KR100628987B1 - Package structure of light emitting diode and method of manufacturing thereof - Google Patents

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정용호
유진열
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Abstract

본 발명은 발광소자 패키지 구조체와 그 제조방법 및 이를 적용한 발광소자의 제조방법에 관한 것으로서, 발광소자 패키지 구조체는 제1두께를 갖는 판상의 제1 및 제2 보조 지지편과, 발광다이오드 칩을 장착하기 위한 것으로 제1 및 제2 보조 지지편 사이의 중앙에 보조 지지편들보다 상방으로 높게 형성된 방열부와, 보조 지지편과 동일 두께로 형성되며 보조지지편 각각으로부터 방열부의 측면까지 연결되게 형성되고 중간에 절곡된 제1절곡부분을 갖는 복수의 보조 리드와, 보조 지지편과 동일 두께를 갖으며 보조리드와 나란하게 보조지지편으로부터 방열부를 향해 이격되게 연장되되 연장된 종단부분은 절곡된 제2절곡부분을 갖는 메인 리드를 구비하고, 방열부, 보조 지지편, 보조리드 및 메인 리드는 도전성이면서 열전도 성능이 높은 금속소재로 일체로 형성된다. 이러한 발광소자 패키지 구조체와 그 제조방법에 의하면, 주변부 보다 중앙부분의 두께가 두꺼운 방열부를 갖는 금속 판재를 천공 및 절곡에 의해 결선용 리드를 방열부와 일체로 형성한 후 몰딩 및 커팅과정을 거쳐 형성하면 되기 때문에 제조가 용이한 장점을 제공한다.The present invention relates to a light emitting device package structure, a method of manufacturing the same, and a method of manufacturing the light emitting device to which the light emitting device package is applied, wherein the light emitting device package structure includes a plate-shaped first and second auxiliary supporting pieces having a first thickness, and a light emitting diode chip. The heat dissipation portion formed higher than the auxiliary support pieces in the center between the first and second auxiliary support pieces, and formed to the same thickness as the auxiliary support pieces, and is formed to be connected to the side of the heat dissipation portion from each of the auxiliary support pieces A plurality of auxiliary leads having a first bent portion bent in the middle, and having a thickness equal to that of the auxiliary support piece, the second ends being extended to be spaced apart from the auxiliary support piece toward the heat dissipation part in parallel with the auxiliary lead; The main lead has a bent portion, and the heat dissipation part, the auxiliary support piece, the auxiliary lead, and the main lead are made of a conductive and high thermal conductive metal material. It is formed integrally. According to such a light emitting device package structure and a method of manufacturing the same, the wiring lead is formed integrally with the heat dissipation part by punching and bending a metal plate having a heat dissipation part with a thicker central portion than the periphery part, followed by molding and cutting process. It is easy to manufacture because it provides an advantage.

Description

발광소자 패키지 구조체와 그 제조방법 및 이를 적용한 발광소자의 제조방법{package structure of light emitting diode and method of manufacturing thereof}Light emitting device package structure and method for manufacturing same, and method for manufacturing light emitting device using same

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광소자 패키지 구조체를 나타내 보인 사시도이고,1 is a perspective view showing a light emitting device package structure according to an embodiment of the present invention;

도 2는 도 1의 발광소자 패키지 구조체를 형성하기 위한 베이스 프레임을 나타내 보인 사시도이고,FIG. 2 is a perspective view illustrating a base frame for forming the light emitting device package structure of FIG.

도 3은 도 2의 베이스 프레임을 1차 가공한 결과를 나타내 보인 평면도이고,3 is a plan view showing a result of the primary processing of the base frame of FIG.

도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 몰딩캡이 적용된 발광소자를 나타내 보인 사시도이고,4 is a perspective view illustrating a light emitting device to which a molding cap is applied according to another embodiment of the present invention;

도 5는 본 발명에 따른 패키지 구조체에 발광다이오드칩이 실장된 상태를 나타내 보인 사시도이고,5 is a perspective view illustrating a state in which a light emitting diode chip is mounted on a package structure according to the present invention;

도 6은 도 1의 패키지 구조체에 몰딩캡을 형성한 후 리드를 커팅 처리한 후의 상태를 나타내 보인 사시도이다.6 is a perspective view illustrating a state after cutting a lead after forming a molding cap in the package structure of FIG. 1.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>

110: 방열부 121a, 121b: 보조 지지편110: heat dissipation portion 121a, 121b: auxiliary support piece

131a, 131b: 메인 리드 141a 141b: 보조 리드 131a, 131b: main lead 141a 141b: secondary lead

본 발명은 발광소자 패키지 구조체와 그 제조방법 및 이를 적용한 발광소자의 제조방법에 관한 것으로서, 상세하게는 제조가 용이하면서도 대면적의 방열구조를 갖는 발광소자 패키지 구조체와 그 제조방법 및 이를 적용한 발광소자의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting device package structure, a method of manufacturing the same, and a method of manufacturing the light emitting device to which the same is applied. It relates to a manufacturing method of.

최근 발광다이오드(LED;Light Emitting Diode)는 형광체를 적용하여 백색광을 생성하여 출사할 수 있는 구조가 알려지면서 단순 발광표시 기능 이외에 기존의 조명등을 대체할 수 있는 조명분야까지 그 응용범위가 확장되고 있다. 또한, 조명에 적합한 고출력용 발광다이오드에 대한 연구가 꾸준히 진행되고 있다.Recently, as the light emitting diode (LED) is known to have a structure that emits white light by applying a phosphor, its application range has been extended to a lighting field that can replace a conventional light lamp in addition to a simple light emitting display function. . In addition, research on high power light emitting diodes suitable for lighting has been continuously conducted.

반도체 소자의 하나인 발광다이오드는 정격 동작온도보다 온도가 올라가면 수명이 감소되고 발광효율이 저하되기 때문에 발광다이오드의 출력을 높이기 위해서는 발광다이오드에서 발생되는 열을 효과적으로 방출시켜 가능한 낮은 동작 온도에서 작동될 수 있는 방열 구조가 요구된다.As one of the semiconductor devices, the light emitting diode is shortened when its temperature rises above the rated operating temperature and the luminous efficiency is lowered. Therefore, in order to increase the output of the light emitting diode, the light emitting diode can be discharged effectively and operated at the lowest possible operating temperature. Heat dissipation structure is required.

그런데, 종래의 발광다이오드는 판형 리드프레임에 발광다이오드 칩을 실장한 구조로 되어 있어 리드프레임을 통해 방열이 이루지기 때문에 방열능력이 낮아 고출력용 발광다이오드에 적용하기 어렵다. However, the conventional light emitting diode has a structure in which a light emitting diode chip is mounted on a plate-shaped lead frame, and thus heat dissipation is performed through the lead frame.

이러한 문제점을 개선할 수 있도록 대면적 방열판을 갖는 발광소자 패키지 구조체가 다양하게 제안되고 있으나, 대부분 발광다이오드 칩을 실장하기 위한 방 열판과 리드프레임을 이체로 형성한 후 상호 결합하는 구조로 되어 있어 제조가 복잡한 단점이 있다. Various light emitting device package structures having a large area heat sink have been proposed to improve the above problems, but most of them have a structure in which a heat radiating plate and lead frame for mounting a light emitting diode chip are formed as a variant and then coupled to each other. There are complex drawbacks.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 개선하기 위하여 창안된 것으로서, 제작과정이 단순하면서도 방열효율을 높일 수 있는 발광소자 패키지 구조체와 그 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention was devised to improve the above problems, and an object thereof is to provide a light emitting device package structure and a method of manufacturing the same, which can increase the heat dissipation efficiency while the manufacturing process is simple.

상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 발광소자 패키지 구조체는 제1두께를 갖는 판상의 제1 및 제2 보조 지지편과; 발광다이오드 칩을 장착하기 위한 것으로 상기 제1 및 제2 보조 지지편 사이의 중앙에 상기 보조 지지편들보다 상방으로 높게 형성된 방열부와; 상기 보조 지지편과 동일 두께로 형성되며 상기 보조지지편 각각으로부터 상기 방열부의 측면까지 연결되게 형성되고 중간에 절곡된 제1절곡부분을 갖는 복수의 보조 리드와; 상기 보조 지지편과 동일 두께를 갖으며 상기 보조리드와 나란하게 상기 보조지지편으로부터 상기 방열부를 향해 이격되게 연장되되 연장된 종단부분은 절곡된 제2절곡부분을 갖는 메인 리드;를 구비하고, 상기 방열부, 상기 보조 지지편, 상기 보조리드 및 상기 메인 리드는 도전성이면서 열전도 성능이 높은 금속소재로 일체로 형성된다.In order to achieve the above object, a light emitting device package structure according to the present invention includes a plate-shaped first and second auxiliary support pieces having a first thickness; A heat dissipation unit for mounting a light emitting diode chip, the heat dissipation unit being formed above the auxiliary support pieces in a center between the first and second auxiliary support pieces; A plurality of auxiliary leads formed to the same thickness as the auxiliary support pieces and having a first bent portion bent in the middle and connected from each of the auxiliary support pieces to a side surface of the heat dissipation portion; And a main lead having the same thickness as that of the auxiliary support piece and extending apart from the auxiliary support piece toward the heat dissipation part in parallel with the auxiliary support piece, and having an extended end portion having a second bent portion bent. The heat dissipation unit, the auxiliary support piece, the auxiliary lead and the main lead are integrally formed of a metal material which is conductive and has high thermal conductivity.

바람직하게는 상기 방열부의 저면과 상기 보조지지편의 저면은 상호 나란하게 되어 있고, 상기 제2절곡부분은 상기 보조 지지편으로부터 상기 방열부를 향하는 방향으로 일정길이 연장된 제1수평부분에서 상방으로 일정높이로 절곡된 수직부 분 및 상기 수직부분의 상단에서 상기 방열부를 향해 수평방향으로 절곡된 제2수평부분을 갖는 구조로 형성된다.Preferably, the bottom surface of the heat dissipation portion and the bottom surface of the auxiliary support piece are parallel to each other, and the second bent portion has a predetermined height upward from the first horizontal portion extending a predetermined length from the auxiliary support piece toward the heat dissipation portion. It is formed in a structure having a vertical portion bent to the second horizontal portion bent in the horizontal direction toward the heat dissipating portion from the upper end of the vertical portion.

또한, 상기 방열부의 상면 중앙에는 상기 발광다이오드 칩을 안착하기 위한 것으로 점진적으로 내경이 좁아지게 일정 깊이로 형성된 칩안착부;를 더 구비한다.In addition, the center of the upper surface of the heat dissipation portion for mounting the light emitting diode chip further comprises a chip mounting portion formed to a predetermined depth to gradually narrow the inner diameter.

더욱 바람직하게는 상기 방열부를 중심으로 상기 보조리드 및 상기 메인리드의 일부가 포함되되 상기 방열부의 저면, 상기 메인 리드의 제2수평부분의 상면, 상기 칩안착부 및 상기 제1수평부분의 저면이 노출되게 몰딩하여 형성된 몰딩캡;을 더 구비한다.More preferably, the auxiliary lead and a part of the main lead are included in the center of the heat dissipation part, and the bottom of the heat dissipation part, the top surface of the second horizontal part of the main lead, the bottom of the chip seat part and the first horizontal part are And a molding cap formed by molding to be exposed.

또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 발광소자 패키지 구조체 제조방법은 제1두께로 형성된 베이스부분과, 상기 베이스부분의 중앙에 상기 베이스 부분 보다 일정 높이 더 높게 형성된 방열부를 갖는 베이스 프레임의 상기 베이스부분을 천공하여 상기 베이스부분의 양단 가장자리 부분과 상기 방열부 사이에 상호 연결된 보조 리드와 일단은 상기 방열부로부터 분리되고 타단은 상기 베이스부분 가장자리부분과 연결된 메인 리드를 형성하는 단계와; 상기 보조 리드를 상기 방열부의 높이 방향으로 일정 높이 돌출되게 일정부분 절곡시켜 제1절곡부분을 형성시키고, 상기 메인 리드를 상기 베이스부분의 가장자리로부터 상기 방열부 방향을 따라 일정거리 이격된 위치에서 상방으로 절곡한 제1수직부분과, 상기 수직부분 상단에서 다시 상기 방열부를 향해 수평방향으로 절곡된 제2수평부분을 갖게 제2절곡부분을 형성하는 단계;를 포함한다.In addition, the method for manufacturing a light emitting device package structure according to the present invention in order to achieve the above object of the base frame having a base portion formed with a first thickness, and a heat dissipation portion formed at a certain height higher than the base portion in the center of the base portion; Perforating the base portion to form an auxiliary lead interconnected between both edge portions of the base portion and the heat dissipation portion and one end separated from the heat dissipation portion and the other end connected to the base portion edge portion; The auxiliary lead is bent a predetermined portion to protrude a predetermined height in the height direction of the heat dissipation portion to form a first bent portion, and the main lead is upwards from a position spaced a predetermined distance along the direction of the heat dissipation portion from the edge of the base portion. And a second bent portion having a first vertical portion bent and a second horizontal portion bent horizontally from the upper end of the vertical portion toward the heat dissipation portion.

또한, 상기 방열부와 상기 메인 리드의 일부가 포함되되 상기 제2수평부분과 상기 칩안착부가 노출되게 몰딩하여 몰딩캡을 형성하는 단계;와 상기 몰딩캡으로부터 외부로 연장된 상기 메인리드와 상기 보조리드를 커팅하는 단계;를 더 포함한다.The method may further include forming a molding cap by molding the heat dissipation unit and a part of the main lead, wherein the second horizontal portion and the chip seat are exposed to form a molding cap; and the main lead and the subsidiary extending outward from the molding cap. Cutting a lead;

또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 발광소자의 제조방법은 제1두께로 형성된 베이스부분과, 상기 베이스부분의 중앙에 상기 베이스 부분 보다 일정 높이 더 높게 형성되고 상면 중앙에 칩안착부가 형성된 방열부를 갖는 베이스 프레임을 천공하여 상기 베이스부분의 양단 가장자리 부분과 상기 방열부 사이에 상호 연결된 보조 리드와 일단은 상기 방열부로부터 분리되고 타단은 상기 베이스부분 가장자리부분과 연결된 메인 리드를 갖도록 형성하는 단계와; 상기 보조 리드를 상기 방열부의 높이 방향으로 일정 높이 돌출되게 일정부분 절곡시켜 제1절곡부분을 형성시키고, 상기 메인 리드를 상기 베이스부분의 가장자리로부터 상기 방열부 방향을 따라 일정거리 이격된 위치에서 상방으로 절곡한 제1수직부분과, 상기 수직부분 상단에서 다시 상기 방열부를 향해 수평방향으로 절곡된 제2수평부분을 갖게 제2절곡부분을 형성하는 단계; 상기 방열부와 상기 메인 리드 및 상기 보조리드의 일부가 포함되되 상기 제2수평부분과 상기 칩안착부가 노출되게 몰딩하여 몰딩캡을 형성하는 단계와; 상기 칩안착부에 발광다이오드 칩을 실장하고, 상기 발광다이오드칩과 상기 제2수평부분 사이를 와이어 본딩하는 단계;를 포함한다.In addition, in order to achieve the above object, the manufacturing method of the light emitting device according to the present invention includes a base portion formed with a first thickness, a predetermined height higher than the base portion in the center of the base portion, and a chip seating portion in the center of the upper surface. Perforating the base frame having a heat dissipation formed to form an auxiliary lead interconnected between the both ends of the base portion and the heat dissipation portion and one end separated from the heat dissipation portion and the other end has a main lead connected to the edge portion of the base portion Steps; The auxiliary lead is bent a predetermined portion to protrude a predetermined height in the height direction of the heat dissipation portion to form a first bent portion, and the main lead is upwards from a position spaced a predetermined distance along the direction of the heat dissipation portion from the edge of the base portion. Forming a second bent portion having a first vertical portion bent and a second horizontal portion bent horizontally from the upper end of the vertical portion toward the heat dissipation portion; Forming a molding cap by molding the heat dissipation part, the main lead, and a part of the auxiliary lead to expose the second horizontal part and the chip seat part; And mounting a light emitting diode chip on the chip seat and wire bonding between the light emitting diode chip and the second horizontal portion.

본 발명의 또 다른 측면에 따르면 발광소자의 제조방법은 제1두께로 형성된 베이스부분과, 상기 베이스부분의 중앙에 상기 베이스 부분 보다 일정 높이 더 높게 형성되고 상면 중앙에 칩안착부가 형성된 방열부를 갖는 베이스 프레임을 천공 하여 상기 베이스부분의 양단 가장자리 부분과 상기 방열부 사이에 상호 연결된 보조 리드와 일단은 상기 방열부로부터 분리되고 타단은 상기 베이스부분 가장자리부분과 연결된 메인 리드를 갖도록 형성하는 단계와; 상기 보조 리드를 상기 방열부의 높이 방향으로 일정 높이 돌출되게 일정부분 절곡시켜 제1절곡부분을 형성시키고, 상기 메인 리드를 상기 베이스부분의 가장자리로부터 상기 방열부 방향을 따라 일정거리 이격된 위치에서 상방으로 절곡한 제1수직부분과, 상기 수직부분 상단에서 다시 상기 방열부를 향해 수평방향으로 절곡된 제2수평부분을 갖게 제2절곡부분을 형성하는 단계; 상기 칩안착부에 발광다이오드 칩을 실장하고, 상기 발광다이오드칩과 상기 제2수평부분 사이를 와이어 본딩하는 단계와; 상기 방열부를 중심으로 상기 메인리드 및 상기 보조리드의 일부가 포함되게 투명소재로 몰딩하여 몰딩캡을 형성하는 단계;를 포함한다.According to still another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a light emitting device, a base having a first thickness and a base having a heat dissipation portion formed at a predetermined height higher than the base portion at the center of the base portion and having a chip seat at the center of an upper surface thereof. Perforating a frame to form an auxiliary lead interconnected between both edge portions of the base portion and the heat dissipation portion and one end separated from the heat dissipation portion, and the other end having a main lead connected to the edge portion of the base portion; The auxiliary lead is bent a predetermined portion to protrude a predetermined height in the height direction of the heat dissipation portion to form a first bent portion, and the main lead is upwards from a position spaced a predetermined distance along the direction of the heat dissipation portion from the edge of the base portion. Forming a second bent portion having a first vertical portion bent and a second horizontal portion bent horizontally from the upper end of the vertical portion toward the heat dissipation portion; Mounting a light emitting diode chip on the chip seat and wire bonding the light emitting diode chip to the second horizontal portion; And forming a molding cap by molding a transparent material such that a part of the main lead and the auxiliary lead is included around the heat dissipation unit.

이하, 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 발광소자 패키지 구조체와 그 제조방법 및 이를 적용한 발광소자의 제조방법을 더욱 상세하게 설명한다.Hereinafter, a light emitting device package structure according to a preferred embodiment of the present invention, a manufacturing method thereof, and a manufacturing method of a light emitting device to which the same is applied will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자 패키지 구조체를 나타내 보인 사시도이다.1 is a perspective view showing a light emitting device package structure according to an embodiment of the present invention.

도면을 참조하면, 발광소자 패키지 구조체(100)는 방열부(110), 보조 지지편(121a)(121b), 메인 리드(131a)(131b), 보조 리드(141a)(141b)를 갖는 구조로 되어 있다.Referring to the drawings, the light emitting device package structure 100 is a structure having a heat dissipation unit 110, auxiliary support pieces 121a and 121b, main leads 131a and 131b, and auxiliary leads 141a and 141b. It is.

방열부(110)는 대략 사각 형태로 형성되어 있고 상면 중앙에 하부로 진행할 수록 내경이 좁아지게 형성된 칩안착부(111)가 형성되어 있다. 칩안착부(111)는 발광다이오드 칩 실장용이다.The heat dissipation unit 110 is formed in a substantially rectangular shape, and the chip seating portion 111 is formed to have an inner diameter narrower as it proceeds downward in the center of the upper surface. The chip seat 111 is for mounting a light emitting diode chip.

방열부(110)의 두께는 보조 지지편(121a)(121b)의 두께 보다 두껍되 적용하고자 하는 발광다이오드칩의 방열용량을 고려하여 결정하면 된다.The thickness of the heat dissipation unit 110 is thicker than the thickness of the auxiliary support pieces 121a and 121b, and may be determined in consideration of the heat dissipation capacity of the LED chip to be applied.

보조 지지편(121a)(121b)은 방열부(110)보다 두께가 얇게 제1두께로 형성되어 있다.The auxiliary support pieces 121a and 121b are formed to have a thickness that is thinner than the heat dissipation unit 110 to have a first thickness.

제1 및 제2 보조 지지편(121a)(121b)은 방열부(110)를 중심으로 좌 우측에서 각각 일정거리 이격되어 보조 리드(141a)(141b) 및 메인 리드(131a)(131b)를 지지하는 기능을 하며 후술 되는 몰딩캡(310) 형성 이후에는 메인 리드(131a)(131b) 및 보조 리드(141a)(141b)의 일부와 함께 제거되는 부분이다.The first and second auxiliary support pieces 121a and 121b are spaced apart from the left and right by a predetermined distance with respect to the heat dissipation unit 110 to support the auxiliary leads 141a and 141b and the main leads 131a and 131b, respectively. After forming the molding cap 310 to be described later, the main lead 131a and 131b and the auxiliary lead 141a and 141b are removed together with a part.

보조 리드(141a)(141b)는 보조 지지편(121a)(121b)과 동일한 두께로 되어 있고, 보조 지지편(121a)(121b) 각각과 방열부(110) 사이에 띠 형태로 연결되어 있다.The auxiliary leads 141a and 141b have the same thickness as the auxiliary support pieces 121a and 121b and are connected in a band form between each of the auxiliary support pieces 121a and 121b and the heat dissipation part 110.

보조 리드(141a)(141b)는 중간에 상방으로 일정 높이 절곡된 제1절곡부분(142)이 형성되어 있다.The auxiliary leads 141a and 141b are formed with a first bent portion 142 bent upward by a predetermined height in the middle.

보조리드(141)의 제1절곡부분(142)은 메인 리드(131a)(131b)의 제2수평부분(134)과 방열부(110)와의 간격 조정 기능을 한다.The first bent portion 142 of the auxiliary lead 141 serves to adjust the gap between the second horizontal portion 134 of the main leads 131a and 131b and the heat dissipation unit 110.

메인 리드(131a)(131b)는 보조 지지편(121a)(121b)과 동일 두께로 형성되어 있다.The main leads 131a and 131b are formed to have the same thickness as the auxiliary support pieces 121a and 121b.

메인 리드(131a)(141b)는 보조 리드(141a)(141b)와 이격되되 보조지지편 (121a)(121b)으로부터 방열부(110)를 향해 연장된 부분에 절곡처리된 제2절곡부분을 갖는다.The main leads 131a and 141b are spaced apart from the auxiliary leads 141a and 141b but have a second bent portion bent in a portion extending from the auxiliary support pieces 121a and 121b toward the heat dissipation unit 110. .

제2절곡부분은 각 보조 지지편(121a)(121b)으로부터 방열부(110)를 향하는 방향으로 일정길이 연장된 제1수평부분(132)의 종단에서 상방으로 일정높이로 절곡된 수직부분(133) 및 수직부분(133)의 상단에서 방열부(110)를 향해 수평방향으로 절곡된 제2수평부분(134)을 갖는 구조로 되어 있다.The second bent portion is a vertical portion 133 bent to a certain height upward from the end of the first horizontal portion 132 extending a predetermined length in the direction toward the heat dissipation portion 110 from each of the auxiliary support pieces 121a, 121b. ) And a second horizontal portion 134 bent in a horizontal direction toward the heat dissipation portion 110 at the upper end of the vertical portion 133.

여기서 제2수평부분(134)의 상면은 와이어 본딩용으로 이용되고, 제1수평부분(132) 또는 저면은 외부와의 결선용으로 이용된다.Here, the top surface of the second horizontal portion 134 is used for wire bonding, and the first horizontal portion 132 or the bottom surface is used for connection to the outside.

이러한 구조의 패키지 구조체(100)는 반사율이 높은 소재로 코팅처리된 것이 바람직하다. 바람직하게는 1차로 니켈(Ni)로 코딩하고, 그 위에 2차로 은(Ag)으로 코팅한 멀티 코팅층이 적용된다.The package structure 100 having such a structure is preferably coated with a material having high reflectance. Preferably, a multi-coating layer coated with nickel (Ni) firstly and coated with silver (Ag) secondly is applied thereto.

이하에서는 상기 패키지 구조체(100)의 제조방법을 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing the package structure 100 will be described.

먼저, 도 2에 도시된 바와 같은 형상의 베이스 프레임(101)을 이용한다. First, a base frame 101 having a shape as shown in FIG. 2 is used.

베이스 프레임(101)을 구분하면 제1두께로 형성된 베이스부분(120)과 베이스부분(120)의 중앙에 베이스 부분(120) 보다 일정 높이 더 높게 형성된 방열부(110)를 갖는다.When the base frame 101 is divided, the base part 120 having the first thickness and the heat dissipation part 110 formed at a predetermined height higher than the base part 120 are formed in the center of the base part 120.

이러한 모자형태의 구조로 된 베이스 프레임(101)은 압연, 전조 또는 압출 성형한 것을 이용하면 된다.The base frame 101 having a hat-shaped structure may be rolled, rolled or extruded.

또한, 베이스 프레임(101)은 열전도율이 높고 전기 전도성이 좋은 소재로 형성하면 되고 일 예로서 구리 또는 구리합금소재로 된 것을 적용한다.In addition, the base frame 101 may be formed of a material having high thermal conductivity and good electrical conductivity. For example, the base frame 101 may be made of copper or a copper alloy material.

다음은 베이스 프레임(101)을 앞서 설명된 보조지지편(121a)(121b), 보조 리드(141a)(141b) 및 메인 리드(131a)(131b)를 형성하기 위해 도 2에 도시된 바와 같이 천공처리한다. 즉, 베이스 프레임(101)에 보조 리드 형성용 장공(103) 및 메인 리드 분리용 홀(104)이 형성되게 천공한다. 또한 방열부(110)의 중앙에 칩안착부(111)를 형성한다.Next, the base frame 101 is drilled as shown in FIG. 2 to form the auxiliary support pieces 121a and 121b, the auxiliary leads 141a and 141b, and the main leads 131a and 131b described above. Process. That is, it drills so that the auxiliary lead forming long hole 103 and the main lead separating hole 104 are formed in the base frame 101. In addition, the chip mounting part 111 is formed in the center of the heat dissipation part 110.

또한, 도시되지는 않았지만, 메인 리드(131a)(131b)와 보조 리드(141a)(141b)의 몰딩캡 형성 이후 커팅해야 할 부분의 커팅 용이성을 위해 천공 과정에서 절단가이드 홈을 형성시킬 수 있음은 물론이다.In addition, although not shown, the cutting guide groove may be formed in the drilling process for easy cutting of the portion to be cut after forming the molding cap of the main leads 131a and 131b and the auxiliary leads 141a and 141b. Of course.

그리고 나서, 천공된 도 3의 베이스 프레임(101)을 도 1에 도시된 바와 같은 구조가 되게 보조 리드(141a)(141b)와 메인 리드(131a)(131b)를 절곡한다. 즉, 보조 리드(141a)(141b)들은 방열부(110)의 높이 방향으로 일정 높이 돌출되게 일정길이 절곡시킨다. 또한, 메인 리드(131a)(131b)의 방열부(110)와 인접된 종단 부분을 상방으로 연장된 제1수직부분(133)과, 수직부분(133) 상단에서 방열부(110)를 향해 수평방향으로 연장된 제2수평부분(134)을 갖게 절곡한다. 여기서 보조 리드(141a)(141b)의 제1절곡부분(142)의 높이는 방열부(110)의 상면 이하 또는 이상으로 적절하게 형성하면 된다.Then, the auxiliary leads 141a and 141b and the main leads 131a and 131b are bent so that the perforated base frame 101 of FIG. 3 has a structure as shown in FIG. 1. That is, the auxiliary leads 141a and 141b are bent a predetermined length to protrude a certain height in the height direction of the heat dissipation unit 110. In addition, the first vertical portion 133 extending upwardly from the terminal portion adjacent to the heat dissipating portion 110 of the main leads 131a and 131b and horizontally from the upper end of the vertical portion 133 toward the heat dissipating portion 110. It is bent to have a second horizontal portion 134 extending in the direction. The height of the first bent portion 142 of the auxiliary leads 141a and 141b may be appropriately formed below or above the upper surface of the heat dissipation unit 110.

다음으로는 칩안착부(111)에 실장될 발광다이오드칩으로부터 출사되는 빛의 내측면에서의 반사율을 높이고 와이어 본딩성을 향상시키기 위해 도금처리한다. 도금처리영역은 적어도 칩안착부(111), 메인리드(131a)(131b)가 포함되게 하면 되고, 작업성을 고려할 때 전체를 도금처리하여도 된다.Next, plating is performed to increase the reflectance at the inner surface of the light emitted from the light emitting diode chip to be mounted on the chip seat 111 and to improve the wire bonding property. The plating treatment region may include at least the chip mounting portion 111 and the main leads 131a and 131b, and may be plated in its entirety in consideration of workability.

바람직하게는 1차로 니켈(Ni) 도금처리하고, 2차로 은(Ag) 도금처리한다. 또 다르게는 니켈 또는 은으로만 코팅할 수 있음은 물론이다.Preferably, nickel (Ni) plating is carried out first, and silver (Ag) plating is performed second. Alternatively, it is of course possible to coat only with nickel or silver.

이러한 패키지 구조체(100)에 대해 발광다이오드칩을 실장 한 후 또는 발광다이오드 칩 실장 이전에 도 1에서 점선으로 표기된 영역을 수지로 몰딩하여 몰딩캡(310)을 형성한 후 몰딩캡(310)으로부터 외부로 노출된 보조 리드(141a)(141b) 및 메인 리드(131a)(131b)를 적절한 길이로 커팅하면 발광소자의 제작이 완료된다.After the light emitting diode chip is mounted on the package structure 100 or before the light emitting diode chip is mounted, the area indicated by the dotted line in FIG. 1 is molded with resin to form the molding cap 310 and then externally formed from the molding cap 310. When the auxiliary leads 141a and 141b and the main leads 131a and 131b exposed to each other are cut to an appropriate length, the manufacturing of the light emitting device is completed.

이를 더욱 상세하게 설명하면, 먼저, 제1방식에 따라 칩안착부(111)에 발광다이오드칩(미도시)을 실장하고, 제2수평부분(134)과 발광다이오드칩을 와이어 본딩한 다음 도 1에서 일점쇄선으로 표기된 부분이 외곽 라인이 되게 투명수지로 몰딩한 후 메인 리드(131a)(131b)와 보조리드(141a)(141b)의 일부를 절단하면 된다.In more detail, first, a light emitting diode chip (not shown) is mounted on the chip seating part 111 according to the first method, and the second horizontal portion 134 and the light emitting diode chip are wire-bonded. After molding with a transparent resin so that the portion indicated by the dashed line in the outline line is cut off a part of the main lead (131a) (131b) and the auxiliary lead (141a) (141b).

이때 몰딩에 의해 형성하는 몰딩캡(310)은 상면이 평평한 구조로 할 수도 있고, 도 4에 도시된 바와 같이 칩안착부(111)와 대응되는 상방이 주변보다 볼록하게 돌출된 렌즈부(332)를 갖는 구조로 몰딩캡(330)을 형성할 수 있음은 물론이다. 또한, 몰딩캡(310)(330)은 메인 리드(131a)(131b) 및 방열부(110)의 저면이 외부로 노출되게 베이스 부분(120)의 상면에 해당하는 위치에서부터 방열부(110)보다 일정 길이 높게 형성하는 것이 바람직하다. 도시된 예에서는 보조 리드(141a)(141b)가 몰딩캡(330)으로부터 돌출되게 절단한 구조가 예시되었으나 몰딩캡(330)으로부터 돌출되지 않게 커팅 하여도 됨은 물론이다.In this case, the molding cap 310 formed by molding may have a flat top surface, and as shown in FIG. 4, the lens portion 332 protruded convexly from the upper portion corresponding to the chip seat 111. Of course, the molding cap 330 may be formed in a structure having a structure. In addition, the molding caps 310 and 330 may be formed from the positions corresponding to the top surface of the base portion 120 so that the bottoms of the main leads 131a and 131b and the heat dissipation unit 110 are exposed to the outside. It is preferable to form a certain length high. In the illustrated example, a structure in which the auxiliary leads 141a and 141b are cut out to protrude from the molding cap 330 is illustrated, but may be cut so as not to protrude from the molding cap 330.

한편, 백색 발광다이오드칩이 적용되는 경우 발광다이오드칩을 실장하고 와이어 본딩한 다음 발광다이오드 칩을 에워싸도록 형광체를 도포한 후 투명수지로 몰딩캡(310)(330)을 형성하는 과정을 수행하면 된다.On the other hand, when a white light emitting diode chip is applied, the light emitting diode chip is mounted and wire bonded, and then a phosphor is coated to surround the light emitting diode chip, and then a molding cap 310, 330 is formed of a transparent resin. do.

이와는 다르게, 제2방식으로서 도 5에 도시된 바와 같이 메인리드(131a)(131b)의 제2수평부분(134)과 칩안착부(111)를 포함하는 부분이 노출되게 수지로 몰딩하여 인입홈(342)을 갖는 몰딩캡(340)을 형성하고, 칩안착부(111)에 발광다이오드칩(400)을 실장하고 메인 리드(131a)(131b)의 제2수평부분(134) 각각과 발광다이오드칩(400) 상호간을 와이어로 본딩 한다. 이 경우 몰딩캡(340)은 표면에서의 반사율을 높일 수 있게 백색 수지로 형성하는 것이 바람직하다.Unlike this, as shown in FIG. 5, the recess including the second horizontal portion 134 and the chip seating portion 111 of the main leads 131a and 131b is exposed as a second method. A molding cap 340 having a 342 is formed, the LED chip 400 is mounted on the chip seat 111, and each of the second horizontal portions 134 of the main leads 131a and 131b and the LED are formed. The chips 400 are bonded to each other with a wire. In this case, the molding cap 340 is preferably formed of a white resin to increase the reflectance on the surface.

몰딩캡(340) 형성 이후에는 발광다이오드칩(400)이 외부에 대해 밀폐되게 몰딩캡(340)의 인입홈을 투명소재로 충진하여 밀폐시키거나, 앞서 설명된 바와 같이 렌즈 모양을 갖도록 보조캡(미도시)을 형성하면 된다. 이때 보조캡 형성 이전 또는 이후에 메인 리드(131a)(131b) 및 보조리드(141a)(141b)를 절단하면 된다. After the molding cap 340 is formed, the light emitting diode chip 400 is sealed to the outside by filling the inlet groove of the molding cap 340 with a transparent material, or as described above, an auxiliary cap (eg, having a lens shape). Not shown). In this case, the main leads 131a and 131b and the auxiliary leads 141a and 141b may be cut before or after the auxiliary cap is formed.

한편, 백색 발광다이오드칩이 적용되는 경우 발광다이오드칩을 실장하고 와이어 본딩한 다음 발광다이오드 칩을 에워싸도록 형광체를 도포한 후 투명수지로 충진시켜 보조캡을 형성하는 과정을 수행하면 된다.On the other hand, when a white light emitting diode chip is applied, the light emitting diode chip may be mounted and wire-bonded, then a phosphor may be applied to surround the light emitting diode chip, and then filled with transparent resin to form an auxiliary cap.

참조부호 345는 극성 안내 예를 들면 제1메인리드(131a)와 제2메인리드(131b)가 각각 어느 극성인지를 안내하기 위한 표식용 모따기 부분이다.Reference numeral 345 denotes a polarity guide, for example, a marking chamfer for guiding which polarity the first main lead 131a and the second main lead 131b are.

한편, 앞서 설명된 방식과 다르게 몰딩캡(340) 형성 이후에 도 6에 도시된 바와 같이 메인리드(131a)(131b)와 보조리드(141a)(141b)를 먼저 절단한 후 앞서 설명된 칩마운팅 및 보조캡 형성과정을 수행해도 된다.On the other hand, after the molding cap 340 is formed differently from the above-described method, as shown in FIG. 6, the main leads 131a and 131b and the auxiliary leads 141a and 141b are first cut, and then the chip mounting described above. And an auxiliary cap forming process.

지금까지 설명된 바와 같이 본 발명에 따른 발광소자 패키지 구조체와 그 제조방법에 의하면, 주변부 보다 중앙부분의 두께가 두꺼운 방열부를 갖는 금속 판재를 천공 및 절곡에 의해 결선용 리드를 방열부와 일체로 형성한 후 몰딩 및 커팅과정을 거쳐 형성하면 되기 때문에 제조가 용이한 장점을 제공한다.According to the light emitting device package structure and the manufacturing method according to the present invention as described above, the connection lead is integrally formed with the heat dissipation part by drilling and bending a metal plate having a heat dissipation part with a thicker thickness in the center than the peripheral part. Since it is formed through the molding and cutting process then it provides an easy manufacturing.

Claims (10)

제1두께를 갖는 판상의 제1 및 제2 보조 지지편과;Plate-shaped first and second auxiliary support pieces having a first thickness; 발광다이오드 칩을 장착하기 위한 것으로 상기 제1 및 제2 보조 지지편 사이의 중앙에 상기 보조 지지편들보다 상방으로 높게 형성된 방열부와;A heat dissipation unit for mounting a light emitting diode chip, the heat dissipation unit being formed above the auxiliary support pieces in a center between the first and second auxiliary support pieces; 상기 보조 지지편과 동일 두께로 형성되며 상기 보조지지편 각각으로부터 상기 방열부의 측면까지 연결되게 형성되고 중간에 절곡된 제1절곡부분을 갖는 복수의 보조 리드와;A plurality of auxiliary leads formed to the same thickness as the auxiliary support pieces and having a first bent portion bent in the middle and connected from each of the auxiliary support pieces to a side surface of the heat dissipation portion; 상기 보조 지지편과 동일 두께를 갖으며 상기 보조리드와 나란하게 상기 보조지지편으로부터 상기 방열부를 향해 이격되게 연장되되 연장된 종단부분은 절곡된 제2절곡부분을 갖는 메인 리드;를 구비하고,And a main lead having the same thickness as that of the auxiliary support piece and extending apart from the auxiliary support piece toward the heat dissipation part in parallel with the auxiliary support piece, and having an extended end portion having a bent second bent part. 상기 방열부, 상기 보조 지지편, 상기 보조리드 및 상기 메인 리드는 도전성 금속소재로 일체로 형성된 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지 구조체.The heat dissipation unit, the auxiliary support piece, the auxiliary lead and the main lead is a light emitting device package structure, characterized in that formed integrally with a conductive metal material. 제1항에 있어서, 상기 방열부의 저면과 상기 보조지지편의 저면은 상호 나란하게 되어 있고, The bottom surface of the heat dissipation unit and the bottom surface of the auxiliary support piece are parallel to each other. 상기 제2절곡부분은 상기 보조 지지편으로부터 상기 방열부를 향하는 방향으로 일정길이 연장된 제1수평부분에서 상방으로 일정높이로 절곡된 수직부분 및 상기 수직부분의 상단에서 상기 방열부를 향해 수평방향으로 절곡된 제2수평부분을 갖는 구조로 형성된 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지 구조체.The second bent portion is bent in a horizontal direction toward the heat dissipation portion from the upper portion of the vertical portion and a vertical portion bent upwardly from the first horizontal portion extending a predetermined length in a direction toward the heat dissipation portion from the auxiliary support piece. Light emitting device package structure, characterized in that formed in a structure having a second horizontal portion. 제2항에 있어서, 상기 방열부의 상면 중앙에는 상기 발광다이오드 칩을 안착하기 위한 것으로 점진적으로 내경이 좁아지게 일정 깊이로 형성된 칩안착부;를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지 구조체.The light emitting device package structure according to claim 2, further comprising a chip seating portion formed at a predetermined depth in the center of the upper surface of the heat dissipation portion to gradually seat the light emitting diode chip. 제3항에 있어서, 상기 방열부를 중심으로 상기 보조리드 및 상기 메인리드의 일부가 포함되되 상기 방열부의 저면, 상기 메인 리드의 제2수평부분의 상면, 상기 칩안착부 및 상기 제1수평부분의 저면이 노출되게 몰딩하여 형성된 몰딩캡;을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지 구조체.The method of claim 3, wherein the auxiliary lead and a part of the main lead are included around the heat dissipation unit, wherein the bottom of the heat dissipation unit, an upper surface of the second horizontal portion of the main lead, the chip seat and the first horizontal portion Light emitting device package structure characterized in that it further comprises; a molding cap formed by molding the bottom surface exposed. 제1두께로 형성된 베이스부분과, 상기 베이스부분의 중앙에 상기 베이스 부분 보다 일정 높이 더 높게 형성된 방열부를 갖는 베이스 프레임의 상기 베이스부분을 천공하여 상기 베이스부분의 양단 가장자리 부분과 상기 방열부 사이에 상호 연결된 보조 리드와 일단은 상기 방열부로부터 분리되고 타단은 상기 베이스부분 가장자리부분과 연결된 메인 리드를 형성하는 단계와;Perforating the base portion of the base frame having a base portion formed with a first thickness and a heat dissipating portion formed at a predetermined height higher than the base portion in the center of the base portion, and mutually formed between both edge portions of the base portion and the heat dissipating portion. Forming a main lead connected to the auxiliary lead and one end separated from the heat dissipating part, and the other end connected to the edge of the base part; 상기 보조 리드를 상기 방열부의 높이 방향으로 일정 높이 돌출되게 일정부분 절곡시켜 제1절곡부분을 형성시키고, 상기 메인 리드를 상기 베이스부분의 가장자리로부터 상기 방열부 방향을 따라 일정거리 이격된 위치에서 상방으로 절곡한 제1수직부분과, 상기 수직부분 상단에서 다시 상기 방열부를 향해 수평방향으로 절곡된 제2수평부분을 갖게 제2절곡부분을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지 구조체의 제조방법.The auxiliary lead is bent a predetermined portion to protrude a predetermined height in the height direction of the heat dissipation portion to form a first bent portion, and the main lead is upwards from a position spaced a predetermined distance along the direction of the heat dissipation portion from the edge of the base portion. Forming a second bent portion having a first vertical portion bent and a second horizontal portion bent horizontally from the top of the vertical portion toward the heat dissipation portion; Manufacturing method. 제5항에 있어서, 상기 방열부의 중앙에는 상면으로부터 점진적으로 내경이 좁아지게 일정 깊이로 칩안착부를 더 형성시키는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지 구조체의 제조방법.6. The method of claim 5, wherein the chip mounting portion is further formed at a predetermined depth in the center of the heat dissipation portion to gradually narrow the inner diameter from the upper surface. 제6항에 있어서, The method of claim 6, 상기 방열부와 상기 메인 리드의 일부가 포함되되 상기 제2수평부분과 상기 칩안착부가 노출되게 몰딩하여 몰딩캡을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지 구조체의 제조방법.And a part of the heat dissipation part and the main lead, wherein the second horizontal part and the chip seat part are exposed to form a molding cap. 제7항에 있어서, 상기 몰딩캡으로부터 외부로 연장된 상기 메인리드와 상기 보조리드를 커팅하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자 패키지 구조체의 제조방법.The method of claim 7, further comprising: cutting the main lead and the auxiliary lead extending outwardly from the molding cap. 제1두께로 형성된 베이스부분과, 상기 베이스부분의 중앙에 상기 베이스 부분 보다 일정 높이 더 높게 형성되고 상면 중앙에 칩안착부가 형성된 방열부를 갖는 베이스 프레임을 천공하여 상기 베이스부분의 양단 가장자리 부분과 상기 방열부 사이에 상호 연결된 보조 리드와 일단은 상기 방열부로부터 분리되고 타단은 상기 베이스부분 가장자리부분과 연결된 메인 리드를 갖도록 형성하는 단계와;Perforated base frame having a base portion formed with a first thickness and a heat dissipation portion formed at a predetermined height higher than the base portion in the center of the base portion and having a chip seating portion in the center of the upper surface, so that both edge portions of the base portion and the heat dissipation are formed. Forming an auxiliary lead interconnected between the parts and one end separated from the heat dissipation part and the other end having a main lead connected to the edge of the base part; 상기 보조 리드를 상기 방열부의 높이 방향으로 일정 높이 돌출되게 일정부분 절곡시켜 제1절곡부분을 형성시키고, 상기 메인 리드를 상기 베이스부분의 가장자리로부터 상기 방열부 방향을 따라 일정거리 이격된 위치에서 상방으로 절곡한 제1수직부분과, 상기 수직부분 상단에서 다시 상기 방열부를 향해 수평방향으로 절곡된 제2수평부분을 갖게 제2절곡부분을 형성하는 단계;The auxiliary lead is bent a predetermined portion to protrude a predetermined height in the height direction of the heat dissipation portion to form a first bent portion, and the main lead is upwards from a position spaced a predetermined distance along the direction of the heat dissipation portion from the edge of the base portion. Forming a second bent portion having a first vertical portion bent and a second horizontal portion bent horizontally from the upper end of the vertical portion toward the heat dissipation portion; 상기 방열부와 상기 메인 리드 및 상기 보조리드의 일부가 포함되되 상기 제2수평부분과 상기 칩안착부가 노출되게 몰딩하여 몰딩캡을 형성하는 단계와;Forming a molding cap by molding the heat dissipation part, the main lead, and a part of the auxiliary lead to expose the second horizontal part and the chip seat part; 상기 칩안착부에 발광다이오드 칩을 실장하고, 상기 발광다이오드칩과 상기 제2수평부분 사이를 와이어 본딩하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조방법.Mounting a light emitting diode chip to the chip seat and wire bonding between the light emitting diode chip and the second horizontal portion; and manufacturing a light emitting device. 제1두께로 형성된 베이스부분과, 상기 베이스부분의 중앙에 상기 베이스 부분 보다 일정 높이 더 높게 형성되고 상면 중앙에 칩안착부가 형성된 방열부를 갖는 베이스 프레임을 천공하여 상기 베이스부분의 양단 가장자리 부분과 상기 방열부 사이에 상호 연결된 보조 리드와 일단은 상기 방열부로부터 분리되고 타단은 상기 베이스부분 가장자리부분과 연결된 메인 리드를 갖도록 형성하는 단계와;Perforated base frame having a base portion formed with a first thickness and a heat dissipation portion formed at a predetermined height higher than the base portion in the center of the base portion and having a chip seating portion in the center of the upper surface, so that both edge portions of the base portion and the heat dissipation are formed. Forming an auxiliary lead interconnected between the parts and one end separated from the heat dissipation part and the other end having a main lead connected to the edge of the base part; 상기 보조 리드를 상기 방열부의 높이 방향으로 일정 높이 돌출되게 일정부분 절곡시켜 제1절곡부분을 형성시키고, 상기 메인 리드를 상기 베이스부분의 가장자리로부터 상기 방열부 방향을 따라 일정거리 이격된 위치에서 상방으로 절곡한 제1수직부분과, 상기 수직부분 상단에서 다시 상기 방열부를 향해 수평방향으로 절 곡된 제2수평부분을 갖게 제2절곡부분을 형성하는 단계;The auxiliary lead is bent a predetermined portion to protrude a predetermined height in the height direction of the heat dissipation portion to form a first bent portion, and the main lead is upwards from a position spaced a predetermined distance along the direction of the heat dissipation portion from the edge of the base portion. Forming a second bent portion having a first vertical portion bent and a second horizontal portion bent horizontally from the upper end of the vertical portion toward the heat dissipation portion; 상기 칩안착부에 발광다이오드 칩을 실장하고, 상기 발광다이오드칩과 상기 제2수평부분 사이를 와이어 본딩하는 단계와;Mounting a light emitting diode chip on the chip seat and wire bonding the light emitting diode chip to the second horizontal portion; 상기 방열부를 중심으로 상기 메인리드 및 상기 보조리드의 일부가 포함되게 투명소재로 몰딩하여 몰딩캡을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조방법.And forming a molding cap by molding a transparent material such that a part of the main lead and the auxiliary lead is included around the heat dissipation unit.
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