KR100608105B1 - Cmos 이미지 센서 - Google Patents
Cmos 이미지 센서 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100608105B1 KR100608105B1 KR1020040025701A KR20040025701A KR100608105B1 KR 100608105 B1 KR100608105 B1 KR 100608105B1 KR 1020040025701 A KR1020040025701 A KR 1020040025701A KR 20040025701 A KR20040025701 A KR 20040025701A KR 100608105 B1 KR100608105 B1 KR 100608105B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- transistor
- image sensor
- cmos image
- pixel
- photodiode
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/766—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors comprising control or output lines used for a plurality of functions, e.g. for pixel output, driving, reset or power
Abstract
Description
Claims (2)
- CMOS 이미지 센서(CMOS image sensor)에 있어서,상기 CMOS 이미지 센서는 리셋 트랜지스터(Rx), 드라이브 트랜지스터(Dx) 및 셀렉트 트랜지스터(Sel)로 이루어진 트랜지스터부 및 포토 다이오드를 포함하는 단위 픽셀 회로가 복수개로 배열된 픽셀 회로로 구성되며,상기 복수개로 배열된 픽셀 회로의 각 단위 픽셀 회로의 트랜지스터부는 인접하는 단위 픽셀 회로들의 트랜지스터부와 서로 접하도록 대칭적으로 배치되어 구동 전원 전압 및 그라운드 전압 중 적어도 어느 하나를 공유하여, 인접하는 단위 픽셀 회로들의 트랜지스터부와 active 영역 및 contact를 공유하는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서.
- 제1항에 있어서,상기 복수개로 배열된 픽셀 회로의 각 단위 픽셀 회로의 트랜지스터부는 인접하는 단위 픽셀 회로의 트랜지스터부들과 리셋 트랜지스터의 enable 회선을 공유하는 것을 특징으로 하는 CMOS 이미지 센서.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040025701A KR100608105B1 (ko) | 2004-04-14 | 2004-04-14 | Cmos 이미지 센서 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040025701A KR100608105B1 (ko) | 2004-04-14 | 2004-04-14 | Cmos 이미지 센서 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20050100466A KR20050100466A (ko) | 2005-10-19 |
KR100608105B1 true KR100608105B1 (ko) | 2006-08-02 |
Family
ID=37279276
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020040025701A KR100608105B1 (ko) | 2004-04-14 | 2004-04-14 | Cmos 이미지 센서 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100608105B1 (ko) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100688589B1 (ko) * | 2006-03-10 | 2007-03-02 | 삼성전자주식회사 | 필 팩터가 증대된 이미지 센서 및 그의 제조방법 |
KR100898908B1 (ko) * | 2007-08-07 | 2009-05-27 | 한국과학기술원 | 능동 픽셀 센서 |
TWI433307B (zh) | 2008-10-22 | 2014-04-01 | Sony Corp | 固態影像感測器、其驅動方法、成像裝置及電子器件 |
US8338868B2 (en) | 2008-12-03 | 2012-12-25 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Shared photodiode image sensor |
-
2004
- 2004-04-14 KR KR1020040025701A patent/KR100608105B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20050100466A (ko) | 2005-10-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10957724B2 (en) | Single-photon avalanche diode image sensor with photon counting and time-of-flight detection capabilities | |
US10468442B2 (en) | Solid-state imaging device and camera | |
CN110957339B (zh) | 固态成像装置和电子设备 | |
JP5369505B2 (ja) | 固体撮像装置、及び電子機器 | |
CN110783352A (zh) | 具有用于参考像素的选择性光屏蔽的图像传感器 | |
US9094624B2 (en) | Solid-state imaging apparatus and camera | |
KR100820520B1 (ko) | 고체촬상장치 | |
JP2007019521A (ja) | アクティブピクセルセンサーアレイを含むイメージセンサー | |
JP2010016056A (ja) | 光電変換装置 | |
JP2008172580A (ja) | 固体撮像素子及び固体撮像装置 | |
JP2010161390A (ja) | イメージセンサ | |
KR100504562B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서 | |
KR100685882B1 (ko) | 씨모스 이미지 센서 | |
US6642561B2 (en) | Solid imaging device and method for manufacturing the same | |
WO2012132098A1 (ja) | 固体撮像素子及び撮像装置 | |
KR100608105B1 (ko) | Cmos 이미지 센서 | |
JP2005268644A (ja) | 裏面照射型固体撮像素子、電子機器モジュール及びカメラモジュール | |
KR100674908B1 (ko) | 필 팩터가 개선된 cmos 이미지 소자 | |
JP2002164527A (ja) | 固体撮像装置 | |
KR100532286B1 (ko) | 새로운 단위화소를 구비한 시모스 이미지센서 | |
KR20020057282A (ko) | 전하 역류를 억제할 수 있는 이미지 센서 | |
KR101313689B1 (ko) | 이미지센서 | |
KR20070050576A (ko) | 이미지 센서 | |
KR100792335B1 (ko) | 이미지 센서 및 이의 제조 방법 | |
KR100769563B1 (ko) | 누설 전류를 감소시킨 이미지 센서 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
AMND | Amendment | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
J201 | Request for trial against refusal decision | ||
AMND | Amendment | ||
B701 | Decision to grant | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130626 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140701 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150629 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160630 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180627 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190625 Year of fee payment: 14 |