KR100602215B1 - 임펄스 발생기 - Google Patents

임펄스 발생기 Download PDF

Info

Publication number
KR100602215B1
KR100602215B1 KR1020050016705A KR20050016705A KR100602215B1 KR 100602215 B1 KR100602215 B1 KR 100602215B1 KR 1020050016705 A KR1020050016705 A KR 1020050016705A KR 20050016705 A KR20050016705 A KR 20050016705A KR 100602215 B1 KR100602215 B1 KR 100602215B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
impulse
turned
switch
differentiator
differentiators
Prior art date
Application number
KR1020050016705A
Other languages
English (en)
Inventor
이창석
손미현
박수용
김영환
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020050016705A priority Critical patent/KR100602215B1/ko
Priority to US11/362,742 priority patent/US7728554B2/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100602215B1 publication Critical patent/KR100602215B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K5/00—Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
    • H03K5/153—Arrangements in which a pulse is delivered at the instant when a predetermined characteristic of an input signal is present or at a fixed time interval after this instant
    • H03K5/1534—Transition or edge detectors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/53—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use of an energy-accumulating element discharged through the load by a switching device controlled by an external signal and not incorporating positive feedback
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/69—Spread spectrum techniques
    • H04B1/7163—Spread spectrum techniques using impulse radio
    • H04B1/717—Pulse-related aspects
    • H04B1/7174—Pulse generation

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Dc Digital Transmission (AREA)
  • Manipulation Of Pulses (AREA)

Abstract

본 발명은, 임펄스 발생기에 관한 것으로서, 클럭신호를 미분하여 임펄스를 발생시키는 상호 병렬연결된 제1 및 제2미분기, 제1 및 제2미분기로부터 발생된 임펄스를 선택적으로 출력시키기 위해 각각 제1미분기와 제2미분기를 온오프하며, 부하에 흐르는 전류의 방향을 바꾸어 임펄스의 극성을 변화시키는 제1 및 제2스위치를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의해, 회로에서 필요한 대로 네거티브 임펄스와 포지티브 임펄스를 선택적으로 출력할 수 있으며, 임펄스의 신뢰성을 확보할 수 있을 뿐만 아니라, 전력소비를 감소시킬 수 있다.
임펄스, 발생기, 인버터, 미분기, 스위치, 네거티브, 포지티브

Description

임펄스 발생기{IMPULSE GENERATOR}
도 1은 종래의 광대역 통신시스템의 일 실시예에 따른 임펄스 발생기의 회로도,
도 2의 (a)는 종래의 광대역 통신시스템의 다른 실시예에 따른 임펄스 발생기의 회로도,
도 2의 (b)는 도 2(a)의 임펄스 발생기에 입력되는 전압과 전류의 흐름을 나타낸 그래프,
도 3의 (a)는 종래의 또 다른 실시예에 따른 임펄스 발생기의 회로도,
도 3의 (b)는 임펄스 발생기의 실행시 입력되는 입력전압, 전류, 임펄스의 그래프,
도 4는 본 발명에 따른 임펄스 발생기의 간략한 구성도,
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 임펄스 발생기의 회로도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
10 : 인버터 21 : 제1스위치
22 : 제2스위치 31 : 제1미분기
32 : 제2미분기
본 발명은 임펄스 발생기에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 네거티브 임펄스와 포지티브 임펄스 중 하나를 선택적으로 출력할 수 있을 뿐만 아니라, 임펄스의 신뢰성을 확보할 수 있고, 전력소모를 감소시킬 수 있는 임펄스 발생기에 관한 것이다.
광대역 통신(UWB) 기술은 혁신적인 차세대 무선 전송기술로서, IEEE 802.11a의 54Mbps를 능가하는 100Mbps급의 높은 데이터 전송속도를 구현하고 있으며, 전력소모도 100mW 이내에 불과하여 블루투스의 저전력 특성을 능가하고 있다. 이러한 광대역 통신 기술은 수 GHz 대의 주파수 대역폭을 활용하고 있으며, 이러한 대역폭을 대역폭의 사용에 따라 500Mbps에서 1Gbps의 데이터 전송속도를 확보할 수 있다.
광대역 통신 기술은 데이터의 송수신시 반송파를 사용하지 아니하고 펄스에 데이터를 실어보내는 방식을 사용하며, 데이터 송수신에 사용되는 각 펄스는 1ns에서 최고 수백 ps에 이르는 초단파로 형성된다.
이러한 펄스를 발생시키기 위해, 종래의 광대역 통신시스템에는 도 1 내지 도 2에 도시된 바와 같은 임펄스 발생기를 사용한다.
도 1은 종래의 광대역 통신시스템의 일 실시예에 따른 임펄스 발생기의 회로도이다. 임펄스 발생기는, 반도체 스위칭소자인 트랜지스터를 이용하여 순간방전시켜 임펄스를 발생시킨다. 트랜지스터의 베이스에는 커패시터(CB)가 연결되어 있 고, 콜렉터에는 DC공급원과 저항(Re) 및 커패시터(CC)가 연결되어 있다. 여기서, 베이스에 연결된 커패시터 (CB)의 용량은 비교적 큰 반면, 콜렉터에 연결된 커패시터 (CC)는 작은 용량을 갖는다.
이러한 임펄스 발생기의 트랜지스터 베이스에 구형파가 입력되면, 트랜지스터가 턴온되어 콜렉터로부터의 전류가 에미터로 흐른다. 이 때, 콜렉터의 저항에는 DC공급원에 의해 높은 전압이 걸려 있는 상태에서 트랜지스터가 턴온되면 전압이 급강하하며, 에미터에는 콜렉터에서 급강하된 전압에 의해 순간적으로 임펄스가 발생하게 된다. 한편, 임펄스의 폭은 사용된 스위칭소자의 특성에 따라 변동가능하다.
도 2의 (a)는 종래의 광대역 통신시스템의 다른 실시예에 따른 임펄스 발생기의 회로도이고, 도 2의 (b)는 도 2(a)의 임펄스 발생기에 입력되는 전압과 전류의 흐름을 나타낸 그래프이다.
도시된 바와 같이, 임펄스 발생기는, SRD(Step Recovery Diode), 한 쌍의 쇼티키 다이오드를 포함한다. SRD는 일반적으로 순방향 전압이 흐를 때는 키르히호프 법칙에 의해 에너지를 저장하고, 역방향 전압이 흐를 때는 에너지에 의해 일정시간 동안 온(ON)상태를 유지하다가 급격히 오프(OFF)되는 특성을 가지고 있다. 그리고, 쇼트키 다이오드(D₁,D₂)는 쇼트키배리어를 이용하여 순방향 턴온전압을 0.2~0.3V 정도로 낮춤으로써, 전력손실을 최소화하면서 고속 동작을 할 수 있다.
이러한 임펄스 발생기에서는 SRD에 순방향 전압이 공급되다가 역방향 전압이 인가되면, SRD는 일정시간 동안 온상태를 유지하다가 급격히 오프된다. 이렇게 SRD로부터 급격하게 전압이 변화하면, 쇼트키 다이오드에서는 제공된 전압을 즉시 방전하여 출력전압이 0이 된다. 이렇게 쇼트키 다이오드에서 즉시 방전된 출력전압에 의해 임펄스가 발생한다.
도 2(b)는 이러한 임펄스 발생기에서 전원공급원으로부터의 전압의 변화에 따른 SRD의 전압과 전류변화 및 임펄스의 발생을 보이고 있는 그래프이다. 도시된 바와 같이, SRD에 전원공급원(Vin)으로부터 순방향 전압이 제공되다가 역방향 전압이 제공되면, SRD에 걸리는 전류는 일정시간(TD) 동안 역방향으로 전류가 흐르다가 순방향으로 급격히 역전된다. 여기서, TD는 SRD와 커패시터에 저장된 에너지에 의해 SRD가 온상태를 유지하고 있는 시간이고, 순방향으로 역전되는 동안 걸리는 시간(TS)는 쇼트키 다이오드에서 전압이 방전되는데 걸리는 시간이다.
이러한 도 1 및 도 2에 의한 임펄스 발생기는, 회로의 특성상 포지티브(Positive) 임펄스만 발생한다는 단점이 있다. 그리고 트랜지스터나 SRD의 특성상, 임펄스 발생기의 작동시간 동안 내내 전력을 필요로 하므로, 전력소모가 비교적 크다는 단점이 있다.
도 3의 (a)는 종래의 또 다른 실시예에 따른 임펄스 발생기의 회로도이고, 도 3의 (b)는 임펄스 발생기의 실행시 입력되는 입력전압, 전류, 임펄스의 그래프이다. 도시된 바와 같이, 임펄스 발생기는, SRD, SRD와 출력단 사이에서 분기되고 끝이 쇼트된 전송선을 갖는다. 일반적으로 전력선에서는 전류가 반사되는 현상이 발생하며, 고주파인 경우에는 전송선이더라도 끝이 쇼트된 경우에는 전류가 반사되는 링잉(Ringing)현상이 발생한다.
이러한 임펄스 발생기에 입력전압(VS)이 공급되면, 전송선으로 순방향전류(iSR)가 흐르고, 이러한 순방향전류(iSR)에 대해 반사된 역방향전류(iSF)가 발생한다. 이 때, 역방향전류(iSF)는 순방향전류(iSR)가 반사되어 형성되기 때문에 순방향전류(iSR)와 소정 폭의 위상차가 발생한다. 이렇게 발생한 위상차에 의해 순방향전류(iSR)와 역방향전류(iSF)의 간섭시 순방향전류(iSR)와 역방향전류(iSF)는 완전히 소멸되지 아니하고 임펄스를 발생시키게 된다. 이 때, SRD를 통과하며 펄스형태로 정류된 입력전압 (VS)이 턴오프될 때는 네거티브 임펄스를 발생시키고, 턴온될 때는 포지티브 임펄스를 발생시킨다. 그리고, 네거티브 임펄스와 포지티브 임펄스 사이에는 순방향전류(iSR)가 완전히 소멸되지 아니하여 불필요한 펄스가 발생한다.
이러한 종래의 임펄스 발생기는 네거티브 임펄스와 포지티브 임펄스가 모두 발생함에 따라, 네거티브 임펄스와 포지티브 임펄스 중 하나만을 선택적으로 사용할 수 없다는 단점이 있다. 뿐만 아니라, 링잉현상에 의해 네거티브 임펄스와 포지티브 임펄스 사이에 불필요한 펄스가 발생하게 되므로, 임펄스의 신뢰성을 확보하기 어렵다는 문제점이 있다.
이에 따라, 네거티브 임펄스와 포지티브 임펄스 중 하나를 선택적으로 사용할 수 있을 뿐만 아니라, 임펄스의 신뢰성을 확보할 수 있고, 전력소모를 감소시킬 수 있는 임펄스 발생기를 설계할 필요가 있다.
따라서, 본 발명의 목적은, 네거티브 임펄스와 포지티브 임펄스 중 하나를 선택적으로 출력할 수 있을 뿐만 아니라, 임펄스의 신뢰성을 확보할 수 있고, 전력소모를 감소시킬 수 있는 임펄스 발생기를 제공하는 것이다.
이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 구성은, 클럭신호를 미분하여 임펄스를 발생시키는 상호 병렬연결된 제1 및 제2미분기, 및; 상기 제1 및 제2미분기로부터 발생된 임펄스를 선택적으로 출력시키기 위해 각각 제1미분기와 제2미분기를 온오프하며, 부하에 흐르는 전류의 방향을 바꾸어 상기 임펄스의 극성을 변화시키는 제1 및 제2스위치를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 제1 및 제2미분기는, 각각 커패시터와, 공통의 저항을 포함하며, 상기 저항은 상기 각 커패시터의 일단을 상호 연결하도록 배치될 수 있다.
상기 제1 및 제2스위치는 일단이 그라운드되어 있어 상기 제1 및 제2스위치의 턴온시 각각 제1 및 제2미분기로부터의 임펄스를 제거할 수 있다.
상기 제1 및 제2미분기에서는 각각 포지티브 임펄스와 네거티브 임펄스를 교번적으로 발생시킬 수 있다.
상기 제1스위치를 턴오프시키고 상기 제2스위치를 턴온시키면, 상기 제1미분기로부터의 임펄스가 출력될 수 있다.
상기 제1스위치는 턴온시키고 상기 제2스위치는 턴오프시키면, 상기 제2미분 기로부터의 임펄스가 극성이 변화하여 출력될 수 있다.
통신시스템내의 펄스발생기로부터 제공된 펄스신호를 인버팅하여 클럭신호를 출력하여 상기 제1 및 제2미분기로 제공하는 인버터를 더 포함하는 것이 바람직하다.
상기 인버터는, 상호 병렬연결되어 공통의 게이트와 공통의 드레인을 갖는 n채널 MOSFET과, p채널 MOSFET로 형성될 수 있다.
상기 제1 및 제2미분기는, 각각 커패시터와, 공통의 저항을 포함하며, 상기 저항은 상기 각 커패시터의 일단을 상호 연결하도록 배치되는 것이 바람직하다.
상기 제1 및 제2스위치는 n채널 MOSFET으로 형성될 수 있다.
이하에서는 첨부도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.
도 4는 본 발명에 따른 임펄스 발생기의 간략한 구성도이다. 도시된 바와 같이, 본 임펄스 발생기는, 인버터(10'), 인버터(10')의 출력단에 상호 병렬연결된 한 쌍의 제1 및 제2미분기(31',32')를 포함한다.
인버터(10')는 송신기내의 펄스발생기로부터 펄스를 제공받으며, 제공받은 펄스를 스위칭하여 0과 1로 이루어진 클럭신호를 출력한다.
제1 및 제2미분기(31',32')는, 커패시터(C1,C2)와 저항(R1)을 포함하며, 제1 및 제2미분기(31',32')의 저항(R1)은 각 커패시터 (C1,C2)를 연결하는 라인상에 형성되어 각 미분기에서 공통으로 사용된다. 그리고, 제1 및 제2미분기(31',32')에는 각 미분기를 온오프하며, 일단이 그라운드되어 있는 제1 및 제2스위치(21',22')가 각각 마련되어 있다.
이러한 임펄스 발생기는 인버터(10')로 펄스가 입력되면 펄스에 따라 0과 1이 반복되는 클럭신호를 발생시키고, 클럭신호는 제1 및 제2미분기(31',32')의 각 커패시터(C1,C2)와 저항(R1)을 통과하면서 미분되어 임펄스로 변환된다. 이 때, 임펄스는 클럭신호가 0에서 1로 바뀌는 순간과, 1에서 0으로 바뀌는 순간에만 발생하게 되며, 클럭신호가 0에서 1로 바뀔 때는 포지티브 에지가 발생하고, 1에서 0으로 바뀔 때는 네거티브 에지가 발생한다. 따라서, 임펄스는 클럭신호가 변화되는 순간에 포지티브 에지(edge)와 네거티브 에지가 교번적으로 발생되며, 각 미분기에서 발생한 임펄스는 동일한 폭과 크기를 갖는다. 그러나, 제1미분기(31')와 제2미분기(32')에서는 동일한 위상을 가진 임펄스가 생성되나, 저항(R1)을 통해 흐르는 전류의 방향이 반대가 되므로, 출력시에는 제1미분기(31')로부터의 임펄스와 제2미분기(32')로부터의 임펄스의 위상이 반대가 된다.
한편, 제1 및 제2스위치(21',22')는, 이렇게 발생한 임펄스 중, 포지티브 임펄스와 네거티브 임펄스를 선택적으로 추출하기 위해 사용된다. 예를 들어, 포지티브 임펄스만을 추출하고자 할 때, 제1미분기(31')에서 포지티브 임펄스가 발생할 때, 제2스위치(22')를 턴온시켜 제2미분기(32')로부터 발생된 임펄스를 제거하고, 제1스위치(21')를 오프시켜 포지티브 임펄스가 출력되도록 한다. 그리고, 제1미분기(31')에서 네거티브 임펄스가 발생할 때는 제1스위치(21')는 온시키고 제2스위치(22')는 오프시키며, 이 때, 제2미분기(32')로부터 발생된 네거티브 임펄스가 전류 흐름의 변환에 따라 극성이 변환되어 포지티브 임펄스가 출력된다.
다른 예로서, 네거티브 임펄스만을 추출하고자 할 때, 제1미분기(31')에서 네거티브 임펄스가 발생할 때, 제2스위치(22')를 턴온시켜 제2미분기(32')로부터 발생된 임펄스를 제거하고, 제1스위치(21')를 오프시켜 네거티브 임펄스가 출력되도록 한다. 그리고, 제2미분기(32')에서 포지티브 임펄스가 발생할 때는 제2스위치(22')는 오프시키고 제1스위치(21')는 온시키며, 이 때, 제2미분기(31')로부터 발생된 포지티브 임펄스가 전류 흐름의 변환에 따라 극성이 변환되어 네거티브 임펄스가 출력된다. 이렇게 반복적으로 제1미분기로부터의 임펄스와 제2미분기로부터의 임펄스가 출력되도록 함으로써, 포지티브 임펄스만을 추출하거나 네거티브 임펄스만을 추출하는 것이 가능해진다.
한편, 포지티브 임펄스와 네거티브 임펄스 중 하나만을 출력시키는 것이 아니라, 포지티브 임펄스와 네거티브 임펄스를 혼합하여 출력하고자 할 때, 예를 들면, 포지티브 임펄스 두 개, 네거티브 임펄스 두 개를 순차적으로 발생시키고자 할 때, 제1스위치(21')와 제2스위치(22')는 다음과 같이 작동시킬 수 있다. 먼저, 제1스위치(21')는 오프시키고 제2스위치(22')는 온시켜 제1미분기(31')로부터 포지티브 임펄스가 출력되도록 하고, 그 다음에는 제1스위치(21')는 온시키고 제2스위치(22')는 오프시켜 제2미분기(32')로부터 포지티브 임펄스가 출력되도록 한다. 그런 다음, 다시 제1스위치(21')는 온시키고 제2스위치(22')는 오프시켜 제2미분기(32')로부터 네거티브 임펄스가 출력되도록 하며, 마지막으로 제1스위치(21')는 오프시키고 제2스위치(22')는 온시켜 제1미분기(31')로부터 네거티브 임펄스가 출력되도록 한다. 즉, 첫번째 포지티브 임펄스는 제1미분기(31')로부터, 두번째 포지티브 임펄스는 제2미분기(32')로부터 생성되고, 세번째 네거티브 임펄스는 제2미분 기(32')로부터, 네번째 네거티브 임펄스는 제1미분기(31')로부터 생성된다. 따라서, 제1미분기(31')와 제2미분기(32')를 선택적으로 온오프시켜 포지티브 임펄스와 네거티브 임펄스를 원하는대로 구성하여 출력할 수 있다.
한편, 이러한 임펄스 발생기는 도시않은 제어기로부터 작동이 제어되며, 제어기는 펄스를 발생시키는 펄스발생기와, 제1 및 제2스위치(21',22')의 온오프를 제어하여 네거티브 임펄스와 포지티브 임펄스 중 하나가 선택적으로 출력하도록 한다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 임펄스 발생기의 회로도이다. 도시된 바와 같이, 본 임펄스 발생기는, 펄스발생기, CMOS 드라이버로 형성된 인버터(10), 제1 및 제2미분기(31,32), 각 미분기(31,32)를 온오프하는 제1 및 제2스위치(21,22)를 포함한다.
CMOS 드라이버는 병렬연결된 한 쌍의 MOSFET으로 형성되며, 이 중 하나는 p채널 MOSFET이고, 다른 하나는 n채널 MOSFET이다. 각 MOSFET의 게이트는 공통으로 형성되어 펄스발생기로부터의 펄스신호를 입력받으며, p채널 MOSFET은 소스단에 전원공급원이 마련되어 전원을 공급받고, n채널 MOSFET의 소스단은 그라운드되어 있다. 그리고 각 MOSFET의 드레인은 상호 연결되어 있으며, 펄스발생기로부터의 펄스신호에 따라 0과 1로 형성되는 클럭신호를 발생시킨다.
펄스발생기로부터의 펄스신호가 p채널 MOSFET의 턴온전압 이상이면, p채널 MOSFET은 턴온되고 n채널 MOSFET은 턴오프되며, p채널 MOSFET의 턴온에 따라 전원공급원으로부터의 전압이 드레인으로 출력되면서 1의 클럭신호가 발생되어 제1 및 제2미분기(31,32)로 제공된다. 펄스신호가 p채널 MOSFET의 턴온전압 이하이면, p채널 MOSFET은 턴오프되고 n채널 MOSFET은 턴온되며, n채널 MOSFET은 그라운드되어 있으므로, O의 클럭신호가 발생되고, 발생된 클럭신호는 제1 및 제2미분기(31,32)로 제공된다.
제1 및 제2미분기(31,32)는, 도 4와 마찬가지로, 커패시터와 저항으로 구성되며, 저항은 각 커패시터의 일측 단자를 상호 연결하여 공통으로 사용된다. 이러한 제1 및 제2미분기(31,32)에서 클럭신호가 미분되어 네거티브 에지와 포지티브 에지가 교번적으로 나타나는 임펄스가 발생한다.
이러한 제1 및 제2미분기(31,32)로부터의 출력을 제어하는 제1 및 제2스위치(21,22)는, 각각 커패시터와 저항 사이에 배치되며, 각 스위치는 모두 n채널 MOSFET로 형성된다. 제1 및 제2스위치(21,22)는 도 4의 각 스위치와 마찬가지로, 제어기로부터의 제어신호에 따라 선택적으로 온오프되며, 제1 및 제2스위치(21,22)가 온되면 해당 스위치가 연결된 미분기로부터 출력되는 임펄스가 그라운드되어 제거된다. 따라서, 제1 및 제2스위치(21,22)가 모두 온되면 임펄스가 출력되지 아니한다.
도 5의 실시예에 따른 임펄스 발생기의 작동과정을 상세히 설명하면 다음과 같다.
펄스발생기로부터 구형파의 펄스가 인버터(10)로 제공되면, 펄스의 전압값이 일정 이상인 경우에는 p채널 MOSFET이 턴온되고, 일정 이하인 경우에는 n채널 MOSFET이 턴온되어 순차적으로 0과 1이 반복되는 클럭신호를 출력한다. 이 클럭신 호는 제1미분기(31)와 제2미분기(32)에서 각각 미분되어 동일한 임펄스를 발생시키며, 제어기는 제1 및 제2스위치(21,22)를 선택적으로 온오프시켜 네거티브 임펄스와 포지티브 임펄스를 선택적으로 출력되도록 하거나, 제1 및 제2스위치(21,22)를 모두 오프시키거나 온시켜 임펄스가 출력되지 아니하도록 한다.
예를 들어, 네가티브 임펄스 하나, 포지티브 임펄스 둘, 네거티브 임펄스 하나, 마지막으로 임펄스가 없게 임펄스를 발생시키고자 한다. 그러면, 제어기는 제1스위치(21)는 온시키고 제2스위치(22)는 오프시켜 제2미분기(32)로부터 네거티브 임펄스가 출력되도록 하고, 다시 제1스위치(21)를 온시키고 제2스위치(22)를 오프시켜 제2미분기(32)로부터 포지티브 임펄스가 출력되도록 한다. 그런 다음, 제1스위치(21)는 오프시키고 제2스위치(22)는 온시켜 제1미분기(31)로부터 포지티브 임펄스가 출력되도록 하고, 제1스위치(21)를 오프시키고 제2스위치(22)는 온시켜 제1미분기(31)로부터 임펄스가 출력되도록 한다. 그리고 마지막으로 제1스위치(21)와 제2스위치(22)를 모두 온시켜 임펄스가 출력되지 아니하도로 한다. 이 때, 제1 및 제2스위치(21,22)를 모두 오프시켜도 임펄스가 출력되지 아니하기는 하나, 회로의 안정을 꾀하기 위해 제1 및 제2스위치(21,22)를 모두 온시켜 임펄스를 제거하는 것이 바람직하다.
이와 같이, 본 임펄스 발생기는, 한 쌍의 미분기와 한 쌍의 스위치를 이용하여 포지티브 임펄스와 네거티브 임펄스를 선택적으로 출력할 수 있도록 함으로써, 회로에서 필요한 대로 임펄스를 출력할 수 있으며, 임펄스의 신뢰성을 확보할 수 있다. 또한, 인버터(10)를 CMOS 드라이버로 구성함에 따라, MOSFET의 특성상 임펄 스가 발생하는 순간에만 전력이 필요하므로, 전력소비를 감소시킬 수 있다.
한편, 본 임펄스 발생기는, 제1 및 제2스위치(21,22)를 모두 온시키거나 오프시켜 임펄스를 발생시키지 아니할 수도 있으므로, 통신방법에 따라 포지티브와 네거티브 이외에 '0'신호를 원하는 경우에도 적용할 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 회로에서 필요한 대로 네거티브 임펄스와 포지티브 임펄스를 선택적으로 출력할 수 있으며, 임펄스의 신뢰성을 확보할 수 있을 뿐만 아니라, 전력소비를 감소시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시형태에 관해 설명하였으나, 이는 예시적인 것으로 받아들여져야 하며, 본 발명의 기술적 사상에서 벗어나지 않는 한도내에서 여러 가지 변형이 가능함은 물론이다. 그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시 형태에 국한되어 정해져서는 안되며 후술하는 특허청구범위 뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.

Claims (9)

  1. 클럭신호를 미분하여 임펄스를 발생시키는 상호 병렬연결된 제1 및 제2미분기, 및;
    상기 제1 및 제2미분기로부터 발생된 임펄스를 선택적으로 출력시키기 위해 각각 제1미분기와 제2미분기를 온오프하며, 부하에 흐르는 전류의 방향을 바꾸어 상기 임펄스의 극성을 변화시키는 제1 및 제2스위치를 포함하는 것을 특징으로 하 는 임펄스 발생기.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2미분기는, 각각 커패시터와, 공통의 저항을 포함하며, 상기 저항은 상기 각 커패시터의 일단을 상호 연결하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 임펄스 발생기.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2스위치는 일단이 그라운드되어 있어 상기 제1 및 제2스위치의 턴온시 각각 제1 및 제2미분기로부터의 임펄스를 제거하는 것을 특징으로 하는 임펄스 발생기.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2미분기에서는 각각 포지티브 임펄스와 네거티브 임펄스를 교번적으로 발생시키는 것을 특징으로 하는 임펄스 발생기.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 제1스위치를 턴오프시키고 상기 제2스위치를 턴온시키면, 상기 제1미분기로부터의 임펄스가 출력되는 것을 특징으로 하는 임펄스 발생기.
  6. 제 2 항에 있어서,
    상기 제1스위치는 턴온시키고 상기 제2스위치는 턴오프시키면, 상기 제2미분기로부터의 임펄스가 극성이 변화하여 출력되는 것을 특징으로 하는 임펄스 발생기.
  7. 제 1 항에 있어서,
    통신시스템내의 펄스발생기로부터 제공된 펄스신호를 인버팅하여 클럭신호를 출력하여 상기 제1 및 제2미분기로 제공하는 인버터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 임펄스 발생기.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 인버터는, 상호 병렬연결되어 공통의 게이트와 공통의 드레인을 갖는 n채널 MOSFET과, p채널 MOSFET를 포함하는 CMOS 드라이버로 형성되는 것을 특징으로 하는 임펄스 발생기.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2스위치는 n채널 MOSFET으로 형성되는 것을 특징으로 하는 임펄스 발생기.
KR1020050016705A 2005-02-28 2005-02-28 임펄스 발생기 KR100602215B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050016705A KR100602215B1 (ko) 2005-02-28 2005-02-28 임펄스 발생기
US11/362,742 US7728554B2 (en) 2005-02-28 2006-02-28 Impulse generator for outputting negative and positive impulses

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050016705A KR100602215B1 (ko) 2005-02-28 2005-02-28 임펄스 발생기

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100602215B1 true KR100602215B1 (ko) 2006-07-19

Family

ID=36931421

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050016705A KR100602215B1 (ko) 2005-02-28 2005-02-28 임펄스 발생기

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7728554B2 (ko)
KR (1) KR100602215B1 (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8198869B2 (en) 2008-03-12 2012-06-12 Linear Technology Corporation System and method for charging capacitors using automatic cell balancing
RU2501158C1 (ru) * 2012-07-31 2013-12-10 Федеральное государственное унитарное предприятие "Российский федеральный ядерный центр-Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики имени академика Е.И. Забабахина" Способ синхронизации многомодульного генератора импульсов напряжения
US9325179B1 (en) 2013-07-02 2016-04-26 Rostislav Voytenko Apparatus for generating a voltage surge from low voltage batteries that are charged in parallel and discharged in series
RU191375U1 (ru) * 2019-04-04 2019-08-02 Акционерное общество "Концерн "Созвездие" Транзисторный двухтактный формирователь однополярных прямоугольных импульсов

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH493147A (de) * 1968-05-16 1970-06-30 Haefely & Cie Ag Emil Mehrstufiger Stossspannungsgenerator in Marx'scher Vervielfachungsschaltung mit Ladeschalter und Schutzwiderständen
JPS51123044A (en) * 1975-04-21 1976-10-27 Hitachi Ltd Starting circuit in the oscillation circuit
US4258405A (en) * 1979-02-16 1981-03-24 Steingroever Erich A Electrical impulse generator
US4596022A (en) * 1983-08-25 1986-06-17 The Microperipheral Corporation FSK data communication system
JPH01119773A (ja) * 1987-11-02 1989-05-11 Mitsubishi Electric Corp インバータ回路
US5525907A (en) * 1995-03-17 1996-06-11 Hughes Missile Systems Company Active impulse magnetometer with bipolar magnetic impulse generator and fast fourier transform receiver to detect sub-surface metallic materials
JP3626072B2 (ja) * 2000-05-31 2005-03-02 松下電器産業株式会社 スイッチング電源装置
US6545883B2 (en) * 2001-05-07 2003-04-08 Artesyn Technologies, Inc. Integrated boost-asymmetrical half-bridge converter
US7202607B2 (en) * 2004-01-23 2007-04-10 Year-Round Creations, Llc Year-round decorative lights with time-multiplexed illumination of interleaved sets of color-controllable LEDS

Also Published As

Publication number Publication date
US20060192499A1 (en) 2006-08-31
US7728554B2 (en) 2010-06-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8427242B2 (en) Ultra wideband on-chip pulse generator
JP3699764B2 (ja) ドライバ回路装置及びインターフェース
US6664822B2 (en) Driving device having dummy circuit
US7505541B1 (en) NRZ/PAM-4/PRML triple mode phase and data detector
US20100237842A1 (en) Switching circuit
KR100602215B1 (ko) 임펄스 발생기
US10263607B1 (en) Pulse filtering circuit
CN106487334B (zh) 用于振荡器的电容器布置
US20110298518A1 (en) Phase interpolation circuit suitable for wide range frequency input and output characteristics stabilizing method thereof
US7973681B2 (en) High speed, low power non-return-to-zero/return-to-zero output driver
US6853234B2 (en) Level shift circuitry having delay boost
CN109412579B (zh) 电流模式逻辑驱动电路
US7746921B1 (en) Resonant digital data transmission
US9544014B2 (en) Pulse generator, semiconductor integrated circuit, and wireless data transmission method
JP2001127805A (ja) 終端回路
JPH0715318A (ja) 断熱的ダイナミック非反転回路
US7804347B2 (en) Pulse generator circuit and communication apparatus
US7514963B2 (en) Semiconductor integrated circuit device
WO2011053243A1 (en) A transmitter with modulation
CN111682873A (zh) 一种低功耗输出缓冲器电路
US20090134922A1 (en) Start-up circuit for bias circuit
US20190044504A1 (en) Fast-response reference-less frequency detector
KR101067330B1 (ko) 고속 ｒｆ신호 스위칭 장치
US6812762B2 (en) Fast mono-cycle generating circuit using full rail swing logic circuits
EP3114805B1 (en) Systems and methods for frequency detection

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120615

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130624

Year of fee payment: 8

LAPS Lapse due to unpaid annual fee