KR100616743B1 - Device for detecting temperature and circuit board having the same - Google Patents

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KR100616743B1
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구무라사토시
이노우에히데히로
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가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
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    • H01C7/008—Thermistors

Abstract

본 발명은 온도 검출 대상에 대한 온도 검출 감도를 높게 할 수 있는 동시에, 안정성 높게 고정밀도로 온도 검출할 수 있는 온도 검출 소자를 제공한다.The present invention provides a temperature detection device capable of increasing the temperature detection sensitivity for a temperature detection target and capable of detecting the temperature with high stability and high accuracy.

본 발명에 따른 온도 검출 소자(1)는 소자 본체부(3)의 표면에 전극부(4, 5)를 구비하는 동시에, 상기 전극부(4, 5)와는 달리 열전도성이 높은 열 수용부(6)를 소자 본체부(3)의 표면에 구비한다. 특히, 온도 검출 소자(1)로서는 칩형 부품으로 이루어지는 정특성 서미스터가 있다.The temperature detecting element 1 according to the present invention has the electrode portions 4 and 5 on the surface of the element body portion 3 and, unlike the electrode portions 4 and 5, has a high thermal conductivity portion ( 6) is provided on the surface of the element body 3. In particular, as the temperature detecting element 1, there is a static thermistor made of a chip-like component.

온도 검출 소자, 소자 본체부, 전극부, 열 수용부, 회로기판Temperature detection element, element body, electrode, heat receiving section, circuit board

Description

온도 검출 소자 및 이것을 구비하는 회로 기판{Device for detecting temperature and circuit board having the same}Device for detecting temperature and circuit board having the same

도 1은 본 발명에 따른 칩형 정특성 서미스터의 일례의 외관을 나타내는 사시도이다.1 is a perspective view showing the appearance of an example of a chip-shaped static thermistor according to the present invention.

도 2는 도 1의 정특성 서미스터를 기판에 배치한 상태의 일례를 나타내는 평면도이다.FIG. 2 is a plan view illustrating an example of a state in which the static characteristics thermistor of FIG. 1 is disposed on a substrate.

도 3은 도 2에 있어서의 요부 종단면도이다.3 is a longitudinal cross-sectional view of the main portion in FIG. 2.

도 4는 다른 실시형태의 정특성 서미스터의 외관을 나타내는 사시도(a), 요부 종단면 측면도(b)이다.4: is a perspective view (a) and main part longitudinal cross-sectional side view (b) which show the external appearance of the static characteristics thermistor of other embodiment.

도 5는 도 4의 정특성 서미스터를 기판에 배치한 상태의 일례를 나타내는 요부 종단면 측면도이다.It is a principal part longitudinal cross-sectional side view which shows an example of the state which has arrange | positioned the static characteristic thermistor of FIG.

도 6은 다른 실시형태의 정특성 서미스터의 외관을 나타내는 사시도(a), 요부 종단면 측면도(b)이다.FIG. 6: is a perspective view (a) and main part longitudinal cross-sectional side view (b) which show the external appearance of the static characteristics thermistor of other embodiment. FIG.

도 7은 다른 실시형태의 정특성 서미스터의 외관을 나타내는 사시도(a), 요부 종단면 측면도(b)이다.FIG. 7: is a perspective view (a) and main part longitudinal cross-sectional side view (b) which show the external appearance of the static characteristics thermistor of other embodiment. FIG.

도 8은 다른 실시형태의 정특성 서미스터의 외관을 나타내는 사시도이다.8 is a perspective view showing an appearance of a static thermistor of another embodiment.

도 9는 다른 실시형태의 정특성 서미스터의 외관을 나타내는 사시도(a), 요부 종단면 측면도(b)이다.9: is a perspective view (a) and main part longitudinal cross-sectional side view (b) which show the external appearance of the static characteristics thermistor of other embodiment.

도 10은 종래의 칩형 정특성 서미스터의 외관을 나타내는 사시도이다.10 is a perspective view showing the appearance of a conventional chip type static thermistor.

<도면의 주요부분에 대한 간단한 설명><Brief description of the main parts of the drawing>

1: 온도 검출 소자 3: 소자 본체부1: temperature detection element 3: element body portion

4, 5: 전극부 6: 열 수용부4, 5: electrode part 6: heat receiving part

7: 회로기판 9: 랜드7: Circuit Board 9: Rand

본 발명은 예를 들어 서미스터 등의 온도 검출 소자 및 이것을 구비하는 회로기판에 관한 것이다.The present invention relates to, for example, a temperature detecting element such as a thermistor and a circuit board having the same.

전기전자기기의 소형화의 진전에 따라서, 그것에 탑재되는 파워 트랜지스터나 파워 IC 등의 부품에 대한 방열 등의 대책은 점점 중요해지고 있다. 그 때문에, 이러한 부품의 온도를 고정밀도로 검출할 수 있는 필요성은 높다. 이러한 실정에서 이들 파워 IC 등의 부품의 온도를 검출하는 온도 검출 소자의 수요는 확대되고 있다.In accordance with the progress of miniaturization of electric and electronic devices, measures such as heat dissipation for components such as power transistors and power ICs mounted thereon are becoming increasingly important. Therefore, the necessity which can detect the temperature of such a component with high precision is high. In this situation, the demand for a temperature detecting element for detecting the temperature of components such as these power ICs is expanding.

도 10은 이러한 온도 검출 소자의 일례로서 칩형으로 구성된 정특성 서미스터(1)를 나타낸다. 이 정특성 서미스터(1)는 소자 본체부(3), 전극부(4, 5)를 가진다. 전극부(4, 5)는 회로기판의 배선 패턴에 솔더링하기 위해서 형성되어 있다.Fig. 10 shows a static thermistor 1 constructed in chip form as an example of such a temperature detecting element. This static thermistor 1 has the element main body part 3 and the electrode parts 4 and 5. The electrode portions 4 and 5 are formed for soldering to the wiring pattern of the circuit board.

그런데, 칩형 서미스터 등의 온도 검출 소자에서는 온도 검출 대상부품에 가까이해서 설치할 필요가 있다. 종래의 온도 검출 소자의 경우, 회로기판상의 배선이나 타부품과의 배치의 관계로, 온도 검출 대상부품에 충분히 가까이할 수 없는 경우가 있어, 온도 검출을 고정밀도로 행할 수 없었던 적이 있었다. 또한, 열원과 온도 검출 소자와의 위치관계 뿐만 아니라, 주위의 상황이나 기판의 열방산 계수 등에 의해, 온도 검출 소자의 감열조건이 다르거나 하는 경우가 있기 때문에, 검지 정밀도가 좌우되기 쉽다. By the way, in temperature detection elements, such as a chip-type thermistor, it is necessary to provide near a temperature detection object component. In the case of the conventional temperature detecting element, there is a case that the temperature detecting element cannot be sufficiently close due to the wiring on the circuit board and the arrangement with other parts, and thus the temperature detection cannot be performed with high accuracy. In addition, since the thermal conditions of the temperature detection element may vary depending on not only the positional relationship between the heat source and the temperature detection element, but also the surrounding conditions, the heat dissipation coefficient of the substrate, and the like, the detection accuracy tends to be influenced.

본 발명은 상기 실상에 비추어 이루어진 것으로, 온도 검출 대상에 대한 고정밀도의 온도 검출이 가능한 온도 검출 소자를 제공하는 것을 해결과제로 하고 있다.This invention is made | formed in view of the said real thing, and makes it a subject to provide the temperature detection element which can detect high-precision temperature with respect to a temperature detection object.

본 발명의 온도 검출 소자는 소자 본체부, 상기 소자 본체부에 형성된 전극부, 및 온도 검출 대상측에서 전도되는 열을 수용하는 열 수용부를 포함하는 것을 특징으로 한다.The temperature detection element of the present invention is characterized by including an element body portion, an electrode portion formed on the element body portion, and a heat receiving portion for receiving heat conducted from the temperature detection target side.

상기 온도 검출 소자에 의하면, 열 수용부를 구비함으로써, 소자 본체부에 대하여 온도 검출 대상으로부터의 열이 전도되기 쉽다. 그 때문에, 종래에는 온도 검출 대상으로부터의 열에 의한 감온(themosensitivity)을 충분히 행할 수 없을 정도로 그 온도 검출 대상으로부터 조금 떨어진 부위에 온도 검출 소자를 배치해야만 하는 경우라도, 온도 검출 대상으로부터 열 수용부로의 열의 전도를 도모할 수 있다. 따라서, 그처럼 검출 대상과 온도 검출 소자와의 사이에 있어서의 온도 검출용의 열 적인 결합을 양호하게 행할 수 있게 되므로, 그 온도 검출을 고정밀도로 행할 수 있다.According to the said temperature detection element, by providing a heat accommodating part, heat from a temperature detection object with respect to an element main body part is easy to conduct. Therefore, even when the temperature detection element must be disposed at a portion slightly away from the temperature detection object to the extent that conventional heat sensitivity from the temperature detection object cannot be sufficiently achieved, the heat from the temperature detection object to the heat accommodating portion may be reduced. Can evangelize. Therefore, the thermal coupling for the temperature detection between the detection target and the temperature detection element can thus be satisfactorily performed. Therefore, the temperature detection can be performed with high accuracy.

또한, 회로기판상에 본 발명에 따른 온도 검출 소자를 형성하는 경우, 온도 검출 대상과 온도 검출 소자와의 사이를 열전도 가능하게 랜드를 형성하여, 온도 검출 소자의 열 수용부를 그 랜드에 솔더링하면, 열 수용부가 랜드를 통하여 온도 검출 대상으로부터 열전도되기 쉬워져, 온도 검출을 한층 양호하게 행할 수 있는 이점이 있다. 본 발명의 구성을 채용가능한 온도 검출 소자로서는 정특성 서미스터, 부특성 서미스터 등이 있다.In addition, in the case of forming the temperature detecting element according to the present invention on a circuit board, if a land is formed between the temperature detecting element and the temperature detecting element so as to allow heat conduction, and the heat receiving portion of the temperature detecting element is soldered to the land, There is an advantage that the heat accommodating portion is likely to conduct heat from the temperature detection object through the land, and thus the temperature detection can be performed more satisfactorily. Examples of the temperature detection element that can adopt the configuration of the present invention include a positive characteristic thermistor, a negative characteristic thermistor, and the like.

본 발명의 온도 검출 소자는, 상기 소자 본체부와 상기 전극부와 상기 열 수용부와의 전체 형상이 칩형으로 구성되어 있는 것을 특징으로 한다.The temperature detecting element of the present invention is characterized in that the overall shape of the element body portion, the electrode portion, and the heat receiving portion is formed in a chip shape.

상기 온도 검출 소자에 의하면, 칩형 부품에 온도 검출 소자가 구성되어 있기 때문에, 이 온도 검출 소자는 온도 검출이 필요한 회로기판상에 실장하기 쉽다.According to the temperature detecting element, since the temperature detecting element is formed in the chip-like component, the temperature detecting element is easy to be mounted on a circuit board requiring temperature detection.

본 발명의 온도 검출 소자는, 상기 소자 본체부가 정특성 서미스터로서 기능하는 부분에 구성되어 있는 것을 특징으로 한다.The temperature detecting element of the present invention is characterized in that the element main body is formed in a portion that functions as a static thermistor.

상기 온도 검출 소자에 의하면, 온도상승에 따라서 저항값도 증가해나가기 때문에, 그 저항값과 온도와의 관계에 의해 간단하게 온도 검출할 수 있다.According to the said temperature detection element, since a resistance value also increases with temperature rise, temperature can be detected simply by the relationship of the resistance value and temperature.

본 발명의 온도 검출 소자는, 상기 소자 본체부가 직방체 형상으로 구성되어 있고, 상기 열 수용부가 상기 소자 본체부의 표면의 적어도 일측면 이상에 구비되어 있는 것을 특징으로 한다.The temperature detecting element of the present invention is characterized in that the element body portion is formed in a rectangular parallelepiped shape, and the heat receiving portion is provided on at least one side surface or more of the surface of the element body portion.

상기 온도 검출 소자에 의하면, 직방체 형상의 소자 본체부 표면의 적어도 일 측면 이상에 열 수용부가 구비되어 있는 점으로부터, 그 열 수용부가 형성된 면을 온도 검출 대상측에 면하게 두어, 온도 검출 대상측으로부터의 열을 양호하게 수용할 수 있는 상태로 해서 온도감지할 수 있다. 한편, 열 수용부가 소자 본체부에 벨트가 감겨진 형상으로 형성되어 있는 경우에는, 소자 본체부의 전체 주위에 고리 형상으로 열 수용부가 구비되게 되므로, 회로기판에 온도 검출 소자를 부설할 때에, 열 수용부를 온도 검출 대상측에 임하도록 온도 검출 소자의 자세를 조정하는 수고를 적게 할 수 있다.According to the said temperature detection element, since the heat accommodating part is provided in at least 1 side or more of the surface of a rectangular parallelepiped element main body part, the surface in which the heat accommodating part was formed faces the temperature detection object side, Temperature can be sensed in the state which can accommodate heat well. On the other hand, when the heat receiving portion is formed in a shape in which a belt is wound around the element body portion, the heat receiving portion is provided in a ring shape around the entire element body portion, so that the heat accommodating element is installed when the temperature detection element is placed on the circuit board. The trouble of adjusting the attitude | position of a temperature detection element so that a part may face a temperature detection object side can be reduced.

본 발명의 온도 검출 소자는, 상기 온도 검출 대상측으로부터 열을 전도하는 전도체가 상기 열 수용부에 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.The temperature detecting element of the present invention is characterized in that a conductor for conducting heat from the temperature detection target side is formed in the heat receiving portion.

상기 온도 검출 소자에 의하면, 랜드 등의 전도체를 별도 회로기판 등에 부설하지 않아도, 그 전도체를 통하여 온도 검출 소자의 열 수용부에 온도 검출 대상측으로부터 열이 양호하게 전도된다. 따라서, 그 전도체를 통하여 온도 검출 대상측으로부터의 열이 온도 검출 소자에 한층 전도되기 쉬워져, 검출정밀도도 더욱 좋아지게 된다.According to the temperature detecting element, heat is well conducted from the temperature detection target side to the heat receiving portion of the temperature detecting element through the conductor even when a conductor such as a land is not separately placed on a circuit board or the like. Therefore, heat from the temperature detection target side is more likely to be conducted to the temperature detection element through the conductor, and the detection accuracy is further improved.

본 발명의 온도 검출 소자는, 상기 열 수용부가 상기 소자 본체부의 표면소재에 대하여 비오믹(ohmic)접촉의 금속 박막층을 가지는 것을 특징으로 한다.The temperature detecting element of the present invention is characterized in that the heat receiving portion has a metal thin film layer in ohmic contact with the surface material of the element body portion.

상기 온도 검출 소자에 의하면, 소자 본체부의 표면소재에 대하여 비오믹 접촉의 금속재료를 열 수용부에 가져서, 소자 본체부에 대하여 검출에 악영향을 주는 전기적 결합이 열 수용부를 통해서 생기지 않도록 할 수 있다. 여기에서, 소자 본체 부로서는 예를 들어, BaTiO3, Mn-Ni계 산화물이 사용되는 동시에, 이것에 대하여 열 수용부의 비오믹 접촉성을 가지는 금속재료로서는 예를 들어, 은, 금, 백금 내지 그들의 합금 등이 채용된다.According to the temperature detecting element, the metal material of the biometic contact with the surface material of the element body portion can be provided in the heat receiving portion so that an electrical coupling that adversely affects the detection to the element body portion is not generated through the heat receiving portion. Here, for example, as the element body portion, a BaTiO 3 , Mn-Ni-based oxide is used, and as a metal material having a biomechanical contact with the heat receiving portion, for example, silver, gold, platinum or the like. Alloy and the like are employed.

본 발명의 온도 검출 소자는, 상기 열 수용부가 상기 비오믹 접촉의 금속박막층에 대한 표층으로서 솔더링을 가능하게 하는 접합용 박막층을 가지는 것을 특징으로 한다.The temperature detection element of the present invention is characterized in that the heat receiving portion has a thin film layer for bonding that allows soldering as a surface layer to the metal thin film layer of the biocontact.

상기 온도 검출 소자에 의하면, 회로기판에 형성한 열전도용의 랜드에 대하여, 접합용 박막층에 의해 온도 검출 소자의 열 수용부를 솔더링할 수 있고, 회로기판상의 온도 검출 대상으로부터 온도 검출을 위한 열전도를 간단하게 행할 수 있도록 할 수 있다.According to the temperature detecting element, the heat receiving portion of the temperature detecting element can be soldered to the land for heat conduction formed on the circuit board by the bonding thin film layer, and the heat conduction for temperature detection from the temperature detection target on the circuit board is simplified. Can be done.

본 발명의 온도 검출 소자는, 상기 소자 본체부의 표면에 절연재층이 형성되어 있고, 상기 열 수용부가 상기 소자 본체부의 표면에 대하여 상기 절연재층을 개재해서 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.The temperature detecting element of the present invention is characterized in that an insulating material layer is formed on the surface of the element body portion, and the heat receiving portion is formed with respect to the surface of the element body portion via the insulating material layer.

상기 온도 검출 소자에 의하면, 절연재층이 소자 본체부의 표면과, 열 수용부와의 사이에 개재되어 있는 점으로부터, 열 수용부를 개재해서 소자 본체부에 전류가 흘러들어오는 등의 불량을 회피할 수 있다. 또한, 열 수용부를 구성하는 소재로서, 소자 본체부의 표면소재에 대하여 오믹 접촉의 금속재료를 채용하는 것도 가능해져서, 저렴하게 구성할 수 있다.According to the said temperature detection element, since the insulating material layer is interposed between the surface of an element main body part, and a heat receiving part, defects, such as an electric current flowing in an element main body part through a heat receiving part, can be avoided. . In addition, it is also possible to adopt a metal material of ohmic contact with the surface material of the element body portion as a material forming the heat receiving portion, which can be configured at low cost.

본 발명의 온도 검출 소자를 구비하는 회로기판은, 청구항 1에 기재된 온도 검출 소자, 및 상기 온도 검출 소자가 구비하는 상기 열 수용부에 대하여 열결합 가능한 랜드를 포함하는 것을 특징으로 한다.A circuit board including the temperature detecting element of the present invention includes a temperature detecting element according to claim 1 and a land capable of thermally coupling to the heat receiving portion included in the temperature detecting element.

본 발명의 온도 검출 소자를 구비하는 회로기판에 의하면, 회로기판의 랜드를 개재해서 온도 검출 대상측에서부터 온도 검출 소자의 열 수용부로 열전도 할 수 있다. 이것에 의해, 온도 검출 정밀도를 높게 할 수 있는 동시에, 온도 검출 대상에 대한 온도 검출 소자의 배치설계의 대응성을 높일 수 있게 된다.According to the circuit board including the temperature detecting element of the present invention, heat conduction can be conducted from the temperature detection target side to the heat receiving portion of the temperature detecting element via the land of the circuit board. As a result, the temperature detection accuracy can be increased, and the correspondence of the arrangement design of the temperature detection element with respect to the temperature detection object can be improved.

<발명의 실시형태>Embodiment of the Invention

이하, 본 발명의 상세를 도면에 기초하여 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, the detail of this invention is demonstrated based on drawing.

(제 1 실시형태)(1st embodiment)

도 1∼도 3에, 본 발명에 따른 온도 검출 소자의 실시형태의 일례를 나타낸다. 도 1은 온도 검출 소자의 일례로서의 정특성 서미스터의 외관을 나타내는 사시도, 도 2는 기판에 탑재된 정특성 서미스터나 그 주변부품을 나타내는 평면도, 도 3은 기판에 탑재된 정특성 서미스터나 그 주변부품을 나타내는 종단면도이다.1-3 shows an example of embodiment of the temperature detection element which concerns on this invention. 1 is a perspective view showing the appearance of a static thermistor as an example of a temperature detection element, FIG. 2 is a plan view showing a static thermistor mounted on a substrate and its peripheral components, and FIG. 3 is a static thermistor mounted on a substrate and its peripheral components. It is a longitudinal cross-sectional view which shows.

도 1을 참조하여, 정특성 서미스터(1)는 칩형 부품으로서 소자 본체부(3), 전극부(4, 5), 및 열 수용부(6)로 구성되어 있다.Referring to Fig. 1, the static characteristic thermistor 1 is a chip-like component, which is composed of an element body part 3, an electrode part 4 and 5, and a heat receiving part 6.

소자 본체부(3)는 티탄산 바륨(BaTiO3)을 주체로 하는 소자로, 가로로 긴 직방체 형상으로 형성되어 있다.The element main body 3 is an element mainly composed of barium titanate (BaTiO 3 ), and is formed in a horizontally long rectangular parallelepiped shape.

전극부(4, 5)는 소자 본체부(3)의 길이방향 양단면 각각에 접합되어 있다.The electrode parts 4 and 5 are joined to each of the longitudinal end surfaces of the element main body part 3.

열 수용부(6)는 소자 본체부(3)의 길이방향에서의 중앙에 소정폭을 가지는 상 태로, 소자 본체부(3)의 외주 전체에 걸쳐 형성되어 있다. 이 형성과정을 설명하면, 소자 본체부(3)의 표면에 스퍼터링법에 의해 소정폭의 은(Ag)의 박막층이 형성된다. 이 은의 박막층상에 전해 도금법에 의해 주석(Sn)의 박막층이 적층형성된다. 열 수용부(6)는 이 은의 박막층을 하층측으로, 주석의 박막층을 상층측으로 하는 2개의 박막층으로 구성되어 있다.The heat receiving portion 6 is formed over the entire outer circumference of the element body portion 3 with a predetermined width at the center in the longitudinal direction of the element body portion 3. When the formation process is explained, a thin film layer of silver (Ag) having a predetermined width is formed on the surface of the element body portion 3 by the sputtering method. On this thin film layer of silver, a thin film layer of tin (Sn) is formed by lamination. The heat accommodating part 6 is comprised from two thin film layers which made this thin film layer of silver a lower layer side, and made the tin thin film layer an upper layer side.

여기에서, 은의 박막층은 소자 본체부(3)에 대하여 비오믹 접촉이다. 이것에 의해, 열 수용부(6)는 은의 박막층이 하층측으로 됨으로써, 소자 본체부(3)에 대하여 전기적으로 결합하지 않도록 도모되어 있다. 열 수용부(6)는 주석의 박막층이 상층측에 설비되어 있으므로, 열 수용부(6)의 표면은 솔더젖음성을 가진다. 열 수용부(6)의 표면층은 은의 박막층에 대하여 코팅된 솔더의 박막층으로 구성되어도 된다. 열 수용부(6)는 전극부(4, 5)와 접하지 않도록, 전극부(4, 5)에 대하여 간격을 두고 형성되어 있다. 열 수용부(6)는 소자 본체부(3)의 표면으로부터 돌출하지 않은 상태로 박막에 형성되어 있다. 이것에 의해, 열 수용부(6)의 표면과 소자 본체부(3)의 표면은, 동일면으로 맞추어져 있다. 이 경우, 열 수용부(6)의 표면과 소자 본체부(3)의 표면을 반드시 동일면으로 맞출 필요는 없으며, 소자 본체부(3)의 표면에 적층되어도 된다. 정특성 서미스터(1)의 치수(길이×폭×높이)는 1.6㎜×0.8㎜×0.8㎜이다. 단지, 정특성 서미스터(1)의 치수는 이 치수에 한정되지 않는다.Here, the thin film layer of silver is in a biomic contact with the element body part 3. Thereby, the heat accommodating part 6 is designed so that the thin film layer of silver may become the lower layer side, and will not electrically couple with the element main body part 3. Since the thin film layer of tin is provided in the upper layer side of the heat accommodating part 6, the surface of the heat accommodating part 6 has solder wettability. The surface layer of the heat receiving portion 6 may be constituted by a thin film layer of solder coated on the thin film layer of silver. The heat receiving portions 6 are formed at intervals with respect to the electrode portions 4 and 5 so as not to contact the electrode portions 4 and 5. The heat accommodating part 6 is formed in the thin film in the state which does not protrude from the surface of the element main body part 3. Thereby, the surface of the heat accommodating part 6 and the surface of the element main body part 3 are matched to the same surface. In this case, the surface of the heat receiving portion 6 and the surface of the element body portion 3 do not necessarily have to be aligned on the same plane, but may be laminated on the surface of the element body portion 3. The dimension (length x width x height) of the static characteristics thermistor 1 is 1.6 mm x 0.8 mm x 0.8 mm. However, the dimension of the static thermistor 1 is not limited to this dimension.

도 2 및 도 3을 참조하여, 7은 회로기판, 8은 파워 IC, 9는 랜드를 각각 나타낸다. 회로기판(7)상에 온도 검출 대상으로서의 파워 IC(8)가 탑재되어 있다. 동박 으로 이루어지는 랜드(9)가 회로기판(7)에 있어서의 파워 IC(8)를 탑재한 면영역에서 옆쪽 외측으로 연장되어 노출되어 있다. 정특성 서미스터(1)는 랜드(9)의 단부에 위치되어 회로기판(7)상에 실장되어 있다. 정특성 서미스터(1)의 각 전극부(4, 5)는 회로기판(7)의 배선 패턴(도시하지 않음)에 솔더링되어 있다. 정특성 서미스터(1)의 열 수용부(6)는 랜드(9)상에 위치되는 상태로 랜드(9)에 대하여 솔더 H에 의해 솔더링되어 있다. 랜드(9)가 전극부(4, 5)에 대하여 전기절연되도록, 랜드(9)는 정특성 서미스터(1)의 전극부(4, 5) 사이에 수납되어 있다. 랜드(9)와 열 수용부(6) 각각의 가로 폭은, 동일하거나 실질적으로 동일한 폭으로 설정되어 있다.2 and 3, 7 denotes a circuit board, 8 denotes a power IC, and 9 denotes a land. On the circuit board 7, a power IC 8 as a temperature detection target is mounted. The land 9 made of copper foil extends and is exposed laterally outside the surface area where the power IC 8 is mounted on the circuit board 7. The static thermistor 1 is located at the end of the land 9 and mounted on the circuit board 7. Each electrode portion 4, 5 of the static thermistor 1 is soldered to a wiring pattern (not shown) of the circuit board 7. The heat receiving portion 6 of the static thermistor 1 is soldered by solder H with respect to the land 9 in a state positioned on the land 9. The land 9 is accommodated between the electrode portions 4, 5 of the static thermistor 1 so that the land 9 is electrically insulated from the electrode portions 4, 5. The horizontal widths of each of the lands 9 and the heat receiving portions 6 are set to the same or substantially the same width.

이 구성에 의해, 파워 IC(8)의 열이 랜드(9)를 개재해서 정특성 서미스터(1)의 열 수용부(6)에 전도된다. 정특성 서미스터(1)는 그 전도된 열에 대응하는 검출신호를 출력한다. 랜드(9)를 개재해서 파워 IC(8)측에서부터 열전도되기 때문에, 랜드(9)가 없는 경우와 비교하여, 고정밀도의 온도 검출에 필요한 열의 전도가 되기 쉽다. 따라서, 열 수용부(6)가 정특성 서미스터(1)에 형성되어 있음으로써, 온도 검출 대상측인 파워 IC(8)로부터의 열은, 랜드(9)를 통해서 전도되기 쉽다. 이것과 더불어, 정특성 서미스터(1)에 의한 온도 검출 정밀도가 종래와 비교하여 높다. 이 경우, 랜드(9)는 직선 형상으로 연장되어 노출된 것에 한정되지 않고, 부품 등의 배치구성 등에 따라서 적당히 굴곡된 형상이어도 된다. 또한, 열 수용부(6)는 파워 IC(8) 등의 온도 검출 대상소자에 형성된 방열단자 등의 방열부에 직접 접촉 내지는 솔더링 등의 간접 접촉으로 열결합되어도 된다.By this structure, heat of the power IC 8 is conducted to the heat receiving portion 6 of the static thermistor 1 via the land 9. The static thermistor 1 outputs a detection signal corresponding to the conducted heat. Since heat is conducted from the power IC 8 side via the land 9, heat conduction required for high-precision temperature detection is more likely than in the case where there is no land 9. Therefore, since the heat accommodating part 6 is formed in the static characteristic thermistor 1, the heat from the power IC 8 which is the temperature detection target side is easy to conduct through the land 9. In addition to this, the temperature detection accuracy by the static thermistor 1 is higher than in the prior art. In this case, the land 9 is not limited to being extended and exposed in a straight line, and may be a shape that is appropriately bent in accordance with the arrangement of the components or the like. In addition, the heat accommodating part 6 may be thermally coupled by direct contact or indirect contact such as soldering to a heat dissipation unit such as a heat dissipation terminal formed on a temperature detection target element such as the power IC 8.

(제 2 실시형태)(2nd embodiment)

제 1 실시형태와는 다른 형태를 이루는 제 2 실시형태에 대해서 도면을 기초하여 설명한다. 도 4(a)는 온도 검출 소자를 나타내는 사시도이고, 도 4(b)는 온도 검출 소자의 열 수용부에 있어서의 종단면 측면도이다.2nd Embodiment which forms another form from 1st Embodiment is demonstrated based on drawing. Fig. 4A is a perspective view showing the temperature detecting element, and Fig. 4B is a longitudinal sectional side view of the temperature receiving element in the heat receiving portion.

도 4를 참조하여, 정특성 서미스터(1)는 칩 부품으로서, 직방체 형상으로 구성되는 소자 본체부(3), 그 소자 본체부(3)의 양단에 형성된 전극부(4, 5), 및 열 수용부(6)를 포함한다. 열 수용부(6)는 전극부(4, 5) 사이에서 소자 본체부(3)의 표면에 적층형성되는 상태로 형성되어 있다.Referring to Fig. 4, the static characteristic thermistor 1 is a chip component, which is an element body portion 3 formed in a rectangular parallelepiped shape, electrode portions 4 and 5 formed at both ends of the element body portion 3, and a row. It includes a receiving portion (6). The heat accommodating part 6 is formed in the state which is laminated | stacked on the surface of the element main body part 3 between the electrode parts 4 and 5. As shown in FIG.

정특성 서미스터(1)의 열 수용부(6)는 절연층(10), 금속박막(11), 및 전도체로서의 돌기부(12)를 가진다. 절연층(10)은 소자 본체부(3)의 2개의 측면에 접착된 실리콘 고무 또는 실리콘 수지의 박막 조각으로 구성되어 있다. 금속박막(11)은 절연층(10)의 표면에 형성된 예를 들어 구리를 소재로 하는 박막으로 구성되어 있다. 돌기부(12)는 금속박막(11)의 한 단부에, 마찬가지로 구리를 소재로 하는 판 형상으로 구성되어 있다. 이 경우, 돌기부(12)는 금속박막(11)이 형성되어 있는 면에 대하여 직교하는 방향을 따라 돌출되어 있다.The heat receiving portion 6 of the static thermistor 1 has an insulating layer 10, a metal thin film 11, and a protrusion 12 as a conductor. The insulating layer 10 is comprised from the thin film piece of silicone rubber or silicone resin adhere | attached on the two side surface of the element main-body part 3. The metal thin film 11 is comprised from the thin film made from copper, for example, formed in the surface of the insulating layer 10. As shown in FIG. The projection part 12 is similarly comprised in the plate shape which uses copper as the one end part of the metal thin film 11. In this case, the protrusion part 12 protrudes along the direction orthogonal to the surface in which the metal thin film 11 is formed.

도 5를 참조하여, 정특성 서미스터(1)의 돌기부(12)는 예를 들어, 회로기판(7)에 탑재된 파워 IC(8)의 패키지(8A)와 회로기판(7)과의 사이에 끼워넣어진다. 파워 IC(8)측에서부터 열 수용부(6)로의 열은 돌기부(12)를 통하여 전도된다. 이 경우, 제 1 실시형태와는 달리 열 수용부(6)는 랜드 등에 솔더링되지 않아도 된다. 이 열 수용부(6)에서는 소자 본체부(3) 표면에 절연층(10)을 개재해서 금속박막(11)이 형성되기 때문에, 금속박막(11)의 소재로서, 오믹접촉의 금속을 채용할 수 있다.Referring to FIG. 5, the protrusion 12 of the static thermistor 1 is, for example, between the package 8A of the power IC 8 mounted on the circuit board 7 and the circuit board 7. Is embedded. Heat from the power IC 8 side to the heat receiving portion 6 is conducted through the protrusion 12. In this case, unlike the first embodiment, the heat receiving portion 6 does not have to be soldered to lands or the like. In the heat receiving portion 6, the metal thin film 11 is formed on the surface of the element main body 3 via the insulating layer 10, so that an ohmic contact metal can be used as the material of the metal thin film 11. Can be.

본 발명은 상기 각 실시형태에 한정되지 않고, 이하의 변형예를 생각할 수 있다.This invention is not limited to each said embodiment, The following modified examples are conceivable.

① 상기 실시형태에서는, 온도 검출 소자로서 부특성 서미스터를 채용하는 것도 가능하다.(1) In the above embodiment, it is also possible to employ a negative characteristic thermistor as the temperature detection element.

② 열 수용부로서 사용되는 비오믹 접촉의 금속재료로서는, 금, 백금이나, 이들 또는 은을 포함하는 합금이어도 된다.(2) As the metal material of the biocontact contact used as the heat receiving portion, gold, platinum, or an alloy containing these or silver may be used.

③ 도 6(a), (b)에 나타낸 바와 같이, 정특성 서미스터의 칩 부품으로 구성되는 정특성 서미스터(1)는 가로로 긴 직방체 형상으로 외형형상이 구성되는 동시에, 그 길이방향 양단에 각각 전극부(4, 5)를 구비한다. 이들 전극부(4, 5) 사이에, 소자 본체부(3)의 표면에 적층형성되는 상태로 열 수용부(6)가 형성된다.(6) As shown in Figs. 6A and 6B, the static thermistor 1 composed of the chip components of the static thermistor has an outer shape in a horizontally long rectangular parallelepiped shape and is provided at both ends thereof in the longitudinal direction, respectively. Electrode parts 4 and 5 are provided. The heat accommodating part 6 is formed between these electrode parts 4 and 5 in the state which is laminated | stacked on the surface of the element main body part 3, and is formed.

도 6(a), (b)에 보여지는 정특성 서미스터(1)의 열 수용부(6)의 경우, 소자 본체부(3)의 2개의 측면에 실리콘 고무 또는 실리콘 수지의 박막 조각이 접착되어 이루어지는 절연층(10), 및 이 절연층(10)의 표면에 형성된 예를 들어 구리로 이루어지는 금속박막(11)에 의해 구성된다.In the heat receiving portion 6 of the static thermistor 1 shown in Figs. 6 (a) and 6 (b), a thin film piece of silicone rubber or silicone resin is adhered to two side surfaces of the element body portion 3, It consists of the insulating layer 10 which consists of these, and the metal thin film 11 which consists of copper, for example formed in the surface of this insulating layer 10.

④ 도 7(a), (b)에 나타낸 바와 같이, 정특성 서미스터의 칩 부품으로 구성되는 정특성 서미스터(1)는 가로로 긴 직방체 형상으로 외형형상이 구성되는 동시에, 그 길이방향 양단에 각각 전극부(4, 5)가 형성되어 있다. 이들 전극부(4, 5)사이에는, 소자 본체부(3)의 표면에 적층형성되는 상태로 열 수용부(6)가 형성되어 있다.④ As shown in Figs. 7 (a) and 7 (b), the static thermistor 1 composed of the chip components of the static thermistor has an outer shape formed in a horizontally long rectangular parallelepiped shape and is provided at both ends thereof in the longitudinal direction, respectively. Electrode portions 4 and 5 are formed. The heat accommodating part 6 is formed between these electrode parts 4 and 5 in the state which is laminated | stacked on the surface of the element main body part 3, and is formed.

도 7(a), (b)에 보여지는 정특성 서미스터(1)의 열 수용부(6)의 경우, 소자 본체부(3)의 1개의 측면에 실리콘 고무 또는 실리콘 수지의 박막 조각이 접착되어 이루어지는 절연층(10), 및 이 절연층(10)의 표면에 형성된 예를 들어 구리로 이루어지는 금속박막(11)에 의해 구성된다. 금속박막(11)의 하단에 옆방향으로 돌출하는 전도체로서의 돌기부(12)가 형성된다.In the case of the heat receiving portion 6 of the static thermistor 1 shown in FIGS. 7A and 7B, a thin film piece of silicone rubber or silicone resin is adhered to one side of the element body portion 3. It consists of the insulating layer 10 which consists of these, and the metal thin film 11 which consists of copper, for example formed in the surface of this insulating layer 10. At the lower end of the metal thin film 11, a protrusion 12 as a conductor protruding laterally is formed.

⑤ 도 8에 나타낸 바와 같이, 정특성 서미스터의 칩 부품으로 구성되는 정특성 서미스터(1)는 가로로 긴 직방체 형상으로 외형형상이 구성되는 동시에, 그 양단에 각각 전극부(4, 5)가 형성되어 있다. 이들 전극부(4, 5) 사이에는, 소자 본체부(3)의 표면에 적층형성되는 상태로 열 수용부(6)가 형성되어 있다.(5) As shown in Fig. 8, the static thermistor 1 composed of the chip components of the static thermistor has an external shape having a rectangular parallelepiped shape and has electrode portions 4 and 5 formed at both ends thereof, respectively. It is. The heat accommodating part 6 is formed between these electrode parts 4 and 5 in the state which is laminated | stacked on the surface of the element main body part 3, and is formed.

도 8에 보여지는 정특성 서미스터(1)의 열 수용부(6)의 경우, 소자 본체부(3)의 2개의 측면에 실리콘 고무 또는 실리콘 수지의 박막 조각이 접착되어 이루어지는 절연층(10a, 10b), 및 이 절연층(10a, 10b)의 표면에 형성된 예를 들어 구리로 이루어지는 금속박막(11a, 11b)에 의해 구성되어 있다. 하나의 면의 절연층(10a)은 양쪽 전극부(4, 5)의 사이에 수납되는 폭이 좁은 것이고, 그 폭 내에 금속박막(11a)이 형성되어 있다. 다른 하나의 면의 절연층(10b)은 양쪽 전극부(4, 5)에 일부 겹치도록 폭이 넓게 되어 있고, 그 폭 내에 금속박막(11b)이 형성되어 있다. 이 금속박막(11b)은 금속박막(11a)보다도 폭이 넓게 되어 있다. 따라서, 폭이 넓은 이 금속박막(11b) 및 금속박막(11a)은 전극부(4, 5)와는 전기적으로 절연되어 있는 동시에, 폭이 넓게 형성한 금속박막(11b)을 구비함으로써, 그 금속박막(11b)으로 열전도하기 쉽게 되어 있다.In the case of the heat receiving portion 6 of the static thermistor 1 shown in FIG. 8, the insulating layers 10a and 10b in which thin film pieces of silicone rubber or silicone resin are adhered to two side surfaces of the element body portion 3. And metal thin films 11a and 11b made of, for example, copper formed on the surfaces of the insulating layers 10a and 10b. The insulating layer 10a of one surface is narrow in the width | variety accommodated between both electrode parts 4 and 5, and the metal thin film 11a is formed in the width | variety. The insulating layer 10b on the other side is widened so as to partially overlap the electrode portions 4 and 5, and a metal thin film 11b is formed within the width. The metal thin film 11b is wider than the metal thin film 11a. Therefore, the wide metal thin film 11b and the metal thin film 11a are electrically insulated from the electrode portions 4 and 5 and provided with the wide metal thin film 11b to form the metal thin film 11b. It becomes easy to conduct heat with 11b.

⑥ 도 9(a), (b)에 나타낸 바와 같이, 정특성 서미스터의 칩 부품으로 구성되 는 정특성 서미스터(1)는 가로로 긴 직방체 형상으로 외형형상이 구성되는 동시에, 그 길이방향 양단에 각각 전극부(4, 5)가 형성되어 있다. 이들 전극부(4, 5)사이에는, 소자 본체부(3)의 표면에 적층형성되는 상태로 열 수용부(6)가 형성되어 있다.(6) As shown in Figs. 9A and 9B, the static thermistor 1 composed of the chip components of the static thermistor has an external shape formed in a horizontally long rectangular parallelepiped shape and at both ends thereof in the longitudinal direction. Electrode portions 4 and 5 are formed, respectively. The heat accommodating part 6 is formed between these electrode parts 4 and 5 in the state which is laminated | stacked on the surface of the element main body part 3, and is formed.

도 9(a), (b)에 보여지는 정특성 서미스터(1)의 열 수용부(6)의 경우, 소자 본체부(3)의 3개의 측면에 실리콘 고무 또는 실리콘 수지의 박막 조각이 접착되어 이루어지는 절연층(10), 및 상기 절연층(10)의 표면에 형성된 예를 들어 구리로 이루어지는 금속박막(11)에 의해 구성되어 있다.In the heat receiving portion 6 of the static thermistor 1 shown in Figs. 9 (a) and 9 (b), thin film pieces of silicone rubber or silicone resin are adhered to three side surfaces of the element body portion 3, It is comprised by the insulating layer 10 which consists of a metal thin film 11 which consists of copper and the insulating layer 10 formed in the surface of the said insulating layer 10, for example.

⑦ 본 발명의 실시형태로서, 도시하지 않지만 상기와 같은 절연층은 소자 본체부에 있어서의 전극부를 형성하고 있지 않은 표면의 전면을 피복하도록 형성된 것이어도 된다. 또한, 절연층은 상술한 실리콘 고무 또는 실리콘 수지에 한정되는 것이 아니라, 전기적 절연성이 있는 각종 재료를 적용가능하다.(7) As an embodiment of the present invention, although not shown, the above insulating layer may be formed so as to cover the entire surface of the surface on which the electrode portion in the element body portion is not formed. In addition, the insulating layer is not limited to the above-described silicone rubber or silicone resin, and various materials having electrical insulation can be applied.

본 발명에 의하면, 열 수용부를 구비함으로써, 소자 본체부에 대하여 온도 검출 대상으로부터의 열이 전도되기 쉽게 되어 있는 점으로부터, 종래에는 온도 검출 대상으로부터의 열에 의한 감온을 충분히 행할 수 없을 정도로 그 온도 검출 대상으로부터 조금 떨어진 부위에 온도 검출 소자를 배치해야만 하는 경우라도, 온도 검출 대상으로부터 열 수용부로의 열의 전도를 도모할 수 있다. 따라서, 그처럼 검출 대상과의 온도 검출에 관한 온도 검출 소자의 결합을 양호하게 행할 수 있게 되므로, 그 온도 검출 대상의 온도 검출을 고정밀도로 행할 수 있다.According to the present invention, since the heat from the temperature detection object is easily conducted to the element body part by providing the heat receiving portion, the temperature is detected so that it is impossible to sufficiently reduce the temperature by the heat from the temperature detection object. Even when the temperature detection element must be disposed at a portion slightly away from the object, heat conduction from the temperature detection object to the heat receiving portion can be achieved. Therefore, the temperature detection element can be satisfactorily combined with respect to the temperature detection object as described above, so that the temperature detection object can be detected with high accuracy.

Claims (9)

소자 본체부, 상기 소자 본체부에 형성된 전극부, 및 온도 검출 대상측에서 전도되는 열을 수용하는 열 수용부를 포함하고, 상기 열 수용부는 상기 소자 본체부의 표면에 형성되는 것을 특징으로 하는 온도 검출 소자.An element body portion, an electrode portion formed on the element body portion, and a heat receiving portion for receiving heat conducted from the temperature detection target side, wherein the heat receiving portion is formed on a surface of the element body portion; . 제 1항에 있어서, 상기 소자 본체부와 상기 전극부와 상기 열 수용부와의 전체 형상이 칩형으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 온도 검출 소자.The temperature detection element according to claim 1, wherein the overall shape of the element body portion, the electrode portion, and the heat receiving portion is formed in a chip shape. 제 1항에 있어서, 상기 소자 본체부가 정특성 서미스터로서 기능하는 부분에 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 온도 검출 소자.The temperature detecting element according to claim 1, wherein the element main body is formed in a portion that functions as a static thermistor. 제 1항에 있어서, 상기 소자 본체부는 직방체 형상으로 구성되어 있고, 상기 열 수용부는 상기 소자 본체부의 표면의 적어도 한측면 이상에 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 온도 검출 소자.The temperature sensing element according to claim 1, wherein the element body portion is formed in a rectangular parallelepiped shape, and the heat receiving portion is provided on at least one side surface of the surface of the element body portion. 제 1항에 있어서, 상기 온도 검출 대상측에서 열을 전도하는 전도체가 상기 열 수용부에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 온도 검출 소자.The temperature detecting element according to claim 1, wherein a conductor for conducting heat on the side of said temperature detection object is formed in said heat receiving portion. 제 1항에 있어서, 상기 열 수용부는 상기 소자 본체부의 표면소재에 대하여 비오믹 접촉의 금속박막층을 가지는 것을 특징으로 하는 온도 검출 소자.The temperature sensing device according to claim 1, wherein the heat receiving portion has a metal thin film layer of biomic contact with the surface material of the element body portion. 제 6항에 있어서, 상기 열 수용부는 상기 비오믹 접촉의 금속 박막층의 표면에 형성된 것으로서 솔더링을 가능하게 하는 접합용 박막층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 온도 검출 소자.The temperature sensing device according to claim 6, wherein the heat receiving portion further includes a bonding thin film layer formed on a surface of the metal thin film layer of the biotic contact to enable soldering. 제 1항에 있어서, 상기 소자 본체부의 표면에 절연재층이 형성되어 있고, 상기 열 수용부는 상기 소자 본체부의 표면에 대하여 상기 절연재층을 개재해서 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 온도 검출 소자.The temperature sensing element according to claim 1, wherein an insulating material layer is formed on a surface of said element body portion, and said heat receiving portion is formed on said surface of said element body portion via said insulating material layer. 제 1항에 기재된 온도 검출 소자, 및 상기 온도 검출 소자가 구비하는 상기 열 수용부에 대하여 열결합 가능한 랜드를 포함하는 것을 특징으로 하는 회로기판.A circuit board comprising the temperature detecting element according to claim 1 and a land capable of being thermally coupled to the heat receiving portion included in the temperature detecting element.
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