KR100615083B1

KR100615083B1 - Spin coater thereof, and method for removing photo-resist on wafer edge

Info

Publication number: KR100615083B1
Application number: KR1020000053300A
Authority: KR
Inventors: 이영우
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2000-09-08
Filing date: 2000-09-08
Publication date: 2006-08-22
Also published as: KR20020020130A

Abstract

본 발명은 용매를 공급하는 용매공급배관에 웨이퍼와 대향되도록 웨이퍼의 에지가 삽입될 수 있는 절개홈이 형성되고, 이 절개홈의 내벽에는 웨이퍼 감지가 가능한 웨이퍼 감지센서가 설치되어, 웨이퍼와 절개홈이 소정 간격을 유지하게 하면서, 회전하는 웨이퍼에 용매를 공급하여 용매가 웨이퍼의 에지 외 액티브 영역으로 튀는 것을 방지할 뿐만 아니라 종래 제거가 어려웠던 웨이퍼의 플랫존에 형성된 포토레지스트 박막까지 제거 가능한 스핀 코터 및 이를 이용한 웨이퍼 에지 포토레지스트 제거 방법에 관한 것이다.In the present invention, a cutting groove into which the edge of the wafer is inserted is formed in the solvent supply pipe for supplying the solvent to be opposed to the wafer, and a wafer detection sensor capable of detecting the wafer is installed on the inner wall of the cutting groove, so that the wafer and the cutting groove are installed. While maintaining the predetermined interval, a spin coater capable of supplying a solvent to the rotating wafer to prevent the solvent from splashing into the active area outside the edge of the wafer, as well as to remove the photoresist thin film formed in the flat zone of the wafer which has been difficult to remove conventionally; It relates to a wafer edge photoresist removal method using the same.

스핀 코터, 웨이퍼 Spin coater, wafer

Description

Spin coater and method for removing photo-resist on wafer edge

도 1은 종래 스핀 코터에 의해 웨이퍼의 에지에 형성된 포토레지스트 박막이 제거된 것을 도시한 웨이퍼 평면도.1 is a plan view of a wafer showing that a photoresist thin film formed at an edge of a wafer is removed by a conventional spin coater.

도 2는 본 발명에 따른 스핀 코터의 구성을 도시한 구성도.Figure 2 is a block diagram showing the configuration of a spin coater according to the present invention.

도 3는 본 발명에 따른 스핀 코터에 의해 웨이퍼의 에지 및 플랫존에 형성된 포토레지스트 박막이 제거된 것을 도시한 웨이퍼 평면도.3 is a wafer plan view showing that the photoresist thin film formed on the edge and flat zone of the wafer is removed by the spin coater according to the present invention.

본 발명은 스핀 코터에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 웨이퍼에 용매를 공급하는 용매공급배관에 절개홈을 형성하고, 이 절개홈에 웨이퍼의 에지가 삽입되도록 하여, 회전하는 웨이퍼를 따라 전후로 움직이면서 웨이퍼의 에지 및 플랫존에 용매가 공급되도록 함으로써, 웨이퍼의 에지 및 플랫존에 형성된 포토레지스트 박막을 제거하는 스핀 코터에 관한 것이다.The present invention relates to a spin coater, and more particularly, to form a cutting groove in the solvent supply pipe for supplying a solvent to the wafer, and to insert the edge of the wafer into the cutting groove, and to move back and forth along the rotating wafer of the wafer The present invention relates to a spin coater for removing a photoresist thin film formed on the edge and the flat zone of a wafer by allowing a solvent to be supplied to the edge and the flat zone.

또한, 본 발명은 앞서 설명한 스핀 코터에 의하여 용매가 웨이퍼의 에지 외 액티브 영역으로 튀지 않도록 함은 물론, 웨이퍼의 플랫존에 형성된 포토레지스트 박막까지 제거하는 웨이퍼 에지 포토레지스트 제거 방법에 관한 것이다. In addition, the present invention relates to a wafer edge photoresist removal method that removes the solvent from splashing into the active region outside the edge of the wafer by the spin coater described above, as well as the photoresist thin film formed in the flat zone of the wafer.

일반적으로, 하나의 반도체 소자를 제작하기 위해서는 순수 실리콘 웨이퍼의 상면에 일정 회로 패턴을 갖는 반도체 박막을 복층으로 적층하는 과정을 반복해야만 한다. In general, in order to manufacture one semiconductor device, a process of stacking a semiconductor thin film having a predetermined circuit pattern on a top surface of a pure silicon wafer in multiple layers must be repeated.

이와 같이 형성된 반도체 소자를 제조하기 위해서는 웨이퍼의 상면에 포토레지스트를 도포하고, 현상하는 등 기타 후속 박막 공정을 필요로 하게 된다. In order to manufacture the semiconductor device thus formed, other subsequent thin film processes, such as coating and developing photoresist on the upper surface of the wafer, are required.

이들 공정 중 포토레지스트 도포는 주로 스핀 코터에 의하여 수행된다. Photoresist application during these processes is mainly performed by spin coaters.

스핀 코터는 웨이퍼에 원심력을 준 상태에서, 액상의 포토레지스트를 웨이퍼의 중심에 공급함으로 웨이퍼에 포토레지스트 박막을 형성시키는 장치이다. The spin coater is a device for forming a photoresist thin film on a wafer by supplying a liquid photoresist to the center of the wafer while applying a centrifugal force to the wafer.

이를 구현하기 위한 스핀 코터는 웨이퍼를 진공 흡착하여 고정하는 웨이퍼 척과, 웨이퍼 척에 고정된 웨이퍼를 회전시키는 구동장치와, 회전하는 웨이퍼에 포토레지스트를 공급하는 노즐을 포함하는 포토레지스트 공급장치와, 회전하는 웨이퍼에 포토레지스트를 공급할 때 웨이퍼로부터 원심 분리된 포토레지스트에 의한 설비 오염을 방지하는 포토레지스트 비산 방지 커버와, 웨이퍼의 에지에 형성된 포토레지스트 박막을 제거하기 위한 용매를 공급하는 포토레지스트 제거장치로 구성된다.The spin coater for realizing this is a photoresist supply device including a wafer chuck for vacuum suction and fixing the wafer, a driving device for rotating the wafer fixed to the wafer chuck, a nozzle for supplying photoresist to the rotating wafer, and a rotation; Photoresist removal apparatus for supplying a photoresist scattering prevention cover for preventing equipment contamination by the photoresist centrifuged from the wafer when supplying the photoresist to the wafer, and a solvent for removing the photoresist thin film formed on the edge of the wafer It is composed.

특히, 이와 같이 구성된 스핀 코터는 웨이퍼의 에지에 형성된 포토레지스트 박막을 제거할 때, 앞서 설명한 포토레지스트 제거장치의 노즐이 웨이퍼의 에지를 향하게 하고, 회전하는 웨이퍼에 용매가 공급되도록 하여 웨이퍼 에지에 형성된 포토레지스트 박막을 제거한다. In particular, the spin coater configured as described above has the nozzle of the photoresist removing apparatus described above facing the edge of the wafer when removing the thin film of the photoresist formed at the edge of the wafer, and the solvent is supplied to the rotating wafer so that the spin coater is formed at the wafer edge. Remove the photoresist thin film.

그러나, 종래 스핀 코터는, 도 1에 도시된 바와 같이, 회전하는 웨이퍼(1)의 에지(2)에 용매(미도시)를 공급할 경우, 웨이퍼(1)의 에지(2)에 형성된 포토레지스트 박막(3) 제거는 가능하지만, 각진 웨이퍼(1)의 플랫존(4)에 형성된 포토레지스트 박막(3)은 제거되지 않는 문제점이 있다. However, in the conventional spin coater, as shown in FIG. 1, when a solvent (not shown) is supplied to the edge 2 of the rotating wafer 1, a photoresist thin film formed at the edge 2 of the wafer 1 is formed. (3) Although removal is possible, there is a problem that the photoresist thin film 3 formed in the flat zone 4 of the angled wafer 1 is not removed.

또한, 용매에 의하여 웨이퍼(1)의 에지(2)에 형성된 포토레지스트 박막(3)을 제거하는 과정에서 웨이퍼(1)의 액티브 영역(5)에 용매가 튀어 액티브 영역(5)에 형성된 포토레지스트 박막(3)이 제거되어 웨이퍼(1)의 포토레지스트 박막(3) 형성 불량 발생의 원인이 된다.Further, in the process of removing the photoresist thin film 3 formed on the edge 2 of the wafer 1 by the solvent, a solvent splashes into the active region 5 of the wafer 1 to form the photoresist formed in the active region 5. The thin film 3 is removed, which causes the formation of a poor photoresist thin film 3 on the wafer 1.

따라서, 본 발명은 이와 같은 문제점을 감안한 것으로써, 본 발명의 목적은 웨이퍼의 에지에 형성된 불필요한 포토레지스트 박막을 용매에 의해 제거할 때, 웨이퍼의 에지 뿐만 아니라 플랫존에 형성된 포토레지스트 박막까지 제거되도록 함은 물론, 용매가 웨이퍼의 액티브 영역으로 튐에 따라 부수적으로 발생하는 문제점까지도 방지함에 있다. Accordingly, the present invention has been made in view of such a problem, and an object of the present invention is to remove not only the edge of the wafer but also the photoresist thin film formed in the flat zone when the unnecessary photoresist thin film formed on the edge of the wafer is removed by the solvent. Of course, it also prevents the problems that occur as the solvent is transferred to the active region of the wafer.

이와 같은 본 발명의 목적을 구현하기 위한 스핀 코터는 웨이퍼를 진공 흡착하여 고정하는 웨이퍼 척과, 웨이퍼 척과 연결되어 회전력을 전달하는 회전축과, 회전축을 구동하는 구동 장치와, 회전하는 웨이퍼에 포토레지스트를 공급하는 포토레지스트 공급장치와, 웨이퍼의 에지에 형성된 포토레지스트 박막을 제거하는 포토레지스트 제거장치와, 회전하는 웨이퍼에 포토레지스트를 공급할 때 원심력에 의하 여 포토레지스트가 외측으로 비산하는 것을 커버하는 포토레지스트 비산 방지 커버로 구성됨에 있다. The spin coater for realizing the object of the present invention is a wafer chuck that vacuum-adsorbs and fixes a wafer, a rotation shaft connected to the wafer chuck to transmit rotational force, a driving device for driving the rotation shaft, and supplying photoresist to the rotating wafer. A photoresist supply device, a photoresist removal device for removing a photoresist thin film formed at the edge of the wafer, and a photoresist scattering to cover the scattering of the photoresist outward by centrifugal force when supplying the photoresist to the rotating wafer It consists of a prevention cover.

또한, 이와 같은 본 발명의 목적을 이루기 위한 웨이퍼 에지 포토레지스트 제거 방법은 포토레지스트의 도포가 완료된 웨이퍼를 소정 속도로 회전시키는 단계와, 용매공급배관에 형성된 절개홈이 웨이퍼의 에지를 삽입시키는 위치로 이동되는 단계와, 웨이퍼의 원주면을 감지하여 웨이퍼와 절개홈이 소정 간격을 유지하며 용매공급배관이 웨이퍼에 용매를 적셔주어 웨이퍼의 에지 및 플랫존에 형성된 포토레지스트 박막을 제거하는 단계를 포함한다. In addition, the wafer edge photoresist removal method for achieving the object of the present invention comprises the steps of rotating the wafer is a photoresist coating is completed at a predetermined speed, and the cut groove formed in the solvent supply pipe to the position to insert the edge of the wafer And a step of sensing the circumferential surface of the wafer to maintain a predetermined distance between the wafer and the incision groove, and the solvent supply pipe wets the solvent to the wafer to remove the photoresist thin film formed at the edge and the flat zone of the wafer. .

이하, 본 발명에 의한 스핀 코터의 구성을 첨부된 도 2 및 도 3을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the configuration of the spin coater according to the present invention will be described with reference to FIGS. 2 and 3.

본 발명에 의한 스핀 코터(100)는 전체적으로 보아 포토레지스트 비산 방지 커버(50), 웨이퍼 회전장치(30), 포토레지스트 공급장치(20), 포토레지스트 제거장치(40) 및 이들을 전반적으로 제어하는 중앙처리장치(미도시)로 구성된다. Spin coater 100 according to the present invention as a whole, the photoresist shatterproof cover 50, the wafer rotator 30, the photoresist supply device 20, the photoresist removal device 40 and the center for controlling them overall It consists of a processing apparatus (not shown).

포토레지스트 비산 방지 커버(50)는 전체적인 형상이 마치 보울 형상으로 밑면에는 후술될 웨이퍼 회전장치(30)가 결합되도록 소정 직경을 갖는 홀(55)과, 웨이퍼 회전장치(30)가 회전할 수 있도록 하는 베어링(52)이 형성되고, 베어링(52) 주변에는 웨이퍼 회전장치(30)에 흔들림이 발생하지 않도록 지지해주는 부싱(Busing; 53)이 형성된다.The photoresist shatterproof cover 50 is a bowl shape as a whole, and a hole 55 having a predetermined diameter so that the wafer rotator 30 to be described later is coupled to the bottom thereof, and the wafer rotator 30 may rotate. A bearing 52 is formed, and a bushing 53 is formed around the bearing 52 to support the wafer rotating device 30 so that no shaking occurs.

이와 같은 구성을 갖는 포토레지스트 비산 방지 커버(50)에는 웨이퍼 회전장치(30)가 결합된다. The wafer rotator 30 is coupled to the photoresist shatterproof cover 50 having such a configuration.

웨이퍼 회전장치(30)는 구체적으로 구동장치(37), 회전축(33), 웨이퍼 척(35)으로 구성된다.Specifically, the wafer rotating device 30 includes a driving device 37, a rotating shaft 33, and a wafer chuck 35.

보다 구체적으로 설명하면, 구동장치(37)는 약 3000-6000 r.p.m 정도의 회전이 가능한 모터로 구성됨이 바람직하다. More specifically, the driving device 37 is preferably composed of a motor capable of rotating about 3000-6000 r.p.m.

회전축(33)은 앞에서 설명한 포토레지스트 비산 방지 커버(50)의 밑면에 형성된 홀(55)을 관통하여, 일측 단부는 구동장치(37)와 결합되고, 타측 단부는 웨이퍼 척(35)과 결합되어, 구동장치(37)가 발생시키는 회전력을 웨이퍼 척(35)에 전달하는 역할을 한다. The rotating shaft 33 penetrates the hole 55 formed on the bottom surface of the photoresist shatterproof cover 50 described above, one end of which is coupled to the driving device 37, and the other end of which is coupled to the wafer chuck 35. , And serves to transmit the rotational force generated by the driving device 37 to the wafer chuck 35.

이때, 회전축(33)의 직경은 포토레지스트 비산 방지 커버(50)에 형성된 홀(55) 및 부싱(53)에 삽입될 정도로 형성됨이 바람직하다.At this time, the diameter of the rotating shaft 33 is preferably formed to be inserted into the hole 55 and the bushing 53 formed in the photoresist shatterproof cover 50.

또한, 웨이퍼 척(35)은 원판 형상으로, 포토레지스트 비산 방지 커버(50) 내에 위치하며, 선행 공정을 마치고 웨이퍼 이송장치(미도시)에 의해 이송되어 온 웨이퍼(10)를 진공으로 흡착하여 고정시키는 역할을 하고, 앞서 설명한 바와 같이 약 3000-6000r.p.m정도의 고속회전에서도 웨이퍼(10) 고정이 가능해야 함은 물론이다.In addition, the wafer chuck 35 has a disc shape and is located in the photoresist shatterproof cover 50, and the wafer chuck 35, which has been transferred by a wafer transfer device (not shown) after the preceding process, is sucked and fixed by vacuum. As described above, the wafer 10 should be fixed even at a high speed rotation of about 3000-6000r.pm.

이와 같이 웨이퍼 척(35)에 고정되어 고속 회전하는 웨이퍼(10)에는 포토레지스트(12)가 공급되며, 포토레지스트(12)는 고속 회전에 따른 원심력에 의해서 웨이퍼(10) 상에 얇고 균일하게 도포된다.As such, the photoresist 12 is supplied to the wafer 10 that is fixed to the wafer chuck 35 and rotates at high speed, and the photoresist 12 is thinly and uniformly coated on the wafer 10 by centrifugal force due to the high speed rotation. do.

이를 구현하기 위해서는 웨이퍼(10)의 중앙에 포토레지스트(12)를 공급하는 포토레지스트 공급장치(20)가 사용된다. To implement this, a photoresist supply device 20 for supplying the photoresist 12 to the center of the wafer 10 is used.

포토레지스트 공급장치(20)는 전체적으로 포토레지스트 공급유닛(23), 포토 레지스트 공급배관(25), 포토레지스트 공급노즐(27)로 구성된다. The photoresist supply device 20 is composed of a photoresist supply unit 23, a photoresist supply pipe 25, and a photoresist supply nozzle 27 as a whole.

보다 구체적으로, 포토레지스트 공급유닛(23)은 액상의 포토레지스트(12)를 저장하여 공급하는 역할을 한다. More specifically, the photoresist supply unit 23 stores and supplies the liquid photoresist 12.

포토레지스트 공급배관(25)은 파이프 형상으로, 일측 단부는 포토레지스트 공급유닛(23)과 연통되고, 타측 단부는 포토레지스트 공급노즐(27)과 연통되어, 포토레지스트 공급유닛(23)으로부터 포토레지스트(12)를 공급받아 포토레지스트 공급노즐(27)로 전달해준다. The photoresist supply pipe 25 has a pipe shape, one end thereof communicates with the photoresist supply unit 23, and the other end thereof communicates with the photoresist supply nozzle 27, and the photoresist is supplied from the photoresist supply unit 23. 12 is supplied to the photoresist supply nozzle (27).

포토레지스트 공급노즐(27)은 앞서 설명한 바와 같이 공급된 포토레지스트(12)를 웨이퍼(10)에 드롭시키는 역할을 하며, 웨이퍼(10) 상에 포토레지스트(12)가 얇고 균일하게 도포되게 하여, 웨이퍼(10)의 전면적에 얇은 박막을 형성시킨다. The photoresist supply nozzle 27 serves to drop the supplied photoresist 12 onto the wafer 10 as described above, and to allow the photoresist 12 to be applied thinly and uniformly on the wafer 10, A thin thin film is formed on the entire surface of the wafer 10.

그러나, 실제 포토레지스트 박막(12)은 웨이퍼(10)의 액티브 영역(14)에만 필요로 하며, 웨이퍼(10)의 액티브 영역(14) 이외에 웨이퍼(10)의 에지(11) 및 플랫존(13)에 형성된 포토레지스트 박막(12)은 후속 공정에 전혀 필요하지 않으며, 오히려 후속 공정을 진행하면서 웨이퍼(10)에서 떨어져 나와 파티클로 작용하여 후속 공정 설비 및 타 웨이퍼(10)를 오염시키는 오염원으로 작용한다. However, the actual photoresist thin film 12 is only needed in the active region 14 of the wafer 10, and in addition to the active region 14 of the wafer 10, the edge 11 and the flat zone 13 of the wafer 10 are provided. The photoresist thin film 12 formed in the N-type) is not necessary at all in the subsequent process, but rather moves away from the wafer 10 as particles during the subsequent process and acts as a particle to contaminate the subsequent process equipment and other wafers 10. do.

따라서, 포토레지스트 도포 공정이 끝나면, 후속 공정을 진행하기 전에 웨이퍼(10)의 에지(11) 및 플랫존(13)에 형성된 포토레지스트 박막(12)을 제거해야 하며, 이를 구현하기 위해서는 포토레지스트 제거장치(40)가 사용된다. Therefore, after the photoresist coating process is finished, the photoresist thin film 12 formed on the edge 11 and the flat zone 13 of the wafer 10 must be removed before proceeding to the subsequent process. Device 40 is used.

구체적으로, 포토레지스트 제거장치(40)는 용매공급유닛(43), 용매공급배관(41), 웨이퍼 감지센서(47), 이송유닛(45)으로 구성된다. In detail, the photoresist removing apparatus 40 includes a solvent supply unit 43, a solvent supply pipe 41, a wafer detection sensor 47, and a transfer unit 45.

보다 구체적으로 설명하면, 용매공급유닛(43)은 포토레지스트 박막(12)을 용해시킴으로써 제거가능한 용매(미도시)를 저장하여 공급하는 역할을 하며, 용매공급배관(41)으로 용매를 공급한다. More specifically, the solvent supply unit 43 serves to store and supply a solvent (not shown) that can be removed by dissolving the photoresist thin film 12, and supplies the solvent to the solvent supply pipe 41.

용매공급배관(41)은 용매공급유닛(43)으로부터 용매를 공급받아 웨이퍼(10)의 에지(11) 및 플랫존(13)에 형성된 포토레지스트 박막(12)을 제거할 수 있도록 웨이퍼(10)에 용매를 공급하는 역할을 하는 바, 용매가 웨이퍼(10)의 액티브 영역(14)으로 튀지 않도록 하기 위하여, 용매공급배관(41)에는 웨이퍼(10)와 대향되도록 절개홈(42)이 형성된다. The solvent supply pipe 41 receives the solvent from the solvent supply unit 43 to remove the photoresist thin film 12 formed on the edge 11 and the flat zone 13 of the wafer 10. In order to prevent the solvent from splashing into the active region 14 of the wafer 10, a cut groove 42 is formed in the solvent supply pipe 41 so as to face the wafer 10. .

이때, 절개홈(42)은 대향되는 웨이퍼(10)의 에지(11)가 삽입될 정도의 깊이와 웨이퍼(10)가 회전함에 있어 영향을 주지 않는 최소한의 깊이로 구성됨이 바람직하다. In this case, the cutting groove 42 is preferably configured to have a depth enough to insert the edge 11 of the opposite wafer 10 and a minimum depth that does not affect the rotation of the wafer 10.

즉, 용매공급배관(41)에 이와 같은 절개홈(42)을 형성할 경우, 웨이퍼(10)에 용매를 공급할 때, 웨이퍼(10)의 액티브 영역(14)에 용매가 튀지 않도록 할 수 있는 것이다. That is, when the cut groove 42 is formed in the solvent supply pipe 41, when the solvent is supplied to the wafer 10, the solvent may not be splashed in the active region 14 of the wafer 10. .

그러나, 이와 같이 용매공급배관(41)에 절개홈(42)을 형성하는 것만으로는 웨이퍼(10)의 플랫존(13)에 형성된 포토레지스트 박막(12)은 제거하지 못한다.However, only forming the cutout groove 42 in the solvent supply pipe 41 does not remove the photoresist thin film 12 formed in the flat zone 13 of the wafer 10.

이는, 웨이퍼(10)는 완전한 원형으로만 되어 있지 않고, 웨이퍼(10) 중 일부는 소정 목적에 의해 플랫존(13)이 형성되기 때문이다. This is because the wafer 10 is not only a perfect circle, but a part of the wafer 10 is formed with the flat zone 13 for a predetermined purpose.

즉, 절개홈(42)이 형성된 용매공급배관(41)은 고정되어 용매를 공급하고, 이 절개홈(42)에 웨이퍼(10)의 에지(11)가 삽입되어 회전할 경우, 웨이퍼(10)의 에지(11)에 형성된 포토레지스트 박막(12)은 제거되지만, 웨이퍼(10)의 플랫존(13)에 형성된 포토레지스트 박막(12)은 제거되지 않는다. That is, the solvent supply pipe 41 having the cut groove 42 formed therein is fixed to supply the solvent, and when the edge 11 of the wafer 10 is inserted into the cut groove 42 and rotates, the wafer 10 is rotated. The photoresist thin film 12 formed at the edge 11 of is removed, but the photoresist thin film 12 formed in the flat zone 13 of the wafer 10 is not removed.

따라서, 본 발명에서는 웨이퍼(10)의 플랫존(13)에 형성된 포토레지스트 박막(12)까지 제거하기 위하여, 웨이퍼(10)가 절개홈(42)에 삽입되어 회전할 때, 웨이퍼(10)의 플래존(13) 부분을 감지할 수 있도록 웨이퍼 감지센서(47)를 절개홈(42)의 내벽에 설치하고, 용매공급배관(41)이 이동 가능하도록 용매공급유닛(43)에는 이송유닛(45)이 설치된다.Therefore, in the present invention, in order to remove the photoresist thin film 12 formed in the flat zone 13 of the wafer 10, when the wafer 10 is inserted into the cut groove 42 and rotates, the wafer 10 The wafer detection sensor 47 is installed on the inner wall of the incision groove 42 so as to detect the portion of the flazone 13, and the transfer unit 45 is provided in the solvent supply unit 43 so that the solvent supply pipe 41 can move. ) Is installed.

이때, 웨이퍼 감지센서(47)는 회전하는 웨이퍼(10)의 원주면과의 거리를 감지할 수 있는 위치감지센서로 구성됨이 바람직하다.At this time, the wafer sensor 47 is preferably composed of a position sensor for detecting the distance to the circumferential surface of the rotating wafer (10).

이하, 이와 같은 구성을 갖는 본 발명에 의한 스핀 코터(100)가 웨이퍼(10)에 포토레지스트(12)를 도포하는 공정 및 웨이퍼(10)의 에지(11) 및 플랫존(13)에 형성된 포토레지스트 박막(12)을 제거하는 공정을 설명하면 다음과 같다. Hereinafter, the process of applying the photoresist 12 to the wafer 10 by the spin coater 100 according to the present invention having such a configuration, and the photo formed on the edge 11 and the flat zone 13 of the wafer 10. A process of removing the resist thin film 12 is described below.

선행 공정이 종료된 웨이퍼(10)는 웨이퍼 이송장치에 의해서 본 발명에 따른 스핀 코터(100)의 웨이퍼 척(35) 위에 로딩되고, 웨이퍼 척(35)은 진공으로 흡착하여 웨이퍼(10)를 고정한다. The wafer 10 in which the preceding process is completed is loaded onto the wafer chuck 35 of the spin coater 100 according to the present invention by the wafer transfer device, and the wafer chuck 35 is sucked by vacuum to fix the wafer 10. do.

웨이퍼(10)의 로딩이 끝나면, 구동장치(37)는 회전을 시작하고, 따라서, 회전축(33)과 함께 웨이퍼 척(35)과 웨이퍼(10)가 회전하기 시작한다.When the loading of the wafer 10 is finished, the driving device 37 starts to rotate, and thus, the wafer chuck 35 and the wafer 10 start to rotate together with the rotary shaft 33.

이때, 웨이퍼(10)가 소정 r.p.m에 도달하면, 포토레지스트 공급노즐(27)에서는 포토레지스트(12)가 공급되고, 따라서, 회전에 의한 원심력에 의해서 웨이퍼(10)의 전면적에는 포토레지스트(12)가 얇고 균일하게 도포된다. At this time, when the wafer 10 reaches a predetermined rpm, the photoresist 12 is supplied from the photoresist supply nozzle 27. Therefore, the photoresist 12 is applied to the entire surface of the wafer 10 by centrifugal force due to rotation. Is applied thinly and evenly.

이와 같이 웨이퍼(10)에 포토레지스트(12)의 도포가 완료되면, 용매공급배관(41)에 형성된 절개홈(42)이 웨이퍼(10)를 삽입시킬 수 있는 위치로 이동되고, 이동이 끝나면 용매공급유닛(43)은 용매공급배관(41) 및 절개홈(42)을 통하여 웨이퍼(10)의 에지(11) 및 플랫존(13)에 용매를 공급한다. As such, when the application of the photoresist 12 to the wafer 10 is completed, the cut groove 42 formed in the solvent supply pipe 41 is moved to a position where the wafer 10 can be inserted. The supply unit 43 supplies the solvent to the edge 11 and the flat zone 13 of the wafer 10 through the solvent supply pipe 41 and the cutout groove 42.

이때, 용매 공급에 의해 포토레지스트 박막(12)이 제거되고 있는 웨이퍼(10)에 원주면의 곡률이 변경될 경우, 즉, 절개홈(42)과 대향되는 면이 에지(11)에서 플랫존(13)으로 또는 플랫존(13)에서 에지(11)로 변경될 경우, 절개홈(42)에 설치된 웨이퍼 감지 센서(47)는 웨이퍼(10)의 원주면과의 거리를 감지하여 중앙처리장치에 소정 신호를 보낸다.At this time, when the curvature of the circumferential surface is changed on the wafer 10 from which the photoresist thin film 12 is removed by the solvent supply, that is, the surface facing the cutout groove 42 is flat at the edge 11. 13) or when the edge 11 is changed from the flat zone 13 to the edge 11, the wafer detection sensor 47 installed in the cutout groove 42 detects the distance from the circumferential surface of the wafer 10 to the central processing unit. Send a predetermined signal.

따라서 중앙처리장치는 이송유닛(45)을 제어하여 용매공급유닛(43) 및 용매공급배관(41)을 이동시킴으로써, 웨이퍼(10)의 원주면과 절개홈(42)은 일정한 간격을 유지하게 되고, 이에 따라 웨이퍼(10)의 에지(11) 및 플랫존(13)에 용매 공급이 가능하기 때문에, 웨이퍼(10)의 에지(11)뿐만 아니라 플랫존(13)에 형성된 포토레지스트 박막(12)까지 제거된다.Accordingly, the central processing unit controls the transfer unit 45 to move the solvent supply unit 43 and the solvent supply pipe 41 so that the circumferential surface of the wafer 10 and the cutout groove 42 are maintained at a constant interval. Accordingly, since the solvent can be supplied to the edge 11 and the flat zone 13 of the wafer 10, the photoresist thin film 12 formed on the flat zone 13 as well as the edge 11 of the wafer 10. To be removed.

이상에서 설명한 바에 의하면, 웨이퍼의 에지에 형성된 포토레지스트 박막을 용매에 의해 제거할 때, 웨이퍼의 에지가 절개홈에 삽입되어, 웨이퍼와 절개홈이 소정 간격을 유지하면서 회전하는 웨이퍼에 용매를 적셔주기 때문에 용매가 웨이퍼의 액티브 영역으로 튀지 않을 뿐만 아니라 웨이퍼의 플랫존에 형성된 포토레지스 트 박막까지 제거하는 효과가 있다.As described above, when the photoresist thin film formed on the edge of the wafer is removed by the solvent, the edge of the wafer is inserted into the incision groove, so that the solvent is wetted in the rotating wafer while the wafer and the incision groove maintain a predetermined interval. Therefore, the solvent not only splashes into the active region of the wafer but also removes the photoresist thin film formed in the flat zone of the wafer.

Claims

A solvent supply device for supplying a solvent to remove the photoresist applied to the edge and the flat zone of the wafer, a solvent supply pipe for supplying the solvent from the solvent supply device, a cut formed by cutting a portion of the end of the solvent supply pipe Method for removing photoresist applied to the edge and flat zone of the wafer by a photoresist removal device comprising a transfer device for moving the wafer into the groove, the position sensing means for sensing the edge and the flat zone of the wafer To

Determining, by the position detecting means, a portion of an edge of the wafer and a flat zone located inside the cut groove;

When the determination result is a flat zone portion of the wafer, causing the flat zone portion to move into the cutout groove by the transfer device;

Removing the photoresist applied to the flat zone by the solvent.

A photoresist shatterproof cover having a hole formed at the bottom thereof in a bowl shape, a wafer rotator coupled with the photoresist shatterproof cover to rotate the wafer, and a photoresist supplied to the wafer by being located at an outer side of the photoresist shatterproof cover A photoresist supply device;

A solvent supply unit located on the other side of the photoresist shatterproof cover and storing a solvent;

A cutoff groove formed on one side thereof and in communication with the solvent supply unit, the solvent supply pipe receiving the solvent from the solvent supply unit and supplying the solvent to the edge of the wafer through the cutout groove;

A wafer detection sensor installed on an inner wall of the cutout groove;

And a photoresist removing device connected to the solvent supply unit and configured to move the solvent supply unit.

The method of claim 2, wherein the wafer detection sensor

And a position sensor for sensing a wafer edge and a flat zone to generate a predetermined signal value.