KR100658886B1 - 광 경로 변경부가 구비된 광학 마스크 및 이를 이용한사진 식각 공정 - Google Patents

광 경로 변경부가 구비된 광학 마스크 및 이를 이용한사진 식각 공정 Download PDF

Info

Publication number
KR100658886B1
KR100658886B1 KR1020050079483A KR20050079483A KR100658886B1 KR 100658886 B1 KR100658886 B1 KR 100658886B1 KR 1020050079483 A KR1020050079483 A KR 1020050079483A KR 20050079483 A KR20050079483 A KR 20050079483A KR 100658886 B1 KR100658886 B1 KR 100658886B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light
optical mask
pattern
transparent substrate
optical
Prior art date
Application number
KR1020050079483A
Other languages
English (en)
Inventor
김선호
김상천
Original Assignee
엘지전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지전자 주식회사 filed Critical 엘지전자 주식회사
Priority to KR1020050079483A priority Critical patent/KR100658886B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100658886B1 publication Critical patent/KR100658886B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
    • H01L21/0334—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
    • H01L21/0337—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
    • H01L21/0332—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their composition, e.g. multilayer masks, materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/308—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)

Abstract

본 발명은 빛의 경로를 변경할 수 있는 광 경로 변경부가 구비된 광학 마스크 및 이를 이용한 사진 식각 공정에 관한 것으로, 특히 투명한 기판과; 상기 투명한 기판의 한쪽에 형성되어 빛을 차단하는 패턴(pattern)과; 상기 패턴이 형성되지 않은 투명한 기판의 일부 영역에 형성되어 빛의 경로를 변경할 수 있는 광 경로 변경부로 이루어진 것을 특징으로 하는 광학 마스크를 이용하여, 3차원 구조물의 수직면을 사진 식각 하는 경우 상기 수직면의 상부 뿐만 아니라 하부까지도 용이하게 식각 할 수 있어서, 다양한 형태의 구조와 형상을 가지는 소자를 완성도 높게 제작할 수 있고, 이로 인해 소자의 집적도를 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
사진 식각, 감광제, 3차원 구조물, 패턴 형성

Description

광 경로 변경부가 구비된 광학 마스크 및 이를 이용한 사진 식각 공정{Optical Mask Having Portion To Modify Path of Beam and Photo Etching Process Using The same}
도 1a 내지 도 1c는 종래 기술에 따른 포토 마스크를 이용하여 사진 식각 공정을 수행하는 단계를 나타내는 공정도이고,
도 2a 내지 도 2c는 종래 기술에 따른 포토 마스크를 이용하여 3차원 구조물에 대해 사진 식각 공정을 수행하는 단계를 나타내는 공정도이고,
도 3a 내지 도 3b는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따라 광학 마스크에 구비되는 프리즘 및 회절 격자의 단면도이고,
도 4는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따라 프리즘이 구비된 광학 마스크를 나타내는 단면도이고,
도 5a 내지 도 5b는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따라 프리즘 및 회절 격자가 구비된 광학 마스크를 이용하여 사진 식각 공정을 수행하는 단계를 나타내는 단면 모식도이고,
도 6은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 사진 식각 공정을 거친 3차원 구조물의 단면도이고,
도 7a 내지 도 7c는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 사진 식각 공정에 의해 제작된 다양한 3차원 구조물의 사시도이다.
**도면의 주요부분에 대한 기호의 설명**
1: 빛 2: 프리즘
3: 회절 격자 4: 투명한 판
5: 패턴 6: 감광제
7: 기판 8: 상부 형상
9: 하부 형상 10: 상부보다 하부 폭이 넓은 형상
11: 섬과 같은 형상
본 발명은 반도체 장치의 제조시 사용되는 광학 마스크(Optical Mask) 및 이를 이용한 사진 식각 공정에 관한 것으로, 특히 패턴이 형성된 투명한 판에 빛의 경로를 변경할 수 있는 광 경로 변경부가 구비된 광학 마스 및 이를 이용하여 3차원 미세 구조물의 수직면을 감광시키는 사진 식각 공정이다.
최근 멀티미디어 시대의 발달에 맞추어 기록 매체, 디스플레이, 유/무선 통 신 등 전자 및 통신 분야에 대해 여러 가지 연구가 진행되고 있다. 이 중에서도, 전자 기기의 고성능화 및 다기능화에 대한 욕구가 무한히 증가하고 있으며, 가능한 작고, 가볍고 또한, 얇은 형태의 제품에 대한 방향으로 연구 개발이 진행되어오고 있다. 이에 부피를 줄일 수 있는 전자 소자의 집적도 향상을 위한 노력이 계속 되고 있다.
이러한 집적도 향상을 위한 노력의 일환으로 반도체 소자를 제조함에 있어서, 전자 소자의 금속 배선의 폭을 줄이거나 여러 층을 적층 하여 부피를 줄이는 방법이 이용되고 있다. 또한, 다양한 형태의 구조물에 대한 필요가 증가하면서, 단위 부피당 면적을 증가시키기 위해 3차원 구조물 위에 패턴을 형성하는 시도가 진행되고 있다.
이 중에서 패턴(pattern)을 형성하기 위한 사진 식각(Photo Etching) 기술은 반도체 소자의 구조를 결정하는 프로세스에 사용되는 기술로써, 고집적화에 따라 점점 중요성이 높아지고 있다. 사진 식각법은 에칭재료에 대해서 내성이 있는 재료, 즉 포토레지스트(Photo Resist)를 마스크로 사용하여 반도체의 산화피막, 금속 등을 부분적으로 에칭(etching) 하는 방법을 말한다. 즉, 반도체 소자의 제조에 있어서 기판 위에 형성되어 있는 층(산화 공정이나 박막증착 공정의 결과로)을 선택적으로 제거하는 공정을 사진 식각(Photo Etching) 공정이라 한다.
이 중에서, 사진(Photo) 공정은 마스크(mask) 상의 기하적 패턴(pattern)을 반도체 웨이퍼의 표면에 도포되어 있는 얇은 감광재료인 포토레지스트로 옮겨 놓는 것을 말한다. 이 패턴들은 다음 단계인 식각(etching) 공정때 웨이퍼 표면과 감광재료 사이에 놓여 있는 박막층을 식각으로부터 보호해 주는 역할을 한다. 이러한 사진공정은 크게 광 노광기술(optical lithography)과 방사 노광기술(radiation lithography)로 구분되며, 광 노광기술에서는 자외선(UV)이, 방사 노광기술에서는 X-선이나, 전자빔 또는 이온빔 등이 사용된다. 사진공정에서는 광화학적(photochemical) 반응이 회분식 반응기들에서 일어나므로 사진공정은 반응공학적인 측면에서 볼 때 불균일 회분식 반응계로 볼 수 있다.
그리고, 식각(Etching) 공정은 사진공정을 통해 형성된 감광제 패턴을 마스크로 사용하여 마스크 아래에 있는 부분과 외부로 노출된 부분 사이의 화학반응을 전혀 다르게 하는 것이다. 이렇게 함으로써, 마스크로 보호되지 않는 부분들이 공정이 진행됨에 따라 떨어져 나가게 하는 기술을 식각(etching) 공정이라고 한다. 이러한 식각공정에 의해 확산이나 이온 주입될 영역이 결정 되어지고 또한 도선들의 연결 작업이 이루어지는 것이다.
일반적으로 사진 식각 공정은 HMDS도포, 포토레지스트막의 회전 도포, 소프트 베이크 공정, 노광, 노광후 베이크 공정, 현상의 공정 단계를 거쳐 진행된다.
여기서, HMDS(hexamethydisilazane)막은 (CH3)3-NH-Si(CH3)3의 구조를 갖고 있으며, (CH3)3-NH-Si(CH3)3는 실리콘 기판에서는 Si과 산소가 화학적 반응을 일으키고, 포토레지스트막과는 (CH3)3이 물리적인 결합을 유발시켜 기판과 포토레지스트막간에 접착력을 향상시키는 공정이다.
또한, 소프트 베이크 공정은 80℃내지 100℃에서 실시되며, 포토레지스트 막내에 존재하는 80%내지 90%의 솔벤트를 열에너지에 의하여 증발시켜 고형의 포토레지스트 상태를 유지하기 위한 공정이다. 그리고, 노광 공정은 전자빔, DUV(Deep Ultra Violet)의 빛에너지에 포토레지스트막을 노출시키는 공정으로, 포토 레지스트막의 광화학 반응을 선택적으로 일으키는 공정이다. 현상 공정은 노광 지역과 비노광 지역간의 화학 반응을 이용하여 최종적으로 패턴 형상을 재현하는 공정이다.
이러한 현재 반도체 제조 공정 중 사진식각 공정은 단 한번의 공정을 진행하고 있는데, 포토레지스트를 웨이퍼 전면에 도포하고 여기에 사진/노광을 웨이퍼의 전 영역에서 적용하여 패터닝 및 후속식각을 하는 공정으로 이루어져 있다.
도 1a 내지 도 1c는 종래 기술에 따른 포토 마스크를 이용하여 사진 식각 공정을 수행하는 단계를 나타내는 공정도이다. 먼저, 도 1a 에서 보는 바와 같이 패턴을 형성할 기판 웨이퍼(102)에 감광제(101)를 도포한다. 이렇게 반도체 소자를 형성하기 위한 감광제(101)를 도포한 후, 도 1b에 나타난 바와 같이 준비한 마스크(103)를 정렬시켜 두고 자외광선(104)을 마스크(103)에 형성된 패턴을 통해 조사시켜 감광제가 광조사되도록 패턴을 전사시키는 노광공정(105)을 진행시킨다. 이와 같이 마스크(103)를 씌워 노광공정(105)을 진행한 후에 현상공정을 진행하게 되면 도 1c와 같이 감광제(101)가 일부 제거되어 패터닝(106)이 형성된다.
하지만, 이러한 사진 식각 공정으로 3차원 구조물 위에 패턴을 형성하는 경우, 다양한 형태를 가진 구조물의 모든 부위에 원하는 패턴을 형성시키기에는 아직 많은 문제점이 존재한다. 특히, 종래의 사진 식각 공정에 따르면 평평하지 않은 3차원 구조물의 수직면에 원하는 패턴을 얻는 것은 상당히 어려운 과제이다.
도 2a 내지 도 2c는 종래 기술에 따른 포토마스크를 이용하여 3차원 구조물에 대해 사진 식각 공정을 수행하는 단계를 나타내는 공정도이다. 먼저, 도 2a에 나타난 바와 같이 평평하지 않은 3차원 구조물(202)에는 감광제(201)가 도포되어 있다. 그리고, 이러한 구조물(202)의 수직면 부위를 노광시키기 위하여, 도 2b에 나타난 것처럼 패턴이 형성되어 있는 사진 식각용 마스크(203)를 준비한다. 여기에, 마스크(203)에 형성된 패턴을 통해 자외광선(204)을 조사시키는 노광공정(205)을 진행시킨다. 그러나, 도 2b에 나타난 것처럼 수직으로 노광 되는 빛은 감광제(201)를 통과하면서 급격히 빛의 양이 감소하여 3차원 구조물(202)의 하부로는 빛이 전달되지 못한다.
그래서, 이 후에 현상공정을 진행하게 되면 도 2c와 같이 수직면의 감광제(201)가 일부만 제거된 패터닝(106)이 형성된다. 즉, 종래와 같은 사진 식각용 마스크에 의하는 경우, 수직면을 가진 3차원 구조물에 있어서 상기 수직면의 하부까지는 패턴을 정확하게 형성할 수 없는 문제점이 발생한다. 나아가, 수직면을 비롯하여 다양한 형상을 가지는 3차원 구조물 소자를 제작하기가 힘들고, 소자의 집적도도 향상될 수 없는 것이다.
상술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명은 사진 식각 공정을 이용하여 3차원 미세 구조물에서 감광막 패턴 형성의 어려움을 해결하기 위한 것이다.
이를 위해 본 발명은 빛의 경로를 변경할 수 있는 광 경로 변경부가 구비된 광학 마스크, 특히 패턴(pattern)이 형성된 광 투과형 필름 또는 유리 기판에 프리즘(prism) 또는 회절 격자(diffraction grating)가 구비되어 이루어진 광학 마스크를 제공하고, 이를 이용하여 3차원 미세 구조물을 사진 식각하는 방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명에 따라 3차원 구조물의 수직면을 사진 식각 하는 경우, 프리즘 또는 회절 격자를 이용하여 광 경로를 변경함으로써 상기 수직면의 상부 뿐만 아니라 하부까 지도 용이하게 식각 하고자 한다. 이를 통해 반도체 소자 제작에 있어서 다양하게 요구되는 구조와 형상에 대해 적절하게 대응하고, 다양한 형상에 패턴을 형성하여 소자의 집적도를 향상시키기 위한 것이다.
본 발명은 반도체 장치의 제조시 사용되는 광학 마스크 및 이를 이용한 사진 식각 공정에 관한 것으로, 특히 투명한 판에 빛의 경로를 변경할 수 있도록 광 경로 변경부가 구비된 포토마스크 및 이를 이용하여 3차원 미세 구조물의 수직면을 감광시키는 사진 식각 공정이다.
구체적으로, 본 발명은 투명한 기판과; 상기 투명한 기판의 한쪽에 형성되어 빛을 차단하는 패턴과; 상기 패턴이 형성되지 않은 투명한 기판의 일부 영역에 형성되어 빛의 경로를 변경할 수 있는 광 경로 변경부로 이루어진 것을 특징으로 하는 광학 마스크이다.
여기서, 상기 투명한 기판은 투명한 필름(Film) 또는 유리 기판이 가능하고, 상기 빛의 경로를 변경할 수 있는 광 경로 변경부는 프리즘(prism) 또는 회절 격자(diffraction grating)인 것이 바람직하다. 또한, 본 발명에 따른 광학 마스크에서 빛을 차단하기 위한 상기 패턴은 감광제에 빛을 선택적으로 조사하기 위한 것으로써, 일정한 형태의 미세 형상으로 이루어진 빛을 반사하는 크롬(Cr) 막인 것이 바람직하다.
그리고, 본 발명은 프리즘 또는 회절 격자에 의해 광 경로를 변경시켜 3차원 구조물에 패턴을 형성하기 위한 것이므로, 상기 프리즘은 상기 투명한 기판을 중심으로 상기 패턴의 반대쪽에 구비된 것을 특징으로 할 수 있다.
본 발명에 따른 광학 마스크는 3차원 구조물을 대상으로 하는 것이 바람직하고, 이러한 의미에서 본 발명에 따른 상기 광학 마스크는 3차원 구조물의 수직면을 노광시키기 위한 것임이 더욱 바람직하다. 3차원 구조물의 수직면이라 함은 본 발명에 따른 광학 마스크의 상기 투명한 기판과 수직한 방향의 구조물 면을 의미한다. 투명한 기판으로부터 빛을 수직면 하부까지 용이하게 도달하게 하기 위함이다. 즉, 상기 광 경로 변경부는 상기 3차원 구조물의 수직면으로 빛을 통과시킬 수 있도록, 상기 수직면 방향의 위쪽에 구비되는 것이 가능한 광학 마스크이다.
또한, 본 발명에 따른 광학 마스크는 3차원 구조물에 패턴을 형성시키기 위한 것이므로, 상기 3차원 구조물의 수직면에는 감광제가 도포 된 것이 바람직하다. 빛의 경로를 변경할 수 있는 광 경로 변경부라면, 상기 프리즘은 광학적 평면의 각도가 상이한 2개 이상의 프리즘일 수 있다. 굴절률을 달리하여 빛이 도달하는 부위를 다르게 조절하기 위함이다. 빛의 경로를 변경할 수 있는 광 경로 변경부이 회절 격자라면, 상기 회절 격자는 0.5㎛ 내지 10㎛ 범위 내의 서로 다른 2개 이상의 선 사이 간격을 갖는 것을 특징으로 하는 것도 가능하다. 이 또한 회절 격자의 간격을 달리하여 빛이 다양한 각도로 굴절될 수 있게 하기 위함이다.
본 발명의 다른 목적으로 달성하기 위한 다른 하나의 실시형태는 3차원 구조물의 패턴 형성을 위하여, 상술한 여러가지 형태의 포토마스크를 이용하는 것을 특징으로 하는 사진 식각 공정이다. 즉, 3차원 구조물 형상을 갖는 기판의 적어도 일 측 수직면에 감광제를 균일하게 도포하는 단계; 투명한 기판과 상기 투명한 기판의 한쪽에 형성되어 빛을 차단하는 패턴(pattern)과 상기 패턴이 형성되지 않은 투명한 기판의 일부 영역에 형성되어 빛의 경로를 변경할 수 있는 광 경로 변경부로 이루어진 것을 특징으로 하는 광학 마스크를 준비하는 단계; 상기 광학 마스크를 이용하여 상기 감광제가 도포된 수직면을 노광시키는 단계; 상기 노광된 기판을 현상하는 단계를 포함하는 사진 식각 공정이다.
여기서, 상기 광학 마스크를 준비하는 단계와 노광시키는 단계 사이에 상기 광 경로 변경부를 상기 수직면의 위쪽 방향에 위치시키는 단계를 더 포함할 수 있다. 또한, 상기 노광시키는 단계는 상기 광 경로 변경부로부터 상기 3차원 구조물의 수직면으로 빛을 통과시켜 상기 수직면을 노광시키는 것이 바람직하다.
이하에서는 본 발명의 바람직한 하나의 실시형태를 첨부된 도면을 참고로 하여 구체적으로 설명한다. 본 발명은 하기의 실시예에 의하여 보다 더 잘 이해될 수 있으며, 하기의 실시예는 본 발명의 예시 목적을 위한 것이고, 첨부된 특허청구범위에 의하여 한정되는 보호범위를 제한하고자 하는 것은 아니다.
먼저, 본 발명은 3차원 미세 구조물을 대상으로 사진 식각 공정에 의해 감광제를 패턴시키기 위한 것이다. 종래의 일반적인 사진 식각 공정에서는 평평한 포토 마스크를 사용하기 때문에, 3차원 구조를 가진 수직면에 패턴을 형성하는 경우, 자외선과 같은 빛은 수직으로 입사되어 감광제에 전해진다. 그러나, 이렇게 수직으로 입사된 빛은 3차원 구조의 수직면에 존재하는 감광제를 통과하면서 빛의 세기가 급격히 줄어들게 된다. 따라서, 3차원 구조물의 수직면 하부에는 패턴이 형성되기 어렵다. 본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 빛의 경로를 변경할 수 있는 광학 판(Optical sheet)과 같은 광학 마스크(Optical Mask)를 이용하여 노광 된 광의 경로를 변경함으로써 수직면의 감광막에 용이하게 패턴을 형성할 수 있게 하는 것이다.
사진 식각 공정은 감광제를 도포한 기판 위에 포토 마스크를 이용하여 원하는 패턴의 형태로 노광하여 감광제 층에 형상을 구현하는 방법이다. 이때, 종래의 포토 마스크를 통과하여 노광 되는 빛은 수직으로 입사되기 때문에, 수직면에 패턴을 형성하는 경우에는 빛이 감광제 표면에서 수직면을 따라 감광제를 통과하여 노광 되어야 한다. 하지만, 감광제를 통과하면서 빛의 세기가 급격히 감소하여 제대로 패턴이 형성되기 어렵다.
따라서, 본 발명은 빛의 경로를 변경할 수 있는 광 경로 변경부를 이용하여 수직으로 입사되는 빛의 경로를 변경한다. 이렇게 경로가 변경되어 경사를 갖는 빛은 3차원 구조물의 수직면 하부까지 도달될 수 있고, 빛의 세기를 유지하면서 노광할 수 있는 것이다. 본 발명에서는 이러한 빛의 경로를 변경할 수 있는 광 경로 변경부로 프리즘 판(Prism Sheet)이나 회절 격자를 갖는 판(diffraction grating sheet)이 이용할 수 있다.
도 3a는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 광학 마스크에 구비되는 프리즘의 단면도이고, 여기서, 식별번호 1은 빛, 2는 프리즘을 의미한다. 본 발명은 도 3a에 나타난 바와 같은 프리즘(2)을 이용함으로써 빛(1)의 경로가 변경되어 감광제에 도달하게 한다. 여기서, 프리즘(2)은 광학적 평면을 2개 이상 가진 투명체로서 적어도 한 쌍의 면은 평행이 아닌 것을 말한다.
상기 프리즘의 소재(素材)로서 보통은 광학적 유리를 쓰는데, 자외선·적외선에 대해서는 유리 대신 수정·암염(岩鹽) 등이 쓰인다. 기능상으로는 분광프리즘·전반사프리즘·편광프리즘으로 나뉘고, 본 발명에서는 직선편광을 뽑아내는 데 쓰는 편광 프리즘이 바람직하다. 이러한 상기 프리즘은 빛의 경로를 변경할 수 있는 광 경로 변경부로써, 광학적 평면의 각도가 상이한 2개 이상의 프리즘이 다수 사용되는 형태도 가능하다. 즉, 굴절률을 달리하여 빛이 도달하는 부위를 다르게 조절하 기 위함이다. 광학적 평면의 각도를 달리하는 수개의 프리즘을 같이 사용하여 빛이 경사지는 각도를 조절함으로써 빛이 도달하는 높이 또는 부위를 조절할 수 있는 것이다. 이를 통해 3차원 구조물의 사용자가 원하는 높이의 수직면 하부까지 고르게 패턴을 형성시킬 수 있는 것이다.
또한, 본 발명에서는 도 3b에 나타난 바와 같은 회절 격자(3)가 사용되는 형태도 가능하다. 여기서, 회절 격자(3)는 회절과 간섭을 이용하여 빛의 스펙트럼을 얻기 위한 장치를 말하는 것으로, 평면유리나 오목 금속판에 여러 개의 평행선을 같은 간격으로 새긴 것이다. 이것에 빛(1)을 조사하면 투과 또는 반사된 빛이 파장별로 나뉘어서 그 스펙트럼을 얻을 수 있다.
본 발명은 이러한 회절 격자의 조그만 틈을 통과할 때 빛의 진행경로가 바뀌는 회절현상을 이용한 것이다. 회절이 잘 일어나려면 파동의 파장보다 틈이 작아야 한다. 그러나 빛은 파장이 매우 짧아(적색광≒0.0000004m정도) 웬만한 틈을 통과해도 진행방향이 꺽이는 일은 일어나지 않는다. 파장이 이렇게 작은 빛이 회절이 일어나려면 빛이 통과하는 틈도 매우 작아야 하고, 이렇게 빛이 통과해서 회절이 일어나도록 만들어 놓은 것이 바로 회절격자이다. 본 발명에 있어서 회절격자는 1mm두께에 무려 100개 이상의 선이 그어져 있는 것을 이용하였고, 두 라인 사이의 간격은 0.5mm/100 = 0.005mm = 0.0000005m 내지 0.000001m 범위, 즉 0.5㎛ 내지 10㎛ 범위 내에서 선택되는 것이 가능하다. 빛의 파장에 가깝기 때문에 이 정도면 빛이 통과하면서 회절이 일어나게 되는 것이다.
빛의 경로를 변경할 수 있는 광 경로 변경부가 회절 격자라면, 상기 회절 격자는 서로 다른 2개 이상의 선 사이 간격을 갖는 광학 마스크일 수 있다. 즉, 0.5㎛ 내지 10㎛ 범위 내의 서로 다른 2개 이상의 선 사이 간격을 갖는 것을 특징으로 하는 것도 가능하다. 이것 또한 상술한 프리즘에서와 같이, 회절 격자의 간격을 달리하여 빛이 다양한 각도로 굴절될 수 있게 하기 위함이다. 격자 간격을 달리하는 수개의 회절 격자를 같이 사용하여 빛이 굴절되는 각도를 조절함으로써 빛이 도달하는 높이 또는 부위를 조절할 수 있는 것이다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 빛의 경로를 변경할 수 있는 광 경로 변경부로 프리즘 또는 회절 격자를 이용하는 것이 특징이고, 이러한 본 발명의 바람직한 하나의 실시형태는 빛의 경로를 변경할 수 있는 광 경로 변경부가 구비된 광학 마스크이다. 상기 빛의 경로를 변경할 수 있는 광 경로 변경부는 프리즘 또는 회절 격자인 것이 바람직하다.
도 4는 이러한 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따라 프리즘(2)이 구비된 광학 마스크를 나타내는 단면도이다. 여기서, 2는 프리즘, 4는 투명한 판, 5는 패턴을 의미한다. 도 4에 나타난 바와 같이 본 발명에 따른 광학 마스크는 투명한 기판(4) 위에 빛을 차단할 수 있는 패턴(pattern)(5)이 형성된 광 투과형인 것이 바람직하 고, 상기 투명한 판(4) 위에 프리즘(2)이 구비된 것이다. 본 발명에 따른 광학 마스크는 투명한 판 위(4)에 불투명한 패턴(5)층이 형성되고, 상기 패턴이 형성되지 않은, 경로를 변경하고자 하는 위치에 프리즘(2)이나 회절 격자(3)가 구비되는 형태를 갖는다.
본 발명에 있어서, 광학 마스크는 사진의 필름(Film)과 같은 역할을 한다고 볼 수 있다. 이는 한 장의 필름으로 여러 장의 사진을 인화 할 수 있듯이 광학 마스크를 이용하여 수 많은 회로 및 패턴을 전사해 낼 수 있기 때문이다. 본 발명에 따른 광학 마스크는 Film(Emulsion) 또는 Glass(Chrome) 기판 위에 미세회로를 형상화한 것이다. 이러한 광학 마스크는 재료에 따라 이멀젼(Emulsion)이나 크롬(Chrome)으로 이루어진 광학 마스크가 사용될 수 있고, 차광막에 따라 폴리에스테르 필름(polyester film), 소다 라임 글래스(Soda Lime Glass) 또는 쿼츠(Quartz)가 사용되는 것도 가능하다.
본 발명에 따른 광학 마스크는 설계자가 설계한 회로를 필름 또는 유리기판을 이용해 묘사시키는 사진 원판이기 때문에 감광물질이 입혀진 기판에 패턴을 묘사할 수 있게 해준다는 점에서 사진의 필름과 유사한 역할을 수행한다고 할 수 있다. 다시 말해 광학 마스크는 반도체 칩이나 LCD 등을 만들기 위한 사진 원판을 말한다. 보통 쿼츠(Quartz)라는 투명기판 위에 극히 미세한 형상을 만들어서 사진의 필름과 같은 용도로 사용될 수 있으며 사진을 찍는 방법과 유사하게 웨이퍼 위에 복잡한 패턴을 형성시켜 수많은 반도체 소자를 만들 수 있는 것이다. 특히 광학 마스크의 정확도와 미세한 패턴 형성 능력에 따라 반도체의 품질과 반도체의 집적도가 결정되기 때문에 반도체 기술의 척도가 되기도 하는 중요한 원재료이다.
이러한 본 발명에 따른 광학 마스크는 프리즘 또는 회절 격자에 의해 광 경로를 변경시켜 3차원 구조물에 패턴을 형성하기 위한 것이므로, 상기 빛의 경로를 변경할 수 있는 광 경로 변경부는 상기 패턴이 형성되지 않은 부위에 구비된 것을 특징으로 한다. 도 4에 나타난 바와 같이, 패턴(5)이 형성되지 않은 부위, 즉 형성된 패턴(5) 사이의 공간에 빛의 경로를 변경하기 위한 프리즘(2)이 부착된다. 바람직하게, 본 발명에 따른 프리즘은 상기 투명한 판(4)을 중심으로 상기 패턴(5)의 반대쪽에 구비되는 형태가 가능하다.
이를 통하여, 광학 마스크에 형성된 패턴(5)의 형상이 없는 부분에서만 투명한 기판(4)을 통하여 빛이 입사될 수 있고, 이렇게 입사된 빛에 의해 감광제가 상기 패턴(5)의 형상에 따라 노광 될 수 있는 것이다. 본 발명에 있어서, 상기 프리즘(2)은 투명한 기판(4)에 부착된 패턴(5)의 형상대로 빛을 입사시킬 수 있는 것이라면, 어떠한 형태로든 다수가 부착되는 여러 가지 실시 형태를 포함한다. 본 발명은 프리즘 또는 회절 격자에 의해 광 경로를 변경시켜 3차원 구조물에 패턴을 형성하기 위한 것이므로, 상기 프리즘은 상기 투명한 기판을 중심으로 상기 패턴과 같은 쪽 또는 반대쪽에 구비되는 것도 가능하지만, 상기 패턴의 반대쪽에 구비되는 형태가 더욱 바람직하다.
더불어, 본 발명에 따른 광학 마스크 판으로 사용되는 상기 투명한 기판은 투명한 필름(Film) 또는 유리 기판과 같이 투명한 것일 수 있다. 그리고, 여기에 형성되는 상기 패턴은 감광제에 빛을 선택적으로 조사하기 위한 것으로, 일정한 형태의 미세 형상으로 이루어진 빛을 반사하는 크롬(Cr) 막인 것이 바람직하다. 상기 크롬층의 패턴은 이를테면 전자빔 노광장치를 사용하여 설계된 패턴을 형성한다.
이와 같이 본 발명에 따른 광학 마스크를 이용하는 경우, 수직으로 입사되는 빛(1)은 프리즘(2)이나 회절격자(3)를 지나게 되면서 빛의 경로가 변하고 각도를 가지며 진행하게 된다. 이러한 현상을 이용하여 프리즘이나 회절 격자를 조절하게 되면 원하는 방향으로 빛을 제어할 수 있다. 본 발명은 이렇게 제어된 빛을 이용하여 3차원 미세 구조물의 수직면을 감광시키는 사진 식각 공정을 수행할 수 있는 것이다.
즉, 본 발명에 따른 상기 광학 마스크는 3차원 구조물 형상을 갖는 기판을 대상으로 하여 상기 기판 위에 도포된 감광제를 노광시키기 위한 것이 바람직하다. 그래서, 이와 같은 본 발명에 따른 광학 마스크는 3차원 구조물 형상의 수직면을 노광시키는 효과가 우수하다. 여기서, 3차원 구조물의 수직면이라 함은 본 발명에 따른 광학 마스크의 상기 투명한 기판과 수직한 방향의 구조물 면을 의미한다. 투명 한 기판으로부터 빛을 수직면 하부까지 용이하게 도달하게 하기 위함이다. 즉, 상기 광 경로 변경부는 상기 3차원 구조물의 수직면으로 빛을 통과시킬 수 있도록, 상기 수직면 방향의 위쪽에 구비되는 것이 가능한 광학 마스크이다.
한편, 본 발명의 다른 목적으로 달성하기 위한 다른 하나의 실시형태는 3차원 구조물의 패턴 형성을 위하여, 상술한 여러가지 형태의 포토마스크를 이용하는 것을 특징으로 하는 사진 식각 공정이다. 즉, 3차원 구조물 형상을 갖는 기판의 적어도 일 측 수직면에 감광제를 균일하게 도포하는 단계; 투명한 기판과 상기 투명한 기판의 한쪽에 형성되어 빛을 차단하는 패턴(pattern)과 상기 패턴이 형성되지 않은 투명한 기판의 일부 영역에 형성되어 빛의 경로를 변경할 수 있는 광 경로 변경부로 이루어진 것을 특징으로 하는 광학 마스크를 준비하는 단계; 상기 광학 마스크를 이용하여 상기 감광제가 도포된 수직면을 노광시키는 단계; 상기 노광된 기판을 현상하는 단계를 포함하는 사진 식각 공정이다.
특히, 본 발명에 따른 광학 마스크를 이용한 사진 식각 공정의 대상이 되는 상기 3차원 구조물은 굴곡 구조를 가진 기판 위에 감광제가 도포 된 형태가 바람직하다. 여기에 본 발명은 3차원 구조물의 수직면 하부까지 원하는 형태로 패턴을 용이하게 시키기 위한 것으로, 본 발명의 대상이 되는 상기 3차원 구조물은 수직면을 갖는 것이 더욱 바람직하다. 이하에서는 본 발명에 따른 사진 식각 공정의 바람직한 실시형태를 구체적으로 설명한다.
상술한 바와 같은 본 발명에 따른 포토마스크를 이용하여 사진 식각 공정을 실시한 예는 도 5a 내지 도 5b와 같다. 도 5a 내지 도 5b는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따라 프리즘 및 회절 격자가 구비된 포토마스크를 이용하여 사진 식각 공정을 수행하는 단계를 나타내는 단면 모식도이다.
먼저, 3차원 구조물 형상을 갖는 기판(7)의 적어도 일 측 수직면에 감광제(6)를 균일하게 도포한다. 여기서. 감광제란 특정 파장대의 빛을 받으면(노광:photo exposure) 반응을 하는 일종의 감광 고분자 화합물(photosensitive polymer)이다. 이때 반응이라 함은 감광제의 일정 부분이 노광 되었을 때 노광된 부분의 폴리머 사슬이 끊어지거나 혹은 더 강하게 결합하는 것을 의미한다. 본 발명에 있어서 노광된 부분의 폴리머 결합사슬은 끊어질 수도 있고(positive) 더 강하게 결합 될 수도 있지만(negative), 수직면의 식각을 위해 노광 된다는 점에서 결합사슬이 끊어져서 노광지역이 현상되고, 미노광 지역의 패턴이 남는 파시티브(positive) 형태가 바람직하다.
다음으로, 광 경로 변환을 위해 프리즘 또는 회절 격자가 구비된 상술한 광학 마스크를 준비한다. 즉, 투명한 기판과 상기 투명한 기판의 한쪽에 형성되어 빛을 차단하는 패턴과 상기 패턴이 형성되지 않은 투명한 기판의 일부 영역에 형성되어 빛의 경로를 변경할 수 있는 광 경로 변경부로 이루어진 것을 특징으로 하는 광학 마 스크를 준비하는 단계를 거친다. 이러한 광 경로 변경부가 포함된 광학 마스크는 상술한 바와 같다.
이어서, 이러한 광학 마스크를 이용하여 상기 감광제가 도포된 3차원 구조물의 수직면을 자외선으로 노광시키는 과정을 거친다. 이 과정에서 마스크를 통과한 빛은 기판 위에 입사되게 된다. 노광이란 포토 마스크를 통해 자외선 영역의 빛(1)을 조사함으로써, 마스크 상에 형성된 미세회로 패턴(5)을 코팅된 감광제 전사하는 과정을 말한다. 마스크의 패턴(5)은 얇은 크롬(Cr) 막으로 형성되어 있으며, 패턴(5) 위에 조사된 빛은 반사되어 감광제(6)를 감광시키지 못하고, 패턴(5)이 없는 부분은 투과하여 감광제(6)를 감광시킴으로써 코팅된 감광제(6)에 미세회로 형상을 전사시키는 것이다.
여기서, 상기 광학 마스크를 준비하는 단계와 노광시키는 단계 사이에 상기 광 경로 변경부를 상기 수직면의 위쪽 방향에 위치시키는 단계를 더 포함할 수 있다. 즉, 본 발명의 특징인 광 경로 변경부가 3차원 구조물의 수직면 바로 위쪽에 위치하도록 하는 것이다. 이렇게 하는 것은 광 경로 변경부로부터 통과된 빛이 꺽이면서 3차원 구조물의 수직면 상에 도달될 수 있게 하기 위함이다. 그런 의미에서, 상기 수직면의 위쪽 방향이라 함은 정확히 수직면의 위쪽 투명한 기판상에 광 경로 변경부가 구비되는 형태도 가능하지만, 상기 수직면의 바로 위쪽을 포함하여 빛이 굴절되어 수직면으로 들어올 수 있는 범위 내의 위쪽 방향을 모두 포함하는 것이 다. 이러한 본 발명의 노광 단계는 상기 광 경로 변경부로부터 상기 3차원 구조물의 수직면으로 빛을 통과시켜 상기 수직면을 노광시키는 것이다.
그래서, 이와 같이 노광된 기판을 현상하면 도 6과 같은 형상을 얻을 수 있다. 도 6은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 사진 식각 공정을 거친 3차원 구조물의 단면도이다. 현상은 노광 과정을 통해 상대적으로 결합이 약해져 있는 부분의 감광제(6)를 용제를 사용하여 녹여내는 과정을 말하며, 이러한 과정을 통해 형성된 감광제(6)의 형상을 감광제 패턴이라 한다. 본 발명에 따른 현상과정에서 사용되는 현상액으로는 염기성의 수용액과 솔벤트(solvent) 류가 사용될 수 있다. 바람직하게는 KOH 수용액과 같은 염기 수용액을 사용할 수 있고, SU 시리즈(series)와 같은 네거티브(negative) 감광제는은 아세톤이나 특정 솔벤트를 사용하는 것도 가능하다.
추가적으로, 현상이 끝나면 현상과정에서 풀어진 폴리머 조직을 단단하게 만들기 위해 베이킹(baking) 하는 과정을 거칠 수 있다; 베이킹 공정은 포토리소그래피(photolithography) 과정에서 자주 행하는 공정인데, 크게 감광제 코팅 후의 소프트(soft) 베이킹, 노광 후의 후 노출 베이킹(post exposure baking: PEB), 현상 후의 하드(hard) 베이킹이 가능하다.
이와 같이, 본 발명에 따라 빛의 경로를 변경할 수 있는 광 경로 변경부, 즉 프리즘이나 회절 격자가 구비된 광학 마스크를 사용하여 사진 식각 공정을 수행하는 경우, 원하는 부위의 감광제를 바라는 형태로 용이하게 노광시키고 현상할 수 있는 것이다. 도 6에 나타난 바와 같이, 3차원 구조물의 수직면은 그 상부 뿐만 아니라 하부면까지도 깨끗하게 식각 되었다. 이것은 프리즘 또는 회절 격자에 의해 빛의 경로를 변경함으로써 가능하게 된 것이다.
본 발명은 이를 통해 반도체 소자 제작에 있어서 다양한 형태의 구조와 형상을 가지는 소자를 완성도 높게 제작할 수 있고, 이로 인해 소자의 집적도를 향상시킬 수 있다.
더불어, 이와 같은 사진 식각 공정을 이용하여 원하는 형상에 맞게 광학 판(Optical Sheet)을 설계한다면 도 7a 내지 도 7c에 나타난 구조물을 용이하게 제작할 수 있다. 도 7a 내지 도 7c는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 사진 식각 공정에 의해 제작된 다양한 3차원 구조물의 사시도이다. 구체적으로, 상부형상(8)과 하부형상(9)이 수직으로 연결되어 있는 3차원 구조물 형태도 가능하고(도 7a 참조), 같은 수직면의 상부보다 하부의 폭이 넓은 형상(10)(도 7b 참조), 그리고 수직면에 섬과 같은 형상(11)(도 7c 참조)이 존재하는 형태의 구조물도 완성도 높게 제작할 수 있다. 본 발명에 따르면 이 외에도 많은 다양한 형상의 제작이 가능하게 되는 것이다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명은 투명한 기판에 빛의 경로를 변경할 수 있는 광 경로 변경부가 구비된 광학 마스크, 특히 패턴(pattern)이 형성된 광 투과형 필름 또는 유리 기판에 프리즘(prism) 또는 회절 격자(diffraction grating)가 구비되어 이루어진 광학 마스크를 제공하고, 이를 이용하여 3차원 미세 구조물을 사진 식각하는 방법을 제공할 수 있다.
상기한 본 발명에 따라 3차원 구조물의 수직면을 사진 식각 하는 경우, 프리즘 또는 회절 격자를 이용하여 광 경로를 변경함으로써 상기 수직면의 상부 뿐만 아니라 하부까지도 용이하게 식각 할 수 있다. 이를 통해 반도체 소자 제작에 있어서 다양한 형태의 구조와 형상을 가지는 소자를 완성도 높게 제작할 수 있고, 이로 인해 소자의 집적도를 향상시킬 수 있는 효과가 있는 것이다.

Claims (14)

  1. 투명한 기판과;
    상기 투명한 기판의 한쪽에 형성되어 빛을 차단하는 패턴(pattern)과;
    상기 패턴이 형성되지 않은 투명한 기판의 일부 영역에 형성되어 빛의 경로를 변경할 수 있는 광 경로 변경부로 이루어진 것을 특징으로 하는 광학 마스크.
  2. 제1항에 있어서, 상기 투명한 기판은 투명한 필름(Film) 또는 유리 기판인 것을 특징으로 하는 광학 마스크.
  3. 제1항에 있어서, 상기 빛의 경로를 변경할 수 있는 광 경로 변경부는 프리즘(prism) 또는 회절 격자(diffraction grating)인 것을 특징으로 하는 광학 마스크.
  4. 제3항에 있어서, 상기 프리즘은 상기 투명한 기판을 중심으로 상기 패턴의 반대쪽에 구비된 것을 특징으로 하는 광학 마스크.
  5. 제1항에 있어서, 상기 광학 마스크는 3차원 구조물의 수직면을 노광시키기 위한 것임을 특징으로 하는 광학 마스크.
  6. 제5항에 있어서, 상기 수직면은 상기 투명한 기판과 수직한 방향의 면인 것을 특징으로 하는 광학 마스크.
  7. 제5항에 있어서, 상기 광 경로 변경부는 상기 3차원 구조물의 수직면으로 빛을 통과시킬 수 있도록, 상기 수직면 방향의 위쪽에 구비되는 것을 특징으로 하는 광학 마스크.
  8. 제5항에 있어서, 상기 3차원 구조물의 수직면에는 감광제가 도포된 것을 특징으로 하는 광학 마스크.
  9. 제3항에 있어서, 상기 프리즘은 광학적 평면의 각도가 상이한 2개 이상의 프리즘인 것을 특징으로 하는 광학 마스크.
  10. 제3항에 있어서, 상기 회절 격자는 0.5㎛ 내지 10㎛ 범위 내의 서로 다른 2개 이상의 선 사이 간격을 갖는 것을 특징으로 하는 광학 마스크.
  11. 제1항에 있어서, 상기 패턴은 감광제에 빛을 선택적으로 조사하기 위하여 일정한 형태의 미세 형상으로 이루어진 빛을 반사하는 크롬(Cr) 막인 것을 특징으로 하는 광학 마스크.
  12. 3차원 구조물 형상을 갖는 기판의 적어도 일 측 수직면에 감광제를 균일하게 도포하는 단계;
    투명한 기판과 상기 투명한 기판의 한쪽에 형성되어 빛을 차단하는 패턴(pattern)과 상기 패턴이 형성되지 않은 투명한 기판의 일부 영역에 형성되어 빛의 경로를 변경할 수 있는 광 경로 변경부로 이루어진 것을 특징으로 하는 광학 마스크를 준비하는 단계;
    상기 광학 마스크를 이용하여 상기 감광제가 도포된 수직면을 노광시키는 단계;
    상기 노광된 기판을 현상하는 단계를 포함하는 사진 식각 공정.
  13. 제12항에 있어서, 상기 광학 마스크를 준비하는 단계와 노광시키는 단계 사이에 상기 광 경로 변경부를 상기 수직면의 위쪽 방향에 위치시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 사진 식각 공정.
  14. 제12항에 있어서, 상기 노광시키는 단계는 상기 광 경로 변경부로부터 상기 3차원 구조물의 수직면으로 빛을 통과시켜 상기 수직면을 노광시키는 것을 특징으로 하는 사진 식각 공정.
KR1020050079483A 2005-08-29 2005-08-29 광 경로 변경부가 구비된 광학 마스크 및 이를 이용한사진 식각 공정 KR100658886B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050079483A KR100658886B1 (ko) 2005-08-29 2005-08-29 광 경로 변경부가 구비된 광학 마스크 및 이를 이용한사진 식각 공정

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050079483A KR100658886B1 (ko) 2005-08-29 2005-08-29 광 경로 변경부가 구비된 광학 마스크 및 이를 이용한사진 식각 공정

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100658886B1 true KR100658886B1 (ko) 2006-12-15

Family

ID=37733666

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050079483A KR100658886B1 (ko) 2005-08-29 2005-08-29 광 경로 변경부가 구비된 광학 마스크 및 이를 이용한사진 식각 공정

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100658886B1 (ko)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07140642A (ja) * 1993-05-24 1995-06-02 Sanyo Electric Co Ltd フォトマスクおよび縮小投影露光装置
JPH0950117A (ja) * 1995-08-07 1997-02-18 Sony Corp フォトマスクおよびこれを用いた露光方法
JPH113847A (ja) 1997-06-11 1999-01-06 Miyazaki Oki Electric Co Ltd 露光方法及びこれに用いるホトマスク
JPH11150365A (ja) 1997-11-19 1999-06-02 Nissha Printing Co Ltd スルーホールを有するプリント配線板の製造方法
JP2004226542A (ja) 2003-01-21 2004-08-12 Seiko Epson Corp フォトマスク及びパターン作製方法及び半導体装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07140642A (ja) * 1993-05-24 1995-06-02 Sanyo Electric Co Ltd フォトマスクおよび縮小投影露光装置
JPH0950117A (ja) * 1995-08-07 1997-02-18 Sony Corp フォトマスクおよびこれを用いた露光方法
JPH113847A (ja) 1997-06-11 1999-01-06 Miyazaki Oki Electric Co Ltd 露光方法及びこれに用いるホトマスク
JPH11150365A (ja) 1997-11-19 1999-06-02 Nissha Printing Co Ltd スルーホールを有するプリント配線板の製造方法
JP2004226542A (ja) 2003-01-21 2004-08-12 Seiko Epson Corp フォトマスク及びパターン作製方法及び半導体装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8912103B2 (en) Method of fabricating and correcting nanoimprint lithography templates
US20090001634A1 (en) Fine resist pattern forming method and nanoimprint mold structure
KR100263900B1 (ko) 마스크 및 그 제조방법
US9952520B2 (en) Method for semiconductor wafer alignment
US8951698B2 (en) Method for forming pattern and method for producing original lithography mask
KR101238925B1 (ko) 고체 액침 렌즈 리소그래피
KR20120105929A (ko) 반사형 극자외선 마스크 및 그의 제조 방법
KR20030038327A (ko) 패턴의 형성 방법 및 장치의 제조 방법
JP4674105B2 (ja) 回路パターン転写装置及び方法
KR100907898B1 (ko) 반도체 소자 제조 방법
KR100658886B1 (ko) 광 경로 변경부가 구비된 광학 마스크 및 이를 이용한사진 식각 공정
KR20060083507A (ko) 반도체기판의 패턴 형성방법 및 이를 이용한 반도체기판의패턴 형성장치
JP2007095859A (ja) リソグラフィ方法
JPH03144453A (ja) 露光用マスク及び半導体装置の製造方法
KR100278917B1 (ko) 반도체 소자의 콘택 마스크 제조방법
JP2693805B2 (ja) レチクル及びこれを用いたパターン形成方法
JP3091886B2 (ja) レジストパターンの形成方法
KR101052923B1 (ko) 더블 패터닝을 위한 포토마스크 및 이를 이용한 노광방법과그 제조방법
JP2002351049A (ja) フォトマスクおよびその製造方法
JPS62245251A (ja) レジストパタ−ン形成方法
JP4225544B2 (ja) 感光性材料の積層構造および微細パターン形成方法
KR970006928B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법
US7629090B2 (en) Reticle and method of manufacturing method the same
JPH06140300A (ja) 露光方法
JPH0527413A (ja) 露光装置用ホトマスク

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee