm 24 installed inside the fluid container 22 and installed up and down by an external force; 상기 유체 수용함(22)의 상부에서 입출가능하도록 상기 가로막(24)의 상부에 설치되어서 상기 웨이퍼(1)를 지지하는 유동 핀(26)을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패턴공정의 디포커스 개선 장치.Defocus improvement of the semiconductor pattern process, characterized in that it comprises a flow pin 26 is installed on top of the diaphragm 24 to be able to enter and exit from the fluid container 22 to support the wafer (1) Device. 제2항에 있어서, 상기 유동 핀부재(20)는, 유체 수용함(22) 내의 유압을 조절하기 위한 센서(28)를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패턴공정의 디포커스 개선 장치.The apparatus of claim 2, wherein the flow pin member (20) further comprises a sensor (28) for adjusting the hydraulic pressure in the fluid container (22). 제2항에 있어서, 상기 유동 핀(26)은 유체 수용함(22) 및 가로막(24)의 중앙부에 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체 패턴공정의 디포커스 개선 장치.The apparatus of claim 2, wherein the flow pin (26) is disposed at the center of the fluid container (22) and the diaphragm (24). 제2항에 있어서, 상기 유체는 오일인 것을 특징으로 하는 반도체 패턴공정의 디포커스 개선 장치.3. The apparatus for defocus improving a semiconductor pattern process according to claim 2, wherein the fluid is oil.
KR1020050130026A 2005-12-26 2005-12-26 A defocus improvement device of semeconductor pattern process KR100659847B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050130026A KR100659847B1 (en) 2005-12-26 2005-12-26 A defocus improvement device of semeconductor pattern process

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050130026A KR100659847B1 (en) 2005-12-26 2005-12-26 A defocus improvement device of semeconductor pattern process

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100659847B1 true KR100659847B1 (en) 2006-12-19

Family

ID=37815046

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050130026A KR100659847B1 (en) 2005-12-26 2005-12-26 A defocus improvement device of semeconductor pattern process

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100659847B1 (en)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR0167266B1 (en) * 1995-11-22 1999-01-15 문정환 Device for adjusting a level of edge exposure apparatus
KR20010001298U (en) * 1999-06-28 2001-01-15 김영환 An levelling apparatus
KR20050005887A (en) * 2003-07-07 2005-01-15 삼성전자주식회사 Apapratus for horizontal measurement of wafer chuck

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR0167266B1 (en) * 1995-11-22 1999-01-15 문정환 Device for adjusting a level of edge exposure apparatus
KR20010001298U (en) * 1999-06-28 2001-01-15 김영환 An levelling apparatus
KR20050005887A (en) * 2003-07-07 2005-01-15 삼성전자주식회사 Apapratus for horizontal measurement of wafer chuck

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5923408A (en) Substrate holding system and exposure apparatus using the same
KR101357506B1 (en) Imprinting method, computer storage medium, and imprinting device
JP2023029858A (en) Multi-substrate processing on digital lithography system
US8338262B2 (en) Dual wavelength exposure method and system for semiconductor device manufacturing
JP2022544905A (en) Substrate holder, lithographic apparatus and method
TW201721291A (en) A substrate holder, a lithographic apparatus and method of manufacturing devices
KR101000944B1 (en) Unit for providing chemical liquid, apparatus and method for treating substrate using the same
KR101084620B1 (en) Proximity exposure apparatus, method of delivering a mask thereof and method of manufacturing a panel substrate
JP2003051535A (en) Wafer holder, aligner and device production method
KR100659847B1 (en) A defocus improvement device of semeconductor pattern process
US11462404B2 (en) Imprint apparatus and method of manufacturing article
US20210364930A1 (en) Semiconductor lithography system and/or method
KR20040003966A (en) apparatus for exposing of semiconductor process and method for exposing the utilizing thereof
US7646470B2 (en) Immersion lithographic process using a variable scan speed
JP2007207996A (en) Substrate holding device
US20210362399A1 (en) Imprint method and method for manufacturing article
US11921430B2 (en) Semiconductor lithography system and/or method
KR101170759B1 (en) Method for treating substrate
KR100776497B1 (en) Apparatus for supporting substrate and method for preventing defocus
KR100726610B1 (en) Exposure apparatus and method thereof
JP4855857B2 (en) Exposure equipment
KR101052378B1 (en) Semiconductor exposure apparatus with air holder and method thereof
KR20010108666A (en) Stepper unit of photolithography apparatus
KR20060129772A (en) Reticle arm and exposure apparatus having the same
KR20050112910A (en) Wafer edge exposure system and method

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee