KR100607733B1 - Apparatus for manufacturing a reticle in semiconductor device - Google Patents
Apparatus for manufacturing a reticle in semiconductor device Download PDFInfo
- Publication number
- KR100607733B1 KR100607733B1 KR1020040113340A KR20040113340A KR100607733B1 KR 100607733 B1 KR100607733 B1 KR 100607733B1 KR 1020040113340 A KR1020040113340 A KR 1020040113340A KR 20040113340 A KR20040113340 A KR 20040113340A KR 100607733 B1 KR100607733 B1 KR 100607733B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- reticle
- exposure
- pattern
- semiconductor device
- arrow
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/42—Alignment or registration features, e.g. alignment marks on the mask substrates
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/44—Testing or measuring features, e.g. grid patterns, focus monitors, sawtooth scales or notched scales
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70466—Multiple exposures, e.g. combination of fine and coarse exposures, double patterning or multiple exposures for printing a single feature
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
본 발명은 미세 회로를 패턴하는 포토리소그라피 공정에서 다수의 노광 장비간에 믹스 & 매치를 위한 테스트 레티클을 제작하기 위한 것으로, 이를 위한 구성은 포토리소그라피 공정에서 2nd 노광 시, 노광되는 계층의 에로우(Arrow)가 위치하는 공간에 쉬프트된 정도를 식별 가능하게 하는 기준 패턴이 형성된 레티클을 제작하거나, 혹은 포토리소그라피 공정에서 2nd 노광 시, 노광되는 계층의 에로우가 위치하는 공간에 쉬프트된 정도를 식별 가능하게 하는 에로우 패턴이 형성된 레티클을 제작할 수 있다. 따라서, 믹스 & 매치를 1st 노광을 통한 기준 웨이퍼의 제작과 2nd 노광을 통한 pre 정렬 정밀도 정도를 눈으로 확인 할 수 있다. 이로 인하여, 눈으로 확인되는 구체적인 data는 측정장비의 개량을 통해 자동 측정과 자동 계산을 가능하게 할 수 있으며, 이를 통해 동종, 혹은 이종 장비간 차이를 확인할 수 있어 노광 공정의 특성상 다중 계층의 중첩성을 관리하는데 안정적인 효과가 있다. The present invention for the production of the test reticle to the mix and match between the plurality of the exposure equipment in the photolithography process to pattern the micro-circuit, the configuration for this is erowoo the 2 nd during exposure, the exposed layer in the photolithography process (Arrow ) is enabled to identify the production of the reticle formed with a reference pattern that enables identifying the shift degree, or when 2 nd exposure in a photolithography process, the shift in a space erowoo the position of the exposed layer about the location area to A reticle in which an arrow pattern is formed can be produced. Therefore, the mix & match can be visually confirmed the fabrication of the reference wafer through 1 st exposure and the degree of pre-alignment accuracy through 2 nd exposure. Because of this, the specific data that can be visually confirmed can be automatically measured and automatically calculated through the improvement of measuring equipment, and through this, it is possible to check the difference between homogeneous or heterogeneous equipment. It has a stable effect on management.
레티클, 기준 패턴, Arrow 패턴Reticle, datum pattern, arrow pattern
Description
도 1 내지 도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기준 패턴을 형성시키기 위해 제작된 레티클을 도시한 도면이고, 1 to 2 are views showing a reticle manufactured to form a reference pattern according to an embodiment of the present invention,
도 3 내지 도 4는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 Arrow 패턴을 형성시킬 수 있는 레티클을 도시한 도면이며,3 to 4 are diagrams showing a reticle capable of forming an arrow pattern according to another embodiment of the present invention.
도 5는 본 발명에 따른 2nd 레티클을 이용하여 중첩되는 방식을 도시한 도면이다. 5 is a diagram illustrating a manner of overlapping using a 2 nd reticle according to the present invention.
본 발명은 반도체 소자의 레티클(Reticle) 제작 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게 설명하면, 미세 회로를 패턴하는 포토리소그라피 공정에 있어서, 다수의 노광 장비간에 믹스 & 매치(mix & match)를 위한 테스트 레티클을 제작할 수 있는 장치에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE
주지된 바와 같이, 반도체 소자의 제조 과정 중에서 노광 공정은 노광기 (Stepper)를 사용하여 마스크(혹은, 레티클)에 그려진 회로패턴에 빛을 통과시켜 감광막이 형성된 웨이퍼 상에 회로패턴을 찍어 미세 회로의 패턴을 제작할 수 있는 공정과정을 의미한다. As is well known, during the manufacturing process of a semiconductor device, an exposure process uses a stepper to pass light through a circuit pattern drawn on a mask (or a reticle) to form a circuit pattern on a wafer on which a photosensitive film is formed to form a fine circuit pattern. It means a process that can be produced.
이러한 노광 공정을 위한 노광 장비에서 1st 노광(Expose)의 경우 이전 계층에 정렬할 필요가 없고 pre-align만을 진행한 후 노광이 진행된다. 즉 pre-align의 방법은 여러 가지가 있으나, 주로 웨이퍼의 노치(notch)를 검출하는 방법을 통해 웨이퍼 회전 정도를 확인한 후, 이 웨이퍼를 노광 장비의 스테이지에 올려놓는다. 이때, 노치를 검출하는 부품의 정밀도(accuracy)와, 그리고 웨이퍼를 전송(transfer)하면서 생기는 쉬프트(shift) 등에 따라 1st 노광에 영향을 미쳐 이후 계층이 다른 노광 장비로 진행되는 경우 정렬 에러가 발생하거나, 심한 경우 타 노광 장비와의 미스-메치로 인해 노광 공정의 진행이 불가능하게 되는 문제점을 갖는다. In the exposure equipment for such an exposure process, 1st exposure does not need to be aligned with a previous layer, and only after pre-aligning, exposure is performed. In other words, there are several methods of pre-alignment, but after checking the degree of wafer rotation through a method of detecting the notch of the wafer, the wafer is placed on the stage of the exposure equipment. In this case, alignment error occurs when 1 st exposure is affected by the accuracy of the part detecting the notch and the shift generated during the transfer of the wafer. Or, in severe cases, there is a problem that the progress of the exposure process is impossible due to the mis-match with other exposure equipment.
이에, 본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로, 그 목적은 미세 회로를 패턴하는 포토리소그라피 공정에서 다수의 노광 장비간에 믹스 & 매치를 위한 테스트 레티클을 제작할 수 있는 반도체 소자의 레티클 제작 장치를 제공함에 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the above-described problems, the object of the reticle manufacturing apparatus of a semiconductor device capable of producing a test reticle for mixing and matching between a plurality of exposure equipment in a photolithography process patterning a fine circuit In providing.
이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 소자의 미세 회로를 패턴하는 포토리소그라피 공정 장치에 있어서, 포토리소그라피 공정에서 2nd 노광 시, 노광되는 계층의 에로우(Arrow)가 위치하는 공간에 쉬프트된 정도를 식별 가능하게 하는 기준 패턴이 형성된 레티클을 제작하는 것을 특징으로 한다. In the photolithography apparatus for patterning the fine circuit of a semiconductor device according to the present invention for achieving the object, the shift degree of the space to a photolithography process in the 2 nd during exposure, erowoo (Arrow) of the exposed layer is located Characterized in that the reticle is formed with a reference pattern that makes it possible to identify.
또한, 상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 소자의 미세 회로를 패턴하는 포토리소그라피 공정 장치에 있어서, 포토리소그라피 공정에서 2nd 노광 시, 노광되는 계층의 에로우가 위치하는 공간에 쉬프트된 정도를 식별 가능하게 하는 에로우 패턴이 형성된 레티클을 제작하는 것을 특징으로 한다. Further, the shift degree to which method, in a photolithography process the 2 nd during exposure, erowoo of the exposed layer is located in a photolithography process to pattern the micro-circuit of a semiconductor device according to the present invention for achieving the above object space It characterized in that to produce a reticle is formed with an arrow pattern that makes it possible to identify.
이하, 본 발명의 실시예는 다수개가 존재할 수 있으며, 이하에서 첨부한 도면을 참조하여 바람직한 실시 예에 대하여 상세히 설명하기로 한다. 이 기술 분야의 숙련자라면 이 실시 예를 통해 본 발명의 목적, 특징 및 이점들을 잘 이해하게 될 것이다. Hereinafter, a plurality of embodiments of the present invention may exist, and a preferred embodiment will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Those skilled in the art will appreciate the objects, features and advantages of the present invention through this embodiment.
본 발명의 핵심 기술요지는, 포토리소그라피 공정에서 2nd 노광 시, 노광되는 계층의 에로우(Arrow)가 위치하는 공간에 쉬프트된 정도를 식별 가능하게 하는 기준 패턴이 형성된 레티클을 제작하는 것이다. 여기서, 레티클은, 9개의 기준 패턴이 중앙, 좌변, 우변, 상변, 하변, 좌상귀, 우상귀, 좌하귀, 우하귀에 형성되도록 제작되며, 기준 패턴 각각에는, 기준 패턴의 격자와 격자 사이가 2㎛이고, 기준이 되는 인식 라인을 0.5㎛로 형성하며, 나머지 각 계층은 0.35㎛로 라인으로 형성하며, 격자의 수는 80㎛로 4개 분면에 격자가 형성될 수 있도록 제작할 수 있다. 또한, 기준 패턴에 의해 제작된 레티클은, 1st 노광 후 패턴 형성된 계층을 식각 공정을 거쳐 기준 장비의 기준 웨이퍼로 제작할 수 있다. Core technology subject matter of the present invention is to produce a reticle formed with a reference pattern that enables identifying the shift degree of the space to photolithography 2 nd during exposure, erowoo (Arrow) of the layer to be exposed in the position. Here, the reticle is produced so that nine reference patterns are formed at the center, left side, right side, top side, bottom side, upper left ear, upper right ear, lower left ear, and lower right ear, and each of the reference patterns has a grid between the lattice and the lattice of the reference pattern, A recognition line as a reference is formed at 0.5 μm, and each remaining layer is formed at a line at 0.35 μm, and the number of gratings is 80 μm, so that the grating may be formed in four quadrants. In addition, the reticle manufactured by the reference pattern can produce the layer formed after the 1 st exposure pattern formation into the reference wafer of the reference equipment through an etching process.
또한, 포토리소그라피 공정에서 2nd 노광 시, 노광되는 계층의 에로우가 위치하는 공간에 쉬프트된 정도를 식별 가능하게 하는 에로우 패턴이 형성된 레티클을 제작한다. 여기서, 레티클은, 9개의 에로우 패턴이 중앙, 좌변, 우변, 상변, 하변, 좌상귀, 우상귀, 좌하귀, 우하귀에 형성되도록 제작하며, 에로우 패턴 각각은, 2㎛의 사각형 박스(box)로 제작할 수 있는 것으로, 이러한 기술적 수단을 통해 본 발명에서 목적으로 하는 바를 쉽게 달성할 수 있다.Further, to produce a reticle formed with a pattern erowoo that enables identifying the degree of shift in a space erowoo the position of the exposed layer during 2 nd exposure in photolithography process. Here, the reticle is produced so that the nine arrow patterns are formed in the center, left side, right side, top side, bottom side, upper left ear, upper right ear, lower left ear and lower right ear, and each of the arrow patterns can be manufactured in a rectangular box of 2 μm. Through such technical means, it is possible to easily achieve the object of the present invention.
도 1 내지 도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기준 패턴을 형성시키기 위해 제작된 레티클을 도시한 도면이다.1 to 2 are diagrams illustrating a reticle manufactured to form a reference pattern according to an embodiment of the present invention.
즉, 도 1을 참조하면, 본 발명에 의해 제작된 레티클을 도시한 도면으로서, 이 레티클 상에는 9개의 기준 패턴이 중앙, 좌변, 우변, 상변, 하변, 좌상귀, 우상귀, 좌하귀, 우하귀에 형성되어 있다. 보다 상세하게 설명하면, 9개의 기준 패턴 각각에는 도 2와 같이 도시된 기준 패턴이 각각 형성되어 있다. That is, referring to FIG. 1, a diagram showing a reticle manufactured according to the present invention, in which nine reference patterns are formed on the center, left side, right side, upper side, lower side, upper left ear, upper right ear, lower left ear, and lower right ear. . In more detail, each of the nine reference patterns is formed with the reference patterns shown in FIG. 2.
도 2는 9개의 기준 패턴 중 임의의 기준 패턴(우상귀에 위치한 기준 패턴)에 대하여 확대 도시한 도면으로서, 2nd 노광 시, 노광되는 계층의 에로우(Arrow)가 위치하는 공간에 쉬프트된 정도를 식별 가능(예로, 눈으로 확인이 가능)한 패턴인 것이다. Figure 2 identifies the shift extent in space of the nine criteria as an enlarged view shown for any of the reference pattern (reference pattern located on woosanggwi) of the pattern, when 2 nd the exposure, the exposed layer erowoo (Arrow) is located The pattern is possible (for example, visible).
보다 상세하게 설명하면, 기준 패턴의 격자와 격자 사이는 2㎛이고, 기준이 되는 인식 라인(S1)은 0.5㎛로 형성하며, 나머지 각 계층은 0.35㎛로 라인을 형성할 수 있다. 그리고, 격자의 수는 노광 장비 밴더가 프리 정렬 정밀도를 보증할 수 있는 정도인 80㎛로 4개 분면에 격자가 형성될 수 있도록 제작한다. 또한, 레티클 내의 기준 패턴의 경우, 사용자의 의도에 따라 그 격자의 수를 늘리거나, 줄일 수 있다. In more detail, between the lattice of the reference pattern and the lattice, the recognition line S1 serving as a reference may be formed to 0.5 μm, and the remaining layers may form lines to 0.35 μm. The number of gratings is 80 µm, which is enough to guarantee the pre-alignment accuracy of the exposure equipment vendor, so that the gratings can be formed in four quadrants. In addition, in the case of the reference pattern in the reticle, the number of the grid can be increased or decreased according to the user's intention.
따라서, 기준 패턴에 의해 제작된 레티클을 이용하여 1st 노광 후 만들어진 웨이퍼는 기준 웨이퍼가 되어 식각 공정을 거쳐 기준 장비의 기준 웨이퍼가 되는 것이다. Therefore, the wafer made after 1 st exposure using the reticle manufactured by the reference pattern becomes the reference wafer and is subjected to the etching process to become the reference wafer of the reference equipment.
다음으로, 도 3 내지 도 4는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 Arrow 패턴을 형성시킬 수 있는 레티클을 도시한 도면이다.Next, FIGS. 3 to 4 are diagrams illustrating a reticle capable of forming an arrow pattern according to another exemplary embodiment of the present invention.
즉, 도 3을 참조하면, 본 발명에 의해 제작된 레티클을 도시한 도면으로서, 이 레티클 상에는 9개의 Arrow 패턴이 중앙, 좌변, 우변, 상변, 하변, 좌상귀, 우상귀, 좌하귀, 우하귀에 형성되어 있다. 보다 상세하게 설명하면, 9개의 Arrow 패턴 각각에는 도 4와 같이 도시된 Arrow 패턴이 각각 형성되어 있다. That is, referring to FIG. 3, a reticle manufactured according to the present invention is illustrated in which nine arrow patterns are formed on the reticle in the center, left side, right side, upper side, lower side, upper left ear, upper right ear, lower left ear, and lower right ear. . In more detail, each of the nine arrow patterns is formed with the arrow pattern shown in Figure 4, respectively.
도 4는 9개의 Arrow 패턴 중 임의의 Arrow 패턴(우상귀에 위치한 Arrow 패턴)에 대하여 확대 도시한 도면으로서, Arrow 패턴은 2㎛의 사각형 박스(box)로서 2nd 노광시 1st 노광된 기준 패턴(예로, 도 1 및 도 2에 의해 제작된 기준 패턴)의 격자 상에 위치하게 되는 것이다. FIG. 4 is an enlarged view of an arbitrary arrow pattern (arrow pattern located at the right ear) among nine arrow patterns, wherein the arrow pattern is a rectangular box of 2 μm and a reference pattern exposed to 1 st during 2 nd exposure ( For example, it is located on the lattice of the reference pattern produced by Figs.
다시 말하여, 도 5는 본 발명에 따른 2nd 레티클을 이용하여 중첩되는 방식을 도시한 도면으로서, 2nd 노광시, 1st 노광된 기준 패턴 상에 도 4에 도시된 Arrow 패 턴이 중첩되어 눈으로 확인할 수 있는 Arrow 계층 형성을 위한 패턴인 것이다. 여기서, 도 5는 Arrow 패턴이 기준 패턴의 정 중앙에서 2㎛ 정도 우상으로 쉬프트된 것을 도시한 것으로, 좌하 방향으로 2㎛ 정도 쉬프트시켜야만 정확한 패턴 형성이 이루어지는 것이다. 여기서, 기준 패턴이 되는 레티클을 쉬프트시켜 사용할 수도 있으며, 새로운 레티클을 사용하여 형성할 수도 있다. In other words, Figure 5 is the Arrow pattern is superimposed as shown in a diagram illustrating the manner in which overlap with the 2 nd reticle according to the present invention, 2 nd upon exposure to light, a 4 on the st exposed reference pattern This is a pattern for forming the arrow layer that can be seen with the eye. Here, FIG. 5 illustrates that the arrow pattern is shifted to the upper right by about 2 μm from the center of the reference pattern, and accurate pattern formation is performed only when the arrow pattern is shifted by about 2 μm in the lower left direction. Here, the reticle serving as the reference pattern may be shifted and used, or may be formed using a new reticle.
따라서, 미세 회로를 패턴하는 포토리소그라피 공정에서 다수의 노광 장비간에 믹스 & 매치를 위한 테스트 레티클을 제작함으로써, 믹스 & 매치를 1st 노광을 통한 기준 웨이퍼의 제작과 2nd 노광을 통한 pre 정렬 정밀도 정도를 눈으로 확인 할 수 있다. 이로 인하여, 눈으로 확인되는 구체적인 data는 측정장비의 개량을 통해 자동 측정과 자동 계산을 가능하게 할 수 있으며, 이를 통해 동종, 혹은 이종 장비간 차이를 확인할 수 있어 노광 공정의 특성상 다중 계층의 중첩성을 관리하는데 안정적이다. Therefore, in the photolithography process for patterning microcircuits, a test reticle for mixing and matching between multiple exposure devices is manufactured, so that the mix and match can be prepared using a reference wafer through 1 st exposure and pre-alignment accuracy through 2 nd exposure. You can check with your eyes. Because of this, the specific data that can be visually confirmed can be automatically measured and automatically calculated through the improvement of measuring equipment, and through this, it is possible to check the difference between homogeneous or heterogeneous equipment. It is stable to manage.
또한, 본 발명의 사상 및 특허청구범위 내에서 권리로서 개시하고 있으므로, 본원 발명은 일반적인 원리들을 이용한 임의의 변형, 이용 및/또는 개작을 포함할 수도 있으며, 본 명세서의 설명으로부터 벗어나는 사항으로서 본 발명이 속하는 업계에서 공지 또는 관습적 실시의 범위에 해당하고 또한 첨부된 특허청구범위의 제한 범위 내에 포함되는 모든 사항을 포함한다. In addition, since the present invention is disclosed as a right within the spirit and claims of the present invention, the present invention may include any modification, use and / or adaptation using general principles, and the present invention as a matter deviating from the description of the present specification. It includes everything that falls within the scope of known or customary practice in the art to which it belongs and falls within the scope of the appended claims.
상기에서 설명한 바와 같이, 본 발명은 미세 회로를 패턴하는 포토리소그라 피 공정에서 다수의 노광 장비간에 믹스 & 매치를 위한 테스트 레티클을 제작함으로써, 믹스 & 매치를 1st 노광을 통한 기준 웨이퍼의 제작과 2nd 노광을 통한 pre 정렬 정밀도 정도를 눈으로 확인 할 수 있다. 이로 인하여, 눈으로 확인되는 구체적인 data는 측정장비의 개량을 통해 자동 측정과 자동 계산을 가능하게 할 수 있으며, 이를 통해 동종, 혹은 이종 장비간 차이를 확인할 수 있어 노광 공정의 특성상 다중 계층의 중첩성을 관리하는데 안정적인 효과가 있다. As described above, the present invention provides a test reticle for mixing & matching between multiple exposure apparatuses in a photolithography process for patterning fine circuits, thereby producing a reference wafer through 1 st exposure. the degree of alignment accuracy through the 2 nd pre exposure can be confirmed visually. Because of this, the specific data that can be visually confirmed can be automatically measured and automatically calculated through the improvement of measuring equipment, and through this, it is possible to check the difference between homogeneous or heterogeneous equipment. It has a stable effect on management.
Claims (7)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020040113340A KR100607733B1 (en) | 2004-12-27 | 2004-12-27 | Apparatus for manufacturing a reticle in semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020040113340A KR100607733B1 (en) | 2004-12-27 | 2004-12-27 | Apparatus for manufacturing a reticle in semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20060074583A KR20060074583A (en) | 2006-07-03 |
| KR100607733B1 true KR100607733B1 (en) | 2006-08-01 |
Family
ID=37167327
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020040113340A KR100607733B1 (en) | 2004-12-27 | 2004-12-27 | Apparatus for manufacturing a reticle in semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100607733B1 (en) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0878309A (en) * | 1994-09-06 | 1996-03-22 | Nikon Corp | Measuring method of distortion |
| KR19980022282A (en) * | 1996-09-20 | 1998-07-06 | 이대원 | Joint precision measuring apparatus in exposure apparatus and measuring method thereof |
| KR19980058661A (en) * | 1996-12-30 | 1998-10-07 | 이대원 | Focal plane measuring apparatus and method of exposure process |
-
2004
- 2004-12-27 KR KR1020040113340A patent/KR100607733B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0878309A (en) * | 1994-09-06 | 1996-03-22 | Nikon Corp | Measuring method of distortion |
| KR19980022282A (en) * | 1996-09-20 | 1998-07-06 | 이대원 | Joint precision measuring apparatus in exposure apparatus and measuring method thereof |
| KR19980058661A (en) * | 1996-12-30 | 1998-10-07 | 이대원 | Focal plane measuring apparatus and method of exposure process |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20060074583A (en) | 2006-07-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7666559B2 (en) | Structure and method for determining an overlay accuracy | |
| US7244533B2 (en) | Method of the adjustable matching map system in lithography | |
| KR101555084B1 (en) | Determining critical dimension or overlay variation of integrated circuit fields | |
| US6458606B2 (en) | Etch bias distribution across semiconductor wafer | |
| US20090068843A1 (en) | Method of forming mark in ic-fabricating process | |
| US20080014511A1 (en) | Photomask with overlay mark and method of fabricating semiconductor device | |
| KR100519252B1 (en) | Overlay mark, method for forming overlay mark and mearsurement method for overlay | |
| US9257351B2 (en) | Metrology marks for bidirectional grating superposition patterning processes | |
| CN110197821B (en) | Structure and method for improving overlapping performance in semiconductor device | |
| US6340547B1 (en) | Method of forming circuit patterns on semiconductor wafers using two optical steppers having nonaligned imaging systems | |
| KR100607733B1 (en) | Apparatus for manufacturing a reticle in semiconductor device | |
| JP2001083688A (en) | Method for forming photomask and resist pattern, alignment precision measuring method, manufacture of semiconductor device | |
| US6962762B2 (en) | Exposure positioning in photolithography | |
| KR100468725B1 (en) | Photomask for measuring lens aberration, method for manufacturing the same, and method for measuring lens aberration | |
| US7045254B2 (en) | Mask with programmed defects and method for the fabrication thereof | |
| KR20080061163A (en) | Overlay vernier in semiconductor device and method of making the same | |
| KR20070098029A (en) | Semiconductor integrated circuit device | |
| KR100576832B1 (en) | Methods of performing a photo process for asymmetric patterns and methods of forming a semiconductor device using thereof | |
| JPH10213896A (en) | Reticle | |
| KR100685597B1 (en) | Measurement marks of semiconductor devices and method for forming the same | |
| JPS63275115A (en) | Pattern forming method for semiconductor device | |
| KR20090109352A (en) | Forming method of overlay vernier and manufacturing method of semiconductor device using the same | |
| KR100567061B1 (en) | Method for fabricating multi-vernier for minimizing step between X and Y directions | |
| JPH0766113A (en) | Reticle and formation of verner for alignment thereof | |
| KR20090079713A (en) | Overlay key of semiconductor device and method for forming the same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20090715 Year of fee payment: 4 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |