KR100633991B1 - 슬러리 공급 장치와 방법 및 그를 이용한 화학적 기계적연마 장치와 방법 - Google Patents
슬러리 공급 장치와 방법 및 그를 이용한 화학적 기계적연마 장치와 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100633991B1 KR100633991B1 KR1020040087910A KR20040087910A KR100633991B1 KR 100633991 B1 KR100633991 B1 KR 100633991B1 KR 1020040087910 A KR1020040087910 A KR 1020040087910A KR 20040087910 A KR20040087910 A KR 20040087910A KR 100633991 B1 KR100633991 B1 KR 100633991B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- slurry
- polishing
- wafer
- chemical mechanical
- supplying
- Prior art date
Links
- 239000002002 slurry Substances 0.000 title claims abstract description 63
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 40
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 52
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 42
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 abstract description 10
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 abstract description 8
- 238000002955 isolation Methods 0.000 abstract description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 235000014413 iron hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- NCNCGGDMXMBVIA-UHFFFAOYSA-L iron(ii) hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Fe+2] NCNCGGDMXMBVIA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B57/00—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
- B24B57/02—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents for feeding of fluid, sprayed, pulverised, or liquefied grinding, polishing or lapping agents
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
- H01L21/31053—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
- H01L21/76819—Smoothing of the dielectric
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
본 발명은 실리콘 기판 내에 매우 균일하고 평탄한 섀로우 트렌치 분리막(STI) 및 층간절연막(ILD/IMD)을 형성할 수 있도록 한 화학적 기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing, CMP)에 관한 것으로, 전기영동법(Electro Phoresis)에 의해 슬러리 입자의 크기를 2종류로 분리하여 입자 크기별로 CMP를 실시하기 위한 슬러리 공급 장치와 방법 및 그를 이용한 화학적 기계적 연마 장치와 방법에 대한 것이다.
따라서 본 발명은 전기영동법에 의해 분리된 슬러리 입자를 일반적인 입자 크기와 매우 작은 입자 크기로 분리하여 단계적으로 사용함으로써 디싱을 방지하고, 필름의 종류에 관계없이 얇게 증착하고 적게 연마함으로써 생산성을 크게 향상시키며, 층간절연막 CMP시에도 연마중지 시점이 감지되어 공정의 안정성 및 신뢰성을 향상시켜 소자의 신뢰성 향상 및 수율 향상에 기여할 수 있는 효과 및 장점이 있다.
CMP, 전기영동법, 슬러리
Description
도 1a 및 1b는 종래 기술에 따른 CMP에 의한 웨이퍼의 단면도.
도 2는 본 발명에 따른 CMP 장치의 개략도.
도 3a 내지 3c는 본 발명에 따른 CMP에 의한 웨이퍼의 단면도.
본 발명은 실리콘 기판 내에 매우 균일하고 평탄한 섀로우 트렌치 분리막(Shallow Trench Isolation) 및 층간절연막(Inter Layer Dielectrics, ILD/Inter Metal Dielectrics, IMD)을 형성할 수 있도록 한 화학적 기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing, CMP)에 관한 것으로, 전기영동법(Electro Phoresis)에 의해 슬러리 입자의 크기를 2종류로 분리하여 입자 크기별로 CMP를 실시하기 위한 슬러리 공급 장치와 방법 및 그를 이용한 화학적 기계적 연마 장치와 방법에 대한 것이다.
일반적으로, 반도체 소자에는 트랜지스터, 캐패시터 등의 단위소자로 된 셀들이 반도체 소자의 용량에 따라 제한된 면적 내에 다수개, 예를 들면, 수천 내지 수십억 등이 집적되는데, 이러한 셀들은 서로 독립적인 동작 특성을 위해 전기적으로 분리 또는 격리되는 것이 필요하다. 이러한 셀들 간의 전기적인 분리를 위한 트렌치를 식각하여 절연물질로 재매립하는 트렌치 분리(Trench Isolation) 방법이 잘 알려져 있다.
반도체 소자는 신호전달을 위해 금속배선이 필요하며 일반적으로 디바이스의 크기를 줄이기 위하여 다층의 배선을 형성한다. 이러한 다층배선은 층간 및 층내에서 배선간을 절연시키기 위하여 층간절연막을 반드시 필요로 한다.
그러나 상기 트렌치 분리 방법이나 층간절연막 형성 공정 모두 불필요한 막제거, 리플로우 공정, 또는 에치백 공정으로 달성할 수 없는 넓은 영역의 글로벌 평탄화 및 저온 평탄화 실현을 위해 CMP 공정이 필수적으로 요구된다.
도 1a 및 1b는 종래 기술에 따른 CMP에 의한 웨이퍼의 단면도를 나타낸 것으로서, 웨이퍼(10)에 산화막(11)이 적층되고, 그 위에 경계금속(barrier metal, 12) 및 금속배선(metal line, 13)이 형성되며, 층간절연막(14)이 형성된다. 상기 층간절연막(14)을 평탄화하는 데 입자크기가 다양한 슬러리는 보통 표면과의 화학반응에 의한 화학적 연마반응과 마찰에 의한 기계적 연마특성을 나타내어 표면의 높이가 높고 돌출된 부위부터 연마하고자 하는 특성을 가지고 있다.
그러나 상기 슬러리로는 패드의 변형 및 화학연마에 의해 디싱(dishing, 16)이 발생하여 평탄화가 이루어지지 않으며, 좁고 낮은 영역에서도 화학반응에 의해 리세스(recess) 또는 마이크로디싱(micro dishing)이 발생된다.
한편, 종래의 CMP방법은 슬러리와 패드의 마찰력을 이용하여 물리화학적으로 슬러리 내에 존재하는 웨이퍼의 표면을 가공하는데, 이때 슬러리는 단일 패드상에서 다양한 입자크기로 구성된 슬러리를 이용하여 단순히 연마를 통한 평탄도를 향상시키는 방법이다. 그러나 CMP 공정시 슬러리에 의한 화학연마(Chemical Polishing), 웨이퍼의 패턴에 따른 패드의 변형 및 웨이퍼의 패턴밀도(Pattern density) 변화에 의해 디싱(dishing) 및 부식(erosion) 현상이 발생되며, 그 양에 대한 조절이 불가능하다. 이러한 현상은 평탄도를 떨어뜨리고, 두께 차이를 유발하기 때문에 각각의 소자 간의 성능차이를 유발하며, 후속 포토 공정에서의 마진을 감소시킴으로써 신뢰성 및 수율이 감소되는 문제점이 있었다.
따라서 본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 전기영동법에 의해 슬러리 입자의 크기를 2종류로 분리하여 입자 크기별로 CMP를 실시하기 위한 슬러리 공급 장치와 방법 및 그를 이용한 화학적 기계적 연마 장치와 방법을 제공함에 본 발명의 목적이 있다.
본 발명의 상기 목적은 화학적 기계적 연마 장치에 있어서, 모터에 의해 구동되는 회전판, 상기 회전판 위에 위치한 패드, 상기 패드에 입자의 크기별로 나누 어진 슬러리를 공급하기 위한 슬러리 공급 장치 및 상기 슬러리로 웨이퍼를 연마하기 위해 웨이퍼를 가압하여 회전시키는 웨이퍼회전판을 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마 장치에 의해 달성된다.
또한, 본 발명의 상기 목적은 화학적 기계적 연마 방법에 있어서, 소정의 박막이 형성된 웨이퍼가 회전판 상의 패드에 안착되는 단계, 상기 패드에 입자의 크기별로 분리된 슬러리를 공급하는 단계 및 상기 공급된 슬러리로 상기 웨이퍼의 소정의 박막을 연마하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마 방법에 의해서도 달성된다.
본 발명의 상기 목적과 기술적 구성 및 그에 따른 작용효과에 관한 자세한 사항은 본 발명의 바람직한 실시예를 도시하고 있는 도면을 참조한 이하 상세한 설명에 의해 보다 명확하게 이해될 것이다.
우선, 본 발명에 사용되는 전기영동(電氣泳動 ; electrophoresis)은 콜로이드 용액 속에 전극을 넣고 직류 전압을 가했을 때 콜로이드 입자가 어느 한쪽의 전극을 향해서 이동하는 현상으로, 1808년 루스가 처음으로 발견하였다. 이는 콜로이드 입자가 전기를 띠고 있기 때문에 생기는 현상이다. 예를 들면, 수산화철이나 수산화알루미늄 등 콜로이드 입자는 음극 쪽으로 이동하고, 황·금·은 등 금속 콜로이드나 황화물·규산 등이 분산된 콜로이드 용액에서는 입자가 양극 쪽으로 이동한다. 입자의 이동속도는 입자 계면의 전기운동학적인 전위 차이에 의해서 변하며, 전해질이 흡착하면 이 전위차의 크기가 변하므로 용액 속 전해질의 농도나 종류에 의해서 영향을 받는다. 또한, 입자 크기와 형태에 따라서도 변한다. 따라서 콜로이 드 입자의 각종 성질이 같다고 해도 어느 하나가 다르면 전기이동으로 입자를 분리할 수 있다.
도 2는 본 발명에 따른 CMP 장치의 개략도로서, 우선, 슬러리 공급 장치의 구성은 슬러리(150)를 보관하는 용기(100), 상기 용기(100)의 양측면에 위치하며 직류전압을 공급하여 입자의 크기별로 상기 슬러리(150)를 분리하는 전극판(110, 120) 및 상기 분리된 슬러리를 웨이퍼에 공급하기 위해 상기 전극판과 인접하게 위치한 공급수단(130, 140)을 포함하여 이루어진다.
상기 슬러리(150)는 실리카, 금속, 금속산화물 또는 이들의 조합물을 사용하는 것이 바람직하고, 상기 용기(100)는 직육면체형이나 원통형으로 되어 있으나 이에 한정되지 않는다. 상기 전극판(110, 120) 중 양(+)극쪽에는 미세입자 공급수단(140)이 구비되고, 음(-)극쪽에는 보통입자 공급수단(130)이 구비된다.
상기 슬러리 공급 방법에 대하여 살펴보면, 슬러리가 공급되는 용기를 준비하는 단계에서 직육면체 또는 원통형의 용기가 준비되고, 상기 용기의 양측면에 전극판을 구비하는 단계에서 상기 용기의 양측면에 전극판을 구비하며, 상기 전극판에 직류전압을 공급하여 상기 슬러리를 입자의 크기별로 분리하는 단계에서 상기 전극판에 직류전압을 공급하여 전기영동 현상을 일으켜 슬러리를 분리시키게 되고, 상기 분리된 슬러리를 웨이퍼가 안착되는 패드에 공급하는 단계에서 상기 분리된 슬러리를 CMP가 이루어지는 패드에 공급하는 것으로 슬러리 공급 방법이 이루어진다.
상기 전극판에 직류전압을 공급하면 일측은 양극이 되고, 타측은 음극이 된 다. 전기영동 현상에 의해 1㎛ 정도의 매우 작은 크기의 미세입자가 양극쪽으로 이동하여 분리되고, 2㎛ 내지 3㎛ 크기의 보통크기의 보통입자는 이동력이 부족하여 거의 이동을 하지 않게 된다. 따라서, 양극쪽에서는 미세입자를 공급하고, 상기 미세입자와 가장 먼 곳인 음극쪽에서는 보통입자를 공급한다. 또한, 상기 슬러리는 실리카, 금속, 금속산화물 또는 이들의 조합물 중 어느 하나로 하는 것이 바람직하다.
다음으로, CMP 장치에 대해 살펴보면, 그 구성은 모터에 의해 구동되는 회전판(200), 상기 회전판 위에 위치한 패드(210), 상기 패드(210)에 입자의 크기별로 나누어진 슬러리를 공급하기 위한 슬러리 공급 장치 및 상기 슬러리 상의 웨이퍼를 연마하기 위한 웨이퍼회전판(230)을 포함하여 이루어진다.
상기 슬러리 공급 장치는 상기 설명한 것과 동일하다.
이하, CMP 방법에 대하여 살펴보면 소정의 절연막이 형성된 웨이퍼가 회전판 상의 패드에 안착되는 단계에서 웨이퍼를 패드에 안착시키고, 상기 패드에 입자의 크기별로 분리된 슬러리를 공급하는 단계에서 상기 슬러리 공급 장치 및 방법에 의해 분리된 슬러리를 상기 패드에 공급하며, 상기 공급된 슬러리로 웨이퍼를 연마하는 단계에서 상기 공급된 슬러리로 연마를 실행하게 된다.
상기 슬러리를 공급하는 단계는 상기 설명과 동일하고, 상기 절연막은 O3 TEOS(Tetraethyl Ortho-silicate) 산화막, PE-TEOS(Plasma Enhanced-Tetraethyl Ortho-silicate) 산화막, PE-SiH4 산화막, HDP CVD(High Density Plasma Chemical Vapour Deposition) 산화막, FSG(Fluorinated Silica Glass) 산화막 또는 실리콘 질화막(SiN)을 사용하나 여기에 한정하지는 않는다.
도 3a 내지 3c는 본 발명에 따른 CMP에 의한 웨이퍼의 단면도로서, 웨이퍼(300)에 산화막(310)이 적층되고, 그 위에 경계금속(barrier metal, 320) 및 금속배선(metal line, 330)이 형성되며, 층간절연막(340)이 형성된다. 상기 층간절연막(340)을 평탄화하기 위하여 상기 슬러리의 입자 중 보통입자로 1차 연마하면 도 3b와 같이 어느 정도 평탄화를 이루게 된다. 그 후에 미세입자로 2차 연마하면 도 3c와 같이 완전 평탄화가 이루어진다.
이때, 상기 웨이퍼를 연마하는 단계에서 2차 연마로 평탄화가 이루어지면 연마속도가 초기에 진행되던 연마속도보다 낮아지게 된다. 이로써, 종래에 연마중지점을 찾기 어려운 문제 또한 해소할 수 있게 된다. 따라서, 상기 웨이퍼를 연마하는 단계 후 연마속도를 감지하여 속도가 늦어지면 CMP 공정을 마무리하게 된다.
상세히 설명된 본 발명에 의하여 본 발명의 특징부를 포함하는 변화들 및 변형들이 당해 기술 분야에서 숙련된 보통의 사람들에게 명백히 쉬워질 것임이 자명하다. 본 발명의 그러한 변형들의 범위는 본 발명의 특징부를 포함하는 당해 기술 분야에 숙련된 통상의 지식을 가진 자들의 범위 내에 있으며, 그러한 변형들은 본 발명의 청구항의 범위 내에 있는 것으로 간주된다.
따라서 본 발명의 슬러리 공급 장치와 방법 및 그를 이용한 화학적 기계적 연마 장치와 방법은 전기연동법에 의해 분리된 슬러리 입자를 일반적인 입자 크기와 매우 작은 입자 크기로 분리하여 단계적으로 사용함으로써 디싱을 방지하고, 필름의 종류에 관계없이 얇게 증착하고 적게 연마함으로써 생산성을 크게 향상시키며, 층간절연막 CMP시에도 연마중지 시점이 감지되어 공정의 안정성 및 신뢰성을 향상시켜 소자의 신뢰성 향상 및 수율 향상에 기여할 수 있는 효과 및 장점이 있다.
Claims (9)
- 화학적 기계적 연마 장치에 있어서,모터에 의해 구동되는 회전판;상기 회전판 위에 위치한 패드;상기 패드에 입자의 크기별로 전기적으로 분리된 슬러리를 입자 크기별로 순차로 공급하기 위한 슬러리 공급 장치; 및상기 슬러리로 웨이퍼를 연마하기 위해 웨이퍼를 가압하여 회전시키는 웨이퍼회전판을 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마 장치.
- 제1항에 있어서,상기 슬러리 공급장치는슬러리를 보관하는 용기;상기 용기의 양측면에 위치하며 직류전압을 공급하여 크기별로 상기 슬러리를 분리하는 전극판; 및상기 분리된 슬러리를 웨이퍼에 공급하기 위해 상기 전극판과 인접하게 위치한 공급수단을 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마 장치.
- 제2항에 있어서,상기 전극판 중 양(+)극쪽에는 미세입자 공급수단이 구비되고, 음(-)극쪽에는 보통입자 공급수단이 구비됨을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마 장치.
- 제3항에 있어서,상기 슬러리의 입자 중 보통입자로 1차 연마한 후 미세입자로 2차 연마하는 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마 장치.
- 화학적 기계적 연마 방법에 있어서,소정의 박막이 형성된 웨이퍼가 회전판 상의 패드에 안착되는 단계;슬러리 공급 장치의 슬러리가 입자의 크기별로 전기적으로 분리되는 단계;및상기 패드에 입자의 크기별로 분리된 슬러리가 순차로 공급되며 상기 웨이퍼의 소정의 박막을 연마하는 단계;를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마 방법.
- 제5항에 있어서,상기 슬러리를 공급하는 단계는용기 내에 슬러리를 공급하는 단계;상기 용기의 양측면에 전극판을 구비하는 단계;상기 전극판에 직류전압을 공급하여 상기 전극판의 양(+)극쪽에서는 미세입자를 분리하고, 음(-)극쪽에서는 보통입자를 분리하는 단계; 및상기 분리된 슬러리를 웨이퍼에 공급하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마 방법.
- 제5항에 있어서,상기 슬러리의 입자 중 보통입자로 1차 연마한 후 미세입자로 2차 연마하는 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마 방법.
- 제5항에 있어서,상기 웨이퍼를 연마하는 단계 후 연마속도가 낮아지면 연마를 중지하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마 방법.
- 제7항에 있어서,상기 2차 연마시의 웨이퍼 연마속도가 상기 1차 연마시의 웨이퍼 연마속도보다 낮은 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020040087910A KR100633991B1 (ko) | 2004-11-01 | 2004-11-01 | 슬러리 공급 장치와 방법 및 그를 이용한 화학적 기계적연마 장치와 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020040087910A KR100633991B1 (ko) | 2004-11-01 | 2004-11-01 | 슬러리 공급 장치와 방법 및 그를 이용한 화학적 기계적연마 장치와 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20060038773A KR20060038773A (ko) | 2006-05-04 |
| KR100633991B1 true KR100633991B1 (ko) | 2006-10-16 |
Family
ID=37146235
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020040087910A KR100633991B1 (ko) | 2004-11-01 | 2004-11-01 | 슬러리 공급 장치와 방법 및 그를 이용한 화학적 기계적연마 장치와 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100633991B1 (ko) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100849716B1 (ko) | 2006-12-28 | 2008-08-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | 화학적, 기계적 연마용 슬러리와, 화학적, 기계적 연마장치 및 방법 |
-
2004
- 2004-11-01 KR KR1020040087910A patent/KR100633991B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20060038773A (ko) | 2006-05-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW441013B (en) | Planarized semiconductor interconnect topography and method for polishing a metal layer to form interconnect | |
| US7750488B2 (en) | Method for bonding wafers to produce stacked integrated circuits | |
| US6017803A (en) | Method to prevent dishing in chemical mechanical polishing | |
| CN109390305A (zh) | 一种键合晶圆及其制备方法 | |
| US20230387081A1 (en) | Semiconductor structure and manufacturing method thereof | |
| CN104900543B (zh) | 一种半导体器件及其制备方法 | |
| US9666661B2 (en) | Coplanar metal-insulator-metal capacitive structure | |
| KR100633991B1 (ko) | 슬러리 공급 장치와 방법 및 그를 이용한 화학적 기계적연마 장치와 방법 | |
| US20230066352A1 (en) | Multi-tier deep trench capacitor and methods of forming the same | |
| US20220271090A1 (en) | Vertical memory devices | |
| JP5107499B2 (ja) | 半導体装置 | |
| CN109841561A (zh) | 一种soi器件结构及其制备方法 | |
| CN109817536A (zh) | 键合结构的形成方法 | |
| US20220344284A1 (en) | Guard ring and manufacturing method thereof | |
| US20220216342A1 (en) | Semiconductor device | |
| KR102524807B1 (ko) | 반도체 소자의 제조 방법 | |
| CN109860104A (zh) | 键合结构及其形成方法 | |
| CN111599677B (zh) | 半导体结构及其形成方法 | |
| TWI843059B (zh) | 電晶體及其製造方法 | |
| US20080045018A1 (en) | Method of chemical-mechanical polishing and method of forming isolation layer using the same | |
| CN113169120B (zh) | 接触结构及其形成方法 | |
| KR100390838B1 (ko) | 반도체 소자의 랜딩 플러그 콘택 형성방법 | |
| KR100509816B1 (ko) | 복합 슬러리를 이용한 자기 평탄화 방법 | |
| CN115295484A (zh) | 自对准堆叠通孔处理方法、晶圆和隔离器及其制备方法 | |
| US6211060B1 (en) | Method for planarizing a damascene structure |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20090925 Year of fee payment: 4 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |