KR100625967B1 - 증착마스크와 이의 제조방법 - Google Patents

증착마스크와 이의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명에 따르면, 증착마스크는 소정의 증착패턴으로 형성된 복수개의 제1슬롯들이 형성된 제1판부재와, 상기 제1판부재의 상하면의 적어도 일측에 설치되며 제1슬롯들과 대응되는 부위에 설정된 규격의 제2슬롯들이 형성된 제2판부재들을 포함하여 된 것으로, 이의 제조는 식각율이 다르며 두께가 다른 제1,2판부재를 순차 에칭하여 제2판부재에 미세한 미세하며 정밀한 슬롯패턴이 형성되어 이루어진다.

Description

증착마스크와 이의 제조방법{Vacuum evaporation mask and method of manufacturing the same}
도 1는 유기 EL 소자의 단면도,
도 2는 종래 증착마스크를 도시한 단면도,
도 3은 종래 증착마스크의 다른 예를 도시한 단면도,
도 4는 본 발명에 따른 증착마스크의 사시도,
도 5는 도 4에 도시된 증착마스크의 단면도,
도 6 내지 도 11은 본 발명에 따른 증착마스크 제조방법을 나타내 보인 단면도.
본 발명은 증착마스크에 관한 것으로, 더 상세하게는 유기 EL 소자의 유기박막 및 전극를 형성하기 위한 증착마스크와 이의 제조방법에 관한 것이다.
유기 EL 소자는 자발 발광형 표시 소자로서 시야각이 넓고 콘트라스트가 우수할 뿐만 아니라 응답속도가 빠르다는 장점을 가지고 있어서 차세대 표시소자로써 주목받고 있다.
EL 소자는 발광층(emitter layer) 형성용 물질에 따라 무기 EL 소자와 유기 EL 소자로 구분된다. 여기에서 유기 EL 소자는 무기 EL 소자에 비하여 휘도, 구동전압 및 응답속도 특성이 우수하고 다색화가 가능하다는 장점을 가지고 있다.
도 1에는 일반적인 유기 EL 소자의 구조를 나타낸 단면도이다. 이를 참조하면, 기판(11) 상부에 소정패턴의 양전극층(12)이 형성되어 있다. 그리고 이 양전극층(12) 상부에는 홀 수송층(13), 발광층(14), 전자 수송층(15)이 순차적으로 형성되고, 상기 전자수송층(15)의 상면에는 상기 양전극층(12)과 직교하는 방향으로 소정패턴의 음전극층(16)이 형성되어 있다. 여기에서 홀 수송층(13), 발광층 (14) 및 전자수송층(15)은 유기 화합물로 이루어진 유기박막들이다.
상술한 바와 같이 구성된 유기 EL 소자는 제작시에 적, 청, 녹의 3색의 칼라를 구현하기 위해서 기판의 상면에 상술한 전극층과 유기 박막층을 별도로 금속으로 이루어진 증착마스크를 이용하여 증착하고 있다.
그러나, 유기 EL 소자의 대형화 또는 미세한 화소를 증착하기 위해서는 금속마스크의 슬롯 패턴이 매우 정교하여야 하나 현 시점에서는 이러한 마스크의 구현이 매우 어렵다. 상기 금속으로 이루어진 마스크의 슬롯 패턴은 포토 리소그래피(photo lithography)에 의해 이루어지므로 에칭되는 슬롯의 정밀한 치수가 이루어지지 않게 된다. 이를 더욱 상세하게 설명하면 다음과 같다. 도 2에 도시된 바와 같이 마스크를 형성하기 위한 기판(21)의 상하면에 감광막(22)을 도포하고, 이 감광막(22)들중 상면에 도포된 감광막만을 노광 및 현상한 후 에칭하는 것으로, 기판(21)의 상면으로부터 하면측으로 에칭이 이루어지므로 에칭 시간의 길어 지게 된다. 그러므로 에칭되어 기판(21)에 형성되는 슬롯(23)들의 내측면이 오버 에칭되어 설정된 규격의 슬롯(23)들을 형성할 수 없게 되다.
그리고, 도 3에 도시된 바와 같이 증착마스크를 형성하기 위한 기판(25)의 상하면에 도포된 감광막(26)을 노광 및 현상한 후 에칭하는 경우에는 기판(25)의 상하면으로부터 에칭이 이루어지게 되므로 에칭되어 형성된 슬롯(27)들의 중앙부에 돌기(28)가 형성되는 문제점이 있으며, 이러한 돌기(28)는 슬롯들의 규격에 따른 산포를 심하게 하여 균일한 패턴의 슬롯(27)을 형성할 수 없는 문제점이 있다.
상술한 바와 같이 기판을 에칭하여 소정의 슬롯패턴을 형성하는 경우 기판이 소정의 두께를 가지고 있는 기판의 상면 또는 양면으로부터 에칭이 이루어지게 되므로 에칭에 의해 형성되는 슬롯의 내주면이 오버에칭됨으로써 정밀한 스롯의 패턴을 형성할 수 없다.
본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위한 것으로, 증착을 위한 패턴으로 형성된 슬롯들의 치수 산포를 줄일 수 있으며, 고정세의 미세한 슬롯패턴의 형성이 가능한 증착 마스크와 이 증착 마스크의 제조방법을 제공함에 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 증착마스크는,
소정의 증착패턴으로 형성된 복수개의 제1슬롯들이 형성된 제1판부재와, 상기 제1판부재의 상하면의 적어도 일측에 설치되며 제1슬롯들과 대응되는 부위에 설정된 규격의 제2슬롯들이 형성된 제2판부재들을 포함하여 된 것을 그 특징으로 한 다.
본 발명에 있어서, 상기 제1판부재와 제2판부재는 식각율이 다른 금속으로 이루어지는데, 상기 제1판부재는 상기 제2판부재보다 식각율이 큰 금속으로 형성함이 바람직하다. 상기 제1판부재는 구리를 사용함이 바람직하고, 상기 제2판부재는 니켈을 사용함이 바람직하다.
상기와 같이 구성된 마스크의 제조방법은,
제1판부재의 적어도 일측에 상기 제1박판부재의 보다 식각율이 낮으며 제1박판부재보다 두께가 얇은 제2판부재로 이루어진 마스크 원판을 준비하는 제1단계와,
상기 마스크 원판의 제2박판부재 상면에 감광막을 형성하는 제2단계와,
상기 감광막을 형성하고자 하는 증착슬롯과 동일한 패턴을 가지도록 노광과 현상을 수행하는 제3단계와,
상기 현상된 마스크 원판을 에칭하여 상기 제2판부재들에 제2슬롯을 형성하는 제4단계와,
상기 제2슬롯이 형성된 마스크 원판을 에칭하여 상기 제2슬롯들과 대응되는 부위의 제1판부재에 제1슬롯들을 형성하는 제5단계를 포함하여 된 것을 그 특징으로 한다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 한 바람직한 실시예를 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 4 및 도 5에는 본 발명에 따른 증착마스크의 일 실시예를 나타내 보였다.
도시된 바와 같이 증착마스크(30)는 소정의 증착패턴으로 형성된 복수개의 제1슬롯(31)들이 형성된 제1판부재(32)와, 상기 제1판부재(32)의 상하면의 적어도 일측에 설치되며 제1슬롯(31)들과 대응되는 부위에 설정된 규격의 제2슬롯(33)들이 형성된 제2판부재(34)들을 포함한다. 상기 제1판부재(32)와 제2판부재(34)는 식각율이 다른 금속으로 이루어지는데, 상기 제2판부재(34)의 두께(T2)는 제1판부재(32)의 두께(T1)에 비하여 상대적으로 매우 얇게 형성된다. 예컨데, 상기 제1판부재(32)는 상대적으로 시각율이 큰 구리가 이용되고, 상기 제2판부재(34)는 식각율이 낮은 니켈로 이루어지는데, 상기 제2판전극(34)에 형성된 제2슬롯(33)은 제1판부재(32)에 비하여 상대적으로 얇게 형성되어 있으므로 오버에칭에 따른 문제를 해결하여 정밀한 패턴의 형성이 가능하다.
한편, 상기 제1판부재(32)의 외표면에 형성된 제2판부재(32)의 표면에는 증착마스크의 구조적 강성을 향상시키기 위한 프레임(40)이 설치된다. 상기 프레임(40)은 증착마스크의 가장자리를 지지하는 제1프레임(41)과, 상기 제1프레임으로 연장되어 슬롯들의 사이에 스트립상으로 위치되는 제2프레임(42)를 포함한다. 상기 프레임(40)과 증착마스크의 열팽창관계는 다음과 같다. 상기 제1프레임(41)을 이루는 재질의 열팽창계수는 제2프레임(42)를 이루는 재질의 열팽창계수보다 작고, 상기 제2프레임보다 증착마스크의 열팽창계수가 크다.
상술한 바와 같이 구성된 증착마스크를 제조하기 위한 제조방법의 일 실시예를 도 6 내지 도 11에 나타내 보였다.
도시된 바와 같이 상기 증착마스크를 제조하기 위해서는 먼저 상대적으로 식 각율이 좋은 구리로 일어진 제1판부재(32)을 준비하고 이의 상하면중 적어도 일측에 상기 제1판부재(32)보다 식각율이 낮은 니켈로 이루어진 제2판부재(34)가 설치된 마스크 원판을 준비하는 제1단계를 수행한다(도 6참조). 상기 제2판부재(34)는 제1판부재(32)의 두께보다 매우 얇게 형성된다. 상기 제2판부재(34)의 두께는 슬롯을 형성하기 위하여 에칭할 때에 슬롯의 내측면에 만곡된 오버 에칭부분이 생성되지 않도록 4 내지 6㎛로 형성함이 바람직하다. 여기에서 상기 제1,2판부재(32)(34)의 재질과 제2판부재의 두께는 상술한 실시예에 의해 한정되지 않고 미세한 고정세의 슬롯 패턴을 형성할 수 있는 구조이면 어느 것이나 가능하다. 상술한 바와 같이 장착 마스크 원판의 준비가 완료되면 이의 상면에 감광막(50)을 형성하는 제2단계를 수행한다(도 7참조). 상기 감광막은 포지티브 타입과 네가 티브 타입이 있는데, 어느것을 사용하여도 무방한다.
감광막(50)의 도포가 완료되면 노광마스크를 감광막(50)과 밀착 또는 근접시킨 상태에서 노광한 후 현상하여 감광막을 에칭하고자 하는 슬롯의 패턴과 동일한 패턴을 갖도록 하는 제3단계를 수행한다(도 8 및 도 9참조).
제3단계의 수행으로 감광막의 현상이 완료되면 이를 1차적으로 제2판부재(34)를 에칭하여 제2판부재(34)에 제2슬롯(33)이 형성되도록 하는 제4단계를 수행한다(도 10 참조). 상기 제2판부재(34)에 형성된 제2슬롯(33)은 제2판부재(34)의 두께가 얇아 고정세로 패턴으로의 에칭이 가능하다. 즉, 제2판부재(34)가 매우 얇게 형성되어 있으므로 슬롯의 내측면이 오버에칭되는 것을 방지할 수 있으며, 이로 인하여 슬롯의 규격이 설정치보다 넓어지는 것을 방지할 수 있으므로 정 밀한 슬롯의 형성이 가능하게 된다. 본 발명인의 실험에 의하면, 제2판부재의 두께를 5㎛로 형성하는 경우 에칭에 의한 슬롯의 규격에 따른 정밀도를 1㎛ 로 높일 수 있다.
상기 제4단계로 인하여 제2박판부재(34)에 제2슬롯(33)이 형성된 원판소재를 2차 에칭하여 제1박판부재(32)에 제1슬롯(31)들이 형성되도록 제5단계를 수행한다(도 11참조). 이때에 상기 에칭액은 식각율이 상대적으로 큰 제2판부재(34)의 에칭력보다 상대적으로 낮은 에칭력을 갖는 에칭액을 사용함이 바람직하나 이에 한정되지 않고 제2판부재(34)를 에칭한 에칭액과 동일한 에칭액을 상용하여도 무방하다. 상기 제5단계에 의해 형성된 제1슬롯(31)들은 제1판부재(33)가 제2판부재(34)에 비하여 상대적으로 두껍게 형성되어 있으므로 제1슬롯(31)의 내주면은 오버 에칭된다. 그러나 제1슬롯(31)의 입구와 출구측은 제2판부재의 제2슬롯(33)과 강광막(50)에 의해 한정되어 있으므로 설정된 치수 이상으로 넓어지는 것을 방지할 수 있다.
상기와 같이 제1슬롯(31)의 에칭이 완료되면 이의 상면에 형성된 감광막을 제거하는 제6단계를 수행한 후 증착마스크를 프레임(도시되지 않음)에 고정하는 제7단계를 수행한다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 증착마스크는 식각율이 서로 다른 제1,2판부재로 이루어져 있어 고정세의 슬롯패턴의 형성이 가능하여 지며, 이로 인한 유기 EL 소자의 전극층, 홀수송층, 전자수송층의 증착에 따른 정밀도를 향상 시킬 수 있다. 상술한 바와 같은 증착마스크는 각종 평판표시소자 즉, 플라즈마 표시소자, 형광표시소자, 액정표시소자 등의 미세한 전극형성등에 널리 이용될 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 등록청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.

Claims (5)

  1. 소정의 증착패턴으로 형성된 복수개의 제1슬롯들이 형성된 제1판부재; 및
    상기 제1판부재의 상하면의 적어도 일측에 설치되며 제1슬롯들과 대응되는 부위에 설정된 규격의 제2슬롯들이 형성된 제2판부재들을 포함하되,
    상기 제2판부재의 두께는 상기 제1판부재의 두께에 비해 얇고, 상기 제2판부재의 식각율과 상기 제1판부재의 식각율은 서로 다른 것을 특징으로 하는 증착마스크.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1판부재는 상기 제2판부재보다 식각율이 큰 금속으로 이루어진 것을 특징으로 하는 증착마스크.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1판부재는 구리로 이루어지고, 상기 제2판부재는 니켈로 이루어진 것을 특징으로 하는 증착마스크.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제2판부재의 제2슬롯들 사이에 설치되어 강성을 높인 프레임을 더 구비하여 된 것을 특징으로 하는 증착마스크.
  5. 제1판부재 및 상기 제1판부재의 적어도 일측에 위치하여 상기 제1판부재의 두께에 비해 얇은 두께를 갖고, 상기 제1판부재의 식각율과 다른 식각율을 갖는 제2판부재를 구비하는 마스크 원판을 준비하는 단계;
    상기 마스크 원판의 제2판부재 상면에 감광막을 형성하는 단계;
    상기 감광막을 형성하고자 하는 증착슬롯과 동일한 패턴을 가지도록 노광과 현상을 수행하는 단계;
    상기 현상된 마스크 원판을 에칭하여 상기 제2판부재들에 제2슬롯을 형성하는 단계; 및
    상기 제2슬롯이 형성된 마스크 원판을 에칭하여 상기 제2슬롯들과 대응되는 부위의 제1판부재에 제1슬롯들을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 증착마스크 제조방법.
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4049857A (en) * 1976-07-28 1977-09-20 International Business Machines Corporation Deposition mask and methods of making same
JPS6376859A (ja) * 1986-09-19 1988-04-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 蒸着用マスクとその製造法
JPS6379948A (ja) * 1986-09-22 1988-04-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 蒸着用マスクの製造法
KR19980070032A (ko) * 1997-01-30 1998-10-26 포만제프리엘 증착용 마스크

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4049857A (en) * 1976-07-28 1977-09-20 International Business Machines Corporation Deposition mask and methods of making same
JPS6376859A (ja) * 1986-09-19 1988-04-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 蒸着用マスクとその製造法
JPS6379948A (ja) * 1986-09-22 1988-04-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 蒸着用マスクの製造法
KR19980070032A (ko) * 1997-01-30 1998-10-26 포만제프리엘 증착용 마스크

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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