KR19980058661A - Focal plane measuring apparatus and method of exposure process - Google Patents

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Abstract

이 발명은 노광 고정의 초점면 측정 장치 및 그 방법에 관한 것으로, X, Y 각 방향의 측정용 마크가 새겨진 레티클과; 상기 레티클을 통하여 출력되는 광을 집광하는 투영 렌즈계와; 상기 투영 렌즈계를 통하여 집광된 광이 조사되고, 측정 마크가 새겨지고 감광막이 도포된 플레이트와; 상기 플레이트가 놓여진 플레이트 스테이지와; 상기 플레이트 스테이지에 장착되고, 상기 플레이트의 측정 마크를 통하여 입사되는 광을 수광하여 해당하는 전기적인 신호를 출력하는 광 감지 수단과; 상기 플레이트가 X, Y, Z 각 방향으로 일정 스텝씩 이동되도록 해당 제어 신호를 출력하고, 상기 플레이트의 이동에 따라 상기 광감지 수단에서 출력되는 신호에 의하여 베스트 초점면에 해당하는 위치를 산출하는 제어 수단과; 상기 제어 수단에서 출력되는 제어 신호에 따라 구동되어 상기 플레이트 스테이지를 해당 위치로 이동시키는 스테이지 구동 수단을 포함하여 이루어지며, 노광 장치에서 플레이트의 정확한 초점면을 확인하기 위하여, 광전자적 방법에 따라 테스트용 레티클과 테스트 플레이트를 사용하여 초점면을 1차 확인된 노광 범위에 따라 플레이트에 Z방향의 스텝별 중복 노광을 수행함으로써, 별도의 준비 단계없이 짧은 시간내에 베스트 초점면을 확인할 수 있으며, 그 방법을 제공할 수 있다.The present invention relates to a focal plane measuring device for fixing exposure and a method thereof, comprising: a reticle engraved with measuring marks in X and Y directions; A projection lens system for condensing light output through the reticle; A plate on which light collected through the projection lens system is irradiated, a measurement mark is engraved, and a photosensitive film is coated; A plate stage on which the plate is placed; Light sensing means mounted on the plate stage and configured to receive light incident through a measurement mark of the plate and output a corresponding electrical signal; Control to output the corresponding control signal to move the plate by a predetermined step in each of the X, Y, Z directions, and calculate the position corresponding to the best focal plane by the signal output from the light sensing means in accordance with the movement of the plate Means; It comprises a stage driving means for driving in accordance with the control signal output from the control means for moving the plate stage to the corresponding position, in order to check the correct focal plane of the plate in the exposure apparatus, according to the photoelectric method By using the reticle and the test plate to perform the overlapping exposure step by step in the Z direction on the plate according to the first confirmed exposure range, the best focal plane can be identified within a short time without any additional preparation step. Can provide.

Description

노광 공정의 초점면 측정 장치 및 그 방법Focal plane measuring apparatus and method of exposure process

제1도는 이 발명의 실시예에 따른 노광 공정의 초점면 측정 장치의 구성도이고,1 is a block diagram of a focal plane measuring apparatus of an exposure process according to an embodiment of the present invention,

제2도는 이 발명의 실시예에 따른 노광 공정의 초점면 측정 장치의 전자적 제어 부분의 구성 블록도이고,FIG. 2 is a block diagram of an electronic control part of the focal plane measuring apparatus of the exposure process according to the embodiment of the present invention.

제3도는 이 발명의 실시예에 따른 테스트용 레티클과 테스트용 플레이트상에 형성된 측정 마크의 상태도이고,3 is a state diagram of measurement marks formed on a test reticle and a test plate according to an embodiment of the present invention,

제4도는 이 발명의 실시예에 따른 광센서의 장착 상태를 나타낸 단면도이고,4 is a cross-sectional view showing the mounting state of the optical sensor according to an embodiment of the present invention,

제5도는 이 발명의 실시예에 따른 초점 마크의 이미지 스캔 상태를 나태난 도면이고,5 is a view showing an image scanning state of a focus mark according to an embodiment of the present invention.

제6도는 이 발명의 실시예에 따른 인터페이스부의 상세 회로도이고,6 is a detailed circuit diagram of an interface unit according to an embodiment of the present invention.

제7도는 이 발명의 실시예에 따른 인터페이스부의 출력 신호 파형도이고,7 is an output signal waveform diagram of an interface unit according to an embodiment of the present invention.

제8도는 이 발명의 실시예에 따른 Z 스탭 대 출력 신호의 관계를 나타낸 그래프이고,8 is a graph showing the relationship of Z step to output signal according to an embodiment of the present invention,

제9도의 (가)와 (나)는 이 발명이 실시예에 따른 초점면 검증시 사용되는 레티클의 패턴도이고,9A and 9B are pattern diagrams of a reticle used in verifying a focal plane according to an embodiment of the present invention.

제10도는 이 발명의 실시예에 따른 중복 노광 상태를 나타낸 도면이고,10 is a view showing an overlapping exposure state according to an embodiment of the present invention,

제11도는 이 발명의 다른 실시예에 따른 테스트용 레티클의 패턴도이고,11 is a pattern diagram of a test reticle according to another embodiment of the present invention,

제12도는 이 발명의 다른 실시예에 따른 테스트용 플레이트의 패턴도이고,12 is a pattern diagram of a test plate according to another embodiment of the present invention,

제13도는 이 발명의 다른 실시예에 따른 테스트용 마스크의 패턴도이고,13 is a pattern diagram of a test mask according to another embodiment of the present invention,

제14도는 이 발명의 실시예에 따른 노광 공정의 초점면 측정 방법의 순서도이다.14 is a flowchart of a focal plane measuring method of an exposure process according to an embodiment of the present invention.

이 발명은 노광 고정의 초점면 측정 장치 및 그 방법에 관한 것으로, 노광 장치에서 플레이트의 정확한 초점면을 확인하기 위하여, 광전자적 방법에 따라 테스트용 레티클과 테스트 플레이트를 사용하여 초점면을 1차 확인한 다음, 확인된 노광 범위에 따라 플레이트에 Z 방향의 스텝별 중복 노광을 수행하기 위한 노광 공정의 초점면 측정 장치 및 그 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a focal plane measuring device and a method for fixing the exposure, and in order to confirm the correct focal plane of the plate in the exposure apparatus, the focal plane was first checked using a test reticle and a test plate according to the photoelectric method. Next, the present invention relates to an apparatus for measuring a focal plane of an exposure process for performing stepwise overlapping exposure in a Z direction on a plate according to an identified exposure range, and a method thereof.

액정 디스플레이 소자(Liquid Crystal Display Device : 이하 LCD라 명명함)의 제작에는 평판 유리(flat glass : Plate)위의 원판(reticle:이하 레티클이하 명명함)에 형성되어 있는 전기 회로를 빚을 이용하여 새겨 주는 노광 과정이 가장 중요한 공정이다.In the manufacture of liquid crystal display devices (hereinafter referred to as LCDs), the electrical circuits formed on the original plate (hereinafter referred to as the reticle) on the flat glass (plate) are engraved using a debt. The exposure process is the most important process.

상기 노광 공정에서는 레티클에 새겨진 전기 회로를 빚을 이용하여 평판 유리에 똑같이 새기기 위해서 플레이트위에 특정 파장대의 빚에 감광되는 감광 재료(PR:Photo Resist)를 균일하게 도포하는 과정을 거쳐야만 한다.In the exposure process, in order to engrave the electrical circuits engraved on the reticle on the flat glass using a debt, a photosensitive material (PR: Photo Resist) that is exposed to a specific wavelength band debt must be uniformly applied on the plate.

따라서 LCD용 노광 장치는 전기 회로 패턴이 새겨진 레티클을 장착하는 레티클 스테이지와, 전기 회로 패턴이 새겨진 플레이트가 고정되는 플레이트 스테이지로 구성되며, 상기 두개의 스테이지 사이에는 노광 광원을 집광하기 위한 렌즈계가 위치하게 된다.Therefore, the LCD exposure apparatus includes a reticle stage for mounting a reticle having an electric circuit pattern engraved thereon and a plate stage for fixing a plate having an electric circuit pattern engraved therebetween, and a lens system for condensing an exposure light source is located between the two stages. do.

레티클 상의 전기 회로 패턴을 플레이트 상에 필요한 부분만을 조명해 주기 위하여 레티클 스테이지 위에는 노광 광원을 레티클 상의 회로 패턴에 맞추어 제한해 주기 위한 블라인더(blinder)가 장착된다.A blinder is mounted on the reticle stage to limit the exposure light source to the circuit pattern on the reticle so as to illuminate only the portion of the electrical circuit pattern on the reticle on the plate.

이들의 상호 동작에 의하여 레티클의 회로 이미지가 플레이트면에 노광되며, 이 때 레티클이 패턴은 LCD 패널을 구동하기 위한 회로가 됨으로 정확한 초점에 따라 노광되어야만 한다.Due to their mutual operation, the circuit image of the reticle is exposed on the plate surface. At this time, the reticle becomes a circuit for driving the LCD panel, and therefore, the reticle must be exposed at the correct focus.

레티클의 패턴을 정확한 초점 위치에 노광시키기 위하여 모든 노광 장치는 플레이트 스테이지를 Z 방향으로 미소하게 구동시킬 수 있는 구동부를 갖고 있으며, 상기 구동부를 이용하여 정확한 초점면에 노광시키기 위한 플레이트를 위치시킬 수 있다.In order to expose the pattern of the reticle to the correct focus position, all the exposure apparatuses have a driving part capable of driving the plate stage slightly in the Z direction, and the driving part can be used to position a plate for exposing to the correct focal plane. .

이러한 노광 장치에서는 레티클에 새겨진 패턴을 플레이트위에 정확하게 결상시켜, 플레이트상의 감광막을 정확히 노광시키는 것이 가장 기본적으로 요구되는 사항 중의 하나이다.In such an exposure apparatus, the pattern engraved on the reticle is accurately imaged on the plate, so that the photosensitive film on the plate is accurately exposed, which is one of the basic requirements.

이를 위해서는 먼저 노광 장치의 광학계에 대한 왜곡(distortion) 평가, 해상도 평가, 중첩 노광 정밀도 평가, 화면 이음 정밀도 평가 등 여러 측정 및 평가 과정이 선행되어 검증되어야 한다.To this end, various measurement and evaluation processes such as distortion evaluation, resolution evaluation, overlapping exposure precision evaluation, and screen joint precision evaluation of the optical system of the exposure apparatus must be performed in advance and verified.

이러한 평가 항목들은 모드 정확한 초점면에서 수행되는 것을 전제로 하기 때문에, 상기와 같은 다수의 평가 작업을 위해서는 먼저 정확한 초점면을 확인하는 작업이 매우 중요한 과정이 된다.Since the evaluation items are assumed to be performed in the mode accurate focal plane, it is very important to check the correct focal plane first for many of the above evaluations.

종래의 노광 장치는 정확한 초점면을 확인하기 위해서, 특수한 패턴이 새겨진 테스트 전용 레티클과 테스트 전용 플레이트를 사용하고 있다. 여러 방법중 가장 널리 사용되고 있는 방법으로는 직접 노광 방법을 통하여 노광 결과를 현상하여 확인하는 방법이다.The conventional exposure apparatus uses a test-only reticle and a test-only plate engraved with a special pattern in order to confirm the correct focal plane. The most widely used method among various methods is a method of developing and confirming an exposure result through a direct exposure method.

이러한 방법은 먼저 플레이트 상에 감광막을 형성하는 단계와, 소정의 테스트용 패턴이 새겨진 테스트 레티클을 이용하여 플레이트 상에 패터닝(patterning)을 수행하는 노광 단계와, 그리고 노광된 플레이트를 현상하여 검증하는 단계로 이루어진다.This method comprises the steps of first forming a photoresist film on a plate, exposing a pattern on the plate using a test reticle having a predetermined test pattern engraved thereon, and developing and verifying the exposed plate. Is made of.

상기와 같은 단계로 이루어지는 가장 원시적인 방법으로는,1장의 플레이트를 이용하여 플레이트상에 정의된 특정 영역에 대하여 Z 방향의 각 스텝마다 상기 감광막 형성, 노광, 현상 그리고 측정 및 검증 단계를 모두 수행하는 방법으로, 상기 방법은 플레이트마다 갖고 있는 고유한 특성 즉, 플레이트의 평면도 특성의 차이를 배제할 수 있다는 면에서는 가장 정확한 장점을 가지나, 막대한 시간 손실이 발생되는 단점이 있다.In the most primitive method consisting of the above steps, the photosensitive film forming, exposing, developing, measuring and verifying step are performed for each step in the Z direction with respect to a specific area defined on the plate using one plate. As a method, the method has the most accurate advantage in that it can exclude the inherent property of each plate, that is, the difference in planar properties of the plate, but has a disadvantage in that a huge time loss occurs.

상기와 같은 시간적 손실을 줄이기 위하여, 1장의 플레이트에 대하여 측정용 패턴을 소정 간격을 두고 미소 위치로 이동된 스텝에서 노광을 수행함으로써, 1장의 플레이트에 대한 1스템에서의 노광이 아닌, 1장의 플레이트에 대하여 Z 방향의 여러 스텝에서 노광을 수행하는 방법이 있다.In order to reduce the time loss as described above, by performing exposure in a step in which the measurement pattern is moved to a minute position with respect to one plate at a predetermined interval, one plate rather than exposure in one stem to one plate There is a method of performing exposure in several steps in the Z direction with respect to.

그러나 상기 방법은 어느 정도 수행 시간이 감소되었으나 동일 플레이트상에서 각 부위별 평면도 차이와 도포된 감광막의 두께차 등에 의하여 정밀도가 저하되는 단점이 있다.However, the method has a reduced execution time to some extent, but there is a disadvantage that the precision is lowered due to the difference in planarity of each part on the same plate and the thickness difference of the coated photoresist.

그러나 상기한 방법이 시간적 손실을 어느 정도 방지하였으나, 종래의 방법들은 플레이트 스테이지의 정확한 초점면을 확인하기 위하여 스테이지를 Z 방향의 미소 스텝 단위로 이동하면서 그 때마다 감광막이 도포된 플레이트에 대하여 노광, 현상, 측정 및 검증 과정을 수행하여야 함으로 막대한 시간 손실이 불가피하다.However, while the above-described method prevents some time loss, the conventional methods move the stage in units of microsteps in the Z direction to confirm the correct focal plane of the plate stage, and then expose the plate to which the photosensitive film is coated. The enormous loss of time is inevitable because of the development, measurement and verification process.

즉, 통상적으로 Z 방향 이동 스렙의 매 스텝은 약 2∼5㎛정도이므로, Z 방향의 전체 이동 가능 거리에 대하여 환산해 보면 거의 200∼500 스텝 정도가 되며, 이러한 Z 방향의 레벨중 정확한 초점면을 확인하는 것은 이러한 레벨만큼 노광, 현상, 측정 및 검증 과정이 수행되어야 함으로, 막대한 시간적 손실이 발생하는 단점이 있다.That is, since every step of the Z-direction moving thread is about 2 to 5 μm, the total focal length in the Z direction is approximately 200 to 500 steps. Confirming that the exposure, development, measurement and verification process to be performed by this level, there is a disadvantage that a huge time loss occurs.

이 발명의 목적은 상기한 종래의 단점을 해결하기 위한 것으로, 노광 장치에서 플레이트의 정확한 초점면을 확인하기 위하여, 광전자적 방법에 따라 테스트용 레티클과 테스트 플레이트를 사용하여 초점면을 1차 확인한 다음, 확인된 노광 범위에 따라 플레이트에 Z 방향의 스텝별 중복 노광을 수행함으로써, 초점면 측정에 소용되는 시간을 줄이고 보다 정밀하게 초점면을 측정할 수 있는 노광 공정시의 초점면 측정 장치 및 그 방법에 관한 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the above-mentioned disadvantages, and in order to check the correct focal plane of the plate in the exposure apparatus, the focal plane is first checked using a test reticle and a test plate according to an optoelectronic method. A focal plane measuring device and method thereof in an exposure process capable of reducing the time required for focal plane measurement and measuring the focal plane more precisely by performing overlapped exposure for each step in the Z direction according to the identified exposure range. It is about.

상기의 목적을 달성하기 위한 이 발명의 구성은,The configuration of the present invention for achieving the above object,

X, Y 각 방향의 측정용 마크가 새겨진 레티클과;A reticle engraved with measuring marks in X and Y directions;

상기 레티클을 통하여 출력되는 광을 집광하는 투영 렌즈계와,A projection lens system for condensing light output through the reticle;

상기 투영 렌즈계를 통하여 집광된 광이 조사되고, 측정 마크가 새겨진 플레이트와;A plate on which light collected through the projection lens system is irradiated and engraved with a measurement mark;

상기 플레이트가 놓여진 플레이트 스테이지와;A plate stage on which the plate is placed;

상기 플레이트 스테이지에 장착되고, 상기 플레이트의 측정 마크를 통하여 입사되는 광을 수광하여 해당하는 전기적인 신호를 출력하는 광 감지 수단과;Light sensing means mounted on the plate stage and configured to receive light incident through a measurement mark of the plate and output a corresponding electrical signal;

상기 플레이트가 X, Y, Z 각 방향으로 일정 스텝씩 이동되도록 해당 제어신호를 출력하고, 상기 플레이트의 이동에 따라 상기 광감지 수단에서 출력되는 신호에 의하여 베스트 초점면에 해당하는 위치를 산출하는 제어 수단과;Control to output the control signal so that the plate is moved by each step in each of the X, Y, Z direction, and calculates the position corresponding to the best focal plane by the signal output from the light sensing means in accordance with the movement of the plate Means;

상기 제어 수단에서 출력되는 제어 신호에 따라 구동되어 상기 플레이트 스테이지를 해당 위치로 이동시키는 스테이지 구동 수단을 포함하여 이루어진다.And stage driving means for driving in accordance with a control signal output from the control means to move the plate stage to a corresponding position.

상기의 목적을 달성하기 위한 이 발명의 다른 구성은,Another configuration of the present invention for achieving the above object,

플레이트 위에 감광막을 형성하는 단계와;Forming a photoresist film on the plate;

측정용 패턴이 형성된 레티클에 대하여 플레이트를 X, Y, Z 방향으로 일정 스텝씩 이동시키면서 상기 플레이트에 대한 1차 노광을 수행하는 단계와;Performing a first exposure to the plate while moving the plate by a predetermined step in the X, Y, and Z directions with respect to the reticle on which the measurement pattern is formed;

상기 1차 노광에 따라 측정된 광신호에 따라 베스트 초점면을 산출하는 단계와;Calculating a best focal plane according to the optical signal measured according to the first exposure;

상기 산출된 베스트 초점면을 기준으로 하여, 플레이트를 X, Y, Z 방향으로 각각 일정 스텝씩 이동하여 검증용 레티클의 패턴을 플레이트상에 반복 노광시키는 단계와;Repeatedly exposing a pattern of the verification reticle on the plate by moving the plate by a predetermined step in the X, Y, and Z directions based on the calculated best focal plane;

상기 반복 노광된 플레이트를 현상한 다음, 반복 노광된 패턴중 근접 패턴군을 검사하는 단계를 포함하여 이루어진다.And developing the repeatedly exposed plate, and then inspecting a proximity pattern group among the repeatedly exposed patterns.

상기한 구성에 의하여, 이 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 이 발명을 용이하게 실시할 수 있는 가장 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조로 하여 상세히 설명한다.By the above configuration, the most preferred embodiment that can be easily carried out by those skilled in the art with reference to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

제1도는 이 발명의 실시예에 따른 노광 공정의 초점면 측정 장치의 구성도이고,1 is a block diagram of a focal plane measuring apparatus of an exposure process according to an embodiment of the present invention,

제2도는 이 발명의 실시예에 따른 노광 공정의 초점면 측정 장치의 전자적 제어 부분의 구성 블록도이고,FIG. 2 is a block diagram of an electronic control part of the focal plane measuring apparatus of the exposure process according to the embodiment of the present invention.

제3도는 이 발명의 실시예에 따른 테스트용 레티클과 테스트용 플레이트상에 형성된 측정 마크의 상태도이고,3 is a state diagram of measurement marks formed on a test reticle and a test plate according to an embodiment of the present invention,

제4도는 이 발명의 실시예에 따른 광센서의 장착 상태를 나타낸 단면도이고,4 is a cross-sectional view showing the mounting state of the optical sensor according to an embodiment of the present invention,

제5도는 이 발명의 실시예에 따른 초점 마크의 이미지 스캔 상태를 나태난 도면이고,5 is a view showing an image scanning state of a focus mark according to an embodiment of the present invention.

제6도는 이 발명의 실시예에 따른 인터페이스부의 상세 회로도이고,6 is a detailed circuit diagram of an interface unit according to an embodiment of the present invention.

제7도는 이 발명의 실시예에 따른 인터페이스부의 출력 신호 파형도이고,7 is an output signal waveform diagram of an interface unit according to an embodiment of the present invention.

제8도는 이 발명의 실시예에 따른 Z 스탭 대 출력 신호의 관계를 나타낸 그래프이고,8 is a graph showing the relationship of Z step to output signal according to an embodiment of the present invention,

제9도의 (가)와 (나)는 이 발명이 실시예에 따른 초점면 검증시 사용되는 레티클의 패턴도이고,9A and 9B are pattern diagrams of a reticle used in verifying a focal plane according to an embodiment of the present invention.

제10도는 이 발명의 실시예에 따른 중복 노광 상태를 나타낸 도면이고,10 is a view showing an overlapping exposure state according to an embodiment of the present invention,

제11도는 이 발명의 다른 실시예에 따른 테스트용 레티클의 패턴도이고,11 is a pattern diagram of a test reticle according to another embodiment of the present invention,

제12도는 이 발명의 다른 실시예에 따른 테스트용 플레이트의 패턴도이고,12 is a pattern diagram of a test plate according to another embodiment of the present invention,

제13도는 이발명의 다른 실시예에 따른 테스트용 마스크의 패턴도이고,13 is a pattern diagram of a test mask according to another embodiment of the present invention;

제14도는 이 발명의 실시예에 따른 노광 공정의 초점면 측정 방법의 순서도이다.14 is a flowchart of a focal plane measuring method of an exposure process according to an embodiment of the present invention.

첨부한 제1도 및 제2도에 도시되어 있듯이 이 발명의 실시예에 따른 노광 공정시 초점면 측정 장치의 구성은,As shown in FIG. 1 and FIG. 2, the configuration of the focal plane measuring apparatus during the exposure process according to the embodiment of the present invention is

X방향 측정 마크(21)와 Y 방향 측정 마크(23)가 형성되어 있는 레티클(2)과,A reticle 2 on which an X-direction measuring mark 21 and a Y-direction measuring mark 23 are formed,

상기 레티클(2)이 위치하는 레이클 스테이지(1)와,The rake stage 1 in which the reticle 2 is located,

상기 레티클(2)을 통하여 입사되는 광을 집광하여 출력하는 투영 렌즈계(3)와,A projection lens system 3 for condensing and outputting light incident through the reticle 2;

상기 투영 렌즈계(3)에 의해 집광된 광이 조사되고, 측정 마크(41)가 형성되어 있는 플 레이트(4)와,A plate 4 on which the light collected by the projection lens system 3 is irradiated, and the measurement mark 41 is formed;

상기 플레이트(4)가 위치하는 플레이트 스테이지(5)와,A plate stage 5 on which the plate 4 is located,

상기 플레이트 스테이지(5)의 일부분에 장착되어, 상기 플레이트(4)의 측정 마크(7)를 통하여 입사되는 광을 수광하여 해당 신호를 출력하는 광센서(6)와,An optical sensor 6 mounted on a part of the plate stage 5 to receive light incident through the measurement mark 7 of the plate 4 and to output a corresponding signal;

상기 광센서(6)에서 출력된 신호를 증폭 처리하여 출력하는 인터페이스부(7)와,An interface unit 7 for amplifying and outputting the signal output from the optical sensor 6;

상기 인터페이스부(7)에서 출력되는 신호에 따라 베스트 초점면을 산출하고, 설정된 초점 측정 동작에 따른 해당 스테이지 구동 신호를 출력하는 제어 장치(8)와,A control device 8 for calculating a best focal plane according to the signal output from the interface unit 7 and outputting a corresponding stage driving signal according to a set focus measurement operation;

상기 제어 장치(8)의 출력단에 연결되어 인가되는 스테이지 구동 신호에 따라 상기 플레이트 스테이지(5)를 해당 방향으로 이동시키는 스테이지 구동부(9)로 이루어진다.It is composed of a stage driver 9 for moving the plate stage 5 in the corresponding direction in accordance with a stage driving signal applied to the output terminal of the control device 8.

상기 광센서(6)는 첨부한 제4도에 도시되어 있듯이, 플레이트 스테이지(5)내에 장착되어 있으며, 상기 플레이트 스테이지(5)위로 플레이트(4)가 놓일 수 있도록 내부로 함몰된 구조로 이루어진다.The optical sensor 6 is mounted in the plate stage 5, as shown in the attached FIG. 4, and has a structure recessed inward so that the plate 4 can be placed on the plate stage 5.

상기 센서 인테페이스부(7)는 첨부한 제7도에 도시되어 있듯이, 입력되는 전류 신호를 해당하는 전압 신호로 가변시켜 출력하는 전류/전압부(71)와,As shown in FIG. 7, the sensor interface unit 7 includes: a current / voltage unit 71 for varying and outputting an input current signal into a corresponding voltage signal;

상기 전류/전압부(71)에서 출력되는 전압 신호를 증폭시켜 출력하는 전압 증폭부(72) 와,A voltage amplifying unit 72 for amplifying and outputting a voltage signal output from the current / voltage unit 71;

상기 전압 증폭부(72)에서 출력되는 증폭 신호를 출력하는 신호 출력부(73)와,A signal output unit 73 for outputting an amplified signal output from the voltage amplifier 72;

상기 전압 증폭부(72)에서 출력되는 증폭 신호를 반전 출력하는 신호 반전부(74)로 이루어진다.A signal inverting unit 74 inverts and outputs an amplified signal output from the voltage amplifying unit 72.

상기 구성에 의한 이 발명의 실시예에 따른 노광 공정시 초점면 측정 장치의 작용을 설명하면 다음과 같다.Referring to the operation of the focal plane measuring device during the exposure process according to the embodiment of the present invention by the above configuration as follows.

이 발명에서는 광전자적인 방법과 중복 노광 방법을 이용하여 정확한 초점면을 측정하기 위한 것으로, 광전자적인 방법은 측정용 패턴이 새겨진 테스트용 레티클과 테스트용 플레이트를 이용하고, 플레이트 스테이지상에 장착된 다기능 광센서로 테스트 레티클과 테스트 플레이트 상의 페턴 간섭에 따른 신호를 측정한 다음, 측정된 간섭 신호의 레벨에 따라 초점면을 확인하는 방법이다.In the present invention, a photoelectric method and an overlapping exposure method are used to measure an accurate focal plane. The optoelectronic method uses a test reticle and a test plate having a measurement pattern engraved therein, and is mounted on a plate stage. The sensor measures the signal according to the pattern interference on the test reticle and the test plate, and then checks the focal plane according to the level of the measured interference signal.

먼저 테스트용 플레이트(4)상에 감광막을 형성한 다음(S100), 제어 장치(8)는 스테이지 구동부(9)를 작동시켜 상기 테스트용 플레이트(4)를 Z 방향의 최저 위치(base position)으로 이동시킨 다음, 테스트 레티클(2)상의 X 방향 측정 마크(21)와 테스트 플레이트(4)의 측정 마크(41)를 정렬시킨다.First, a photosensitive film is formed on the test plate 4 (S100), and then the control device 8 operates the stage driver 9 to move the test plate 4 to a base position in the Z direction. After moving, the X direction measurement mark 21 on the test reticle 2 and the measurement mark 41 of the test plate 4 are aligned.

상기 테스트용 레티클(2)상에 형성된 측정 마크(21,23)는 첨부한 제3도에 도시되어 있듯이 각각 X, Y 방향으로 분리된 형태를 가지고 있으며, X, Y 두 방향에 대한 초점면을 측정하는데에 사용되며, 테스트용 레티클(2)과 플레이트 스테이지(5) 사이에 장착된 투영 렌즈계(3)에 의한 비점 수차의 영향을 함께 측정하기 위하여 동일한 크기로 이루어진다.The measurement marks 21 and 23 formed on the test reticle 2 have separate shapes in the X and Y directions, respectively, as shown in FIG. 3 and have a focal plane for the X and Y directions. It is used to measure and is of the same size to measure together the influence of astigmatism by the projection lens system 3 mounted between the test reticle 2 and the plate stage 5.

그리고 테스트용 플레이트(4)에 형성된 측정 마크(41)는 첨부한 제3도에 도시되어 있듯이 도트 형태로 이루어지며, 크기는 상기 테스트용 레티클(2)상에 형성된 측정 마크(21,23)와 동일하다.And the measurement mark 41 formed on the test plate 4 is made in the form of a dot, as shown in Figure 3 attached, the size and the measurement marks (21, 23) formed on the test reticle (2) same.

또한 측정 마크(41)에 형성된 도트의 폭은 상기 테스트용 레티클(2)에 형성된 마크의 선폭과 동일하게 구성되어, X, Y 방향 겸용으로 사용할 수 있다.In addition, the width of the dot formed in the measurement mark 41 is comprised similarly to the line width of the mark formed in the said test reticle 2, and can be used for both X and Y directions.

상기에서 테스트용 레티클(2) 상으로 도시하지 않은 광원에서 출력된 광이 조사된 다음, 테스트용 레티클(2)을 통과하여 테스트용 플레이트(4)상으로 조사된다.The light output from a light source not shown on the test reticle 2 is irradiated, and then irradiated onto the test plate 4 through the test reticle 2.

상기 상태에서 제어 장치(8)는 스테이지 구동부(9)를 작동시켜 테스트용 플레이트(4)를 X 방향으로 소정 거리만큼 이동시킴으로써, 테스트용 레티클(2)의 측정 마크 이미지로 테스트용 플레이트(4)의 측정 마크를 스캔하여 X 방향 초점면 측정을 수행한다.In this state, the control device 8 operates the stage driver 9 to move the test plate 4 in the X direction by a predetermined distance, whereby the test plate 4 is used as the measurement mark image of the test reticle 2. Perform the X-direction focal plane measurement by scanning the measurement mark.

즉, 테스트용 플레이트(4)가 최저 위치에서 X 방향으로 소정 거리만큼 이동함에 따라, 상기 테스트용 레티클(2)에서 출력되는 레티클 측정 마크 이미지가 플레이트 측정 마크(41)로 결상되는 위치가 가변되게 된다.That is, as the test plate 4 moves from the lowest position in the X direction by a predetermined distance, the position where the reticle measurement mark image output from the test reticle 2 is formed into the plate measurement mark 41 is varied. do.

따라서 첨부한 제4도에 도시되어 있듯이 플레이트 측정 마크(41)의 밑에 위치한 광센서(6)로 입사되는 광의 세기 및 입사 위치가 가변되고, 상기 광센서(6)는 입사되는 광에 해당하는 전기적인 신호를 인터페이스부(7)로 출력한다.Therefore, as shown in FIG. 4, the intensity and incidence of the light incident on the optical sensor 6 positioned under the plate measuring mark 41 are varied, and the optical sensor 6 is configured to correspond to the incident light. Outputs to the interface unit 7.

상기 광센서(6)에서 출력된 신호는 첨부한 제6도에 도시되어 있듯이 인터페이스부(7)의 전류/전압부(71)를 통하여 해당하는 전압 신호로 가변되어 출력된 다음, 전압 증폭부(72)를 통하여 일정 레벨로 증폭되어 출력된다.The signal output from the optical sensor 6 is converted into a corresponding voltage signal through the current / voltage unit 71 of the interface unit 7 as shown in FIG. 72 is amplified to a predetermined level and output.

상기 전압 증폭부(72)에서 출력된 증폭 신호는 신호 출력부(73)를 통하여 제어 장치(2)로 출력되고, 또한 상기 전압 증폭부(72)에서 출력된 증폭 신호는 전송상의 노이즈가 제거되도록 다시 신호 반전부(74)를 통하여 반전 증폭되어 제어 장치(8)로 출력된다.The amplified signal output from the voltage amplifying unit 72 is output to the control device 2 through the signal output unit 73, and the amplified signal output from the voltage amplifying unit 72 is to remove noise on the transmission. The signal is inverted and amplified again through the signal inversion unit 74 and output to the control device 8.

상기 제어 장치(8)는 X 방향의 스캔 동작에 따라 측정된 X 방향 초점면 측정 데이터를 내부 메모리의 해당 영역에 저장한 다음, 테스트용 플레이트(4)를 Z 방향으로 설정된 스텝별로 상방향이동시키면서 상기한 스캔 동작을 반복 수행한다.The control device 8 stores the X-direction focal plane measurement data measured according to the scan operation in the X-direction in the corresponding region of the internal memory, and then moves the test plate 4 upward by each step set in the Z-direction. The above scan operation is repeatedly performed.

즉, X 방향으로의 소정 거리 이동에 따른 스캔 동작이 종료되면, Z 방향의 기본 위치에서 Z 방향의 최상 위치(top position)까지 설정된 스텝별로 테스트용 플레이트(4)를 이동시켜가면서, 상기한 X 방향 초점면 측정과 같이 Z 방향 초점면 측정 동작을 수행하여 레티클 측정 마크 이미지로 플레이트 측정 마크를 스캔한다.That is, when the scan operation according to the movement of the predetermined distance in the X direction is completed, the test plate 4 is moved for each step set from the basic position in the Z direction to the top position in the Z direction, Like the directional focal plane measurement, a Z-direction focal plane measurement operation is performed to scan the plate measurement mark with the reticle measurement mark image.

상기 제어 장치(8)는 X 방향의 스캔 동작과 동일하게 측정된 Z 방향의 초점 측정 데이터를 메모리의 해당 영역에 저장한다.The control device 8 stores the focus measurement data in the Z direction measured in the same area as the scan operation in the X direction in the corresponding area of the memory.

상기에서 Z 방향 초점면 측정이 완료되면, 제어 장치(8)는 테스트 레티클(2)상의 Y 방향 측정 마크(22)와 테스트 플레이트(4)의 측정 마크(41)를 정렬시킨 다음, 테스트용 플레이트(4)를 Y 방향의 소정 거리만큼 이동시킴으로써 상기와 같이 Y 방향 초점면 측정 동작을 수행하고, 측정된 Y 방향 초점면 측정 데이터를 메모리의 해당 영역에 저장한다(S120).When the Z direction focal plane measurement is completed, the control device 8 aligns the measurement mark 41 of the test plate 4 with the measurement mark 22 of the Y direction on the test reticle 2 and then the test plate. By moving (4) by a predetermined distance in the Y direction, the Y-direction focal plane measurement operation is performed as described above, and the measured Y-direction focal plane measurement data is stored in the corresponding region of the memory (S120).

상기한 스캔 동작에 따라 광센서(6)에서 광전 변화되어 처리된 신호는 첨부한 제7도에 도시되어 있는 바와 같다. 스캔 과정에서 테스트용 레티클(2)의 측정 마크(3,4)와 테스트용 플레이트(4)의 측정 마크(41)간의 상관성(correlation) 효과로 인하여 상기 인터페이스부(7)에서 출력되는 신호는, 테스트용 레티클(2)과 테스트용 플레이트(4)상의 두마크((21,7)(22,7))간의 간격과 동일한 주기로 피크치(peak)가 나타나는 사인곡선적인(sinudoidal) 신호 형태로 나타난다.The photoelectrically changed signal processed by the optical sensor 6 according to the above scan operation is as shown in FIG. In the scanning process, due to the correlation effect between the measurement marks 3 and 4 of the test reticle 2 and the measurement mark 41 of the test plate 4, the signal output from the interface unit 7 is: It is shown in the form of a sinusoidal signal in which peaks appear at the same period as the interval between the test reticle 2 and the two marks ((21, 7) (22, 7) on the test plate 4).

이 때 인터페이스부(7)에서 출력되는 신호의 진폭은 테스트용 플레이트(4)상의 측정 마크(41)가 위치하게 되는 Z 방향의 스텝마다 달라지며, 레티클 측정 마크의 이미지가 가장 정확하게 테스트용 플레이트(4)상에 맺혀지는 Z 방향의 위치에서 광센서(6)로 입사되는 광의 강도가 가장 강하게 된다.At this time, the amplitude of the signal output from the interface unit 7 varies for each step in the Z direction where the measurement mark 41 on the test plate 4 is positioned, and the image of the reticle measurement mark is most accurately measured. 4) the intensity of the light incident on the optical sensor 6 is the strongest at the position in the Z direction which is bound on the image.

따라서 테스트용 레티클(2)에 대하여 테스트용 플레이트(4)의 위치가 베스트 포커스(best focus)일 때 즉, 정확하게 초점이 맞았을 때, 인터페이스부(7)에서 출력되는 신호의 진폭은 최대가 된다.Therefore, when the position of the test plate 4 with respect to the test reticle 2 is at the best focus, that is, when it is accurately focused, the amplitude of the signal output from the interface unit 7 becomes maximum. .

또한 인터페이스부(7)의 출력 신호에서 나타나는 픽크 개수는 플레이트 스테이지(5)의 스캔 거리와 비례한다.In addition, the number of peaks appearing in the output signal of the interface unit 7 is proportional to the scan distance of the plate stage 5.

상기 과정에서 정확한 측정을 위하여 각 Z 스텝마다 얻어지는 진폭 신호의 레벨은 다음과 같이 평균값을 산출한 다음, 산출된 평균값을 이용한다.For accurate measurement in the above process, the amplitude signal level obtained for each Z step is calculated as follows, and then the average value is used.

Vav = (V1 + V2 + … + Vn) / nVav = (V1 + V2 +… + Vn) / n

상기에서 Vav는 각 Z 스텝에서의 진폭 평균을 나타내고, n은 인터페이스부(7)에서 출력되는 신호의 픽크 개수를 나타낸다.In the above, Vav represents an average of amplitudes in each Z step, and n represents the number of peaks of a signal output from the interface unit 7.

첨부한 제8도는 Z 방향의 최저 위치에서 최상 위치까지 상기와 같이 광전자적으로 스캔하였을 때 얻어지는 Z 스텝 대 출력 전압을 나타낸 그래프로서, 출력 신호의 전압이 최대에 이르는 Z 스텝이 바로 테스트용 레티클(2)에 대한 테스트용 플레이트(4)의 베스트 포커스면이 된다(S130).FIG. 8 is a graph showing Z steps versus output voltages obtained by photoelectric scanning from the lowest position in the Z direction to the highest position as described above. The Z step in which the voltage of the output signal reaches the maximum is the test reticle ( It becomes the best focus surface of the test plate 4 for 2) (S130).

상기와 같이 제어 장치(8)는 테스트용 플레이트(4)를 광전자적인 스캔 방법에 따라 각각 X 방향 초점면, Y 방향 초점면, 그리고 Z 방향 초점면 측정을 수행한 다음, 그에 따라 출력되는 신호에 의하여 테스트용 티클(2)에 대한 테스트용 플레이트(4)의 베스트 초점면을 산출한 다음, 다시 스테이지 구동부(9)를 작동시켜 테스트용 플레이트(4)를 산출된 베스트 초점면에 해당하는 Z 방향의 스텝으로 이동시킨다.As described above, the control device 8 performs the X-direction focal plane, the Y-direction focal plane, and the Z-direction focal plane measurements, respectively, according to the photoelectric scanning method of the test plate 4, and then outputs the signal accordingly. Calculate the best focal plane of the test plate 4 with respect to the test tickle 2, and then operate the stage driver 9 again to move the test plate 4 in the Z direction corresponding to the calculated best focal plane. Move to step.

다음에, 상기 초점면 측정에 사용된 테스트용 레티클(2A)이 아닌 첨부한 제9도에 도시된 초점면 검증을 하기 위한 레티클(2A)을 해당 위치에 위치시킨 다음, 상기 레티클(2A)에 형성된 패턴을 감광막이 도포된 플레이트상에 노광시킨다.Next, instead of the test reticle 2A used for the focal plane measurement, the reticle 2A for the focal plane verification shown in FIG. 9 is placed in the corresponding position, and then placed in the reticle 2A. The formed pattern is exposed on a plate coated with a photosensitive film.

상기 초점면 검증을 하기 위하여 사용되는 레티클(2A)의 패턴군, 직사각형 외곽선의 각 모서리 부분(2Al)과 선 중심 부분(2A3)에 위치하며, 비점 수차에 의한 영향을 확인하기 위하여 빗살 무늬 마크가 새겨져 있다.Located in the pattern group of the reticle 2A used for verification of the focal plane, each corner portion 2Al and the center line portion 2A3 of the rectangular outline, a comb-shaped mark is provided to check the effect of astigmatism. Engraved.

상기와 같이 이루어진 패턴군이 형성된 레티클(2A)을 베스트 초점면에 위치한 플레이트상으로 1차 노광시킨 다음, 제어 장치(8)는 첨부한 제10도에 도시되어 있듯이 다시 스테이지 구동부(9)롤 작동시겨 플레이트를 베스트 초점면 위치에서 소정 스텝만큼 상하 Z 방향으로 이동시키고, X, Y 방향으로 소정 스텝(11,12)만큼 이동시킨다.After first exposing the reticle 2A having the pattern group formed as described above onto a plate positioned on the best focal plane, the control device 8 again rolls the stage drive unit 9 as shown in FIG. The seesaw plate is moved in the vertical Z direction by the predetermined step from the position of the best focal plane, and moved by the predetermined steps 11 and 12 in the X and Y directions.

그리고 레티클(2A)의 외곽선이 겹쳐지도록 다시 패턴을 플레이트상에 반복 노광시킨다(S140).The pattern is repeatedly exposed on the plate so that the outline of the reticle 2A overlaps (S140).

따라서 광전자적으로 확인된 베스트 초점면을 기준으로 Z 방향으로 일정 범위내의 초점 레벨로 노광된 패턴들을 플레이트 전체에 걸쳐서 노광하게 된다.Therefore, the patterns exposed at the focal level within a predetermined range in the Z direction based on the photoelectrically confirmed best focal plane are exposed over the entire plate.

또한 레티클(2A)상의 동일 패턴(P)이 초점 레벨을 달리하면서 X, Y 방향으로 미소 거리(11,12) 만큼 떨어져 있으므로, 플레이트의 부분적인 평면도나 감광막의 도포 두께 차이 등이 상기 패턴군(P)에서는 거의 없다고 볼 수 있다.In addition, since the same pattern P on the reticle 2A is separated by minute distances 11 and 12 in the X and Y directions while varying the focal level, the partial plan view of the plate, the difference in coating thickness of the photoresist film, and the like are caused by the pattern group ( In P), there is almost no.

상기에서와 같이 동일 패턴에 의한 반복 노광을 수행한 다음, 반복 노광된 플레이트를 현상하고, 현상된 패턴군에 의하여 근접 패턴군을 검사하게 된다(S150).After repeating the exposure by the same pattern as described above, the repeatedly exposed plate is developed, and the adjacent pattern group is inspected by the developed pattern group (S150).

상기한 실시예에서 베스트 초점면 측정을 위하여 테스트용 레티클(2)상에 X, Y 방향 측정 마크(21,23)를 하나만 형성하지 않고, 첨부한 제11도에 도시되어 있듯이 측정 마크를 레티클 전면에 걸쳐서 복수개 형성함으로써, 보다 넓은 노광 영역에 해당하여 플레이트 스테이지를 이동시키면서 플레이트 스테이지의 여러 포인트에서 초점면을 측정하여 전체적인 초점면의 프로파일(profile)을 확인해 볼 수 있다.In the above-described embodiment, only one X and Y direction measuring marks 21 and 23 are formed on the test reticle 2 for the best focal plane measurement, and as shown in FIG. By forming a plurality of over, the profile of the entire focal plane can be checked by measuring the focal plane at various points of the plate stage while moving the plate stage corresponding to a wider exposure area.

또한 테스트 플레이트(4)상의 측정 마크(41)를 1개의 양방향 마크가 아닌 첨부한 제12도에 도시되어 있듯이 각 방향의 2개 마크를 이용하여 초점면 측정을 수행할 수도 있다.Also, as shown in FIG. 12 attached to the measurement mark 41 on the test plate 4 rather than one bidirectional mark, the focal plane measurement may be performed using two marks in each direction.

또한 플레이트 스테이지(5)내에 장착된 광센서(6)위에 별도의 마크가 형성된 테스트용 플레이트를 사용하지 않고, 첨부한 제13도에 도시되어 있듯이 직접 글래스 필터 모양의 마스크를 사용하여 초점면 측정을 수행할 수 있다.In addition, instead of using a test plate having a separate mark formed on the optical sensor 6 mounted in the plate stage 5, as shown in FIG. 13, the focal plane measurement is performed by using a glass filter-shaped mask. Can be done.

이상에서와 같이 이 발명의 실시예에 따라, 노광 장치에서 플레이트의 정확한 초점면을 확인하기 위하여, 광전자적 방법에 따라 테스트용 레티클과 테스트 플레이트를 사용하여 초점면을 1차 확인한 다음, 확인된 노광 범위에 따라 플레이트에 Z 방향의 스텝별 중복 노광을 수행함으로써, 별도의 준비 단계없이 짧은 시간내에 베스트 초점면을 확인할 수 있다.As described above, in order to check the correct focal plane of the plate in the exposure apparatus, the focal plane is first checked using the test reticle and the test plate according to the photoelectric method, and then the identified exposure By performing overlapping exposure step by step in the Z direction according to the range, the best focal plane can be confirmed within a short time without any additional preparation step.

또한 산출된 베스트 초점면을 중심으로 일정 범위 이동시키면서 레티클의 동일 패턴을 플레이트상에 노광함으로써 정확한 베스트 초점면을 재확인하여 보다 정확도를 향상시킬 수 있는 효과를 가지는 노광 공정의 초점면 측정 장치 및 그 방법을 제공할 수 있다.In addition, the focal plane measuring apparatus and method of the exposure process having the effect of improving the accuracy by re-checking the exact best focal plane by exposing the same pattern of the reticle on the plate while moving a predetermined range around the calculated best focal plane Can be provided.

Claims (18)

X, Y 각 방향의 측정용 마크가 새겨진 레티클과;A reticle engraved with measuring marks in X and Y directions; 상기 레티클을 통하여 출력되는 광을 집광하는 투영 렌즈계와;A projection lens system for condensing light output through the reticle; 상기 투영 렌즈계를 통하여 집광된 광이 조사되고, 측정 마크가 새겨진 플레이트와;A plate on which light collected through the projection lens system is irradiated and engraved with a measurement mark; 상기 플레이트가 놓여진 플레이트 스테이지와;A plate stage on which the plate is placed; 상기 플레이트 스테이지에 장착되고, 상기 플레이트의 측정 마크를 통하여 입사되는 광을 수광하여 해당하는 전기적인 신호를 출력하는 광 감지 수단과;Light sensing means mounted on the plate stage and configured to receive light incident through a measurement mark of the plate and output a corresponding electrical signal; 상기 플레이트가 X, Y, Z 각 방향으로 일정 스텝씩 이동되도록 해당 제어 신호를 출력하고, 상기 플레이트의 이동에 따라 상기 광감지 수단에서 출력되는 신호에 의하여 베스트 초점면에 해당하는 위치를 산출하는 제어 수단과;Control to output the corresponding control signal to move the plate by a predetermined step in each of the X, Y, Z directions, and calculate the position corresponding to the best focal plane by the signal output from the light sensing means in accordance with the movement of the plate Means; 상기 제어 수단에서 출력되는 제어 신호에 따라 구동되어 상기 플레이트 스테이지를 해당 위치로 이동시키는 스테이지 구동 수단을 포함하여 이루어지는 노광 공정의 초점면 측정 장치.And stage driving means for driving in accordance with a control signal output from the control means to move the plate stage to a corresponding position. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 레티클상에 형성된 측정 마크는 각각 X, Y 방향으로 분리된 형태를 가지고 있으며, 상기 투영 렌즈계에 의한 비점 수차의 영향을 측정하기 위하여 동일한 크기로 이루어지는 것을 특징으로 하는 노광 공정의 초점면 측정 장치.The measuring marks formed on the reticle have shapes separated in the X and Y directions, respectively, and have the same size to measure the influence of astigmatism by the projection lens system. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 X, Y 각 방향 측정용 마크가 레티클의 전면에 걸쳐서 복수개 형성되어 있는 것을 특징으로 노광 공정의 초점면 측정 장치.The said X, Y direction measuring mark is formed in multiple numbers over the whole surface of a reticle, The focal plane measuring apparatus of an exposure process. 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 X, Y 각 방향 측정용 마크는 각각 다른 방향을 가지는 슬릿 형태로 이루어지는 것을 특징으로 하는 노광 공정의 초점면 측정 장치.And said X and Y directions measuring marks each have a slit shape having a different direction. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 플레이트에 형성된 측정 마크 도트 형태로 이루어지며, 크기는 상기 레티클상에 형성된 측정 마크와 동일하게 이루어지는 노광 공정의 초점면 측정 장치.The focal plane measuring apparatus of the exposure process is made in the form of a measurement mark dot formed on the plate, the size is the same as the measurement mark formed on the reticle. 제5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 플레이트에 형성된 측정 마크의 도트의 폭은 상기 레티클에 형성된 측정 마크의 슬릿 선폭과 동일하게 구성되어, X, Y 방향 겸용으로 사용하는 것을 특징으로 하는 노광 공정의 초점면 측정 장치.The width of the dot of the measurement mark formed on the plate is configured to be the same as the slit line width of the measurement mark formed on the reticle, and is used in both X and Y directions. 제5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 플레이트에 형성된 측정 마크가 X, Y 각 방향을 측정하기 위한 2개의 마크로 이루어지는 것을 특징으로 하는 노광 공정의 초점면 측정 장치.The measuring surface formed in the said plate consists of two marks for measuring each X, Y direction, The focal plane measuring apparatus of the exposure process characterized by the above-mentioned. 제1항에 있어서, 상기한 광감지 수단은,The method of claim 1, wherein the light sensing means, 상기 플레이트 스테이지내에 장착되어 있으며, 상기 플레이트 스테이지위로 플레이트가 놓일 수 있도록 내부로 함몰된 구조로 이루어지는 노광 공정의 초점면 측정 장치.An apparatus for measuring a focal plane of an exposure process, the apparatus being mounted in the plate stage and having a structure recessed therein so that the plate can be placed on the plate stage. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 광감지 수단에서 출력되는 신호를 해당하는 전압 신호로 가변시켜 출력하는 전류/전압부와:A current / voltage unit for outputting the signal output from the light sensing means by converting the signal into a corresponding voltage signal; 상기 전류/전압부에서 출력되는 전압 신호를 증폭시겨 출력하는 전압 증폭부와:A voltage amplifier for amplifying and outputting the voltage signal output from the current / voltage unit; 상기 전압 증폭부에서 출력되는 증폭 신호를 제어 수단으로 출력하는 신호 출력부와:A signal output unit configured to output an amplified signal output from the voltage amplifier to a control unit; 상기 전압 증폭부에서 출력되는 증폭 신호를 제어 수단으로 반전 출력하는 신호 반전부로 이루어진 인터페이스 수단을 더 포함하여 이루어지는 노광 공정의 초점면 측정 장치.And an interface means comprising a signal inversion portion for inverting and outputting the amplified signal output from the voltage amplifier to a control means. 제9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 인터페이스 수단에서 출력되는 신호의 진폭은 상기 플레이트상의 측정 마크가 위치하게 되는 Z 방향의 스렙마다 달라지는 것을 특징으로 하는 노광 고정의 초점면 측정 장치.And the amplitude of the signal output from the interface means is different for each of the threads in the Z direction in which the measurement mark on the plate is located. 제1항에 있어서, 상기한 제어 수단은,The method of claim 1, wherein the control means, 상기 플레이트 스테이지를 기본 위치에서 X 방향으로 소정 거리 이동하면서 레티클 측정 마크 이미지로 플레이트 측정 마크를 스캔하는 X 방향 초점면 측정 동작을 수행한 다음, Z 방향의 기본 위치에서 Z 방향의 최상 위치까지 설정된 스텝별로 플레이트 스테이지를 이동시키면서 Z 방향 초점면 측정 동작을 수행한 다음, 다시 플레이트 스테이지를 Y 방향의 소정 거리만큼 이동시키면서 Y 방향 초점면 측정 동작을 수행하고, 상기 초점면 측정 동작에 따라 상기 광감지 수단에서 출력되는 신호에 의하여 베스트 초점면을 산출하는 노광 공정의 초점면 측정 장치.Performing the X-direction focal plane measurement operation of scanning the plate measurement mark with the reticle measurement mark image while moving the plate stage a predetermined distance from the base position in the X direction, and then setting the step from the base position in the Z direction to the highest position in the Z direction After performing the Z direction focal plane measurement operation while moving the plate stage, the Y focal plane measurement operation is performed again by moving the plate stage by a predetermined distance in the Y direction, and the light sensing means according to the focal plane measurement operation. A focal plane measuring device of the exposure process for calculating the best focal plane based on the signal output from the. 제1항 또는 제9항에 있어서, 상기한 제어 수단은,The said control means of Claim 1 or 9, 상기 인터페이스 수단에서 출력되는 신호의 전압이 최대가 될 때 해당하는 Z 스텝에서의 플레이트 위치를 베스트 초점면으로 설정하는 노광 공정의 초점면 측정 장치.A focal plane measuring apparatus of the exposure process of setting the plate position at the corresponding Z step as the best focal plane when the voltage of the signal output from the interface means becomes maximum. 플레이트 위에 감광막을 형성하는 단계와;Forming a photoresist film on the plate; 측정용 패턴이 형성된 레티클에 대하여 플레이트를 X, Y, Z 방향으로 일정 스텝씩 이동시키면서 상기 플레이트에 대한 1차 노광을 수행하는 단계와;Performing a first exposure to the plate while moving the plate by a predetermined step in the X, Y, and Z directions with respect to the reticle on which the measurement pattern is formed; 상기 1차 노광에 따라 측정된 광신호에 따라 베스트 초점면을 산출하는 단계와;Calculating a best focal plane according to the optical signal measured according to the first exposure; 상기 산출된 베스트 초점면을 기준으로 하여, 플레이트를 X, Y, Z 방향으로 각각 일정 스텝씩 이동하여 검증용 레티클의 패턴을 플레이트상에 반복 노광시키는 단계와;Repeatedly exposing a pattern of the verification reticle on the plate by moving the plate by a predetermined step in the X, Y, and Z directions based on the calculated best focal plane; 상기 반복 노광된 플레이트를 현상한 다음, 반복 노광된 패턴중 근접 패턴군을 검사하는 단계를 포함하여 이루어지는 노광 공정의 초점면 측정 방법.Developing the repeatedly exposed plate, and then inspecting a proximity pattern group among the repeatedly exposed patterns. 제13항에 있어서, 1차 노광을 수행하는 단계에 있어서,The method of claim 13, wherein in performing the primary exposure: 플레이트 스테이지를 기본 위치에서 X 방향으로 소정 거리 이동하면서 레티클 측정 마크 이미지로 플레이트 측정 마크를 스캔하는 X 방향 초점면 측정 동작을 수행한 다음, Z 방향의 기본 위치에서 Z 방향의 최상 위치까지 설정된 스텝별로 플레이트 스테이지를 이동시키면서 Z 방향 초점면 측정 동작을 수행한 다음, 다시 플레이트 스테이지를 Y 방향의 소정 거리만큼 이동시키면서 Y 방향 초점면 측정 동작을 수행하여, 레티클 측정 마크 이미지를 플레이트로 노광시키는 노광 공정의 초점면 측정 방법.Perform the X-direction focal plane measurement operation, which scans the plate measurement mark with the reticle measurement mark image while moving the plate stage a certain distance in the X direction from the base position, and then for each step set from the base position in the Z direction to the highest position in the Z direction. After performing the Z direction focal plane measurement operation while moving the plate stage, and then performing the Y direction focal plane measurement operation while moving the plate stage by a predetermined distance in the Y direction, the reticle measurement mark image is exposed to the plate. Focal plane measurement method. 제13항에 있어서, 베스트 초점면을 산출하는 단계에 있어서,The method of claim 13, wherein the step of calculating the best focal plane: 상기 X, Y, Z 방향 초점면 측정 동작에 따라 플레이트상으로 입사되는 레티클 이미지를 광전 변환시킨 다음, 광전 변환되어 출력되는 신호의 전압이 최대가 되는 Z 방향 스텝에서의 플레이트 위치를 베스트 초점면으로 설정하는 노광 공정의 초점면 측정 방법.Photoelectric conversion of the reticle image incident on the plate according to the X, Y, and Z direction focal plane measurement operation, and then the plate position in the Z direction step where the voltage of the photoelectrically converted signal is maximized as the best focal plane The focal plane measuring method of the exposure process to set. 제13항에 있어서, 1차 노광 단계에 있어서,The method of claim 13, wherein in the first exposure step: 각각 X, Y 방향으로 분리되고, 투영 렌즈계에 의한 비점 수차의 영향을 측정하기 위하여 동일한 크기로 이루어진 측정 마크가 형성된 레티클을 이용하여, 상기 레티클상에 형성된 측정 마크와 동일한 크기로 이루어지는 X, Y 양방향성을 가지는 하나의 측정 마크가 형성된 플레이트상으로 노광시키는 켜키는 것을 특징으로 하는 노광 고정 공정의 초점면 측정 장치.X and Y bidirectional, each having the same size as the measurement mark formed on the reticle, using a reticle separated in the X and Y directions and having measurement marks having the same size to measure the influence of astigmatism by the projection lens system. A focal plane measuring apparatus of the exposure fixing process, characterized in that the exposure to turn on a plate formed with one measurement mark having a. 제13항에 있어서, 반복 노광을 수행하는 단계에 있어서,The method of claim 13, wherein in the step of performing repeated exposures, 플레이트를 베스트 초점면 위치에서 소정 스텝만큼 상하 Z 방향으로 이동시키고, X, Y 방향으로 소정 스텝만큼 이동시킨 다음, 검증용 레티클의 외곽선이 겹쳐지도록 해당 패턴을 플레이트상에 반복 노광시키는 노광 공정의 초점면 측정 방법.The focus of the exposure process in which the plate is moved up and down in the Z direction by the predetermined step at the position of the best focal plane, and the predetermined step is moved in the X and Y directions, and then the pattern is repeatedly exposed on the plate so that the outline of the verification reticle overlaps. Cotton measurement method. 제 17항에 있어서,The method of claim 17, 직사각형 외곽선의 각 모서리 부분과 선 중심 부분에 위치하며, 비살 무늬 형태로 이루어진 패턴이 새겨진 검증용 레티클을 사용하여 반복 노광하는 것을 특징으로 하는 노광 공정의 초점면 측정 방법.A focal plane measurement method of an exposure process, characterized in that the exposure is repeated using a verification reticle engraved with a pattern formed in the shape of a non-pattern located at each corner portion and the center line of the rectangular outline.
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