KR100608294B1 - Spin drier with cleaner of wafer lift and the cleaning method for the wafer lift - Google Patents

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Abstract

본 발명은 웨이퍼 리프트 세정 수단을 갖는 스핀 드라이어 및 웨이퍼 리프트의 세정 방법에 관한 것으로서, 내부에 건조될 웨이퍼가 적재되는 챔버; 상기 챔버 내부에 설치되며, 웨이퍼를 고정하는 웨이퍼 가이드; 및 상부에 웨이퍼가 끼워지는 다수의 슬롯을 가지며, 상기 웨이퍼 가이드에 웨이퍼를 로드/언로드시키는 웨이퍼 리프터를 포함하는 웨이퍼 스핀 드라이어에 있어서, 상기 챔버 내부에 상기 슬롯 사이에 잔류하는 이물질을 제거하는 클리닝 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 스핀 드라이어를 제공한다.The present invention relates to a spin dryer having a wafer lift cleaning means and a cleaning method of a wafer lift, comprising: a chamber in which a wafer to be dried is loaded; A wafer guide installed inside the chamber to fix the wafer; And a wafer lifter having a plurality of slots into which the wafer is inserted, and a wafer lifter configured to load / unload the wafer into the wafer guide, wherein the cleaning means removes foreign matter remaining between the slots in the chamber. It provides a wafer spin dryer characterized in that it further comprises.

본 발명에 의하면, 웨이퍼와 슬롯 내측간의 마찰로 인해 발생된 이물질을 제거할 수 있으므로, 이물질이 웨이퍼에 부착되어 불량을 발생시키는 것을 방지할 수 있어, 불량률을 저하시키는 효과를 제공할 수 있다. 또한, 리프터를 항상 청결한 상태로 유지시킬 수 있어 리프터의 수명 향상에도 유리한 장점이 있다.According to the present invention, since foreign matters generated by friction between the wafer and the inside of the slot can be removed, it is possible to prevent foreign matters from adhering to the wafer and to generate defects, thereby providing an effect of lowering the defective rate. In addition, it is possible to keep the lifter clean at all times, so there is an advantage in improving the life of the lifter.

웨이퍼, 스핀 드라이어, 슬롯, 이물질, 노즐.Wafers, spin dryers, slots, debris, nozzles.

Description

웨이퍼 리프트 세정 수단을 갖는 스핀 드라이어 및 웨이퍼 리프트의 세정 방법{Spin drier with cleaner of wafer lift and the cleaning method for the wafer lift}Spin drier with cleaner of wafer lift and the cleaning method for the wafer lift}

도 1은 종래의 스핀 드라이어를 개략적으로 도시한 사시도이다.1 is a perspective view schematically showing a conventional spin dryer.

도 2는 도 1 중 웨이퍼 리프트 부분을 확대하여 도시한 사시도이다.FIG. 2 is an enlarged perspective view of the wafer lift part of FIG. 1. FIG.

도 3은 본 발명에 따른 웨이퍼 리프트 세정 수단을 갖는 스핀 드라이어의 일 실시예의 내부를 도시한 사시도이다.Figure 3 is a perspective view of the interior of one embodiment of a spin dryer with wafer lift cleaning means in accordance with the present invention.

도 4는 도 3에 도시된 실시예를 도시한 계통도이다.4 is a system diagram illustrating the embodiment shown in FIG. 3.

도 5는 본 발명에 따른 웨이퍼 리프트 세정 방법의 일 실시예를 도시한 흐름도이다.5 is a flowchart illustrating an embodiment of a wafer lift cleaning method according to the present invention.

<도면 중 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for main parts of the drawings>

100 : 챔버,100: chamber,

120 : 웨이퍼 가이드,120: wafer guide,

130 : 리프터,130: lifter,

132 : 베이스,132: base,

134 : 비드,134: bead,

136 : 슬롯,136: slot,

140 : 노즐 바디,140: nozzle body,

142 : 노즐,142: nozzle,

144, 146 : 온오프 밸브.144, 146: on-off valve.

본 발명은 웨이퍼 리프트 세정 수단을 갖는 스핀 드라이어 및 웨이퍼 리프트의 세정 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 웨이퍼 표면에 잔류하는 순수를 건조하기 위한 스핀 드라이어의 슬롯 사이에 존재하는 이물질을 제거하기 위한 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a spin dryer having a wafer lift cleaning means and a wafer lift cleaning method, and more particularly, to an apparatus for removing foreign matter present between slots of a spin dryer for drying pure water remaining on a wafer surface. It is about a method.

반도체 제조 공정에서는 통상적으로 웨이퍼의 표면에 포토 레지스트를 도포하여 노광 및 현상 공정을 거쳐 패턴을 형성하고, 후속 공정인 식각 또는 이온주입공정을 거친 다음 포토 레지스트를 제거하게 된다. 포토 레지스트를 제거하는 통상적인 방법으로서는 플라즈마를 이용하여 1차적으로 제거하며, 1차 세정공정 과정에서 생성된 불순물 및 잔류 포토레지스트는 화학약품을 이용한 2차 세정공정을 통하여 제거하며, 화학약품을 이용한 2차 세정공정 후 순수(DIW, Deionized Water)를 이용하여 잔류하는 화학약품과 파티클(Paticle, 미립자)을 제거하는 3차 세정공정을 진행하게 되며, 이후 웨이퍼를 스핀 드라이어에 장착하여 건조시키게 된다.In the semiconductor manufacturing process, a photoresist is generally applied to a surface of a wafer to form a pattern through an exposure and development process, followed by an etching or ion implantation process to remove the photoresist. As a conventional method of removing the photoresist, the plasma is firstly removed, and impurities and residual photoresist generated during the first cleaning process are removed through the second cleaning process using chemicals, and the chemicals are removed. After the second cleaning process, a third cleaning process of removing residual chemicals and particles (fine particles) using pure water (DIW, Deionized Water) is performed. Then, the wafer is mounted on a spin dryer to dry.

도 1을 참조하면, 종래의 일반적인 스핀 드라이어의 일 예가 개략적으로 도시되어 있다. 우선, 상기 스핀 드라이어는 내부에 다수의 웨이퍼(w)를 적재하기 위한 챔버(100)를 가지며, 상기 챔버(100) 내부에 웨이퍼(w)의 둘레를 최소 3군데, 통상적으로는 5군데 지지하면서 로터(도시생략)에 의하여 회전하는 웨이퍼 가이드(120)가 갖추어지고(도시된 예에서는 복잡함을 피하기 위해 위쪽으로 2개만 도시하고 있다), 쳄버(100)의 내부 하단에는 웨이퍼 로딩과 언로딩시 웨이퍼(w)들의 하단을 받치는 리프터(130)가 모터(도시생략)에 의해 업/다운 되도록 설치되어 있다.Referring to FIG. 1, an example of a conventional general spin dryer is schematically illustrated. First, the spin dryer has a chamber 100 for loading a plurality of wafers (w) therein, and at least three circumferences of the wafer (w) in the chamber (100), usually five places A wafer guide 120 that is rotated by a rotor (not shown) is provided (only two are shown upward in order to avoid complexity), and an inner bottom of the chamber 100 has a wafer at the time of wafer loading and unloading. The lifter 130 which supports the lower ends of the (w) is provided to be up / down by a motor (not shown).

여기서, 상기 리프터(130)는 베이스(132)의 상부에 3개의 길이방향으로 연장되는 비드(134)가 형성되어 있고, 각각의 비드에는 마름모 형태의 단면을 갖는 슬롯(136)이 형성되어 있다. 상기 슬롯(136)은 그 내부에 웨이퍼(w)가 끼워져서 고정되도록 하기 위해 형성된 것이다.Here, the lifter 130 has three longitudinally extending beads 134 formed on the base 132, and each bead is formed with a slot 136 having a rhombus cross section. The slot 136 is formed to allow the wafer (w) to be fitted therein and fixed thereto.

이러한 종래의 스핀 드라이어는, 상기 웨이퍼 가이드(120)들이 젖혀져 해제된 상태에서 챔버(100) 내부로 웨이퍼(w)가 진입되면 리프터(130)가 상승하여 리프터(130)에 형성된 비드(134)의 슬롯(136)에 웨이퍼(w)가 끼워져 지지되고, 이후 웨이퍼 가이드(120)들이 웨이퍼(w)의 둘레를 향하여 이동되어 웨이퍼(w)가 파지되면 리프터(130)가 하강하며, 이후 로터에 의하여 상기 웨이퍼 가이드(120)들이 회전됨으로써 그 원심력에 의하여 웨이퍼(w) 표면에 잔류하는 순수가 탈리되게 된다.The conventional spin dryer has a bead 134 formed on the lifter 130 by lifting the lifter 130 when the wafer w enters the chamber 100 while the wafer guides 120 are flipped and released. The wafer w is inserted into and supported in the slot 136 of the wafer, and then the wafer guides 120 are moved toward the circumference of the wafer w so that the lifter 130 descends when the wafer w is gripped. As the wafer guides 120 are rotated by the centrifugal force, pure water remaining on the surface of the wafer w is detached.

상기 리프터(130)가 상승하여 웨이퍼(w)를 상기 슬롯(136)의 내부에 끼우는 과정에서, 상기 웨이퍼(w)와 슬롯(136)간의 마찰로 인해서 상기 슬롯(136)에서 이물질이 발생하게 된다. 일반적으로 상기 리프터(130)의 비드(134)는 테플론 재질로 이루어지며, 웨이퍼(w)와의 마찰로 인해 이물질(파티클)이 생기게 된다. 이는 웨이퍼로 전이되어 불량률을 높이는 원인이 되게 된다.In the process of lifting the lifter 130 and inserting the wafer w into the slot 136, foreign matter is generated in the slot 136 due to friction between the wafer w and the slot 136. . In general, the bead 134 of the lifter 130 is made of a Teflon material, foreign matter (particles) are generated due to friction with the wafer (w). This will cause the transfer to the wafer to increase the defective rate.

본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 단점을 극복하기 위해 안출된 것으로서, 웨이퍼와 비드의 마찰로 인해 발생되는 이물질을 제거할 수 있는 웨이퍼 스핀 드라이어를 제공하는 것을 기술적 과제로 삼고 있다.The present invention has been made to overcome the disadvantages of the prior art as described above, the technical problem is to provide a wafer spin dryer that can remove the foreign matter caused by the friction between the wafer and the beads.

또한, 본 발명은 웨이퍼 스핀 드라이어에 있어서 발생된 이물질을 제거하기 위한 세정 방법을 제공하는 것을 또 다른 기술적 과제로 삼고 있다.Another object of the present invention is to provide a cleaning method for removing foreign matters generated in a wafer spin dryer.

상기와 같은 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 내부에 건조될 웨이퍼가 적재되는 챔버; 상기 챔버 내부에 설치되며, 웨이퍼를 고정하는 웨이퍼 가이드; 및 상부에 웨이퍼가 끼워지는 다수의 슬롯을 가지며, 상기 웨이퍼 가이드에 웨이퍼를 로드/언로드시키는 웨이퍼 리프터를 포함하는 웨이퍼 스핀 드라이어에 있어서, 상기 챔버 내부에 상기 슬롯 사이에 잔류하는 이물질을 제거하는 클리닝 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 스핀 드라이어를 제공한다.In order to achieve the above technical problem, the present invention is a chamber in which a wafer to be dried is loaded; A wafer guide installed inside the chamber to fix the wafer; And a wafer lifter having a plurality of slots into which the wafer is inserted, and a wafer lifter configured to load / unload the wafer into the wafer guide, wherein the cleaning means removes foreign matter remaining between the slots in the chamber. It provides a wafer spin dryer characterized in that it further comprises.

여기서, 상기 클리닝 수단은 상기 챔버의 내벽에 인접하여 배치되는 노즐 바디; 및 상기 노즐 바디에 설치되며, 상기 슬롯을 향하여 배치되는 다수의 노즐을 포함할 수 있다.Here, the cleaning means includes a nozzle body disposed adjacent to the inner wall of the chamber; And a plurality of nozzles installed in the nozzle body and disposed toward the slots.

바람직하게는, 상기 노즐 바디는 상기 챔버의 길이방향으로 연장되며, 상기 노즐을 상기 노즐 바디에 등간격으로 배치되는 것이 좋다.Preferably, the nozzle body extends in the longitudinal direction of the chamber, it is preferable that the nozzles are arranged at equal intervals on the nozzle body.

여기서, 상기 노즐 바디는 상기 웨이퍼 리프터의 양측면에 배치될 수 있으며, 3개 이상의 노즐 바디를 설치할 수도 있다.Here, the nozzle body may be disposed on both sides of the wafer lifter, three or more nozzle bodies may be provided.

바람직하게는, 상기 노즐은 질소 가스 및 순수를 분사하도록 하는 것이 좋다.Preferably, the nozzle is to inject nitrogen gas and pure water.

본 발명은 또한, 건조가 완료된 웨이퍼를 챔버 외부로 이동시키는 단계; 웨이퍼 리프트에 질소 가스를 분사하는 단계; 상기 웨이퍼 리프트에 순수를 분사하는 단계; 및 상기 웨이퍼 리프트에 질소 가스를 재차 분사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 스핀 드라이어의 웨이퍼 리프트 세정 방법을 제공한다.The present invention also includes the step of moving the dried wafer out of the chamber; Injecting nitrogen gas into the wafer lift; Spraying pure water on the wafer lift; And it provides a wafer lift cleaning method of the wafer spin dryer comprising the step of injecting nitrogen gas to the wafer lift again.

이하에서는, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 웨이퍼 리프트 세정 수단을 갖는 스핀 드라이어 및 웨이퍼 리프트의 세정 방법의 실시예에 대해서 상세하게 설명하도록 한다. 아울러, 이하의 설명에서 종래와 동일한 부분에 대해서는 동일한 참조 부호를 부여하고 중복되는 설명은 생략하도록 한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail an embodiment of a spin dryer having a wafer lift cleaning means and a method of cleaning the wafer lift according to the present invention. In addition, in the following description, the same reference numerals are given to the same parts as in the related art, and overlapping descriptions will be omitted.

도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 스핀 드라이어의 일 실시예가 도시되어 있다. 상기 실시예에서 챔버(100)의 원통형으로 형성되는 내벽의 양측에 한 쌍의 노즐 바디(140)가 챔버(100)의 길이 방향을 따라서 장착되어 있다. 상기 노즐 바디(140)는 속이 비어있는 원통형의 파이프 형태를 가지며, 양단은 막혀 있다. 또한, 도시되지는 않았으나, 상기 노즐 바디(140)는 상기 챔버(100)의 내벽을 통해 설치되는 공급 라인과 연결되며, 상기 공급 라인은 각각 질소 가스 저장조와 순수 저장조와 연결된다.3, an embodiment of a spin dryer according to the present invention is shown. In the above embodiment, a pair of nozzle bodies 140 are mounted on both sides of the inner wall formed in the cylindrical shape of the chamber 100 along the longitudinal direction of the chamber 100. The nozzle body 140 has a hollow cylindrical pipe shape, and both ends thereof are blocked. In addition, although not shown, the nozzle body 140 is connected to a supply line installed through an inner wall of the chamber 100, and the supply line is connected to a nitrogen gas storage tank and a pure water storage tank, respectively.

한편, 상기 노즐 바디(140)에는 다수의 노즐(142)이 노즐 바디(140)의 길이방향으로 따라서 등간격으로 배치된다. 여기서, 상기 노즐(142)은 상기 비드(134)의 표면에 형성된 슬롯(136)을 향하게 배치된다. 따라서, 상기 노즐(142)을 통해서 질소 가스 및 순수를 상기 슬롯(136)을 향해 분사할 수 있게 된다. 여기서, 상기 비드(134) 중 중앙부에 위치하는 비들(134)를 위해, 상기 챔버(100)의 내벽 중 상단부에 추가적인 노즐 바디(140)를 설치할 수도 있다.Meanwhile, a plurality of nozzles 142 are disposed in the nozzle body 140 at equal intervals along the longitudinal direction of the nozzle body 140. Here, the nozzle 142 is disposed toward the slot 136 formed on the surface of the bead 134. Therefore, nitrogen gas and pure water can be injected toward the slot 136 through the nozzle 142. Here, an additional nozzle body 140 may be installed at the upper end of the inner wall of the chamber 100 for the beads 134 located at the center of the beads 134.

도 4를 참조하면, 상기 노즐 바디(140)는 상기 챔버(100)의 내벽을 통해 외부의 공급 라인과 연결되며, 상기 공급 라인은 도중에 분기되어 각각 질소 저장조와 순수 저장조로 연결된다. 또한, 질소 저장조 및 순수 저장조와 인접하여 상기 공급 라인에는 두 개의 온오프 밸브(144, 146)가 설치되는데, 상기 온오프 밸브로는 공압 밸브를 사용할 수 있다.Referring to FIG. 4, the nozzle body 140 is connected to an external supply line through an inner wall of the chamber 100, and the supply line is branched in the middle to be connected to a nitrogen reservoir and a pure reservoir, respectively. In addition, two on-off valves 144 and 146 are installed in the supply line adjacent to the nitrogen reservoir and the pure water reservoir, and a pneumatic valve may be used as the on-off valve.

여기서, 상기 온오프 밸브(144, 146)는 제어부(148)와 연결되는 바, 상기 제어부(148)의 제어 명령에 의해 상기 온오프 밸브(144, 146)가 개별적으로 작동하여 상기 노즐(142)을 통해, 상기 슬롯(136)으로 질소 가스 및 순수를 분사할 수 있게 한다.Here, the on-off valves 144 and 146 are connected to the control unit 148, and the on-off valves 144 and 146 are individually operated by the control command of the control unit 148 to allow the nozzle 142 to operate. Through it, it is possible to inject nitrogen gas and pure water into the slot 136.

상기 제어부(148)의 작동은 도 5에 도시되어 있다. 우선, 챔버(100) 내부에 적재된 웨이퍼를 대상으로 하여 건조 작업이 완료되면, 상기 웨이퍼 리프터(130)가 상승하여 웨이퍼를 리프터(130)의 상부에 올려두면서 웨이퍼를 챔버(100)로부터 언로딩한다. 이 상태에서, 로봇 아암(미도시)이 상기 웨이퍼를 챔버 외부로 반출하게 되면서 웨이퍼 언로딩 작업이 완료된다.The operation of the controller 148 is shown in FIG. First, when a drying operation is completed for a wafer loaded in the chamber 100, the wafer lifter 130 is raised to unload the wafer from the chamber 100 while placing the wafer on the upper portion of the lifter 130. do. In this state, the robot arm (not shown) takes the wafer out of the chamber and the wafer unloading operation is completed.

건조 작업 또는 로딩/언로딩 단계에서 웨이퍼와 테플론 재질의 비드가 접촉하여 발생된 이물질은 상기 슬롯의 내부에 잔류하게 된다. 이때, 상기 챔버(100)를 밀폐한 후, 상기 질소 저장조와 연결된 온오프 밸브(144)를 개방하여 상기 노즐(142)로부터 슬롯을 향해 질소 가스를 분사한다. 이를 통해, 대부분의 이물질은 슬롯으로부터 이탈하여 챔버(100)의 바닥면 또는 상기 베이스(132)의 상부로 이동하게 된다.In the drying operation or loading / unloading step, foreign matter generated by the contact between the wafer and the Teflon bead remains in the slot. At this time, after the chamber 100 is sealed, nitrogen gas is injected toward the slot from the nozzle 142 by opening the on / off valve 144 connected to the nitrogen reservoir. Through this, most foreign matter is separated from the slot is moved to the bottom surface of the chamber 100 or the top of the base 132.

이 상태에서, 순수 저장조와 연결된 온오프 밸브(146)를 개방하여 슬롯을 향해 순수를 고압으로 분사한다. 이를 통해, 슬롯에 부착되는 이물질이 완전히 제거되며, 베이스(132) 및 챔버(100)의 바닥면에 잔류하는 이물질이 완전히 씻겨나가게 된다.In this state, the on-off valve 146 connected to the pure water reservoir is opened to inject pure water at a high pressure toward the slot. Through this, foreign matter attached to the slot is completely removed, foreign matter remaining on the bottom surface of the base 132 and the chamber 100 is completely washed out.

순수 분사과정이 완료되면, 재차 질소를 분사한다. 이는 슬롯 또는 챔버 내벽에 순수가 잔류하여 추후에 있을 공정에서 웨이퍼를 오염시키는 것을 방지하기 위한 것으로서, 이로 인해 챔버 내부 및 슬롯 사이 등에 잔류하는 순수가 완전히 건조되게 된다.When the pure water injection process is completed, nitrogen is injected again. This is to prevent the pure water from remaining in the slot or the inner wall of the chamber to contaminate the wafer in a later process, so that the pure water remaining in the chamber and between the slots is completely dried.

상술한 실시예에서는 원통형의 노즐 바디에 다수의 노즐이 형성된 형태를 채용하고 있으나 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 일예로서 챔버의 내벽에 직접 노즐을 설치하는 예도 고려해 볼 수 있다. 또한, 질소 가스 분사과정에서 비산된 이물질이 챔버의 내벽에 부착되어 잔류하는 것을 방지하기 위해서, 상기 노즐을 노즐 바디의 일측면이 아닌 노즐 바디의 외주면 전체에 형성하여 질소 가스 및 순수가 슬롯뿐만이 아니라 챔버의 내벽 전체에 분사되는 형태의 실시예도 고려해 볼 수 있다.In the above-described embodiment, a shape in which a plurality of nozzles are formed in a cylindrical nozzle body is used, but is not necessarily limited thereto. As an example, an example of installing a nozzle directly on an inner wall of a chamber may be considered. In addition, in order to prevent the foreign matter scattered during the nitrogen gas injection process adheres to the inner wall of the chamber and remains, the nozzle is formed on the entire outer circumferential surface of the nozzle body instead of one side of the nozzle body, so that the nitrogen gas and pure water are not only slots Embodiments of the form in which the entire inner wall of the chamber is sprayed may be considered.

상기와 같은 구성을 갖는 본 발명에 의하면, 웨이퍼와 슬롯 내측간의 마찰로 인해 발생된 이물질을 제거할 수 있으므로, 이물질이 웨이퍼에 부착되어 불량을 발생시키는 것을 방지할 수 있어, 불량률을 저하시키는 효과를 제공할 수 있다. 또한, 리프터를 항상 청결한 상태로 유지시킬 수 있어 리프터의 수명 향상에도 유리한 장점이 있다.According to the present invention having the above-described configuration, since foreign matters generated by friction between the wafer and the inside of the slot can be removed, it is possible to prevent foreign matters from adhering to the wafer and to generate defects, thereby reducing the defective rate. Can provide. In addition, it is possible to keep the lifter clean at all times, so there is an advantage in improving the life of the lifter.

Claims (6)

삭제delete 삭제delete 내부에 건조될 웨이퍼가 적재되는 챔버;A chamber in which a wafer to be dried is loaded; 상기 챔버 내부에 설치되며, 웨이퍼를 고정하는 웨이퍼 가이드; 및A wafer guide installed inside the chamber to fix the wafer; And 상부에 웨이퍼가 끼워지는 다수의 슬롯을 가지며, 상기 웨이퍼 가이드에 웨이퍼를 로드/언로드시키는 웨이퍼 리프터를 포함하는 웨이퍼 스핀 드라이어에 있어서,A wafer spin dryer having a plurality of slots into which a wafer is inserted, and including a wafer lifter for loading / unloading a wafer into the wafer guide. 상기 챔버 내부에 상기 슬롯 사이에 잔류하는 이물질을 제거하는 것으로서, 상기 챔버의 내벽에 인접하여 배치되는 노즐 바디 및 상기 노즐 바디에 설치되며 상기 슬롯을 향하여 배치되는 다수의 노즐을 포함하는 클리닝 수단을 포함하되,And cleaning means for removing foreign matter remaining between the slots in the chamber, the nozzle body being disposed adjacent to the inner wall of the chamber and a plurality of nozzles installed in the nozzle body and disposed toward the slots. But 상기 노즐 바디는 상기 챔버의 길이 방향으로 연장되며, 상기 노즐은 상기 노즐 바디에 등간격으로 배치되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 스핀 드라이어.And the nozzle body extends in the longitudinal direction of the chamber, and the nozzles are disposed at equal intervals on the nozzle body. 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 노즐 바디는 상기 웨이퍼 리프터의 양측면에 배치되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 스핀 드라이어.And the nozzle body is disposed on both sides of the wafer lifter. 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 노즐은 질소 가스 및 순수를 분사하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 스핀 드라이어.The nozzle spin dryer, characterized in that for injecting nitrogen gas and pure water. 건조가 완료된 웨이퍼를 챔버 외부로 이동시키는 단계;Moving the dried wafer out of the chamber; 웨이퍼 리프트에 질소 가스를 분사하는 단계;Injecting nitrogen gas into the wafer lift; 상기 웨이퍼 리프트에 순수를 분사하는 단계; 및Spraying pure water on the wafer lift; And 상기 웨이퍼 리프트에 질소 가스를 재차 분사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 스핀 드라이어의 웨이퍼 리프트 세정 방법.And injecting nitrogen gas back into the wafer lift.
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