KR100600882B1 - 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법 - Google Patents

유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 유기 전계 발광 소자를 구성하는 단위 화소는 반사막, 제1전극, 적어도 유기 발광층을 포함하는 유기막층 및 제2전극을 포함하고 있는데, 상기 단위 화소의 유기막층에서 발생하는 빛의 파장과 상기 반사막을 형성하는 물질에 따라 빛을 반사하는 반사율이 다르게 되고 이에 따라 유기 전계 발광 소자의 광효율이 달라지게 되는데 이와 같은 광효율을 최대화하기 위해 적절한 반사막을 갖도록 유기 전계 발광 소자를 제조하는 유기 전계 발광 조자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법은 절연 기판; 및 상기 절연 기판상에 제1전극, 적어도 유기 발광층을 포함하는 유기막층 및 제2전극을 포함하여 구성된 R, G 및 B의 단위 화소를 갖도록 형성된 화소 영역을 포함하며, 상기 R 및 G의 단위 화소의 제1전극 하부에 형성된 장파장 반사막; 및 상기 B의 단위 화소의 제1전극 하부에 형성된 단파장 반사막을 포함하여 이루어진 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법에 기술적 특징이 있다.
따라서, 본 발명의 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법은 유기 전계 발광 소자의 반사막을 형성할 때, 유기막층에서 생성되는 빛에 따라 반사막을 형성하는 물질을 서로 다르게함으로서 R, G 및 B의 단위 화소의 광효율을 최대화할 수 있는 효과가 있다.
반사막, 광효율, 유기막층

Description

유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법{Organic electroluminescence device and method for fabricating thereof}
도 1은 종래의 유기 전계 발광 소자의 단면도.
도 2a 및 도 2b는 단일 물질로 반사막을 형성했을 때의 광반사율을 나타내는 단면도와 그래프.
도 3은 본 발명에 의한 유기 전계 발광 소자의 공정 단면도.
도 4a 내지 도 4c는 본 발명에 의한 단파장 반사막 및 장파장 반사막 형성 공정의 일실시 예의 단면도.
도 5a 내지 도 5c는 본 발명에 의한 단파장 반사막 및 장파장 반사막 형성 공정의 다른 일실시 예의 단면도.
도 6a 및 도 6b는 본 발명에 의해 형성된 유기 전계 발광 소자의 평면도 및 단면도.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
507a : 장파장 반사막 507b : 단파장 반사막
508 : 제1전극 510 : 유기막층
511 : 제2전극
본 발명은 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 유기 전계 발광 소자를 구성하는 단위 화소는 반사막, 제1전극, 적어도 유기 발광층을 포함하는 유기막층 및 제2전극을 포함하고 있는데, 상기 단위 화소의 유기막층에서 발생하는 빛의 파장과 상기 반사막을 형성하는 물질에 따라 빛을 반사하는 반사율이 다르게 되고 이에 따라 유기 전계 발광 소자의 광효율이 달라지게 되는데 이와 같은 광효율을 최대화하기 위해 적절한 반사막을 갖도록 유기 전계 발광 소자를 제조하는 유기 전계 발광 조자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
최근에 음극선관(cathode ray tube)과 같이 무겁고, 크기가 크다는 종래의 표시 소자의 단점을 해결하는 액정 표시 소자(liquid crystal display device), 유기 전계 발광 소자(organic electroluminescence device) 또는 PDP(plasma display plane) 등과 같은 평판형 표시 소자(plat panel display device)가 주목 받고 있다.
이때, 상기 액정 표시 소자는 자체 발광 소자가 아니라 수광 소자이기 때문에 밝기, 콘트라스트, 시야각 및 대면적화 등에 한계가 있고, 상기 PDP는 자체 발광 소자이기는 하지만, 다른 평판형 표시 장치에 비해 무게가 무겁고, 소비 전력이 높을 뿐만 아니라 제조 방법이 복잡하다는 문제점이 있는 반면, 상기 유기 전계 발광 소자는 자체 발광 소자이기 때문에 시야각, 콘트라스트 등이 우수하고, 백라이트가 필요하지 않기 때문에 경량박형이 가능하고, 소비 전력 측면에서도 유리하다.
그리고, 직류 저전압 구동이 가능하고 응답속도가 빠르며 전부 고체이기 때문에 외부 충격에 강하고 사용 온도 범위도 넓을 뿐만 아니라 제조 방법이 단순하고 저렴하다는 장점을 가지고 있다.
도 1은 종래의 유기 전계 발광 소자의 단면도이다. 도에서 보는 바와 같이 절연 기판(101)상에 버퍼층(102)을 형성하고, 상기 버퍼층상에 비정질 실리콘층을 형성한 후, 결정화 및 패터닝 공정을 진행하여 반도체층(103)을 형성한다.
이어서, 상기 기판상에 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막의 단층 또는 복층으로 게이트 절연막(104)을 형성하고, 상기 게이트 절연막상에 게이트 전극(105)을 형성한다.
이어서, 상기 기판상에 층간절연막(106)을 형성하고, 소오스/드레인 전극(107) 및 패시베이션층(108)을 형성한 후, 상기 패시베이션층의 일부를 식각하여 상기 소오스/드레인 전극의 일부를 노출시키는 비아홀을 형성하고, 상기 기판 전면에 평탄화층(109)을 형성한 후, 상기 소오스/드레인 전극의 일부를 노출시키는 비아홀을 완성한다. 이때, 상기 게이트 전극 형성시 스캔 라인(도시 안함)을 형성하고, 상기 소오스/드레인 전극을 형성시 데이터 라인(110) 및 공통전원 라인(111)을 형동시에 형성할 수 있다.
이어서, 상기 기판상에 Al, Ag 또는 상기 금속들의 합금들 중 하나를 기판 전면에 걸쳐 형성한 후, 패터닝하여 반사막(112)을 형성한다.
이어서, 상기 기판상에 제1전극(113), 화소 정의막(114), 적어도 유기 발광층을 포함하는 유기막층(115) 및 제2전극(116)을 순차적으로 형성하여 유기 전계 발광 소자를 형성한다.
그러나, 상기의 유기 전계 발광 소자의 반사막은 Al, Ag 또는 상기 금속들의 합금 중 어느 하나을 이용하여 형성함으로서, 단파장 영역의 빛 또는 장파장 영역의 빛 중 어느 한 영역의 빛의 반사율이 낮아 광효율이 낮다는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 제반 단점과 문제점을 해결하기 위한 것으로, 유기 전계 발광 소자를 구성하는 단위 화소 내의 반사막을 단위 화소의 유기막층에서 발생하는 빛의 파장을 효율적으로 반사할 수 있는 물질로 형성하여 광효율을 최대화한 반사막을 갖는 유기 전계 발광 조자 및 그 제조 방법을 제공함에 본 발명의 목적이 있다.
본 발명의 상기 목적은 절연 기판; 및 상기 절연 기판상에 제1전극, 적어도 유기 발광층을 포함하는 유기막층 및 제2전극을 포함하여 구성된 R, G 및 B의 단위 화소를 갖도록 형성된 화소 영역을 포함하며, 상기 R 및 G의 단위 화소의 제1전극 하부에 형성된 장파장 반사막; 및 상기 B의 단위 화소의 제1전극 하부에 형성된 단 파장 반사막로 이루어진 유기 전계 발광 소자에 의해 달성된다.
또한, 본 발명의 상기 목적은 절연 기판을 준비하는 단계; 상기 기판상에 장파장 반사막 및 단파장 반사막을 형성하는 단계; 상기 장파장 반사막 또는 단파장 반사막상에 제1전극을 형성하는 단계; 및 상기 제1전극상에 적어도 유기 발광층을 포함하는 유기막층 및 제2전극을 형성하는 단계로 이루어진 유기 전계 발광 소자 제조 방법에 의해서도 달성된다.
본 발명의 상기 목적과 기술적 구성 및 그에 따른 작용효과에 관한 자세한 사항은 본 발명의 바람직한 실시예를 도시하고 있는 도면을 참조한 이하 상세한 설명에 의해 보다 명확하게 이해될 것이다.
도 2a 및 도 2b는 단일 물질로 반사막을 형성했을 때의 광반사율을 나타내는 단면도와 그래프이다.
도 2a에서 보는 바와 같이 절연 기판(201)상에 반사막(202), 제1전극(203) 화소 정의막(204), 적어도 유기 발광층을 포함하는 유기막층(205) 및 제2전극(206)을 형성한 구조의 단면도에서 상기 제1전극을 Al 또는 상기 Al의 화합물(이후, "Al군"으로 칭함)로 형성하거나, Ag 또는 상기 Ag의 화합물(이후, "Ag군"으로 칭함) 등의 단일 물질로 형성했을 때, 도 2b에서 보는 바와 같이 반사막을 Al군으로 형성한 후, Al군의 반사막의 파장에 대한 반사율을 측정하여 그 값을 100으로 환산하여 그래프에 표기(250)하였고, 또 다른 유기 전계 발광 소자의 반사막은 Ag군으로 형성한 후, Ag군의 반사막의 파장에 대한 반사율을 측정하여 상기 Al군과의 상대적인 값으로 환산하여 그패프에 표기(260)하였다.
일반적으로 유기 전계 발광 소자의 반사막으로 사용되는 재료는 상기 Al군 또는 Ag군인데 상기 Al군 또는 Ag군으로 형성하는 경우 반사율이 90%이상으로 매우 높고, 특히 Ag군은 상기 Al군 보다 8%정도 더 반사율이 높은 것으로 알려져 있다. 그러나, 상기 Ag군으로 반사막을 형성하는 경우, 도 2b에서 보는 바와 같이 약 500nm 이하, 더 정확하게는 490nm 이하의 파장에서는 Ag군으로 형성된 반사막에 의한 반사율이 상기 Al군으로 형성된 반사막 보다 더 반사율이 낮아지는 현상이 발생하여 Ag군으로 반사막을 형성하는 경우 B(파란색)의 광효율이 다른 색보다 떨어지게되는 문제점이 있다. 이러한 문제점을 해결하기 위해 본원 발명에서는 500nm 이하의 빛(즉, 파란색)을 더 효율적으로 반사시키는 Al군과 같은 단파장을 효율적으로 반사하는 물질로 단파장 반사막을 형성하고, 500nm 이상의 빛(즉, 빨간색과 녹색)을 더 효율적으로 반사시키는 Ag군과 같은 장파장을 더 효율적으로 반사하는 물질로 장파장 반사막을 형성하여 R(빨간색), G(녹색) 및 B의 광 반사율을 최대화시켜 광효율을 증대시키도록 유기 전계 발광 소자를 형성하였다.
도 3은 본 발명에 의한 유기 전계 발광 소자의 공정 단면도이다. 도에서 보는 바와 같이 유리 또는 플라스틱과 같은 절연 기판(301)상에 버퍼층(302)을 형성하고, 상기 버퍼층상에 화학적 기상 증착법(Chemical Vapror Deposition) 또는 물리적 기상 증착법(Physical Vapor Deposition)을 이용하여 비정질 실리콘층을 형성한 후, 상기 비정질 실리콘층을 수소와 같은 기체를 제거하는 탈수소처리를 하고, 결정화법을 이용하여 다결정 실리콘층으로 형성한 후, 패터닝하여 반도체층(303)을 형성한다.
이어서, 상기 기판상에 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막의 단층 또는 복층으로 게이트 절연막(304)을 형성하고, 상기 게이트 절연막상에 게이트 전극 형성 물질을 증착한 후, 패터닝하여 게이트 전극(305), 스캔 라인(도시 안함) 및 캐패시터의 하부 전극(도시 안함)을 형성한다.
이어서, 상기 기판상에 층간절연막(306)을 형성하고, 상기 층간절연막 및 게이트 절연막의 소정 영역을 식각하여 상기 반도체층을 노출시키는 콘택홀을 형성하고, 상기 기판 전면에 걸쳐 소오스/드레인 전극 형성 물질을 형성한 후, 패터닝하여 상기 노출된 반도체층과 콘택하는 소오스/드레인 전극(307), 데이터 라인(308), 공통전원 라인(309) 및 캐패시터의 상부 전극(도시 안함)을 형성한다.
이어서, 상기 기판 전면에 걸처 패시베이션층(310)을 형성하고, 상기 소오스/드레인 전극의 소정 영역을 노출시키는 비아홀을 형성한 후, 상기 기판 전체를 평탄화하는 평탄화층(311)을 형성하고, 상기 평탄화층의 소정 영역을 식각하여 상기 소오스/드레인 전극의 소정 영역을 노출시키는 비아홀(312)을 완성한다.
도 4a 내지 도 4c는 본 발명에 의한 단파장 반사막 및 장파장 반사막 형성 공정의 일실시 예의 단면도이다.
먼저, 도 4a는 상기 기판상에 장파장 반사막을 먼저 형성하는 공정의 단면도이다. 도에서 보는 바와 같이 상기 비아홀이 형성된 기판상에 장파장 반사막 형성 물질을 형성한 후, 상기 장파장 형성 물질을 패터닝하여 R 및 G의 단위 화소의 발광 영역에 장파장 반사막(401)을 먼저 형성한다.
이때, 상기 장파장 반사막 형성 물질은 R과 G와 같이 파장이 긴 장파장을 효 율적으로 반사시킬 수 있는 물질로 형성하는데, 상기 상술한 Ag군과 같이 Ag 및 Ag의 화합물 중 어느 하나 이상을 이용하여 형성하는 것이 바람직하다.
이때, 상기 장파장 반사막 형성 물질 또는 단파장 반사막 형성 물질은 500 내지 2000Å의 두께로 형성한다.
이때, 도 4a에서는 장파장 반사막을 먼저 형성하는 것을 도시하였으나, 단파장 반사막 형성 물질을 형성하고 패터닝하여 B의 단위 화소의 발광 영역에 단파장 반사막을 먼저 형성하여도 무방하다.
다음, 도 4b는 상기 기판상에 장파장 반사막이 형성된 기판상에 단파장 형성 물질을 형성하는 공정의 단면도이다. 도에서 보는 바와 같이 장파장 반사막이 형성된 기판상에 단파장 형성 물질(402)을 형성한다.
이때, 상기 단파장 형성 물질은 B와 같이 파장이 짧은 단파장을 효율적으로 반사시킬 수 있는 물질로 형성하는데, 상기 상술한 Al군과 같이 Al 및 Al의 화합물 중 어느 하나 이상을 이용하여 형성하는 것이 바람직하다.
다음, 도 4c는 상기 형성된 단파장 반사막 형성 물질을 이용하여 단파장 반사막을 형성하는 공정의 단면도이다. 도에서 보는 바와 같이 상기 형성된 단파장 반사막 형성 물질을 패터닝하여 B의 단위 화소의 발광 영역에 단파장 반사막(403)을 형성한다. 이때, 도 4a에서 설명한 바와 같이 기판상에 단파장 반사막이 먼저 형성되어 있는 경우에는 장파장 형성 물질을 형성하고, 패터닝하여 장파장 반사막을 단파장 반사막을 늦게 형성할 수 도 있다.
따라서, R 및 G의 단위 화소의 발광 영역의 반사막은 500nm 이상의 장파장을 효율적으로 반사하는 장파장 반사막을 형성하고, B의 단위 화소의 발광 영역의 반사막은 500nm 이하의 단파장을 효율적으로 반사하는 단파장 반사막을 형성한다.
도 5a 내지 도 5c는 본 발명에 의한 단파장 반사막 및 장파장 반사막 형성 공정의 다른 일실시 예의 단면도이다.
먼저, 도 5a는 상기 기판상에 단파장 반사막 형성 물질 및 장파장 반사막 형성 물질을 형성하는 공정의 단면도이다. 도에서 보는 바와 같이 비아홀이 형성된 기판상에 단파장 형성 물질(451)을 먼저 형성하고, 상기 단파장 형성 물질상에 장파장 형성 물질(452)을 형성한다.
이때, 상기 장파장 반사막 형성 물질 또는 단파장 반사막 형성 물질은 500 내지 2000Å의 두께로 형성한다.
이때, 상기 단파장 형성 물질은 상기 도 4b에서 설명한 바와 B와 같이 파장이 짧은 단파장을 효율적으로 반사시킬 수 있는 물질로 형성하는데, 상기 상술한 Al군과 같이 Al 및 Al의 화합물 중 어느 하나 이상을 이용하여 형성하는 것이 바람직하고, 상기 장파장 형성 물질은 상기 도 4a에서 설명한 바와 같이 R과 G와 같이 파장이 긴 장파장을 효율적으로 반사시킬 수 있는 물질로 형성하는데, 상기 상술한 Ag군과 같이 Ag 및 Ag의 화합물 중 어느 하나 이상을 이용하여 형성하는 것이 바람직하다.
이때, 상기에서는 단파장 형성 물질을 먼저 형성하였으나, 장파장 형성 물질을 먼저 형성하고 단파장 형성 물질을 나중에 형성하여도 무방하다.
다음, 도 5b는 단파장 반사막이 형성될 영역에서 장파장 반사막 형성 물질을 제거하는 공정의 단면도이다. 도에서 보는 바와 같이 단파장 반사막 형성 물질과 장파장 반사막 형성 물질이 형성된 기판상에서 단파장 반사막이 필요한 B의 단위 화소 영역에서는 장파장 반사막 형성 물질을 제거(453)한다.
이때, 도에서와는 반대로 장파장 형성 물질을 먼저 형성하고, 이후 단파장 형성 물질을 형성한 경우에는 장파장 반사막 형성 영역인 R 및 G의 단위 화소 영역의 단파장 반사막 형성 물질을 제거하는 공정을 진행하여도 무방하다.
다음, 도 5c는 상기 장파장 반사막 형성 물질 및 단파장 반사막 형성 물질을 패터닝하는 공정의 단면도이다. 도에서 보는 바와 같이 R, G 및 B의 단위 화소의 발광 영역에 반사막이 형성될 수 있도록 상기 장파장 반사막 형성 물질 및 단파장 반사막 형성 물질을 패터닝하여 장파장 반사막(454) 및 단파장 반사막(455)을 형성한다. 이때, 상기 장파장 반사막은 단파장 반사막 형성 물질의 패턴(454a)과 장파장 반사막 형성 물질의 패턴(454b)으로 구성되어 있지만 실제 반사막으로서 작동하는 것은 상부의 장파장 반사막 형성 물질의 패턴이다.
이때, 상기에서 설명한 바와 같이 도에서와는 반대로 단파장 반사막을 장파장 반사막 형성 물질의 패턴과 단파장 반사막 형성 물질의 패턴의 이중 구조로 형성하고, 장파장 반사막은 장파장 반사막 형성 물질의 패턴의 단일 구조로 형성하여도 무방하다.
따라서, R 및 G의 단위 화소의 발광 영역의 반사막은 500nm 이상의 장파장을 효율적으로 반사하는 장파장 반사막을 형성하고, B의 단위 화소의 발광 영역의 반사막은 500nm 이하의 단파장을 효율적으로 반사하는 단파장 반사막을 형성한다.
도 6a 및 도 6b는 본 발명에 의해 형성된 유기 전계 발광 소자의 평면도 및 단면도이다.(이때, 도 6b는 도 6a의 A-B선의 단면도이다.) 도에서 보는 바와 같이 상기 도 3 및 도 4a 내지 도 4c의 공정으로 절연 기판(501)상에 박막트랜지터(502), 캐패시터(503), 스캔 라인(504), 데이터 라인(505) 및 공통전원 라인(506)을 형성한 후, R 및 G의 단위 화소 영역에는 장파장 반사막(507a)을, B의 단위 화소 영역에는 단파장 반사막(507b)을 형성하여 반사막을 형성한다.
이어서, 상기 기판 전면에 제1전극 형성 물질을 형성한 후, 패터닝하여 각각의 단위 화소 영역에 제1전극(508)을 형성하고, 상기 기판 전면에 화소 영역을 정의하는 화소 정의막(509)을 형성한다.
이때, 상기 장파장 반사막 또는 단파장 반사막의 두께는 상기 장파장 반사막 형성 물질 또는 단파장 반사막 형성 물질의 두께가 500 내지 2000Å의 두께로 형성되기 때문에 500 내지 2000Å의 두께로 형성된다. 또한, 상기 제1전극은 50 내지 200Å의 두께로 형성하는데, 바람직하게는 약 130Å의 두께로 형성하는 것이 바람직하다. 또한 상기 제1전극은 ITO, IZO 또는 In2O3 등과 같이 투명한 전도체로 형성하는 것이 바람직하다.
이어서, 상기 기판상에 적어도 유기 발광층을 포함하는 유기막층(510)을 형성하고, 상기 기판 전면에 걸쳐 제2전극(511)을 형성하여 유기 전계 발광 소자를 완성한다.
따라서, 상기와 같은 방법으로 제조된 유기 전계 발광 소자는 R 및 G의 단위 화소의 반사막은 Ag 또는 이를 포함하는 화합물과 같이 장파장을 효율적으로 반사하는 장파장 반사막 형성 물질을 이용하여 장파장 반사막으로 형성하고, B의 단위 화소의 반사막은 Al 또는 이를 포함하는 화합물과 같이 단파장을 효율적으로 반사하는 단파장 반사막 형성 물질을 이용하여 단파장 반사막을 형성함으로서, 각각의 단위 화소의 유기 발광층에서 발생하는 빛을 반사하는 특성을 최대화하여 유기 전계 발광 소자의 광효율을 최대화할 수 있다.
본 발명은 이상에서 살펴본 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기한 실시 예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변경과 수정이 가능할 것이다.
따라서, 본 발명의 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법은 유기 전계 발광 소자의 반사막을 형성할 때, 유기막층에서 생성되는 빛에 따라 반사막을 형성하는 물질을 서로 다르게함으로서 R, G 및 B의 단위 화소의 광효율을 최대화할 수 있는 효과가 있다.

Claims (14)

  1. 절연 기판; 및
    상기 절연 기판상에 제1전극, 적어도 유기 발광층을 포함하는 유기막층 및 제2전극을 포함하여 구성된 R, G 및 B의 단위 화소를 갖도록 형성된 화소 영역을 포함하며,
    상기 R 및 G의 단위 화소의 제1전극 하부에 형성된 장파장 반사막; 및
    상기 B의 단위 화소의 제1전극 하부에 형성된 단파장 반사막
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 장파장 반사막은 500nm 이상의 파장에서 단파장 반사막보다 더 높은 반사율을 갖는 물질을 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 장파장 반사막은 Ag 또는 Ag의 화합물을 포함하여 이루짐을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 단파장 반사막은 500nm 이하의 파장에서 장파장 반사막보다 더 높은 반사율을 갖는 물질을 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 단파장 반사막은 Al 또는 Al의 화합물을 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 장파장 반사막은 단파장 형성 물질/장파장 형성 물질로 이루어진 구조, 장파장 형성 물질로만 이루어진 구조 중 어느 한 구조임을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 단파장 반사막은 장파장 형성 물질/단파장 형성 물질로 이루어진 구조, 단파장 형성 물질로만 이루어진 구조 중 어느 한 구조임을 특징으로 하는 유기 전 계 발광 소자.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 장파장 반사막의 두께는 500 내지 2000Å임을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 단파장 반사막의 두께는 500 내지 2000Å임을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1전극의 두께는 50 내지 200Å임을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  11. 절연 기판을 준비하는 단계;
    상기 기판상에 장파장 반사막 및 단파장 반사막을 형성하는 단계;
    상기 장파장 반사막 또는 단파장 반사막상에 제1전극을 형성하는 단계; 및
    상기 제1전극상에 적어도 유기 발광층을 포함하는 유기막층 및 제2전극을 형성하는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자 제조 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 장파장 반사막 및 단파장 반사막을 형성하는 단계는
    상기 절연 기판상에 장파장 반사막 형성 물질 및 단파장 반사막 형성 물질을 순차적으로 형성한 후, 장파장 반사막 형성 영역에는 장파장 반사막 형성 물질이 노출되도록 식각하고, 장파장 반사막 형성 물질 및 단파장 반사막 형성 물질을 패터닝하여 장파장 반사막 및 단파장 반사막을 형성하는 단계임을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자 제조 방법.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 장파장 반사막 및 단파장 반사막을 형성하는 단계는
    상기 절연 기판상에 단파장 반사막 형성 물질 및 장파장 반사막 형성 물질을 순차적으로 형성한 후, 단파장 반사막 형성 영역에는 단파장 반사막 형성 물질이 노출되도록 식각하고, 장파장 반사막 형성 물질 및 단파장 반사막 형성 물질을 패 터닝하여 장파장 반사막 및 단파장 반사막을 형성하는 단계임을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자 제조 방법.
  14. 제 11 항에 있어서,
    상기 장파장 반사막 및 단파장 반사막을 형성하는 단계는
    상기 절연 기판상에 장파장 반사막 형성 물질을 형성한 후, 패터닝하여 장파장 반사막을 형성하는 공정 또는 단파장 반사막 형성 물질을 형성한 후, 패터닝하여 단파장 반사막을 형성하는 공정 중 어느 한 공정을 먼저 진행하여 장파장 반사막 및 단파장 반사막을 형성하는 단계임을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자 제조 방법.
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