KR100606571B1 - 플라즈마 처리장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 플라즈마 처리장치에 있어서, 상기 플라즈마 처리장치내 상부 영역에 마련되는 상부 전극; 상기 상부 전극과 대향된 하부 영역에 마련되되 최하부에 구비된 제 1세라믹판과 제 1절연부재와 냉각판과 전극이 순차적으로 적층되게 형성된 전극부; 상기 전극부의 양측면과 전극의 가장자리 부근에 마련되는 제 2절연부재; 상기 제 2절연부재의 상부 영역 모서리와 양측면에 각각 마련되어 체결하는 제 2세라믹판;를 구비한 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치를 제공한다.
플라즈마 처리장치, 전극부, 제 1, 2세라믹판, 냉각판, 하부전극, 제 1, 2절연부재
Description
도 1은 종래의 플라즈마 처리장치를 도시한 단면도이다.
도 2는 도 1의 전극부 일측을 도시한 부분 확대도이다.
도 3은 본 발명에 따른 일실시예의 플라즈마 처리장치를 도시한 단면도이다.
도 4는 도 3의 전극부 일측을 도시한 부분 확대도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
110 : 플라즈마 처리장치 112 : 상부 전극
114 : 전극부 116 : 제 1세라믹판
118 : 냉각판 120 : 하부 전극
122 : 제 2세라믹판 124 : 제 1절연체
126 : 제 2절연체
본 발명은 플라즈마 처리장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 처리장치 내에 전극이 구비되어 이 전극에 절연부재가 내재된 플라즈마 처리장치에 관한 것이다.
일반적으로, 전극은 처리장치의 내부 상, 하면에 각각 설치되며, 플라즈마 공정처리의 수행 대상물인 기판이 적재되는 하부 전극의 양측에 절연체가 설치된다. 상술한 전극은 통상적으로 알루미늄이 사용되고, 반도체를 공정 처리하는데 비교적 저렴한 재료로 가장 폭넓게 사용되며 상, 하부전극간에 가해지는 고전압에 따라 전극으로 유입된 가스의 방전으로 형성되는 플라즈마의 화학적인 반응과 고전압으로부터 각각의 전극을 보호한다.
또한, 플라즈마 공정은 알루미늄에 대해 부식을 초래할 수 있으므로 알루미늄재질인 전극의 표면을 보호하기 위한 산화 알루미늄(Al₂O₃)피막과 같은 비교적 불활성의 세라믹 재료가 사용된다.
종래의 플라즈마 처리장치(10)는 도 1에 도시한 바와 같이 그 내부 상부 영역에 상부 전극(12)이 마련되고, 상술한 상부 전극(12)과 대향된 하부 영역에 내부로 반입 또는 반출되는 기판(도면에 미도시)이 적재되는 적재대(미도시)가 마련된 하부 전극(20)이 마련되되, 상술한 하부 전극(20)의 하부 영역에 냉각판(18)이 결합되고 상술한 냉각판(18)의 하부 영역에 제 1세라믹판(16)이 결합되어 그 각각의 부재가 적층된 전극부(14)가 구비된다.
상술한 전극부(14)는 도 2에 도시된 바와 같이 최하부에 구비된 제 1세라믹판(16)과, 상술한 제 1세라믹판(16)의 상부 영역에 마련된 냉각판(18)과, 상술한 냉각판(18)의 상부 영역에 마련된 하부전극(20)으로 이루어지며, 상술한 전극부(14)의 양측면과 하부 전극(20)의 상부 영역의 양측 가장자리 부근에 제 2세라믹판(22)을 위치시키고 상술한 제 1, 2세라믹판(16, 22)의 외측에서 삽입하는 체결수단 (도면에 미도시)에 의해 고정하였다. 그러므로, 전극 이외의 노출된 부분이 플라즈마에 의해 아킹(Arcing) 등의 손상될 수 있으므로 반응이 일어나는 전극면을 제외하고 제 1, 2세라믹판(16, 22)으로 외곽을 감싸서 보호하였다.
그러나, 상술한 제 1, 2세라믹판(16, 22)의 비용을 고려하여 두께를 얇게 사용하면 플라즈마로부터 미치는 영향이 세라믹판까지 미치므로 이 영향이 기판의 모서리 부분의 아싱률(Ashing Rate)을 감소시켜 포토 레지스터(Photo Resist)의 역 테이퍼지는 현상과 같은 공정 결과를 초래하고 공정 여유의 확보도 어려우며, 상술한 제 1, 2세라믹판(16, 22)을 두께를 두껍게 사용하면 무게도 무겁고 소요비용이 증가하는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기 종래의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 그 목적은 공정 진행시 플라즈마로부터 제 1, 2세라믹판에 영향을 미치는 것을 차단하기 위해 제 1, 2절연부재를 내재시켜 전극면에만 플라즈마의 영향을 받도록 하여 기판의 모서리 부분의 아싱률 감소로 인해 발생되는 역 테이퍼 현상을 방지하고 세라믹판의 무게 및 소요 비용을 절감시킬 수 있게 한 플라즈마 처리장치를 제공함에 있다.
상술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 플라즈마 처리장치에 있어서, 상기 플라즈마 처리장치내 상부 영역에 마련되는 상부 전극; 상기 상부 전극과 대향된 하부 영역에 마련되되 최하부에 구비된 제 1세라믹판과 제 1절연부재와 냉각판 과 전극이 순차적으로 적층되게 형성된 전극부; 상기 전극부의 양측면과 전극의 가장자리 부근에 마련되는 제 2절연부재; 상기 제 2절연부재의 상부 영역 모서리와 양측면에 각각 마련되어 체결하는 제 2세라믹판;을 구비함으로써, 상술한 전극부의 둘레를 감싼 상태로 마련된 제 1, 2세라믹판의 내부에 제 1, 2절연부재를 개입시켜 이러한 제 1, 2절연부재에 의해 공정 진행시 발생되는 플라즈마로부터 받는 영향을 차단시키므로 바람직하다.
또한, 본 발명에서의 제 2절연부재는 그 단면 형상이 일체형의 "ㄱ"자로 형성된다.
또한, 본 발명에서의 상기 제 2절연부재는 그 단면 형상이 "ㄱ"자 형상이면서 수평부와, 상기 수평부의 일측에서 하방으로 연장되는 연장부로 이루어져 결합된다.
이하, 본 발명의 플라즈마 처리장치를 첨부도면을 참조하여 일실시예를 들어 설명하면 다음과 같다.
본 발명의 바람직한 일실시예의 플라즈마 처리장치(110)는 도 3에 도시된 바와 같이 그 처리장치내 상부 영역에 구비되는 상부 전극(112)과, 이러한 상부 전극(112)과 대향된 하부 영역에 구비되되 최하부에 위치된 제 1세라믹판(116)의 상부 영역에 제 1절연부재(124)가 마련되고, 상술한 제 1절연부재(124)의 상부 영역에 냉각판(118)이 마련되며, 상술한 냉각판(118)의 상부 영역에 하부 전극(120)이 순 차적으로 적층된 전극부(114)와, 이러한 전극부(114)의 양측면과 하부 전극(120)의 상면 가장자리에 "ㄱ"자 형상의 제 2절연부재(126)가 감싸도록 마련하고 상술한 제 2절연부재(126)의 상면과 외측면에 각각 제 2절연부재(124)가 마련되며 상술한 제 2절연부재(124)의 상면 양측 가장자리부와 양측면에 제 2세라믹판(122)이 감싸도록 마련되어 외측에서 다수개의 볼트(도면에 미도시)로 전극부(114)에 체결시킨다.
여기서, 상술한 하부 전극(120)의 상면 높이와 이 하부 전극(120)의 상면 가장자리에 마련된 제 2절연부재(126)와 제 2세라믹판(122)의 높이를 동일하게 하기 위해 상술한 제 2절연부재(126)와 제 2세라믹판(122)이 안착되는 하부 전극(120)의 상면 가장자리에 상술한 제 2절연부재(126)와 제 2세라믹판(122)의 두께와 상응한 단차부가 형성된다.
상술한 제 2절연부재(126)는 그 단면 형상이 "ㄱ"자로 형성되며, 다른 실시예에는 수평부의 일측에서 하방으로 연장되는 연장부가 결합된 "ㄱ"자 형상을 갖는다. 여기서, 상술한 제 2절연부재(126)의 단면 형상이 일체형의 "ㄱ"자인 경우에는 기밀 유지가 효과적이고, 단면이 "ㄱ"자 형상이지만 수평부와 연장부로 이루어진 경우에는 가공비와 재료비 면에서 저렴한 이점이 있다.
한편, 도면에서 도시하지 않았지만 상술한 제 1, 2절연부재(124, 126)는 상술한 하부 전극(120)을 포함한 전극부(114)에 마련되는 것으로 상술하였으나, 이는 일실시예에 불과하며, 따라서, 상부 전극(112)에도 마련될 수 있음은 물론이다.
이와 같이 본 발명의 플라즈마 처리장치에 전극에 절연부재가 설치되는 과정을 살펴보면, 도 4에 도시된 바와 같이 우선 제 1세라믹판(116)의 상부 영역에 이 러한 제 1세라믹판(116)의 외곽에 맞춰 접한 상태로 마련된 제 1절연부재(124)와, 상술한 제 1절연부재(124)의 상부 영역에 이 제 1절연부재(124)의 외곽에 맞춰 접한 상태로 마련된 냉각판(118)과, 상술한 냉각판(118)의 상부 영역에 이 냉각판(118)의 외곽에 맞춰 접한 상태로 하부 전극(120)이 마련된 전극부(114)를 형성시킨다.
그리고, 상술한 전극부(114)중 하부 전극(120)의 상부면 양측 가장자리에 단차부가 형성되어 이 단차부에 "ㄱ"자 형상의 제 2절연부재(126)를 각각 위치시킨 다음, 상술한 제 2절연부재(126)의 상부 영역과 양측면에 제 2세라믹판(122)을 감싸도록 마련하며 이 제 1, 2세라믹판(116, 122)의 외측에서 다수개의 볼트로 견고하게 고정시킨다.
그러므로, 상술한 하부 전극(120)의 전극면을 제외한 전극부(114)의 나머지 부분에 감싼 상태로 마련된 제 1, 2세라믹판(116, 122)과 상술한 전극부(114)의 사이에 제 1, 2절연부재(124, 126)를 개입시켜 공정 진행에 따른 플라즈마를 하부 전극(120)의 전극면에서만 발생시킬 수 있으므로 플라즈마로부터 영향을 받아 제 1, 2세라믹판(116, 122)이 손상됨을 방지하여 상술한 제 1, 2세라믹판(116, 122)의 두께를 얇게 사용할 수 있으므로 무게 감소 및 소요 비용의 절감 효과를 얻을 수 있다.
이와 같은 본 발명의 플라즈마 처리장치는 그 내부에 구비된 전극부와 이 전극부의 전극면을 제외하고 둘레를 감싼 제 1, 2세라믹판의 내부에 재차 제 1, 2절 연부재를 개입시켜 플라즈마로부터 제 1, 2세라믹판에 영향이 미치는 것을 차단함으로써 플라즈마를 전극면에만 영향을 미치도록 하여 기판의 모서리 부분의 아싱률 감소로 인한 포토 레지스터의 역 테이퍼 현상을 방지하고, 세라믹판의 무게 및 소요 비용을 절감시킬 수 있는 효과가 있다.
Claims (3)
- 플라즈마 처리장치에 있어서,상기 플라즈마 처리장치내 상부 영역에 마련되는 상부 전극;상기 상부 전극과 대향된 하부 영역에 마련되되 최하부에 구비된 제 1세라믹판과 제 1절연부재와 냉각판과 전극이 순차적으로 적층되게 형성된 전극부;상기 전극부의 양측면과 전극의 가장자리 부근에 마련되는 제 2절연부재;상기 제 2절연부재의 상부 영역 모서리와 양측면에 각각 마련되어 체결하는 제 2세라믹판;을 구비한 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
- 제 1항에 있어서,상기 제 2절연부재는 그 단면 형상이 일체형의 "ㄱ"자로 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
- 제 1항에 있어서,상기 제 2절연부재는 그 단면 형상이 "ㄱ"자 형상이면서 수평부와, 상기 수평부의 일측에서 하방으로 연장되는 연장부로 이루어져 결합되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
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|---|---|---|---|---|
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Cited By (1)
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