KR100596612B1 - 반도체 집적 회로 장치 및 전자 회로 - Google Patents

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    • G05F1/10—Regulating voltage or current
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    • G05F1/577—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices for plural loads

Abstract

조절기를 내장하는 반도체 집적 회로 장치에 있어서, 그 내장된 조절기의 출력 전압을, 외부의 다른 회로를 구동하기 위한 전원으로서 이용하는 것.
제1 반도체 집적 회로 장치(4)는, 조절기(5)를 내장하고, 또한 그 내부 조절기(5)의 출력 전압을 외부로 출력하기 위한 외부 전원 단자(44)를 구비한다. 제1 반도체 집적 회로 장치(4)와 함께 시스템 기판(3)에 실장된 제2 반도체 집적 회로 장치(32)는, 제1 반도체 집적 회로 장치(4)의 외부 전원 단자(44)로부터 출력되는 전원 전압에 의해 구동된다.
강압, 승압, 조절기, 전원, 반도체 집적 회로

Description

반도체 집적 회로 장치 및 전자 회로{SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND ELECTRONIC CIRCUIT}
도 1은 본 발명에 따른 반도체 집적 회로 장치 및 전자 회로의 일례의 개략 구성을 나타내는 블록도.
도 2는 본 발명에 따른 반도체 집적 회로 장치에 내장된 조절기의 실시예를 나타내는 개략도.
도 3은 본 발명에 따른 반도체 집적 회로 장치의 출력 특성의 일례를 나타낸 도표.
도 4는 복수의 전원 전압으로 동작하는 종래의 전자 회로의 개략 구성을 나타내는 블럭도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
3 : 시스템 기판
4 : 제1 반도체 집적 회로 장치(IC1)
5 : 내부 조절기
31 : 조절기
32 : 제2 반도체 집적 회로 장치(IC2)
33, 45 : 신호선
41 : 제1 내부 회로(내부 회로 : 1)
42 : 제2 내부 회로(내부 회로 : 2)
44 : 외부 전원 단자(출력 단자)
본 발명은, 반도체 집적 회로 장치 및 반도체 집적 회로 장치를 구비한 전자회로에 관한 것이다. 일반적으로, 휴대 단말등의 여러 시스템에 이용되는 반도체 집적 회로 장치(IC)에는, 예를 들면 5V, 3V, 2.5V 또는 1.8V 등 여러 다른 전압으로 동작하는 경우가 있다.
이들 동작 전압이 다른 반도체 집적 회로 장치를 동일한 기판 상에 실장하여 하나의 시스템을 구성하는 경우에는, 기판 상에 적어도 하나의 조절기를 설치하고, 그 조절기에 의해, 기판에 공급된 전원 전압을 강압 또는 승압하여, 원하는 전원 전압을 얻고, 그 전원 전압을 반도체 집적 회로 장치로 공급하도록 하고 있다.
시스템 LSI나 마이크로 컴퓨터와 같은 고기능의 반도체 집적 회로 장치에 있어서는, 트랜지스터의 내압 제한이나, 소비 전력의 억제나, 동작 속도의 확보 등의 관점으로부터, 반도체 집적 회로 장치의 일부의 회로를, 외부로부터 공급된 전원 전압 Vdd1과 다른 전압 Vdd2로 동작시키는 경우가 있다.
도 4는, 복수의 전원 전압으로 동작하는 종래의 전자 회로의 개략 구성을 나타내는 블록도이다. 즉, 도 4에는, 상기된 바와 같은 다른 전원 전압으로 동작하 는 내부 회로를 구비한 반도체 집적 회로 장치가 실장되고, 또한 복수의 전원 전압으로 동작하는 종래의 전자 회로의 개략 구성이 도시되어 있다.
도 4에 있어서, 이 전자 회로는, 외부로부터 12V의 전원 전압이 공급된 프린트 회로 기판으로 이루어지는 시스템 기판(1)에, 예를 들면 12V의 전원 전압 Vdd를 5V로 강압하는 제1 조절기(11)와, 12V의 전원 전압 Vdd를 3V로 강압하는 제2 조절기(12)와, 5V의 전원 전압 Vdd1이 공급되는 제1 반도체 집적 회로 장치(IC1 : 2)와, 3V의 전원 전압 Vdd2가 공급되는 제2 반도체 집적 회로 장치(IC2 : 13)가 실장된 구성으로 되어 있다.
제1 반도체 집적 회로 장치(2)는, 5V의 전원 전압 Vdd1로 동작하는 제1 내부 회로(내부 회로 ; 1) (21), 3V의 전원 전압 Vdd2로 동작하는 제2 내부 회로(내부 회로 : 2)(22), 및 5V를 3V로 강압하는 내부 조절기(23)를 내장하고 있다. 그리고, 제2 내부 회로(22)는, 내부 조절기(23)에 의해 3V의 전원 전압을 공급하는 구성으로 되어 있다.
그러나, 제1 반도체 집적 회로 장치(2)의 내부 조절기(23)는, 내부 회로(22)에 전원 전압 Vdd2를 공급하기 위한 것만으로 설계된 전용의 조절기이다. 따라서, 제1 반도체 집적 회로 장치(2)의 제2 내부 회로(22)와, 제2 반도체 집적 회로 장치(13)가, 동일 3V의 전원 전압 Vdd2로 동작하는 경우라도, 각각에 대해 3V의 전원 전압 Vdd2를 발생시키는 조절기(23, 12)를 설치할 필요가 있었다.
또한, 반도체 집적 회로 장치(2)가, 조절기(23)를 내장하는 것, 및 다른 전 원 전압 Vdd1과 Vdd2로 동작하는 내부 회로(21, 22)로 구성되어 있는 것은, 일반적으로는 알려져 있지 않다. 따라서, 시스템의 설계자는, 이들 제1 및 제2 반도체 집적 회로 장치(2, 13)를 이용한 시스템을 설계하는 경우, 시스템 기판(1) 상에, 제2 반도체 집적 회로 장치(13)용의 조절기(12)를 실장하는 설계를 행하고 있었다.
통상, 시스템 기판(1) 상에 실장되는 조절기(11, 12)로서, 높은 주파수(수+㎑)로 전력을 스위칭함으로써 원하는 출력 전압을 얻는 스위칭·조절기가 사용된다. 스위칭·조절기는, 회로 구성이 복잡하고, 또한 고주파 트랜스포머, 즉 코일을 구비하기 때문에, 시스템 기판(1)이 대형화되고, 휴대 전화나 휴대 단말등의 휴대 기기에 있어서, 보다 한층 소형, 경량화의 방해가 된다는 문제점이 있었다.
본 발명은, 상기 문제점에 감안하여 이루어진 것으로, 조절기를 내장하는 반도체 집적 회로 장치에 있어서, 그 내장된 조절기의 출력 전압을, 외부의 다른 회로를 구동하기 위한 전원으로서 이용할 수 있는 반도체 집적 회로 장치 및 상기 반도체 집적 회로를 구비한 전자 회로를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명은, 반도체 집적 회로 장치에, 외부로 전원 전압을 출력하기 위한 출력 단자(외부 전원 단자 : 44)를 설치하고, 그 출력 단자를 통해, 반도체 집적 회로 장치에 내장된 조절기(내부 조절기 : 5)의 출력 전압을 외부의 회로로 공급할 수 있도록 한 것이다. 본 발명에서, 상기 조절기는, 시리즈·조절기로 구성되어 있어도 좋다.
본 발명에 따르면, 조절기를 내장하는 반도체 집적 회로 장치에 있어서, 그 내장된 조절기(내부 조절기 : 5)의 출력 전압을, 외부의 다른 회로를 구동하기 위 한 전원으로서 이용할 수 있다.
또한, 본 발명은, 제1 반도체 집적 회로 장치(4)에 내장된 조절기(내부 조절기 : 5)의 출력 전압을, 제1 반도체 집적 회로 장치(4)의 외부로 출력시키고, 그 출력 전압에 의해 제2 반도체 집적 회로 장치(32)를 구동하도록 한 것이다. 본 발명에 있어서, 상기 조절기는, 시리즈·조절기로 구성되어 있어도 좋다.
본 발명에 따르면, 제2 반도체 집적 회로 장치(32)가, 제1 반도체 집적 회로 장치(4)로부터 공급되는 전원 전압에 의해 구동되므로, 제2 반도체 집적 회로 장치(32)에 전원 전압을 공급하기 때문에 시스템 기판 상에 실장하는 조절기가 불필요해진다.
이하에, 본 발명의 실시의 형태에 따른 반도체 집적 회로 장치 및 전자 회로에 대해, 도 1∼도 3을 참조하면서 상세히 설명한다.
도 1은, 본 발명에 따른 반도체 집적 회로 장치 및 전자 회로의 일례의 개략 구성을 나타내는 블록도이다. 도 1에서의 전자 회로는, 외부로부터, 예를 들면 12V의 전원 전압이 공급된 프린트 회로 기판으로 이루어지는 시스템 기판(3)에, 예를 들면 12V의 전원 전압 Vdd를 5V로 강압하는 조절기(31)와, 예를 들면 5V의 전원 전압 Vdd1이 공급되는 제1 반도체 집적 회로 장치(IC1 : 4)와, 예를 들면 3V의 전원 전압 Vdd2가 공급되는 제2 반도체 집적 회로 장치(IC2 : 32)가 실장된 구성으로 되어 있다.
제1 반도체 집적 회로 장치(4)는, 예를 들면 5V의 전원 전압 Vdd1로 동작하 는 제1 내부 회로(내부 회로 : 1)(41)와, 예를 들면 3V의 전원 전압 Vdd2로 동작하는 제2 내부 회로(내부 회로 : 2)(42)와, 예를 들면 5V를 3V로 강압하는 내부 조절기(5)를 내장하고 있음과 함께, 내부 조절기(5)의 출력 전압, 즉 3V의 전압을 외부로 전원 전압으로서 출력하기 위한 외부 전원 단자(44)를 구비하고 있다. 제2 내부 회로(42)는, 내부 조절기(5)에 의해 공급되는 3V의 전원 전압 Vdd2에 의해 구동된다.
외부 전원 단자(44)는, 내부 조절기(5)의 출력 단자(52)(후술된 도 2를 참조)에, 신호선(45)에 의해 전기적으로 접속되어 있다. 이 신호선(45)은, 제1 반도체 집적 회로 장치(4)를 구성하는 트랜지스터 등의 배선(도시하지 않음)과 함께, 디바이스 프로세스시에 제작된다.
즉, 주지된 기술에 의해 반도체 기판 상에 트랜지스터 등을 제작한 후, 그 위에 금속 배선층을 적층하고, 또한 그 위에 레지스트막을 적층한 후, 트랜지스터 등의 배선 및 신호선(45)의 배선 패턴을 구비한 마스크를 이용하여, 노광, 현상을 행하여 레지스트 마스크를 얻는다. 그리고, 에칭에 의해 배선층의 주요하지 않은 부분을 제거한 후, 잔류하는 레지스트를 제거하여, 신호선(45)을 얻는다. 신호선(45)은, 예를 들면 3V의 전원 전압 Vdd2에 견딜 수 있을 정도의 선폭을 갖도록 제작된다.
외부 전원 단자(44)와 제2 반도체 집적 회로 장치(32)의 전원 단자(도시하지 않음)는, 시스템 기판(3)에 인쇄된 신호선(33)에 의해 전기적으로 접속된다. 이 신호선(33)은, 시스템 기판(3) 외의 신호선과 함께 인쇄 기술에 의해 제작되고, 예 를 들면 3V의 전원 전압 Vdd2에 견딜 수 있을 정도의 선폭을 갖도록 제작된다. 또, 이 신호선(33) 또는 제1 반도체 집적 회로 장치(4)의 외부 전원 단자(44)에, 노이즈 제거용의 컨덴서 등이 접속되어 있어도 좋다.
도 2는, 내부 조절기(5)의 실시예를 나타내는 개략도이다. 본 실시의 형태에서는, 내부 조절기(5)는, 예를 들면 시리즈·조절기로 구성되어 있고, 도 2에 도시된 바와 같이, 입력 단자(51), 출력 단자(52), 제어 저항이 되는 P 채널의 전계 효과 트랜지스터(53), 저항성의 부하(54), 및 연산 증폭기(55)를 갖는다. 전계 효과 트랜지스터(53)의 소스 단자 및 드레인 단자는, 각각 입력 단자(51) 및 출력 단자(52)에 접속되어 있다.
전계 효과 트랜지스터(53)의 게이트 단자에는, 연산 증폭기(55)의 출력 전압이 인가된다. 연산 증폭기(55)의 출력 전압에 의해 전계 효과 트랜지스터(53)의 저항이 제어되고, 이곳을 흐르는 전류 I가 제어된다. 그 전류 I의 제어에 의해, 전계 효과 트랜지스터(53)의 소비 전력이 제어되고, 내부 조절기(5)의 출력 단자(52)로부터 3V의 전압이 출력된다.
연산 증폭기(55)의 반전 입력 단자에는, 예를 들면 정전압원(6)에 의해 1.2V의 기준 전압이 인가된다. 연산 증폭기(55)의 비반전 입력 단자에는, 부하(54)를 흐르는 전류에 의해 생기는 전압이 인가된다. 이 부하(54)는, 이곳을 정확하게 흐르는 전류에 의해 생기는 전압이, 출력 단자(52)의 전압이 3V일 때 예를 들면 1.2V가 되도록 분배된다. 즉, 분배된 부하(54)의 플러스 전원측의 저항치를 R1, 접지측 의 저항치를 R2로 하면, R1과 R2는 다음 식을 만족하는 관계가 된다.
R2/(R1+R2)×3V=1.2V
도 3은, 본 발명에 따른 반도체 집적 회로 장치의 출력 특성의 일례를 나타낸 도표이다. 즉, 도 3에는, 이 내부 조절기(5)의 출력 특성, 즉 제1 반도체 집적 회로 장치(4)로부터 외부로 출력되는 전원 전압의 특성의 일례가 나타내어 있다. 그 특성은, 예를 들면 출력 전압 Vout가 2.9V∼3.1V이고, 출력 구동 전류 Iout의 최대치가 100㎃이다. 본 실시의 형태에서는, 제1 반도체 집적 회로 장치(4)에는, 이러한 사양을 기재한 표등이 첨부된다.
그 사양표는, 이 제1 반도체 집적 회로 장치(4)를 이용하여 휴대 전화나 PDA(퍼스널·디지털·어시스턴트)라고 하는 휴대형의 전자 계산기등의 시스템을 설계하는 경우에, 그 설계자에 의해 참조된다.
조절기(31)는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 스위칭·조절기로 구성되어 있고, 스위칭·트랜지스터, 그 트랜지스터의 온/오프의 시간의 비율(듀티비)을 제어하기 위한 펄스폭 제어 회로, 및 고주파 트랜스포머등으로 구성된다.
상기 실시의 형태에 따르면, 제1 반도체 집적 회로 장치(4)는, 조절기(5)를 내장하고, 또한 그 내부 조절기(5)의 출력 전압을 외부로 출력하기 위한 외부 전원 단자(44)를 구비하기 때문에, 내부 조절기(5)에 출력 전압을, 외부의 다른 회로를 구동하기 위한 전원 전압으로서 공급할 수 있다.
따라서, 제1 반도체 집적 회로 장치(4)로부터 공급되는 전원 전압에 의해, 동일한 시스템 기판(3) 상의 제2 반도체 집적 회로 장치(32)를 구동시킬 수 있으므로, 제2 반도체 집적 회로 장치(32)에 전원 전압을 공급하기 위한 전용의 조절기를 시스템 기판(3)에 실장할 필요가 없어지고, 시스템 기판(3)을 작게 할 수 있다. 이에 따라, 이 시스템 기판(3)을 이용한, 예를 들면 휴대 기기를 소형, 경량화할 수 있다.
또, 상기 실시의 형태에서는, 제1 반도체 집적 회로 장치(4)는 3V의 전원 전압을 외부로 출력한다고 했지만, 이것에 한하지 않고, 복수의 전원 전압, 예를 들면 5V, 3V, 2.5V 및 1.8V 등을 외부로 출력하도록 구성되어 있어도 좋다. 그 경우에는, 각각의 전원 전압에 대응하여 외부 전원 단자를 설치한다.
또한, 상기 실시의 형태에서는, 내부 조절기(5)는 입력 전압을 강압하여 출력한다고 했지만, 이것에 한하지 않고, 승압하여 출력하는 구성으로 되어도 좋다.
또한, 상기 실시의 형태에서는, 내부 조절기(5)는 시리즈·조절기로 구성되어 있지만, 이것에 한하지 않고, 안정된 직류 전압을 발생하는 회로이면, 다른 구성의 회로라도 좋다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 조절기를 내장하고, 또한 그 내장된 조절기의 출력 전압을, 외부의 다른 회로를 구동하기 위한 전원 전압으로서 외부로 출력하는 반도체 집적 회로 장치를 얻을 수 있다. 따라서, 이 반도체 집적 회로 장치로부터 공급되는 전원 전압에 의해, 동일 시스템 기판 상의 다른 반도체 집적 회로 장치를 구동시킬 수 있으므로, 그 다른 반도체 집적 회로 장치에 전원 전압을 공급하기 위한 전용의 조절기가 불필요해지고, 이에 따라, 시스템 기판을 작게 할 수 있다.

Claims (10)

  1. 복수의 반도체 집적 회로 장치를 포함하는 전자 회로에 있어서,
    제1 반도체 집적 회로 장치; 및
    제2 반도체 집적 회로 장치
    를 포함하며,
    상기 제1 반도체 집적 회로 장치는,
    내부 전원 전압으로 동작되는 내부 회로,
    상기 내부 회로의 동작을 위한 상기 내부 전원 전압을 얻기 위하여, 입력 전압이 상기 제1 반도체 집적 회로 장치의 외부로부터 오는 경우에, 상기 입력 전압이 상기 내부 전원 전압보다 낮을 때 상기 입력 전압을 승압하고 상기 입력 전압이 상기 내부 전원 전압보다 높을 때 상기 입력 전압을 강압하는 조절기, 및
    상기 내부 전원 전압을 상기 제1 반도체 집적 회로 장치의 외부로 출력하는 전원 출력 단자를 구비하고,
    상기 제2 반도체 집적 회로 장치는, 상기 내부 전원 전압이 상기 제1 반도체 집적 회로 장치 및 상기 제2 반도체 집적 회로 장치에 의해 공유되도록, 상기 제1 반도체 집적 회로 장치의 상기 전원 출력 단자를 통해 상기 내부 전원 전압에 의해 동작되는 전자 회로.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 반도체 집적 회로 장치들의 각각은 복수의 내부 회로를 더 구비하고,
    적어도 하나의 상기 내부 회로는 상기 입력 전압으로 동작하고 적어도 하나의 상기 내부 회로는 상기 조절기에 의해 출력되는 전압으로 동작되는 전자 회로.
  3. 복수의 반도체 집적 회로 장치를 포함하는 시스템 보드에 있어서,
    제1 반도체 집적 회로 장치; 및
    제2 반도체 집적 회로 장치
    를 포함하며,
    상기 제1 반도체 집적 회로 장치는,
    내부 전원 전압으로 동작되는 내부 회로,
    상기 내부 회로의 동작을 위한 상기 내부 전원 전압을 얻기 위하여, 입력 전압이 상기 제1 반도체 집적 회로 장치의 외부로부터 오는 경우에, 상기 입력 전압이 상기 내부 전원 전압보다 낮을 때 상기 입력 전압을 승압하고 상기 입력 전압이 상기 내부 전원 전압보다 높을 때 상기 입력 전압을 강압하는 조절기, 및
    상기 내부 전원 전압을 상기 제1 반도체 집적 회로 장치의 외부로 출력하는 전원 출력 단자를 구비하고,
    상기 제2 반도체 집적 회로 장치는, 상기 내부 전원 전압이 상기 제1 반도체 집적 회로 장치 및 상기 제2 반도체 집적 회로 장치에 의해 공유되도록, 상기 제1 반도체 집적 회로 장치의 상기 전원 출력 단자를 통해 상기 내부 전원 전압에 의해 동작되는 시스템 보드.
  4. 제3항에 있어서, 상기 반도체 집적 회로 장치들의 각각은 복수의 내부 회로를 더 구비하고, 적어도 하나의 상기 내부 회로는 상기 제1 반도체 집적 회로 장치의 외부의 조절기로부터의 입력 전압으로 동작하고 적어도 하나의 상기 내부 회로는 상기 조절기에 의해 출력되는 전압으로 동작되는 시스템 보드.
  5. 전자 회로에 있어서,
    서로 다른 공급 전압에 의해 각각 동작되는 2개의 반도체 집적 회로 장치들을 포함하며,
    상기 반도체 집적 회로 장치들 중 하나는, 출력 전압을 얻기 위하여, 입력 전압이 내부 전원 전압보다 낮을 때 상기 입력 전압을 승압하고 상기 입력 전압이 상기 내부 전원 전압보다 높을 때 상기 입력 전압을 강압하는 조절기, 및 상기 출력 전압을 외부로 출력하는 전원 출력 단자를 구비하고;
    상기 반도체 집적 회로 장치들 중 다른 하나는, 조절기 또는 전원 출력 단자를 구비하지 않으며;
    조절기 및 전원 출력 단자를 구비하지 않는 상기 반도체 집적 회로 장치는, 조절기 및 전원 출력 단자를 구비하는 상기 반도체 집적 회로 장치의 전원 출력 단자에 접속되고, 조절기 및 전원 출력 단자를 구비하는 상기 반도체 집적 회로 장치로부터 출력되는 전압으로 구동되는 전자 회로.
  6. 반도체 집적 회로 장치에 있어서,
    제2 전원 전압을 얻기 위하여, 제1 전원이 상기 반도체 집적 회로 장치의 외부로부터 오는 경우에, 상기 제1 전원이 내부 전원 전압보다 낮을 때 상기 제1 전원 전압을 승압하고 상기 제1 전원이 상기 내부 전원 전압보다 높을 때 상기 제1 전원 전압을 강압하는 조절기;
    상기 제1 전원 전압으로 동작되는 제1 내부 회로;
    상기 제2 전원 전압으로 동작되는 제2 내부 회로; 및
    상기 제2 전원 전압을 상기 반도체 집적 회로 장치의 외부로 출력하여 상기 제2 전원 전압이 다른 반도체 집적 회로 장치에 의한 전원으로 이용되도록 하는 전원 출력 단자
    를 포함하는 반도체 집적 회로 장치.
  7. 복수의 반도체 집적 회로 장치에 전원을 공급하는 방법에 있어서,
    제2 전원 전압을 얻기 위하여, 제1 전원 전압이 내부 전원 전압보다 낮을 때 제1 반도체 집적 회로 장치의 외부의 제1 전원 전압을 승압하고 상기 제1 전원 전압이 상기 내부 전원 전압보다 높을 때 상기 제1 전원 전압을 강압하는 단계;
    상기 제1 전원 전압으로 상기 복수의 반도체 집적 회로 장치 중 하나의 내부의 제1 회로를 동작하는 단계;
    상기 제2 전원 전압으로 상기 복수의 반도체 집적 회로 장치 중 하나의 내부의 제2 회로를 동작하는 단계; 및
    상기 복수의 반도체 집적 회로 장치 중 하나의 외부로 상기 제2 전원 전압을 출력하여 또다른 반도체 집적 회로 장치에 공급하는 단계
    를 포함하는 전원 공급 방법.
  8. 복수의 반도체 집적 회로 장치에 전원을 공급하는 방법에 있어서,
    제2 전원 전압을 얻기 위하여, 제1 전원 전압이 내부 전원 전압보다 낮을 때 제1 전원 전압을 승압하고 상기 제1 전원 전압이 상기 내부 전원 전압보다 높을 때 상기 제1 전원 전압을 강압하는 조절기를 통하여 제1 반도체 집적 회로 장치의 외부로부터 상기 제1 전원 전압을 수신하는 단계; 및
    상기 제2 전원 전압을 출력하여 제2 반도체 집적 회로 장치에 공급하는 단계
    를 포함하는 전원 공급 방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 제1 반도체 집적 회로 장치 및 제2 반도체 집적 회로 장치는 복수의 내부 회로를 포함하는 전원 공급 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제1 전원 전압은 상기 제1 반도체 집적 회로 장치의 적어도 하나의 내부 회로에 공급되고;
    상기 제2 전원 전압은 제1 반도체 집적 회로 장치의 또다른 내부 회로 및 상기 제2 반도체 집적 회로 장치에 공급되는 전원 공급 방법.
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