KR100600393B1 - 발광표시장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 발광 표시장치에 관한 것으로,제 1 발광소자와 제 2 발광소자, 데이터신호와 주사신호에 대응하여 구동 전류를 형성하여 제 1 노드로 전달하는 전류 생성부 및 제 1 전극은 상기 제 1 노드에 연결되고 제 2 전극은 상기 제 1 발광소자에 연결되며 게이트는 제 1 발광제어선에 연결되는 제 1 트랜지스터와, 제 1 전극은 상기 제 1 노드에 연결되고 제 2 전극은 상기 제 2 발광소자에 연결되며 게이트는 제 2 발광제어선에 연결되는 제 2 트랜지스터를 포함하며, 상기 제 1 발광제어선은 상기 제 1 노드와 상기 전류생성부를 연결하는 배선을 사이를 교차하는 화소를 제공하는 것이다.
따라서, 하나의 화소회로를 통해 복수의 발광소자가 발광하도록 하여 화상표시부에 화소회로가 차지하는 면적을 줄여 화상표시부의 개구율을 높이도록 하며, 화소회로로부터 각 발광소자로 연결되는 배선의 길이에 따라 배선에 형성되는 기생용량의 차이를 줄여 각 발광소자가 균일하게 발광하여 발광 표시장치에서 표현하는 화상의 품위를 더욱 높일 수 있도록 한다.
발광표시장치, 유기, EL, 개구율

Description

발광표시장치{LIGHT EMITTING DISPLAY}
도 1은 종래 기술에 의한 발광 표시장치에 채용된 화소를 나타내는 회로도이다.
도 2는 본 발명에 따른 발광 표시장치의 구조를 나타내는 구조도이다.
도 3은 본 발명에 따른 화상표시부의 일부를 나타내는 회로도이다.
도 4는 도 3에 도시된 화상표시부에 채용된 전류생성부의 제 1 실시예를 나타내는 회로도이다.
도 5는 도 4에 도시된 전류생성부가 채용된 제 1 화소의 동작을 나타내는 타이밍도이다.
도 6은 도 3에 도시된 화상표시부에 채용된 전류 생성부의 제 2 실시예를 나타내는 회로도이다.
도 7은 도 6에 도시된 전류생성부가 채용된 화소의 동작을 나타내는 타이밍도이다.
***도면의 주요부분에 대한 부호 설명***
100: 화상 표시부 110: 화소
200: 데이터 구동부 300: 주사 구동부
본 발명은 발광 표시장치에 관한 것으로, 더욱 상세히 설명하면, 하나의 화소회로를 이용하여 복수의 발광소자를 제어하며 각 발광소자 마다 화소회로와 연결되는 배선의 길이가 다르게 형성되며 배선에 의해 형성되는 기생용량 줄여 전류가 균일하게 흐르도록 하여 휘도차이를 줄일 수 있도록 하는 발광표시장치에 관한 것이다.
근래에 음극선관과 비교하여 무게와 부피가 작은 각종 평판 표시장치들이 개발되고 있으며 특히 발광효율, 휘도 및 시야각이 뛰어나며 응답속도가 빠른 발광 표시장치가 주목받고 있다.
발광소자(Organic Light Emitting Device:OLED)는 빛을 발산하는 박막인 발광층이 캐소드 전극과 애노드 전극 사이에 위치하는 구조를 갖고 발광층에 전자 및 정공을 주입하여 이들을 재결합시킴으로써 여기자가 생성되며 여기자가 낮은 에너지로 떨어지면서 발광하는 특성을 가지고 있다.
이러한 발광소자는 발광층이 무기물 또는 유기물로 구성되며, 발광층의 종류에 따라 무기 발광소자와 유기 발광소자로 구분한다.
도 1은 종래 기술에 의한 발광 표시장치에 채용된 화소를 나타내는 회로도이다. 도 1을 참조하여 설명하면, 화소는 발광소자(OLED), 제 1 트랜지스터(M1), 캐 패시터(Cst) 및 제 2 트랜지스터(M2)를 구비하는 화소회로를 포함한다. 그리고, 주사선(Sn), 데이타선(Dm) 및 전원선(Vdd)이 화소회로에 연결된다. 그리고, 주사선(Sn)은 행 방향으로 형성되고, 데이터선(Dm) 및 전원선(Vdd)은 열 방향으로 형성된다.
제 1 트랜지스터(M1)는 소스는 전원선(Vdd)에 연결되고, 드레인은 OLED에 연결되며, 게이트는 제 1 노드(A)에 연결된다. 그리고, 게이트에 입력되는 신호에 의해 발광소자(OLED)에 발광을 위한 전류를 공급한다. 제 1 트랜지스터(M1)의 소스에서 드레인으로 흐르는 전류량은 제 2 트랜지스터(M2)를 통해 제 1 노드(A)에 전달되는 데이터 신호에 의해 제어된다.
제 2 트랜지스터(M2)는 소스는 데이터선(Dm)에 연결되고 드레인은 제 1 노드(A)에 연결되며 게이트는 주사선(Sn)에 연결되어 주사신호에 의해 선택적으로 데이터신호를 제 1 노드(A)에 전달한다.
캐패시터(Cst)는 제 1 전극은 제 2 트랜지스터(M2)의 소스에 연결되고, 제 2 전극은 제 1 노드(A)에 연결되어, 데이터 신호에 의하여 인가된 소스과 게이트 사이의 전압을 일정 기간 유지한다.
이와 같은 구성으로 인하여, 제 1 트랜지스터(M1)의 게이트에 인가되는 주사 신호에 의하여 제 1 트랜지스터(M1)가 온 상태가 되면, 캐패시터(Cst)에 데이터 신호에 대응되는 전압이 충전되고, 캐패시터(Cst)에 충전된 전압이 제 2 트랜지스터(M2)의 게이트 전극에 인가되어 제 2 트랜지스터(M2)는 전류를 흐르게 하여 OLED가 발광하도록 한다.
이때, 제 2 트랜지스터(M2)에 의해 발광소자로 흐르는 전류는 다음의 수학식 1과 같다.
Figure 112004047045873-pat00001
여기서 IOLED 는 발광소자에 흐르는 전류, Vgs는 제 2 트랜지스터(M2)의 소스와 게이트 사이의 전압, Vth는 제 2 트랜지스터(M2)의 문턱전압, Vdd는 화소전원의 전압, Vdata는 데이터 신호 전압, β는 제 2 트랜지스터(M2)의 이득계수(Gain factor)를 나타낸다.
하지만 이러한 종래의 발광 표시장치는 각각의 발광소자마다 화소회로가 연결된다. 여기서, 화소에는 적어도 2개 이상의 트랜지스터들 및 캐피시터가 포함되기 때문에 각각의 화소에서 소정의 면적을 차지하고, 이에 따라 화소의 개구율이 감소되는 문제점이 발생된다.
따라서, 본 발명은 상기 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 창출된 것으로, 본 발명의 목적은, 하나의 화소회로를 통해 복수의 발광소자를 발광하도록 하여 화소회로가 발광표시장치에서 차지하는 면적을 줄이며, 화소회로에서 발광소자사이에 형성되는 각 기생용량의 차이를 줄여 휘도를 균일하게 하도록 하는 발광 표시장치를 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위한 기술적 수단으로서, 본 발명의 제 1 측면은, 제 1 발광소자와 제 2 발광소자, 데이터신호와 주사신호에 대응하여 구동 전류를 형성하여 제 1 노드로 전달하는 전류 생성부 및 제 1 전극은 상기 제 1 노드에 연결되고 제 2 전극은 상기 제 1 발광소자에 연결되며 게이트는 제 1 발광제어선에 연결되는 제 1 트랜지스터와, 제 1 전극은 상기 제 1 노드에 연결되고 제 2 전극은 상기 제 2 발광소자에 연결되며 게이트는 제 2 발광제어선에 연결되는 제 2 트랜지스터를 포함하며, 상기 제 1 발광제어선은 상기 제 1 노드와 상기 전류생성부를 연결하는 배선을 사이를 교차하는 화소를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 제 2 측면은, 복수의 화소, 상기 화소에 주사신호를 전달하는 복수의 주사선, 상기 화소에 데이터신호를 전달하는 복수의 데이터선 및 상기 화소에 발광제어신호를 전달하는 복수의 발광제어선을 포함하며, 상기 화소는 제 1 측면에 의한 화소인 발광 표시장치를 제공하는 것이다.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 2는 본 발명에 따른 발광 표시장치의 구조를 나타내는 구조도이다. 도 2를 참조하여 설명하면, 발광 표시장치는 화상 표시부(100), 데이터 구동부(200) 및 주사 구동부(300)를 포함한다.
화상표시부(100)는 발광소자가 연결되는 복수의 화소회로(110), 행방향으로 배열된 n 개의 주사선(S1,S2,...Sn-1,Sn), 행방향으로 배열된 n 개의 제 1 발광제 어선(E11,E22, ...E2n-1,E2n) 및 n 개의 제 2 발광제어선(E21,E22, ...E2n-1,E2n)과 열방향으로 배열된 m 개의 데이터선(D1, D2,....Dm-1, Dm) 및 화소전원을 공급하는 m 개의 화소전원선(Vdd)을 포함한다. 화소전원선(Vdd)은 제 1 전원선(130)에 연결되어 외부에서 전원을 인가받도록 한다.
그리고, 주사선(S1,S2,...Sn-1,Sn)과 주사신호에 의해 데이터선(D1, D2,....Dm-1, Dm)에서 전달되는 데이터 신호가 화소회로(110)에 전달되어 화소회로(110)에 포함되어 있는 트랜지스터(미도시)에 의해 데이터신호에 대응되는 구동전류를 생성되고, 제 1 발광제어선(E11,E22, ...E2n-1,E2n) 및 제 2 발광제어선(E21,E22, ...E2n-1,E2n)에 의해 전달되는 제 1 발광제어신호 및 제 2 발광제어신호에 의해 구동 전류가 발광소자에 전달되어 화상이 표현된다.
데이터 구동부(200)는 데이터선(D1, D2,....Dm-1, Dm)과 연결되어 화상표시부(100)에 데이터 신호를 전달한다.
주사 구동부(300)는 화상표시부(100)의 측면에 구성되며, 주사선(S1,S2,...Sn-1,Sn)에 연결되어 주사신호를 순차적으로 화상표시부(100)에 인가하여 화상표시부(100)의 행을 순차적으로 선택한다. 선택된 행에는 데이터 구동부(200)에 의해 데이터 신호가 인가되어 화소(110)가 데이터 신호에 응답하여 발광하도록 한다.
도 3은 본 발명에 따른 화상표시부의 일부를 나타내는 회로도이다. 도 3을 참조하여 설명하면, 화상표시부는 복수의 화소를 포함하며, 각 화소는 전류생성부 (115), 전류생성부(115)에서 생성한 전류를 선택적으로 전달받아 발광하는 제 1 발광소자(OLED1)와 제 2 발광소자(OLED2) 및 제 1 발광소자(OLED1)와 제 2 발광소자(OLED2) 중 하나의 발광소자를 선택하여 전류를 공급하도록 하는 제 1 트랜지스터(M1)과 제 2 트랜지스터(M2)를 포함하며, 인접한 세 개의 화소를 제 1 화소(111), 제 2 화소(112) 및 제 3 화소(113)라 한다.
제 1 화소(111)로는 적색을 표현하는 데이터신호가 입력되고, 제 2 화소(112)로는 녹색을 표현하는 데이터신호가 입력되며, 제 3 화소(113)로는 청색을 표현하는 데이터신호가 입력되며, 제 1 화소(111)는 제 1 발광소자(OLED1) 및 제 2 발광소자(OLED2)와 연결되고, 제 2 화소(112)는 제 3 발광소자(OLED3) 및 제 4 발광소자(OLED4)와 연결되며, 제 3 화소(113)는 제 5 발광소자(OLED5) 및 제 6 발광소자(OLED6)과 연결된다.
따라서, 제 1 발광소자(OLED1)와 제 2 발광소자(OLED2)는 적색, 제 3 발광소자(OLED3)와 제 4 발광소자(OLED4)는 녹색, 제 5 발광소자(OLED5)와 제 6 발광소자(OLED6)는 청색을 표현한다.
전류생성부(115)는 트랜지스터와 캐패시터를 통해 형성되고 주사신호, 데이터신호 및 화소전원을 공급받아 데이터신호에 대응되는 전류를 형성하여 제 1 노드(N)로 흐르도록 한다.
각 발광소자(OLED1 내지 OLED6)에는 제 1 트랜지스터(M1)와 제 2 트랜지스터(M2)가 각각 연결되어 제 1 트랜지스터(M1)와 제 2 트랜지스터(M2)의 스위칭 동작에 의해 전류생성부(115)에서 생성된 전류를 선택적으로 두 개의 발광소자 중 하나 의 발광소자에 흐르도록 한다.
제 1 트랜지스터(M1)와 제 2 트랜지스터(M2)는 게이트에 각각 제 1 발광제어선(En1)과 제 2 발광제어선(En2)이 연결되어 제 1 발광제어선(En1)과 제 2 발광제어선(En2)으로부터 전달된 제 1 발광신호(e1n)와 제 2 발광신호(e2n)를 통해 스위칭 동작을 수행한다.
또한, 제 1 발광 소자 내지 제 6 발광소자(OLED1 내지 OLED6)는 애노드 전극과 캐소드 전극을 구비하며 애노드 전극은 제 1 트랜지스터(M1) 또는 제 2 트랜지스터(M2)와 연결되고 캐소드 전극은 접지(Vss)와 연결된다.
이때, 제 1 화소(111)를 살펴보면 제 2 발광제어선(E2n)은 제 2 발광소자(OLED2)에 전류가 흐르도록 하는 배선(이하 제 2 배선)과 교차하지만, 제 1 발광제어선(E1n)은 제 1 트랜지스터(M1)에 연결된 후 전류 생성부(115)와 제 1 노드(N) 사이를 지나가도록 하여 제 1 발광제어선(E1n)은 제 1 발광소자(OLED1)에 전류가 흐르도록 하는 배선(이하 제 1 배선)과 교차하지 않도록 한다.
따라서, 제 1 발광제어선(E1n)과 제 2 배선 사이에 교차하는 영역을 없애 제 1 발광제어선(E1n)과 제 2 배선 사이에 기생용량성 부하가 발생하는 것을 방지한다. 그리고, 제 2 발광제어선(E2n)과 제 1 배선 사이에 교차하는 영역에 제 1 기생용량성부하(Cp1)가 형성되지만 제 2 트랜지스터(M2)의 아래쪽에 형성되어 전류발생부에서 생성되는 전류에 영향을 미치지 않게 된다. 그리고, 제 1 발광제어선(E1n)과 전류생성부(115)에서 제 1 노드(N) 사이를 지나는 영역에 제 2 기생용량성 부하(Cp2)가 발생하며, 제 2 기생용량성부하(Cp2)는 제 1 배선과 제 2 배선에 상관없이 전류생성부(115)에 영향을 끼치게 되므로 제 2 기생용량성부하(Cp2)는 제 1 발광소자(OLED1)와 제 2 발광소자(OLED2)의 휘도에 동일한 영향을 끼치게 되어 휘도의 불균일이 일어나는 것을 방지한다.
그리고, 제 2 화소(112) 및 제 3 화소(113)도 제 1 화소(111)와 동일하게 구현한다.
도 4는 도 3에 도시된 화상표시부에 채용된 전류생성부의 제 1 실시예를 나타내는 회로도이다. 도 4를 참조하여 설명하면, 전류생성부(115)는 제 3 트랜지스터(M3), 제 4 트랜지스터(M4) 및 캐패시터(Cst)를 포함한다. 제 3 트랜지스터 및 제 6 트랜지스터(M3 및 M4)는 소스, 드레인 및 게이트를 구비하며, 캐패시터(Cst)는 제 1 전극과 제 2 전극을 구비한다.
제 3 트랜지스터 및 제 4 트랜지스터(M3 및 M4)의 드레인과 소스는 물리적으로 차이가 없으며 소스 및 드레인 중 어느 하나를 제 1 전극 나머지 하나를 제 2 전극이라고 칭할 수 있다.
제 3 트랜지스터(M3)는 소스는 데이터선(Dm)에 연결되고 드레인은 제 1 노드(A)에 연결되며 게이트는 주사선(Sn)에 연결되어 주사선을 통해 전달되는 주사신호에 의해 데이터선을 통해 전달되는 데이터신호를 선택적으로 제 2 노드(A)에 전달한다.
제 2 트랜지스터(M2)는 소스는 화소의 전원선(Vdd)에 연결되고, 드레인은 제 2 노드(B)에 연결되며, 게이트 전극은 제 2 노드(A)에 연결된다. 그리고, 게이트에 입력되는 신호에 의해 발광소자에 발광을 위한 전류를 공급한다. 제 2 트랜지스터(M2)의 소스에서 드레인 사이에 흐르는 전류는 제 1 트랜지스터(M1)를 통해 인가되는 데이터 신호에 의해 제어된다.
캐패시터(Cst)는 제 1 전극은 화소 전원선(Vdd)의 소스에 연결되고, 제 2 전극은 제 1 노드(A)에 연결되어, 데이터 신호에 의하여 인가된 소스와 게이트 사이의 전압을 일정 기간 유지하며 제 2 트랜지스터(M2)의 게이트에 인가한다.
도 5를 도 4에 도시된 전류생성부가 채용된 제 1 화소의 동작을 나타내는 타이밍도이다. 도 5를 참조하여 설명하면, 제 1 화소는 주사신호(sn), 제 1 발광제어신호(e1n) 및 제 2 발광제어신호(e2n)에 의해 동작한다. 또한, 제 1 화소의 동작은 제 1 발광소자(OLED1)가 동작하는 제 1 구간(T1)과 제 2 발광소자(OLED2)가 발광하는 제 2 구간(T2)으로 구분된다.
제 1 구간(T1)에서 먼저, 주사신호(sn)는 하이 신호에서 로우신호로 전환되고, 제 1 발광제어신호(e1n)는 및 제 2 발광제어신호(e2n)는 하이신호를 유지하게 된다. 따라서, 제 4 트랜지스터(M4)의 게이트 전극에 인가되는 주사 신호(sn)에 의하여 제 4 트랜지스터(M4)가 온 상태가 되면, 캐패시터(Cst)에 데이터 신호에 대응되는 전압이 충전되고, 캐패시터(Cst)에 충전된 전압이 제 3 트랜지스터(M3)의 게이트 전극에 인가되어 제 3 트랜지스터(M3)는 전류를 흐르게 한다.
그리고, 제 1 발광제어신호(e1n)가 로우상태가 되고 제 2 발광제어신호(e2n)가 하이상태를 유지하면, 제 1 트랜지스터(M1)는 온상태가 되고 제 2 트랜지스터(M2)는 오프상태가 된다. 따라서, 전류는 제 1 발광소자(OLED1) 쪽으로 흐르게 되어 제 1 발광소자(OLED1)가 발광하게 되며, 제 1 발광소자(OLED1)에는 상기의 수학식 1에 해당하는 전류가 흐르게 된다.
그리고 난 후, 제 2 구간(T2)에서 주사신호(sn)가 다시 하이신호에서 로우신호로 전환되고, 제 1 발광제어신호(e1n)와 제 2 발광제어신호(e2n)는 하이 신호를 유지하게 된다. 따라서, 제 4 트랜지스터(M4)의 게이트 전극에 인가되는 주사 신호(sn)에 의하여 제 4 트랜지스터(M4)가 온 상태가 되어 캐패시터(Cst)에 데이터 신호에 대응되는 전압이 충전되고, 캐패시터(Cst)에 충전된 전압이 제 3 트랜지스터(M3)의 게이트 전극에 인가되어 제 3 트랜지스터(M3)의 소스와 드레인 간에 전류가 흐르게 된다.
그리고, 제 1 발광제어신호(e1n)가 하이신호가 되고 제 2 발광제어신호(e2n)가 로우신호가 되어 제 1 트랜지스터(M1)는 오프 상태가 되고 제 2 트랜지스터(M2)는 온상태가 되어 제 2 발광소자(OLED2)으로 수학식 1에 해당하는 전류가 흐르게 되어 제 2 발광소자(OLED2)가 발광하게 된다.
따라서, 제 1 화소(111)에 있는 제 1 발광소자(OLED1)와 제 2 발광소자(OLED2)가 순차적으로 발광하게 된다.
도 6은 도 3에 도시된 화상표시부에 채용된 전류 생성부의 제 2 실시예를 나타내는 회로도이다. 도 6을 참조하여 설명하면, 전류생성부(115)는 제 3 트랜지스터 내지 제 6 트랜지스터(M3 내지 M6), 제 1 캐패시터(Cst) 및 제 2 캐패시터(Cvth)를 포함한다. 제 3 트랜지스터 내지 제 6 트랜지스터(M3 내지 M6)는 소스, 드레인 및 게이트를 구비하며, 제 1 캐패시터(Cst) 및 제 2 캐패시터(Cvth)는 제 1 전극과 제 2 전극을 구비한다. 제 3 트랜지스터 내지 제 6 트랜지스터(M3 내지 M6)의 드레인과 소스는 물리적으로 차이가 없으며 소스, 드레인 및 게이트를 각각 제 1 내지 제 3 전극이라고 칭할 수 있다.
발광소자는 제 1 발광소자(OLED1)와 제 2 발광소자(OLED2)로 구성되고, 각 발광 소자(OLED1, OLED2)는 애노드 전극과 캐소드 전극을 구비하며 애노드 전극은 제 1 트랜지스터(M1) 또는 제 2 트랜지스터(M2)와 연결되고 캐소드 전극은 접지(Vss)과 연결된다.
제 3 트랜지스터(M3)는 소스는 화소의 전원선(Vdd)에 연결되고, 드레인은 제 2 노드(B)에 연결되며, 게이트는 제 2 노드(A)에 연결된다. 그리고, 게이트에 입력되는 신호에 의해 발광소자(OLED1,OLED2)에 발광을 위한 전류를 공급한다. 제 3 트랜지스터(M3)의 소스에서 드레인 사이에 흐르는 전류는 제 4 트랜지스터(M4)를 통해 인가되는 데이터 신호에 의해 제어된다.
제 4 트랜지스터(M4)는 소스는 데이터선(Dm)에 연결되고 드레인은 제 2 노드(A)에 연결되며 게이트는 제 1 주사선(Sn)에 연결되어 주사신호(sn)에 의해 선택적으로 데이터신호를 제 2 노드(A)에 전달한다.
제 5 트랜지스터(M5)는 소스는 제 3 노드(B)에 연결되고 드레인은 제 4 노드(C)에 연결되며 게이트는 제 2 주사선(Sn-1)에 연결되어 제 2 주사신호(sn-1)에 의해 스위칭하여 제 3 트랜지스터(M3)가 다이오드 연결되도록 한다.
제 6 트랜지스터(M6)는 소스는 화소전원선(Vdd)에 연결되고 드레인은 제 2 노드(A)에 연결되며 게이트는 제 2 주사선(Sn-1)에 연결되어 제 2 주사신호(sn-1)에 따라 화소전원을 제 2 노드(A)로 전달한다.
제 1 캐패시터(Cst)는 제 1 전극은 화소전원선(Vdd)에 연결되고 제 2 전극은 제 2 노드(A)에 연결되어, 데이터 신호에 대응된 전압을 저장한다.
제 2 캐패시터(Cvth)는 제 1 전극은 제 2 노드(A)에 연결되고 제 2 전극은 제 4 노드(C)에 연결되어 제 2 주사신호(sn-1)에 따라 제 3 트랜지스터(M3)의 문턱전압을 저장한다.
도 7은 도 6에 도시된 전류생성부가 채용된 화소의 동작을 나타내는 타이밍도이다. 도 7을 참조하여 설명하면, 제 1 화소는 제 1 주사신호(sn), 제 2 주사신호(sn-1), 제 1 발광제어신호(e1n) 및 제 2 발광제어신호(e2n)에 의해 동작한다. 또한, 제 1 화소의 동작은 제 1 발광소자(OLED1)가 동작하는 제 1 구간(T1)과 제 2 발광소자(OLED2)가 발광하는 제 2 구간(T2)으로 구분된다.
제 1 구간(T1)에서 먼저, 제 2 주사신호(sn-1)는 하이 신호에서 로우신호로 전환되고, 제 1 주사신호(sn), 제 1 발광제어신호(e1n)는 및 제 2 발광제어신호(e2n) 는 하이신호를 유지하게 되어 제 5 트랜지스터(M5)와 제 6 트랜지스터(M6)가 온상태가 된다. 이때, 제 5 트랜지스터(M5)캐패시터(Cst)에 데이터 신호에 대응되는 전압이 충전되고, 캐패시터(Cst)에 충전된 전압이 제 3 트랜지스터(M3)의 게이트 전극에 인가되어 제 3 트랜지스터(M3)는 전류를 흐르게 한다.
그리고, 제 1 발광제어신호(e1n)가 로우상태가 되고 제 2 발광제어신호(e2n)가 하이상태를 유지하면, 제 1 트랜지스터(M1)는 온상태가 되고 제 2 트랜지스터(M2)는 오프상태가 된다. 따라서, 전류는 제 1 발광소자(OLED1) 쪽으로 흐르게 되어 제 1 발광소자(OLED1)가 발광하게 되며, 제 1 발광소자(OLED1)에는 수학식 2에 해당하는 문턱전압이 보상된 전류가 흐르게 된다.
Figure 112004047045873-pat00002
여기서 IOLED는 발광소자에 흐르는 전류, Vgs는 제 3 트랜지스터(M3)의 게이트에 인가되는 전압, Vdd는 화소전원의 전압, Vth는 제 3 트랜지스터(M3)의 문턱전압, Vdata는 데이터신호의 전압을 나타낸다.
그리고 난 후, 제 2 구간(T2)에서 주사신호(sn)가 다시 하이신호에서 로우신호로 전환되고, 제 1 발광제어신호(e1n)와 제 2 발광제어신호(e2n)는 하이 신호를 유지하게 된다. 따라서, 제 4 트랜지스터(M4)의 게이트 전극에 인가되는 주사 신호에 의하여 제 4 트랜지스터(M4)가 온 상태가 되어 캐패시터(Cst)에 데이터 신호에 대응되는 전압이 충전되고, 캐패시터(Cst)에 충전된 전압이 제 3 트랜지스터(M3)의 게이트 전극에 인가되어 제 3 트랜지스터(M3)의 소스와 드레인 간에 전류가 흐르게 된다.
그리고, 제 1 발광제어신호(e1n)가 하이신호가 되고 제 2 발광제어신호(e2n)가 로우신호가 되어 제 1 트랜지스터(M1)는 오프 상태가 되고 제 2 트랜지스터(M2)는 온상태가 되어 제 2 발광소자(OLED2)으로 상기 수학식 2에 해당하는 전류가 흐르게 되어 제 2 발광소자(OLED2)가 발광하게 된다.
따라서, 제 1 화소에 있는 제 1 발광소자(OLED1)와 제 2 발광소자(OLED2)가 순차적으로 발광하게 된다.
본 발명의 바람직한 실시예가 특정 용어들을 사용하여 기술되어 왔지만, 그러한 기술은 단지 설명을 하기 위한 것이며, 다음의 청구범위의 기술적 사상 및 범위로부터 이탈되지 않고 여러 가지 변경 및 변화가 가해질 수 있는 것으로 이해되어져야 한다.
본 발명에 따른 발광 표시장치에 의하면, 하나의 화소회로를 통해 복수의 발광소자가 발광하도록 하여 발광표시장치에서 화소회로가 차지하는 면적을 줄여 발광 표시장치의 개구율을 높이도록 하며, 화소회로에서 발광소자사이에 형성되는 각 기생용량의 차이를 줄여 휘도를 균일하여 발광 표시장치에서 표현하는 화상의 품위를 더욱 높일 수 있도록 한다.

Claims (6)

  1. 제 1 발광소자와 제 2 발광소자;
    데이터신호와 주사신호에 대응하여 구동 전류를 형성하여 제 1 노드로 전달하는 전류 생성부; 및
    제 1 전극은 상기 제 1 노드에 연결되고 제 2 전극은 상기 제 1 발광소자에 연결되며 게이트는 제 1 발광제어선에 연결되는 제 1 트랜지스터와, 제 1 전극은 상기 제 1 노드에 연결되고 제 2 전극은 상기 제 2 발광소자에 연결되며 게이트는 제 2 발광제어선에 연결되는 제 2 트랜지스터를 포함하며,
    상기 제 1 발광제어선은 상기 제 1 노드와 상기 전류생성부를 연결하는 배선을 사이를 교차하는 화소.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 전류생성부는
    상기 데이터신호에 대응되는 전압을 저장하는 캐패시터; 및
    상기 캐패시터에 저장된 전압에 대응하여 전류를 흐르게 하는 제 3 트랜지스터; 및
    상기 데이터 신호를 상기 캐패시터에 선택적으로 전달하는 제 4 트랜지스터를 포함하는 화소.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 전류생성부는
    게이트에 인가되는 전압에 따라 전류를 흐르게 하는 제 3 트랜지스터;
    데이터신호를 선택적으로 전달하는 제 4 트랜지스터;
    상기 제 3 트랜지스터가 선택적으로 다이오드 연결이 되도록 하는 제 5 트랜지스터;
    상기 전달된 데이터신호와 제 1 전원에 대응하는 전압을 저장하여 상기 제 3 트랜지스터의 게이트에 전달하는 제 1 캐패시터; 및
    상기 전달된 제 1 전원을 전달받아 상기 제 3 트랜지스터의 문턱전압에 대응하는 전압을 저장하는 제 2 캐패시터; 및
    제 1 전원을 상기 제 2 캐패시터에 선택적으로 전달하는 제 6 트랜지스터를 포함하는 화소.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 발광소자는 유기 발광소자인 화소.
  5. 복수의 화소;
    상기 화소에 주사신호를 전달하는 복수의 주사선;
    상기 화소에 데이터신호를 전달하는 복수의 데이터선; 및
    상기 화소에 발광제어신호를 전달하는 복수의 발광제어선을 포함하며,
    상기 화소는 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 의한 화소인 발광 표시장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 주사선과 상기 발광제어선에 주사신호와 발광제어신호를 전달하는 주사 구동부와 상기 화소에 데이터신호를 전달하는 데이터 구동부를 추가적으로 구비하는 발광 표시장치.
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