KR100626350B1 - A mask develop apparatus - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 제조용 마스크를 현상하기 위한 장치에 관한 것이다. 반도체 제조용 마스크를 현상하기 위한 장치는 마스크가 로딩되고 그 로딩된 마스크의 윗면으로 현상액이 채워지는 공간을 갖는 용기 및 용기에 결합되고 용기를 회전시키기 위한 회전부재를 구비한다.

Figure 111999007356135-pat00001

The present invention relates to an apparatus for developing a mask for manufacturing a semiconductor. An apparatus for developing a mask for manufacturing a semiconductor includes a container having a space in which a mask is loaded and a developer filled with an upper surface of the loaded mask, and a rotating member coupled to the container and rotating the container.

Figure 111999007356135-pat00001

Description

마스크 현상 장치{A MASK DEVELOP APPARATUS}Mask developing apparatus {A MASK DEVELOP APPARATUS}

도 1은 일반적인 사각형의 마스크에서 스핀 방식에 의한 인플레이트 선폭 균일성의 측정결과를 보여주는 도면;1 is a view showing a measurement result of the in-flat line width uniformity by the spin method in a general rectangular mask;

도 2는 일반적인 사각형의 마스크에서 딥 방식에 의한 인플레이트 선폭 균일성의 측정결과를 보여두는 도면;2 is a view showing a measurement result of the in-flat line width uniformity by the dip method in a general rectangular mask;

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 마스크 현상 장치를 보여주는 사시도;3 is a perspective view showing a mask developing apparatus according to an embodiment of the present invention;

도 4a 및 도 4b는 도 3에 도시된 마스크 현상 장치의 평면도 및 단면도;4A and 4B are a plan view and a sectional view of the mask developing apparatus shown in FIG. 3;

도 5는 본 발명의 실시예에 따른 마스크 현상 장치의 사용상태도;5 is a state diagram of use of the mask developing apparatus according to the embodiment of the present invention;

도 6은 본 발명에 따른 마스크 현상 장치에서 용기의 변형 예를 보여주는 도면이다. 6 is a view showing a modification of the container in the mask developing apparatus according to the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for the main parts of the drawings

12 : 용기 14 : 실링12: container 14: sealing

16 : 홈 18 : 서포터16: home 18: supporter

20 : 분출공 22 : 리프트 부재20: blowout hole 22: lift member

24 : 리프트 핀 26 : 손잡이24: lift pin 26: handle

30 : 회전 부재 32 : 턴테이블30: rotating member 32: turntable

34 : 스핀척 36 : 스핀 모터34: spin chuck 36: spin motor

40 : 현상액 50 : 마스크 40: developer 50: mask

본 발명은 반도체 제조용 마스크를 현상하기 위한 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for developing a mask for manufacturing a semiconductor.

일반적으로 반도체 제조용 마스크 제작에 있어서 인플레이트 균일성 관리(in-plate uniformity control)는 디바이스의 특성 및 가격에 막대한 영향을 미치는 요소이다. 디자인 룰(design rule)의 감소와 더불어 균일성의 관리 검사규격이 현저히 타이트(tight)해지면서 상대적으로 현재의 노광 설비 및 현상(develop) 설비를 사용한 균일성의 제어가 한계 상황에 도달해 있는 상황이다.In general, in-plate uniformity control in the manufacture of masks for semiconductor manufacturing is a factor that greatly affects the characteristics and price of the device. In addition to the reduction of design rules, the uniformity management inspection standard has become significantly tight, and the control of uniformity using current exposure equipment and development equipment has reached a limit.

일반적으로 노광 공정에서 재현성 있는 노광이 이루어졌다는 가정하에 균일성을 좌우하는 가장 큰 요인은 현상 공정으로 알려져 있다. 웨이퍼의 현상 공정에서는 마스크에 비해 상대적으로 매우 얇고 둥근 기판을 사용하기 때문에 인위적인 약간의 밴딩 효과를 이용한 퍼들(puddle) 방식의 현상 공정을 용이하게 사용할 수 있지만 1/4 inch의 두께를 갖는 마스크의 경우는 밴딩이 어렵기 때문에 퍼들 공정을 적용하기는 불가능하다. 또한 사각형의 기판 특성상 기판의 중앙부와 동심원 바깥의 선폭(CD)을 동시에 제어하기가 어려운 것이 현실이다. In general, assuming that reproducible exposure is achieved in the exposure process, the biggest factor that determines uniformity is known as a development process. The wafer development process uses a relatively thin and round substrate compared to the mask, so it is easy to use a puddle development process using a slight artificial banding effect, but in the case of a mask having a 1/4 inch thickness It is impossible to apply the puddle process because of the difficult banding. In addition, due to the characteristics of the rectangular substrate, it is difficult to simultaneously control the line width (CD) outside the center and the concentric circles of the substrate.

도 1 및 도 2는 각각 일반적인 사각형의 마스크에서 스핀(spin) 방식과 딥(dip) 방식에 의한 인플레이트 선폭 균일성의 측정결과를 보여주고 있다. 도 1에서 볼 수 있듯이 스핀 방식에 의한 선폭의 경향은 센터와 에지의 선폭 차이에 의 한 동심원적인 결과를 볼 수 있다. 이 결과에서 주목해야 할 것은 사각형의 시료내에 동심원적인 선폭 경향(trend)을 보인다는 것이다. 한편, 도 2에서는 앞에서의 결과와는 다른 선폭 경향을 확인할 수 있다. 동심원적인 결과보다는 전체적으로 상당히 랜덤(random)하고 균일한 측정 결과를 보임으로서 딥 방식이 스핀 방식보다 균일성에서 뛰어난 효과가 있음을 확인할 수 있다. 그러나 딥 방식에 의한 마스크 현상 기법은 스핀 방식에 비해 양산성이 떨어질 뿐만 아니라, 결함(defect) 발생 확률이 급격히 증가하기 때문에 실제 양산에 적용하기 어려운 문제점이 있다.1 and 2 show the results of measuring the in-flat line width uniformity by the spin method and the dip method, respectively, in a general rectangular mask. As can be seen in Figure 1, the trend of line width by the spin method can be seen concentric results due to the line width difference between the center and the edge. It should be noted that the results show concentric concentric line trends in rectangular samples. On the other hand, in Figure 2 it can be seen that the line width tendency different from the previous results. By showing a fairly random and uniform measurement result as a whole rather than a concentric result, it can be seen that the dip method has a better effect on the uniformity than the spin method. However, the mask development technique by the dip method is difficult to apply to actual production because not only is the mass production deteriorated as compared to the spin method, but also the probability of defects is rapidly increased.

본 발명은 이와 같은 종래 문제점을 해결하기 위한 것으로, 그 목적은 딥 방식과 스핀 방식을 접목하여 양산 적용이 가능하고 균일성이 뛰어난 새로운 형태의 반도체 제조용 마스크를 현상하기 위한 장치를 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve such a conventional problem, and an object thereof is to provide a device for developing a mask for manufacturing a new type of semiconductor, which can be mass-produced with excellent uniformity by combining a dip method and a spin method.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 의하면, 반도체 제조용 마스크를 현상하기 위한 장치는 마스크가 로딩되고 그 로딩된 마스크의 윗면으로 현상액이 채워지는 공간을 갖는 용기, 상기 용기에 결합되고 상기 용기를 회전시키기 위한 회전부재, 상기 마스크의 윗면으로 채워진 현상액이 상기 마스크의 뒷면으로 흐르는 것을 방지하기 위하여 상기 공간의 내주면에 설치되는 실링부재, 상기 마스크가 상기 용기의 바닥으로부터 이격되도록 상기 제 1 공간의 바닥면에 설치되어 상기 마스크를 지지하는 서포터를 포함하되, 상기 용기의 모서리부분에는 상기 공간에 오버플러워되는 현상액이 배출되는 홈이 형성되고, 상기 용기의 바닥면에는 외부의 가스공급라인과 연결되어 상기 마스크의 뒷면으로 가스가 분출되는 가스분출공이 형성된다.According to a feature of the present invention for achieving the above object, an apparatus for developing a mask for manufacturing a semiconductor is a container having a space in which a mask is loaded and the developer is filled into the upper surface of the loaded mask, coupled to the container and the container A rotating member for rotating the sealing member, a sealing member installed on an inner circumferential surface of the space to prevent the developer filled with the upper surface of the mask from flowing to the rear surface of the mask, and the mask spaced apart from the bottom of the container. A supporter installed on a bottom surface to support the mask, wherein a groove is formed at a corner of the container for discharging the developer which is overflowed into the space, and is connected to an external gas supply line at the bottom of the container; A gas ejection hole through which gas is ejected is formed on the rear surface of the mask.

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이와 같은 본 발명에서 상기 용기로부터 상기 마스크를 로딩/언로딩하기 위한 리프트부재를 더 포함한다.The present invention further includes a lift member for loading / unloading the mask from the container.

이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면 도 3 내지 도 6에 의거하여 상세히 설명한다. 상기 도면들에 있어서 동일한 기능을 수행하는 구성 요소에 대해서는 동일한 참조 번호를 병기한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 3 to 6. In the drawings, components that perform the same function are denoted by the same reference numerals.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 마스크 현상 장치를 보여주는 사시도이다. 도 4a 및 도 4b는 도 3에 도시된 마스크 현상 장치의 평면도 및 단면도이다. 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 마스크 현상 장치의 사용 상태도이다.3 is a perspective view showing a mask developing apparatus according to an embodiment of the present invention. 4A and 4B are a plan view and a sectional view of the mask developing apparatus shown in FIG. 3. 5 is a state diagram of use of the mask developing apparatus according to the embodiment of the present invention.

도 3 내지 도 4b에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 현상 장치(10)는 용기(12)와 이 용기(12)를 회전시키기 위한 회전 부재(30)를 갖는다. 상기 용기(12)는 사각형의 마스크(50)가 로딩되는 제 1 공간(12a)과 상기 로딩된 마스크(50)의 윗면으로 현상액이 채워지는 제 2 공간(12b)을 갖는다. 예컨대, 상기 제 1 공간(12a)의 형상은 상기 마스크(50)의 형상에 따라 변경될 수 있다. 예컨대, 상기 용기(12)의 재질로는 스탠레스 스틸, 테프론, 아델(ardel)등을 사용될 수 있다. 상기 회전 부재(30)는 상기 용기(12)가 설치되는 턴테이블(32)을 갖는 스핀척(34)과 이 스핀척(34)을 회전시키기 위한 스핀 모터(36)를 구비한다. 예컨대, 상기 용기(12)는 기존에 스핀 방식에서 사용하던 스핀척에 얹어서 사용하거나 또는 기존의 척을 제거하고 용기를 장착하여 프로세서를 할 수 있게 디자인을 변경할 수 있다는 것을 유념해야 한다. As shown in FIGS. 3 to 4B, the developing apparatus 10 according to the embodiment of the present invention has a container 12 and a rotating member 30 for rotating the container 12. The container 12 has a first space 12a in which a rectangular mask 50 is loaded, and a second space 12b in which a developer is filled in an upper surface of the loaded mask 50. For example, the shape of the first space 12a may be changed according to the shape of the mask 50. For example, stainless steel, Teflon, Adele, etc. may be used as the material of the container 12. The rotating member 30 includes a spin chuck 34 having a turntable 32 on which the container 12 is installed, and a spin motor 36 for rotating the spin chuck 34. For example, it should be noted that the container 12 can be used on a spin chuck that has been used in the conventional spin method, or the design can be changed to allow the processor to be removed by mounting the container.

한편, 상기 용기(12)에는 실링(14), 홈(16), 서포터(18), 분출공(20) 그리고 리프트 부재(22)를 갖는다. 상기 실링(14)은 상기 제 1 공간(12a)과 제 2 공간(12b)의 경계에 해당되는 내주면에 설치된다. 상기 실링(14)은 유기용재 내식성이 우수한 Kalrez 소재를 사용하는 것이 바람직하다. 상기 용기(14)에 상기 마스크(50)가 로딩되면 상기 마스크(50)의 외주면에는 상기 실링(14)이 밀착 지지된다.(도 4 참조) 따라서, 현상액(40)이 상기 마스크(50)의 윗면으로 채워지더라도 상기 실링(14)에 의해 상기 제 1 공간(12a)에 해당되는 마스크(50)의 뒷면으로 현상액이 침투되는 것을 차단할 수 있다. 따라서, 마스크(50)의 뒷면이 현상액에 의해 오염되는 것을 방지할 수 있다. 상기 홈(16)은 상기 용기(12)의 네 모서리부분에 형성된다. 상기 홈(16)들은 상기 용기(12)에 채워진 현상액(40;또는 오버플러워되는 현상액)이 흘러나올 수 있도록 함으로서 추가적인 현상액 공급을 용이하게 한다. 뿐만 아니라 상기 홈(16)들은 린스 스탭이 끝난 후 스핀 드라이 과정에서 현상액이 원활하게 흘러나갈 수 있도록 도와주므로서 린스나 스핀 드라이 과정에서 발생하는 결함의 발생 확률을 최소화시키는 역할을 한다. 예컨대, 상기 홈(16)의 높이는 상기 마스크(50) 높이와 0.5-2mm의 간격을 유지하는 것이 바람직하다. On the other hand, the container 12 has a seal 14, a groove 16, a supporter 18, a blowing hole 20 and a lift member 22. The seal 14 is installed on an inner circumferential surface corresponding to a boundary between the first space 12a and the second space 12b. The sealing 14 is preferably used Kalrez material excellent in organic solvent corrosion resistance. When the mask 50 is loaded in the container 14, the seal 14 is closely supported on the outer circumferential surface of the mask 50. (See FIG. 4) Therefore, the developer 40 of the mask 50 Even if the top surface is filled, the sealing solution may be prevented from penetrating into the rear surface of the mask 50 corresponding to the first space 12a. Therefore, the back surface of the mask 50 can be prevented from being contaminated by the developer. The groove 16 is formed at four corners of the container 12. The grooves 16 facilitate the supply of additional developer by allowing the developer 40 (or developer to be overfilled) filled in the container 12 to flow out. In addition, the grooves 16 help the developer to flow smoothly during the spin dry process after the rinse step is completed, thereby minimizing the probability of defects occurring during the rinse or spin dry process. For example, the height of the groove 16 preferably maintains a distance of 0.5-2 mm from the height of the mask 50.

한편, 상기 서포터(18)와 상기 분출공(20)은 상기 마스크(50)를 상기 용기(12)의 바닥면으로부터 이격시켜 마스크(50)의 긁힘을 예방하기 위한 것으로, 상기 서포터(18)는 상기 제 1 공간(12a)의 바닥면에 돌설되어 설치되고, 상기 분출공(20)은 상기 용기(12)의 바닥에 형성된다. 도면에 도시되어 있지 않지만 상기 분출공(20)은 외부의 가스공급라인과 연결된다. 예컨대, 상기 분출공(20)을 통해 분출되는 기체에는 질소가스 또는 에어가 사용될 수 있다. 상기 마스크는 상기 서포터(18)에 의해 상기 용기(12)의 바닥면으로부터 이격된 상태로 로딩된다. 그리고 그 이격된 공간에는 상기 분출공(20)을 통해 분출되는 가스에 의해 가압이 발생된다. 이와 같이, 본 발명의 현상 장치(10)는 상기 마스크(50)가 상기 용기(12)의 바닥면과의 접촉되지 않으므로 마스크 뒷면의 긁힘을 예방할 수 있는 것이다. 한편, 상기 리프트 부재(22)는 상기 용기(12)로부터 상기 마스크(50)를 로딩/언로딩을 용이하게 하기 위한 목적으로 설치된다. 상기 리프트 부재(22)는 용기(12)의 좌우에 각각 설치된다. 상기 리프트 부재(22)는 상기 용기(12)의 바닥에 설치되는 4개의 리프트 핀(24)과 이 리프트 핀(24)을 상하 이동시키기 위한 손잡이(26)로 이루어진다. 상기 손잡이(26)를 위로 올리면 상기 리프트 핀(24)들이 상기 용기(12)의 바닥면으로부터 돌출되고 아래로 당기면 바닥면에 형성된 홀로 들어간다. 이와 같이 상기 리프트 부재(22)는 작업자에 의해 수동으로 조작된다. 예컨대, 일반적으로 스핀척상에서 웨이퍼를 자동으로 로딩/언로딩시키는 공지된 리프트 수단을 본 발명의 현상 장치에 적용하여 사용할 수도 있다. On the other hand, the supporter 18 and the blower hole 20 is to prevent the mask 50 from scratching by separating the mask 50 from the bottom surface of the container 12, the supporter 18 is Protruding from the bottom surface of the first space (12a), the blow hole 20 is formed in the bottom of the container (12). Although not shown in the figure, the blowing hole 20 is connected to an external gas supply line. For example, nitrogen gas or air may be used for the gas ejected through the ejection hole 20. The mask is loaded in a state spaced apart from the bottom surface of the container 12 by the supporter 18. In the spaced space, pressurization is generated by the gas ejected through the ejection hole 20. As described above, in the developing apparatus 10 of the present invention, since the mask 50 does not come into contact with the bottom surface of the container 12, it is possible to prevent scratches on the back side of the mask. On the other hand, the lift member 22 is provided for the purpose of facilitating loading / unloading of the mask 50 from the container 12. The lift members 22 are provided on the left and right sides of the container 12, respectively. The lift member 22 is composed of four lift pins 24 installed at the bottom of the container 12 and a handle 26 for vertically moving the lift pins 24. Lifting the handle 26 upwards causes the lift pins 24 to protrude from the bottom surface of the container 12 and pull down to enter holes formed in the bottom surface. In this way, the lift member 22 is manually operated by the operator. For example, generally known lift means for automatically loading / unloading wafers on a spin chuck may be applied to the developing apparatus of the present invention.

여기서 본 발명의 구조적인 특징은 스핀 방식과 딥 방식을 동시에 구현할 수 있다는데 있다. 본 발명의 구조적인 특징은 마스크가 로딩된 용기에 현상액을 채운 후 그 용기를 회전시켜 마스크를 현상하기 위한 현상액의 농도 구배를 최소화시키는데 있다. 따라서, 마스크의 전체적인 균일성을 개선시킬 수 있다.The structural feature of the present invention is that the spin method and the dip method can be simultaneously implemented. A structural feature of the present invention is to minimize the concentration gradient of the developer for developing the mask by rotating the container after filling the developer with the container loaded with the mask. Thus, the overall uniformity of the mask can be improved.

이와 같은 구성으로 이루어진 본 발명의 현상 장치에서의 마스크 현상은 다음과 같이 이루어진다. 도 5를 참조하면, 상기 리프트 부재(22)의 손잡이(26)를 들어올린 상태에서 상기 마스크(50)를 상기 리프트 핀(24)들 위에 올려놓는다. 상기 손잡이(26)를 내리면, 자연스럽게 상기 마스크(50)가 상기 용기(12)에 로딩된다. 이때, 상기 마스크(50)의 테두리에 상기 실링(14)이 밀착 지지되도록 상기 마스크(50)의 모서리부분(패턴이 없는 부분) 상면을 눌러준다. 이와 같이 마스크(50)의 로딩이 완료되면, 상기 마스크(50)의 윗면에 해당되는 상기 용기의 제 2 공간(12b)에 현상액(40)을 채운 다음 일정시간 간격으로 매우 낮은 RPM(5-20)으로 상기 용기(12)를 회전시킨다. 그러면, 상기 용기(12)에 담겨진 현상액(40)이 상기 회전에 의해 그 농도 구배가 최소화되는 것이다. 따라서, 마스크(50)의 전체적인 균일성을 개선시킬 수 있는 것이다. 한편, 현상 공정이 끝난 후에는 상기 용기(12)에 로딩되어 있는 마스크(50)를 들어올리기 위해 상기 손잡이(26)를 위로 당긴다. 그러면 상기 리프트 핀(24)들이 상방향으로 이동되면서 상기 마스크(50)를 상기 용기(12)로부터 들어올리게 되는 것이다. Mask development in the developing apparatus of the present invention having such a configuration is performed as follows. Referring to FIG. 5, the mask 50 is placed on the lift pins 24 while the handle 26 of the lift member 22 is lifted up. When the handle 26 is lowered, the mask 50 is naturally loaded into the container 12. At this time, the upper surface of the edge portion (the portion without the pattern) of the mask 50 is pressed so that the sealing 14 is closely supported on the edge of the mask 50. When the loading of the mask 50 is completed as described above, the developer 40 is filled in the second space 12b of the container corresponding to the upper surface of the mask 50, and then, at a predetermined time interval, a very low RPM (5-20). Rotate the vessel 12 with). Then, the concentration gradient of the developer 40 contained in the container 12 is minimized by the rotation. Therefore, the overall uniformity of the mask 50 can be improved. On the other hand, after the development process is completed, the handle 26 is pulled up to lift the mask 50 loaded in the container 12. The lift pins 24 are then moved upwards to lift the mask 50 from the container 12.

도 6은 본 발명에 따른 마스크 현상 장치에서 용기의 변형 예를 보여주는 도면이다. 6 is a view showing a modification of the container in the mask developing apparatus according to the present invention.

도 6에 도시된 본 발명의 용기(12')는 도 3에 도시된 용기와 동일한 구성과 기능을 갖는다. 다만, 본 변형 예에서는 상기 마스크(50)의 에지부분에서의 균일 성 드롭(drop) 현상을 예방하기 위하여, 상기 현상액(40)이 채워지는 제 2 공간(12b)을 상기 마스크(50)보다 넓게 형성한 구조적인 특징을 갖는다. The container 12 'of the present invention shown in FIG. 6 has the same configuration and function as the container shown in FIG. However, in the present modified example, in order to prevent the uniform drop phenomenon at the edge portion of the mask 50, the second space 12b in which the developer 40 is filled is made wider than the mask 50. It has formed structural features.

이상에서, 본 발명에 따른 마스크 현상 장치의 구성 및 동작을 상기한 설명 및 도면에 따라 도시하였지만 이는 예를 들어 설명한 것에 불과하며 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화 및 변경이 가능함은 물론이다.In the above, the configuration and operation of the mask developing apparatus according to the present invention are shown in accordance with the above description and drawings, but this is merely an example, and various changes and modifications can be made without departing from the technical spirit of the present invention. Of course.

이와 같은 본 발명을 적용하면, 스핀 방식과 딥 방식을 동시에 구현할 수 있어 스핀 방식의 장점인 양산성 향상과 딥 방식의 장점인 균일성 향상 효과를 얻을 수 있다.
By applying the present invention, it is possible to implement a spin method and a dip method at the same time, it is possible to obtain a mass productivity improvement, which is an advantage of the spin method, and a uniformity improvement effect, which is an advantage of the dip method.

Claims (3)

반도체 제조용 마스크를 현상하기 위한 장치에 있어서:In the apparatus for developing a mask for manufacturing a semiconductor: 마스크가 로딩되고 그 로딩된 마스크의 윗면으로 현상액이 채워지는 공간을 갖는 용기와;A container having a space in which a mask is loaded and a developer is filled into an upper surface of the loaded mask; 상기 용기에 결합되고 상기 용기를 회전시키기 위한 회전부재와;A rotating member coupled to the container for rotating the container; 상기 마스크의 윗면으로 채워진 현상액이 상기 마스크의 뒷면으로 흐르는 것을 방지하기 위하여 상기 공간의 내주면에 설치되는 실링부재와;A sealing member installed on an inner circumferential surface of the space to prevent the developer filled with the upper surface of the mask from flowing to the rear surface of the mask; 상기 마스크가 상기 용기의 바닥으로부터 이격되도록 상기 제 1 공간의 바닥면에 설치되어 상기 마스크를 지지하는 서포터를 포함하되;A supporter installed on a bottom surface of the first space to support the mask so that the mask is spaced apart from the bottom of the container; 상기 용기의 모서리부분에는 상기 공간에 오버플러워되는 현상액이 배출되는 홈이 형성되고,The corner portion of the container is formed with a groove for discharging the developer is overflowed in the space, 상기 용기의 바닥면에는 외부의 가스공급라인과 연결되어 상기 마스크의 뒷면으로 가스가 분출되는 가스분출공이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 마스크 현상 장치.Mask development apparatus for semiconductor manufacturing, characterized in that the bottom surface of the container is connected to the external gas supply line and the gas ejection hole for ejecting the gas to the back of the mask. 삭제delete 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 용기로부터 상기 마스크를 로딩/언로딩하기 위한 리프트부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 마스크 현상 장치.And a lift member for loading / unloading the mask from the container.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108469718A (en) * 2018-04-20 2018-08-31 无锡中微掩模电子有限公司 A kind of developing method and device of mask

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4920608A (en) * 1988-08-08 1990-05-01 Emerson Electric Co. Portable hand held vacuum cleaner
JPH04167517A (en) * 1990-10-31 1992-06-15 Nec Corp Developing device
US5215865A (en) * 1989-11-27 1993-06-01 Chen Ron Hon Image developing method utilizing sodium sulfide and ammonium polysulfide developer solution whereby exposed copper substrate surface changes color
KR19980029394A (en) * 1996-10-25 1998-07-25 김광호 Photosensitive film developing apparatus
KR100217291B1 (en) * 1995-04-19 1999-09-01 히가시 데쓰로 Method of processing substrate and processing apparatus thereof
KR19990040743U (en) * 1998-05-07 1999-12-06 김영환 Homogeneous developer of semiconductor developing equipment

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4920608A (en) * 1988-08-08 1990-05-01 Emerson Electric Co. Portable hand held vacuum cleaner
US5215865A (en) * 1989-11-27 1993-06-01 Chen Ron Hon Image developing method utilizing sodium sulfide and ammonium polysulfide developer solution whereby exposed copper substrate surface changes color
JPH04167517A (en) * 1990-10-31 1992-06-15 Nec Corp Developing device
KR100217291B1 (en) * 1995-04-19 1999-09-01 히가시 데쓰로 Method of processing substrate and processing apparatus thereof
KR19980029394A (en) * 1996-10-25 1998-07-25 김광호 Photosensitive film developing apparatus
KR19990040743U (en) * 1998-05-07 1999-12-06 김영환 Homogeneous developer of semiconductor developing equipment

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