KR100585021B1 - 리프트 핀 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 플라즈마 처리장치에 마련되어 기판을 상하 방향으로 이동시키는 리프트 핀에 관한 것이다.
본 발명은, 플라즈마 처리장치에 마련되어 기판을 상하 방향으로 이동시키되, 상기 플라즈마 처리장치의 하측에 배치되는 상하 구동 플레이트에 그 하부가 결합되어 상하 방향으로 구동되는 리프트 핀에 있어서, 상기 플라즈마 처리장치의 하측벽과 상기 상하 구동 플레이트 사이에 개재되어 마련되며, 상기 리프트 핀을 그 내부에 밀봉시킨 상태로 신축가능하게 마련되는 벨로우즈 모듈; 상기 상하 구동 플레이트의 소정 부분에 관통되어 형성되며, 상기 리프트 핀의 하부가 결합되는 리프트 핀 결합공; 상기 리프트 핀 결합공의 하부에 결합되어 마련되며, 중앙에 관통공이 형성되는 플랜지; 상기 관통공에 회전가능하게 관통되어 마련되며, 그 상단에 숫나사가 형성되는 핀 높이 조정구; 상기 리프트 핀의 하단과 상기 플랜지 사이에 개재되어 마련되되, 그 상면이 상기 리프트 핀의 하단과 결합되고, 그 하부 중앙에 상기 핀 높이 조정구의 상단과 결합될 수 있는 암나사홈이 형성되어 상기 핀 높이 조정구의 회전에 의하여 상하 방향으로 이동되는 이동 모듈;이 더 마련되는 리프트 핀을 제공한다.

Description

리프트 핀{LIFTING PIN}
도 1은 플라즈마 처리장치의 구조를 나타내는 단면도이다.
도 2는 탑재대에 리프트 핀이 배치되는 구조를 나타내는 평면도이다.
도 3은 종래의 플라즈마 처리장치에 의하여 처리되는 기판의 모습을 나타내는 부분 단면도이다.
도 4는 종래의 리프트 핀이 플라즈마 처리장치에 결합되는 구조를 나타내는 부분 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 리프트 핀이 플라즈마 처리장치에 결합되는 구조를 나타내는 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시에에 따른 리프트 핀을 세팅하는 모습을 나타내는 도면이다.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
1 : 플라즈마 처리장치 10 : 기밀 처리실
20 : 탑재대 30, 130 : 리프트 핀
40 : 가스 공급계 50 : 상부 전극
60 : 배기계 31, 131 : 상하 구동 플레이트
132 : 벨로우즈 모듈 133 : 리프트 핀 결합공
134 : 플랜지 135 : 핀 높이 조정구
136 : 윤활수단 137 : 고정 볼트
138 : 이동 모듈 139 : 가이드 모듈
본 발명은 플라즈마 처리장치에 마련되어 기판을 상하 방향으로 이동시키는 리프트 핀에 관한 것이다.
일반적으로 반도체, 엘시디(LCD) 기판 등 피처리물의 처리에는, 진공 분위기에서 플라즈마를 이용하여 피처리물에 대하여 소정의 처리를 실시하는 플라즈마 처리장치가 많이 사용된다. 이러한 플라즈마 처리장치에는, 그 내부로 피처리물을 반입하고, 처리 완료된 피처리물을 외부로 반출하는 작업을 돕기 위해, 피처리물이 탑재되는 탑재대에 리프트 핀이 구비된다.
도 1은 종래의 플라즈마 처리장치의 내부 구조를 나타내는 단면도이다. 이하에서는 도 1을 참조하여 상술한 리프트 핀이 구비된 플라즈마 처리장치의 구조를 설명한다.
플라즈마 처리장치(1)는 그 내부를 진공분위기로 형성시킬 수 있는 기밀 처리실(10); 기밀 처리실(10) 내에 설치되고, 피처리물(12)을 탑재하는 탑재면을 갖는 탑재대(20); 탑재대(20)에 탑재된 피처리물(12)을 승강할 수 있도록 탑재대(20) 소정부분에 형성되는 리프트 핀(30); 기밀 처리실(10)에 처리가스를 공급하는 가스 공급계(40); 공급된 처리 가스를 플라즈마화하기 위한 전계를 발생시키는 전계 발생계(50); 피처리물(12)을 처리한 후 처리가스를 배출하거나 기밀 처리실(10) 내부를 진공분위기로 형성시키기 위한 배기계(60);를 포함한다.
먼저 기밀 처리실(10)은 처리실 내부를 외부와 차단시켜서 처리실 내의 분위기를 진공으로 형성시킬 수 있는 구조를 가진다. 그리고 기밀 처리실(10) 내부에는 피처리물(12)에 소정의 처리를 실시하기 위한 여러가지 구성요소가 구비된다.
먼저 기밀 처리실(10) 내부 중 하부에는 피처리물(12)이 탑재되는 탑재대(20)가 구비되는데, 탑재대(20)의 상부면에는 피처리물(12)과 접촉되는 탑재면(도면에 미도시)이 형성된다. 그 탑재면에는 도 2에 도시된 바와 같이, 그 가장자리 영역에 소정 간격으로 다수개의 리프트 핀(30)이 구비된다. 즉, 탑재대(20)에 탑재된 피처리물(12)의 가장자리를 지지하도록, 탑재대(20)를 두께 방향으로 관통하여 형성된 다수개의 관통공(22)을 통과하도록 다수개의 리프트 핀(30)을 구비시켜, 리프트 핀(30)이 그 관통공(22)을 따라 상승 및 하강 하면서 피처리물(12)을 들어올리거나 탑재대(20)에 위치시키는 역할을 하게 된다.
이때 리프트 핀(30)은 하나의 탑재대(20)에 다수개가 구비되지만, 다수개의 리프트 핀(30)이 동시에 상승하거나 하강하여야 한다. 따라서 다수개의 리프트 핀(30) 각각은, 독립적으로 마련되는 각 승강 모듈에 의하여 승강되지만, 동일한 속도와 동일한 높이로 승강되도록 제어된다.
다음으로 플라즈마 처리장치에는 기밀 처리실(10) 내부로 처리가스를 공급하는 가스 공급계(40)가 구비되는데, 가스 공급계(40)는 기밀 처리실(10) 내부로 균 일하게 처리가스를 공급하기 위하여 그 내부에 확산판, 상부 샤워헤드, 하부 샤워헤드 등의 세부 구성요소가 더 구비되기도 한다.
그리고 가스 공급계(40)에 의하여 공급된 처리가스를 플라즈마화하기 위하여 필요한 전계를 발생시키는 전계 발생계(50)가 마련된다. 전계 발생계(50)는 일반적으로 상부 전극 및 하부 전극으로 이루어지는데, PE(Plasma Enhanced) 방식의 플라즈마 처리장치에서는 탑재대(20)가 하부전극의 역할을 하며, 상부 전극은 가스 공급계의 역할을 겸한다. 이때 하부 전극인 탑재대(20)는 기밀 처리실의 벽에 접지되며, 상부 전극(50)에는 고주파 전력이 인가된다.
다음으로 기밀 처리실(10)의 소정 부분에는 피처리물(12)에 대한 처리에 이미 사용된 처리 가스와 그 부산물 등을 제거하는 배기계(60)가 더 구비된다. 물론 이 배기계(60)는 기밀 처리실(10) 내부를 진공분위기로 형성시키기 위하여 기밀 처리실(10) 내부의 기체를 배기하는 경우에도 사용된다.
상술한 플라즈마 처리장치에 피처리물(12)을 반입하는 경우에는 플라즈마 처리장치의 외부에 마련되어 있는 피처리물 반송장치(도면에 미도시)에 의하여 피처리물(12)이 탑재대(20) 상부로 반송되면, 상술한 리프트 핀(30)이 상승하여 피처리물 반송장치에 놓여 있는 피처리물(12)을 들어올리고, 자유로워진 피처리물 반송장치가 기밀 처리실(10) 밖으로 퇴피된다. 그리고 나서 리프트 핀(30)이 하강하면서 피처리물(12)을 탑재대(20) 중 피처리물이 위치될 탑재면에 위치시킨다.
그리고 피처리물(12)을 반출하는 경우에는, 먼저 리프트 핀(30)을 상승시켜서 피처리물(12)을 탑재대(20)로부터 소정 높이 만큼 들어올린다. 그리고 나서 기 밀 처리실(10) 외부에 마련되어 있는 피처리물 반송장치가 피처리물(12) 하부로 들어오면 리프트 핀(30)을 하강시켜서 피처리물(12)을 피처리물 반송장치로 넘겨준다. 그러면 피처리물(12)을 넘겨 받은 피처리물 반송장치가 피처리물(12)을 기밀 처리실(10) 외부로 반출하는 것이다.
그런데 이러한 플라즈마 처리장치에서는 탑재대(20) 중 리프트 핀이 마련된 부분과 다른 부분 간에 전기적, 열적 특성 차이로 인하여, 플라즈마 처리시 피처리물(12)의 표면에 대한 처리 정도가 달라지는 경향이 있다. 즉, 도 3에 도시된 바와 같이, 플라즈마 처리 후의 피처리물(12)의 표면에 무라(mura)나 얼룩이 나타나는 등 피처리물(12)의 모든 영역이 균일하게 처리되지 않는 문제점이 있다.
이때 탑재대(20) 중 리프트 핀(30)이 마련되는 부분과 다른 부분의 온도 차이를 줄이기 위해서는 리프트 핀(30)의 초기 높이를 최대한 상승시킬 필요가 있다. 즉, 리프트 핀의 초기 높이를 최대한 상승시켜서, 리프트 핀이 하강한 상태에서 기판의 하면과 접촉될 수 있을 정도로 위치시켜, 탑재대의 다른 부분과의 차이를 줄이는 것이 필요한 것이다. 따라서 리프트 핀을 상하 구동 플레이트에 결합시킬 때 리프트 핀의 상단 초기높이를 조정할 수 있는 구조를 취한다.
즉, 도 4에 도시된 바와 같이, 리프트 핀(30) 하부가 상하 구동 플레이트(31)에 결합되기 전에 그 높이를 조정할 수 있는 상승볼트(32)를 마련한다. 따라서 이 상승볼트(32)를 회전시킴으로써, 그 상부에 배치되는 리프트 핀(30) 상단의 높이가 조정되도록 한다. 리프트 핀(30)의 높이를 조정하는 방식을 보면, 먼저 상기 상승볼트(32)를 회전시킴으로써 원하는 위치에 리프트 핀(30)을 배치한다. 그리고 상기 상승 볼트(32)의 외측에 마련된 고정볼트(33)를 사용하여 리프트 핀을 고정시키는 것이다. 그리고 다시 리프트 핀(30)의 높이를 조정할 필요가 있을 때에는, 고정 볼트(33)를 먼저 풀고, 상승볼트(32)를 회전시켜 리프트 핀의 높이를 조정한다.
그런데 종래의 리프트 핀(30)에서는 리프트 핀의 높이를 상승 볼트(32)를 이용하여 조정한 후에, 다수개의 고정 볼트(33)를 이용하여 리프트 핀(30)을 고정시키는 작업을 수행하므로, 리프트 핀(30)의 고정 과정에서 리프트 핀의 높이가 달라지거나, 리프트 핀이 기울어지는 등의 현상으로 인하여 리프트 핀의 높이를 매우 정밀하게 조정하지 못하는 문제점이 있다.
또한 리프트 핀의 높이를 조정하기 위해서는 먼저 고정 볼트를 풀어야 하므로 작업시간이 많이 소요되는 문제점이 있다.
본 발명의 목적은 리프트 핀의 초기 높이를 간이한 공정으로 매우 정밀하게 조정할 수 있는 리프트 핀을 제공함에 있다.
전술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 플라즈마 처리장치에 마련되어 기판을 상하 방향으로 이동시키되, 상기 플라즈마 처리장치의 하측에 배치되는 상하 구동 플레이트에 그 하부가 결합되어 상하 방향으로 구동되는 리프트 핀에 있어서, 상기 플라즈마 처리장치의 하측벽과 상기 상하 구동 플레이트 사이에 개재되어 마련되며, 상기 리프트 핀을 그 내부에 밀봉시킨 상태로 신축가능하게 마련되는 벨로우즈 모듈; 상기 상하 구동 플레이트의 소정 부분에 관통되어 형성되며, 상기 리 프트 핀의 하부가 결합되는 리프트 핀 결합공; 상기 리프트 핀 결합공의 하부에 결합되어 마련되며, 중앙에 관통공이 형성되는 플랜지; 상기 관통공에 회전가능하게 관통되어 마련되며, 그 상단에 숫나사가 형성되는 핀 높이 조정구; 상기 리프트 핀의 하단과 상기 플랜지 사이에 개재되어 마련되되, 그 상면이 상기 리프트 핀의 하단과 결합되고, 그 하부 중앙에 상기 핀 높이 조정구의 상단과 결합될 수 있는 암나사홈이 형성되어 상기 핀 높이 조정구의 회전에 의하여 상하 방향으로 이동되는 이동 모듈;이 더 마련되는 리프트 핀을 제공한다.
이때 본 발명에서는, 상기 이동 모듈과 결합된 상태로 마련되며, 상기 이동 모듈의 상하이동을 안내하는 가이드 모듈이 더 마련되도록 함으로써, 리프트 핀의 상하방향으로 직선이동하도록 하는 것이 바람직하다.
그리고 본 발명에서는, 상기 가이드 모듈에 이동 모듈의 상승폭을 제한하는 스토퍼가 더 형성되어 이동 모듈의 상하 이동 폭을 제한할 수 있도록 한다.
또한 본 발명에서는, 핀 높이 조정구와 결합가능하게 마련되어 상기 핀 높이 조정구를 고정시키는 잠금수단이 더 마련되도록 함으로써, 높이 조정이 완료된 리프트 핀을 고정시킬 수 있도록 한다.
그리고 본 발명에서는, 플랜지와 핀 높이 조정구 사이에 개재되어 마련되며, 높이 조정구와 플랜지의 마찰력을 감소시키는 윤활수단이 더 마련되도록 함으로써, 리프트 핀의 높이 조정을 위한 높이 조정구의 회전이 원활하게 진행되도록 한다.
이때 상기 윤활수단은 베어링인 것이 바람직하다.
그리고 본 발명에서는 상기 리프트 핀 상단과 하부 전극 상면의 높이 차이를 표시하는 표시기가 더 마련되도록 함으로써, 리프트 핀의 높이를 정확하게 조정할 수 있도록 한다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 구체적인 일 실시예를 상세하게 설명한다.
본 실시예에 따른 리프트 핀(130)은 진공 상태의 챔버 내에 플라즈마를 발생시켜 기판에 소정의 처리를 실시하는 플라즈마 처리장치에서 사용된다. 이 리프트 핀은 플라즈마 처리장치의 내외부에 걸쳐서 마련되며, 기판을 상하 방향으로 이동시켜 기판을 반입하거나 반출하는 과정을 돕는다.
따라서 본 실시예에 따른 리프트 핀도 종래와 마찬가지로 플라즈마 처리장치 내부 하측에 마련되는 기판 탑재대에 관통되어 형성되는 리프트 핀 통과홀에 관통되어 상하 방향으로 이동할 수 있도록 마련된다. 이 리프트 핀의 하부는 플라즈마 처리장치의 하벽을 관통하여 외부와 연결되며, 플라즈마 처리장치의 하벽 외부에 마련되는 상하 구동 플레이트(131)에 결합된다. 이 상하 구동 플레이트(131)는 별도의 구동수단(도면에 미도시)에 의하여 상하 방향으로 구동되며, 그 상면에 결합되는 리프트 핀(130)을 상하 방향으로 구동시키는 역할을 한다.
이때 플라즈마 처리장치의 내부는 진공 상태이며, 외부는 대기압 상태를 유지하므로, 이 플라즈마 처리장치의 내외부에 걸쳐서 마련되는 리프트 핀이 상하 방향으로 구동되기 위해서는, 진공 상태를 유지하면서 상하 방향 구동이 가능하도록 하는 밸로우즈 모듈(132)이 요구된다. 따라서 본 실시예에 따른 리프트 핀(130) 중 플라즈마 처리장치의 하측벽 외부에 배치되는 부분은, 도 5에 도시된 바와 같이, 벨로우즈 모듈(132)에 둘러쌓인 채로 마련된다. 이 벨로우즈 모듈(132)은 그 내부를 밀봉시켜 외부와 차단시킨 상태로 신축가능하게 구성된다.
따라서 이 벨로우즈 모듈(132)는 플라즈마 처리장치의 하측벽과 상하 구동 플레이트(131) 사이에 개재되어 마련되며, 상하 구동 플레이트(131)의 상하 구동에 의하여 수축되고 신장된다. 그리고 이 밸로우즈 모듈(132)의 상단은 플라즈마 처리장치의 하측벽 외부면에 결합되며, 하단은 상하 구동 플레이트(131)의 상면에 결합되어 마련된다. 그리고 리프트 핀(130)의 하부는 이 벨로우즈 모듈(132)의 내부에 관통되어 마련되며, 리프트 핀(130)의 하단은 벨로우즈 모듈(132)의 하단에 결합된다.
그리고 상하 구동 플레이트(131) 중 벨로우즈 모듈(132)이 결합되는 부분에는 벨로우즈 모듈(132) 및 리프트 핀(130)과 결합되기 위한 리프트 핀 결합공(133)이 형성된다. 이 리프트 핀 결합공(133)은 상하 구동 플레이트(131)를 두께 방향으 로 관통되어 형성된다.
이 리프트 핀 결합공(133)의 하부는, 도 5에 도시된 바와 같이, 상부 보다 직경이 큰 홀이 형성되며, 이 리프트 핀 결합공(133)의 하부에는 플랜지(134)가 결합되어 마련된다. 이때 이 플랜지(134)는 중앙 부분에 핀 높이 조정구(135)가 통과할 수 있도록 관통공이 형성되며, 핀 높이 조정구(135)가 결합된 상태로 회전할 수 있도록 한다. 따라서 이 플랜지(134)와 핀 높이 조정구(135)가 접촉되는 부분에는 핀 높이 조정구(135)의 원활한 회전을 위하여 윤활 수단(136)이 마련되는 것이 바람직하다. 본 실시예에서는 이 윤활 수단(136)으로 베어링을 사용한다.
그리고 이 플랜지(134)의 테두리 영역에는 플랜지(134)를 상하 구동 플레이트(131)에 결합시키기 위한 고정 볼트 결합공이 형성된다. 이 고정 볼트 결합공은 다수개가 마련되는 것이 결합력을 높일 수 있어서 바람직하다. 따라서 이 플랜지(134)는 상하 구동 플레이트(131)의 하측 방향에서 상측방향으로 다수개의 고정 볼트(137)를 결합시킴으로써 상하 구동 플레이트에 결합된다.
다음으로 핀 높이 조정구(135)는 전술한 관통공에 회전가능하게 관통되어 마련되며, 그 상단에는 숫나사가 형성된다. 그리고 그 하단에는 이 핀 높이 조정구(135)를 회전시킬 수 있는 회전 노브(135a)가 형성된다. 따라서 이 핀 높이 조정구(135)는 플랜지(134)에 결합된 상태로 회전가능하게 마련되며, 회전하더라도 그 높이가 변동되지는 않는다.
다음으로 이동 모듈(138)은 리프트 핀(130)의 하단과 플랜지(134) 사이에 개재되어 마련되되, 전술한 핀 높이 조정구(135)의 회전에 의하여 상하 상향으로 이 동되도록 마련된다. 즉, 이 이동 모듈(138)은, 도 5에 도시된 바와 같이, 소정 두께를 가지는 판 형상으로 마련되며, 그 상면은 리프트 핀(130)의 하단이 결합되어 있는 벨로우즈 모듈(132)의 하단면에 결합된다. 그리고 이 이동 모듈(138)의 하면은 플랜지(134)의 상면과 접촉되도록 마련된다. 그리고 이 이동 모듈(138)에는 플랜지(134)에 형성되어 있는 관통공과 대응되는 부분에 암나사 홈이 형성된다. 이 암나사홈의 내면에는 전술한 핀 높이 조정구(135)의 상단부에 형성되어 있는 숫나사와 결합될 수 있는 암나사이다.
따라서 이 이동 모듈(138)은 핀 높이 조정구(135)의 회전에 의하여 상하 방향으로 이동된다. 그러므로 이 이동 모듈(138)과 플랜지(134)와의 간격이 변화되고, 이에 따라 그 상부에 결합되어 있는 리프트 핀(130)의 초기 높이를 조정할 수 있는 것이다.
그리고 본 실시예에 따른 리프트 핀(130)에는 가이드 모듈(139)이 더 마련되는 것이 바람직하다. 이 가이드 모듈(139)은 전술한 이동 모듈(138)의 상하이동을 안내하는 역할을 한다. 즉, 이동 모듈(138)이 상하 방향으로 정확한 직선 운동을 하도록 안내하여 리프트 핀(130)이 상하 이동 과정에서 편심되는 등의 문제점이 발생하지 않도록 하는 것이다.
본 실시예에서 이 가이드 모듈(139)은 이동 모듈(138)의 테두리 영역에 형성되는 가이드 모듈 통과홈에 관통되어 마련되며, 그 하단이 플랜지(134)에 결합된다. 이 가이드 모듈(139)과 이동 모듈(138)의 접촉면에는 마찰력을 감소시키기 위한 윤활 수단(도면에 미도시)이 형성되는 것이 바람직하다. 이동 모듈(138)은 상하 방향으로 이동할 때 이 가이드 모듈(139)과 결합된 상태로 이동되므로 상하 방향으로 형성되어 있는 가이드 모듈(139)의 방향에 따라 정확한 직선 운동을 하게 된다. 본 실시예에서는 정확한 직선 운동을 위하여 가이드 모듈(139)이 다수개 형성되도록 한다.
그리고 이 가이드 모듈(139)의 상단에는 스토퍼(139a)가 더 마련되는 것이 바람직하다. 이 스토퍼(139a)는 이동 모듈(138)이 상하 방향으로 이동하는 경우 상측 이동폭을 제한하는 역할을 한다. 즉, 이 이동 모듈(138)이 상측으로 과도하게 이동되어 가이드 모듈(139)로부터 이탈되는 것을 방지하기 위하여 가이드 모듈 통과홈의 직경보다 큰 직경을 가지는 돌출부를 형성시키는 것이다. 한편 이 이동 모듈(138)의 하측 이동폭은 플랜지(134)에 의하여 제한된다.
그리고 본 실시예에서는 플랜지(134)의 하측에 핀 높이 조정구(135)의 회전을 방지할 수 있는 잠금수단(도면에 미도시)이 더 마련되는 것이 바람직하다. 즉, 리프트 핀(130)의 높이를 원하는 위치로 세팅한 후에 핀 높이 조정구(135)가 회전되어 리프트 핀(130)의 높이가 변동되지 않도록 하는 잠금 수단이 마련되는 것이다. 따라서 이 잠금 수단은 회전 노브(135a)와 탈착가능하도록 마련되어, 회전노브(135a)가 회전되는 동안에는 회전 노브(135a)와 분리되어 있고, 리프트 핀(130)의 높이가 세팅되어 회전 노브(135a)가 고정되어야 할 때에는 회전노브(135a)와 결합되어 회전노브(135a)의 불필요한 회전을 방지하는 것이다.
또한 본 실시예에서는 리프트 핀(130)의 상단 높이를 표시하는 표시기(도면에 미도시)가 더 마련되는 것이 바람직하다. 이 표시기는 리프트 핀의 상단면과 기 판 탑재대의 상면의 높이 차이를 측정하여 표시하는 것이 바람직하다. 리프트 핀의 초기높이는 기판 탑재대 상면과의 높이 차이를 줄여서 기판에 무라가 발생하지 않도록 하는 것이 중요하기 때문이다. 따라서 본 실시예에 따른 표시기는 리프트 핀 상단이 기판 탑재대의 상면과 어느 정도의 차이를 가지는 지를 표시한다.
이하에서는 본 실시예에 따른 리프트 핀(130)을 세팅하는 과정을 설명한다.
우선 리프트 핀을 플라즈마 처리장치의 하측벽과 기판 탑재대를 관통하도록 배치한다. 그리고 플라즈마 처리장치의 하측벽(10)면과 상하 구동 플레이트(131) 사이에는 벨로우즈 모듈(132)을 결합시켜 마련한다. 이 벨로우즈 모듈(132)의 하부에는 리프트 핀(130)의 하단이 결합된다.
그리고 상하 구동 플레이트(131)의 리프트 핀 통과공에는 플랜지(134)를 고정볼트(137)를 이용하여 고정시킨다. 그리고 이동 모듈(138)과 결합되어 있는 벨로우즈 모듈(132)의 하부를 이 플랜지(134)의 상면에 위치시킨다.
그리고 핀 높이 조정구(135)와 이동 모듈(138)의 암나사공에 결합되도록 한다. 이 상태에서 표시기를 주시하면서 도 6에 도시된 바와 같이, 핀 높이 조정구(135)를 회전시켜 이동 모듈(138)을 상방으로 이동시킨다. 리프트 핀의 상단이 기판 탑재대의 상면과 거의 일치하면 핀 높이 조정구(135)의 회전을 멈추고, 잠금 수단을 사용하여 핀 높이 조정구(135)를 고정시켜 리프트 핀의 높이가 변동되지 않도록 한다.
본 발명에 따르면 리프트 핀의 높이를 정확하게 세팅한 후 더 이상의 고정 공정이 진행되지 않으므로, 세팅된 리프트 핀의 높이가 변동되지 않는 장점이 있다.
또한 리프트 핀의 초기 높이를 세팅하기 위하여 높이 조정 볼트와 별도의 고정볼트를 사용하지 않고, 하나의 핀 높이 조정구만을 사용하므로 세팅 작업의 공정이 단순해지고 작업이 용이해지는 장점이 있다.
더 나아가서는 단순한 높이 조정작업으로 인하여 보다 정밀하게 핀 높이를 조정할 수 있는 장점이 있다.

Claims (7)

  1. 플라즈마 처리장치에 마련되어 기판을 상하 방향으로 이동시키되, 상기 플라즈마 처리장치의 하측에 배치되는 상하 구동 플레이트에 그 하부가 결합되어 상하 방향으로 구동되는 리프트 핀에 있어서,
    상기 플라즈마 처리장치의 하측벽과 상기 상하 구동 플레이트 사이에 개재되어 마련되며, 상기 리프트 핀을 그 내부에 밀봉시킨 상태로 신축가능하게 마련되는 벨로우즈 모듈;
    상기 상하 구동 플레이트의 소정 부분에 관통되어 형성되며, 상기 리프트 핀의 하부가 결합되는 리프트 핀 결합공;
    상기 리프트 핀 결합공의 하부에 결합되어 마련되며, 중앙에 관통공이 형성되는 플랜지;
    상기 관통공에 회전가능하게 관통되어 마련되며, 그 상단에 숫나사가 형성되는 핀 높이 조정구;
    상기 리프트 핀의 하단과 상기 플랜지 사이에 개재되어 마련되되, 그 상면이 상기 리프트 핀의 하단과 결합되고, 상기 핀 높이 조정구의 회전에 의하여 상하 방향으로 이동되는 이동 모듈;이 더 마련되는 리프트 핀.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 이동 모듈과 슬라이딩 가능한 상태로 결합되어 마련되며, 상기 이동 모 듈의 직선운동을 안내하는 가이드 모듈이 더 마련되는 것을 특징으로 하는 리프트 핀.
  3. 제2항에 있어서, 상기 가이드 모듈에는,
    상기 이동 모듈의 상승폭을 제한하는 스토퍼가 더 형성되는 것을 특징으로 하는 리프트 핀.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 핀 높이 조정구와 분리, 결합가능하게 마련되며, 상기 핀 높이 조정구를 고정시키는 잠금수단이 더 마련되는 것을 특징으로 하는 리프트 핀.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 플랜지와 상기 핀 높이 조정구 사이에 개재되어 마련되며, 상기 높이 조정구와 플랜지의 마찰력을 감소시키는 윤활수단이 더 마련되는 것을 특징으로 하는 리프트 핀;
  6. 제5항에 있어서, 상기 윤활수단은,
    베어링인 것을 특징으로 하는 리프트 핀.
  7. 제4항에 있어서,
    상기 리프트 핀 상단의 높이를 표시하는 표시기가 더 마련되는 것을 특징으로 하는 리프트 핀.
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