KR100590822B1 - 이온교환물질을 이용한 침출수방지구조 제조방법 - Google Patents

이온교환물질을 이용한 침출수방지구조 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 이온교환물질을 이용한 침출수방지구조 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 이온교환물질을 이용하여 흙입자 사이에 고착된 흡착수(70)를 제거함으로써 토질이 안정되는 침출수방지구조 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
이를 위해 본 발명은 미세한 흙입자의 표면에 고착해 있는 흡착수를 이온교환반응에 의해 제거할 수 있도록 이온교환물질이 함유된 침출수방지층을 포함하는 침출수방지구조를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이온교환물질, 흡착수, 제거, 침출수방지

Description

이온교환물질을 이용한 침출수방지구조 제조방법{MAKING METHOD OF WASTE WATER PROTECTION STRUCTURE USING ION EXCHANGE MATERIAL}
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 침출수방지구조의 정단면도.
도 2는 도 1의 침출수방지구조에서 굴착 노상에 이온교환물질이 포함된 용액을 침투시킨 상태도.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 침출수방지구조의 제조방법 순서도.
도 4는 흡착수가 제거된 토양을 다짐하는 상태를 도시한 상태도.
도 5는 본 발명에 따라 이온교환물질로 처리된 처리토와 통상의 흙인 무처리토의 다짐실험비교도.
도 6은 본 발명에 따라 이온교환물질로 처리된 처리토와 통상의 흙인 무처리토의 압밀실험비교도.
도 7은 본 발명에 따라 이온교환물질로 처리된 처리토와 통상의 흙인 무처리토의 흡수팽창실험비교도.
도 8은 본 발명에 따라 이온교환물질로 처리된 처리토와 통상의 흙인 무처리토의 동결융해반복실험비교도.
도 9는 종래의 흡착수가 포함된 토양을 다짐하는 상태를 도시한 상태도.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
10: 노체 20: 침출수방지층
30: 스크레칭 40: 차수막
50: 주입부 60:흙입자
70: 흡착수 80: 자유수
본 발명은 이온교환물질을 이용한 침출수방지구조 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 이온교환물질을 이용하여 흙입자 사이에 고착된 흡착수를 제거함으로써 토질이 안정되는 침출수방지구조 및 이의 제조방법을 제공하는 것이다.
일반적으로 폐기물 처리에는 여러 가지 방법이 있으나, 소각하기 어려운 폐기물은 주로 매립을 하고 있다. 이러한 폐기물 매립에 있어서 매립장 건설 시에 가장 주의해야 할 사항 중 하나는 매립된 폐기물로부터 발생되는 침출수로 인하여 주변 토양이 오염되는 것을 방지하는 것이다.
이를 위해 종래에는 폐기물 매립장을 조성함에 있어서 하부층에 점토나 벤토나이트로 다짐하는 폴리에틸렌 시트라이닝 공법으로 차수층을 형성하고 그 위에 고밀도 폴리에틸렌(HDPE) 차수막을 포설하였다. 그러나 이 공법에서 하부층은 고결력이 없는 점토류를 포설하기 때문에 쓰레기 매립장 조성지의 지형, 토질 및 자연환경 등에 따른 제약이 있었다. 또한 상기 차수막과의 접합 부분이 파손 되거나 시공 중이나 시공후 시공장비 등에 의해 차수막 자체가 훼손되기도 하여 차후 매립쓰레기에서 발생되는 침출수가 토지로 스며들어 차수 역할을 하지 못하는 문제가 있었다.
이에 대한 대안으로 폴리에틸렌 시트 등 별도의 차수재를 포설하지 않고 차수층으로서 매립장 주변 토양을 고토화 처리함으로써 일정 수준의 기계적 강도를 갖는 불투수층을 형성시켰다.
그러나 상기 방법은 단순히 토양(모토)에 고화재만 혼합하여 시공하기 때문에 미세한 흙입자의 표면에 고착해 있는 흡착수를 제거하지 못하였다.
도 9는 종래의 흡착수가 포함된 토양을 다짐하는 상태를 도시한 상태도이다. 도 9에 도시된 바와 같이, 종래의 흙입자(60)간 흡착수(70)가 포함된 토양을 다지는 경우에는 다짐 후 울렁거림(스폰지현상)이 발생하여 토질이 불안정하며, 다짐공정 중 압밀 효과가 적어서 표층부위가 건조된 후 균열(크랙)이 발생하였다. 이에 우수에 의한 흡수팽창 문제가 발생하고 투수계수가 상승되어 동결융해에 의해 지반이 약화되었다.
본 발명은 상기한 바와 같은 문제점에 착안하여 제안된 것으로, 본 발명의 목적은 이온교환물질을 이용하여 흙입자 사이에 고착된 흡착수(70)를 제거함으로써 토질이 안정되는 침출수방지구조 및 이의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 차수를 강화시키도록 차수막이 더 형성되는 침출수방지구조 및 이의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 투수계수가 매우 작고 표면 균열이 발생하지 않아 침출수가 모토로 거의 유출되지 않는 침출수방지구조 및 이의 제조방법을 제공하는 것이다.
상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 침출수방지구조 는 미세한 흙입자(60)의 표면에 고착해 있는 흡착수를 이온교환반응에 의해 제거할 수 있도록 이온교환물질이 함유된 침출수방지층이 포함될 수 있다. 상기 이온교환물질은 나프탈렌에서 추출하여 황화처리한 술포네이트 오일(sulfurated oil)일 수 있으며, 상기 침출수방지층 표면에는 토표에 피막을 형성시키는 토질피막제가 살포되어 차수를 강화시키는 차수막이 더 형성될 수 있으며, 상기 토질피막제는 에톡실레이트 계면활성제(Ethoxylated surfactant), 실리케이트(silicate), 아크릴계 트로포리케이트(Tripolycate)가 포함된 복합수지일 수 있다.
본 발명에 따른 침출수방지구조의 제조방법은 굴착 노상에 이온교환물질이 포함된 용액을 현장함수비에 따라 소정량 침투시키는 제1단계, 상기 제1단계에서 상기 이온교환물질 포함 용액이 살포된 노상을 다짐하는 제2단계, 상기 제2단계에서 다짐된 노상에 시공하기 위하여 선별(screening)한 모토에 이온교환물질 포함 용액을 살포하여 제1혼합토를 만드는 제3단계, 상기 제1혼합토를 일정시간 숙성시키는 제4단계, 상기 제1혼합토에 경화제를 첨가하여 혼합한 제2혼합토를 만드는 제5단계, 상기 제2혼합토에 이온교환물질 포함 용액을 함수비(담짐최적함수비, O.M.C)에 맞게 다시 살포하여 제3혼합토를 만드는 제6단계 및 상기 제3혼합토를 다짐이 가능한 두께만큼 포설하여 침출수방지층을 만드는 제7단계를 포함할 수 있다.
상기 제7단계에서 전압전달 두께만큼 포설된 상기 침출수방지층에 스크레칭을 형성시키는 제8단계를 더 포함할 수 있다. 상기 제8단계에서 스크레칭이 형성된 상기 침출수방지층 표면에는 차수를 강화시키는 차수막 형성시키기 위해 토질피막제를 살포하는 제9단계를 더 포함할 수 있다.
상기 침출수방지구조는 제7단계 내지 상기 제9단계의 공정을 반복하여 침출수방지구조의 설계 높이까지 다수의 침출수방지층을 형성시킬 수 있다. 상기 제2단계 및 제8단계에서 상기 침출수방지층 표면에는 차수를 강화시키는 차수막을 형성시키기 위해 토질피막제를 살포하는 피막제살포단계를 더 포함할 수 있다. 상기 피막제살포단계에서 상기 토질피막제가 살포된 상기 침출수방지층을 다짐하는 단계를 더 포함할 수 있다.
이하에서는, 본 발명에서 사용되는 용어를 설명한다.
흡착수(absorbed water)란 미세한 흙 사이에 고착된 물막으로서 강한 전압이 가해지는 경우에도 토질입자와 분리되지 않는 물을 의미하며, 자유수(free water)란 흙 속에 유리 상태로 포함된 물로서 외력에 의해 흙 밖으로 배출될 수 있는 물을 의미한다.
또한 이온교환물질(ion exchange material)이란 용액 내에 불용성 고체의 어떤 이온이 같은 부호를 가진 주위의 다른 이온과 가역적으로 교환하도록 하는 물질을 의미한다.
본 발명에서 이온교환물질은 토질입자에 고착된 물을 수소이온(H+), 수산화 이온(OH-),하이드로늄이온(H3O+)으로 이온화시켜 점토입자에 고착된 흡착수를 자유수로 변환시키며, 흙의 Ph를 감소시켜 흙입자 사이의 응집력이 작용하게 하여 흙의 구조가 면모구조에서 단립구조로 전환되도록 한다.
이하 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 첨부 도면을 참고로 하여 상세히 설명한다.
우선 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소 등에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의하여야 한다. 또한, 하기에서 본 발명을 설명함에 있어 관련된 공지기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 침출수방지구조의 정단면도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 침출수방지구조는 노체(10), 침출수방지층(20), 차수막(40)으로 형성된다.
상기 노체(10)에는 이온교환물질이 살포되어 상기 노체(10) 내의 흡착수(70)가 자유수(80)로 변환되도록 한다.
상기 침출수방지층(20)은 이온교환물질이 포함된 용액이 살포되어 모토 내의 흡착수(70)가 자유수(80)로 변환된 후 외부로 배출되어 있으며, 도시된 바와 같이 설계 높이에 따라 다수 층이 형성되었다.
상기 침출수방지층(20)에는 스크레칭(30)을 두어 상부 침출수방지층(20)과의 결합력이 향상된다.
상기 차수막(40)은 상기 침출수방지층(20) 표면에 형성된 피막으로서, 토표에 피막을 형성시키는 토질피막제를 살포함으로 형성된다.
상기 이온교환물질은 수화된 알칼리(Hydrated alkali), 알루미늄 실리케이트(Aluminum silicate), 카올린(kaolin), 나프탈렌(naphthalene), 술폰염(sulfuric salt), 술폰산(sulfuric acid), 산화용해 가능한 술폰오일(acidulated soluble sulfonated oil), 물(water)이 포함된 혼합물질을 사용하였다.
본 발명에서 상기 이온교환물질이 포함된 용액은 이온교환물질을 용매에 희석한 것으로서, 희석액의 희석비율은 현장의 토질 함수비에 따라 조정한다.
즉, 시공하는 토질의 소성지수(P1)가 25 내지 35 인 경우에는 300 : 1, 소성지수가 15 내지 25인 경우에는 400 : 1로 물과 희석한다.
상기 토질피막제는 에톡실레이트 계면활성제(associated surfactant), 실리케이트(silicate), 아크릴계 트로포리케이트(Tripolycate)가 포함된 복합수지를 사용하였다.
이하에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 침출수방지구조 제조방법을 도면을 참조하여 설명한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 침출수방지구조의 제조방법 순서도이다.
제 1 단계(S10), 굴착 노상에 이온교환물질이 포함된 용액을 현장함수비에 따라 소정량 침투시킨다.
제 2 단계(S20), 상기 제 1 단계(S10)에서 상기 이온교환물질 포함 용액이 살포된 노상을 다짐한다.
제 3 단계(S30), 상기 제 2 단계(S20)에서 다짐된 노상에 시공하기 위하여 선별(screening)한 모토에 이온교환물질 포함 용액을 살포하여 제1혼합토를 만든다.
제 4 단계(S40), 상기 제1혼합토를 일정시간 숙성시킨다.
제 5 단계(S50), 상기 제1혼합토에 경화제를 첨가하여 혼합한 제2혼합토를 만든다.
제 6 단계(S60), 상기 제2혼합토에 이온교환물질 포함 용액을 함수비(담짐최적함수비, O.M.C)에 맞게 다시 살포하여 제3혼합토를 만든다.
제 7 단계(S70), 상기 제3혼합토를 다짐이 가능한 두께만큼 포설하여 침출수방지층을 만든다.
제 8 단계(S80), 상기 제 7 단계(S70)에서 전압전달 두께만큼 포설된 상기 침출수방지층에 스크레칭을 형성시킨다.
제 9 단계(S90), 상기 제 8 단계(S80)에서 스크레칭이 형성된 상기 침출수방지층 표면에는 차수를 강화시키는 차수막을 형성시키기 위해 토질피막제를 살포한다.
반복단계(S100), 상기 침출수방지구조는 제 7 단계(S70) 내지 상기 제 9 단계(S90)의 공정을 반복하여 침출수방지구조의 설계 높이까지 다수의 침출수방지층(20)들을 형성시킨다.
토질피막제살포단계(S110), 상기 제 2 단계(S20) 및 상기 제 8 단계(S80)에 서 상기 다짐처리된 굴착 노상 또는 상기 침출수방지층(20) 표면에 토질피막제를 살포한다.
다짐단계(S120), 상기 토질피막제살포단계(S110)에서 상기 토질피막제가 살포된 상기 침출수방지층(20)을 다짐한다.
상기 제 1 단계(S10)에서, 시공할 원지반은 약 10㎝ 내지 30㎝ 정도 깊이로 밭갈이 한 굴착 노상에 이온교환물질이 포함된 용액을 현장함수비에 따라 10 내지 20ℓ/㎡으로 살포한다.
도 2는 도 1의 침출수방지구조에서 연약한 원지반의 경우에 굴착 노상에 이온교환물질이 포함된 용액을 침투시킨 상태도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 시공할 원지반이 연약한 경우에는 이온교환물질이 포함된 용액을 고압주입장비로 격자간격 1 내지 2m, 깊이 1 내지 2m가 되도록 주입부(50)로 주입 분사시킨다.
상기 제 2 단계(S20)에서는, 상기 제1단계(S10)에서 상기 이온교환물질 포함 용액이 살포된 노상을 원지반의 상태에 따라 로라나 습지도저(Low Pressure Dozer)로 다짐한다.
상기 토질피막제살포단계(S110)에서 상기 제 2 단계(S20)에서 다짐처리된 굴착 노상 표면이 건조된 후에 스프레이 장비로 토질피막제를 살포한다.
시공하는 원지반이 통상적인 강도인 경우에는 토질피막제를 3 내지 4ℓ/㎡ 정도 살포하며, 원지반이 연약한 경우에는 4 내지 5ℓ/㎡정도로 살포하고 저압로라(Low Pressure Roller)로 최대한 다짐한다.
시공할 원지반이 연약한 경우에는 상기 원지반 위에 침출수의 산성 등에 내성이 있도록 침출수 성분을 분석한 후 내저항성 매트(mat)를 더 설치한다.
상기 제 3 단계(S30)에서 선별(screening)한 모토에 현장함수비 등을 고려하여 이온교환물질 포함 용액을 살포하여 제1혼합토를 만든다.
상기 성토용 모토 선별은 20mm 스크린을 장착하여 진동을 주면서 고운 흙은 아래로 통과하고 굵은 돌 및 이물질은 채에 걸려 별도로 제거하여 스크린 아래로 통과한 흙을 모토로 사용한다.
상기 제 4 단계(S40)에서 상기 제1혼합토를 토성에 따라 일정시간 숙성시킨다. 점토성 토질의 경우에는 투수계수가 낮기 때문에 보통 24시간 내지 48시간 숙성시키고 있다.
상기 제 5 단계(S50) 및 상기 제 6 단계(S60)에 의해 만들어진 제3혼합토를 상기 제 7 단계(S70)에 따라 다짐이 가능한 두께만큼 포설한다. 대개의 경우 20㎝ 내지 30㎝의 두께로 포설하고 다짐을 실시하는데 이 경우 다짐수축률은 대개 20 내지 25%이다.
상기 제 8 단계(S80)에서는 상기 포설 다짐된 침출수방지층(20)에 층간의 결착력을 증가시키기 위해 스크레칭(30)을 형성시킨다.
상기 스크레칭(30)은 스크레칭망(Scratching Net)을 깔거나 양족로라를 사용하여 형성시킨다.
상기 제 9 단계(S90)에서는, 상기 침출수방지층(20) 표면에 차수를 강화시키는 차수막(40)을 형성시키며, 상기 반복단계(S100)에 따라 상기 제 6 단계(S60) 내 지 상기 제 9 단계(S90)의 공정을 반복하여 침출수방지구조의 설계 높이까지 다수의 침출수방지층(20)을 형성시킨다.
상기 다짐단계(S120)에서 상기 토질피막제가 살포된 상기 침출수방지층(20)을 다진 후에 비닐과 부직포를 상기 설계고까지 형성시킨 침출수방지구조에 씌워 7일 내지 14일 정도 습윤 양생한다.
상기 습윤양생 후에는 최상부 침출수방지층(20)가 완전히 건조된 것을 확인한 후에 상기 토질피막제를 대략 3 내지 4ℓ/㎡ 로 살포하여 전 공정을 마감한다. 본 발명에서 의도한 토질 입자 사이의 흡착수(70) 제거는 다음과 같이 이루어진다.
상기 공정에서 상기 흙입자(60) 사이에 상기 이온교환물질이 살포되면, 상기 흡착수(70)는 상기 흙입자(60)와 유리상태인 자유수(80)로 변환되며, 상기 자유수(80)로 변환된 물은 상기 공정 중 다짐 과정 중에 침출수방지층의 상하좌우로 배수된다.
상기 토질피막제는 상기 토질 즉, 굴착 노상이나 침출수방지층에 침투하여 토질의 공극을 충밀함으로 차수 역할을 하는 차수막을 형성하게 되는데, 상기 차수막은 상기 토질과 결착하여 거의 단일층으로 형성된다.
본 발명에 따른 침출수방지구조의 효능을 측정하기 위하여 본 발명에 따른 이온교환물질로 처리한 흙과 통상의 흙에 대하여 하기와 같은 실험을 하였다.
이하에서는 본 발명에 따라 이온교환물질로 처리된 흙은 처리토라 명하며, 통상의 흙은 무처리토라 명명한다.
도 5는 본 발명에 따라 이온교환물질로 처리된 처리토와 통상의 흙인 무처리 토의 다짐실험비교도이다.
도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따라 이온교환물질로 처리된 처리토는 무처리토에 비해 최대건조밀도가 약 0.03g/㎠ 증가하였고, 특히 습윤측 밀도가 높아 동등한 고함수비에서 더 높인 밀도로 다져지는 특성을 보인다.
도 6은 본 발명에 따라 이온교환물질로 처리된 처리토와 통상의 흙인 무처리토의 압밀실험비교도이다.
도 6에 도시된 바와 같이, 90% 압밀 소요 시간이 하중단계 0에서 50kpa일 때 무처리토는 약 100분에서, 처리토는 약 30분으로 감소하였고, 하중단계가 50에서 100kpa일 때는 약 81분에서 약 36분으로 감소되어, 압밀소요시간이 0.3 내지 0.44배로 크게 감소하였다.
도 7은 본 발명에 따라 이온교환물질로 처리된 처리토와 통상의 흙인 무처리토의 흡수팽창실험비교도이다.
처리토와 무처리토에 시멘트(5%)를 혼합한 경우와 혼합하지 않은 상태로 몰드를 제작하여 7일간 양생한 후 3일간 수침시켜 흡수팽창을 발생시켰다.
이 경우 도 7에 도시된 바와 같이, 시멘트를 혼합하지 않은 처리토가 무처리토 보다 약 3 배의 강도차이를 나타냈다. 이는 처리토는 흡수팽창에 의해 무처리토만큼 강도가 크게 감소하지 않는 것을 의미한다.
또한 시멘트(5%)를 혼합한 경우에도 터리토의 일축압축강도가 무처리토보다 1.6배 크게 측정되었으며, 이는 처리토의 다짐이 잘되고 흡수팽창량이 적어서 강도가 큰 것을 의미한다.
도 8은 본 발명에 따라 이온교환물질로 처리된 처리토와 통상의 흙인 무처리토의 동결융해반복실험비교도이다
처리토의 동결융해에 대한 효과를 확인하기 위해 시멘트(5%)를 혼합한 시료를 만들어 28일간 양생한 후 -20℃와 20℃로 동결과 융해를 20회 반복한 후 일축압축강도실험을 실시하였다.
도 8에 도시된 바와 같이, 시멘트(5%)가 혼합된 시료에서는 처리토의 일축압축강도가 300kpa의 값이고, 무처리토는 동상파괴에 의해 거의 죽상태가 되어 강도가 거의 없는 것으로 측정되었다.
따라서 처리토를 사용하면 동상파괴에 저항할 수 있는 최소 시멘트 함량을 낮출 수 있게 된다.
이상 설명한 바와 같은 본 발명에 따른 이온교환물질을 이용한 침출수방지구조에 의하면, 이온교환물질을 이용하여 흙입자 사이에 고착된 흡착수를 제거함으로써 토질이 안정되며, 토질입자끼리 응집하여 밀도가 증가하므로, 침출수가 모토로 거의 유출되지 않는 침출수방지구조 및 이의 제조방법을 제공하게 된다.
또한 흡착수 제거로 인해 토질입자간 간극이 제거되어 다짐계수, 압밀계수는 높아지고, 흡수팽장계수는 낮아지며 동결융해저항계수가 높아지므로, 시간이 경과하더라도 훼손되지 않고 침출수가 모토로 유입되는 것을 방지할 수 있는 침출수방지구조 및 이의 제조방법을 제공하게 된다.
또한 침출수방지층에 토질피막제를 살포하여 차수막을 형성함으로써, 침출수방지층의 방지 기능을 강화하게 되며, 토질피막제는 에톡실레이트 계면활성제, 실리케이트, 아크릴계 트로포리케이트가 포함된 복합수지를 사용하므로, 접착력이 강하고 부식되지 않아 차수막 형성 후 장기간 원상태를 보존하게 된다.
본 발명에 따라 이온교환물질로 처리된 처리토를 사용하면 동상파괴에 저항할 수 있는 최소 시멘트 함량을 낮출 수 있게 되어, 고가인 시멘트를 적게 사용하게 되므로 비용면에서 효과적인 침출수방지구조 및 그 제조방법을 제공하게 된다.

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  5. 굴착 노상에 이온교환물질이 포함된 용액을 현장함수비에 따라 소정량 침투시키는 제1단계;
    상기 제1단계에서 상기 이온교환물질 포함 용액이 살포된 노상을 다짐하는 제2단계;
    상기 제2단계에서 다짐된 노상에 시공하기 위하여 선별(screening)한 모토에 이온교환물질 포함 용액을 살포하여 제1혼합토를 만드는 제3단계;
    상기 제1혼합토를 일정시간 숙성시키는 제4단계;
    상기 제1혼합토에 경화제를 첨가하여 혼합한 제2혼합토를 만드는 제5단계;
    상기 제2혼합토에 이온교환물질 포함 용액을 함수비(담짐최적함수비, O.M.C)에 맞게 다시 살포하여 제3혼합토를 만드는 제6단계;
    상기 제3혼합토를 다짐이 가능한 두께만큼 포설하여 침출수방지층을 만드는 제7단계;
    상기 제7단계에서 전압전달 두께만큼 포설된 상기 침출수방지층에 스크레칭을 형성시키는 제8단계;
    상기 제8단계에서 스크레칭이 형성된 상기 침출수방지층 표면에는 차수를 강화시키는 차수막 형성시키기 위해 토질피막제를 살포하는 제9단계;
    를 포함하여 이루어지는 이온교환물질을 이용한 침출수방지구조 제조방법.
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 제 5 항에 있어서, 상기 침출수방지구조는 제7단계 내지 상기 제9단계의 공정을 반복하여 침출수방지구조의 설계 높이까지 다수의 침출수방지층을 형성시키는 것을 특징으로 하는, 이온교환물질을 이용한 침출수방지구조 제조방법.
  9. 제 5 항에 있어서, 상기 제2단계 또는 제8단계에서 상기 굴착노상 또는 상기 침출수방지층 표면에는 차수를 강화시키는 차수막 형성시키기 위해 토질피막제를 살포하는 피막제살포단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 이온교환물질을 이용한 침출수방지구조 제조방법.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 피막제살포단계에서 상기 토질피막제가 살포된 상기 침출수방지층을 다짐하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 이온교환물질을 이용한 침출수방지구조 제조방법.
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