KR100634763B1 - 반도체 웨이퍼 두께 측정장치 - Google Patents

반도체 웨이퍼 두께 측정장치 Download PDF

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KR100634763B1 KR1020060049409A KR20060049409A KR100634763B1 KR 100634763 B1 KR100634763 B1 KR 100634763B1 KR 1020060049409 A KR1020060049409 A KR 1020060049409A KR 20060049409 A KR20060049409 A KR 20060049409A KR 100634763 B1 KR100634763 B1 KR 100634763B1
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Abstract

본 발명은 반도체 웨이퍼 두께 측정장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 고정체와 디지털 마이크로미터의 측정체가 대향 되도록 구성하고, 웨이퍼의 중심이 각각의 전극에 위치하도록 웨이퍼를 상, 하로 자유로이 움직이는 높이조절부 및 상기 측정체 및 고정체가 이격되어 웨이퍼가 위치되는 공간을 형성하도록 두께를 측정하는 두께 측정기를 좌, 우로 자유롭게 이동시키는 측정 이송부를 형성하여, 직경 200 mm 이하의 웨이퍼에 대한 두께 정밀 측정뿐만 아니라 다양한 크기의 두께 측정장치로도 적용 가능한 반도체 웨이퍼 두께 측정장치에 관한 것이다.
두께측정, 반도체 웨이퍼, 전극, 비저항 측정

Description

반도체 웨이퍼 두께 측정장치{APPARATUS FOR MEASURING SEMICONDUCTOR WAFERS THICKNESS}
도 1은 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 두께 측정장치의 두께측정부가 측정이송부로 인해 이동된 상태를 나타낸 사시도이고,
도 2는 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 두께 측정장치를 나타낸 사시도이고,
도 3은 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 두께 측정장치의 측정이송부를 나타낸 정면도이고,
도 4는 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 두께 측정장치의 웨이퍼지지부를 나타낸 사시도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10: 높이조절부 12: 웨이퍼이동부
14: 회전체 15: 고정부
16: 웨이퍼지지부 17: 받침편
18: 고정체 30: 두께측정부
31: 디지털 마이크로미터 34: 측정체
35: 고정편 40: 측정이송부
41: 당김손잡이 42: 안내가이드
본 발명은 반도체 웨이퍼 두께 측정장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 고정체와 디지털 마이크로미터의 측정체가 대향 되도록 구성하고, 웨이퍼의 중심이 각각의 전극에 위치하도록 웨이퍼를 상, 하로 자유로이 움직이는 높이조절부 및 상기 측정체 및 고정체가 이격되어 웨이퍼가 위치되는 공간을 형성하도록 두께를 측정하는 두께 측정기를 좌, 우로 자유롭게 이동시키는 측정이송부를 형성하여, 직경 200 mm 이하의 웨이퍼에 대한 두께 정밀 측정 뿐 만 아니라 다양한 크기의 두께 측정장치로도 적용 가능한 반도체 웨이퍼 두께 측정장치에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼에 대한 비저항 측정은 FPP(Four Point Probe)방법으로 주로 측정하는데 두께와 매우 밀접한 관계가 있으며, 정밀도 및 정확도에 큰 영향을 미친다. 종래의 반도체 웨이퍼의 두께 측정은 일반적으로 디지털 마이크로미터나 버니어캘리퍼스 등으로 두께를 측정하여 비저항을 계산하였으나 웨이퍼 중앙 위치에서의 두께 측정은 다소 불편하여 정확한 측정이 어렵다. 또한, 디지털 마이크로미터를 사용할 경우에는 시료 중앙에서 두께를 측정하려면 시료의 파손에 대한 우려와 정확한 측정의 어려움이 있다.
반도체 웨이퍼의 비저항은 FPP(Four Point Probe)방법으로 측정하며, 면저항(RS)을 측정하고 두께 (t)를 곱하여 아래의 식 (1)처럼 계산된다.
Figure 112006038906679-pat00001
(Ω·㎝) (1)
여기서,
Figure 112006038906679-pat00002
: 전기 비저항(Ω·㎝), RS: 면저항(Ω/sq.), t: 웨이퍼의 두께 (Ω·㎝)
이처럼 두께는 반도체 비저항과 매우 밀접한 관계가 있음을 알 수 있으며, 정밀도 및 정확도에 미치는 영향이 크게 된다. 따라서 반도체 웨이퍼의 중앙 위치는 물론 전체 면에 대하여 정확하게 측정할 수 있는 두께 측정 장치가 필요하게 된 것이다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 웨이퍼의 중심이 고정체와 측정체에 위치하도록 웨이퍼를 상, 하로 자유로이 움직이도록 하는 높이조절부와, 상기 측정체 및 고정체가 이격되어 웨이퍼가 위치되는 공간을 형성하도록 두께를 측정하는 두께 측정기를 좌, 우로 자유롭게 이동시키는 측정이송부를 형성하여 두께의 정밀측정에서 많은 오차를 야기했던 기존의 두께측정방식과는 달리 보다 편리하고 정확한 측정을 할 수 있는 반도체 웨이퍼 두께 측정장치를 제공하는데 있다.
상기와 같은 과제를 해결하기 위한 본 발명은 직각으로 세워지는 웨이퍼의 일면 중심이 크기에 맞춰 고정체에 위치되도록 웨이퍼를 상, 하로 움직이며, 측정체와 고정체 사이에 위치되는 웨이퍼의 외주면이 측정중에 파손되지 않도록 외주면 하단측을 두개의 받침편 사이에 안착시키는 웨이퍼지지부가 형성되는 높이조절부와; 상기 웨이퍼의 직각 유지와 흔들림을 방지하기 위하여 상기 측정체 주위에 돌출되어 웨이퍼를 지지하는 고정편과, 상기 측정체와 고정체에 의해 웨이퍼의 두께를 측정하는 디지털 마이크로미터로 이루어져, 상기 웨이퍼를 사이에 두고 상기 고정체와 대응되도록 웨이퍼의 타면 중심에 측정체를 위치시켜 웨이퍼의 두께를 측정하는 두께측정부와; 상기 측정체와 고정체가 이격되어 웨이퍼가 상기 측정체와 고정체 사이에 위치될 수 있는 공간을 형성하기 위해 상기 두께측정부를 좌, 우로 이동시키되, 일측에 형성된 당김손잡이와 저면에 결합된 안내가이드로 좌, 우 이동되어 웨이퍼가 상기 고정체 및 측정체 사이에 위치되는 공간이 이루어지도록 하는 측정이송부; 를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
이와 같은 특징을 갖는 본 발명은 그에 따른 바람직한 실시예를 통해 보다 명확히 설명될 수 있을 것이다. 이하에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면에 의거하여 상세히 설명하도록 한다.
도 1은 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 두께 측정장치의 두께측정부가 측정이송부로 인해 이동된 상태를 나타낸 사시도이고, 도 2는 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 두께 측정장치를 나타낸 사시도이고, 도 3은 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 두께 측정장치의 측정이송부를 나타낸 정면도이고, 도 4는 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 두께 측정장치의 웨이퍼지지부를 나타낸 사시도이다.
도시된 바와 같이 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 두께 측정장치는 웨이퍼의 크기에 따라 중심을 이동하며, 전극을 웨이퍼의 양면 중심에 위치시키되, 웨이퍼가 각각의 전극 사이에 위치될 수 있도록 이송부를 구비하여 다양한 두께를 가진 웨이퍼 및 시료의 두께를 정밀하고 정확하게 측정하기 위한 장치이며, 높이조절부(10), 두께측정부(30), 측정이송부(40)를 포함한다.
상기 높이조절부(10)는 외주면에 숫나사를 형성하는 회전체(14)가 원형 회전 손잡이(13)의 저면 중심에 결합되어 지지판(60)까지 고정되며, 상기 회전체(14)의 상단 외주면엔 상부지지판(11)이 일측이 관통결합되고, 상기 상부지지판(11) 하면에 상부지지판(11)과 대향 되며 일측이 나사결합되는 웨이퍼이동부(12)가 위치하게 된다.
또한, 상부지지판(11)은 일측이 고정기둥(19)으로 고정되고, 상기 고정기둥(19)은 웨이퍼이동부(12)의 일측을 관통하며 지지판(60) 상면에 결합이 된다. 더불어 웨이퍼이동부(12)와 고정기둥(19)의 관통결합시엔 상기 회전손잡이(13)로 인한 웨이퍼이동부(12)의 상, 하 이동을 원활히 하기 위한 베어링이 삽입된다.
더불어 상기 지지판(60)은 상면에서 수직연장선상으로 형성되어 일측이 웨이퍼이동부(12)를 관통하고, 상기 상부지지판(11)의 일측과 결합이 되며, 일측면에 고정체(18)가 돌출형성되는 고정부(15)가 형성된다.
상기 상부지지판(11)은 회전체(14)가 회전할 경우 움직이지 않고 고정되어 있으며, 회전체(14)가 회전시에는 웨이퍼이동부(12)가 상기 회전체(14)의 길이방향으로 상, 하 이동하게 된다.
더불어 상기 높이조절부(10)는 웨이퍼이동부(12) 일측 상면에 고무재질의 받침편(17)이 일측으로 돌출되는 웨이퍼지지부(16)를 형성한다. 상기 받침편(17)은 눕혀진 원통형의 형상을 가지되 중단의 외주면이 패인 형상을 취한다.
상기 두께측정부(30)는 프로브(33)의 일측에 측정체(34)를 형성하는 디지털 마이크로미터(31)와 프로브(33)의 일측외주면에 반원 형상의 측정부(32)가 관통결합되며, 상기 측정부(32)는 일측 중심에 상기 디지털 마이크로미터(31)의 프로브(33)가 결합되어 측정체(34)를 관통 돌출하되, 상기 측정체(34)를 중심으로 원통형의 고정편(35)을 상기 측정체(34) 주위에 다수개(3개 이상) 돌출 형성하여 직각 평면을 유지시켜주는 역할을 한다.
더불어 상기 반원형상의 측정부(32)는 상기 디지털 마이크로미터(31)의 저면에 결합되는 사각판 형상의 이송체(36) 일측에 결합이 되며, 상기 이송체(36)는 고정부(15)의 타측이 하부에서 관통되어 상기 디지털 마이크로미터(31)의 프로브(33)와 고정되는 형태를 가진다.
상기 측정이송부(40)는 상기 이송체(36) 저면에 결합되는 안내가이드(42)에 의해 기차레일 형태로 상기 두께측정부(30)를 좌, 우 이동시킨다. 이는 이송체(36)의 일측면에 형성된 당김손잡이(41)를 당기고 풀어줌으로써 좌, 우 이동되며 상기 당김손잡이(41)는 상기 안내가이드(42) 저면에 형성되어 지지판(60)에 고정되는 몸체부(50)의 일측에 형성되되, 상기 당김손잡이(41)와 대각선 방향으로 대향되어 형성되는 고정손잡이(43)와 함께 이송체(36)를 이동하게 된다.
이하에서는 상기와 같은 구성 및 구조를 갖는 본 발명의 바람직한 실시예의 작용 및 원리를 설명하도록 한다.
본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 두께 측정장치는 웨이퍼 및 시편을 고정부(15)의 고정체(18)와 두께측정부(30)의 일측에 형성된 측정부(32)에 돌출형성되는 측정체(34) 사이에 직각으로 세워 삽입하게 된다.
삽입시 상기 웨이퍼 및 시편은 높이조절부(10)의 웨이퍼 이동부 일측 상면에 형성된 웨이퍼지지부(16)의 받침편(17)에 안착 되게 되는데, 상기 받침편(17)의 중심이 패여 있음으로 해서 안착되는 상기 웨이퍼 및 시편이 고정되는 것이다.
상기 웨이퍼 및 시편을 위치시킨 후, 웨이퍼 및 시편의 중심을 상기 고정체(18)에 위치시켜 접촉하기 위해 회전손잡이(13)를 돌리게 되고, 상기 회전손잡의 회전력을 회전체(14)가 전달받아 상기 회전체(14)와 나사결합된 웨이퍼이동부(12)가 상, 하로 움직이게 된다. 즉, 상기 웨이퍼이동부(12)가 상, 하로 이동될 시 웨이퍼이동부(12)의 일측 상면에 형성되어 웨이퍼 및 시편의 일측을 받치고 있는 웨이퍼지지부(16)도 같이 이동하게 되므로 결론적으로 웨이퍼 및 시편을 상, 하로 조절하게 되어 웨이퍼 및 시편의 중심을 고정체(18)에 위치하여 접촉할 수 있게 하는 것이다.
상기 웨이퍼 및 시편이 삽입될 시 몸체부(50)에 형성된 고정손잡이(43)에 엄지손가락을 지지하고 측정이송부(40)의 당김손잡이(41)를 내측으로 당기고 풀어줌으로써 측정부(32)도 좌, 우 이동하게 되고, 이로 인해 웨이퍼가 삽입되는 공간을 형성하게 되는 것이다.
상기 당김손잡이(41)를 당길시 안내가이드(42)로 인해 더욱 원활한 좌, 우 이동을 할 수 있게 되는 것이고, 웨이퍼 및 시편이 위치한 후 당김손잡이(41)에 주었던 압력을 풀어주면 상기 높이조절부(10)로 고정체(18)에 중심이 맞춰진 상태로 위치된 웨이퍼의 타면 중심에 측정부(32)에 관통 돌출되는 측정체(34)가 위치하게 되며, 이어서 상기 측정체(34) 주위에 형성된 고정편(35)으로 웨이퍼 및 시편을 고정하게 된다.
상기 측정체(34) 및 고정체(18)는 중간에 시료가 존재하지 않아 상호 접촉할 경우 디지털 마이크로미터(31)의 게이지를 "0" 으로 셋팅(setting) 해주기 때문에 시료가 존재할 경우 디지털 마이크로미터(31) 게이지 수치의 변화로 두께를 측정하게 되는 것이다.
본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 두께 측정장치는 알루미늄으로 견고하게 되어있으며, 두께 측정에 대한 소급성은 교정된 게이지 블록 또는 두께 CRM(Certified Reference Materials)을 사용하여 수시 비교 측정을 통하여 정밀도 및 정확도를 유지하여 사용하게 되고, 측정체(34)는 디지털로 구성된 마이크로미터(31)이며, 웨이퍼 및 시편을 직각으로 세워서 고정된 고정체(18)와 디지털 마이크로미터(31)의 측정체(34) 사이에 위치시켜 측정하는 구조이며, 두께를 일정한 간격으로 상하 위치에서 측정하여 두께 측정 평균이 컴퓨터에 의하여 자동으로 계산되도록 하는 것이다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명은 웨이퍼의 중심이 고정체와 측정체에 위치하도록 웨이퍼를 상, 하로 자유로이 움직이도록 하는 높이조절부와, 상기 측정체 및 고정체가 이격되어 웨이퍼가 위치되는 공간을 형성하도록 두께를 측정하는 두께 측정기를 좌, 우로 자유롭게 이동시키는 측정이송부를 형성하여 두께의 정밀측정에서 많은 오차를 야기했던 기존의 두께측정방식과는 달리 보다 편리하고 정확한 측정을 할 수 있는 효과가 있다.

Claims (6)

  1. 직각으로 세워지는 웨이퍼의 일면 중심이 크기에 맞춰 고정체(18)에 위치되도록 웨이퍼를 상, 하로 움직이며, 측정체(34)와 고정체(18) 사이에 위치되는 웨이퍼의 외주면이 측정중에 파손되지 않도록 외주면 하단측을 두개의 받침편(17) 사이에 안착시키는 웨이퍼지지부(16)가 형성되는 높이조절부(10)와;
    상기 웨이퍼의 직각 유지와 흔들림을 방지하기 위하여 상기 측정체(34) 주위에 돌출되어 웨이퍼를 지지하는 고정편(35)과, 상기 측정체(34)와 고정체(18)에 의해 웨이퍼의 두께를 측정하는 디지털 마이크로미터(31)로 이루어져, 상기 웨이퍼를 사이에 두고 상기 고정체(18)와 대응되도록 웨이퍼의 타면 중심에 측정체(34)를 위치시켜 웨이퍼의 두께를 측정하는 두께측정부(30)와;
    상기 측정체(34)와 고정체(18)가 이격되어 웨이퍼가 상기 측정체(34)와 고정체(18) 사이에 위치될 수 있는 공간을 형성하기 위해 상기 두께측정부(30)를 좌, 우로 이동시키되, 일측에 형성된 당김손잡이(41)와 저면에 결합된 안내가이드(42)로 좌, 우 이동되어 웨이퍼가 상기 고정체(18) 및 측정체(34) 사이에 위치되는 공간이 이루어지도록 하는 측정이송부(40);
    를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 두께 측정장치
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 높이조절부(10)는 웨이퍼지지부(16)를 결합하되, 회전하는 회전체(14)에 일측이 나사결합되어, 웨이퍼의 크기에 맞춰 상기 회전체(14)의 길이방향으로 상, 하 이동되어 웨이퍼의 중심을 상기 고정체(18)에 위치시키는 웨이퍼이동부(12)가 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 두께 측정장치
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 당김손잡이(41)는 사용시에 상기 당김손잡이(41)의 저면에 대각선으로 대향되며 형성되는 고정손잡이(43)를 지지하며 당김으로써 상기 두께측정부(30)를 손쉽게 좌, 우로 이동시키는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 두께 측정장치.
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