KR20220157320A - Coating method and coating device - Google Patents

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KR20220157320A
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유스케 구마다
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가부시키가이샤 스크린 홀딩스
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Abstract

A substrate has an upper surface and a lower surface, and an annular convex part is formed on the upper surface. The substrate is held horizontally. A coating liquid is supplied to the upper surface of the substrate. By rotating the substrate around a vertical axis during or after supplying the coating liquid, the coating liquid is spread over the entire upper surface. Afterward, the substrate is dried by rotating the substrate around the vertical axis. When drying the substrate, the substrate is rotated at a first rotating velocity from a first time point to a second time point after the first time point. In addition, the substrate is rotated at a second rotating velocity higher than the first rotating velocity from the second time point to a third time point after the second time point. Therefore, provided are a coating method and a coating device capable of preventing substrate processing failures and substrate contamination caused by unnecessary coating liquid remaining on a substrate.

Description

도포 처리 방법 및 도포 처리 장치{COATING METHOD AND COATING DEVICE}Coating treatment method and coating treatment device {COATING METHOD AND COATING DEVICE}

본 발명은, 기판에 도포막을 형성하는 도포 처리 방법 및 도포 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a coating treatment method and a coating treatment apparatus for forming a coating film on a substrate.

반도체 기판, 액정 표시 장치 혹은 유기 EL(Electro Luminescence) 표시 장치 등의 FPD(Flat Panel Display)용 기판, 광디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판, 세라믹 기판 또는 태양 전지용 기판 등의 기판에 다양한 처리를 행하기 위하여, 기판 처리 장치가 이용된다.A semiconductor substrate, a substrate for FPD (Flat Panel Display) such as a liquid crystal display device or an organic EL (Electro Luminescence) display device, a substrate for an optical disk, a substrate for a magnetic disk, a substrate for a magneto-optical disk, a substrate for a photomask, a ceramic substrate, or a solar substrate. In order to perform various treatments on substrates such as battery substrates, a substrate processing apparatus is used.

기판 처리 장치의 일례로서, 기판의 상면에 레지스트막 또는 반사 방지막 등의 도포막을 형성하는 도포 처리 장치가 있다. 도포 처리 장치에 있어서는, 예를 들면 한 장의 기판이 스핀 척에 의하여 수평 자세로 유지된다. 또, 스핀 척에 의하여 유지된 기판이 회전한다. 회전하는 기판의 상면에 대하여, 형성되어야 하는 도포막의 종류에 따른 도포액이 공급된다. 기판 상에 공급된 도포액은, 원심력에 의하여 기판의 상면 전체에 퍼진다. 기판 상의 도포액이 건조됨으로써 도포막이 형성된다.As an example of a substrate processing device, there is a coating processing device that forms a coating film such as a resist film or an antireflection film on the upper surface of a substrate. In the application processing apparatus, for example, one substrate is held in a horizontal position by a spin chuck. Also, the substrate held by the spin chuck rotates. A coating liquid according to the type of coating film to be formed is supplied to the upper surface of the rotating substrate. The coating liquid supplied onto the substrate is spread over the entire upper surface of the substrate by centrifugal force. A coating film is formed by drying the coating liquid on the substrate.

도포 처리에 필요로 하는 비용을 저감시키기 위하여, 한 장의 기판당 이용되는 도포액의 양을 저감시키는 것이 바람직하다. 또, 한 장의 기판당 이용되는 도포액의 양이 적은 경우여도, 기판의 일면에는 균일하게 도포막을 형성하는 것이 바람직하다. 이러한 점을 고려하여, 예를 들면 일본국 특허공개 2010-212658호 공보에 기재된 레지스트 도포 방법에서는, 기판에 대한 레지스트액의 공급이 개시된 후, 기판의 회전 속도가 시간의 경과와 함께 복수의 레벨로 변경된다. 기판 상에 레지스트액이 펴 발라진 후, 레지스트액을 건조시키기 위하여, 소정 기간 일정한 회전 속도로 기판이 회전한다.In order to reduce the cost required for the coating treatment, it is desirable to reduce the amount of the coating liquid used per one substrate. Further, even when the amount of the coating liquid used per one substrate is small, it is preferable to form a uniform coating film on one side of the substrate. Taking this into account, in the resist coating method disclosed in, for example, Japanese Unexamined Patent Publication No. 2010-212658, after the supply of the resist solution to the substrate is started, the rotational speed of the substrate decreases over time to a plurality of levels. Changed. After the resist liquid is spread on the substrate, the substrate is rotated at a constant rotational speed for a predetermined period in order to dry the resist liquid.

최근, 반도체 디바이스의 소형화 및 경량화를 실현하기 위하여, 기판의 박형화가 진행되고 있다. 현저하게 박형화된 기판의 취급은 어렵다. 이에 대하여, 대략 원 형상을 갖는 기판의 일면에, 당해 기판의 외주 단부를 따르는 원환 형상의 볼록부를 갖는 기판이 알려져 있다(예를 들면, 일본국 특허공개 2012-146889호 공보 참조). 이 기판은, 원환 형상의 볼록부가 보강부로서 기능함으로써, 취급성이 향상되어 있다.In recent years, in order to realize miniaturization and weight reduction of semiconductor devices, thinning of substrates is progressing. Handling of significantly thinned substrates is difficult. In contrast, there is known a substrate having an annular convex portion along an outer circumferential end of the substrate on one surface of a substrate having a substantially circular shape (see, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 2012-146889). In this substrate, the handleability is improved because the annular convex portion functions as a reinforcing portion.

상기의 기판의 일면에 있어서는, 원환 형상의 볼록부의 내측에 단차가 형성된다. 그 때문에, 기판의 일면 상에 도포막을 형성하는 도포 처리에 있어서, 원환 형상의 볼록부의 내주 단부에 도포액이 잔류하면, 잔류한 도포액에 기인하여 기판의 처리 불량이 발생할 가능성이 있다. 혹은, 잔류한 도포액에 기인하여 파티클이 발생할 가능성이 있다.On one surface of the above substrate, a step is formed on the inside of the annular convex portion. Therefore, in the coating process for forming a coating film on one surface of the substrate, if the coating liquid remains on the inner circumferential end of the annular convex portion, processing defects of the substrate may occur due to the remaining coating liquid. Alternatively, there is a possibility that particles are generated due to the remaining coating liquid.

본 발명의 목적은, 불필요한 도포액이 기판 상에 잔류하는 것에 기인하여 발생하는 기판의 처리 불량 및 기판의 오염을 방지하는 것이 가능한 도포 처리 방법 및 도포 처리 장치를 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a coating method and a coating apparatus capable of preventing substrate processing defects and substrate contamination caused by unnecessary coating liquid remaining on a substrate.

(1) 본 발명의 일 국면에 따른 도포 처리 방법은, 적어도 일부가 원 형상의 외주부를 갖는 기판에 도포막을 형성하는 도포 처리 방법으로서, 기판은, 서로 역방향을 향하는 제1 면 및 제2 면을 갖고, 제1 면에는, 당해 제1 면에 직교하는 방향으로 돌출되고 또한 외주부를 따라 연장되는 원환 형상의 볼록부가 형성되고, 도포 처리 방법은, 제1 면이 상방을 향하도록 기판을 수평 자세로 유지하는 단계와, 제1 면에 도포액을 공급하고, 도포액의 공급 중 또는 공급 후에 수평 자세로 유지된 기판을 연직축 둘레로 회전시킴으로써 당해 제1 면 전체에 도포액을 퍼지게 하는 단계와, 도포액을 퍼지게 하는 단계 후, 수평 자세로 유지된 기판을 연직축 둘레로 회전시킴으로써 기판을 건조시키는 단계를 포함하고, 기판을 건조시키는 단계는, 제1 시점부터 제1 시점보다 후의 제2 시점까지의 사이, 제1 회전 속도로 기판을 회전시키는 것과, 제2 시점부터 제2 시점보다 후의 제3 시점까지의 사이, 제1 회전 속도보다 높은 제2 회전 속도로 기판을 회전시키는 것을 포함한다.(1) A coating method according to one aspect of the present invention is a coating method for forming a coating film on a substrate at least partially having a circular outer peripheral portion, wherein the substrate has a first surface and a second surface facing in opposite directions to each other. and, on the first surface, an annular convex portion protrudes in a direction orthogonal to the first surface and extends along the outer periphery, and the coating treatment method comprises placing the substrate in a horizontal posture so that the first surface faces upward. holding, supplying the coating liquid to the first surface, and spreading the coating liquid over the entire first surface by rotating the substrate held in a horizontal position around a vertical axis during or after the supply of the coating liquid; After the step of spreading the liquid, a step of drying the substrate by rotating the substrate held in a horizontal position around a vertical axis, wherein the step of drying the substrate is between a first time point and a second time point later than the first time point. .

그 도포 처리 방법에 있어서는, 제1 면이 상방을 향하도록 기판이 수평 자세로 유지된다. 또, 제1 면에 도포액이 공급된다. 또한, 도포액의 공급 중 또는 공급 후에 기판이 회전되어, 제1 면 전체에 도포액이 퍼진다. 제1 면 전체에 도포액이 퍼진 후, 기판을 건조시키기 위하여, 제1 시점부터 제2 시점에 걸쳐 기판이 제1 회전 속도로 회전한다. 이에 의하여, 기판의 중앙 부분에 위치하고 또한 유동성을 갖는 도포액이 기판의 외주부를 향하여 이동한다. 따라서, 기판의 제1 면에 있어서의 중앙 부분이 건조된다.In the coating treatment method, the substrate is held in a horizontal posture so that the first surface faces upward. In addition, the coating liquid is supplied to the first surface. In addition, the substrate is rotated during or after the supply of the coating liquid, so that the coating liquid spreads over the entire first surface. After the coating liquid is spread over the entire first surface, the substrate is rotated at a first rotational speed from the first time point to the second time point in order to dry the substrate. Thereby, the coating liquid located in the central portion of the substrate and having fluidity moves toward the outer peripheral portion of the substrate. Thus, the central portion of the first surface of the substrate is dried.

계속해서, 제2 시점부터 제3 시점에 걸쳐 기판이 제1 회전 속도보다 높은 제2 회전 속도로 회전한다. 이 경우, 기판의 외주부 및 그 근방에서 유동하는 도포액에, 보다 큰 원심력이 작용한다. 또, 기판을 둘러싸는 공간에, 보다 큰 기류가 발생한다. 그에 의하여, 제1 면 상에서 기판의 중심으로부터 외주부를 향하여 유동하는 도포액의 대부분이 원환 형상의 볼록부의 내측의 영역으로부터 기판의 바깥쪽을 향하여 비산한다. 환언하면, 제1 면 상에서 원환 형상의 볼록부의 내연(內緣)으로 이끌어지는 불필요한 도포액이, 기판의 바깥쪽으로 떨쳐 내어진다.Subsequently, the substrate is rotated at a second rotational speed higher than the first rotational speed from the second time point to the third time point. In this case, a larger centrifugal force acts on the coating liquid flowing in and around the outer periphery of the substrate. Further, a larger air flow is generated in the space surrounding the substrate. Thereby, most of the coating liquid flowing from the center of the substrate toward the outer periphery on the first surface is scattered toward the outside of the substrate from a region inside the annular convex portion. In other words, the unnecessary coating liquid leading to the inner edge of the annular convex portion on the first surface is shed to the outside of the substrate.

그 결과, 도포 처리 시에 불필요한 도포액이 기판 상에 잔류하는 것에 기인하여 기판의 처리 불량 및 기판의 오염이 발생하는 것을 방지할 수 있다.As a result, it is possible to prevent processing defects and contamination of the substrate due to unnecessary coating liquid remaining on the substrate during the coating process.

(2) 도포 처리 방법은, 기판을 건조시키는 단계 후, 제1 회전 속도보다 낮은 제3 회전 속도로 기판을 회전시키면서, 제2 면에 린스액을 공급하는 단계를 추가로 포함해도 된다.(2) The coating treatment method may further include, after the step of drying the substrate, a step of supplying a rinse liquid to the second surface while rotating the substrate at a third rotational speed lower than the first rotational speed.

이 경우, 제1 회전 속도로 회전하는 기판에 린스액을 공급하는 경우에 비하여, 기판으로부터 비산하는 린스액의 양을 저감시킬 수 있다. 이에 의하여, 제1 면에 린스액이 부착함으로써 처리 불량이 발생하는 것을 방지할 수 있다.In this case, compared to the case where the rinsing liquid is supplied to the substrate rotating at the first rotational speed, the amount of the rinsing liquid scattered from the substrate can be reduced. Accordingly, it is possible to prevent occurrence of processing defects due to adhesion of the rinsing liquid to the first surface.

(3) 제2 시점은, 제1 면 상에 퍼진 도포액 중 제1 면의 중앙 영역에 존재하는 부분이 건조되고 또한 제1 면의 중앙 영역을 둘러싸는 영역 상에 존재하는 부분이 유동하는 상태에 있는 기간 내가 되도록 정해져도 된다.(3) The second time point is a state in which the portion of the coating liquid spread on the first surface in the central region of the first surface is dried and the portion present in the region surrounding the central region of the first surface is flowing. It may be set to be within the period in

이 경우, 기판을 건조시킬 때에, 제2 시점부터 제3 시점에 걸쳐 제1 면의 중앙 영역을 둘러싸는 영역에 존재하는 도포액이 원활하게 떨쳐 내어진다.In this case, when drying the substrate, the coating liquid existing in the area surrounding the central area of the first surface is smoothly removed from the second to the third time point.

(4) 제2 시점은, 제1 시점 경과 후 제1 면에 공급된 도포액의 표면에 발생하는 간섭 무늬가 소멸하기보다 전의 시점으로 정해져도 된다.(4) The second point in time may be determined as a point in time before the disappearance of interference fringes generated on the surface of the coating liquid supplied to the first surface after the passage of the first point in time.

이 경우, 간섭 무늬가 소멸하기보다 전에 제2 회전 속도에 의한 기판의 회전이 개시된다. 이에 의하여, 기판의 외주부 및 그 근방에 존재하고 또한 유동성을 갖는 도포액이 원활하게 떨쳐 내어진다.In this case, rotation of the substrate at the second rotational speed is started before the interference fringe disappears. As a result, the coating liquid that exists on and around the outer periphery of the substrate and has fluidity is smoothly removed.

(5) 제2 회전 속도는, 제1 회전 속도의 2배의 회전 속도보다 높아도 된다.(5) The second rotational speed may be higher than twice the rotational speed of the first rotational speed.

이 경우, 제1 면 상에서 원환 형상의 볼록부의 내연으로 이끌어지는 불필요한 도포액에, 보다 큰 원심력이 작용한다. 또, 기판을 둘러싸는 공간에 더욱 큰 기류가 발생한다. 이에 의하여, 원환 형상의 볼록부의 내측의 불필요한 도포액이, 보다 원활하게 기판의 바깥쪽으로 떨쳐 내어진다.In this case, a larger centrifugal force acts on the unnecessary coating liquid leading to the inner edge of the annular convex portion on the first surface. Further, a larger air flow is generated in the space surrounding the substrate. As a result, the unnecessary coating liquid inside the annular convex portion is more smoothly expelled to the outside of the substrate.

(6) 본 발명의 다른 국면에 따른 도포 처리 장치는, 적어도 일부가 원 형상의 외주부를 갖는 기판에 도포막을 형성하는 도포 처리 장치로서, 기판은, 서로 역방향을 향하는 제1 면 및 제2 면을 갖고, 제1 면에는, 당해 제1 면에 직교하는 방향으로 돌출되고 또한 외주부를 따라 연장되는 원환 형상의 볼록부가 형성되고, 도포 처리 장치는, 제1 면이 상방을 향하도록 기판을 수평 자세로 유지하면서 연직축 둘레로 회전시키는 회전 유지부와, 제1 면에 도포액을 공급하는 도포액 공급부와, 제1 면에 도포액이 공급되도록 도포액 공급부를 제어하고, 도포액의 공급 중 또는 공급 후에 수평 자세로 유지된 기판이 연직축 둘레로 회전함으로써 당해 제1 면 전체에 도포액이 퍼지도록 회전 유지부를 제어하는 제어부를 구비하고, 제어부는, 제1 면 전체에 도포액이 퍼진 후, 제1 시점부터 제1 시점보다 후의 제2 시점까지의 사이, 수평 자세로 유지된 기판이 제1 회전 속도로 회전하고, 제2 시점부터 제2 시점보다 후의 제3 시점까지의 사이, 수평 자세로 유지된 기판이 제1 회전 속도보다 높은 제2 회전 속도로 회전함으로써 기판이 건조되도록 회전 유지부를 추가로 제어한다.(6) A coating apparatus according to another aspect of the present invention forms a coating film on a substrate at least partially having a circular outer peripheral portion, wherein the substrate has a first surface and a second surface facing in opposite directions to each other. and, on the first surface, an annular convex portion protrudes in a direction orthogonal to the first surface and extends along the outer periphery, and the coating apparatus is configured to hold the substrate in a horizontal posture so that the first surface faces upward. A rotation holding unit that rotates around a vertical axis while holding, a coating liquid supply unit that supplies a coating liquid to the first surface, and a coating liquid supply unit that controls the coating liquid supply unit so that the coating liquid is supplied to the first surface, during or after supply of the coating liquid. A control unit controlling a rotation holding unit so that the coating liquid spreads over the entire first surface by rotating the substrate held in a horizontal position around a vertical axis, wherein the control unit, after the coating liquid spreads over the entire first surface, from the second point in time to the second point in time after the first point in time, the substrate held in the horizontal position rotates at the first rotational speed, and the substrate held in the level position between the second point in time and the third point in time after the second point in time. The rotation holding unit is further controlled so that the substrate is dried by rotating at a second rotational speed higher than the first rotational speed.

그 도포 처리 장치에 있어서는, 제1 면이 상방을 향하도록 기판이 수평 자세로 유지된다. 또, 제1 면에 도포액이 공급된다. 또한, 도포액의 공급 중 또는 공급 후에 기판이 회전되어, 제1 면 전체에 도포액이 퍼진다. 제1 면 전체에 도포액이 퍼진 후, 기판을 건조시키기 위하여, 제1 시점부터 제2 시점에 걸쳐 기판이 제1 회전 속도로 회전한다. 이에 의하여, 기판의 중앙 부분에 위치하고 또한 유동성을 갖는 도포액이 기판의 외주부를 향하여 이동한다. 따라서, 기판의 제1 면에 있어서의 중앙 부분이 건조된다.In the coating processing apparatus, the substrate is held in a horizontal posture so that the first surface faces upward. In addition, the coating liquid is supplied to the first surface. In addition, the substrate is rotated during or after the supply of the coating liquid, so that the coating liquid spreads over the entire first surface. After the coating liquid is spread over the entire first surface, the substrate is rotated at a first rotational speed from the first time point to the second time point in order to dry the substrate. Thereby, the coating liquid located in the central portion of the substrate and having fluidity moves toward the outer peripheral portion of the substrate. Thus, the central portion of the first surface of the substrate is dried.

계속해서, 제2 시점부터 제3 시점에 걸쳐 기판이 제1 회전 속도보다 높은 제2 회전 속도로 회전한다. 이 경우, 기판의 외주부 및 그 근방에서 유동하는 도포액에, 보다 큰 원심력이 작용한다. 또, 기판을 둘러싸는 공간에, 보다 큰 기류가 발생한다. 이에 의하여, 제1 면 상에서 기판의 중심으로부터 외주부를 향하여 유동하는 도포액의 대부분이 원환 형상의 볼록부의 내측의 영역으로부터 기판의 바깥쪽을 향하여 비산한다. 환언하면, 제1 면 상에서 원환 형상의 볼록부의 내연으로 이끌어지는 불필요한 도포액이, 기판의 바깥쪽으로 떨쳐 내어진다.Subsequently, the substrate is rotated at a second rotational speed higher than the first rotational speed from the second time point to the third time point. In this case, a larger centrifugal force acts on the coating liquid flowing in and around the outer periphery of the substrate. Further, a larger air flow is generated in the space surrounding the substrate. As a result, most of the coating liquid flowing from the center of the substrate toward the outer periphery on the first surface is scattered toward the outside of the substrate from the area inside the annular convex portion. In other words, the unnecessary coating liquid leading to the inner edge of the annular convex portion on the first surface is shed to the outside of the substrate.

그 결과, 도포 처리 시에 불필요한 도포액이 기판 상에 잔류하는 것에 기인하여 기판의 처리 불량 및 기판의 오염이 발생하는 것을 방지할 수 있다.As a result, it is possible to prevent processing defects and contamination of the substrate due to unnecessary coating liquid remaining on the substrate during the coating process.

(7) 도포 처리 장치는, 제2 면에 린스액을 공급하는 린스액 공급부를 추가로 구비하고, 제어부는, 기판이 제2 회전 속도로 회전함으로써 건조된 후, 제1 회전 속도보다 낮은 제3 회전 속도로 기판이 회전하도록 회전 유지부를 추가로 제어함과 더불어, 제3 회전 속도로 회전하는 기판의 제2 면에 린스액이 공급되도록 린스액 공급부를 추가로 제어해도 된다.(7) The coating treatment apparatus further includes a rinse liquid supply unit for supplying a rinse liquid to the second surface, and the controller includes a third rotation speed lower than the first rotation speed after the substrate is dried by rotating at the second rotation speed. In addition to further controlling the rotation holding unit so that the substrate rotates at the rotational speed, the rinsing liquid supply unit may be further controlled so that the rinsing liquid is supplied to the second surface of the substrate rotating at the third rotational speed.

이 경우, 제1 회전 속도로 회전하는 기판에 린스액을 공급하는 경우에 비하여, 기판으로부터 비산하는 린스액의 양을 저감시킬 수 있다. 이에 의하여, 제1 면에 린스액이 부착함으로써 발생하는 처리 불량을 방지할 수 있다.In this case, compared to the case where the rinsing liquid is supplied to the substrate rotating at the first rotational speed, the amount of the rinsing liquid scattered from the substrate can be reduced. Accordingly, it is possible to prevent processing defects caused by adhesion of the rinsing liquid to the first surface.

(8) 제2 시점은, 제1 면 상에 퍼진 도포액 중 제1 면의 중앙 영역에 존재하는 부분이 건조되고 또한 제1 면의 중앙 영역을 둘러싸는 영역 상에 존재하는 부분이 유동하는 상태에 있는 기간 내가 되도록 정해져도 된다.(8) The second time point is a state in which the portion of the coating liquid spread on the first surface in the central region of the first surface is dried and the portion present in the region surrounding the central region of the first surface is flowing. It may be set to be within the period in

이 경우, 기판을 건조시킬 때에, 제2 시점부터 제3 시점에 걸쳐 제1 면의 중앙 영역을 둘러싸는 영역에 존재하는 도포액이 원활하게 떨쳐 내어진다.In this case, when drying the substrate, the coating liquid existing in the area surrounding the central area of the first surface is smoothly removed from the second to the third time point.

(9) 제2 시점은, 제1 시점 경과 후 제1 면에 공급된 도포액의 표면에 발생하는 간섭 무늬가 소멸하기보다 전의 시점으로 정해져도 된다.(9) The second point in time may be determined as a point in time before the disappearance of interference fringes generated on the surface of the coating liquid supplied to the first surface after the passage of the first point in time.

이 경우, 간섭 무늬가 소멸하기보다 전에 제2 회전 속도에 의한 기판의 회전이 개시된다. 그에 의하여, 기판의 외주부 및 그 근방에 존재하고 또한 유동성을 갖는 도포액이 원활하게 떨쳐 내어진다.In this case, rotation of the substrate at the second rotational speed is started before the interference fringe disappears. As a result, the coating liquid that exists on and around the outer periphery of the substrate and has fluidity is smoothly removed.

(10) 제2 회전 속도는, 제1 회전 속도의 2배의 회전 속도보다 높아도 된다.(10) The second rotational speed may be higher than twice the rotational speed of the first rotational speed.

이 경우, 제1 면 상에서 원환 형상의 볼록부의 내연으로 이끌어지는 불필요한 도포액에, 보다 큰 원심력이 작용한다. 또, 기판을 둘러싸는 공간에 더욱 큰 기류가 발생한다. 이에 의하여, 원환 형상의 볼록부의 내측의 불필요한 도포액이, 보다 원활하게 기판의 바깥쪽으로 떨쳐 내어진다.In this case, a larger centrifugal force acts on the unnecessary coating liquid leading to the inner edge of the annular convex portion on the first surface. Further, a larger air flow is generated in the space surrounding the substrate. As a result, the unnecessary coating liquid inside the annular convex portion is more smoothly expelled to the outside of the substrate.

도 1은, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 도포 처리 장치의 모식적 단면도이다.
도 2는, 도 1의 도포 처리 장치의 모식적 평면도이다.
도 3은, 도 1의 도포 처리 장치의 처리 대상이 되는 기판의 평면도이다.
도 4는, 도 3의 기판의 A-A선 단면도이다.
도 5는, 액막 건조 공정에 있어서 기판(W)의 림부와 내측 영역의 경계의 단차에 레지스트액이 체류하는 예를 나타내는 도면이다.
도 6은, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 도포 처리 중인 기판의 회전 속도의 제어예를 나타내는 도면이다.
도 7은, 도 6의 액막 건조 공정에 있어서 기판의 림부 및 그 주변부에 존재하는 레지스트액 또는 레지스트막의 상태의 변화를 나타내는 도면이다.
도 8은, 실시예 기판 및 비교예 기판의 레지스트막의 막두께 분포의 일부를 나타내는 도면이다.1 is a schematic cross-sectional view of a coating treatment device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a schematic plan view of the application processing apparatus of FIG. 1 .
FIG. 3 is a plan view of a substrate to be treated by the coating apparatus of FIG. 1 .
Fig. 4 is a cross-sectional view along line AA of the substrate of Fig. 3;
FIG. 5 is a diagram showing an example in which a resist liquid stays in a step at the boundary between the rim portion of the substrate W and the inner region in the liquid film drying step.
6 is a diagram showing an example of controlling the rotational speed of a substrate during a coating process according to an embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a diagram showing changes in the state of a resist liquid or resist film present in the rim portion of the substrate and its periphery in the liquid film drying step of FIG. 6 .
8 is a diagram showing a part of the film thickness distribution of the resist film of the example substrate and the comparative example substrate.

이하, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 도포 처리 방법 및 도포 처리 장치에 대하여 도면을 참조하면서 설명한다. 이하의 설명에 있어서, 기판이란, 액정 표시 장치 또는 유기 EL(Electro Luminescence) 표시 장치 등에 이용되는 FPD(Flat Panel Display)용 기판, 반도체 기판, 광디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판, 세라믹 기판 또는 태양 전지용 기판 등을 말한다. 또, 본 실시 형태에서는, 기판의 상면이 회로 형성면(표면)이며, 기판의 하면이 회로 형성면과 반대측의 면(이면)이다. 또한, 본 실시 형태에서는, 기판은, 평면에서 보았을 때 노치의 형성 부분을 제외하고 원 형상을 갖는다. 기판의 형상의 상세는 후술한다.Hereinafter, a coating treatment method and a coating treatment apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following description, the substrate refers to a substrate for a flat panel display (FPD) used for a liquid crystal display device or an organic EL (electro luminescence) display device, a semiconductor substrate, a substrate for an optical disk, a substrate for a magnetic disk, and a substrate for a magneto-optical disk. , a substrate for a photomask, a ceramic substrate, or a substrate for a solar cell. In this embodiment, the upper surface of the substrate is the circuit formation surface (surface), and the lower surface of the substrate is the surface (back surface) opposite to the circuit formation surface. Further, in the present embodiment, the substrate has a circular shape except for the formation portion of the notch in plan view. Details of the shape of the substrate will be described later.

[1] 도포 처리 장치의 전체 구성[1] Overall configuration of the coating treatment device

도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 도포 처리 장치의 모식적 단면도이며, 도 2는 도 1의 도포 처리 장치(1)의 모식적 평면도이다. 도 2에서는, 도 1의 도포 처리 장치(1)의 복수의 구성 요소 중 일부의 구성 요소의 도시가 생략되어 있다. 또, 도 1의 기판(W)이 일점쇄선으로 나타내어진다.FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of an application processing device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a schematic plan view of the application processing device 1 of FIG. 1 . In FIG. 2 , illustration of some components among a plurality of components of the coating apparatus 1 of FIG. 1 is omitted. In addition, the board|substrate W of FIG. 1 is shown by the dashed-dotted line.

도 1에 나타내는 바와 같이, 본 실시 형태에 따른 도포 처리 장치(1)는, 주로 회전 유지 장치(10), 액 공급 장치(20) 및 제어부(30)를 구비한다. 회전 유지 장치(10)는, 기판(W)의 하면 중앙부를 흡착 유지하면서 회전시키는 것이 가능하게 구성된다.As shown in FIG. 1 , the coating device 1 according to the present embodiment mainly includes a rotation holding device 10, a liquid supply device 20, and a control unit 30. The rotating holding device 10 is configured to be capable of rotating the lower surface of the substrate W while adsorbing and holding the center portion thereof.

액 공급 장치(20)는, 레지스트 노즐(21), 도포액 공급계(22), 용제 노즐(23) 및 용제 공급계(24)를 포함한다. 도포액 공급계(22)는, 레지스트 노즐(21)에 레지스트액을 공급한다. 레지스트 노즐(21)은, 공급된 레지스트액을 회전 유지 장치(10)에 의하여 흡착 유지되어 회전하는 기판(W)의 상면에 토출한다. 용제 공급계(24)는, 용제 노즐(23)에 용제를 공급한다. 용제 노즐(23)은, 공급된 용제를 회전 유지 장치(10)에 의하여 흡착 유지되는 기판(W)의 상면에 토출한다. 여기서, 용제 노즐(23)에 공급되는 용제로서는, 후술하는 도포 처리에 의하여 기판(W) 상에 형성되는 레지스트막을 용해 가능한 용제가 이용된다. 제어부(30)는, CPU(중앙 연산 처리 장치) 및 메모리, 또는 마이크로컴퓨터를 포함하고, 회전 유지 장치(10) 및 액 공급 장치(20)의 동작을 제어한다.The liquid supply device 20 includes a resist nozzle 21 , a coating liquid supply system 22 , a solvent nozzle 23 and a solvent supply system 24 . The coating liquid supply system 22 supplies a resist liquid to the resist nozzle 21 . The resist nozzle 21 discharges the supplied resist liquid onto the upper surface of the substrate W which is adsorbed and held by the rotation holding device 10 and rotates. The solvent supply system 24 supplies the solvent to the solvent nozzle 23 . The solvent nozzle 23 discharges the supplied solvent onto the upper surface of the substrate W adsorbed and held by the rotation holding device 10 . Here, as the solvent supplied to the solvent nozzle 23, a solvent capable of dissolving a resist film formed on the substrate W by an application process described later is used. The control unit 30 includes a CPU (central processing unit) and a memory or a microcomputer, and controls operations of the rotation holding device 10 and the liquid supply device 20 .

회전 유지 장치(10)의 구체적인 구성에 대하여 설명한다. 회전 유지 장치(10)는, 흡착 유지부(11), 회전축(12), 회전 구동부(13), 흡인 장치(14), 컵(15), 배액 안내관(16), 하면 노즐(17) 및 린스액 공급계(18)를 포함한다.The specific structure of the rotation holding device 10 is demonstrated. The rotating holding device 10 includes a suction holding unit 11, a rotating shaft 12, a rotation driving unit 13, a suction unit 14, a cup 15, a drainage guide tube 16, a lower surface nozzle 17, and A rinse liquid supply system 18 is included.

흡착 유지부(11)는, 기판(W)의 하면 중앙부를 흡착 유지하는 상면(11u)을 갖고, 상하 방향으로 연장되는 회전축(12)의 상단부에 장착되어 있다. 흡착 유지부(11)의 상면(11u)에는, 다수의 흡인 구멍(h)(도 2)이 형성되어 있다. 회전 구동부(13)는, 회전축(12)을 그 축심 둘레로 회전시킨다.The adsorption holding portion 11 has an upper surface 11u for adsorbing and holding the lower surface central portion of the substrate W, and is attached to the upper end of the rotating shaft 12 extending in the vertical direction. A large number of suction holes h (FIG. 2) are formed in the upper surface 11u of the suction holder 11. The rotary drive unit 13 rotates the rotary shaft 12 around its shaft center.

도 1에 굵은 점선으로 나타내는 바와 같이, 흡착 유지부(11) 및 회전축(12)의 내부에는, 흡기 경로(vp)가 형성되어 있다. 흡기 경로(vp)는, 흡인 장치(14)에 접속되어 있다. 흡인 장치(14)는, 예를 들면 아스피레이터 등의 흡인 기구를 포함하고, 흡기 경로(vp) 및 다수의 흡인 구멍(h)을 통하여 흡착 유지부(11)의 상면(11u) 상의 공간의 분위기를 흡인하고, 도포 처리 장치(1)의 외부로 배출한다.As shown by the thick dotted line in FIG. 1 , an intake path vp is formed inside the suction holding unit 11 and the rotating shaft 12 . The intake path vp is connected to the suction device 14 . The suction device 14 includes, for example, a suction mechanism such as an aspirator, and through an intake passage vp and a plurality of suction holes h, the space on the upper surface 11u of the suction holding part 11 The atmosphere is sucked in and discharged to the outside of the coating treatment device 1 .

도 2에 나타내는 바와 같이, 컵(15)은, 평면에서 보았을 때 흡착 유지부(11)의 주위를 둘러싸도록 설치됨과 더불어, 도시하지 않은 승강 기구에 의하여 상하 방향에 있어서의 복수의 위치로 이동 가능하게 구성된다. 도 1에 나타내는 바와 같이, 컵(15)은, 저부(15x) 및 외주 벽부(15y)를 포함한다. 저부(15x)는, 대략 원환 형상을 갖는다. 저부(15x)의 내주 단부는 소정 높이만큼 상방을 향하여 굴곡되어 있다. 외주 벽부(15y)는, 저부(15x)의 외주 단부로부터 소정 높이만큼 상방으로 연장되고, 굴곡되며, 또한 흡착 유지부(11)를 향하여 비스듬한 상방으로 연장되도록 형성되어 있다.As shown in FIG. 2 , the cup 15 is installed so as to surround the suction holder 11 in plan view, and can be moved to a plurality of positions in the vertical direction by a lifting mechanism (not shown). It consists of As shown in FIG. 1 , the cup 15 includes a bottom portion 15x and an outer peripheral wall portion 15y. The bottom portion 15x has a substantially annular shape. The inner peripheral end of the bottom portion 15x is bent upward by a predetermined height. The outer circumferential wall portion 15y extends upward by a predetermined height from the outer circumferential end of the bottom portion 15x, is bent, and is formed so as to extend obliquely upward toward the suction holding portion 11.

컵(15)의 저부(15x)에는, 드레인(15d)이 형성되어 있다. 저부(15x)에 있어서의 드레인(15d)의 형성 부분에는, 배액 안내관(16)이 장착되어 있다. 배액 안내관(16)의 하단부는 도시하지 않은 배액계에 접속되어 있다.A drain 15d is formed on the bottom 15x of the cup 15 . A drainage guide pipe 16 is attached to the portion where the drain 15d is formed in the bottom portion 15x. The lower end of the drainage guide tube 16 is connected to a drainage system (not shown).

도 2에 나타내는 바와 같이, 평면에서 보았을 때 컵(15)의 외주 벽부(15y)의 내주 단부와 흡착 유지부(11)의 외주 단부의 사이에는, 복수(본 예에서는 4개)의 하면 노즐(17)이 설치되어 있다. 복수의 하면 노즐(17)은, 평면에서 보았을 때 흡착 유지부(11)를 둘러싸도록 흡착 유지부(11)의 중심을 기준으로 하여 등각도 간격으로 배치되어 있다. 각 하면 노즐(17)의 상단부에는, 상방을 향하는 액 토출구(17b)가 설치되어 있다.As shown in FIG. 2 , between the inner circumferential end of the outer circumferential wall portion 15y of the cup 15 and the outer circumferential end of the suction holding portion 11 in plan view, a plurality of (four in this example) lower surface nozzles ( 17) is installed. A plurality of lower surface nozzles 17 are arranged at equal angular intervals with the center of the suction holder 11 as a standard so as to surround the suction holder 11 in plan view. At the upper end of each lower surface nozzle 17, a liquid discharge port 17b facing upward is provided.

도 1에 나타내는 바와 같이, 각 하면 노즐(17)의 액 토출구(17b)는, 흡착 유지부(11)의 외주 단부 근방의 위치에서, 흡착 유지부(11)에 의하여 흡착 유지되는 기판(W)의 하면에 대향한다. 또한, 도포 처리 장치(1)는, 도시하지 않은 하우징 내에 회전 유지 장치(10) 및 액 공급 장치(20)가 수용된 구성을 갖는다. 하면 노즐(17)은, 예를 들면 도포 처리 장치(1)의 하우징에 고정된다. 하면 노즐(17)은, 린스액 공급계(18)로부터 공급되는 린스액을, 액 토출구(17b)로부터 기판(W)의 하면에 토출한다.As shown in FIG. 1 , the liquid discharge port 17b of each lower surface nozzle 17 is positioned near the outer circumferential end of the suction holder 11, and the substrate W adsorbed and held by the suction holder 11 opposes the lower side of In addition, the coating processing device 1 has a configuration in which the rotation holding device 10 and the liquid supply device 20 are housed in a housing (not shown). The lower surface nozzle 17 is fixed to the housing of the coating apparatus 1, for example. The lower surface nozzle 17 discharges the rinse liquid supplied from the rinse liquid supply system 18 to the lower surface of the substrate W from the liquid discharge port 17b.

상기의 구성을 갖는 도포 처리 장치(1)에 대하여, 도포 처리 시의 동작의 개요를 설명한다. 기판(W)의 도포 처리가 개시될 때에는, 우선 흡착 유지부(11)에 의하여 기판(W)이 수평 자세로 유지된다. 또, 수평 방향에 있어서 외주 벽부(15y)의 내주면이 기판(W)의 외주 단부에 대향하도록, 컵(15)이 상하 방향으로 위치 결정된다. 이 상태에서, 용제 노즐(23)이 도시하지 않은 노즐 이동 장치에 의하여 기판(W)의 상방으로 이동한다. 용제 노즐(23)로부터 기판(W)의 상면에 소정량의 용제가 토출된다. 그 후, 용제 노즐(23)이 기판(W)의 상방의 위치로부터 기판(W)의 측방의 위치로 이동한다. 또, 회전 구동부(13)가 동작함으로써 기판(W)이 회전된다. 이에 의하여, 기판(W)의 상면이 용제에 의하여 습윤된다.An overview of the operation of the application processing device 1 having the above configuration will be described. When the application process of the substrate W is started, first, the substrate W is held in a horizontal posture by the suction holding unit 11 . Further, in the horizontal direction, the cup 15 is positioned in the vertical direction so that the inner circumferential surface of the outer circumferential wall portion 15y opposes the outer circumferential end of the substrate W. In this state, the solvent nozzle 23 is moved upward of the substrate W by a nozzle moving device (not shown). A predetermined amount of solvent is discharged from the solvent nozzle 23 to the upper surface of the substrate W. After that, the solvent nozzle 23 moves from a position above the substrate W to a position on the side of the substrate W. In addition, the substrate W is rotated by the operation of the rotation driving unit 13 . As a result, the upper surface of the substrate W is wetted with the solvent.

계속해서, 레지스트 노즐(21)이 도시하지 않은 노즐 이동 장치에 의하여 기판(W)의 상방으로 이동한다. 이 상태에서, 레지스트 노즐(21)로부터 기판(W)의 상면에 소정량의 레지스트액이 토출된다. 이에 의하여, 회전하는 기판(W)의 상면에 레지스트액이 도포된다. 회전하는 기판(W)으로부터 바깥쪽으로 비산하는 레지스트액은, 컵(15)의 외주 벽부(15y)의 내주면에 의하여 받아진다. 받아진 레지스트액은, 컵(15)의 저부(15x)에 수집되고, 드레인(15d)으로부터 배액 안내관(16)을 통하여 도시하지 않은 배액계로 이끌어진다. 상기와 같이, 기판(W)의 도포 처리 중 기판(W)의 상면 전체에 레지스트액을 도포하는 공정, 즉 기판(W)의 상면 전체에 레지스트액의 액막을 형성하는 공정을 액막 형성 공정이라고 부른다.Subsequently, the resist nozzle 21 is moved upward of the substrate W by a nozzle moving device (not shown). In this state, a predetermined amount of resist liquid is discharged from the resist nozzle 21 onto the upper surface of the substrate W. As a result, the resist liquid is applied to the upper surface of the rotating substrate W. The resist liquid splashing outward from the rotating substrate W is received by the inner circumferential surface of the outer circumferential wall portion 15y of the cup 15 . The received resist liquid is collected in the bottom 15x of the cup 15, and is led from the drain 15d through the drainage guide tube 16 to a drainage system (not shown). As described above, the process of applying the resist liquid to the entire upper surface of the substrate W during the coating process of the substrate W, that is, the process of forming a liquid film of the resist liquid on the entire upper surface of the substrate W is called a liquid film forming process. .

다음으로, 레지스트 노즐(21)로부터 기판(W)으로의 레지스트액의 토출이 정지된 상태에서, 기판(W)의 회전이 계속됨으로써, 기판(W)의 상면에 도포된 레지스트액 중 여분의 레지스트액이 떨쳐 내어진다. 또, 기판(W) 상에 잔류하는 레지스트액의 액막이 건조된다. 이에 의하여, 기판(W)의 상면에 레지스트막이 형성된다. 상기와 같이, 기판(W)의 도포 처리 중 기판(W)의 상면에 도포된 레지스트액의 액막을 건조시키는 공정을 액막 건조 공정이라고 부른다.Next, in a state where the discharge of the resist liquid from the resist nozzle 21 to the substrate W is stopped, rotation of the substrate W continues, so that excess resist among the resist liquid applied to the upper surface of the substrate W The liquid is drained. Further, the liquid film of the resist liquid remaining on the substrate W is dried. As a result, a resist film is formed on the upper surface of the substrate W. As described above, the process of drying the liquid film of the resist liquid applied to the upper surface of the substrate W during the coating process of the substrate W is called a liquid film drying process.

기판(W)의 상면에 레지스트막이 형성된 후, 기판(W)의 하면에 부착한 레지스트액 또는 레지스트막을 제거하기 위하여, 하면 노즐(17)로부터 기판(W)의 하면을 향하여 린스액이 토출된다. 린스액으로서는, 상기의 용제 노즐(23)로부터 기판(W)의 상면에 공급되는 용제와 동일하게, 레지스트막을 용해 가능한 용제가 이용된다.After the resist film is formed on the upper surface of the substrate W, a rinse liquid is discharged from the lower surface nozzle 17 toward the lower surface of the substrate W in order to remove the resist liquid or the resist film adhered to the lower surface of the substrate W. As the rinsing liquid, a solvent capable of dissolving the resist film is used, similarly to the solvent supplied to the upper surface of the substrate W from the solvent nozzle 23 described above.

그 후, 하면 노즐(17)로부터 기판(W)으로의 린스액의 토출이 정지된다. 이 상태에서, 기판(W)의 회전이 계속됨으로써, 기판(W)의 하면에 도포된 린스액이 건조된다. 이에 의하여, 기판(W)의 하면에 부착한 레지스트액 또는 레지스트의 고형물이 제거된다. 도포 처리 장치(1)의 상기의 일련의 동작에 의하여 레지스트막이 형성된 기판(W)은, 도포 처리 장치(1)로부터 반출되고, 도시하지 않은 노광 장치에 의하여 노광 처리가 실시된다.After that, the discharge of the rinsing liquid from the lower surface nozzle 17 to the substrate W is stopped. In this state, rotation of the substrate W continues, so that the rinsing liquid applied to the lower surface of the substrate W is dried. As a result, the resist liquid or resist solids adhering to the lower surface of the substrate W are removed. The substrate W on which the resist film is formed by the above series of operations of the coating apparatus 1 is taken out of the coating apparatus 1 and subjected to exposure treatment by an exposure apparatus not shown.

[2] 액막 건조 공정에서 기판(W)에 잔류하는 레지스트액[2] Resist liquid remaining on the substrate W in the liquid film drying process

도 3은, 도 1의 도포 처리 장치(1)의 처리 대상이 되는 기판(W)의 평면도이다. 도 4는, 도 3의 기판(W)의 A-A선 단면도이다. 본 실시 형태에 따른 기판(W)은, 약 300mm의 직경을 갖는 원형 기판이고, 도 3 및 도 4에 나타내는 바와 같이, 상면(S1) 및 하면(S2)을 갖는다. 그 기판(W)의 외주 단부에는, 노치(N)가 형성되어 있다(도 3).FIG. 3 is a plan view of the substrate W to be treated by the coating apparatus 1 of FIG. 1 . 4 is a cross-sectional view of the substrate W of FIG. 3 along line A-A. The substrate W according to the present embodiment is a circular substrate having a diameter of about 300 mm, and has an upper surface S1 and a lower surface S2 as shown in FIGS. 3 and 4 . A notch N is formed at the outer peripheral end of the substrate W (FIG. 3).

기판(W)의 상면(S1)에 있어서는, 기판(W)의 외주 단부로부터 일정 폭의 부분에, 상방을 향하여 돌출되고 또한 그 기판(W)의 외주 단부를 따라 연장되는 원환 형상의 볼록부가 형성되어 있다. 기판(W)에 있어서의 볼록부의 형성 부분을 림부(Outer support ring)(SR)라고 부른다. 그 기판(W)에 있어서, 림부(SR)의 내측에 위치하는 부분의 두께(기판의 두께)는, 100μm 이하이며, 림부(SR)의 두께보다 작다. 또한, 림부(SR)의 두께는, 100μm보다 크고 775μm 이하이며, 예를 들면 0.8mm에 가깝다.In the upper surface S1 of the substrate W, an annular convex portion protruding upward and extending along the outer peripheral edge of the substrate W is formed in a portion of a certain width from the outer peripheral end of the substrate W. has been The formation part of the convex part in the board|substrate W is called a rim part (Outer support ring) (SR). In the board|substrate W, the thickness of the part located inside the rim part SR (substrate thickness) is 100 micrometers or less, and is smaller than the thickness of the rim part SR. Moreover, the thickness of the rim part SR is larger than 100 micrometers and is 775 micrometers or less, for example, it is close to 0.8 mm.

이하의 설명에서는, 기판(W)의 상면(S1) 중 림부(RP)의 내측의 영역을 내측 영역(IA)이라고 부른다. 도 4에서는, 기판(W) 전체의 단면도 중 림부(SR) 및 그 주변부의 확대 단면도가 말풍선 내에 나타내어진다.In the following description, a region inside the rim portion RP of the upper surface S1 of the substrate W is referred to as an inner region IA. In FIG. 4 , enlarged cross-sectional views of the rim portion SR and its periphery among cross-sectional views of the entire substrate W are shown in a speech bubble.

도 4의 말풍선 내에 나타내는 바와 같이, 본 실시 형태에 따른 기판(W)에 있어서는, 림부(SR)와 내측 영역(IA)의 경계에 단차(ST)가 형성되어 있다. 이와 같이, 림부(SR)의 내주 단부에 위치하는 단차(ST)에는, 기판(W)의 도포 처리 중의 액막 건조 공정에서 레지스트액이 체류하기 쉽다. 체류한 레지스트액이 건조되면, 상기의 단차(ST) 및 그 근방에 존재하는 레지스트막의 두께가 국소적으로 커진다. 이와 같은 레지스트막의 두께의 불균일은, 노광 불량 및 파티클의 발생의 요인이 된다.As shown in the word bubble of FIG. 4 , in the substrate W according to the present embodiment, a step ST is formed at the boundary between the rim portion SR and the inner region IA. In this way, the resist liquid tends to stay in the step ST located at the inner circumferential end of the rim portion SR during the liquid film drying step during the coating process of the substrate W. When the remaining resist liquid is dried, the thickness of the resist film existing at and near the step ST is locally increased. Such non-uniformity in the thickness of the resist film causes poor exposure and generation of particles.

도 5는, 액막 건조 공정에 있어서 기판(W)의 림부(SR)와 내측 영역(IA)의 경계의 단차(ST)에 레지스트액이 체류하는 예를 나타내는 도면이다. 도 5에서는, 상단, 중단 및 하단에, 액막 건조 공정에 있어서 기판(W)의 림부(SR) 및 그 주변부에 존재하는 레지스트액(R1) 또는 레지스트막(R2)의 상태가 시계열순으로 확대 단면도로 나타내어진다.FIG. 5 is a diagram showing an example in which the resist liquid stays in the step ST of the boundary between the rim portion SR of the substrate W and the inner region IA in the liquid film drying step. In FIG. 5, the state of the resist liquid R1 or the resist film R2 present in the rim portion SR of the substrate W and its periphery in the liquid film drying process is enlarged in chronological order at the top, middle, and bottom, cross-sectional views. is represented by

도 5의 상단의 단면도에 나타내는 바와 같이, 액막 건조 공정의 개시 시점에서는, 기판(W)의 상면(S1)에 유동성을 갖는 레지스트액(R1)의 액막이 형성되어 있다. 기판(W)이 회전함으로써, 레지스트액(R1)에는 기판(W)의 중심으로부터 외주 단부를 향하는 원심력이 작용한다. 또, 기판(W)을 둘러싸는 공간 내에 기류가 발생한다. 이에 의하여, 도 5의 중단의 단면도에 굵은 실선의 화살표로 나타내는 바와 같이, 액막의 상층 부분에서 유동하는 레지스트액(R1)의 일부가 기판(W)의 바깥쪽으로 떨쳐 내어진다.As shown in the cross-sectional view at the upper end of FIG. 5 , at the start of the liquid film drying step, a liquid film of the resist liquid R1 having fluidity is formed on the upper surface S1 of the substrate W. As the substrate W rotates, a centrifugal force acts on the resist liquid R1 from the center of the substrate W toward the outer periphery. Also, an air current is generated in the space surrounding the substrate W. As a result, a part of the resist liquid R1 flowing in the upper portion of the liquid film is pushed outward from the substrate W, as indicated by a thick solid line arrow in the cross-sectional view of the middle portion of FIG. 5 .

유동하는 여분의 레지스트액(R1)이 떨쳐 내어짐으로써, 기판(W)의 상면(S1)에 있어서는, 레지스트액(R1)의 액막이 기판(W)의 중심으로부터 외주 단부를 향하여 박막화되면서 연속적으로 건조된다. 이때, 도 5의 중단의 단면도에 흰색의 화살표로 나타내는 바와 같이, 단차(ST)에 체류한 레지스트액(R1)이 건조하면, 도 5의 하단의 단면도에 나타내는 바와 같이, 단차(ST) 및 그 주변부에 형성되는 레지스트막(R2)의 두께가 다른 부분에 비하여 두꺼워진다.As the flowing excess resist liquid R1 is shaken off, on the upper surface S1 of the substrate W, the liquid film of the resist liquid R1 is continuously dried while being thinned from the center of the substrate W toward the outer peripheral edge. do. At this time, as indicated by white arrows in the middle section of FIG. 5, when the resist liquid R1 remaining in the step ST is dried, as shown in the cross section at the lower end of FIG. 5, the step ST and its The thickness of the resist film R2 formed on the peripheral portion is thicker than that of other portions.

상기와 같이, 단차(ST)에서 레지스트액이 체류하는 것을 방지하기 위하여, 액막 건조 공정의 기간 중 기판(W)의 회전 속도를 현저하게 높게 하는 방법이 생각된다. 이 경우, 액막 건조 공정에서 액막의 상층 부분을 흐르는 레지스트액(R1)에 의하여 큰 원심력이 작용한다. 또, 기판(W)을 둘러싸는 공간 내에 의하여 강한 기류가 발생한다. 그러나, 액막 건조 공정의 초기 단계에서 기판(W)의 회전 속도를 현저하게 높게 하면, 기판(W) 상에 형성되는 레지스트막(R2)의 전체에 걸쳐 불균일이 발생한다.As described above, in order to prevent the resist liquid from staying in the step ST, a method of significantly increasing the rotational speed of the substrate W during the liquid film drying step is conceived. In this case, in the liquid film drying process, a large centrifugal force is exerted by the resist liquid R1 flowing through the upper layer of the liquid film. In addition, a strong air current is generated in the space surrounding the substrate W. However, if the rotational speed of the substrate W is significantly increased in the initial stage of the liquid film drying process, unevenness occurs throughout the resist film R2 formed on the substrate W.

그래서, 본 실시 형태에서는, 액막 건조 공정에 있어서의 기판(W)의 회전 속도가 시간의 경과와 함께 2단계로 변경된다. 구체적으로는, 액막 건조 공정의 개시 시점부터 액막 건조 공정의 종료 시점보다 전의 중간 시점까지의 사이, 기판(W)의 회전 속도가 제1 회전 속도로 조정된다. 그 후, 중간 시점부터 종료 시점까지의 사이, 기판(W)의 회전 속도가 제1 회전 속도보다 높은 제2 회전 속도로 조정된다.Therefore, in the present embodiment, the rotational speed of the substrate W in the liquid film drying process is changed in two steps with the passage of time. Specifically, the rotational speed of the substrate W is adjusted to the first rotational speed from the start of the liquid film drying process to an intermediate point prior to the end of the liquid film drying process. Thereafter, the rotational speed of the substrate W is adjusted to a second rotational speed higher than the first rotational speed between the intermediate time point and the end time point.

여기서, 기판(W)의 내측 영역(IA) 중 기판(W)의 중심을 포함하고 또한 기판(W)의 중심에 대하여 동심이 되는 원형의 영역을 중앙 영역이라고 부른다. 또, 기판(W)의 내측 영역(IA) 중 중앙 영역을 둘러싸고 또한 기판(W)의 외주 단부를 포함하는 영역을 원환 영역이라고 부른다. 또한, 중앙 영역의 직경은, 예를 들면 기판(W)의 직경의 반분 정도이다.Here, among the inner regions IA of the substrate W, a circular region that includes the center of the substrate W and is concentric with the center of the substrate W is referred to as a central region. In addition, the area surrounding the central area and including the outer circumferential end of the substrate W among the inner areas IA of the substrate W is called an annular area. In addition, the diameter of the central region is about half the diameter of the substrate W, for example.

이 경우, 제1 회전 속도는, 예를 들면 시뮬레이션 또는 실험 등에 의하여, 중앙 영역에 형성되는 레지스트막(R2)에 불균일이 발생하지 않을 정도의 속도로 정해진다. 한편, 제2 회전 속도는, 예를 들면 시뮬레이션 또는 실험 등에 의하여, 유동성을 갖는 레지스트액(R1)이 단차(ST)에 체류하지 않을 정도의 속도로 정해진다. 또한, 중간 시점은, 액막 건조 공정이 개시된 후, 기판(W)의 중앙 영역 상의 레지스트액(R1)이 건조되고 또한 원환 영역 상에 존재하는 레지스트액(R1)이 유동하는 상태에 있는 기간 내가 되도록 정해진다.In this case, the first rotational speed is determined by, for example, a simulation or experiment to a speed at which unevenness does not occur in the resist film R2 formed in the central region. On the other hand, the second rotational speed is determined by, for example, simulation or experiment to such a speed that the resist liquid R1 having fluidity does not stay in the step ST. In addition, the intermediate time point is within a period in which the resist liquid R1 on the central region of the substrate W is dried and the resist liquid R1 present on the annular region is in a flowing state after the liquid film drying step is started. It is decided.

상기와 같이 기판(W)의 회전 속도를 조정함으로써, 액막 건조 공정의 개시 시점부터 중간 시점에 있어서는, 불균일을 발생시키는 일 없이 중앙 영역 상의 레지스트액(R1)을 건조시킬 수 있다. 한편, 액막 건조 공정의 중간 시점부터 종료 시점에 걸쳐서는, 원환 영역 상을 흐르는 레지스트액(R1)에 의하여 큰 원심력이 작용한다. 또, 기판(W)을 둘러싸는 공간 내에 의하여 강한 기류가 발생한다. 이에 의하여, 레지스트액(R1)이 단차(ST)에 체류하는 것이 방지된다. 따라서, 단차(ST) 및 그 주변부에 있어서의 레지스트막(R2)의 두께가 국부적으로 커지는 것이 방지된다.By adjusting the rotational speed of the substrate W as described above, the resist liquid R1 on the central region can be dried without causing non-uniformity between the starting point and the intermediate time point of the liquid film drying process. On the other hand, from the middle point to the end point of the liquid film drying step, a large centrifugal force is exerted by the resist liquid R1 flowing on the annular region. In addition, a strong air current is generated in the space surrounding the substrate W. This prevents the resist liquid R1 from remaining in the level difference ST. Therefore, the thickness of the resist film R2 in the step ST and its periphery is prevented from locally increasing.

[3] 도포 처리 중인 기판(W)의 회전 속도의 제어예[3] Control example of the rotational speed of the substrate W during the coating process

도 6은, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 도포 처리 중인 기판(W)의 회전 속도의 제어예를 나타내는 도면이다. 도 6의 상단에는, 도 1의 도포 처리 장치(1)에 의한 도포 처리 중인 기판(W)의 회전 속도의 변화가 그래프에 의하여 나타내어진다. 도 6의 상단의 그래프에 있어서, 세로축은 기판(W)의 회전 속도를 나타내고, 가로축은 시간을 나타낸다. 도 6의 하단의 복수의 말풍선에는, 도포 처리 중의 복수의 시점에서 기판(W) 상에 존재하는 레지스트액(R1) 또는 레지스트막(R2)의 상태가 평면도 및 종단면도에 의하여 나타내어진다.6 is a diagram showing an example of controlling the rotational speed of the substrate W during the coating process according to the embodiment of the present invention. In the upper part of FIG. 6 , the change in the rotational speed of the substrate W during the coating process by the coating apparatus 1 of FIG. 1 is represented by a graph. In the upper graph of FIG. 6 , the vertical axis represents the rotational speed of the substrate W, and the horizontal axis represents time. In the plurality of speech bubbles at the lower end of FIG. 6, the states of the resist liquid R1 or the resist film R2 existing on the substrate W at a plurality of points in time during the coating process are shown by plan views and longitudinal cross-sectional views.

도 7은, 도 6의 액막 건조 공정에 있어서 기판(W)의 림부(SR) 및 그 주변부에 존재하는 레지스트액(R1) 또는 레지스트막(R2)의 상태의 변화를 나타내는 도면이다. 도 7에서는, 액막 건조 공정에 있어서의 기판(W)의 림부(SR) 및 그 주변부에 존재하는 레지스트액(R1) 또는 레지스트막(R2)의 상태가 위에서 아래로 4단계의 시계열순으로 확대 단면도로 나타내어진다.FIG. 7 is a diagram showing changes in the state of the resist liquid R1 or resist film R2 present on the rim portion SR of the substrate W and its periphery in the liquid film drying step of FIG. 6 . 7 is an enlarged cross-sectional view of the state of the resist liquid R1 or resist film R2 present in the rim portion SR of the substrate W and its periphery in the liquid film drying step in four stages from top to bottom in chronological order. is represented by

또한, 기판(W)의 회전 속도는, 제어부(30)가 도 1의 회전 구동부(13)를 제어함으로써 조정된다. 또, 기판(W)의 상면(S1)에 대한 용제의 공급 및 정지는, 제어부(30)가 도 1의 용제 공급계(24)를 제어함으로써 행해진다. 또, 기판(W)의 상면(S1)에 대한 레지스트액(R1)의 공급 및 정지는, 제어부(30)가 도 1의 도포액 공급계(22)를 제어함으로써 행해진다. 또한, 기판(W)의 하면(S2)에 대한 린스액의 공급 및 정지는, 제어부(30)가 도 1의 린스액 공급계(18)를 제어함으로써 행해진다.Further, the rotational speed of the substrate W is adjusted by the control unit 30 controlling the rotation driving unit 13 of FIG. 1 . In addition, supply and stop of the solvent to the upper surface S1 of the substrate W are performed by the controller 30 controlling the solvent supply system 24 of FIG. 1 . In addition, supply and stop of the resist liquid R1 to the upper surface S1 of the substrate W are performed by the controller 30 controlling the coating liquid supply system 22 of FIG. 1 . In addition, supply and stop of the rinsing liquid to the lower surface S2 of the substrate W are performed by the controller 30 controlling the rinsing liquid supply system 18 of FIG. 1 .

도포 처리 장치(1)에 의한 도포 처리의 초기 상태에 있어서는, 도 3 및 도 4의 구성을 갖는 미처리의 기판(W)이, 도 1의 흡착 유지부(11)에 의하여 수평 자세로 흡착 유지된다. 이때, 기판(W)의 회전 속도는 0으로 유지된다. 또한, 컵(15)의 외주 벽부(15y)의 내주면이 기판(W)의 외주 단부에 대향하도록, 컵(15)이 상하 방향으로 위치 결정된다.In the initial state of the application process by the application processing apparatus 1, the unprocessed substrate W having the structure of FIGS. 3 and 4 is adsorbed and held in a horizontal posture by the adsorption holder 11 of FIG. . At this time, the rotational speed of the substrate W is maintained at zero. Further, the cup 15 is positioned in the vertical direction so that the inner circumferential surface of the outer circumferential wall portion 15y of the cup 15 faces the outer circumferential end of the substrate W.

도 6에 나타내는 바와 같이, 우선 액막 형성 공정이 개시된다. 시점 t1부터 시점 t2까지의 기간 p1에, 도 1의 용제 노즐(23)로부터 기판(W)의 상면(S1)에 소정량의 용제가 공급된다. 그에 의하여, 시점 t2에 대응하는 말풍선 내에 나타내는 바와 같이, 기판(W)의 상면(S1) 상에서 소정량의 용제가 유지된다.As shown in Fig. 6, first, the liquid film forming process is started. During the period p1 from the time point t1 to the time point t2, a predetermined amount of solvent is supplied from the solvent nozzle 23 of FIG. 1 to the upper surface S1 of the substrate W. As a result, as indicated in the speech bubble corresponding to the time point t2, a predetermined amount of solvent is maintained on the upper surface S1 of the substrate W.

다음으로, 시점 t3부터 시점 t4에 걸쳐 기판(W)의 회전 속도가 0에서 s1까지 상승하고, 기판(W)의 상면(S1)에 유지된 용제가 기판(W)의 중심으로부터 기판(W)의 외주 단부를 향하여 퍼진다. 회전 속도 s1은, 예를 들면 500rpm 이상 1500rpm 이하의 범위 내로 설정된다.Next, from the time point t3 to the time point t4, the rotational speed of the substrate W increases from 0 to s1, and the solvent held on the upper surface S1 of the substrate W moves from the center of the substrate W to the substrate W. It spreads toward the outer circumferential end of Rotation speed s1 is set within the range of 500 rpm or more and 1500 rpm or less, for example.

상기와 같이, 미처리의 기판(W)의 상면(S1)에 용제가 공급됨으로써, 기판(W)의 상면(S1)이 개질되어, 레지스트액(R1)이 기판(W)의 상면(S1)에서 퍼지기 쉬워진다. 이와 같이, 레지스트액(R1)의 도포 전에 기판(W)의 상면(S1)을 개질시키는 처리는, 프리웨트로 불린다. 또한, 프리웨트 중, 기판(W)은 회전해도 된다. 이 경우, 기판(W)의 회전 속도는, 예를 들면 0rpm보다 크고 1000rpm 이하의 범위 내로 설정된다.As described above, by supplying the solvent to the upper surface S1 of the untreated substrate W, the upper surface S1 of the substrate W is modified, and the resist liquid R1 flows from the upper surface S1 of the substrate W. It becomes easier to spread. In this way, the treatment of modifying the upper surface S1 of the substrate W before the application of the resist liquid R1 is called a pre-wet. In addition, during pre-wetting, the substrate W may be rotated. In this case, the rotational speed of the substrate W is set within a range of, for example, greater than 0 rpm and less than or equal to 1000 rpm.

다음으로, 시점 t4부터 시점 t6까지의 기간 p2에, 도 1의 레지스트 노즐(21)로부터 기판(W)의 상면(S1)에 소정량의 레지스트액(R1)이 공급된다. 이때, 시점 t4부터 시점 t6보다 전의 시점 t5에 걸쳐 기판(W)의 회전 속도가 s1보다 높은 s2까지 상승한다. 또, 시점 t5부터 일정 기간 기판(W)의 회전 속도가 s2로 유지된다. 회전 속도 s2는, 예를 들면 1000rpm 이상 3000rpm 이하의 범위 내로 설정된다. 이에 의하여, 시점 t5에 대응하는 말풍선 내에 나타내는 바와 같이, 기판(W)의 상면(S1)의 중앙부에 레지스트액(R1)의 덩어리(코어)가 형성된다. 또, 시점 t5부터 시점 t6에 걸쳐 레지스트액(R1)의 코어가 정형된다.Next, in a period p2 from time point t4 to time point t6, a predetermined amount of resist liquid R1 is supplied from the resist nozzle 21 of FIG. 1 to the upper surface S1 of the substrate W. At this time, from the time point t4 to the time point t5 before the time point t6, the rotational speed of the substrate W rises to s2 higher than s1. Also, from the time point t5, the rotational speed of the substrate W is maintained at s2 for a certain period of time. Rotation speed s2 is set within the range of 1000 rpm or more and 3000 rpm or less, for example. As a result, as shown in the word bubble corresponding to the time point t5, a lump (core) of the resist liquid R1 is formed in the central portion of the upper surface S1 of the substrate W. Further, from the time point t5 to the time point t6, the core of the resist liquid R1 is shaped.

시점 t5부터 일정 기간 기판(W)의 회전 속도가 s2로 유지된 후, 시점 t6에 걸쳐 기판(W)의 회전 속도가 s1 및 s2보다 낮은 s3까지 하강한다. 시점 t6부터 일정 기간 기판(W)의 회전 속도가 s3으로 유지된다. 회전 속도 s3은, 예를 들면 0rpm 이상 500rpm 이하의 범위 내로 설정된다.After the rotational speed of the substrate W is maintained at s2 for a certain period of time from the time point t5, the rotational speed of the substrate W is lowered to s3 lower than s1 and s2 over the time point t6. From the time point t6, the rotational speed of the substrate W is maintained at s3 for a certain period of time. The rotation speed s3 is set within the range of 0 rpm or more and 500 rpm or less, for example.

시점 t6부터 일정 기간 경과 후, 시점 t7에 걸쳐 기판(W)의 회전 속도가 s2보다 높은 s4까지 상승하고, 일정 기간 기판(W)의 회전 속도가 s4로 유지된다. 회전 속도 s4는, 예를 들면 0rpm 이상 3000rpm 이하의 범위 내로 설정된다. 또, 시점 t7부터 일정 기간 경과 후, 시점 t8에 걸쳐 기판(W)의 회전 속도가 s4보다 낮은 s5까지 하강한다. 회전 속도 s5는, 예를 들면 500rpm 이상 1500rpm 이하의 범위 내로 설정된다. 상기의 시점 t6부터 시점 t8에 걸쳐 기판(W)의 중심으로부터 외주 단부를 향하여 레지스트액(R1)이 퍼진다. 이에 의하여, 시점 t8에 대응하는 말풍선 내에 나타내는 바와 같이, 기판(W)의 상면(S1) 전체에 레지스트액(R1)의 액막이 형성되어, 액막 형성 공정이 종료된다.After a certain period of time has elapsed from the time point t6, the rotational speed of the substrate W rises to s4 higher than s2 over time point t7, and the rotational speed of the substrate W is maintained at s4 for a certain period of time. The rotation speed s4 is set within the range of 0 rpm or more and 3000 rpm or less, for example. In addition, after a certain period of time has elapsed from the time t7, the rotational speed of the substrate W is lowered to s5, which is lower than s4, over the time t8. Rotation speed s5 is set within the range of 500 rpm or more and 1500 rpm or less, for example. From the time t6 to the time t8 described above, the resist liquid R1 spreads from the center of the substrate W toward the outer peripheral end. As a result, as shown in the word bubble corresponding to the time point t8, a liquid film of the resist liquid R1 is formed over the entire upper surface S1 of the substrate W, and the liquid film forming step is completed.

다음으로, 액막 건조 공정이 개시된다. 액막 건조 공정에서는, 시점 t8부터 시점 t9에 걸쳐 기판(W)의 회전 속도가 s5로 유지된다. 시점 t8은, 상기의 액막 건조 공정의 개시 시점에 상당한다. 회전 속도 s5는, 상기의 제1 회전 속도에 상당한다.Next, the liquid film drying process is started. In the liquid film drying step, the rotational speed of the substrate W is maintained at s5 from the time point t8 to the time point t9. The time point t8 corresponds to the start point of the liquid film drying step. The rotational speed s5 corresponds to the first rotational speed described above.

시점 t8에서는, 도 7의 위에서 1단째의 단면도에 나타내는 바와 같이, 기판(W)의 상면(S1)에 유동성을 갖는 레지스트액(R1)의 액막이 형성되어 있다. 시점 t8부터 시점 t9의 사이에서는, 기판(W)의 회전 속도가 s5(제1 회전 속도)로 유지됨으로써, 도 7의 위에서 2단째의 단면도에 굵은 실선의 화살표로 나타내는 바와 같이, 액막의 상층 부분에서 유동하는 레지스트액(R1)의 일부가 기판(W)의 바깥쪽으로 떨쳐 내어진다. 이때, 기판(W)의 중앙 영역에 있어서는, 기판(W)의 중심으로부터 외주 단부를 향하여 레지스트액(R1)이 순차적으로 건조되어 간다.At the time point t8, as shown in the sectional view of the first stage from the top of FIG. 7, a liquid film of the resist liquid R1 having fluidity is formed on the upper surface S1 of the substrate W. Between the time point t8 and the time point t9, the rotational speed of the substrate W is maintained at s5 (first rotational speed), so that the upper layer portion of the liquid film, as indicated by the thick solid line arrow in the cross-sectional view of the second stage from the top of FIG. A part of the resist liquid R1 flowing in the substrate W is ejected to the outside. At this time, in the central region of the substrate W, the resist liquid R1 is sequentially dried from the center of the substrate W toward the outer peripheral end.

시점 t9는 상기의 액막 건조 공정의 중간 시점에 상당한다. 시점 t9에서는, 도 6의 시점 t9에 대응하는 말풍선 내에 나타내는 바와 같이, 기판(W)의 상면(S1)의 중앙 영역에 레지스트막(R2)이 형성되어 있다. 한편, 기판(W)의 상면(S1)의 원환 영역에서는, 유동성을 갖는 레지스트액(R1)이 기판(W)의 중앙으로부터 기판(W)의 외주 단부를 향하여 흐른다.Time point t9 corresponds to an intermediate point in the liquid film drying step. At the time point t9, as shown in the word bubble corresponding to the time point t9 in FIG. 6, the resist film R2 is formed in the central region of the upper surface S1 of the substrate W. On the other hand, in the annular region of the upper surface S1 of the substrate W, the resist liquid R1 having fluidity flows from the center of the substrate W toward the outer peripheral end of the substrate W.

그 후, 시점 t9에서 기판(W)의 회전 속도가 s5보다 높은 s6까지 상승한다. 회전 속도 s6은, 예를 들면 1500rpm 이상 3500rpm 이하의 범위 내로 설정된다. 시점 t9부터 시점 t10에 걸쳐 기판(W)의 회전 속도가 s6으로 유지된다. 회전 속도 s6은, 상기의 제2 회전 속도에 상당한다. 시점 t10에서 액막 건조 공정이 종료된다. 이에 의하여, 시점 t10에서는, 도 6의 시점 t10에 대응하는 말풍선 내에 나타내는 바와 같이, 기판(W)의 상면(S1)의 전체에 레지스트막(R2)이 형성된다. 시점 t10은 상기의 액막 건조 공정의 종료 시점에 상당한다.Then, at the time point t9, the rotational speed of the substrate W rises to s6 higher than s5. Rotation speed s6 is set within the range of 1500 rpm or more and 3500 rpm or less, for example. From the time point t9 to the time point t10, the rotational speed of the substrate W is maintained at s6. The rotational speed s6 corresponds to the second rotational speed described above. At time t10, the liquid film drying process ends. Thus, at the time point t10, as shown in the word bubble corresponding to the time point t10 in FIG. 6, the resist film R2 is formed on the entire upper surface S1 of the substrate W. Time point t10 corresponds to the end point of the liquid film drying step.

시점 t9부터 시점 t10의 사이에서는, 기판(W)의 회전 속도가 s6(제2 회전 속도)으로 유지됨으로써, 도 7의 위에서 3단째의 단면도에 굵은 실선의 화살표로 나타내는 바와 같이, 액막의 상층 부분에서 유동하는 레지스트액(R1)이 기판(W)의 바깥쪽으로 보다 강하게 떨쳐 내어진다. 그에 의하여, 단차(ST) 및 그 주변부에서 레지스트액(R1)이 체류하는 것이 방지되면서, 기판(W)의 원환 영역에 존재하는 레지스트액(R1)이 건조된다. 따라서, 시점 t10에서는, 도 7의 위에서 4단째의 단면도에 나타내는 바와 같이, 단차(ST) 및 그 주변부에 형성되는 레지스트막(R2)의 두께가 다른 부분과 거의 같아진다. 이들의 결과, 액막 건조 공정의 종료 시에는, 단차(ST)를 포함하는 기판(W)의 상면(S1) 전체에, 균일한 두께로 레지스트막(R2)이 형성된다.Between the time point t9 and the time point t10, the rotational speed of the substrate W is maintained at s6 (second rotational speed), so that the upper layer portion of the liquid film, as indicated by the thick solid line arrow in the cross-sectional view at the third level from the top of FIG. The resist liquid (R1) flowing in the substrate W is more strongly expelled to the outside. As a result, the resist liquid R1 existing in the annular region of the substrate W is dried while preventing the resist liquid R1 from remaining in the step ST and its periphery. Therefore, at the time point t10, as shown in the 4th step sectional view from the top of Fig. 7, the thickness of the step ST and the resist film R2 formed in its peripheral portion becomes substantially the same as that of the other portions. As a result, upon completion of the liquid film drying process, the resist film R2 is formed with a uniform thickness over the entire upper surface S1 of the substrate W including the step ST.

시점 t10의 경과 후, 일정 기간 기판(W)의 회전 속도가 s5로 유지된다. 그 후, 시점 t11에서 회전 속도가 s5 및 s6보다 낮은 s8까지 저하한다. 이 상태에서, 일정 기간 도 1의 복수의 하면 노즐(17)로부터 기판(W)의 하면(S2)에 린스액이 공급된다. 이에 의하여, 기판(W)의 하면(S2)에 부착한 레지스트액(R1) 또는 레지스트의 고형물이 린스액에 의하여 제거된다.After the time point t10 has elapsed, the rotational speed of the substrate W is maintained at s5 for a certain period of time. Thereafter, the rotational speed decreases to s8 lower than s5 and s6 at the time point t11. In this state, the rinse liquid is supplied to the lower surface S2 of the substrate W from the plurality of lower surface nozzles 17 in FIG. 1 for a certain period of time. As a result, the resist liquid R1 or the solid material of the resist adhering to the lower surface S2 of the substrate W is removed by the rinsing liquid.

이와 같이, 기판(W)의 하면을 세정하는 공정(이른바 백 린스 공정)에서는, 기판(W)의 회전 속도가 액막 건조 공정에서 설정된 회전 속도보다 낮게 설정되어 있다. 그 때문에, 백 린스 공정에서는, 액막 건조 공정 중의 회전 속도로 기판(W)을 회전시키는 경우에 비하여, 기판(W)으로부터 비산하는 린스액의 양을 저감시킬 수 있다. 이에 의하여, 기판(W)의 하면(S2)으로부터 비산하는 린스액이 기판(W)의 상면(S1) 상에 형성된 레지스트막(R2) 상에 부착하는 것이 방지된다. 그 결과, 기판(W)의 처리 불량이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 상기의 백 린스 공정이 종료됨으로써, 기판(W)의 도포 처리가 종료된다.In this way, in the process of cleaning the lower surface of the substrate W (so-called back rinse process), the rotation speed of the substrate W is set lower than the rotation speed set in the liquid film drying process. Therefore, in the back rinse step, the amount of the rinse liquid scattering from the substrate W can be reduced compared to the case where the substrate W is rotated at the rotational speed during the liquid film drying step. This prevents the rinsing liquid splashing from the lower surface S2 of the substrate W from adhering to the resist film R2 formed on the upper surface S1 of the substrate W. As a result, processing defects of the substrate W can be prevented from occurring. When the back rinsing process is completed, the coating process of the substrate W is completed.

상기의 도 6의 예에 있어서, 시점 t8부터 시점 t10까지의 시간의 길이(액막 건조 공정의 개시부터 종료까지의 시간)는, 예를 들면 15초 이상 30초 이하이다. 또, 시점 t8부터 시점 t9까지의 시간의 길이는, 예를 들면 10초 이상 20초 이하이다.In the above example of FIG. 6 , the length of time from the time point t8 to the time point t10 (the time from the start to the end of the liquid film drying process) is, for example, 15 seconds or more and 30 seconds or less. Moreover, the length of time from the time point t8 to the time point t9 is 10 second or more and 20 second or less, for example.

[4] 액막 건조 공정의 중간 시점[4] Intermediate point of the liquid film drying process

상기와 같이, 액막 건조 공정의 중간 시점은, 액막 건조 공정이 개시된 후, 기판(W)의 중앙 영역 상의 레지스트액(R1)이 건조되고 또한 원환 영역 상에 존재하는 레지스트액(R1)이 유동하는 상태에 있는 기간 내가 되도록 정해진다.As described above, the intermediate time point of the liquid film drying process is when the resist liquid R1 on the central region of the substrate W is dried and the resist liquid R1 present on the annular region flows after the liquid film drying process is started. It is set to be within the period of being in the state.

여기서, 예를 들면 도 6의 예에 있어서, 액막 건조 공정 중 기판(W)의 회전 속도를 s5로 일정하게 유지하는 경우에는, 기판(W) 상의 레지스트액(R1)의 전체가 건조되기 전에, 액막의 상층 부분을 유동하는 레지스트액(R1)에 의하여 간섭 무늬가 발생한다. 이 간섭 무늬는, 기판(W)의 회전 속도 및 레지스트액(R1)의 종류에 따라 시인(視認)하는 것이 가능하다.Here, for example, in the example of FIG. 6 , in the case where the rotational speed of the substrate W is kept constant at s5 during the liquid film drying process, before the entire resist liquid R1 on the substrate W is dried, Interference fringes are generated by the resist liquid R1 flowing on the upper layer of the liquid film. This interference fringe can be visually recognized according to the rotational speed of the substrate W and the type of the resist liquid R1.

따라서, 상기의 간섭 무늬를 확인하는 것이 가능한 경우, 중간 시점은, 액막 건조 공정이 개시된 후, 기판(W)의 상면(S1)에 공급된 레지스트액(R1)의 표면에 발생하는 간섭 무늬가 소멸하기보다 전의 시점으로 정하는 것이 바람직하다. 이에 의하여, 액막 건조 공정의 중간 시점에서 기판(W)의 회전 속도를 상승시킴으로써, 기판(W)의 외주부 및 그 근방에 존재하고 또한 유동성을 갖는 레지스트액(R1)을 원활하게 떨쳐 낼 수 있다.Therefore, when it is possible to confirm the above interference fringe, at the intermediate point, after the liquid film drying process is started, the interference fringe generated on the surface of the resist liquid R1 supplied to the upper surface S1 of the substrate W disappears. It is preferable to set the time point before the following. In this way, by increasing the rotational speed of the substrate W at an intermediate point in the liquid film drying process, the resist liquid R1 having fluidity and existing on and around the outer periphery of the substrate W can be smoothly removed.

[5] 효과[5] Effect

(1) 상기의 도포 처리 장치(1)에 있어서는, 림부(SR)를 갖는 기판(W)에 도포 처리가 실시된다. 그 도포 처리는, 액막 형성 공정 및 액막 건조 공정을 포함한다. 우선, 액막 형성 공정에 있어서, 프리웨트 후에 회전하는 기판(W)의 상면(S1)에 레지스트액(R1)이 공급된다. 이에 의하여, 기판(W)의 상면(S1) 전체에 레지스트액이 퍼져, 액막 형성 공정이 종료된다.(1) In the coating processing apparatus 1 described above, coating processing is performed on the substrate W having the rim portion SR. The application process includes a liquid film forming process and a liquid film drying process. First, in the liquid film forming step, the resist liquid R1 is supplied to the upper surface S1 of the rotating substrate W after pre-wetting. As a result, the resist liquid spreads over the entire upper surface S1 of the substrate W, and the liquid film forming process is completed.

다음으로, 액막 건조 공정에서는, 기판(W)을 건조시키기 위하여, 개시 시점부터 중간 시점에 걸쳐 기판이 제1 회전 속도로 회전한다. 이에 의하여, 기판(W)의 중앙 영역에 위치하고 또한 유동성을 갖는 레지스트액이 기판(W)의 외주부를 향하여 이동한다. 따라서, 기판(W)의 상면(S1)에 있어서의 중앙 영역이 건조된다.Next, in the liquid film drying step, in order to dry the substrate W, the substrate is rotated at a first rotational speed from the start point to the middle point. As a result, the resist liquid located in the central region of the substrate W and having fluidity moves toward the outer periphery of the substrate W. Therefore, the central region of the upper surface S1 of the substrate W is dried.

계속해서, 액막 건조 공정의 중간 시점부터 종료 시점에 걸쳐 기판(W)이 제1 회전 속도보다 높은 제2 회전 속도로 회전한다. 이 경우, 기판(W)의 외주부 및 그 근방에서 유동하는 레지스트액(R1)에, 보다 큰 원심력이 작용한다. 또, 기판(W)을 둘러싸는 공간에, 보다 큰 기류가 발생한다. 이에 의하여, 기판(W)의 상면(S1) 상에서 기판(W)의 중심으로부터 외주부를 향하여 유동하는 레지스트액(R1)의 대부분이 기판(W)의 중앙 영역으로부터 림부(SR)를 넘어 기판(W)의 바깥쪽으로 비산한다. 환언하면, 기판(W)의 상면(S1) 상에서 림부(SR)와 내측 영역(IA)의 경계의 단차(ST)에 이끌리는 불필요한 레지스트액(R1)이, 기판(W)의 바깥쪽으로 떨쳐 내어진다.Subsequently, the substrate W is rotated at a second rotational speed higher than the first rotational speed from the middle to the end of the liquid film drying process. In this case, a larger centrifugal force acts on the resist liquid R1 flowing in and around the outer periphery of the substrate W. Further, a larger airflow is generated in the space surrounding the substrate W. As a result, most of the resist liquid R1 flowing from the center of the substrate W toward the outer periphery on the upper surface S1 of the substrate W crosses the rim portion SR from the central region of the substrate W to the substrate W ) to the outside of the In other words, the unnecessary resist liquid R1 guided by the step ST at the boundary between the rim portion SR and the inner region IA on the upper surface S1 of the substrate W is thrown outward of the substrate W. given out

그 결과, 도포 처리 시에 불필요한 레지스트액(R1)이 기판(W) 상에 잔류하는 것에 기인하여 기판(W)의 처리 불량 및 기판(W)의 오염이 발생하는 것을 방지할 수 있다.As a result, processing defects of the substrate W and contamination of the substrate W due to unnecessary resist liquid R1 remaining on the substrate W during the coating process can be prevented.

(2) 도 6의 예에 있어서는, 제2 회전 속도인 s7은, 제1 회전 속도인 s4의 2배의 회전 속도보다 높게 설정되어 있다. 이 경우, 림부(SR)의 내연에 위치하는 단차(ST)에 이끌리는 불필요한 레지스트액(R1)에, 보다 큰 원심력이 작용한다. 또, 기판(W)을 둘러싸는 공간에 더욱 큰 기류가 발생한다. 이에 의하여, 림부(SR)의 내측의 불필요한 레지스트액(R1)이, 보다 원활하게 기판(W)의 바깥쪽으로 떨쳐 내어진다.(2) In the example of FIG. 6 , the second rotational speed s7 is set higher than the rotational speed twice the first rotational speed s4. In this case, a larger centrifugal force acts on the unnecessary resist liquid R1 guided by the step ST located on the inner edge of the rim portion SR. Further, a larger air current is generated in the space surrounding the substrate W. As a result, the unnecessary resist liquid R1 on the inside of the rim portion SR is more smoothly expelled to the outside of the substrate W.

[6] 확인 시험[6] Verification test

본 발명자들은, 상기의 도포 처리에 의한 효과를 확인하기 위하여, 이하의 확인 시험을 행했다. 우선, 본 발명자들은, 도 6의 예에 따라 도포 처리를 행함으로써 실시예에 따른 기판(W)을 제작했다. 이하의 설명에서는, 이 기판(W)을 실시예 기판(W1)이라고 부른다. 또, 본 발명자들은, 액막 건조 공정의 기간 중에서 기판(W)의 회전 속도를 제1 회전 속도(s5)로 일정하게 유지하는 점을 제외하고 도 6의 예에 따라 도포 처리를 행함으로써 비교예에 따른 기판(W)을 제작했다. 이하의 설명에서는, 이 기판(W)을 비교예 기판(W2)이라고 부른다. 또한, 실시예 기판(W1) 및 비교예 기판(W2)의 제작 시에는, 레지스트막(R2)의 형성 후에, 림부(SR)를 포함하는 기판 주연부에 존재하는 레지스트막(R2)의 부분을 제거했다.The inventors of the present invention conducted the following confirmation test in order to confirm the effect of the coating treatment described above. First, the present inventors produced a substrate W according to the embodiment by performing an application process according to the example of FIG. 6 . In the following description, this substrate W is referred to as an embodiment substrate W1. In addition, the present inventors performed the coating treatment according to the example of FIG. 6 except that the rotational speed of the substrate W was kept constant at the first rotational speed s5 during the period of the liquid film drying step, thereby producing a comparative example. A substrate W according to the above was produced. In the following description, this substrate W is referred to as a comparative example substrate W2. In addition, in the manufacture of the example substrate W1 and the comparative example substrate W2, after the formation of the resist film R2, a portion of the resist film R2 present on the periphery of the substrate including the rim portion SR is removed. did.

본 발명자들은, 제작한 실시예 기판(W1) 및 비교예 기판(W2)에 대하여, 각 기판의 중심을 통과하는 직선 상의 레지스트막(R2)의 막두께 분포를 측정했다. 도 8은, 실시예 기판(W1) 및 비교예 기판(W2)의 레지스트막(R2)의 막두께 분포의 일부를 나타내는 도면이다. 도 8에서는, 실시예 기판(W1) 및 비교예 기판(W2)의 모식적 평면도와 함께, 모식적 평면도 중 점선으로 둘러싸인 2개의 부분의 막두께 분포가, 확대된 그래프에 의하여 나타내어진다.The present inventors measured the film thickness distribution of the resist film R2 on a straight line passing through the center of each substrate with respect to the manufactured Example substrate W1 and Comparative Example substrate W2. 8 is a diagram showing a part of the film thickness distribution of the resist film R2 of the example substrate W1 and the comparative example substrate W2. In FIG. 8 , film thickness distributions of two portions surrounded by dotted lines in the schematic plan view are shown by an enlarged graph, along with schematic plan views of the example substrate W1 and the comparative example substrate W2.

도 8의 그래프에 있어서는, 세로축이 레지스트막(R2)의 막두께를 나타내고, 가로축이 기판의 중심을 통과하는 직선(L) 상의 위치를 나타낸다. 실시예 기판(W1) 및 비교예 기판(W2)의 직경은, 모두 300mm이다. 가로축에 있어서는, 「147.0」은, 직선(L) 상에서 기판(W)의 중심으로부터 일방향(도 8의 예에서는 오른쪽 방향)으로 147mm 이격한 위치를 나타낸다. 또, 「-147.0」은, 직선(L) 상에서 기판(W)의 중심으로부터 역방향(도 8의 예에서는 왼쪽 방향)으로 147mm 이격한 위치를 나타낸다. 또, 가로축에 있어서는, 직선(L) 상의 단차(ST)의 위치가 흰색의 화살표로 나타내어진다. 또한, 도 8의 그래프에 있어서는, 실선이 실시예 기판(W1)에 대응하는 막두께 분포를 나타내고, 일점쇄선이 비교예 기판(W2)에 대응하는 막두께 분포를 나타낸다.In the graph of Fig. 8, the vertical axis represents the film thickness of the resist film R2, and the horizontal axis represents the position on a straight line L passing through the center of the substrate. Both the example substrate W1 and the comparative example substrate W2 have a diameter of 300 mm. On the horizontal axis, "147.0" represents a position 147 mm away from the center of the substrate W in one direction (rightward in the example of Fig. 8) on the straight line L. In addition, "-147.0" represents a position 147 mm away from the center of the substrate W on the straight line L in the opposite direction (leftward in the example of Fig. 8). Further, on the horizontal axis, the position of the level difference ST on the straight line L is indicated by a white arrow. In addition, in the graph of FIG. 8, the solid line represents the film thickness distribution corresponding to the example substrate W1, and the one-dot chain line represents the film thickness distribution corresponding to the comparative example substrate W2.

도 8에 나타내는 바와 같이, 실시예 기판(W1)의 단차(ST) 및 그 근방에 형성되는 레지스트막(R2)의 막두께는, 비교예 기판(W2)의 단차(ST) 및 그 근방에 형성되는 레지스트막(R2)의 막두께에 비하여 충분히 작다. 이에 의하여, 실시예 기판(W1)에 형성된 레지스트막(R2)의 막두께 분포는, 비교예 기판(W2)에 형성된 레지스트막(R2)의 막두께 분포에 비하여 균일화되어 있는 것을 확인할 수 있었다.As shown in Fig. 8, the film thickness of the resist film R2 formed at and near the step ST of the substrate W1 of the example is the step ST and its vicinity of the substrate W2 of the comparative example. It is sufficiently smaller than the film thickness of the resist film R2 to be formed. As a result, it was confirmed that the film thickness distribution of the resist film R2 formed on the substrate W1 of the example was more uniform than that of the resist film R2 formed on the substrate W2 of the comparative example.

[7] 다른 실시 형태[7] Other embodiments

(1) 상기 실시 형태에 따른 도 4의 기판(W)에 있어서, 림부(SR)와 내측 영역(IA)의 경계에 형성되는 단차(ST)는, 2개의 단차를 포함하지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 처리 대상이 되는 기판(W)에 있어서, 단차(ST)는, 1개의 단차만을 포함해도 된다. 또, 단차(ST)는, 기판(W)의 종단면에 있어서, 림부(SR)의 내주면과 내측 영역(IA)이 곡선으로 연결되도록 형성되어 있어도 된다.(1) In the substrate W of FIG. 4 according to the above embodiment, the step ST formed at the boundary between the rim portion SR and the inner region IA includes two steps, but the present invention Not limited. In the substrate W to be processed, the level difference ST may include only one level difference. Further, the step ST may be formed so that the inner circumferential surface of the rim portion SR and the inner region IA are connected in a curved line in the longitudinal section of the substrate W.

(2) 상기 실시 형태의 도 6의 예에서는, 액막 형성 공정에서 설정되는 기판(W)의 회전 속도 s3, s1, s2, s4가 이 순으로 높아지도록 설정되어 있지만, 회전 속도 s1~s4의 관계는 상기의 예에 한정되지 않는다. 회전 속도 s1~s4의 각각은, 상기 실시 형태에서 예시된 속도의 범위 내로 설정되어 있으면 된다.(2) In the example of FIG. 6 of the above embodiment, the rotational speeds s3, s1, s2, and s4 of the substrate W set in the liquid film forming step are set to increase in this order, but the relationship between rotational speeds s1 to s4 is not limited to the above example. Each of the rotational speeds s1 to s4 may be set within the range of speeds exemplified in the above embodiment.

(3) 상기 실시 형태의 도 6의 예에서는, 액막 형성 공정에서 프리웨트가 행해지지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 액막 형성 공정에 있어서 프리웨트는 행해지지 않아도 된다.(3) In the example of FIG. 6 of the above embodiment, prewetting is performed in the liquid film forming step, but the present invention is not limited to this. In the liquid film forming step, prewetting does not have to be performed.

(4) 상기 실시 형태의 도 6의 예에서는, 액막 형성 공정에서, 회전하는 기판(W)의 상면(S1)에 레지스트액(R1)이 공급되지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 액막 형성 공정에 있어서는, 회전을 정지하고 있는 기판(W)에 소정량의 레지스트액(R1)을 공급한 후, 레지스트액(R1)의 공급이 정지된 상태에서 기판(W)을 회전시킴으로써 기판(W)의 상면(S1) 전체에 레지스트액(R1)을 도포해도 된다.(4) In the example of FIG. 6 of the above embodiment, in the liquid film forming step, the resist liquid R1 is supplied to the upper surface S1 of the rotating substrate W, but the present invention is not limited to this. In the liquid film forming step, after supplying a predetermined amount of the resist liquid R1 to the substrate W whose rotation is stopped, the substrate W is rotated in a state where the supply of the resist liquid R1 is stopped, thereby forming the substrate ( The resist liquid R1 may be applied to the entire upper surface S1 of W).

(5) 상기 실시 형태에 따른 도포 처리 장치(1)에 있어서는, 기판(W)의 하면(S2)에 린스액을 공급하기 위하여 4개의 하면 노즐(17)이 설치되지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 기판(W)의 하면(S2)에 린스액을 공급하는 하면 노즐(17)은, 1개여도 되고, 2개여도 되고, 3개여도 된다. 혹은, 하면 노즐(17)의 수는 5 이상이어도 된다.(5) In the coating apparatus 1 according to the above embodiment, four lower surface nozzles 17 are provided to supply a rinse liquid to the lower surface S2 of the substrate W, but the present invention is not limited thereto. don't The number of lower surface nozzles 17 supplying the rinse liquid to the lower surface S2 of the substrate W may be one, two or three. Alternatively, the number of lower surface nozzles 17 may be five or more.

(6) 상기 실시 형태에 따른 도포 처리 장치(1)에 있어서는, 도포액으로서 기판(W)에 레지스트액(R1)이 공급되지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 도포 처리 장치(1)에 있어서는, 반사 방지막용 도포액이 기판(W)에 공급되어도 된다. 혹은, 도포 처리 장치(1)에 있어서는, SOC(Spin On Carbon)막, SOG(Spin On Glass)막 또는 SiARC(Si-rich Anti Reflective Coating)막용 도포액이 기판(W)에 공급되어도 된다.(6) In the coating apparatus 1 according to the above embodiment, the resist liquid R1 is supplied to the substrate W as a coating liquid, but the present invention is not limited to this. In the coating apparatus 1, the coating liquid for the antireflection film may be supplied to the substrate W. Alternatively, in the coating apparatus 1, a coating liquid for a SOC (Spin On Carbon) film, a SOG (Spin On Glass) film, or a SiARC (Si-rich Anti Reflective Coating) film may be supplied to the substrate W.

(7) 상기 실시 형태에서는, 액막 건조 공정의 중간 시점은, 액막 건조 공정의 개시 시점보다 후이고, 기판(W)의 중앙 영역 상의 레지스트액(R1)이 건조되고 또한 원환 영역 상에 존재하는 레지스트액(R1)이 유동하는 상태에 있는 기간 내가 되도록 정해지지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 액막 건조 공정의 중간 시점은, 상기의 기간에 한정되지 않고, 액막 건조 공정의 개시 시점 이후이고 또한 종료 시점보다 전으로 정해지면 된다.(7) In the above embodiment, the middle point of the liquid film drying step is after the start point of the liquid film drying step, the resist liquid R1 on the central region of the substrate W is dried, and the resist present on the annular region It is determined to be within the period in which the liquid R1 is in a flowing state, but the present invention is not limited to this. The intermediate point in time of the liquid film drying step is not limited to the above period, and may be determined after the start point of the liquid film drying step and before the end point.

[8] 청구항의 각 구성 요소와 실시 형태의 각 요소의 대응 관계[8] Correspondence between each component of the claim and each element of the embodiment

이하, 청구항의 각 구성 요소와 실시 형태의 각 요소의 대응의 예에 대하여 설명한다. 상기 실시 형태에서는, 레지스트막(R2)이 도포막의 예이고, 도포 처리 장치(1)가 도포 처리 장치의 예이고, 상면(S1)이 제1 면의 예이고, 하면(S2)이 제2 면의 예이고, 림부(SR)가 볼록부의 예이고, 회전 유지 장치(10)가 회전 유지부의 예이고, 레지스트액(R1)이 도포액의 예이고, 액 공급 장치(20)가 도포액 공급부의 예이고, 제어부(30)가 제어부의 예이고, 하면 노즐(17) 및 린스액 공급계(18)가 린스액 공급부의 예이다.Hereinafter, examples of correspondence between each constituent element of the claims and each element of the embodiment will be described. In the above embodiment, the resist film R2 is an example of the coating film, the coating apparatus 1 is an example of the coating apparatus, the upper surface S1 is an example of the first surface, and the lower surface S2 is the second surface. is an example, the rim portion SR is an example of a convex portion, the rotation holding device 10 is an example of a rotation holding portion, the resist liquid R1 is an example of a coating liquid, and the liquid supply device 20 is an example of a coating liquid supply unit. Yes, the control unit 30 is an example of the control unit, and the lower surface nozzle 17 and the rinse liquid supply system 18 are examples of the rinse liquid supply unit.

또, 액막 건조 공정의 개시 시점(도 6의 시점 t8)이 제1 시점의 예이고, 액막 건조 공정의 중간 시점(도 6의 시점 t9)이 제2 시점의 예이고, 액막 건조 공정의 종료 시점(도 6의 시점 t10)이 제3 시점의 예이고, 액막 건조 공정에 있어서의 기판(W)의 회전 속도 s5가 제1 회전 속도의 예이고, 액막 건조 공정에 있어서의 기판(W)의 회전 속도 s6이 제2 회전 속도의 예이고, 백 린스 공정에 있어서의 기판(W)의 회전 속도 s8이 제3 회전 속도의 예이다. 청구항의 각 구성 요소로서, 청구항에 기재되어 있는 구성 또는 기능을 갖는 다른 다양한 요소를 이용할 수도 있다.In addition, the starting time point of the liquid film drying process (time point t8 in FIG. 6 ) is an example of the first time point, the intermediate time point of the liquid film drying process (time point t9 in FIG. 6 ) is an example of the second time point, and the end time point of the liquid film drying process (Time t10 in FIG. 6 ) is an example of the third viewpoint, the rotational speed s5 of the substrate W in the liquid film drying step is an example of the first rotational speed, and the rotation of the substrate W in the liquid film drying step The speed s6 is an example of the second rotational speed, and the rotational speed s8 of the substrate W in the back rinse step is an example of the third rotational speed. As each component of the claim, various other elements having the configuration or function described in the claim may be used.

Claims (10)

적어도 일부가 원 형상의 외주부를 갖는 기판에 도포막을 형성하는 도포 처리 방법으로서,
상기 기판은, 서로 역방향을 향하는 제1 면 및 제2 면을 갖고,
상기 제1 면에는, 당해 제1 면에 직교하는 방향으로 돌출되고 또한 상기 외주부를 따라 연장되는 원환 형상의 볼록부가 형성되고,
상기 도포 처리 방법은,
상기 제1 면이 상방을 향하도록 상기 기판을 수평 자세로 유지하는 단계와,
상기 제1 면에 도포액을 공급하고, 도포액의 공급 중 또는 공급 후에 수평 자세로 유지된 상기 기판을 연직축 둘레로 회전시킴으로써 당해 제1 면 전체에 도포액을 퍼지게 하는 단계와,
상기 도포액을 퍼지게 하는 단계 후, 수평 자세로 유지된 상기 기판을 연직축 둘레로 회전시킴으로써 상기 기판을 건조시키는 단계를 포함하고,
상기 기판을 건조시키는 단계는,
제1 시점부터 상기 제1 시점보다 후의 제2 시점까지의 사이, 제1 회전 속도로 상기 기판을 회전시키는 것과,
상기 제2 시점부터 상기 제2 시점보다 후의 제3 시점까지의 사이, 상기 제1 회전 속도보다 높은 제2 회전 속도로 상기 기판을 회전시키는 것을 포함하는, 도포 처리 방법.A coating treatment method for forming a coating film on a substrate at least partially having a circular outer periphery,
The substrate has a first surface and a second surface facing in opposite directions to each other,
An annular convex portion protrudes in a direction orthogonal to the first surface and extends along the outer circumferential portion is formed on the first surface;
The coating treatment method,
holding the substrate in a horizontal position with the first surface facing upward;
supplying a coating liquid to the first surface and spreading the coating liquid over the entire first surface by rotating the substrate held in a horizontal position around a vertical axis during or after supplying the coating liquid;
After spreading the coating liquid, drying the substrate by rotating the substrate maintained in a horizontal position around a vertical axis;
Drying the substrate,
rotating the substrate at a first rotational speed between a first time point and a second time point later than the first time point;
And rotating the substrate at a second rotational speed higher than the first rotational speed between the second time point and a third time point later than the second time point. 청구항 1에 있어서,
상기 기판을 건조시키는 단계 후, 상기 제1 회전 속도보다 낮은 제3 회전 속도로 상기 기판을 회전시키면서, 상기 제2 면에 린스액을 공급하는 단계를 추가로 포함하는, 도포 처리 방법.The method of claim 1,
After the step of drying the substrate, while rotating the substrate at a third rotational speed lower than the first rotational speed, further comprising the step of supplying a rinse liquid to the second surface, the coating treatment method. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 제2 시점은, 상기 제1 면 상에 퍼진 도포액 중 상기 제1 면의 중앙 영역에 존재하는 부분이 건조되고 또한 상기 제1 면의 상기 중앙 영역을 둘러싸는 영역 상에 존재하는 부분이 유동하는 상태에 있는 기간 내가 되도록 정해지는, 도포 처리 방법.According to claim 1 or claim 2,
In the second time point, the portion of the coating liquid spread on the first surface in the central region of the first surface is dried and the portion present in the region surrounding the central region of the first surface is flowing. A coating treatment method determined to be within the period of being in the state of doing. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 제2 시점은, 상기 제1 시점 경과 후 상기 제1 면에 공급된 도포액의 표면에 발생하는 간섭 무늬가 소멸하기보다 전의 시점으로 정해지는, 도포 처리 방법.According to claim 1 or claim 2,
The second time point is determined as a time point before the disappearance of interference fringes generated on the surface of the coating liquid supplied to the first surface after the first point in time. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 제2 회전 속도는, 상기 제1 회전 속도의 2배의 회전 속도보다 높은, 도포 처리 방법.According to claim 1 or claim 2,
The second rotational speed is higher than a rotational speed twice the first rotational speed. 적어도 일부가 원 형상의 외주부를 갖는 기판에 도포막을 형성하는 도포 처리 장치로서,
상기 기판은, 서로 역방향을 향하는 제1 면 및 제2 면을 갖고,
상기 제1 면에는, 당해 제1 면에 직교하는 방향으로 돌출되고 또한 상기 외주부를 따라 연장되는 원환 형상의 볼록부가 형성되고,
상기 도포 처리 장치는,
상기 제1 면이 상방을 향하도록 상기 기판을 수평 자세로 유지하면서 연직축 둘레로 회전시키는 회전 유지부와,
상기 제1 면에 도포액을 공급하는 도포액 공급부와,
상기 제1 면에 도포액이 공급되도록 상기 도포액 공급부를 제어하고, 도포액의 공급 중 또는 공급 후에 수평 자세로 유지된 상기 기판이 상기 연직축 둘레로 회전함으로써 당해 제1 면 전체에 도포액이 퍼지도록 상기 회전 유지부를 제어하는 제어부를 구비하고,
상기 제어부는,
상기 제1 면 전체에 도포액이 퍼진 후, 제1 시점부터 상기 제1 시점보다 후의 제2 시점까지의 사이, 수평 자세로 유지된 상기 기판이 제1 회전 속도로 회전하고, 상기 제2 시점부터 상기 제2 시점보다 후의 제3 시점까지의 사이, 수평 자세로 유지된 상기 기판이 상기 제1 회전 속도보다 높은 제2 회전 속도로 회전함으로써 상기 기판이 건조되도록 상기 회전 유지부를 추가로 제어하는, 도포 처리 장치.A coating processing apparatus for forming a coating film on a substrate at least partially having a circular outer periphery, comprising:
The substrate has a first surface and a second surface facing in opposite directions to each other,
An annular convex portion protrudes in a direction orthogonal to the first surface and extends along the outer circumferential portion is formed on the first surface;
The coating treatment device,
a rotation holding unit for rotating the substrate around a vertical axis while holding the substrate in a horizontal position so that the first surface faces upward;
A coating liquid supply unit for supplying a coating liquid to the first surface;
The coating liquid supply unit is controlled so that the coating liquid is supplied to the first surface, and the substrate maintained in a horizontal position is rotated around the vertical axis during or after supply of the coating liquid, so that the coating liquid is purged over the entire first surface. And a control unit for controlling the rotation holding unit so as to
The control unit,
After the coating liquid is spread over the entire first surface, the substrate maintained in a horizontal position is rotated at a first rotational speed between a first time point and a second time point later than the first time point, and from the second time point onwards. Between the third time point after the second time point, the substrate maintained in the horizontal position is rotated at a second rotational speed higher than the first rotational speed to further control the rotation holding unit so that the substrate is dried. processing unit. 청구항 6에 있어서,
상기 제2 면에 린스액을 공급하는 린스액 공급부를 추가로 구비하고,
상기 제어부는, 상기 기판이 상기 제2 회전 속도로 회전함으로써 건조된 후, 상기 제1 회전 속도보다 낮은 제3 회전 속도로 상기 기판이 회전하도록 상기 회전 유지부를 추가로 제어함과 더불어, 상기 제3 회전 속도로 회전하는 상기 기판의 상기 제2 면에 린스액이 공급되도록 상기 린스액 공급부를 추가로 제어하는, 도포 처리 장치.The method of claim 6,
Further comprising a rinse liquid supply unit supplying a rinse liquid to the second surface,
The control unit further controls the rotation holding unit to rotate the substrate at a third rotational speed lower than the first rotational speed after the substrate is dried by rotating at the second rotational speed, and the third rotational speed. and further controlling the rinsing liquid supply unit so that the rinsing liquid is supplied to the second surface of the substrate rotating at a rotational speed. 청구항 6 또는 청구항 7에 있어서,
상기 제2 시점은, 상기 제1 면 상에 퍼진 도포액 중 상기 제1 면의 중앙 영역에 존재하는 부분이 건조되고 또한 상기 제1 면의 상기 중앙 영역을 둘러싸는 영역 상에 존재하는 부분이 유동하는 상태에 있는 기간 내가 되도록 정해지는, 도포 처리 장치.According to claim 6 or claim 7,
In the second time point, the portion of the coating liquid spread on the first surface in the central region of the first surface is dried and the portion present in the region surrounding the central region of the first surface is flowing. A coating treatment device that is determined to be within a period of being in the state of doing. 청구항 6 또는 청구항 7에 있어서,
상기 제2 시점은, 상기 제1 시점 경과 후 상기 제1 면에 공급된 도포액의 표면에 발생하는 간섭 무늬가 소멸하기보다 전의 시점으로 정해지는, 도포 처리 장치.According to claim 6 or claim 7,
The second point in time is determined as a point in time before an interference fringe generated on the surface of the coating liquid supplied to the first surface disappears after the first point in time. 청구항 6 또는 청구항 7에 있어서,
상기 제2 회전 속도는, 상기 제1 회전 속도의 2배의 회전 속도보다 높은, 도포 처리 장치.According to claim 6 or claim 7,
The second rotational speed is higher than a rotational speed twice the first rotational speed.
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