KR100726610B1 - Exposure apparatus and method thereof - Google Patents

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Abstract

An exposure apparatus and an exposing method using the same are provided to prevent defocus at an edge of a wafer by removing difference in reflectivity between the inside and the edge of the wafer upon exposure. The exposure apparatus includes a light source; a wafer stage for supporting a wafer(100); a reticle which is arranged between the light source and the wafer stage such that the light from the light source is transferred in a form of a predetermined pattern into the wafer on the wafer stage; and an edge exposure supporter(321,322) which is arranged to envelop an edge of the wafer when exposing the edge of the wafer. Preferably, the edge exposure supporter(321,322) is made of a polymeric material and has a reflectivity similar to that at the edge of the wafer.

Description

노광장치 및 노광방법{Exposure apparatus and method thereof}Exposure apparatus and method

도 1은 일반적인 노광장치를 개략적으로 나타내 보인 도면이다.1 is a view schematically showing a general exposure apparatus.

도 2는 도 1의 노광장치를 사용한 웨이퍼 가장자리에 대한 노광을 설명하기 위하여 나타내 보인 도면이다.FIG. 2 is a view illustrating exposure of a wafer edge using the exposure apparatus of FIG. 1.

도 3 내지 도 5는 본 발명에 따른 노광장치 및 노광방법을 설명하기 위하여 나타내 보인 도면들이다.3 to 5 are views for explaining the exposure apparatus and the exposure method according to the present invention.

본 발명은 반도체소자 제조를 위한 노광장치 및 노광방법에 관한 것으로서, 특히 웨이퍼 가장자리에서의 디포커스 방지를 위한 노광장치 및 노광방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an exposure apparatus and an exposure method for manufacturing a semiconductor device, and more particularly, to an exposure apparatus and an exposure method for preventing defocus at a wafer edge.

도 1은 일반적인 노광장치를 개략적으로 나타내 보인 도면이다.1 is a view schematically showing a general exposure apparatus.

도 1을 참조하면, 웨이퍼(100)는 웨이퍼스테이지(wafer stage)(210) 위에 안착된다. 정확한 노광이 이루어지기 위해서는, 웨이퍼(100)가 웨이퍼스테이지(210)상에 정확하게 정렬된 상태로 안착되어야 한다. 따라서 웨이퍼(100)의 정렬을 위해 웨이퍼(100)상에는 정렬마크(120)가 형성되어 있으며, 이 정렬마크(120)를 이용하 여 웨이퍼(100)를 웨이퍼스테이지(210)상에 정확하게 정렬시킨다. 구체적으로 웨이퍼스테이지(210)로부터 일정간격 이격되도록 배치되는 레이저(220)로부터 발생되는 레이저가 제1, 제2 및 제3 미러(231, 232, 233)로 구성되는 렌즈부(230)를 통해 웨이퍼(100)상의 정렬마크(120)의 위치를 검출하여, 각각 x방향, y방향 및 z방향으로 웨이퍼(100)가 정렬되도록 한다. 웨이퍼(100)에 대한 정렬이 이루어진 후에는, 광원(미도시)으로부터 발생되는 광(240)이 전사하고자 하는 패턴을 구비한 레티클(미도시)을 통과하여 웨이퍼(100)의 이미지필드(image field)(110)로 조사된다. 비록 도면에 나타내지는 않았지만, 웨이퍼(100) 위에는 포토레지스트막이 도포되어 있다는 것은 당연하다.Referring to FIG. 1, the wafer 100 is seated on a wafer stage 210. In order to achieve accurate exposure, the wafer 100 must be seated on the wafer stage 210 in a precisely aligned state. Therefore, an alignment mark 120 is formed on the wafer 100 to align the wafer 100, and the alignment mark 120 is used to accurately align the wafer 100 on the wafer stage 210. Specifically, the laser generated from the laser 220 disposed to be spaced apart from the wafer stage 210 by a predetermined distance is disposed through the lens unit 230 including the first, second, and third mirrors 231, 232, and 233. The position of the alignment mark 120 on the 100 is detected so that the wafer 100 is aligned in the x, y and z directions, respectively. After alignment with the wafer 100 is made, the light 240 generated from the light source (not shown) passes through a reticle (not shown) having a pattern to be transferred to an image field of the wafer 100. (110). Although not shown in the drawings, it is obvious that a photoresist film is applied on the wafer 100.

도 2는 도 1의 노광장치를 사용한 웨이퍼 가장자리에 대한 노광을 설명하기 위하여 나타내 보인 도면이다.FIG. 2 is a view illustrating exposure of a wafer edge using the exposure apparatus of FIG. 1.

도 2를 참조하면, 광원으로부터 출사되어 레티클을 통과한 광(도 1의 240)이 웨이퍼스테이지(210) 위에서 정렬되어 안착되는 웨이퍼(100) 표면을 조사함에 따라 노광이 이루어진다. 이때 광(240)이 조사되는 샷(shot)이 웨이퍼(100)의 안쪽과 가장자리에 걸쳐서 이루어질 수 있는데, 웨이퍼(100) 안쪽에서 이루어지는 제1 샷(130)과 웨이퍼(100) 가장자리에서 이루어지는 제2 샷(140) 사이에는 편차가 발생할 수 있다. 이와 같은 편차는 웨이퍼(100)의 안쪽과 가장자리에서의 반사율의 차이 등의 원인에 의해 발생한다. 즉 반사율의 차이로 인하여 노광에너지 구배가 발생하고, 이 노광에너지 구배에 의해 패턴의 프로파일 및 임계치수(CD; Critical Dimension) 편차가 발생되며, 웨이퍼(100) 가장자리에서의 디포커스(defocus)현상 이 발생되기도 한다.Referring to FIG. 2, an exposure is performed as light (240 of FIG. 1) emitted from a light source and passed through a reticle is irradiated on the wafer 100 surface aligned and seated on the wafer stage 210. At this time, the shot (240) to which the light 240 is irradiated may be made over the inside and the edge of the wafer 100, the first shot 130 made inside the wafer 100 and the second shot made at the edge of the wafer 100 Deviation may occur between shots 140. Such deviation occurs due to a difference in reflectance between the inside and the edge of the wafer 100. That is, the exposure energy gradient occurs due to the difference in reflectance, and the profile and critical dimension (CD) deviation of the pattern are generated by the exposure energy gradient, and the defocus phenomenon at the edge of the wafer 100 is reduced. It can also occur.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 웨이퍼의 안쪽과 가장자리에 대한 노광시 반사율의 차이가 존재하지 않도록 하여 웨이퍼 가장자리에서의 디포커스가 방지되도록 하는 노광장치를 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide an exposure apparatus which prevents defocus at the edge of a wafer so that there is no difference in reflectance during exposure to the inside and the edge of the wafer.

본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는, 상기와 같이 웨이퍼 가장자리에서의 디포커스가 방지되도록 하는 노광방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide an exposure method for preventing defocus at the wafer edge as described above.

상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 노광장치는, 광원; 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼스테이지; 상기 광원과 웨이퍼스테이지 사이에 배치되어 상기 광원으로부터의 광을 상기 웨이퍼스테이지상의 웨이퍼에 일정패턴형태로 전사되도록 하는 레티클; 및 상기 웨이퍼 가장자리에 대한 노광시 상기 웨이퍼 가장자리를 둘러싸도록 배치되는 가장자리 노광 서포터를 구비하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above technical problem, an exposure apparatus according to the present invention, a light source; A wafer stage for supporting a wafer; A reticle disposed between the light source and the wafer stage to transfer light from the light source to a wafer on the wafer stage in a predetermined pattern; And an edge exposure supporter disposed to surround the wafer edge during exposure to the wafer edge.

상기 가장자리 노광 서포터는 폴리머 재질로 이루어질 수 있다.The edge exposure supporter may be made of a polymer material.

이 경우, 상기 폴리머 재질의 가장자리 노광 서포터는 상기 웨이퍼 가장자리에서의 반사율과 유사한 반사율을 갖는 것이 바람직하다.In this case, it is preferable that the edge exposure supporter of the polymer material has a reflectance similar to that of the wafer edge.

상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 노광방법은, 웨이퍼 가장자리에서의 디포커스 방지를 위한 노광방법에 있어서, 상기 웨이퍼와 유사한 반사율을 갖는 가장자리 노광 서포터를 상기 웨이퍼 가장자리를 둘러싸도록 배치한 상태에서 상기 웨이퍼 가장자리에 대한 노광을 수행하는 것을 특징으로 한 다.In order to achieve the above technical problem, the exposure method according to the present invention, in the exposure method for preventing defocus at the wafer edge, the edge exposure supporter having a similar reflectance to the wafer is arranged to surround the wafer edge It is characterized in that the exposure to the wafer edge in the state.

상기 가장자리 노광 서포터는 폴리머 재질로 이루어질 수 있다.The edge exposure supporter may be made of a polymer material.

이하 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명의 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어져서는 안된다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, embodiments of the present invention may be modified in many different forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited by the embodiments described below.

도 3 내지 도 5는 본 발명에 따른 노광장치 및 노광방법을 설명하기 위하여 나타내 보인 도면들이다.3 to 5 are views for explaining the exposure apparatus and the exposure method according to the present invention.

먼저 도 3에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(100)는 웨이퍼스테이지(310) 위에 정렬되며, 이 상태에서 웨이퍼(100)에 대한 노광이 이루어진다. 노광은 복수회에 걸친 노광 샷(shot)에 의해 이루어지는데, 노광 샷은 광원으로부터 발생된 광이 레티클을 통과하여 웨이퍼(100)상의 일정영역인 이미지필드에 조사되는 것을 의미한다. 본 실시예에서는 웨이퍼(100)의 안쪽에 대한 노광 샷을 제1 샷(430)이라 하고 웨이퍼(100)의 가장자리에 대한 노광 샷을 제2 샷(440)이라 하기로 한다. 웨이퍼(100)에 대한 제1 샷(430)을 수행한 후에는, 인접한 웨이퍼(100) 가장자리에 대한 제2 샷(440)이 수행된다. 제1 샷(430)의 경우, 웨이퍼(100) 안쪽에 대한 노광이 이루어지는 것이기 때문에, 노광이 이루어지는 부분과 주변 부분의 반사율 차이가 실질적으로 거의 존재하지 않는다. 따라서 제1 샷(430)이 이루어진 부분에서는 반사율 차이가 거의 존재하지 않으므로 에너지 구배 또한 발생되지 않는다.First, as shown in FIG. 3, the wafer 100 is aligned on the wafer stage 310, and exposure to the wafer 100 is performed in this state. Exposure is performed by a plurality of exposure shots, which means that light generated from a light source passes through a reticle and is irradiated to an image field, which is a predetermined region on the wafer 100. In the present exemplary embodiment, an exposure shot of the inside of the wafer 100 is called a first shot 430, and an exposure shot of an edge of the wafer 100 is called a second shot 440. After performing the first shot 430 on the wafer 100, a second shot 440 on the edge of the adjacent wafer 100 is performed. In the case of the first shot 430, since exposure to the inside of the wafer 100 is performed, there is substantially no difference in reflectance between the exposed portion and the peripheral portion. Therefore, since there is little difference in reflectance in the portion where the first shot 430 is formed, no energy gradient is generated.

그러나 앞서 언급한 바와 같이, 웨이퍼(100) 가장자리에 대한 제2 샷(440)의 경우, 주변의 웨이퍼스테이지(310)와의 반사율 차이로 인하여 에너지 구배가 발생될 수 있다. 따라서 도 4에 도시된 바와 같이, 제2 샷(440)을 수행하기 전에 가장자리 노광 서포터(edge exposure supporter)(321, 322)를 웨이퍼스테이지(310)상에서 웨이퍼(100)를 향해 둘러싸도록 배치시킨다. 구체적으로 웨이퍼(100)의 양 측면에 배치되어 있는 제1 가장자리 노광 서포터(321)와 제2 가장자리 노광 서포터(322)를, 도면에서 화살표로 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(100)를 향해 서서히 이동시킨다. 급격한 이동은 제1 가장자리 노광 서포터(321)와 제2 가장자리 노광 서포터(322)의 수직상 오정렬을 야기할 수 있으므로 자제하며, 따라서 오정렬을 야기하지 않을 정도의 속도로 서서히 이동시킨다.However, as mentioned above, in the case of the second shot 440 on the edge of the wafer 100, an energy gradient may be generated due to the difference in reflectance from the surrounding wafer stage 310. Therefore, as shown in FIG. 4, edge exposure supporters 321 and 322 are disposed on the wafer stage 310 to surround the wafer 100 before performing the second shot 440. Specifically, the first edge exposure supporter 321 and the second edge exposure supporter 322 disposed on both side surfaces of the wafer 100 are gradually moved toward the wafer 100, as indicated by arrows in the figure. The abrupt movement is restrained because it may cause vertical misalignment of the first edge exposure supporter 321 and the second edge exposure supporter 322, and thus moves slowly at a speed that does not cause misalignment.

이와 같은 이동에 의해, 도 5에 도시된 바와 같이, 제1 가장자리 노광 서포터(321) 및 제2 가장자리 노광 서포터(322)가 웨이퍼(100)의 양측면에 실질적으로 밀착되도록 배치시킨 후에 제2 샷(440)을 수행한다. 가장 바람직하게는 제1 가장자리 노광 서포터(321) 및 제2 가장자리 노광 서포터(322)가 웨이퍼(100)의 양 측면에 완전히 밀착되도록 하는 것이지만, 경우에 따라서 일정간격(d) 이격되도록 할 수도 있다. 그러나 이 경우에도 웨이퍼(100)와 가장자리 노광 서포터(321, 322) 사이의 간격(d)은, 에너지 손실이 최소화되도록 최대한 작게 한다.By this movement, as shown in FIG. 5, the second edge exposure supporter 321 and the second edge exposure supporter 322 are disposed to be in close contact with both sides of the wafer 100, and then the second shot ( 440). Most preferably, the first edge exposure supporter 321 and the second edge exposure supporter 322 may be in close contact with both sides of the wafer 100, but in some cases, the first edge exposure supporter 321 and the second edge exposure supporter 322 may be spaced apart. However, even in this case, the distance d between the wafer 100 and the edge exposure supporters 321 and 322 is made as small as possible so that energy loss is minimized.

가장자리 노광 서포터(321, 322)는 웨이퍼(100)와 반사율이 실질적으로 동일한 폴리머(polymer)로 이루어진다. 따라서 웨이퍼(100) 가장자리와 둘레에 배치되는 가장자리 노광 서포터(321, 322)의 반사율 차이는 거의 존재하지 않게 된다. 이 상태에서 웨이퍼(100) 가장자리에 대한 제2 샷(440)을 수행한다. 이 제2 샷(440)이 수행되는 과정에서, 웨이퍼(100) 가장자리에서의 반사율과 그 주변에서의 반사율의 차이가 실질적으로 거의 존재하지 않으므로, 웨이퍼(100) 안쪽에 대한 제1 샷(430)이 수행되는 조건과 동일한 조건으로 제2 샷(440)이 이루어질 수 있으며, 따라서 웨이퍼(100) 가장자리에 대해서도 에너지 구배 없이 노광을 수행할 수 있다.The edge exposure supporters 321 and 322 are made of a polymer having substantially the same reflectance as the wafer 100. Therefore, there is little difference in reflectance between the edge exposure supporters 321 and 322 disposed at the edge and the periphery of the wafer 100. In this state, the second shot 440 of the edge of the wafer 100 is performed. In the process of performing the second shot 440, since the difference between the reflectance at the edge of the wafer 100 and the reflectance at the periphery thereof is virtually absent, the first shot 430 with respect to the inside of the wafer 100 is provided. The second shot 440 may be made under the same conditions as the above-described condition, and thus exposure may be performed on the edge of the wafer 100 without an energy gradient.

지금까지 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 노광장치 및 노광방법에 있어서, 웨이퍼 가장자리에 대한 노광이 이루어질 때 웨이퍼 주변을 웨이퍼와 실질적으로 동일한 반사율을 갖는 가장자리 노광 서포터를 배치시킨 상태에서 웨이퍼 가장자리에 대한 노광을 수행함으로써, 웨이퍼 안쪽에 대한 노광시의 조건과 실질적으로 동일한 조건으로 노광을 수행할 수 있으며, 결과적으로 웨이퍼 가장자리에서의 디포커스 발생현상을 억제시킬 수 있다는 이점이 제공된다.As described so far, in the exposure apparatus and the exposure method according to the present invention, when the exposure to the wafer edge is performed, the exposure to the wafer edge with the edge exposure supporter having substantially the same reflectance as the wafer is arranged around the wafer. By performing the above, the exposure can be performed under substantially the same conditions as the exposure to the inside of the wafer, and as a result, the advantage of suppressing defocus occurrence at the edge of the wafer is provided.

이상 본 발명을 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러 가지 변형이 가능함은 당연하다.Although the present invention has been described in detail with reference to preferred embodiments, the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications may be made by those skilled in the art within the technical spirit of the present invention. Do.

Claims (5)

광원;Light source; 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼스테이지;A wafer stage for supporting a wafer; 상기 광원과 웨이퍼스테이지 사이에 배치되어 상기 광원으로부터의 광을 상기 웨이퍼스테이지상의 웨이퍼에 일정패턴형태로 전사되도록 하는 레티클; 및A reticle disposed between the light source and the wafer stage to transfer light from the light source to a wafer on the wafer stage in a predetermined pattern; And 상기 웨이퍼 가장자리에 대한 노광시 상기 웨이퍼 가장자리를 둘러싸도록 배치되는 가장자리 노광 서포터를 구비하는 것을 특징으로 하는 노광장치.And an edge exposure supporter disposed to surround the wafer edge during exposure to the wafer edge. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 가장자리 노광 서포터는 폴리머 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 노광장치.And the edge exposure supporter is made of a polymer material. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 폴리머 재질의 가장자리 노광 서포터는 상기 웨이퍼 가장자리에서의 반사율과 유사한 반사율을 갖는 것을 특징으로 하는 노광장치.And the edge exposure supporter of the polymer material has a reflectance similar to that at the edge of the wafer. 웨이퍼 가장자리에서의 디포커스 방지를 위한 노광방법에 있어서,In the exposure method for preventing defocus at the wafer edge, 상기 웨이퍼와 유사한 반사율을 갖는 가장자리 노광 서포터를 상기 웨이퍼 가장자리를 둘러싸도록 배치한 상태에서 상기 웨이퍼 가장자리에 대한 노광을 수행 하는 것을 특징으로 하는 노광방법.And exposing the edge of the wafer with an edge exposure supporter having a reflectance similar to that of the wafer to surround the wafer edge. 제4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 가장자리 노광 서포터는 폴리머 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 노광방법.The edge exposure supporter is an exposure method, characterized in that made of a polymer material.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2000311843A (en) 1999-04-26 2000-11-07 Nikon Corp Peripheral aligner and exposure method
KR20030007137A (en) * 2001-07-13 2003-01-23 세이코 엡슨 가부시키가이샤 Color filter substrate, electrical optics device, method of manufacturing a color filter substrate, method of manufacturing an electrical optics device and electronic apparatus
KR20040066679A (en) * 2003-01-20 2004-07-27 삼성전자주식회사 An unit exposing an edge region of a wafer
KR20050059437A (en) * 2003-12-15 2005-06-21 삼성전자주식회사 Inspection apparatus of an edge exposure area of an wafer

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000311843A (en) 1999-04-26 2000-11-07 Nikon Corp Peripheral aligner and exposure method
KR20030007137A (en) * 2001-07-13 2003-01-23 세이코 엡슨 가부시키가이샤 Color filter substrate, electrical optics device, method of manufacturing a color filter substrate, method of manufacturing an electrical optics device and electronic apparatus
KR20040066679A (en) * 2003-01-20 2004-07-27 삼성전자주식회사 An unit exposing an edge region of a wafer
KR20050059437A (en) * 2003-12-15 2005-06-21 삼성전자주식회사 Inspection apparatus of an edge exposure area of an wafer

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