KR100653475B1

KR100653475B1 - Method for manufacturing in plane switching liquid crystal display device

Info

Publication number: KR100653475B1
Application number: KR1020040010120A
Authority: KR
Inventors: 조진희; 임승무; 김현진
Original assignee: 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사
Priority date: 2004-02-16
Filing date: 2004-02-16
Publication date: 2006-12-04
Also published as: KR20050081748A

Abstract

본 발명은 탄소 배향막을 이용하는 액정 패널에 있어서의 게이트/데이터 패드부와 구동 회로부간 전기적 연결이 안정적으로 이루어지도록 할 수 있는 평면 스위칭 액정 표시 장치의 제조 방법을 개시한다. 개시된 본 발명의 방법은, 게이트/데이터 패드부를 형성하기 위한 평면 스위칭 액정표시장치의 제조 방법에 있어서, 게이트/데이터 패드부 형성 영역에 제1ITO층을 형성하는 단계; 상기 제1ITO층 상에 표면이 굴곡지게 게이트 금속을 형성하는 단계; 상기 게이트 금속을 덮도록 제1ITO층 상에 절연막과 비정질실리콘막으로 구성된 멀티층을 형성하고, 상기 비정질실리콘막을 제거하는 단계; 상기 절연막 상에 보호막을 형성하는 단계; 상기 보호막과 절연막을 식각하여 굴곡지게 형성된 게이트 금속을 노출시키는 단계; 상기 굴곡지게 형성된 게이트 금속 상에 제2ITO층을 형성하는 단계; 상기 제2ITO층을 포함한 보호막 상에 비정질탄소막을 성막해서 탄소 배향막을 형성하는 단계;를 포함하며, 상기 비정질탄소막은 굴곡지게 형성된 게이트 금속의 상면 상부에는 성막되고, 측면 상부에는 성막되지 않는 것을 특징으로 한다. The present invention discloses a method of manufacturing a flat switching liquid crystal display device capable of stably making electrical connection between a gate / data pad part and a driving circuit part in a liquid crystal panel using a carbon alignment layer. A method of manufacturing a planar switching liquid crystal display device for forming a gate / data pad portion, comprising: forming a first ITO layer in a gate / data pad portion formation region; Forming a gate metal having a curved surface on the first ITO layer; Forming a multi-layer composed of an insulating film and an amorphous silicon film on the first ITO layer to cover the gate metal, and removing the amorphous silicon film; Forming a protective film on the insulating film; Etching the passivation layer and the insulating layer to expose the bent gate metal; Forming a second ITO layer on the curved gate metal; And forming a carbon alignment layer by forming an amorphous carbon film on the passivation layer including the second ITO layer, wherein the amorphous carbon film is formed on the upper surface of the bent gate metal and is not formed on the side surface. do.

액정 표시 장치, 배향막Liquid crystal display, alignment film

Description

Method of manufacturing flat switching liquid crystal display {METHOD FOR MANUFACTURING IN PLANE SWITCHING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE}

도 1은 종래 어레이 기판의 패드부를 나타낸 도면.1 is a view showing a pad portion of a conventional array substrate.

도 2는 본 발명에 적용될 수 있는 FFS 구조를 나타낸 단면도.Figure 2 is a cross-sectional view showing an FFS structure that can be applied to the present invention.

도 3 내지 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 탄소 배향막을 이용한 평면 스위칭 액정 표시 장치 제조 방법을 설명하는 단면도.3 to 5 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a flat switching liquid crystal display device using a carbon alignment layer according to an exemplary embodiment of the present invention.

*도면의 주요 부분에 대한 부호 설명** Description of symbols on the main parts of the drawings *

302: 제1ITO층 304: 게이트 금속302: first ITO layer 304: gate metal

306: 보호막 308: 제2ITO층306: protective film 308: second ITO layer

310: 탄소 배향막310: carbon alignment film

본 발명은 액정 표시 장치의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 액정 배향을 위하여 탄소 배향막을 이용하는 액정 패널에 있어서의 게이트/데이터 패드부와 구동 회로부간 전기적 접촉이 용이하도록 할 수 있는 평면 스위칭 액정 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a liquid crystal display device, and more particularly, to planar switching that can facilitate electrical contact between a gate / data pad portion and a driving circuit portion in a liquid crystal panel using a carbon alignment film for liquid crystal alignment. A manufacturing method of a liquid crystal display device.

주지된 바와 같이, 통상의 박막 트랜지스터 액정 표시 장치에서는 표시영역의 액정을 원하는 방향으로 배열시키기 위하여 어레이 기판과 컬러필터 기판 위에 폴리이미드(polyimide; 이하 PI라 함)를 사용하여 배향막을 형성하게 된다. 이때, 어레이 기판의 표시영역 주변부 상에 있는 게이트/데이터 패드부는 ACF(Anisotropy Conductive Film) 등을 이용하여 구동 회로부와 연결해야 하기 때문에, 폴리이미드를 인쇄할 때, 전사판을 이용하여 폴리이미드막이 게이트/데이터 패드부에 직접 올라가지 않게 하고 있다. 이것은 구동 칩을 패널에 직접 올리는 칩 온 유리(chip on glass; 이하 COG라 함) 방식 등에도 공통적으로 적용된다.
한편, 폴리이미드막은 통상 인쇄 방법으로 형성하기 때문에, 주로 많이 이용하는 TN(Twist Nematic) 모드에서는 특별한 문제를 유발하지 않지만, 외부의 굴곡이 있을 경우에는 균일하게 성막되지 못하기 때문에, 평면 스위칭을 하는 IPS(In Plain Switching) 또는 FFS(Fringe Field Switching) 등의 모드에서는 액정의 회전에 악영향을 미쳐 불량 원인으로 작용할 수 있다.
따라서, 이러한 문제를 해결하기 위해 배향막 물질로서 인쇄 방법의 폴리이미드막 대신에 스퍼터링 및 CVD 등의 방법으로 비정질 탄소막(a-C:H)을 성막하는 방법이 일부 상용화되고 있다.As is well known, in the conventional thin film transistor liquid crystal display, an alignment layer is formed by using polyimide (hereinafter, referred to as PI) on the array substrate and the color filter substrate in order to arrange the liquid crystal in the display area in a desired direction. In this case, since the gate / data pad part on the periphery of the display area of the array substrate must be connected to the driving circuit part by using an anisotropy conductive film (ACF) or the like, the polyimide film is gated by using a transfer plate when printing the polyimide. Do not climb directly on the data pad. This is commonly applied to a chip on glass (hereinafter referred to as COG) method in which a driving chip is directly mounted on a panel.
On the other hand, since the polyimide film is usually formed by a printing method, it does not cause any particular problem in the commonly used TN (Twist Nematic) mode, but the film is not uniformly formed when there is an external bend, so that the plane switching IPS (In Plain Switching) or FFS (Fringe Field Switching) mode may adversely affect the rotation of the liquid crystal and may act as a cause of failure.
Therefore, in order to solve such a problem, a method of forming an amorphous carbon film (aC: H) by a method such as sputtering and CVD instead of the polyimide film of the printing method as an alignment film material has been commercialized.

도 1은 종래 어레이 기판의 패드부를 나타낸 단면도이다. 1 is a cross-sectional view showing a pad portion of a conventional array substrate.

도시된 바와 같이, 게이트/데이터 패드부는 표시영역의 주변부에 배치된 게이트 금속(102)(또는 데이터 금속)을 덮도록 형성된 보호막(104)에 상기 게이트 금속(102)을 노출시키도록 홀(106)을 형성하고, 상기 노출된 게이트 금속(102) 상에 표시영역에서의 화소전극 물질인 ITO층(108)을 형성하는 것에 의해 상기 게이트 금속(102)과 ITO층(108)의 적층 구조로 구성된다.
그리고, 이렇게 구성된 상기 게이트/데이터 패드부의 ITO층(108) 상에는 배향막 물질로서 스퍼터링법 등으로 비정질 탄소막이 얇게 성막해서 탄소 배향막(110)을 형성하게 된다. 이때, 상기 탄소 배향막(110)은, 액정 모듈의 구성시, 게이트/데이터 패드부와 구동 회로부간의 전기적 접촉을 어렵게 하는 요인이 된다. 따라서, 상기 탄소 배향막(110)을 형성한 경우에는 게이트/데이터 패드부와 구동 회로부간의 접촉시 강한 힘을 주거나, 또는, 게이트/데이터 패드부와 구동 회로부간의 접촉 부위에 큰 전류를 흘려주는 방식으로 상기 탄소 배향막(110)의 절연성을 파괴해서 게이트/데이터 패드부와 구동 회로부간의 전기적 접촉이 이루어지도록 하고 있다.
그러나, 이러한 게이트/데이터 패드부와 구동 회로부간의 전기적 접촉 방법은 균일한 전기적 접촉이 어렵다는 치명적인 문제가 있다. As shown in the drawing, the gate / data pad unit may expose the hole metal 102 to the passivation layer 104 formed to cover the gate metal 102 (or data metal) disposed at the periphery of the display area. And the ITO layer 108, which is a pixel electrode material in a display area, is formed on the exposed gate metal 102 to form a stacked structure of the gate metal 102 and the ITO layer 108. .
The amorphous carbon film is thinly deposited on the ITO layer 108 of the gate / data pad part configured as described above by the sputtering method as an alignment film material to form the carbon alignment film 110. In this case, the carbon alignment layer 110 may be a factor in making electrical contact between the gate / data pad part and the driving circuit part difficult when the liquid crystal module is configured. Therefore, in the case where the carbon alignment layer 110 is formed, a strong force is applied when the gate / data pad unit and the driving circuit unit are in contact, or a large current flows through the contact area between the gate / data pad unit and the driving circuit unit. The insulating property of the carbon alignment layer 110 is broken to allow electrical contact between the gate / data pad portion and the driving circuit portion.
However, the electrical contact method between the gate / data pad part and the driving circuit part has a fatal problem that uniform electrical contact is difficult.

자세하게, 비정질 탄소막은 스퍼터링 등의 진공 증착 장비를 통해 성막되는 과정에서 구동 회로부와 접촉하는 패드부 상에도 성막되는 바, 결과적으로 패드부 상에 형성된 탄소 배향막이 게이트/데이터 패드부와 구동 회로부간 접촉시 상기 게이트/데이터 패드부와 구동 회로부간을 전기적으로 절연시키게 된다. 이때, 상기 비정질 탄소막은 통상 수십Å, 즉, 10∼90Å 정도로 얇게 성막하기 때문에 구동 회로부의 연결시 ACF 등을 돌기가 있는 형태의 것을 사용하거나, 또는, 게이트/데이터 패드부와 구동 회로부간의 연결 후, 그들의 접촉 부위에 비교적 높은 전류를 흘려주면 상기 비정질 탄소막의 절연성이 파괴되고, 그 결과, 게이트/데이터 패드부와 구동 회로부간 전기적 연결이 이루어지게 된다. 그런데, 이 방법은 공정적으로 안정하지 못하기 때문에 게이트/데이터 패드와 구동 회로간 국부적으로 전기적 접촉이 되지 않아 액정이 구동되지 못하는 문제가 발생한다.
또한, 상기 비정질 탄소막의 증착시, 마스크를 이용해 패드부에 비정질 탄소막이 성막되지 않도록 하는 방법도 생각해 볼 수 있지만, 이 방법은 패드부가 패널의 외곽에 비교적 큰 크기로 만들어지기 때문에 적용이 쉬울지 몰라도, 원판유리의 크기가 커지고 있고, 그리고, 1장의 원판유리 내에 다수의 패널이 적용되는 추세에서 마스크의 제작 자체가 어려울 뿐만 아니라, 제작된 마스크를 패드부에 정확히 정렬시키는 것도 또한 어려우므로, 실질적으로 그 적용이 어렵다. In detail, the amorphous carbon film is also formed on the pad portion in contact with the driving circuit portion in the process of forming the film through vacuum deposition equipment such as sputtering. As a result, the carbon alignment layer formed on the pad portion contacts the gate / data pad portion and the driving circuit portion. In this case, the gate / data pad part and the driving circuit part are electrically insulated from each other. In this case, since the amorphous carbon film is generally formed as thin as tens of microseconds, that is, 10 to 90 microseconds, the ACF or the like may be used when the driving circuit part is connected, or after the connection between the gate / data pad part and the driving circuit part. When a relatively high current is applied to their contact portions, the insulation of the amorphous carbon film is destroyed, and as a result, an electrical connection is made between the gate / data pad portion and the driving circuit portion. However, since this method is not fairly stable, there is a problem in that the liquid crystal cannot be driven because there is no local electrical contact between the gate / data pad and the driving circuit.
In addition, when depositing the amorphous carbon film, a method of preventing the deposition of the amorphous carbon film on the pad portion by using a mask may be considered, but this method may be easy to apply because the pad portion is made to a relatively large size on the outside of the panel. In the trend that the size of the original glass is increasing, and a large number of panels are applied in one sheet of glass, it is not only difficult to manufacture the mask itself, but also it is also difficult to align the manufactured mask accurately to the pad portion. Its application is difficult.

따라서, 본 발명은 상기한 종래 기술의 제반 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 별도의 증착 방지 마스크를 사용하지 않고도 패드부의 구조를 비정질 탄소막의 증착이 어려운 구조로 변경함으로써 종래와 동일한 공정을 진행하면서도 게이트/데이터 패드부와 구동 회로부간의 전기적 연결이 안정적으로 이루어지도록 할 수 있는 평면 스위칭 액정 표시 장치의 제조 방법을 제공함에 그 목적이 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the above-mentioned problems of the prior art, while proceeding the same process as in the prior art by changing the structure of the pad portion difficult to deposit the amorphous carbon film without using a separate deposition prevention mask It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a flat panel switching liquid crystal display device capable of stably making an electrical connection between a gate / data pad part and a driving circuit part.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, 게이트/데이터 패드부를 형성하기 위한 평면 스위칭 액정표시장치의 제조 방법에 있어서, 게이트/데이터 패드부 형성 영역에 제1ITO층을 형성하는 단계; 상기 제1ITO층 상에 표면이 굴곡지게 게이트 금속을 형성하는 단계; 상기 게이트 금속을 덮도록 제1ITO층 상에 절연막과 비정질실리콘막으로 구성된 멀티층을 형성하고, 상기 비정질실리콘막을 제거하는 단계; 상기 절연막 상에 보호막을 형성하는 단계; 상기 보호막과 절연막을 식각하여 굴곡지게 형성된 게이트 금속을 노출시키는 단계; 상기 굴곡지게 형성된 게이트 금속 상에 제2ITO층을 형성하는 단계; 상기 제2ITO층을 포함한 보호막 상에 비정질탄소막을 성막해서 탄소 배향막을 형성하는 단계;를 포함하며, 상기 비정질탄소막은 굴곡지게 형성된 게이트 금속의 상면 상부에는 성막되고, 측면 상부에는 성막되지 않는 것을 특징으로 하는 평면 스위칭 액정 표시 장치의 제조 방법을 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a method of manufacturing a planar switching liquid crystal display device for forming a gate / data pad unit, comprising: forming a first ITO layer in the gate / data pad unit formation region; Forming a gate metal having a curved surface on the first ITO layer; Forming a multi-layer composed of an insulating film and an amorphous silicon film on the first ITO layer to cover the gate metal, and removing the amorphous silicon film; Forming a protective film on the insulating film; Etching the passivation layer and the insulating layer to expose the bent gate metal; Forming a second ITO layer on the curved gate metal; And forming a carbon alignment layer by forming an amorphous carbon film on the passivation layer including the second ITO layer, wherein the amorphous carbon film is formed on the upper surface of the bent gate metal and is not formed on the side surface. It provides a manufacturing method of a planar switching liquid crystal display device.

(실시예)(Example)

이하, 첨부된 도면에 의거하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하도록 한다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

먼저, 본 발명의 기술적 원리를 설명하면, 본 발명은 게이트/데이터 패드부와 구동 회로부간의 전기적 접촉 문제를 해결하기 위하여 상기 게이트/데이터 패드부를 비정질 탄소막이 제대로 성막되지 못하도록 하는 구조로 형성한다.
이렇게 하면, 본 발명은 게이트/데이터 패드부에 비정질 탄소막이 성막되지 못하도록 하는 별도의 마스크를 사용하거나, 또는, 게이트/데이터 패드부에 성막된 비정질 탄소막을 제거하기 위한 별도의 공정을 진행하지 않아도 되므로, 공정 측면에서 잇점을 가질 수 있으며, 특히, 게이트/데이터 패드부와 구동 회로부간 안정적인 전기적 연결이 이루어지도록 할 수 있다. First, the technical principle of the present invention will be described. In order to solve the electrical contact problem between the gate / data pad unit and the driving circuit unit, the gate / data pad unit is formed in a structure such that an amorphous carbon film is not properly formed.
In this case, the present invention does not require a separate mask for preventing the deposition of the amorphous carbon film on the gate / data pad portion or a separate process for removing the amorphous carbon film formed on the gate / data pad portion. In addition, it may have advantages in terms of process, and in particular, it may be possible to make stable electrical connection between the gate / data pad unit and the driving circuit unit.

도 2는 본 발명에 적용될 수 있는 FFS 구조를 나타낸 단면도이다.2 is a cross-sectional view showing an FFS structure that can be applied to the present invention.

FFS 모드 패널의 경우, 도 2에 도시된 바와 같이, FFS의 전극 구조는 특성을 결정하는 중요한 요소로 슬릿 간격 등이 다르나, 공통적으로 화소 전극으로 사용하는 투명전극(통상 ITO 등)을 공통전극 및 화소전극으로 나누어 유리기판(202) 상에 제1ITO층(204)을, 그리고, 보호막인 절연층(206) 상에 제2ITO층(208)를 형성하게 된다. In the case of the FFS mode panel, as shown in FIG. 2, the electrode structure of the FFS is an important factor for determining characteristics, but the slit interval and the like are different, but a common electrode and a transparent electrode (usually ITO, etc.) commonly used as a pixel electrode are used. The first ITO layer 204 is formed on the glass substrate 202, and the second ITO layer 208 is formed on the insulating layer 206 which is a protective film.

상기 제1ITO층(204)은 일반적인 TN 모드에서는 없는 FFS 모드에서만 적용되는 특별한 구조로, 본 발명은 기본적으로 제1ITO층(204)를 적용하는 FFS 모드에 적합하다. 그러나, IPS 모드의 경우에도 제1ITO층(204)을 별도 또는 구조 변경을 통해 적용이 가능하다. The first ITO layer 204 is a special structure that is applied only in the FFS mode, which is not in the general TN mode. The present invention is basically suitable for the FFS mode in which the first ITO layer 204 is applied. However, even in the IPS mode, the first ITO layer 204 may be applied separately or through structural changes.

도 3 내지 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 탄소 배향막을 이용한 평면 스위칭 액정 표시 장치의 제조 방법을 설명하는 단면도이다.3 to 5 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a flat switching liquid crystal display device using a carbon alignment layer according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 공통전극의 역할을 하는 제1ITO층(302)을 표시영역을 포함하여 게이트/데이터 패드부를 형성하고자 하는 곳, 즉, 표시영역의 주변부에 형성한다. 그런다음, 게이트 금속(304)을 제1ITO층(302) 상에 형성하되, 통상의 평면 형태로 구성하는 대신에 게이트 금속의 일부를 제거하는 방식을 적용해서 게이트 금속(304)을 전체적으로 굴곡이 있는 구조로 만든다. 상기 게이트 금속(304)의 구조는 평면 상에 홀을 형성하는 방식 또는 슬릿 형성 등 여러가지 방식으로 구성이 가능하다. Referring to FIG. 3, a first ITO layer 302 serving as a common electrode is formed at a place where a gate / data pad part including a display area is to be formed, that is, at the periphery of the display area. Then, the gate metal 304 is formed on the first ITO layer 302, but instead of forming a conventional planar shape, a part of the gate metal is removed to apply the gate metal 304 as a whole. Made of structure The structure of the gate metal 304 may be configured in various ways such as forming a hole on a plane or forming a slit.

전체적으로 굴곡지게 형성된 게이트 금속(304)을 포함한 ITO층(302) 상에 절연막(도시안됨)과 비정질실리콘막(도시안됨) 등으로 구성된 CVD층(통상 멀티 층이라고 함)을 형성한다. 그런다음, 표시영역에서의 액티브층 식각 과정에서 상기 비정질실리콘막을 제거한다. A CVD layer (commonly referred to as a multi-layer) composed of an insulating film (not shown), an amorphous silicon film (not shown), or the like is formed on the ITO layer 302 including the gate metal 304 formed as a whole. Then, the amorphous silicon film is removed in the active layer etching process in the display area.

도 4를 참조하면, 절연막 상에 보호막(306)을 형성한 후, 비어(Via) 식각 공정에서 상기 보호막(306)과 절연막을 한번에 식각해서 표면이 굴곡지게 형성된 게이트 금속(304)를 노출시킨다. 그런다음, 상기 식각 후에 표시영역에서 화소전극의 역할을 하는 제2ITO층(308)를 성막하고, 상기 성막된 제2ITO층(308)을 패터닝해서 표시영역의 주변부에 게이트 금속(304)과 제2ITO층(308)의 적층 구조로 이루어진 게이트/데이터 패드부를 형성한다. 이때, 상기 제2ITO층(308)은 하부 구조에 따라 굴곡이 있는 형태로 성막된다.Referring to FIG. 4, after forming the passivation layer 306 on the insulating layer, the passivation layer 306 and the insulating layer are etched at once in a via etching process to expose the gate metal 304 having a curved surface. After etching, a second ITO layer 308 serving as a pixel electrode is formed in the display area, and the formed second ITO layer 308 is patterned to form a gate metal 304 and a second ITO at the periphery of the display area. A gate / data pad portion formed of a stacked structure of layers 308 is formed. At this time, the second ITO layer 308 is formed in a curved form according to the lower structure.

여기서, 상기 제2ITO층(308)의 경우, 스퍼터링법으로 형성하기 때문에 국부적으로 균일하지 않게 증착이 될 가능성이 있다. 그러나, 하부의 제1ITO층(302)이 게이트 금속(304)과 전체적으로 연결되므로 전기적 접촉 문제는 발생하지 않는다. In the case of the second ITO layer 308, since it is formed by the sputtering method, there is a possibility that deposition is performed locally and not uniformly. However, since the lower first ITO layer 302 is entirely connected to the gate metal 304, electrical contact problems do not occur.

도 5를 참조하면, 이렇게 구성된 게이트/데이터 패드부의 상부에 배향막 물질로서 비정질 탄소막(310)을 성막한다. 이때, 상기 비정질 탄소막(310)은 그 성막 두께가 수십Å, 즉, 10∼90Å 정도로 매우 얇기 때문에 굴곡지게 형성된 게이트 금속(304)의 상면 상부에는 성막되는 반면 측면 상부에는 성막되지 않는다. 따라서, 이러한 게이트/데이터 패드부와 구동 회로부를 접촉시킬 때, 상기 게이트/데이터 패드부 상의 비정질 탄소막(310)을 제거하지 않더라도, 게이트 금속(304) 측면의 제2ITO층(308)과 구동 회로부간 전기적 연결이 이루어질 수 있기 때문에 게이트/데이터 패드부와 구동 회로부간 안정적인 전기적 접촉이 가능하게 된다.Referring to FIG. 5, an amorphous carbon film 310 is formed as an alignment layer material on the gate / data pad part configured as described above. In this case, the amorphous carbon film 310 is formed on the upper surface of the bent gate metal 304 because the thickness of the amorphous carbon film is very thin, such as tens of micrometers, that is, 10 to 90 micrometers, but is not formed on the side surface. Therefore, when contacting the gate / data pad portion and the driving circuit portion, even if the amorphous carbon film 310 on the gate / data pad portion is not removed, the second ITO layer 308 on the side of the gate metal 304 and the driving circuit portion are removed. Since electrical connection can be made, stable electrical contact between the gate / data pad portion and the driving circuit portion is possible.

이상에서는 본 발명을 특정의 바람직한 실시예로서 설명하였으나, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 아니하며, 특허 청구의 범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형이 가능할 것이다.Although the present invention has been described as a specific preferred embodiment, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and the present invention is not limited to the above-described embodiments without departing from the gist of the present invention as claimed in the claims. Anyone with a variety of variations will be possible.

이상에서와 같이, 본 발명은 패드부의 모양을 바꾸는 기술적 해결 수단을 통해 배향막 물질인 비정질 탄소막이 원하지 않는 곳에 증착되지 않도록 함으로써 공정의 추가나 부품의 변경없이 배향막으로서 비정질 탄소막을 사용하는 액정 패널에 있어 구동 회로부와 액정 패널의 전기적 접촉이 가능한 효과를 가질 수 있다.As described above, the present invention is driven in a liquid crystal panel using an amorphous carbon film as an alignment film without adding a process or changing parts by preventing the amorphous carbon film, which is an alignment film material, from being deposited in an undesired position through technical solutions for changing the shape of the pad portion. The electrical contact between the circuit unit and the liquid crystal panel may be possible.

Claims

A method of manufacturing a planar switching liquid crystal display device for forming a gate / data pad portion,

Forming a first ITO layer in the gate / data pad portion formation region;

Forming a gate metal having a curved surface on the first ITO layer;

Forming a multi-layer composed of an insulating film and an amorphous silicon film on the first ITO layer to cover the gate metal, and removing the amorphous silicon film;

Forming a protective film on the insulating film;

Etching the passivation layer and the insulating layer to expose the bent gate metal;

Forming a second ITO layer on the curved gate metal;

And forming an amorphous carbon film on the passivation film including the second ITO layer to form a carbon alignment film.

And the amorphous carbon film is formed on the upper surface of the bent gate metal, and is not formed on the upper surface of the gate metal.

The method of claim 1, wherein the gate metal is formed by forming a hole on a plane on the first ITO layer, or in one of slit shapes.

The method of manufacturing a flat switching liquid crystal display device according to claim 1, wherein the carbon alignment film is formed by forming an amorphous carbon film having a thickness of 10 to 90 GPa.