KR100625533B1 - 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법에 관한 것이다. 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법은 리셋 기간, 어드레스 기간 및 서스테인 기간에 어드레스 전극, 스캔 전극 및 서스테인 전극에 소정의 전압이 인가되는 복수의 서브필드의 조합에 의하여 화상을 표현하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법에 있어서, 서스테인 기간과 리셋 기간 사이에는 방전셀 내에 벽전하(Wall Charge)를 쌓는 예비 리셋 기간이 더 포함되되, 예비 리셋 기간에서 스캔 전극에 부극성 전압이 인가되고, 서스테인 전극에는 정극성 전압이 인가된다. 이와 같은 본 발명에 의하면, 서스테인 기간과 리셋 기간 사이에 예비 리셋 기간을 두고, 이러한 예비 리셋 기간에서 방전에 필요한 벽전하를 쌓아줌으로써 고온 오방전 및 저온 오방전의 발생을 저감시킬 수 있는 효과가 있다.
플라즈마 디스플레이 패널, 고온 오방전, 저온 오방전, 벽전하, 공간전하, 예비 리셋

Description

플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법{Driving Method for Plasma Display Panel}
도 1은 일반적인 플라즈마 디스플레이 패널의 구조를 도시한 도.
도 2는 종래 플라즈마 디스플레이 패널의 화상 계조를 구현하는 방법을 나타낸 도.
도 3은 종래 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법에 따른 구동파형을 나타낸 도.
도 4는 종래 구동방법에 따른 구동파형으로 동작되는 플라즈마 디스플레이 패널에서의 고온 오방전을 설명하기 위한 도.
도 5는 종래 구동방법에 따른 구동파형으로 동작되는 플라즈마 디스플레이 패널에서의 저온 오방전을 설명하기 위한 도.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법에 따른 구동파형을 설명하기 위한 도.
도 7은 도 6에 도시된 구동파형에 의해 감소하는 공간전하를 설명하기 위한 도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100 : 전면 기판 101 : 전면 글라스
102 : 스캔 전극 103 : 서스테인 전극
104 : 상부 유전체층 105 : 보호층
110 : 후면 기판 111 : 후면 글라스
112 : 격벽 113 : 어드레스 전극
114 : 형광체층 115 : 하부 유전체층
a : 투명 전극 b : 버스 전극
본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel)에 관한 것으로, 보다 상세하게는 리셋 기간 이전에 인가되는 파형을 개선하여 고온오방전 및 저온 오방전을 개선하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법에 관한 것이다.
일반적으로 플라즈마 디스플레이 패널은 전면기판과 후면기판 사이에 형성된 격벽이 하나의 단위 셀을 이루는 것으로, 각 셀 내에는 네온(Ne), 헬륨(He) 또는 네온 및 헬륨의 혼합기체(Ne+He)와 같은 주 방전 기체와 소량의 크세논을 함유하는 불활성 가스가 충진되어 있다. 고주파 전압에 의해 방전이 될 때, 불활성 가스는 진공자외선(Vacuum Ultraviolet rays)을 발생하고 격벽 사이에 형성된 형광체를 발광시켜 화상이 구현된다. 이와 같은 플라즈마 디스플레이 패널은 얇고 가벼운 구성이 가능하므로 차세대 표시장치로서 각광받고 있다.
도 1은 일반적인 플라즈마 디스플레이 패널의 구조를 나타낸 도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 플라즈마 디스플레이 패널은 화상이 디스플레이 되는 표시면인 전면 글라스(101)에 스캔 전극(102)과 서스테인 전극(103)이 쌍을 이뤄 형성된 복수의 유지전극쌍이 배열된 전면기판(100) 및 배면을 이루는 후면 글라스(111) 상에 전술한 복수의 유지전극쌍과 교차되도록 복수의 어드레스 전극(113)이 배열된 후면기판(110)이 일정거리를 사이에 두고 평행하게 결합된다.
전면기판(100)은 하나의 방전셀에서 상호 방전시키고 셀의 발광을 유지하기 위한 스캔 전극(102) 및 서스테인 전극(103), 즉 투명한 ITO 물질로 형성된 투명 전극(a)과 금속재질로 제작된 버스 전극(b)으로 구비된 스캔 전극(102) 및 서스테인 전극(103)이 쌍을 이뤄 포함된다. 스캔 전극(102) 및 서스테인 전극(103)은 방전 전류를 제한하며 전극 쌍 간을 절연시켜주는 하나 이상의 상부 유전체층(104)에 의해 덮혀지고, 상부 유전체층(104) 상면에는 방전 조건을 용이하게 하기 위하여 산화마그네슘(MgO)을 증착한 보호층(105)이 형성된다.
후면기판(110)은 복수개의 방전 공간 즉, 방전셀을 형성시키기 위한 스트라이프 타입(또는 웰 타입)의 격벽(112)이 평행을 유지하여 배열된다. 또한, 어드레스 방전을 수행하여 진공자외선을 발생시키는 다수의 어드레스 전극(113)이 격벽(112)에 대해 평행하게 배치된다. 후면기판(110)의 상측면에는 어드레스 방전시 화상표시를 위한 가시광선을 방출하는 R, G, B 형광체(114)가 도포된다. 어드레스 전극(113)과 형광체(114) 사이에는 어드레스 전극(113)을 보호하기 위한 하부 유전체층(115)이 형성된다.
이와 같은 플라즈마 디스플레이 패널에서 화상 계조를 구현하는 방법은 다음 도 2와 같다.
도 2는 종래 플라즈마 디스플레이 패널의 화상 계조를 구현하는 방법을 나타낸 도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 종래 플라즈마 디스플레이 패널의 화상 계조(Gray Level) 표현 방법은 한 프레임을 발광횟수가 다른 여러 서브필드로 나누고, 각 서브필드는 다시 모든 셀들을 초기화시키기 위한 리셋 기간(RPD), 방전될 셀을 선택하기 위한 어드레스 기간(APD) 및 방전횟수에 따라 계조를 구현하는 서스테인 기간(SPD)으로 나뉘어진다. 예를 들어, 256 계조로 화상을 표시하고자 하는 경우에 1/60 초에 해당하는 프레임기간(16.67ms)은 도 2와 같이 8개의 서브필드들(SF1 내지 SF8)로 나누어지고, 8개의 서브 필드들(SF1 내지 SF8) 각각은 리셋 기간, 어드레스 기간 및 서스테인 기간으로 다시 나누어지게 된다.
각 서브필드의 리셋 기간 및 어드레스 기간은 각 서브필드마다 동일하다. 방전될 셀을 선택하기 위한 어드레스방전은 어드레스 전극과 스캔 전극인 투명전극 사이의 전압차에 의해 일어난다. 서스테인 기간은 각 서브필드에서 2n(단, n = 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7)의 비율로 증가된다. 이와 같이 각 서브필드에서 서스테인 기간이 달라지게 되므로 각 서브필드의 서스테인 기간 즉, 서스테인 방전 횟수를 조절하여 화상의 계조를 표현하게 된다. 이러한 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법에 따른 구동파형을 살펴보면 다음 도 3과 같다.
도 3은 종래 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법에 따른 구동파형을 나타낸 도면이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 플라즈마 디스플레이 패널은 모든 셀들을 초기화시키기 위한 리셋 기간, 방전할 셀을 선택하기 위한 어드레스 기간, 선택된 셀의 방전을 유지시키기 위한 서스테인 기간 및 방전된 셀 내의 벽전하를 소거하기 위한 소거 기간으로 나뉘어 구동된다.
리셋 기간에 있어서, 셋업 기간에는 모든 스캔 전극들에 상승 램프파형(Ramp-up)이 동시에 인가된다. 이 상승 램프파형에 의해 전화면의 방전셀들 내에는 약한 암방전(Dark Discharge)이 일어난다. 이 셋업 방전에 의해 어드레스 전극과 서스테인 전극 상에는 정극성 벽전하가 쌓이게 되며, 스캔 전극 상에는 부극성의 벽전하가 쌓이게 된다.
셋다운 기간에는 상승 램프파형이 공급된 후, 상승 램프파형의 피크전압보다 낮은 정극성 전압에서 떨어지기 시작하여 그라운드(GND)레벨 전압 이하의 특정 전압레벨까지 떨어지는 하강 램프파형(Ramp-down)이 셀들 내에 미약한 소거방전을 일으킴으로써 스캔 전극에 과도하게 형성된 벽 전하를 충분히 소거시키게 된다. 이 셋다운 방전에 의해 어드레스 방전이 안정되게 일어날 수 있을 정도의 벽전하가 셀들 내에 균일하게 잔류된다.
어드레스 기간에는 부극성 스캔 펄스가 스캔 전극들에 순차적으로 인가됨과 동시에 스캔 펄스에 동기되어 어드레스 전극에 정극성의 데이터 펄스가 인가된다. 이 스캔 펄스와 데이터 펄스의 전압 차와 리셋 기간에 생성된 벽 전압이 더해지면서 데이터 펄스가 인가되는 방전셀 내에는 어드레스 방전이 발생된다. 어드레스 방전에 의해 선택된 셀들 내에는 서스테인 전압(Vs)이 인가될 때 방전이 일어날 수 있게 하는 정도의 벽전하가 형성된다. 서스테인 전극에는 셋다운 기간과 어드레스 기간 동안에 스캔 전극과의 전압차를 줄여 스캔 전극과의 오방전이 일어나지 않도록 정극성 전압(Vz)이 공급된다.
서스테인 기간에는 스캔 전극과 서스테인 전극들에 교번적으로 서스테인 펄스(Sus)가 인가된다. 어드레스 방전에 의해 선택된 셀은 셀 내의 벽 전압과 서스테인 펄스가 더해지면서 매 서스테인 펄스가 인가될 때 마다 스캔 전극과 서스테인 전극 사이에 서스테인 방전 즉, 표시방전이 일어나게 된다.
서스테인 방전이 완료된 후, 소거 기간에서는 펄스폭과 전압레벨이 작은 소거 램프파형(Ramp-ers)의 전압이 서스테인 전극에 공급되어 전화면의 셀들 내에 잔류하는 벽 전하를 소거시키게 된다.
이러한 구동파형으로 구동되는 종래 플라즈마 디스플레이 패널은 일반적으로 패널 주변의 온도가 고온 또는 저온일 때 오방전이 발생한다. 여기서 패널 주변의 온도가 고온일 경우에 발생하는 오방전을 고온 오방전이라 하고, 패널 주변의 온도가 저온일 경우에 발생하는 오방전을 저온 오방전이라 한다. 이러한 오방전 중에서 고온 오방전을 살펴보면 다음 도 4와 같다.
도 4는 종래 구동방법에 따른 구동파형으로 동작되는 플라즈마 디스플레이 패널에서의 고온 오방전을 설명하기 위한 도면이다.
도 4를 살펴보면, 종래 구동방법에 따른 구동파형으로 동작되는 플라즈마 디스플레이 패널에서는 패널 주변의 온도가 상대적으로 높은 고온인 경우에 방전셀 내의 공간전하(401)와 벽전하(400)의 재결합 비율이 증가하기 때문에 방전에 참여 하는 벽전하의 절대양이 감소함으로써 오방전이 발생한다. 여기서, 전술한 공간전하(401) 방전셀 내의 공간에 존재하는 전하로서 전술한 벽전하(400)와는 달리 방전에 참여하지 않는다.
예를 들면, 어드레스 기간에서 공간전하(401)와 벽전하(400)의 재결합 비율이 증가하여 어드레스 방전에 참여하는 벽전하(400)의 양이 감소하여 어드레스 방전을 불안정하게 한다. 이러한 경우에는 어드레싱의 순서가 뒤쪽일수록 공간전하(401)와 벽전하(400)가 재결합할 수 있는 시간이 충분하게 확보가 되기 때문에 어드레스 방전이 더욱 불안정하게 된다. 이에 따라, 어드레스 기간에서 온(On)된 방전셀이 서스테인 기간에서 오프(Off)되는 등의 고온 오방전이 발생한다.
또한, 패널 주변의 온도가 상대적으로 높을 경우에 서스테인 기간에 서스테인 방전이 발생하면 방전 시 공간전하(401)의 속도가 빨라지게 되고, 이에 따라 공간전하(401)와 벽전하(400)의 재결합 비율이 증가한다. 이에 따라, 어느 하나의 서스테인 방전 이후에 공간전하(401)와 벽전하(400)의 재결합에 의해 서스테인 방전에 참여하는 벽전하(400)의 양이 감소하여 다음 서스테인 방전이 발생하지 않는 등의 고온 오방전이 발생한다.
이와는 다르게, 패널 주변의 온도가 상대적으로 낮을 경우에는 전술한 바와 같이 저온 오방전이 발생하는데, 이러한 저온 오방전을 살펴보면 다음 도 5와 같다.
도 5는 종래 구동방법에 따른 구동파형으로 동작되는 플라즈마 디스플레이 패널에서의 저온 오방전을 설명하기 위한 도면이다.
도 5에 도시된 바와 같이, 종래 구동방법에 따른 구동파형으로 동작되는 플라즈마 디스플레이 패널에서는 패널 주변의 온도가 상대적으로 낮은 저온인 경우에 방전셀 내의 공급되는 열에너지가 감소하여 중성원자와 충돌하여 다른 Electron을 발생시키는 Seed Electron의 절대양이 감소함으로써 오방전이 발생한다.
플라즈마 방전의 메카니즘(Mechanism)은 기본적으로 도 5와 같이, 방전셀 내에서 소정의 에너지, 예컨대 열에너지가 소정의 Seed Electron에 가해지면, 이러한 에너지에 의해 가속된 Seed Electron이 중성원자에 충돌하고, 이렇게 Seed Electron에 의해 충돌된 중성원자가 다른 Electron을 방출하고, 이렇게 방출된 Electron이 또 다른 중성원자에 충돌하여 또 다른 Electron을 발생시키는 과정을 거치면서 플라즈마 방전이 발생한다.
이러한 플라즈마 방전이 발생하는 플라즈마 디스플레이 패널의 주변의 온도가 상대적으로 낮은 저온이 되면 전술한 Seed Electron에 가해지는 열에너지의 양이 감소하고, 이에 따라 플라즈마 방전 메카니즘이 원활이 작동되지 않아, 즉 플라즈마 방전 메카니즘이 둔화되어 전술한 바와 같은 오방전이 발생되는 것이다.
예를 들면, 어드레스 기간에서 전술한 플라즈마 방전 메카니즘이 원활이 작동되지 않아 어드레스 방전이 발생하지 않은 경우가 발생한다. 이에 따라, 온(On)되어야 할 방전셀이 서스테인 기간에서 오프(Off)상태를 유지하는 등의 저온 오방전이 발생한다.
이러한 저온 오방전의 발생을 감소시키기 위해 종래에는 어드레스 기간에서 인가되는 스캔 펄스의 폭을 상대적으로 더 크게 하였다. 그러나 이러한 방법은 어 드레스 마진의 감소를 야기시키는 문제점이 있다.
이러한 문제점을 해결하기 위해 본 발명은 어드레스 마진의 감소를 억제하면서도 고온 오방전 및 저온 오방전의 발생을 저감시키는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
이러한 목적을 이루기 위한 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법은 리셋 기간, 어드레스 기간 및 서스테인 기간에 어드레스 전극, 스캔 전극 및 서스테인 전극에 소정의 전압이 인가되는 복수의 서브필드의 조합에 의하여 화상을 표현하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법에 있어서, 상기 서스테인 기간과 상기 리셋 기간 사이에는 방전셀 내에 벽전하(Wall Charge)를 쌓는 예비 리셋 기간이 더 포함되되, 상기 예비 리셋 기간에서 상기 스캔 전극에 부극성 전압이 인가되고, 상기 서스테인 전극에는 정극성 전압이 인가된다.
이와 같은 특징에 의하면, 상기 예비 리셋 기간은 상기 복수의 서브필드의 모든 서브필드에 포함된다.
이와 같은 특징에 의하면, 상기 예비 리셋 기간에서 상기 스캔 전극에 하강 램프(Ramp)의 부극성 전압이 인가되고, 상기 서스테인 전극에는 일정하게 유지되는 정극성 전압이 인가된다.
이와 같은 특징에 의하면, 상기 스캔 전극에 인가되는 하강 램프의 부극성 전압은 그라운드 레벨(GND)부터 소정 전압까지 하강한다.
이와 같은 특징에 의하면, 상기 스캔 전극에 인가되는 하강 램프의 부극성 전압이 하강하는 소정 전압은 상기 어드레스 기간에 상기 스캔 전극으로 인가되는 스캔 펄스의 전압의 하한치와 동일하다.
이와 같은 특징에 의하면, 상기 서스테인 전극에 인가되는 정극성 전압은 서스테인 전압의 레벨과 같다.
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이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널 및 그의 구동방법의 실시예들을 상세히 설명한다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법에 따른 구동파형을 설명하기 위한 도이다.
도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법은 서스테인 기간과 리셋 기간 사이에는 방전셀 내에 벽전하(Wall Charge)를 쌓는 예비 리셋 기간이 더 포함된다.
여기서, 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법에 따른 구동파형이 리셋 기간, 어드레스 기간 및 서스테인 기간에 어드레스 전극, 스캔 전극 및 서스테인 전극에 소정의 전압이 인가되는 복수의 서브필드의 조합에 의하여 화상을 표현하는 것임을 고려할 때 전술한 예비 리셋 기간은 복수의 서브필드의 모든 서브필드에 포함되는 것이 바람직하다. 이와는 다르게 전술한 예비 리셋 기간은 복수의 서브필드 중에서 임의의 서브필드에만 포함되도록 하는 것도 가능하다.
이러한 예비 리셋 기간에서는 방전셀 내의 스캔 전극 상에 정극성 전하를 쌓 고, 서스테인 전극 상에 부극성 전하를 쌓는다. 이와 같이, 예비 리셋 기간에서 방전셀 내의 스캔 전극 상에 정극성 전하를 쌓고, 서스테인 전극 상에 부극성 전하를 쌓기 위해 스캔 전극에는 부극성 전압이 인가되고, 서스테인 전극에는 정극성 전압이 인가되도록 하는 것이 바람직하다. 이렇게 예비 리셋 기간에서 스캔 전극에 부극성 전압을 인가하고, 서스테인 전극에는 정극성 전압을 인가함으로써, 방전셀 내의 공간전하의 양을 줄이게 되는데, 이러한 방전셀 내에서의 공간전하의 감소를 도 7을 결부하여 설명하면 다음과 같다.
도 7은 도 6에 도시된 구동파형에 의해 감소하는 공간전하를 설명하기 위한 도이다. 도 7을 살펴보면, 전술한 바와 같이 예비 리셋 기간에서 스캔 전극(Y)에 부극성 전압을 인가하고, 서스테인 전극(Z)에는 정극성 전압을 인가하면, 방전셀 내에서 방전에 참여하지 않는 공간전하(701)들이 스캔 전극(Y) 또는 서스테인 전극(Z) 상으로 끌리고, 이처럼 끌린 공간전하(701)는 전술한 스캔 전극(Y) 또는 서스테인 전극(Z) 상에서 벽전하(700)로 동작한다. 이에 따라, 공간전하(701)의 절대양이 감소하고 방전셀 내의 소정의 전극 상에 위치하는 벽전하(700)의 양이 증가한다. 결국, 패널 주변의 온도가 상대적으로 높아지더라도 방전셀 내의 벽전하(700)의 양을 충분히 제공한다. 결국, 패널 주변의 온도가 상대적으로 높은 고온인 경우에 방전셀 내에서 방전에 참여하지 않는 공간전하(701)와 벽전하(700)가 서로 재결합하여 방전에 참여하는 벽전하(700)의 절대양이 감소함으로써 발생하는 고온 오방전의 발생이 저감된다. 즉 고온 오방전이 개선된다.
또한, 전술한 바와 같이 예비 리셋 기간에서 스캔 전극(Y)에 부극성 전압을 인가하고, 서스테인 전극(Z)에는 정극성 전압이 인가되어 방전셀 내에서 벽전하 (700)의 양이 증가하게 되면, 패널 주변의 온도가 상대적으로 낮은 저온인 경우에 도 5와 같은 플라즈마 방전 메카니즘이 둔화되더라도 벽전하의 절대양이 증가하기 때문에 저온 오방전의 발생이 저감된다. 즉 저온 오방전이 개선된다.
한편, 전술한 바와 같이 예비 리셋 기간에서 스캔 전극(Y)에 인가되는 부극성 전압은 상기 하강 램프(Ramp)파형인 것이 바람직하다. 또한, 서스테인 전극(Z)에 인가되는 정극성 전압은 소정 전압치를 일정하게 유지하는 정극성 전압인 것이 바람직하다. 여기서 전술한 스캔 전극(Y)에 인가되는 하강 램프의 부극성 전압의 하강하는 기울기는 조절가능하다. 예컨대, 보다 빠르고 강하게 공간전하를 끌어들이고자 하는 경우에는 기울기를 급하게, 즉 상승시간을 짧게 할 수 있다. 이와 같은 예비 리셋 기간에서 스캔 전극(Y)에 인가되는 부극성 전압과 서스테인 전극(Z)에 인가되는 정극성 전압의 파형은 전술한 바와 같은 파형으로 한정되는 것은 아니고 변경가능한 것이다.
여기서, 전술한 스캔 전극(Y)에 인가되는 하강 램프의 부극성 전압은 그라운드 레벨(GND)부터 소정 전압까지 하강하도록 설정된다. 이때 하강 램프의 부극성 전압은 어드레스 기간에 스캔 전극(Y)으로 인가되는 스캔 펄스의 전압의 하한치까지 하강하는 것이 바람직하다. 즉, 스캔 전극(Y)에 인가되는 하강 램프의 부극성 전압이 하강하는 소정 전압은 어드레스 기간에 스캔 전극(Y)으로 인가되는 스캔 펄스의 전압의 하한치와 동일하다. 이와 같이, 하강 램프의 부극성 전압의 하한치를 어드레스 기간에 스캔 전극(Y)으로 인가되는 스캔 펄스의 전압의 하한치와 동일하므로, 또 다른 구동 전압 공급부(미도시)의 추가 없이도 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법에 따른 구동파형을 구현할 수 있게 된다. 다르게 표현하면 종래의 구동장치에서 어드레스 기간에서 스캔 펄스의 전압을 공급하기 위한 소정의 구동 전압 공급부(미도시)의 제어 타이밍만을 조절함으로써 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법에 따른 구동파형을 구현할 수 있다.
한편, 전술한 서스테인 전극(Z)에 인가되는 정극성 전압은 서스테인 전압(Vs)인 것이 바람직하다.
이와 같이, 서스테인 기간과 리셋 기간의 사이에 벽전하를 쌓아올리기 위한 예비 리셋 기간을 두고, 이러한 예비 리셋 기간에서 스캔 전극(Y)에 부극성 전압을 인가하고, 서스테인 전극(Z)에 정극성 전압을 인가하여 방전셀 내의 스캔 전극(Y)상에 정극성 벽전하들을 쌓고, 서스테인 전극(Z)상에 부극성 벽전하들을 쌓아줌으로써, 이후의 리셋 기간의 셋업 기간에서 리셋 펄스의 상승 램프의 전압 크기를 줄일 수 있게 된다. 그 이유는 전술한 리셋 기간의 셋업 기간에서 상승 램프는 방전셀 내에서 벽전하를 쌓아주는 역할을 하게 되는데, 이러한 상승 램프가 인가되기 전에 예비 리셋 기간에서 이미 일정양의 벽전하를 쌓아둔 상태이기 때문에 상승 램프의 크기가 작아도 방전셀 내에서 셋업에 필요한 충분한 양의 벽전하를 쌓아줄 수 있기 때문이다.
이상에서와 같이 본 발명은 리셋 기간에서의 상승 램프 파형을 줄일 수도 있으며, 고온 오방전 및 저온 오방전의 발생도 저감시킬 수 있다.
이와 같이, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체 적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 하고, 본 발명의 범위는 전술한 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법은, 서스테인 기간과 리셋 기간 사이에 예비 리셋 기간을 두고, 이러한 예비 리셋 기간에서 방전에 필요한 벽전하를 쌓아줌으로써 고온 오방전 및 저온 오방전의 발생을 저감시킬 수 있는 효과가 있다.

Claims (7)

  1. 리셋 기간, 어드레스 기간 및 서스테인 기간에 어드레스 전극, 스캔 전극 및 서스테인 전극에 소정의 전압이 인가되는 복수의 서브필드의 조합에 의하여 화상을 표현하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법에 있어서,
    상기 서스테인 기간과 상기 리셋 기간 사이에는 방전셀 내에 벽전하(Wall Charge)를 쌓는 예비 리셋 기간이 더 포함되되,
    상기 예비 리셋 기간에서 상기 스캔 전극에 부극성 전압이 인가되고, 상기 서스테인 전극에는 정극성 전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 예비 리셋 기간은 상기 복수의 서브필드의 모든 서브필드에 포함되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법.
  3. 삭제
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 예비 리셋 기간에서 상기 스캔 전극에 하강 램프(Ramp)의 부극성 전압이 인가되고, 상기 서스테인 전극에는 일정하게 유지되는 정극성 전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 스캔 전극에 인가되는 하강 램프의 부극성 전압은 그라운드 레벨(GND)부터 소정 전압까지 하강하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 스캔 전극에 인가되는 하강 램프의 부극성 전압이 하강하는 소정 전압은 상기 어드레스 기간에 상기 스캔 전극으로 인가되는 스캔 펄스의 전압의 하한치와 동일한 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 서스테인 전극에 인가되는 정극성 전압은 서스테인 전압의 레벨과 같은 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동방법.
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