KR100653246B1 - 납축전지의 극판에 사용되는 기판 제조용 금형 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (4)
- 망체성형부(6)와 망선가공부(7)가 하나로 통합 구성되고, 망체성형부(6)와 망선가공부(7)는 각각 상하부금형(61, 62, 71, 72)으로 구성되며,망체성형부(6)의 상부금형(61)과 하부금형(62)은 각각 펀치(63, 631)와 펀치(63, 631)에 대응하는 개구부(64, 641)가 구비되어 있으며, 상하부금형(61, 62)에 기판(10)이 압착되지는 않으나 기판(10)이 움직이지 않을 정도로 강하게 붙잡을 정도로 누르게 하는 수납홈(65, 651)이 구비되고,망선가공부(7)는 망선(2)을 그 횡방향의 중심부가 외방으로 볼록하게 하는 곡면을 가지도록 가공하는 가공홈이 형성된 것을 특징으로 하는 납축전지의 극판에 사용되는 기판 제조용 금형
- 제1항에 있어서, 상하부금형(61, 62)은 기판(10)이 압착되지는 않으나 기판(10)이 움직이지 않을 정도로 강하게 붙잡을 정도로 누르게 하는 수납홈(65, 651)이 구비된 것을 특징으로 하는 납축전지의 극판에 사용되는 기판 제조용 금형.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 개구부(64, 641)는 구배가 형성되어 펀치에 의하여 타발된 칩이 용이하게 배출되게 하여서 된 것을 특징으로 하는 납축전지의 극 판에 사용되는 기판 제조용 금형.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상부금형(61)에 형성된 펀치(63)와 개구부(64)가 교호로 구비되고, 하부금형(62)에 형성된 개구부(641)와 펀치(641)가 교호로 구비되어 구성된 것을 특징으로 하는 납축전지의 극판에 사용되는 기판 제조용 금형.
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KR102225211B1 (ko) | 2019-09-18 | 2021-03-09 | 주식회사 한국아트라스비엑스 | 납축전지 양극 그리드 성장에 의한 쇼트 방지가 가능한 납축전지용 양극 그리드 제조 방법 |
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2005
- 2005-12-28 KR KR1020050131720A patent/KR100653246B1/ko active IP Right Grant
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KR102209357B1 (ko) * | 2019-07-19 | 2021-01-29 | 주식회사 한국아트라스비엑스 | 프레스 금형 부식을 이용한 납축전지의 그리드 표면 돌기 생성 방법 |
KR102225211B1 (ko) | 2019-09-18 | 2021-03-09 | 주식회사 한국아트라스비엑스 | 납축전지 양극 그리드 성장에 의한 쇼트 방지가 가능한 납축전지용 양극 그리드 제조 방법 |
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