KR100658257B1 - Light emitting display - Google Patents
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Abstract
본 발명은 스위칭 소자의 누설전류로 인한 화질저하를 최소화할 수 있도록 한 발광 표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting display device capable of minimizing image degradation due to leakage current of a switching element.
본 발명의 발광 표시장치는 데이터선과 주사선의 교차영역에 형성된 화소들을 포함하고, 상기 각 화소는 발광소자와, 상기 발광소자에 데이터 신호에 대응되는 전류를 공급하기 위한 피모스(PMOS) 구동 트랜지스터와, 제 1 선택신호에 응답하여 상기 구동 트랜지스터의 문턱전압을 보상하기 위한 보상용 커패시터를 포함하는 제 1 스위칭부와, 전압전원과 상기 제 1 스위칭부 사이에 접속되어 상기 데이터 신호에 대응하는 전압을 저장하는 스토리지 커패시터와, 제 2 선택신호에 응답하여 상기 데이터 신호를 상기 스토리지 커패시터에 전달하는 제 2 스위칭부를 포함하며, 상기 제 1 및 제 2 스위칭부에 포함된 트랜지스터들은 앤모스(NMOS) 트랜지스터로 구성된다. A light emitting display device of the present invention includes pixels formed at an intersection area of a data line and a scan line, each pixel including a light emitting element, a PMOS driving transistor for supplying a current corresponding to a data signal to the light emitting element, And a first switching unit including a compensating capacitor for compensating the threshold voltage of the driving transistor in response to a first selection signal, and connected between a voltage power supply and the first switching unit to supply a voltage corresponding to the data signal. A storage capacitor and a second switching unit configured to transfer the data signal to the storage capacitor in response to a second selection signal, wherein the transistors included in the first and second switching units are NMOS transistors. It is composed.
이러한 구성에 의하여, 본 발명은 스위칭 소자의 누설전류를 감소시켜 화질저하를 최소화할 수 있다. 또한, 본 발명은 구동 박막 트랜지스터의 문턱전압을 데이터 신호에 보상하여 화소의 위치에 따른 구동 박막 트랜지스터 간의 문턱전압 차이로 인한 휘도 불균일을 방지하여 휘도를 균일하게 할 수 있다.By such a configuration, the present invention can reduce the leakage current of the switching element to minimize image quality deterioration. In addition, the present invention compensates the threshold voltage of the driving thin film transistor to the data signal, thereby preventing luminance unevenness due to the difference in the threshold voltage between the driving thin film transistors according to the position of the pixel, thereby making the luminance uniform.
Description
도 1은 일반적인 발광 표시장치의 화소를 나타내는 회로도.1 is a circuit diagram illustrating a pixel of a general light emitting display device.
도 2는 도 1에 도시된 화소회로를 구동하기 위한 구동신호를 나타내는 파형도.2 is a waveform diagram illustrating a driving signal for driving the pixel circuit shown in FIG. 1;
도 3은 도 2에 도시된 P 타입의 트랜지스터의 누설전류 특성을 나타내는 파형도.3 is a waveform diagram showing leakage current characteristics of a P-type transistor shown in FIG. 2;
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 발광 표시장치를 나타내는 블록도.4 is a block diagram illustrating a light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 발광 표시장치의 화소를 나타내는 회로도.5 is a circuit diagram illustrating a pixel of a light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 6은 도 5에 도시된 화소를 구동하기 위한 타이밍신호를 나타내는 파형도.FIG. 6 is a waveform diagram illustrating a timing signal for driving the pixel illustrated in FIG. 5. FIG.
도 7a 내지 도 7e는 도 5에 도시된 N 타입 트랜지스터의 제조과정을 단계적으로 나타내는 단면도.7A through 7E are cross-sectional views illustrating a process of manufacturing the N-type transistor shown in FIG. 5.
도 8은 도 5에 도시된 N 타입의 트랜지스터의 누설전류 특성을 나타내는 파형도.FIG. 8 is a waveform diagram showing leakage current characteristics of the N-type transistor shown in FIG. 5;
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>
11, 111 : 화소 40, 140 ; 화소회로11, 111:
110 : 화상 표시부 120 : 주사 구동부110: image display unit 120: scan driver
130 : 데이터 구동부 142 : 스위칭부130: data driver 142: switching unit
본 발명은 발광 표시장치에 관한 것으로, 특히 스위칭 소자의 누설전류로 인한 화질저하를 최소화할 수 있도록 한 발광 표시장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE
최근, 음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시장치들이 개발되고 있다. 평판 표시장치로는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display), 전계방출 표시장치(Field Emission Display), 플라즈마 표시패널(Plasma Display Panel) 및 발광 표시장치(Light Emitting Display) 등이 있다.Recently, various flat panel displays have been developed to reduce weight and volume, which are disadvantages of cathode ray tubes. The flat panel display includes a liquid crystal display, a field emission display, a plasma display panel, a light emitting display, and the like.
평판표시장치 중 발광 표시장치는 전자와 정공의 재결합으로 형광물질을 발광시키는 자발광소자이다. 이러한, 발광 표시장치는 구동방식에 따라 수동(Passive) 발광 표시장치와 능동(Active) 발광 표시장치로 나뉘어진다. 이 발광 표시장치는 액정 표시장치와 같이 별도의 광원을 필요로 하는 수동형 발광소자에 비하여 음극선관과 같은 빠른 응답속도를 가지는 장점을 갖고 있다.Among the flat panel displays, a light emitting display is a self-light emitting device that emits a fluorescent material by recombination of electrons and holes. Such a light emitting display device is classified into a passive light emitting display device and an active light emitting display device according to a driving method. This light emitting display device has an advantage of having a fast response speed, such as a cathode ray tube, compared to a passive light emitting device requiring a separate light source like a liquid crystal display device.
도 1을 참조하면, 일반적인 발광 표시장치의 화소(11)는 주사선(SL)에 선택신호가 인가될 때 선택되고, 데이터선(DL)에 공급되는 데이터 신호에 상응하는 빛을 발생하게 된다.Referring to FIG. 1, a
이를 위해, 각 화소(11)는 유기발광소자(OLED)와, 데이터선(DL)과 주사선(SL) 및 발광 신호선(EMIn)에 접속되어 유기발광소자(OLED)를 발광시키기 위한 화소회로(40)를 구비한다.To this end, each
유기발광소자(OLED)의 애노드 전극은 화소회로(40)에 접속되고, 캐소드 전극은 제 2 전압전원(VSS)에 접속된다. 그리고 유기발광소자(OLED)는 애노드 전극과 캐소드 전극 사이에 형성된 발광층(Emitting Layer : EML), 전자 수송층(Electron Transport Layer : ETL) 및 정공 수송층(Hole Transport Layer : HTL)을 포함한다. 또한, 유기발광소자(OLED)는 전자 주입층(Electron Injection Layer : EIL)과 정공 주입층(Hole Injection Layer : HIL)을 추가적으로 포함할 수 있다. 이러한, 유기발광소자(OLED)에서 애노드 전극과 캐소드 전극 사이에 전압을 인가하면 캐소드 전극으로부터 발생된 전자는 전자 주입층 및 전자 수송층을 통해 발광층 쪽으로 이동하고, 애노드 전극으로부터 발생된 정공은 정공 주입층 및 정공 수송층을 통해 발광층 쪽으로 이동한다. 이에 따라, 발광층에서는 전자 수송층과 정공 수송층으로부터 공급되어진 전자와 정공이 충돌하여 재결합함에 의해 빛이 발생하게 된다.The anode electrode of the organic light emitting element OLED is connected to the
화소회로(40)는 제 1 전압전원(VDD)과 유기발광소자(OLED) 사이에 접속된 구동 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor ; 이하 "TFT"라 함)(DT)와, 발광 신호선(EMIn)과 유기발광소자(OLED) 및 구동 TFT(DT)에 접속된 제 4 스위칭 소자(SW4)와, N번째(단, N은 양의 정수) 주사선(SLn)과 데이터선(DL)에 접속된 제 1 스위칭 소자(SW1)와, 제 1 스위칭 소자(SW1)와 제 1 전압전원(VDD) 및 제 N-1 주사선(SLn-1)에 접속된 제 2 스위칭 소자(SW2)와, 구동 TFT(DT)와 제 4 스위칭 소자(SW4) 사이인 제 1 노드(N1)와 제 N-1 주사선(SLn-1) 및 구동 TFT(DT)의 게이트 전극에 접속된 제 3 스위칭 소자(SW3)와, 제 1 및 제 2 스위칭 소자(SW1, SW2) 사이인 제 2 노드(N2)와 제 1 전압전원(VDD) 사이에 접속된 스토리지 커패시터(Cst)와, 제 2 노드(N2)와 구동 TFT(DT)의 게이트 전극 사이에 접속된 보상용 커패시터(Cvth)를 구비한다. 여기서, TFT는 P 타입 금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET, Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)이다.The
제 1 스위칭 소자(SW1)의 게이트 전극은 제 N 주사선(SLn)에 접속되고, 소스 전극은 데이터선(DL)에 접속됨과 아울러 드레인 전극은 제 2 노드(N2)에 접속된다. 이러한, 제 1 스위칭 소자(SW1)는 주사 구동부(미도시)로부터 제 N 주사선(SLn)에 공급되는 선택신호에 응답하여 데이터선(DL)으로부터의 데이터 신호를 제 2 노드(N2)에 공급한다.The gate electrode of the first switching element SW1 is connected to the Nth scan line SLn, the source electrode is connected to the data line DL, and the drain electrode is connected to the second node N2. The first switching element SW1 supplies the data signal from the data line DL to the second node N2 in response to a selection signal supplied from the scan driver (not shown) to the Nth scan line SLn. .
제 2 스위칭 소자(SW2)의 게이트 전극은 제 N-1 주사선(SLn-1)에 접속되고, 소스 전극은 제 1 전압전원(VDD)에 접속됨과 아울러 드레인 전극은 제 2 노드(N2)에 접속된다. 이러한, 제 2 스위칭 소자(SW2)는 제 N-1 주사선(SLn-1)에 공급되는 선택신호에 응답하여 제 1 전압전원(VDD)으로부터의 전압을 제 2 노드(N2)에 공급한다.The gate electrode of the second switching element SW2 is connected to the N-th scan line SLn-1, the source electrode is connected to the first voltage power supply VDD, and the drain electrode is connected to the second node N2. do. The second switching element SW2 supplies a voltage from the first voltage power supply VDD to the second node N2 in response to a selection signal supplied to the N-1 scan line SLn-1.
제 3 스위칭 소자(SW3)의 게이트 전극은 제 N-1 주사선(SLn-1)에 접속되고, 소스 전극은 구동 TFT(DT)에 접속됨과 아울러 드레인 전극은 제 1노드(N1)에 접속된다. 이러한, 제 3 스위칭 소자(SW3)는 제 N-1 주사선(SLn-1)에 공급되는 선택신호에 응답하여 구동 TFT(DT)의 게이트 전극을 제 1 노드(N1)에 접속시킨다.The gate electrode of the third switching element SW3 is connected to the N-th scan line SLn-1, the source electrode is connected to the driving TFT DT, and the drain electrode is connected to the first node N1. The third switching device SW3 connects the gate electrode of the driving TFT DT to the first node N1 in response to the selection signal supplied to the N-1 scan line SLn-1.
스토리지 커패시터(Cst)는 제 N 주사선(SLn)에 선택신호가 공급되는 구간에 제 1 스위칭 소자(SW1)를 경유하여 제 2 노드(N2) 상에 공급되는 데이터 신호에 대응되는 전압을 저장한 후, 제 1 스위칭 소자(SW1)가 오프되면 구동 TFT(DT)의 온 상태를 한 프레임 동안 유지시키게 된다.The storage capacitor Cst stores a voltage corresponding to the data signal supplied to the second node N2 via the first switching element SW1 in a section where the selection signal is supplied to the Nth scan line SLn. When the first switching device SW1 is off, the on state of the driving TFT DT is maintained for one frame.
보상용 커패시터(Cvth)는 제 N-1 주사선(SLn-1)에 선택신호가 공급되는 구간에 구동 TFT(DT)의 문턱전압(Vth)에 상응하는 전압을 저장한다. 즉, 보상용 커패시터(Cvth)는 제 2 및 제 3 스위칭 소자(SW2, SW3)의 스위칭에 따라 구동 TFT(DT)의 문턱전압(Vth)을 보상하기 위한 보상전압을 저장하게 된다.The compensating capacitor Cvth stores a voltage corresponding to the threshold voltage Vth of the driving TFT DT in a section in which the selection signal is supplied to the N-th scan line SLn-1. That is, the compensation capacitor Cvth stores the compensation voltage for compensating the threshold voltage Vth of the driving TFT DT according to the switching of the second and third switching devices SW2 and SW3.
구동 TFT(DT)의 게이트 전극은 제 3 스위칭 소자(SW3)의 소스 전극과 보상용 커패시터에 접속되고, 소스 전극은 제 1 전압전원(VDD)에 접속됨과 아울러 드레인 전극은 제 1 노드(N1)에 접속된다. 이러한, 구동 TFT(DT)는 자신의 게이트 전극에 공급되는 전압에 따라 제 4 스위칭 소자(SW4)로 공급되는 전류량을 제어한다. The gate electrode of the driving TFT DT is connected to the source electrode and the compensation capacitor of the third switching element SW3, the source electrode is connected to the first voltage power supply VDD, and the drain electrode is connected to the first node N1. Is connected to. The driving TFT DT controls the amount of current supplied to the fourth switching element SW4 according to the voltage supplied to its gate electrode.
제 4 스위칭 소자(SW4)의 게이트 전극은 발광 신호선(EMIn)에 접속되고, 소스 전극은 제 1 노드(N1)에 접속됨과 아울러 드레인 전극은 유기발광소자(OLED)의 애노드 전극에 접속된다. 이러한, 제 4 스위칭 소자(SW4)는 발광 신호선(EMIn)으로부터 공급되는 발광신호에 응답하여 구동 TFT(DT)로부터 공급되는 전류를 유기발 광소자(OLED)에 공급함으로써 유기발광소자(OLED)를 발광시키게 된다.The gate electrode of the fourth switching element SW4 is connected to the emission signal line EMIn, the source electrode is connected to the first node N1, and the drain electrode is connected to the anode electrode of the organic light emitting element OLED. The fourth switching device SW4 supplies the organic light emitting diode OLED by supplying a current supplied from the driving TFT DT to the organic light emitting diode OLED in response to the light emitting signal supplied from the light emitting signal line EMIn. It will emit light.
한편, 제 4 스위칭 소자(SW4)는 발광 신호선(EMIn)으로부터 공급되는 발광신호에 의해 스위칭되어 데이터 신호를 기입하는 동안 유기발광소자(OLED)로 전류가 흐르는 것을 차단하게 된다.On the other hand, the fourth switching element SW4 is switched by the light emission signal supplied from the light emission signal line EMIn to block the flow of current to the organic light emitting element OLED while writing the data signal.
이러한, 화소들(11)의 구동을 도 2와 결부하여 설명하면 다음과 같다.The driving of the
도 2에 도시된 바와 같이, 제 N-1 주사선(SLn-1)에 로우 상태의 선택신호(SS)가 공급되고 제 N 주사선(SLn)에 하이 상태의 선택신호(SS)가 공급되는 T1 구간에서는 제 2 및 제 3 스위칭 소자(SW2, SW3)가 턴-온되고, 제 1 스위칭 소자(SW1)는 오프 상태가 된다. 또한, 제 4 스위칭 소자(SW4)는 발광 신호선(EMIn)에 공급되는 하이 상태의 발광신호(EMI)에 따라 온 상태에서 턴-오프된다.As illustrated in FIG. 2, a T1 section in which a selection signal SS in a low state is supplied to the N-th scan line SLn-1 and a selection signal SS in a high state is supplied to the N-th scan line SLn. In the second and third switching devices SW2 and SW3 are turned on, and the first switching device SW1 is turned off. In addition, the fourth switching device SW4 is turned off in the on state according to the light emission signal EMI of the high state supplied to the light emission signal line EMIn.
이로 인하여, 구동 TFT(DT)는 다이오드 기능을 수행하게 되고, 구동 TFT(DT)의 게이트-소스 간 전압은 자신의 문턱전압(Vth)이 될 때까지 변하게 된다. 이에 따라, 보상용 커패시터(Cvth)는 구동 TFT(DT)의 문턱전압(Vth)에 상응하는 보상 전압을 저장하게 된다.As a result, the driving TFT DT performs a diode function, and the gate-source voltage of the driving TFT DT is changed until its threshold voltage Vth is reached. Accordingly, the compensation capacitor Cvth stores the compensation voltage corresponding to the threshold voltage Vth of the driving TFT DT.
이어서, 제 N-1 주사선(SLn-1)에 하이 상태의 선택신호(SS)가 공급되고 제 N 주사선(SLn)에 로우 상태의 선택신호(SS)가 공급되는 T2 구간에서는 제 2 및 제 3 스위칭 소자(SW2, SW3)가 턴-오프되고, 제 1 스위칭 소자(SW1)가 턴-온된다. 이로 인하여, 데이터 구동부(30)로부터 데이터선(DL)에 공급되는 데이터 신호는 제 1 스위칭 소자(SW1)를 경유하여 제 2 노드(N2)에 공급된다. 이때, 스토리지 커패시터(Cst)는 제 2 노드(N2)의 전압 변동값을 저장하게 된다. 이에 따라, 구동 TFT(DT)의 게이트 전극에는 제 2 노드(N2)의 전압의 변동값(Vdata-VDD)과 보상용 커패시터(Cvth)에 저장된 보상전압이 더해진 전압이 공급된다. Subsequently, in the T2 period in which the selection signal SS in the high state is supplied to the N-th scan line SLn-1 and the selection signal SS in the low state is supplied to the N-th scan line SLn, the second and third parts are provided. The switching elements SW2 and SW3 are turned off and the first switching element SW1 is turned on. As a result, the data signal supplied from the data driver 30 to the data line DL is supplied to the second node N2 via the first switching element SW1. In this case, the storage capacitor Cst stores the voltage change value of the second node N2. Accordingly, the gate electrode of the driving TFT DT is supplied with the voltage plus the variation value Vdata-VDD of the voltage of the second node N2 and the compensation voltage stored in the compensation capacitor Cvth.
이로 인하여, 구동 TFT(DT)의 게이트-소스 전압(Vgs)은 아래의 수학식 1과 같게 된다.For this reason, the gate-source voltage Vgs of the driving TFT DT becomes as shown in
여기서, VDD는 공급전압, Vdata는 데이터 신호 및 Vth는 구동 TFT(DT)의 문턱전압이다.Here, VDD is a supply voltage, Vdata is a data signal, and Vth is a threshold voltage of the driving TFT DT.
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제 4 스위칭 소자(SW4)는 발광 신호선(EMIn)에 로우 상태의 발광신호(EMI)가 공급될 때 턴-온된다. 이때, 구동 TFT(DT)는 제 2 노드(N2)의 전압 변동값과 보상용 커패시터(Cvth)에 저장된 보상전압이 더해진 전압에 의해 턴-온되어 보상된 데이터 신호에 상응하는 전류를 제 4 스위칭 소자(SW4)에 공급한다. 따라서 유기발광소자(OLED)는 제 4 스위칭 소자(SW4)를 경유하여 구동 TFT(DT)로부터 공급되는 전류에 의해 발광하여 화상을 표시하게 된다.The fourth switching element SW4 is turned on when the light emission signal EMI of the low state is supplied to the light emission signal line EMIn. At this time, the driving TFT DT is turned on by the voltage added with the voltage change value of the second node N2 and the compensation voltage stored in the compensation capacitor Cvth, and fourth switching current corresponding to the compensated data signal. Supply to element SW4. Therefore, the organic light emitting diode OLED emits light by the current supplied from the driving TFT DT via the fourth switching element SW4 to display an image.
그런 다음, 제 N 주사선(SLn)에 하이 상태의 선택신호(SS)가 공급되는 T2 구간 이후에서는 스토리지 커패시터(Cst)에 저장된 데이터 신호에 의해 구동 TFT(DT)의 온상태가 유지됨으로써 유기발광소자(OLED)는 한 프레임 기간 동안 발광하여 화 상을 표시하게 된다.Then, after the T2 section in which the selection signal SS in the high state is supplied to the Nth scan line SLn, the on state of the driving TFT DT is maintained by the data signal stored in the storage capacitor Cst. (OLED) emits light for one frame period to display an image.
이와 같은, 종래의 발광 표시장치는 보상용 커패시터(Cvth)와 제 2 및 제 3 스위칭 소자(SW2, SW3)를 이용하여 각 화소(11)에 형성되는 구동 TFT(DT)의 문턱전압(Vth)이 서로 다르더라도 구동 TFT(DT)의 문턱전압(Vth)을 보상함으로써 유기발광소자(OLED)에 공급되는 전류를 일정하게 하여 화소(11)의 위치에 따른 휘도를 균일하게 할 수 있다.In the conventional light emitting display device, the threshold voltage Vth of the driving TFT DT formed in each
한편, 종래의 발광 표시장치의 화소회로(40)를 구성하는 TFT들(SW1, SW2, SW3, DT, SW4)은 P 타입 TFT로 구성된다. 이는 구동 TFT(DT)를 P 타입 TFT로 사용하는 것과 관련이 있으며, 화소회로(40)의 모든 TFT들(SW1, SW2, SW3, DT, SW4)을 P 타입 TFT로 구성할 경우 N 타입을 사용하지 않으므로 TFT의 제조공정에서 포토 마스크를 적게 사용할 수 있는 장점이 있다. 그러나 스위칭 소자로 사용되는 P 타입 TFT는 누설전류(Leakage Current)가 크다는 문제점이 있다. 이로 인하여, 종래의 발광 표시장치는 P 타입 TFT의 누설전류로 인하여 화질이 저하되는 문제점이 있다.On the other hand, the TFTs SW1, SW2, SW3, DT, and SW4 constituting the
구체적으로, 일반적인 P 타입 TFT의 드레인 전압(Vd)에 따른 게이트 전압(Vg) 및 드레인 전류(Id)는 도 3에 도시된 바와 같다. 이러한, P 타입 TFT의 누설전류 수준은 도 4에 도시된 드레인 전압(Vd)이 0.1V인 A선, 드레인 전압(Vd)이 5.1V인 B선 및 드레인 전압(Vd)이 10.1V인 C선과 같이 0V의 게이트-소스간 전압(Vgs)에서 1×10-11, 즉 10㎀ 수준까지 커질 수 있으며, P 타입의 게이트-소스 전압(Vgs)이 커질수록 1㎁에서 10㎁ 수준까지 커질 수 있다. 따라서 화소회로(40)의 스위칭 소자로써 P 타입 TFT를 사용하는 종래의 발광 표시장치는 P 타입 TFT의 누설전류로 인하여 화질이 저하되는 문제점이 있다.Specifically, the gate voltage Vg and the drain current Id according to the drain voltage Vd of the general P-type TFT are shown in FIG. 3. The leakage current level of the P-type TFT is a line A having a drain voltage Vd of 0.1V, a line B having a drain voltage Vd of 5.1V, and a line C having a drain voltage Vd of 10.1V. Likewise, the gate-source voltage (Vgs) of 0V can be increased to 1 × 10 -11 , that is, 10㎀, and the larger the P-type gate-source voltage (Vgs) can be increased from 1㎁ to 10㎁. . Therefore, the conventional light emitting display device using the P type TFT as the switching element of the
따라서 본 발명의 목적은 스위칭 소자의 누설전류로 인한 화질저하를 최소화할 수 있도록 한 발광 표시장치를 제공하는데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a light emitting display device capable of minimizing image quality deterioration due to leakage current of a switching element.
또한, 본 발명의 다른 목적은 스위칭 소자의 누설전류로 인한 화질저하를 최소화함과 아울러 각 화소의 스위칭 소자들 간의 문턱전압 차이로 인한 휘도 불균일을 방지하여 휘도를 균일하게 할 수 있는 발광 표시장치를 제공하는데 있다.
In addition, another object of the present invention is to provide a light emitting display device capable of minimizing image quality deterioration due to leakage current of a switching element and preventing luminance unevenness due to a difference in threshold voltage between switching elements of each pixel. To provide.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시 예에 따른 발광 표시장치는 데이터선과 주사선의 교차영역에 형성된 화소들을 포함하고, 상기 각 화소는 발광소자와, 상기 발광소자에 데이터 신호에 대응되는 전류를 공급하기 위한 피모스(PMOS) 구동 트랜지스터와, 제 1 선택신호에 응답하여 상기 구동 트랜지스터의 문턱전압을 보상하기 위한 보상용 커패시터를 포함하는 제 1 스위칭부와, 전압전원과 상기 제 1 스위칭부 사이에 접속되어 상기 데이터 신호에 대응하는 전압을 저장하는 스토리지 커패시터와, 제 2 선택신호에 응답하여 상기 데이터 신호를 상기 스토리지 커패시터에 전달하는 제 2 스위칭부를 포함하며, 상기 제 1 및 제 2 스위칭부에 포함된 트랜지스터들은 앤모스(NMOS) 트랜지스터로 구성된다. In order to achieve the above object, a light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention includes pixels formed at an intersection area of a data line and a scan line, and each pixel supplies a light emitting element and a current corresponding to a data signal to the light emitting element. A first switching unit including a PMOS driving transistor for supplying and a compensation capacitor for compensating a threshold voltage of the driving transistor in response to a first selection signal, between a voltage power supply and the first switching unit; A storage capacitor connected to the storage capacitor to store a voltage corresponding to the data signal, and a second switching unit configured to transfer the data signal to the storage capacitor in response to a second selection signal; The included transistors consist of NMOS transistors.
상기 제 2 스위칭부는 상기 제 2 선택신호에 의해 제어되며 상기 데이터선과 상기 스토리지 커패시터 사이에 접속된 제 1 스위칭 소자를 구비한다. The second switching unit includes a first switching element controlled by the second selection signal and connected between the data line and the storage capacitor.
상기 제 1 스위칭부는 제 1 선택신호에 의해 제어되며 상기 전압전원과 상기 제 1 스위칭 소자 사이에 접속되는 제 2 스위칭 소자와, 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극과 상기 제 1 스위칭소자 사이에 접속되는 상기 보상용 커패시터와, 제 1 선택신호에 의해 제어되며 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극과 드레인 전극 사이에 접속된 제 3 스위칭 소자를 구비한다.The first switching unit is controlled by a first selection signal and is connected to the second switching element between the voltage power supply and the first switching element, and the compensation connected between the gate electrode of the driving transistor and the first switching element. And a third switching element controlled by the first selection signal and connected between the gate electrode and the drain electrode of the driving transistor.
상기 각 화소는 상기 화상 표시부에 형성되는 발광 신호라인에 공급되는 발광신호에 의해 제어되며 상기 구동 트랜지스터의 드레인 전극과 상기 발광소자에 접속되는 제 4 스위칭 소자를 더 구비한다.Each pixel further includes a fourth switching element controlled by an emission signal supplied to an emission signal line formed in the image display unit and connected to the drain electrode of the driving transistor and the light emitting element.
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이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있는 가장 바람직한 실시 예를 첨부된 도 4 내지 도 8을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 4 to 8 which can be easily implemented by those skilled in the art.
도 4를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 발광 표시장치는 주사선들(SL1 내지 SLn)과 데이터선(DL1 내지 DLm) 및 발광 신호선(EMIn)의 교차영역에 형성된 화소들(111)을 포함하는 화상 표시부(110)와, 주사선들(SL1 내지 SLn)을 구동하기 위한 주사 구동부(120)와, 데이터선들(DL1 내지 DLm)을 구동하기 위한 데이터 구동부(130)를 구비한다.Referring to FIG. 4, a light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention includes
주사 구동부(120)는 도시하지 않은 제어부로부터의 주사 제어신호들, 즉 스타트펄스와 클럭신호에 응답하여 주사선들(SL1 내지 SLn)을 순차적으로 구동시키기 위한 선택신호를 발생하여 주사선들(SL1 내지 SLn)에 순차적으로 공급한다.The
데이터 구동부(130)는 제어부로부터 공급되는 데이터 제어신호들에 응답하여 제어부로부터의 데이터 신호를 데이터선들(DL1 내지 DLm)을 통해 화소(111)에 공급한다. 이때, 데이터 구동부(130)는 1 수평기간 마다 1 수평라인 분씩의 데이터 신호를 데이터선들(DL1 내지 DLm)에 공급한다.The
화소들(111) 각각은 주사선(SL)에 선택신호가 인가될 때 선택되고, 데이터선(DL)에 공급되는 데이터 신호에 상응하는 빛을 발생하게 된다.Each of the
이를 위해, 화소들(111) 각각은 도 5에 도시된 바와 같이 유기발광소자(OLED)와, 데이터선(DL)과 주사선(SL) 및 발광 신호선(EMIn)에 접속되어 유기발광소자(OLED)를 발광시키기 위한 화소회로(140)를 구비한다.To this end, each of the
유기발광소자(OLED)의 애노드 전극은 화소회로(140)에 접속되고, 캐소드 전극은 제 2 전압전원(VSS)에 접속된다. 그리고 유기발광소자(OLED)는 애노드 전극과 캐소드 전극 사이에 형성된 발광층(Emitting Layer : EML), 전자 수송층(Electron Transport Layer : ETL) 및 정공 수송층(Hole Transport Layer : HTL)을 포함한다. 또한, 유기발광소자(OLED)는 전자 주입층(Electron Injection Layer : EIL)과 정공 주입층(Hole Injection Layer : HIL)을 추가적으로 포함할 수 있다. 이러한, 유기발광소자(OLED)에서 애노드 전극과 캐소드 전극 사이에 전압을 인가하면 캐소드 전극으로부터 발생된 전자는 전자 주입층 및 전자 수송층을 통해 발광층 쪽으로 이동하고, 애노드 전극으로부터 발생된 정공은 정공 주입층 및 정공 수송층을 통해 발광층 쪽으로 이동한다. 이에 따라, 발광층에서는 전자 수송층과 정공 수송층으로부터 공급되어진 전자와 정공이 충돌하여 재결합함에 의해 빛이 발생하게 된다.The anode electrode of the organic light emitting diode OLED is connected to the
화소회로(140)는 제 1 전원선(VDD)과 유기발광소자(OLED) 사이에 접속되어 유기발광소자(OLED)에 전류신호를 공급하기 위한 P 타입 구동 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor ; 이하 "TFT"라 함)(DT)와, P 타입 TFT(DT)와 다른 전도타입으로 형성되고 상기 구동신호에 응답하여 P 타입 구동 TFT(DT)를 구동 시키기 위한 적어도 하나의 스위칭 소자(SW1, SW2, SW3)를 포함하는 스위칭부(142)와, 발광 신호라인(EMIn)과, P 타입 구동 TFT(DT) 및 유기발광소자(OLED)의 애노드 전극에 접속되는 제 4 스위칭 소자(SW4)를 구비한다.The
화소회로(140)의 스위칭부(142)는 제 N(단, N은 양의 정수) 주사선(SLn)과 데이터선(DL)에 접속된 N 타입 제 1 스위칭 소자(SW1)와, N 타입 제 1 스위칭 소자(SW1)와 제 1 전원선(VDD) 및 제 N-1 주사선(SLn-1)에 접속된 N 타입 제 2 스위칭 소자(SW2)와, P 타입 구동 TFT(DT)와 P 타입 제 4 스위칭 소자(SW4) 사이인 제 1 노드(N1)와 제 N-1 주사선(SLn-1) 및 P 타입 구동 TFT(DT)의 게이트 전극, 즉 제 3 노드(N3)에 접속된 N 타입 제 3 스위칭 소자(SW3)와, N 타입 제 1 및 제 2 스위칭 소자(SW1, SW2) 사이인 제 2 노드(N2)와 제 1 전원선(VDD) 사이에 접속된 스토리지 커패시터(Cst)와, 제 2 노드(N2)와 제 3 노드(N3) 사이에 접속된 보상용 커패시터(Cvth)를 구비한다. 여기서, TFT는 금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET, Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)이다. 여기서, N 타입 제 2 및 제 3 스위칭 소자(SW2, SW3)는 제 N-1 주사선(SLn-1)으로부터의 선택신호에 응답하여 P 타입 구동 TFT(DT)의 문턱전압을 보상하기 위한 제 1 스위칭부이고, 제 1 스위칭 소자(SW1)는 제 N 주사선(SLn)으로부터의 선택신호에 응답하여 P 타입 구동 TFT(DT)를 제어하기 위한 제 2 스위칭부이다.The
N 타입 제 1 스위칭 소자(SW1)의 게이트 전극은 제 N 주사선(SLn)에 접속되고, 소스 전극은 데이터선(DL)에 접속됨과 아울러 드레인 전극은 제 2 노드(N2)에 접속된다. 이러한, N 타입 제 1 스위칭 소자(SW1)는 주사 구동부(120)로부터 제 N 주사선(SLn)에 공급되는 선택신호에 의해 응답하여 데이터선(DL)으로부터의 데이터 신호를 제 2 노드(N2)에 공급한다.The gate electrode of the N type first switching element SW1 is connected to the Nth scan line SLn, the source electrode is connected to the data line DL, and the drain electrode is connected to the second node N2. The N type first switching device SW1 transmits a data signal from the data line DL to the second node N2 in response to a selection signal supplied from the
N 타입 제 2 스위칭 소자(SW2)의 게이트 전극은 제 N-1 주사선(SLn-1)에 접속되고, 소스 전극은 제 1 전원선(VDD)에 접속됨과 아울러 드레인 전극은 제 2 노드(N2)에 접속된다. 이러한, N 타입 제 2 스위칭 소자(SW2)는 주사 구동부(120)로부터 제 N-1 주사선(SLn-1)에 공급되는 선택신호에 응답하여 제 1 전원선VDD)으로부터의 전압을 제 2 노드(N2)에 공급한다.The gate electrode of the N type second switching element SW2 is connected to the N-1 scan line SLn-1, the source electrode is connected to the first power supply line VDD, and the drain electrode is connected to the second node N2. Is connected to. The N-type second switching device SW2 receives the voltage from the first power supply line VDD in response to the selection signal supplied from the
N 타입 제 3 스위칭 소자(SW3)의 게이트 전극은 제 N-1 주사선(SLn-1)에 접속되고, 소스 전극은 제 3 노드(N3)에 접속됨과 아울러 드레인 전극은 제 1 노드(N1)에 접속된다. 이러한, N 타입 제 3 스위칭 소자(SW3)는 주사 구동부(120)로부터 제 N-1 주사선(SLn-1)에 공급되는 선택신호에 응답하여 제 1 노드(N1)와 제 3노드(N3)를 전기적으로 접속시킨다.The gate electrode of the N type third switching element SW3 is connected to the N-1 scan line SLn-1, the source electrode is connected to the third node N3, and the drain electrode is connected to the first node N1. Connected. The N-type third switching device SW3 may connect the first node N1 and the third node N3 in response to a selection signal supplied from the
스토리지 커패시터(Cst)는 제 N 주사선(SLn)에 선택신호가 공급되는 구간에 N 타입 제 1 스위칭 소자(SW1)를 경유하여 제 2 노드(N2) 상에 공급되는 데이터 신호를 저장한 후, N 타입 제 1 스위칭 소자(SW1)가 오프되면 P 타입 구동 TFT(DT)의 온 상태를 한 프레임 동안 유지시키게 된다.The storage capacitor Cst stores a data signal supplied on the second node N2 via the N type first switching element SW1 in a section where the selection signal is supplied to the Nth scan line SLn, and then N When the type first switching device SW1 is off, the on state of the P-type driving TFT DT is maintained for one frame.
보상용 커패시터(Cvth)는 제 N-1 주사선(SLn-1)에 선택신호가 공급되는 구간에 P 타입 구동 TFT(DT)의 문턱전압(Vth)에 상응하는 전압을 저장한다. 즉, 보상용 커패시터(Cvth)는 N 타입 제 2 및 제 3 스위칭 소자(SW2, SW3)의 스위칭에 따라 P 타입 구동 TFT(DT)의 문턱전압(Vth)을 보상하기 위한 보상전압을 저장하게 된다.The compensating capacitor Cvth stores a voltage corresponding to the threshold voltage Vth of the P-type driving TFT DT in a section in which the selection signal is supplied to the N-th scan line SLn-1. That is, the compensation capacitor Cvth stores the compensation voltage for compensating the threshold voltage Vth of the P-type driving TFT DT according to the switching of the N-type second and third switching devices SW2 and SW3. .
P 타입 구동 TFT(DT)의 게이트 전극은 제 3 스위칭 소자(SW3)의 소스 전극과 보상용 커패시터(Cvth)에 접속되고, 소스 전극은 제 1 전원선(VDD)에 접속됨과 아울러 드레인 전극은 P 타입 제 4 스위칭 소자(SW4)에 접속된다. 이러한, P 타입 구동 TFT(DT)는 자신의 게이트 전극에 공급되는 전압에 따라 제 4 스위칭 소자(SW4)로 공급되는 전류량을 제어한다. The gate electrode of the P-type driving TFT DT is connected to the source electrode of the third switching element SW3 and the compensation capacitor Cvth, the source electrode is connected to the first power supply line VDD, and the drain electrode is formed of P. It is connected to the type 4 switching element SW4. The P-type driving TFT DT controls the amount of current supplied to the fourth switching element SW4 according to the voltage supplied to its gate electrode.
P 타입 제 4 스위칭 소자(SW4)의 게이트 전극은 발광 신호라인(EMIn)에 접속되고, 소스 전극은 제 1 노드(N1)에 접속됨과 아울러 드레인 전극은 유기발광소자(OLED)의 애노드 전극에 접속된다. 이러한, P 타입 제 4 스위칭 소자(SW4)는 발광 신호라인(EMIn)으로부터 공급되는 발광신호에 응답하여 P 타입 구동 TFT(DT)로부터 공급되는 전류를 유기발광소자(OLED)에 공급함으로써 유기발광소자(OLED)를 발광시키게 된다. 여기서, P 타입 제 4 스위칭 소자(SW4)는 N 타입 TFT로 대체될 수 있다.The gate electrode of the P-type fourth switching element SW4 is connected to the emission signal line EMIn, the source electrode is connected to the first node N1, and the drain electrode is connected to the anode electrode of the organic light emitting element OLED. do. The P-type fourth switching device SW4 supplies an organic light-emitting device by supplying a current supplied from the P-type driving TFT DT to the OLED in response to a light-emitting signal supplied from the light-emitting signal line EMIn. (OLED) will be emitted. Here, the P type fourth switching element SW4 may be replaced with an N type TFT.
한편, P 타입 제 4 스위칭 소자(SW4)는 발광 신호선(EMIn)으로부터 공급되는 발광신호에 의해 스위칭되어 데이터 신호를 기입하는 동안 유기발광소자(OLED)로 전류가 흐르는 것을 차단하게 된다.On the other hand, the P-type fourth switching device SW4 is switched by the light emission signal supplied from the light emission signal line EMIn to block the flow of current to the organic light emitting element OLED while writing the data signal.
이러한, 화소들(111)의 구동을 도 6과 결부하여 설명하면 다음과 같다.The driving of the
도 6에 도시된 바와 같이 제 N-1 주사선(SLn-1)에 하이 상태의 선택신호(SS)가 공급되고 제 N 주사선(SLn)에 로우 상태의 선택신호(SS)가 공급되는 T1 구간에서는 N 타입 제 2 및 제 3 스위칭 소자(SW2, SW3)가 턴-온되고, N 타입 제 1 스위칭 소자(SW1)가 오프 상태가 된다. 또한, P 타입 제 4 스위칭 소자(SW4)는 발광 신호라인(EMIn)에 공급되는 하이 상태의 발광신호(EMI)에 따라 턴-오프된다. As shown in FIG. 6, in the T1 section in which the selection signal SS in the high state is supplied to the N-th scan line SLn-1 and the selection signal SS in the low state is supplied to the N-th scan line SLn. The N type second and third switching elements SW2 and SW3 are turned on, and the N type first switching element SW1 is turned off. In addition, the P-type fourth switching device SW4 is turned off according to the light emission signal EMI of the high state supplied to the light emission signal line EMIn.
이로 인하여, P 타입 구동 TFT(DT)는 다이오드 기능을 수행하게 되고, P 타입 구동 TFT(DT)의 게이트 전극의 전압은 자신의 문턱전압(Vth)이 될 때까지 변하게 된다. 이에 따라, 보상용 커패시터(Cvth)는 P 타입 구동 TFT(DT)의 문턱전압(Vth)에 상응하는 보상 전압을 저장하게 된다.As a result, the P-type driving TFT DT performs a diode function, and the voltage of the gate electrode of the P-type driving TFT DT is changed until its threshold voltage Vth is reached. Accordingly, the compensation capacitor Cvth stores the compensation voltage corresponding to the threshold voltage Vth of the P-type driving TFT DT.
이어서, 제 N-1 주사선(SLn-1)에 로우 상태의 선택신호(SS)가 공급되고 제 N 주사선(SLn)에 하이 상태의 선택신호(SS)가 공급되는 T2 구간에서는 N 타입 제 2 및 제 3 스위칭 소자(SW2, SW3)가 턴-오프되고, N 타입 제 1 스위칭 소자(SW1)가 턴-온된다. 이로 인하여, 데이터 구동부(130)로부터 데이터선(DL)에 공급되는 데이터 신호는 N 타입 제 1 스위칭 소자(SW1)를 경유하여 제 2 노드(N2)에 공급된다. 이때, 스토리지 커패시터(Cst)는 제 2 노드(N2)의 전압 변동값을 저장하게 된다. 이에 따라, P 타입 구동 TFT(DT)의 게이트 전극에는 제 2 노드(N2)의 전압의 변동값(Vdata-VDD)과 보상용 커패시터(Cvth)에 저장된 보상전압이 더해진 전압이 공급된다. 이로 인하여, P 타입 구동 TFT(DT)의 게이트-소스 전압(Vgs)은 상술한 수학식 1과 같게 된다.Subsequently, in the T2 section in which the selection signal SS in the low state is supplied to the N-th scan line SLn-1 and the selection signal SS in the high state is supplied to the N-th scan line SLn, the N-type second and The third switching elements SW2 and SW3 are turned off, and the N type first switching element SW1 is turned on. Thus, the data signal supplied from the
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P 타입 제 4 스위칭 소자(SW4)는 발광 신호라인(EMIn)에 로우 상태의 발광신호(EMI)가 공급될 때 턴-온된다. 이때, P 타입 구동 TFT(DT)는 제 2 노드(N2)의 전압 변동값과 보상용 커패시터(Cvth)에 저장된 보상전압이 더해진 전압에 의해 턴-온되어 보상된 데이터 신호에 상응하는 전류를 P 타입 제 4 스위칭 소자(SW4)에 공급한다. 따라서 유기발광소자(OLED)는 P 타입 제 4 스위칭 소자(SW4)를 경유하여 P 타입 구동 TFT(DT)로부터 공급되는 전류에 의해 발광하여 화상을 표시하게 된다.The fourth P-type switching element SW4 is turned on when the light emission signal EMI of the low state is supplied to the light emission signal line EMIn. At this time, the P-type driving TFT DT is turned on by the voltage added with the voltage change value of the second node N2 and the compensation voltage stored in the compensation capacitor Cvth, and the current corresponding to the compensated data signal is P. Supply to type 4th switching element SW4. Accordingly, the organic light emitting diode OLED emits light by the current supplied from the P type driving TFT DT via the P type fourth switching element SW4 to display an image.
그런 다음, 제 N 주사선(SLn)에 하이 상태의 선택신호(SS)가 공급되는 T2 구간 이후에서는 스토리지 커패시터(Cst)에 저장된 데이터 신호에 의해 P 타입 구동 TFT(DT)의 온상태가 유지됨으로써 유기발광소자(OLED)는 한 프레임 기간 동안 발광하여 화상을 표시하게 된다.Then, after the T2 section in which the selection signal SS in the high state is supplied to the Nth scan line SLn, the on state of the P-type driving TFT DT is maintained by the data signal stored in the storage capacitor Cst. The light emitting element OLED emits light for one frame period to display an image.
이와 같은, 본 발명의 실시 예에 따른 발광 표시장치는 보상용 커패시터(Cvth)와 N 타입 제 2 및 제 3 스위칭 소자(SW2, SW3)를 이용하여 화상 표시부(110)의 각 화소(111)에 형성되는 P 타입 구동 TFT(DT)의 문턱전압(Vth)이 서로 다르더라도 P 타입 구동 TFT(DT)의 문턱전압(Vth)을 데이터 신호에 보상함으로써 유기발광소자(OLED)에 공급되는 전류를 일정하게 하여 화소(111)의 위치에 따른 휘도를 균일하게 할 수 있다. 또한, 본 발명의 실시 예에 따른 발광 표시장치는 P 타입 제 4 스위칭 소자(SW4)를 이용하여 데이터 신호를 공급하는 동안에 P 타입 구동 TFT(DT)에 전류가 흐르는 것을 방지하여 제 1 전원선(VDD)의 전압강하를 방지함으로써 유기발광소자(OLED)에 공급되는 전류를 일정하게 하여 화소(111)의 위치에 따른 휘도를 균일하게 할 수 있다.As described above, the light emitting display device according to the exemplary embodiment of the present invention uses the compensation capacitor Cvth and the N type second and third switching elements SW2 and SW3 to each
한편, 본 발명의 실시 예에 따른 발광 표시장치의 화소회로(140)를 구성하는 스위칭 소자들(SW1, SW2, SW3, DT, SW4) 중 제 1 내지 제 3 스위칭 소자(SW1, SW2, SW3)를 N 타입 TFT로 형성하고, 구동 TFT(DT)를 P 타입 TFT로 형성함과 아울러 제 4 스위칭 소자(SW4)를 P 타입 또는 N 타입 TFT로 형성하게 된다. 즉, 본 발명의 실시 예에 따른 발광 표시장치는 화소회로(140)의 구동에 따라 유기발광소자(OLED)의 발광에 의한 화질에 직접적으로 영향을 미치는 제 1 내지 제 3 스위칭 소자(SW1, SW2, SW3)를 N 타입 TFT로 형성함으로써 제 1 내지 제 3 스위칭 소자(SW1, SW2, SW3)의 누설전류(Leakage Current)를 최소화하여 화질을 향상시키게 된다. 누설전류란 이론상으로는 스위칭 소자가 오프 상태일 때는 액티브층으로는 전자 또는 정공이 이동하지 않아 전류가 흐를 수 없으나, 실제로는 액티브층을 지나는 전자 또는 정공이 존재하게 되어 전류가 흐르는 것을 말한다.Meanwhile, the first to third switching elements SW1, SW2, and SW3 of the switching elements SW1, SW2, SW3, DT, and SW4 constituting the
이에 따라, 상술한 누설전류를 감소시키기 위하여 화소회로(140)의 스위칭 소자들(SW1, SW2, SW3, DT, SW4) 중 N 타입 제 1 내지 제 3 스위칭 소자(SW1, SW2, SW3)의 제조 공정 중에 LDD(Lightly Doped Drain)라는 추가적인 도핑공정을 실시하게 된다. 이에 따라, LDD 영역에서는 에너지 밴드간 수평거리가 넓은 간격을 유지가게 되어 전자 또는 정공이 쉽게 터널링하지 못하게 됨으로써 누설전류가 감소하게 된다.Accordingly, in order to reduce the leakage current described above, the N-type first to third switching elements SW1, SW2, and SW3 of the switching elements SW1, SW2, SW3, DT, and SW4 of the
본 발명의 실시 예에 따른 발광 표시장치에서 화소회로(140)의 스위칭 소자들(SW1, SW2, SW3, DT, SW4)은 도 7a 내지 도 7d에 도시된 과정에 의해 형성된다.In the light emitting display device according to the embodiment, the switching elements SW1, SW2, SW3, DT, and SW4 of the
먼저, 도 7a에 도시된 바와 같이 기판(150)의 상부에 비정질 실리콘을 증착하고 결정화 과정을 거쳐 폴리실리콘층(152)을 형성한 다음 게이트 절연막(154)을 증착한다. 이때, 게이트 절연막(154)은 실리콘 질화물 또는 실리콘 산화물의 재질로 형성된다. 여기서, 기판(150) 상에는 N 타입 제 1 내지 제 3 스위칭 소자(SW1, SW2, SW3)들이 형성되는 N 타입 영역(200)과, P 타입 제 4 스위칭 소자(SW4)와 구동 TFT(DT)가 형성되는 P 타입 영영(210)을 나누어지게 된다.First, as shown in FIG. 7A, amorphous silicon is deposited on the
그런 다음, 도 7b에 도시된 바와 같이 N 타입 영역(200)의 일부와 P 타입 영역(210)에 포토 레지스트(158)가 존재하도록 포토공정을 진행하게 된다. 이때, N 타입 영역(200)의 일부에 형성되는 포토 레지스트(158)는 N 타입 영역(200)의 폴리실리콘층(152)과 중첩됨과 아울러 작은 폭을 가지게 된다. 이어서, 포토 레지스트(158)가 형성된 기판(150)의 상부에 N+ 이온(Ion)을 도핑하여 N 타입 영역(200)에 형성된 폴리실리콘층(152)의 소스 영역과 드레인 영역의 일부영역에 N+ 이온을 도핑하게 된다. 이때, P 타입 영역(210)에 형성된 폴리실리콘층(152)에는 포토 레지스트(158)로 인하여 N+ 이온이 도핑되지 않는다.Then, as shown in FIG. 7B, the photo process is performed such that the
이어서, 도 7c에 도시된 바와 같이 P 타입 영역(210)의 일부와 N 타입 영역(200)에 포토 레지스트(158)가 존재하도록 포토공정을 진행하게 된다. 이때, P 타입 영역(210)의 일부에 형성되는 포토 레지스트(158)는 P 타입 영역(200)의 폴리실리콘층들(152) 각각에 중첩됨과 아울러 작은 폭을 가지게 된다. 이어서, 포토 레지스트(158)가 형성된 기판(150)의 상부에 P 이온(Ion)을 도핑하여 P 타입 영역(210)에 형성된 폴리실리콘층(152)의 소스 영역과 드레인 영역에 P 이온을 도 핑하게 된다. 이때, N 타입 영역(200)에 형성된 폴리실리콘층(152)에는 포토 레지스트(158)로 인하여 P 이온이 도핑되지 않는다.Subsequently, as shown in FIG. 7C, the photo process is performed such that the
그런 다음, 도 7d에 도시된 바와 같이 기판(150)의 N 타입 영역(200)과 P 타입 영역(210) 각각에 형성된 폴리실리콘층(152) 상에 게이트 전극(160)을 증착하여 형성하게 된다. 이때, 게이트 전극(160)의 폭은 상술한 포토공정에서 폴리실리콘층(152)에 중첩되도록 형성된 포토 레지스트(158)의 폭보다 작게 된다.Next, as shown in FIG. 7D, the
이어서, 도 7e에 도시된 바와 같이 기판(150)의 상부에 LDD 조건의 정해진 양으로 N- 이온(Ion)을 도핑하여 폴리실리콘층(152)의 채널영역에 인접한 소스 영역과 드레인 영역에 N- 이온을 도핑하게 된다.Subsequently, as shown in FIG. 7E, N- ions are doped in the upper portion of the
이와 같이, 일반적인 N 이온 도핑공정에 추가적으로 LDD 공정을 수행한 다음 기판(150) 상에 도시하지 않은 절연막을 적층하고, 콘택홀을 형성한다. 또한, 콘택홀이 형성된 절연막의 상부에 금속층을 적층하고 패터닝하여 소스 전극과 드레인 전극을 형성하게 된다. 이에 따라, 기판(150) 상의 N 타입 영역(200)에는 LDD N 타입의 스위칭 소자가 형성됨과 아울러 P 타입 영역(210)에는 P 타입 스위칭 소자가 형성된다.As such, after the LDD process is additionally performed in addition to the general N ion doping process, an insulating film (not shown) is stacked on the
이와 같은, 본 발명의 실시 예에 따른 발광 표시장치는 화소회로(140)의 제 1 내지 제 3 스위칭 소자(SW1, SW2, SW3)를 추가적인 LDD 도핑공정을 이용하여 N 타입 TFT로 형성함으로써 화질에 직접적으로 영향을 미치는 제 1 내지 제 3 스위칭 소자(SW1, SW2, SW3)의 누설전류를 감소시킬 수 있다.As described above, the light emitting display device according to the exemplary embodiment of the present invention forms the first to third switching elements SW1, SW2, and SW3 of the
구체적으로, N 타입 TFT의 드레인 전압(Vd)에 따른 게이트 전압(Vg) 및 드레 인 전류(Id)는 도 8에 도시된 바와 같다. 이러한, N 타입 TFT의 누설전류 수준은 도 8에 도시된 드레인 전압(Vd)이 0.1V인 A선, 드레인 전압(Vd)이 5.1V인 B선 및 드레인 전압(Vd)이 10.1V인 C선과 같이 0V의 게이트-소스간 전압(Vgs)에서 1×10-12, 즉 1㎀ 수준까지 커질 수 있으며, N 타입의 게이트-소스 전압(Vgs)이 변화 하여도 1㎀에서 10㎀ 수준 이하로 유지된다. 따라서 화소회로(140)의 제 1 내지 제 3 스위칭 소자(SW1, SW2, SW3)를 LDD N 타입 TFT로 형성하여 제 1 내지 제 3 스위칭 소자(SW1, SW2, SW3)의 누설전류로 인한 화질 저하를 감소시킬 수 있다.Specifically, the gate voltage Vg and the drain current Id according to the drain voltage Vd of the N-type TFT are shown in FIG. 8. The leakage current levels of the N-type TFT include the A line having a drain voltage Vd of 0.1V, the B line having a drain voltage Vd of 5.1V, and the C line having a drain voltage Vd of 10.1V. Likewise, it can be increased up to 1 × 10 -12 , that is, 1㎀ level at the gate-source voltage Vgs of 0V, and it remains below 10㎀ at 1㎀ even if the N type gate-source voltage Vgs changes. do. Accordingly, the first to third switching elements SW1, SW2, and SW3 of the
한편, 상술한 바와 같이 본 발명의 실시 예에 따른 발광 표시장치는 유기발광소자(OLED)를 구동하기 위하여 5개의 스위칭 소자들(SW1, SW2, SW3, DT, SW4)과 2개의 커패시터(Cst, Cvth)를 구비하는 화소회로(140)에 대하여 설명하였으나 이에 한정되는 것이 아니라 유기발광소자(OLED)를 구동하기 위하여 적어도 2개의 TFT들과 적어도 하나의 커패시터를 구비하는 화소회로(140)에 동일하게 적용될 수 있다.Meanwhile, as described above, the light emitting display device according to the embodiment of the present invention has five switching elements SW1, SW2, SW3, DT, and SW4 and two capacitors Cst, in order to drive the OLED. The
상기 발명의 상세한 설명과 도면은 단지 본 발명의 예시적인 것으로서, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 따라서 이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 기술적 보호 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여 져야만 할 것이다.The above detailed description and drawings are merely exemplary of the present invention, which are used only for the purpose of illustrating the present invention and are not intended to limit the scope of the present invention as defined in the claims or the claims. Therefore, those skilled in the art will appreciate that various changes and modifications can be made without departing from the technical spirit of the present invention. Therefore, the technical protection scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification but should be defined by the claims.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 발광 표시장치는 P 타입 구동 박막 트랜지스터와 적어도 하나의 N 타입 스위칭 박막 트랜지스터를 포함하는 화소회로를 이용함으로써 스위칭 소자의 누설전류를 감소시켜 화질저하를 최소화할 수 있다. 또한, 본 발명의 실시 예에 따른 발광 표시장치는 스토리지 커패시터와 구동 박막 트랜지스터간에 접속된 보상용 커패시터를 이용하여 구동 박막 트랜지스터의 문턱전압을 데이터 신호에 보상함으로써 화소의 위치에 따른 구동 박막 트랜지스터 간의 문턱전압 차이로 인한 휘도 불균일을 방지하여 휘도를 균일하게 할 수 있다.As described above, the light emitting display device according to the exemplary embodiment of the present invention uses a pixel circuit including a P-type driving thin film transistor and at least one N-type switching thin film transistor to reduce leakage current of the switching element to minimize image quality deterioration. can do. In addition, the light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention uses a compensation capacitor connected between a storage capacitor and a driving thin film transistor to compensate a threshold voltage of the driving thin film transistor with a data signal, thereby thresholding the driving thin film transistor according to the position of the pixel. The luminance unevenness due to the voltage difference can be prevented to make the luminance uniform.
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US9583041B2 (en) | 2014-02-28 | 2017-02-28 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Pixel circuit and driving method thereof, display panel, and display device |
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