KR100600879B1 - Multi Chamber Thermal Evaporation Apparatus - Google Patents
Multi Chamber Thermal Evaporation Apparatus Download PDFInfo
- Publication number
- KR100600879B1 KR100600879B1 KR1020040075660A KR20040075660A KR100600879B1 KR 100600879 B1 KR100600879 B1 KR 100600879B1 KR 1020040075660 A KR1020040075660 A KR 1020040075660A KR 20040075660 A KR20040075660 A KR 20040075660A KR 100600879 B1 KR100600879 B1 KR 100600879B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- chamber
- substrate
- vacuum deposition
- deposition apparatus
- aligner
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/12—Organic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/568—Transferring the substrates through a series of coating stations
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
본 발명은 멀티 챔버 진공 증착 장치에 관한 것으로, 적어도 2개 이상의 트랜스페어런트 모듈(TM;Transparent module) 챔버를 갖는 멀티 챔버 진공 증착기에서 글라스 반전기를 생략하여 글라스 반전기에서 미스-얼라인으로 인해 발생하던 기판 깨짐 현상을 방지하고 택타임(Tact time)을 줄일 수 있는 진공 증착 장치를 제공한다. The present invention relates to a multi-chamber vacuum deposition apparatus, in which a glass inverter is omitted in a multi-chamber vacuum evaporator having at least two transparent module (TM) chambers, resulting in misalignment in the glass inverter. Provided is a vacuum deposition apparatus that can prevent substrate breakage and reduce tact time.
상기 진공 증착 장치에서 TM 챔버와 TM 챔버 사이의 버퍼 챔버에 위치하는 글라스 반전기는 첫 번째 TM 챔버의 마지막 공정 모듈에 있는 챔버 내부의 얼라이너(Aligner)에서 기판을 최초 로테이션(Rotation) 스타트 후 정지한 상태에서 180°위상차로 더 회전함으로써 생략할 수 있다. In the vacuum deposition apparatus, the glass inverter located in the buffer chamber between the TM chamber and the TM chamber stops the substrate after the first rotation start at the aligner inside the chamber in the last process module of the first TM chamber. It can be omitted by further rotating with a 180 ° phase difference in the state.
멀티 챔버 진공 증착 장치, 글라스 반전기, 얼라이너Multi Chamber Vacuum Deposition Device, Glass Inverter, Aligner
Description
도 1은 종래의 유기전계발광소자 제조용 멀티 챔버 진공 증착 장치에 따른 글라스 반전기에서 기판 얼라인을 위한 회전 방법을 나타내는 개략도.1 is a schematic view showing a rotation method for substrate alignment in a glass inverter according to a conventional multi-chamber vacuum deposition apparatus for manufacturing an organic light emitting display device.
도 2는 본 발명에 따른 멀티 챔버 진공 증착 장치의 기판 얼라인을 위한 회전 방법을 나타내는 개략도.2 is a schematic diagram illustrating a rotation method for substrate alignment in a multi-chamber vacuum deposition apparatus according to the present invention.
도 3a 및 도 3b는 종래 및 본 발명의 멀티 챔버 진공 증착 장치의 회전 후 기판의 홈(Home)을 비교한 개략도.3A and 3B are schematic views comparing a groove of a substrate after the rotation of the multi-chamber vacuum deposition apparatus of the prior art and the present invention.
< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 > <Description of Symbols for Major Parts of Drawings>
10 : 트랜스페어런트 모듈 챔버1(TM1)10: Transparent Module Chamber 1 (TM1)
20 : 공정 챔버A 30 : 기판20: process chamber A 30: substrate
40 : 공정 챔버B 50a, 50b, 50c : 버퍼 챔버40:
60 : 글라스 반전기60: glass inverter
70 : 트랜스페어런트 모듈 챔버2(TM2)70: Transparent Module Chamber 2 (TM2)
80 : 공정 챔버C 90 : 공정 챔버D80: process chamber C 90: process chamber D
본 발명은 멀티 챔버(multi chamber)를 구비한 진공 증착 장치에 관한 것으로, 적어도 2개 이상의 트랜스페어런트 모듈(TM;Transparent module)을 갖는 멀티 챔버(multi chamber) 진공 증착기에서 글라스(glass) 반전기를 생략하여 글라스 반전기에서 미스-얼라인(miss-aligner)으로 인해 발생하던 기판 깨짐 현상을 방지하고 택타임(Tact time)을 줄일 수 있는 진공 증착 장치를 제공한다. 상기 진공 증착 장치에서 TM 챔버와 TM 챔버 사이의 버퍼 챔버(buffer chamber)에 위치하는 글라스(glass) 반전기는 첫 번째 TM 챔버의 마지막 공정 모듈(module)에 있는 챔버(chamber) 내부의 얼라이너(Aligner)에서 기판을 최초 로테이션(Rotation) 스타트 후 정지한 상태에서 180°위상차로 더 회전함으로써 생략할 수 있다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a vacuum deposition apparatus having a multi chamber, wherein a glass inverter is omitted in a multi chamber vacuum evaporator having at least two transparent modules (TM). Accordingly, the present invention provides a vacuum deposition apparatus that can prevent substrate breakage caused by miss-aligner in the glass inverter and reduce tac time. The glass inverter located in the buffer chamber between the TM chamber and the TM chamber in the vacuum deposition apparatus is an aligner inside the chamber in the last process module of the first TM chamber. ), It can be omitted by further rotating the substrate 180 degrees out of the stopped state after the initial rotation start.
통상, 박막 증착 방법은 크게 물리적기상증착(PVD;Physical Vapor Deposition)과 화학적기상증착(CVD;Chemical Vapor Deposition)으로 나누어진다. 상기 PVD 방법은 목적하는 박막의 구성 원자를 포함하는 고체의 타깃을 물리적인 작용(증발, 승화, 스퍼터링)에 의해 원자ㆍ분자ㆍ클러스터 상태로 해서 기판 표면에 수송하여 박막을 형성하는 방법이다. 한편 CVD 방법은 박막의 구성 원자를 포함하는 원료 가스를 기판이 놓여진 공간에 공급하여 원료 가스 분자의 들뜸ㆍ분해를 통하여 기상 및 기판 표면에서의 화학 반응으로 박막을 형성하는 방법이다.In general, the thin film deposition method is largely divided into physical vapor deposition (PVD) and chemical vapor deposition (CVD). The PVD method is a method of forming a thin film by transporting a solid target containing constituent atoms of a desired thin film into an atom, molecule, or cluster state by physical action (evaporation, sublimation, sputtering) to a substrate surface. On the other hand, the CVD method is a method of forming a thin film by supplying a raw material gas containing constituent atoms of a thin film to a space in which a substrate is placed and by chemical reaction on the gas phase and the surface of the substrate through excitation and decomposition of the raw material gas molecules.
일반적으로 액정표시소자 생산 라인에서 사용되고 있는 진공 증착 장치는 통상적으로 2개 이상의 공정 챔버를 구비하고 있는 멀티 챔버를 사용하여 생산성을 높이고 있다. 상기 챔버에는 로딩 챔버, 전처리 챔버, 유기막 증착 챔버, 메탈 증착 챔버 및 언로딩 챔버 등이 있다.In general, a vacuum deposition apparatus used in a liquid crystal display device production line generally improves productivity by using a multi-chamber having two or more process chambers. The chamber includes a loading chamber, a pretreatment chamber, an organic film deposition chamber, a metal deposition chamber, and an unloading chamber.
통상, 평판표시소자(Flat Panel Display Device) 중에서 유기전계발광소자 (OLED;Organic Electroluminescence Display Device)는 자발광이며, 시야각이 넓고, 응답속도가 빠르고, 얇은 두께와 낮은 제작비용 및 높은 콘트라스트(Contrast) 등의 특성을 나타냄으로써 향후 차세대 평판표시소자로 주목받고 있다.In general, among flat panel display devices, an organic electroluminescence display device (OLED) is self-luminous, has a wide viewing angle, fast response speed, thin thickness, low manufacturing cost, and high contrast. It is attracting attention as a next generation flat panel display device by exhibiting such characteristics.
통상적으로, 유기전계발광소자는 애노드 전극과 캐소드 전극 사이에 유기발광층을 포함하고 있어 애노드 전극으로부터 공급받는 홀과 캐소드 전극으로부터 받은 전자가 유기발광층 내에서 결합하여 정공-전자 쌍인 여기자를 형성하고 다시 상기 여기자가 바닥상태로 돌아오면서 발생되는 에너지에 의해 발광하게 된다. In general, an organic light emitting display device includes an organic light emitting layer between an anode electrode and a cathode electrode, so that holes supplied from the anode electrode and electrons received from the cathode electrode combine in the organic light emitting layer to form an exciton, which is a hole-electron pair, and again. The excitons are emitted by the energy generated by returning to the ground state.
상기 유기전계발광소자는 반도체층, 절연막, 유기막층, 게이트 전극, 소오스/드레인 전극, 제 1 전극, 제 2 전극 등의 메탈층 등 다수의 층을 구비한다. 상기 다수의 층 증착 시 진공 증착을 이용할 수 있고, 상기 유기막층의 발광층은 증착 과정에서 기판의 얼라인 미스(Miss)가 발생할 경우 유기전계발광표시소자 가동 시 발광층에 이상 전류를 발생시켜 기판에 손상(Damage)을 주어 콘트라스트 및 휘도를 떨어뜨릴 수 있다. 이로 인해 미세한 얼라인이 필요한 발광층의 증착에는 진공 증착 장치가 요구된다.The organic light emitting diode includes a plurality of layers such as a semiconductor layer, an insulating film, an organic film layer, a gate electrode, a source / drain electrode, a metal layer such as a first electrode, a second electrode, and the like. Vacuum deposition may be used for the deposition of the plurality of layers, and the organic light emitting layer may be damaged by damaging the substrate by generating an abnormal current in the light emitting layer when the organic light emitting display device is operated when misalignment of the substrate occurs in the deposition process. Damage can be given to lower contrast and brightness. For this reason, a vacuum deposition apparatus is required for the deposition of the light emitting layer that requires fine alignment.
이하, 종래 기술을 도면을 참조하여 설명한다.Hereinafter, the prior art will be described with reference to the drawings.
도 1은 종래의 멀티 챔버 진공 증착 장치에 따른 글라스 반전기에서 기판 얼라인을 위한 회전 방법을 나타내는 개략도이다.1 is a schematic diagram illustrating a rotation method for substrate alignment in a glass inverter according to a conventional multi-chamber vacuum deposition apparatus.
도 1을 참조하면, 종래의 멀티 챔버 진공 증착기는 적어도 트랜스페어런트 모듈1(TM1;Transparent Module)(10) 및 트랜스페어런트 모듈2(TM2)(70)와 같이 2개 이상의 TM을 연결하여 물류가 진행된다. 상기 TM(10)(70)에는 각각에 적어도 2개 이상의 공정 챔버A, B(20,40) 또는 공정 챔버C, D(80, 90)가 부착되어 있다. 상기 공정 챔버A, B, C 또는 D(20, 40, 80, 90)는 유기막 및 메탈막을 증착할 수 있는 증착 챔버이며, 각각 독립적으로 공정을 진행할 수 있다. 상기 TM1(10)과 TM2(70) 사이에는 버퍼 챔버(buffer chamber)(50a, 50b, 50c)가 위치하며, 상기 버퍼 챔버(50b)에는 기판을 180°회전시키기 위한 글라스(glass) 반전기(60)가 위치한다. Referring to FIG. 1, a conventional multi-chamber vacuum evaporator connects two or more TMs such as at least transparent module 1 (TM1) and transparent module 2 (TM2) 70 to proceed with logistics. do. At least two process chambers A, B (20, 40) or process chambers C, D (80, 90) are attached to each of the TM (10) (70). The process chambers A, B, C, or D (20, 40, 80, 90) are deposition chambers capable of depositing an organic film and a metal film, and may each independently process. Buffer chambers (50a, 50b, 50c) are located between the TM1 (10) and TM2 (70), a glass inverter (180) for rotating the substrate 180 ° in the buffer chamber (50b) 60) is located.
도 1과 같이 버퍼 챔버(50b)에서 180°반전을 해야 TM2(70) 모듈에서 기판(30) 초기 셋팅(Setting) 및 방향이 TM1(10)의 공정 챔버A(20)에 있는 기판(30)과 같이 일정하게 되어진다.As shown in FIG. 1, the
즉, 상기 글라스 반전기(60)는 TM1(10)의 마지막 공정 챔버B(40)에서 나온 기판(30)을 초기 셋팅 및 방향이 같도록 얼라인(aligner)하여 TM2(70)의 다음 공정 챔버C(80)로 이동시키기 위한 것으로, 통상 글라스 반전기(60)에 하나의 얼라이너(aligner)를 구비하여 얼라인 챔버(aligner chamber)로 사용한다. That is, the
종래의 멀티 챔버 진공 증착 장치는 기판(30)은 TM1(10)의 공정 챔버A(20)에서 공정을 진행한 후 공정 챔버B(40)로 이동하여 공정을 진행한다. 이 때, 공정 챔버B(40)에서 나오는 기판의 방향은 초기 셋팅 및 방향과 180°위상차를 보인다. In the conventional multi-chamber vacuum deposition apparatus, the
이 때, 글라스 반전기는 TM2의 공정 챔버C(80)에서의 얼라인을 위한 초기 셋팅 및 방향을 갖기 위해 반드시 필요하다.At this time, the glass inverter is necessary to have the initial setting and direction for the alignment in the
이어서, TM2(70)로 이동하기 위해 기판(30)을 버퍼 챔버(50a)로 이동시키고 TM2(70)의 공정 챔버C(80)에서 정해진 프로그램에 맞추어 공정을 진행 할 수 있도록 기판(30)의 얼라인을 맞추기 위해 글라스 반전기(60)에서 180°회전을 시켰다. 상기 글라스 반전기(60)에서 회전한 기판(30)은 다시 버퍼 챔버(50c)로 이동하고 TM2(70)의 공정 챔버C(80)로 이동하여 공정을 진행하였다.Subsequently, the
이 때, 상기 TM1(10)과 TM2(70) 사이의 글라스 반전기(60)를 거치는 경우 택타임(tact time)이 짧게는 3분 내지 4분, 길게는 5분 내지 10분이 소요되어 생산성을 저하시키는 문제점을 안고 있다. At this time, when passing through the
기판의 얼라인은 TM1(10)의 공정 챔버B(40)에서 공정 처리 후 TM2(70)의 공정 챔버C(80)에서 기판(30)이 처리되기 직전이다. 종래의 멀티 챔버 진공 증착 장치에서는 글라스 반전기(60)에서 기판 얼라인 후 공정 챔버C(80)에 반송되기까지의 과정에서 기판(30)의 얼라인이 어긋나버릴 가능성이 많다. 특히 유기전계발광소자에서는 R(red), G(green), B(blue)의 다양한 컬러를 구현하기 위해 파인 메탈 마스크(Fine Metal Mask)를 사용하여 증착하는데, 상기 파인 메탈 마스크를 사용하는 경우 미스-얼라인 발생 가능성이 높다. 이로 인해, 글라스 반전기(60)에서 얼라인을 할 경우 기판이 틀어지면서 얼라인에 오차가 생겨 미스-얼라인(Miss Align)이 발생하여 기판의 깨짐(Broken) 현상이 발생하고, 이로 인해 깨진 기판을 처리하는 동안 공정이 홀딩(Holding)되어 생산성이 떨어지는 문제점을 안고 있다. The alignment of the substrate is just before the
본 발명이 이루고하 하는 기술적 과제는 상술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 적어도 2개 이상의 TM을 갖는 멀티 챔버 진공 증착 장치에서 진공 챔버 내부의 얼라이너에서 기판을 최초 로테이션(rotation) 스타트(start) 후 정지한 상태에서 180°위상차로 더 회전함으로써 글라스 반전기를 생략하여 글라스 반전기에서의 미스-얼라인으로 인한 기판 깨짐 현상 및 공정 지연을 방지하여 생산성을 향상시킬 수 있는 멀티 챔버 진공 증착 장치를 제공하는 것이다. The technical problem to be solved by the present invention is to solve the above-mentioned problems of the prior art, and in the multi-chamber vacuum deposition apparatus having at least two TMs, the first rotation start of the substrate in the aligner inside the vacuum chamber ( Multi-chamber vacuum deposition apparatus that can improve productivity by preventing substrate breakage and process delay due to miss-alignment in the glass inverter by further rotating by 180 ° phase difference in the stopped state after start) To provide.
상술한 종래의 문제점을 해결하기 위해, 본 발명은 상기 멀티 챔버 진공 증착 장치에서 TM1의 마지막 공정 모듈에 있는 챔버 내부의 얼라이너(Aligner)에서 기판을 최초 로테이션(rotation) 스타트 후 정지한 상태에서 180°위상차로 더 회전함으로써 글라스 반전기를 거치지 않고 후속으로 진행되는 TM2 챔버에서 곧바로 공정을 진행 할 수 있는 멀티 챔버 진공 증착 장치를 제공한다.In order to solve the above-mentioned conventional problems, the present invention provides a method in which the substrate is stopped after an initial rotation start in the aligner inside the chamber in the last process module of TM1 in the multi-chamber vacuum deposition apparatus. By further rotating the phase difference, it provides a multi-chamber vacuum deposition apparatus capable of proceeding immediately in a subsequent TM2 chamber without going through a glass inverter.
이하, 본 발명을 첨부한 도면을 사용하여 더욱 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.
도 2는 본 발명에 따른 멀티 챔버 진공 증착 장치의 기판 얼라인을 위한 회전 방법을 나타내는 개략도이다.2 is a schematic view showing a rotation method for substrate alignment in a multi-chamber vacuum deposition apparatus according to the present invention.
도 2를 참조하면, 멀티 챔버 진공 증착 장치는 적어도 2개 이상을 구비한 TM1(10) 및 TM2(70)를 구성한다. 상기 TM1(10)에는 각각의 독립적인 공정을 수행할 수 있는 적어도 2개 이상의 공정 챔버A(20), 공정 챔버B(40)를 구성한다. 상기 공정 챔버A, B(20, 40)은 유기막 증착 챔버 및 메탈 증착 챔버일 수 있다.Referring to FIG. 2, a multi-chamber vacuum deposition apparatus constitutes a
일반적으로 다층의 박막들이 증착되는 진공 챔버의 구성은 증발소스, 두께 모니터, 유리 기판과 마스크의 얼라이너(aligner) 등이 기본적으로 필요하다. 이 때, 각 증착 공정 챔버에는 독립된 마스크(mask)와 마스크 얼라인 장치가 있어서 증착 공정 전에 기판과 마스크의 얼라인 공정을 매번 반복하게 된다.In general, the configuration of a vacuum chamber in which multilayer thin films are deposited basically requires an evaporation source, a thickness monitor, an aligner of a glass substrate and a mask, and the like. At this time, each deposition process chamber has an independent mask and mask alignment device, and the alignment process of the substrate and the mask is repeated every time before the deposition process.
상기 얼라인의 순서를 간단히 설명하면 다음과 같다.The order of the alignment is briefly described as follows.
기판 홀더(holder) 위에 기판을 로딩(loading)한다. 이 때, 마스크가 처짐없이 부착되도록 자석 어레이(array) 장치를 이용한다. 또한 기판을 흡착유지하여 회전, 상하 운동이 가능한 진공(Vacuum) 척을 구성하고 있는 테이블이 위치한다. 상기 진공 척 상부에는 양쪽에 2개의 투과형 센서가 배치되어 있다. 핀얼라인을 하면 기준점이 일치된 후 기판의 고정 장치가 작동되고 자력판의 승강장치가 하강되며 상기 자력판의 자력이 기판을 관통하면 기판에 균일하게 마스크가 근접 된다. 이어서, 흡착유지된 기판은 투과형 센서에서 나오는 신호와 상기한 테이블과의 구동기구에 의해, 기판을 미리 결정된 위치에 얼라인먼트(alignment)한다.The substrate is loaded onto the substrate holder. At this time, a magnet array device is used so that the mask is attached without sagging. In addition, there is a table that constitutes a vacuum chuck that can rotate and move up and down by adsorbing and holding a substrate. Two transmissive sensors are disposed on both sides of the vacuum chuck. When the pin is aligned, the fixing device of the substrate is operated after the reference point is coincided, the lifting device of the magnetic plate is lowered, and when the magnetic force of the magnetic plate passes through the substrate, the mask is uniformly approached to the substrate. Subsequently, the adsorbed and held substrate aligns the substrate to a predetermined position by a drive mechanism between the signal from the transmission sensor and the above-described table.
상기 기판의 얼라인먼트는 기판 홀더의 회전축이 기판의 회전중심과 기판의 중심이 어느 정도 어긋나 있는지를 검출하여, 기판의 중심이 회전중심과 일치하도록 X 방향이동기구 및 Y 방향이동기구를 구동함으로써 이루어진다. 상기 X 방향이동기구 및 Y 방향이동기구의 구동은 CCD 센서(Charge Coupled Device Sensor)를 사용하여 이루어진다. Alignment of the substrate is performed by detecting how much the rotational axis of the substrate holder is displaced from the rotational center of the substrate and the center of the substrate, and driving the X-direction moving mechanism and the Y-direction moving mechanism so that the center of the substrate coincides with the rotational center. The X direction movement mechanism and the Y direction movement mechanism are driven by using a CCD (Charge Coupled Device Sensor).
상기 CCD 센서를 쓰는 경우, 기판의 원주테두리 중 특정한 영역의 화상을 포착하도록 양쪽 상부에 2개의 CCD 센서를 배치한다. 상기 CCD 센서를 고정해 놓고, 기판을 테이블에 의해서 회전시킨다. 상기 CCD 센서로부터의 신호에 따라서 제어부가 X 방향이동기구 및 Y 방향이동기구를 제어한다. 상기 얼라인 후 진공 척이 내려간다. 이어서, 마스크가 올라갔는지 체크 후 확인되면 클램프를 해제한다. 상기 기판의 홀더가 후진되고 증착이 시작된다. 이 때, 마스크 얼라인 횟수를 최소화하여 박막을 형성할 수 있게 한다.In the case of using the CCD sensor, two CCD sensors are arranged on both sides so as to capture an image of a specific area of the peripheral edge of the substrate. The CCD sensor is fixed and the substrate is rotated by a table. The control unit controls the X direction movement mechanism and the Y direction movement mechanism in accordance with the signal from the CCD sensor. After the alignment the vacuum chuck is lowered. Then, after checking whether the mask is raised, release the clamp. The holder of the substrate is reversed and deposition begins. At this time, it is possible to form a thin film by minimizing the number of mask alignment.
이어서, 상기 TM1(10)과 TM2(70) 사이에는 1개의 버퍼 챔버(50)를 구성한다. 상기 버퍼 챔버(50)는 TM1(10)의 공정 챔버B(40)에서 공정을 마친 후 TM2(70)의 공정 챔버C(80)로 기판이 반송되기 전 기판을 대기하는 챔버이다. Subsequently, one
즉, 상기 TM1(10)의 공정 챔버A(20)에서 공정을 마친 기판은 로봇암(Robot arm)과 같은 반송수단을 통해 버퍼 챔버(50)로 이동 후 다시 공정 챔버B(40)로 이동하여 후속 공정을 진행한다. 상기 진공 증착 장치에 부착한 공정 챔버B(40)는 기판(30)을 증착 장치의 로테이션 회전부인 얼라이너에서 프로그램(program)적으로 최초 로테이션(rotation) 스타트(start) 후 정지 상태에서 180°위상차로 더 회전하여 정지시킨다. 상기 180°회전에는 10초의 시간이 소요된다. 이때, 도 2와 같이 상기 기판(30)의 초기 셋팅(setting) 및 방향이 TM1의 공정 챔버A(20)와 일치하게 되어 반송 수단을 통해 TM1(10)과 TM2(70) 사이에 있는 버퍼 챔버(50)로 이동한다.That is, the substrate, which has been processed in the
이어서, 상기 기판(30)은 반송 수단을 통해 TM2(70)의 공정 챔버C(80)로 이동하며, 기판의 초기 셋팅 및 방향과 같기 때문에 180°반전이 필요 없이 바로 후속 공정을 진행한다. 이처럼 글라스 반전기를 통해 얼라인(align)을 하지 않고 진공 증착기에서 얼라인을 하므로 미스-얼라인 발생 가능성이 적어, 파인 메탈 마스크(fine metal mask) 사용으로 인해 미세한 공정을 요구하는 유기전계발광소자의 유기발광층 형성에 더욱 유리하다.Subsequently, the
상기 TM1(10)의 마지막 공정 모듈 공정 챔버B(40)에서 증착기 로테이션 회전부, 즉, 얼라이너에서 프로그램적으로 최초 로테이션 스타트 후 정지 상태에서 180°위상차로 더 회전한 후 정지하게 되면 종래의 도 1에서처럼 TM1과 TM2사이의 버 퍼 챔버의 글라스 반전기에서 180°반전이 필요 없게되는 것이다.In the last process module
또한, TM1(10)의 마지막 공정 모듈 챔버B(40)에서 기판을 180°위상차로 더 회전하면, 도 2에서처럼 기판의 방향을 맞추게 되어 글라스 반전기를 생략할 수 있고, 이로 인해 택타임(tact time)도 5분 내지 10분 정도 줄일 수 있다. In addition, when the substrate is further rotated 180 degrees out of phase in the last process
이어서, 공정 챔버C(80)에서 나온 기판은 공정 챔버D(90)로 반송되어 후속 공정을 진행한다. Subsequently, the substrate from the
도 3a 및 도 3b는 종래 및 본 발명의 멀티 챔버 진공 증착 장치의 회전 후 기판의 홈(Home)을 비교한 개략도이다.3A and 3B are schematic views comparing the grooves of the substrate after the rotation of the multi-chamber vacuum deposition apparatus of the prior art and the present invention.
도 3a는 종래 기술에 따른 TM1의 마지막 공정 모듈 챔버B에서 최초 로테이션 후 정지 시 기판의 홈을 나타내며, 도 3b는 본 발명에 따른 TM1의 마지막 공정 모듈 챔버B에서 최초 로테이션 후 정지 상태에서 180°더 회전한 것으로 기판의 홈이 종래의 도 3a와 비교하여 180° 위상차를 갖는 것을 확인 할 수 있다.Figure 3a shows the groove of the substrate at the stop after initial rotation in the last process module chamber B of TM1 according to the prior art, Figure 3b shows 180 ° in the stop state after the first rotation in the last process module chamber B of TM1 according to the inventionMore By rotating, it can be confirmed that the groove of the substrate has a 180 ° phase difference compared with that of FIG. 3A.
상술한 바와 같이, 본 발명은 적어도 2개 이상의 TM을 갖는 멀티 챔버 진공 증착 장치에서 TM1의 마지막 공정 모듈에 있는 챔버 내부의 얼라이너에서 기판을 최초 로테이션 스타트 후 정지한 상태에서 180°위상차로 더 회전함으로써 마스크 얼라인 횟수를 줄이고, 글라스 반전기를 생략하여 챔버간 기판의 이송시간을 cm/초로 빠르게 해서 3분 미만의 빠른 택타임을 실현하고 생산 단가를 절감할 수 있다.As described above, the present invention further rotates the substrate 180 ° out of phase with the substrate in the aligner inside the chamber at the last process module of TM1 in a multi-chamber vacuum deposition apparatus having at least two TMs and then stopped after initial rotation start. By reducing the number of mask alignment, and by eliminating the glass inverter, the transfer time of the substrate between the chambers can be increased to cm / sec to realize a quick tack time of less than 3 minutes and to reduce the production cost.
또한 글라스 반전기에서의 미스-얼라인으로 인한 기판 깨짐 현상 및 공정 지연을 방지하여 생산성을 향상시킬 수 있다.In addition, productivity can be improved by preventing substrate breakage and process delay due to misalignment in the glass inverter.
Claims (6)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040075660A KR100600879B1 (en) | 2004-09-21 | 2004-09-21 | Multi Chamber Thermal Evaporation Apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040075660A KR100600879B1 (en) | 2004-09-21 | 2004-09-21 | Multi Chamber Thermal Evaporation Apparatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20060026791A KR20060026791A (en) | 2006-03-24 |
KR100600879B1 true KR100600879B1 (en) | 2006-07-19 |
Family
ID=37138075
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020040075660A KR100600879B1 (en) | 2004-09-21 | 2004-09-21 | Multi Chamber Thermal Evaporation Apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100600879B1 (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101405102B1 (en) * | 2012-10-04 | 2014-06-10 | 주식회사 선익시스템 | Apparatus for processing substrate and method for processing substrate |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR960008969A (en) * | 1994-08-19 | 1996-03-22 | 이노우에 아키라 | Semiconductor processing system |
KR19990027324A (en) * | 1997-09-29 | 1999-04-15 | 윤종용 | Multi-chamber system with wafer recognition system and wafer processing method using the same |
KR20010035948A (en) * | 1999-10-05 | 2001-05-07 | 윤종용 | Multichamber system provided with oriental chamber |
KR20030006227A (en) * | 2001-07-12 | 2003-01-23 | 삼성전자 주식회사 | Equipment for processing semiconductor having align apparatus |
KR20030089501A (en) * | 2002-05-17 | 2003-11-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | Manufacturing apparatus |
KR20040008894A (en) * | 2002-07-19 | 2004-01-31 | 주식회사 하이닉스반도체 | Semiconductor fabrication equipment having multi-chamber |
-
2004
- 2004-09-21 KR KR1020040075660A patent/KR100600879B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR960008969A (en) * | 1994-08-19 | 1996-03-22 | 이노우에 아키라 | Semiconductor processing system |
KR0172159B1 (en) * | 1994-08-19 | 1999-03-30 | 이노우에 아키라 | Chisel attaching/detaching device of breaker |
KR19990027324A (en) * | 1997-09-29 | 1999-04-15 | 윤종용 | Multi-chamber system with wafer recognition system and wafer processing method using the same |
KR20010035948A (en) * | 1999-10-05 | 2001-05-07 | 윤종용 | Multichamber system provided with oriental chamber |
KR20030006227A (en) * | 2001-07-12 | 2003-01-23 | 삼성전자 주식회사 | Equipment for processing semiconductor having align apparatus |
KR20030089501A (en) * | 2002-05-17 | 2003-11-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | Manufacturing apparatus |
KR20040008894A (en) * | 2002-07-19 | 2004-01-31 | 주식회사 하이닉스반도체 | Semiconductor fabrication equipment having multi-chamber |
Non-Patent Citations (3)
Title |
---|
1001721590000 * |
1020030006227 * |
1020040008894 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20060026791A (en) | 2006-03-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7199889B2 (en) | Film forming apparatus, film forming method, and electronic device manufacturing method | |
JP4463492B2 (en) | Manufacturing equipment | |
US9450140B2 (en) | Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the same | |
CN1679375B (en) | Fabrication system, light-emitting device and fabricating method of organic compound-containing layer | |
US8883259B2 (en) | Thin film deposition apparatus | |
JP7018375B2 (en) | Film forming equipment, film forming method, and electronic device manufacturing method | |
KR102128888B1 (en) | Film forming apparatus, film forming method and manufacturing method of electronic device | |
JP7150776B2 (en) | Film forming apparatus and electronic device manufacturing method | |
KR102527121B1 (en) | Film forming apparatus, manufacturing apparatus of organic device, and manufacturing method of organic device | |
KR20200049314A (en) | Adsorption and alignment method, adsorption system, film forming method, film forming apparatus, and manufacturing method of electronic device | |
US20140284559A1 (en) | Method of manufacturing organic light-emitting display apparatus, deposition apparatus using the method, and organic light-emitting display apparatus manufactured by using the method | |
KR20140127101A (en) | Apparatus for clamping substrate | |
TWI462216B (en) | Organic material deposition system | |
KR102617764B1 (en) | Film forming apparatus, film forming method and manufacturing method of electronic device | |
KR100600879B1 (en) | Multi Chamber Thermal Evaporation Apparatus | |
JP6185498B2 (en) | Evaporation mask | |
KR20070006632A (en) | Transfer and deposition method for organic eelectroluminescent devices | |
JP2010121215A (en) | Deposition apparatus and deposition method | |
CN111118445A (en) | Alignment and film forming apparatus, alignment and film forming method, and method of manufacturing electronic device | |
KR20120037744A (en) | Substrate treatment system | |
JP5568683B2 (en) | Vapor deposition mask and vapor deposition method using the mask | |
WO2024116600A1 (en) | Film forming apparatus and film forming method | |
CN111128835A (en) | Adsorption and alignment method, adsorption system, film forming method and apparatus, and method for manufacturing electronic device | |
JP2013067867A (en) | Vessel | |
KR20140123313A (en) | Thin film deposition processing apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130628 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140701 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150701 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160629 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170704 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180702 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190701 Year of fee payment: 14 |