KR100559927B1 - 봉지용 에폭시 수지 조성물 및 그것을 채택한 발광 소자 - Google Patents
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Abstract
봉지용 고성능 에폭시 수지 조성물 및 그것을 채택한 발광 소자가 개시된다.
이 에폭시 수지 조성물은 다음 화학식들로 표현되는 에폭시 수지 25 내지 80 중량%와 경화제 20 내지 75 중량%를 혼합하여 제조된다.
여기서, Q는 페닐, 사이클로헥실 또는 나프탈렌이고, R1, R2, R3 및 R4는 수소, 탄소수 1~20의 알킬기, 알킬에스터기, 할로겐 원자, 할로알킬기 또는 시아노알킬기이고, n 및 m은 1~100이고, R은 메틸렌, 이소프로필, 2-사이클로헥실에틸렌, 케톤 또는 설폰이다.
여기서 X는 페닐, 사이클로헥실 또는 사이클로헥센이고, Y는 탄소수 1~30의 알킬기, 알킬에스터기, 할로겐화 알킬기, 할로겐기, 카르복실기 또는 수산기이다.
에폭시 수지 조성물, 발광 소자, 경화제, 첨가제, 경도, 굴절률
Description
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 발광소자를 설명하기 위한 단면도이다.
도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 실시예들 및 비교예에 따른 에폭시 수지 조성물들의 경화조건에서의 열중량분석(thermogravimetric analysis; TGA) 및 시차열분석(differential thermal analysis; DTA) 그래프들이다.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 실시예들 및 비교예에 따른 에폭시 수지 조성물들의 광투과도를 설명하기 위한 그래프들이다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 실시예들에 따른 에폭시 수지 조성물들의 굴절률을 설명하기 위한 그래프들이다.
본 발명은 봉지용 에폭시 수지 조성물 및 그것을 채택한 발광 소자에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 에폭시 수지에 적합한 경화제 및 첨가제를 혼합하여 광 투과성 및 경도 특성을 개선한 봉지용 에폭시 수지 조성물 및 그것을 채택한 발광 소자에 관한 것이다.
에폭시 수지는 전기적 절연성, 내습성, 내열성, 내산성, 내용제성, 기계적 특성, 치수 안성상 등이 우수하다. 또한, 에폭시 수지에 다른 성분을 더 배합함에 따라 다양한 특성이 부여된 에폭시 수지 조성물을 얻을 수 있다. 따라서, 전기전자 재료, 밀봉 재료, 도료, 접착제, 토목 건축 재료, 항공 우주용 복합 재료 등 다양한 분야에서 이용되고 있다.
에폭시 수지는 또한 경제성, 생산성 및 다양한 물성이 고르게 우수하다. 따라서, 반도체, 발광 소자 등의 봉지 재료로서, 종래의 금속, 세라믹스, 페놀 수지, 실리콘 수지를 대체하여 에폭시 수지가 많이 이용되고 있다.
일반적으로, 에폭시 수지는 일정한 경도를 가질 필요가 있으므로, 경화제와 혼합되어 사용된다. 에폭시 수지와 혼합되는 경화제로서, 종래에는 폴리메틸렌디아민류(polymehylene diamines), 폴리에테르디아민류(polyether diamines) 또는 펜타에틸헥사디아민류(pentaethylhexadiamines)와 같은 아민형 경화제가 일반적이다.
그러나, 아민형 경화제를 혼합한 에폭시 수지 조성물은 경화시에 또는 경화후 시간이 지남에 따라 황변현상이 발생하여 90% 이하의 광투과율을 나타낸다. 나머지 10% 이상은 에폭시 수지 조성물에 흡수되며, 결과적으로 발광 소자의 전체 광추출효율이 감소된다. 따라서, 종래의 에폭시 수지 조성물에 비해 높은 광투과율을 갖는 에폭시 수지 조성물이 요구되며, 이러한 에폭시 수지 조성물은 고휘도의 발광 특성에 기여할 것이다.
한편, 에폭시 수지 조성물의 경도가 큰 경우, 외부 충격 또는 열충격에 기인하여 발광 다이오드칩 또는 레이저 다이오드칩 등의 발광칩에 악영향을 주어, 발광소자의 수명을 단축시킬 수 있다. 특히, 발광칩과 리드단자를 전기적으로 연결하기 위해 본딩와이어가 사용될 경우, 경도가 큰 에폭시 수지 조성물은 외부충격 또는 열충격에 의해 본딩와이어를 단선시킬 수 있다. 따라서, 발광칩과 직접 접촉하는 에폭시 수지는 적당한 크기의 경도값을 가질 것이 요구된다.
이에 더하여, 에폭시 수지 조성물은 고유의 굴절률을 갖는다. 발광소자에서 요구되는 특성에 의존하여 에폭시 수지 조성물의 굴절률이 제어될 필요가 있다. 예컨대, 발광칩에서 방출된 광이 넓은 시야각으로 출사되도록 하기 위해 에폭시 수지 조성물은 큰 굴절률을 가질 필요가 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 광투과율이 90% 이상인 봉지용 에폭시 수지 조성물 및 그것을 채택하는 발광소자를 제공하는 데 있다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는, 80D 미만의 듀로미터 쇼어 경도값을 갖는 봉지용 에폭시 수지 조성물 및 그것을 채택하는 발광소자를 제공하는 데 있다.
본 발명이 이루고자 하는 또 다른 기술적 과제는, 높은 굴절률을 갖는 봉지용 에폭시 수지 조성물 및 그것을 채택하는 발광 소자를 제공하는 데 있다.
상기 기술적 과제들을 이루기 위하여, 본 발명은 고성능 봉지용 에폭시 수지 조성물 및 그것을 채택하는 발광소자를 제공한다. 본 발명의 일 태양에 따른 에폭시 수지 조성물은 에폭시 수지 25 내지 80 중량%와 경화제 20 내지 75 중량%를 혼합하여 제조된다. 이때, 상기 에폭시 수지는 다음 화학식 1로 표현되며, 상기 경화제는 다음 화학식 2로 표현된다.
[화학식 1]
여기서, Q는 페닐, 사이클로헥실 또는 나프탈렌이고, R1, R2, R3 및 R4는 서로에 관계없이 수소, 탄소수 1~20의 알킬기, 알킬에스터기, 할로겐 원자, 할로알킬기 또는 시아노알킬기이며, n 및 m은 중합도로서 1~100이고, R은 에폭시 주구성원의 연결고리인 격자(spacer)로서 메틸렌, 이소프로필, 2-사이클로헥실에틸렌, 케톤 또는 설폰이다.
[화학식 2]
여기서 X는 페닐, 사이클로헥실 또는 사이클로헥센이고, Y는 탄소수 1~30의 알킬기, 알킬에스터기, 할로겐화 알킬기, 할로겐기, 카르복실기 또는 수산기이다.
상기 화학식 1 및 화학식 2를 혼합하여 제조된 에폭시 수지 조성물은 시간에 따른 황변현상이 나타나지 않으며, 400nm 이상의 파장범위에서 90% 이상의 광투과 도를 나타낸다.
상기 에폭시 수지 조성물은, 상기 에폭시 수지 및 경화제에 더하여, 다음 화학식 3으로 표현되는 첨가제를 더 혼합하여 제조될 수 있다. 이때, 에폭시 수지 조성물 100 중량%를 기준으로, 상기 에폭시 수지는 20 내지 85 중량%, 상기 경화제는 15 내지 45 중량%, 상기 첨가제는 5 내지 30 중량%로 혼합될 수 있다.
[화학식 3]
여기서, A 및 A' 각각은 카르복실기 또는 수산기이고, B는 메틸렌기, 에테르기, 에스터기, 설포닐기 또는 아미노기이고, n은 중합도로서 1~100이다. 상기 화학식 3의 첨가제는 에폭시 수지 조성물의 경화를 촉진하고, 광투과도를 향상시키고, 경도를 감소시키며, 굴절률을 증가시킨다.
본 발명의 다른 태양에 따른 발광소자는 발광칩 및 상기 발광칩을 봉지하는 에폭시 수지 조성물을 포함한다. 상기 에폭시 수지 조성물은 상기 화학식 1로 표현되는 에폭시 수지 및 상기 화학식 2로 표현되는 경화제를 혼합하여 제조된다. 이에 더하여, 상기 에폭시 수지 조성물은 화학식 3으로 표현되는 첨가제를 더 혼합하여 제조될 수 있다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자(1)를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 1을 참조하면, 상기 발광소자(1)는 발광칩(3) 및 에폭시 수지 조성물(5)을 포함한다. 상기 발광칩(3)은 자외선 또는 청색광을 방출하는 AlxInyGazN(단, x+y+z=1, 0≤x, y, z≤1) 계열의 발광칩이다. 특히, 상기 발광칩(3)은 420 내지 480 nm 범위의 청색광을 방출하는 발광칩일 수 있다.
일반적으로, 발광칩(3)은 외부전원에 연결되기 위해 두 개의 전극들을 구비한다. 상기 전극들은 발광칩(3)의 동일 측면(side) 또는 서로 반대 측면 상에 위치할 수 있다. 상기 전극들은 접착제를 통해 리드단자(도시하지 않음)에 전기적으로 연결되거나, 본딩와이어(도시하지 않음)를 통해 리드단자에 연결될 수 있다.
상기 발광칩(3)은 반사컵(9) 내에 배치될 수 있다. 반사컵(9)은 발광칩(3)에서 방출된 광을 요구되는 시야각 내로 반사시키어, 일정 시야각 내의 휘도를 증가시킨다. 따라서, 반사컵(9)은 요구되는 시야각에 따라 일정한 경사면을 갖는다. 상기 반사컵(9)은 발광칩(3)을 보호하기 위한 하우징(도시하지 않음)의 내벽에 형성될 수 있다.
한편, 상기 에폭시 수지 조성물(5)은 발광칩(3)을 덮어, 수분 또는 외력과 같은 외부환경으로부터 발광칩(3)을 보호하며, 도시한 바와 같이 반사컵(9) 내에 위치할 수 있다. 상기 에폭시 수지 조성물(5)은 발광칩(3)에서 방출된 광을 잘 투과하도록 광투과도가 커야 한다. 상기 에폭시 수지 조성물(5)은 화학식 1로 표현되는 에폭시 수지 25 내지 80 중량%와 화학식 2로 표현되는 경화제 20 내지 75 중량% 를 혼합하여 제조된다.
[화학식 1]
여기서, Q는 페닐, 사이클로헥실 또는 나프탈렌이고, R1, R2, R3 및 R4는 서로에 관계없이 수소, 탄소수 1~20의 알킬기, 알킬에스터기, 할로겐 원자, 할로알킬기 또는 시아노알킬기이며, n 및 m은 중합도로서 1~100이고, R은 에폭시 주구성원의 연결고리인 격자(spacer)로서 메틸렌, 이소프로필, 2-사이클로헥실에틸렌, 케톤 또는 설폰이다. 상기 화학식 1로 표현되는 에폭시 수지로는 수소화된 비스페놀A(hydrogenated diglycidyl ether bisphenol A; DGEHBA)가 있다.
[화학식 2]
여기서 X는 페닐, 사이클로헥실 또는 사이클로헥센이고, Y는 탄소수 1~30의 알킬기, 알킬에스터기, 할로겐화 알킬기, 할로겐기, 카르복실기 또는 수산기이다.
상기 화학식 2로 표현되는 경화제로는 트리메틸릭안하이드라이드(trimethyllic anhydride; TMA)가 있다.
상기 에폭시 수지 및 경화제를 혼합하여 제조된 에폭시 수지 조성물은 상기 에폭시 수지에 종래의 아민형 경화제를 혼합한 에폭시 수지 조성물에 비해 광투과 도가 높다.
한편, 상기 에폭시 수지 조성물(5)은 화학식 3으로 표현되는 첨가제를 더 혼합하여 제조될 수 있다. 이때, 바람직하게는, 에폭시 수지 조성물(5) 100 중량%를 기준으로 하여, 상기 에폭시 수지는 25 내지 80 중량%, 상기 경화제는 15 내지 45 중량%, 상기 첨가제는 5 내지 30 중량%로 혼합된다.
[화학식 3]
여기서, A 및 A' 각각은 카르복실기 또는 수산기이고, B는 메틸렌기, 에테르기, 에스터기, 설포닐기 또는 아미노기이고, n은 중합도로서 1~100이다. 상기 화학식 3으로 표현되는 첨가제는 에폭시 수지 조성물의 경화를 촉진하고, 광투과도를 향상시키고, 경도를 감소시키며, 굴절률을 증가시킨다. 상기 화학식 3으로 표현되는 첨가제로는 옥탄올을 포함한 다양한 알코올류 및 다양한 분자량을 갖는 폴리에틸렌글라이콜(polyethylenglycol; PEG) 등이 있다.
상기 에폭시 수지 조성물(5) 내에 형광체(7) 또는 확산제가 혼입될 수 있다.
상기 형광체(7)는 발광칩(3)에서 방출된 광의 일부를 요구되는 광으로 변환시킨다. 예컨대, 상기 형광체(7)는 세륨이온(Ce3+)을 활성이온(activator)으로 사용하는 이트륨-알루미늄-가넷 형광체(YAG:Ce), 유로피움이온(Eu2+)을 활성이온으로 사용하는 오소실리케이트(Ca,Sr,Ba)2SiO4:Eu) 형광체, 티오갤레이트 형광체 및/또는 황화물 형광체 등일 수 있다. 상기 발광칩(3)이 청색광을 방출할 경우, 상기 형광체(7)는 발광칩(3)에서 방출된 광의 일부를 황색광으로 변환시킨다. 그 결과, 상기 발광소자(1)는 백색광을 외부로 방출할 수 있다. 또한, 상기 확산제는 발광칩(3)에서 방출된 광을 확산시키어, 광이 균일하게 외부로 방출되도록 하며, 상기 발광칩(3) 또는 본딩와이어가 외부에서 보이는 것을 방지한다.
한편, 상기 에폭시 수지 조성물(5) 상부에 렌즈(도시하지 않음)가 위치할 수 있다. 상기 렌즈는 발광칩(3)에서 방출된 광을 요구되는 지향각 내의 외부로 방출한다. 이러한 렌즈도 상기 에폭시 수지 조성물(5)과 동일한 조성물로 성형될 수 있다. 또한, 상기 에폭시 수지 조성물(5)이 소정의 렌즈 형상을 갖도록 상기 발광칩(3)을 덮을 수 있다. 이 경우, 상기 에폭시 수지 조성물(5) 이외에 별도의 렌즈는 생략될 수 있다.
<실험예들>
이하, 본 발명의 실시예들에 따른 에폭시 수지 조성물의 합성 실시예들 및 비교예를 설명한다. 또한, 이들 합성예들 및 비교예의 경화조건, 광투과도 및 경도 및 굴절률을 설명한다.
(에폭시 수지 조성물의 준비)
(실시예 1)
상기 화학식 1로 표현되는 에폭시 수지 중 수소화된 비스페놀A(DGEHBA) 70 중량%와 상기 화학식 2로 표현되는 경화제 중 트리메틸릭안하이드라이드(TMA) 30 중량%를 충분히 혼합하여 실시예 1의 에폭시 수지 조성물을 준비하였다.
(실시예 2)
상기 화학식 1로 표현되는 에폭시 수지 중 수소화된 비스페놀A(DGEHBA) 70 중량%, 상기 화학식 2로 표현되는 경화제 중 트리메틸릭안하이드라이드(TMA) 17 중량%와 상기 화학식 3으로 표현되는 첨가제 중 옥탄올 13 중량%를 충분히 혼합하여 실시예 2의 에폭시 수지 조성물을 준비하였다.
(실시예 3)
상기 화학식 1로 표현되는 에폭시 수지 중 수소화된 비스페놀A(DGEHBA) 70 중량%, 상기 화학식 2로 표현되는 경화제 중 트리메틸릭안하이드라이드(TMA) 17 중량%와 상기 화학식 3으로 표현되는 첨가제 중 분자량이 200인 폴리에틸렌글라이콜(PEG) 13 중량%를 충분히 혼합하여 실시예 3의 에폭시 수지 조성물을 준비하였다.
(비교예 1)
상기 화학식 1로 표현되는 에폭시 수지 중 수소화된 비스페놀A(DGEHBA) 70 중량%와 디아민 계열의 경화제인 노보넨디아민(norbornene diamine) 30 중량%를 충분히 혼합하여 비교예 1의 에폭시 수지 조성물을 준비하였다.
(경화 조건 설정)
상기 실시예 1 내지 3 및 비교예 1의 경화조건을 설정하기 위해 열중량 분석(thermogravimetric analysis; TGA) 및 시차열분석(differential thermal analysis; DTA)을 하였다. 우선, 각 에폭시 수지 조성물에 대해 상온에서 800℃까지 10℃/min의 승온속도로 가열하여 TGA와 DTA 상에서 경화 온도를 확인하였다. 그 후, 각 에폭시 수지 조성물을 경화 온도에서 시간 간격으로 경화한 후, 다시 온도 를 800℃까지 10℃/min의 승온속도로 가열하여 TGA 상에서 열분해 온도(약 350℃) 까지 무게 감소가 거의 일어나지 않는 최소 시간을 경화시간으로 설정하였다. 각 에폭시 수지 조성물의 경화조건을 표 1에 요약하였으며, 경화조건에서의 TGA 및 DTA 그래프들을 도 2a 내지 도 2d에 도시하였다.
| 에폭시 수지 조성물 | 경화 조건 | |
| 실시예 1 | DGEHBA + TMA | 140℃ 4시간 |
| 실시예 2 | DGEHBA + TMA + 옥탄올 | 140℃ 2시간 |
| 실시예 3 | DGEHBA + TMA + PEG | 140℃ 3시간 |
| 비교예 1 | DGEHBA + 노보넨디아민 | 120℃ 4시간 |
표 1을 참조하면, 실시예 1 내지 실시예 3의 에폭시 수지 조성물은 140℃에서 경화가 발생하며, 비교예 1의 에폭시 수지 조성물은 120℃에서 경화가 발생하였다. 경화 온도는 경화제의 차이에 기인한다. 한편, 옥탄올 또는 PEG 첨가제를 더 혼합한 실시예 2 및 3의 에폭시 수지 조성물은 실시예 1에 비해 경화시간이 단축되었다. 따라서, 상기 첨가제는 에폭시 수지 조성물의 경화를 촉진하는 것으로 판단된다.
도 2a 내지 도 2d는 각각 실시예 1 내지 3 및 비교예 1의 에폭시 수지 조성물의 경화조건에서의 TGA 및 DTA 그래프들이다.
도 2a 내지 도 2를 참조하면, 실시예 1 내지 3의 에폭시 수지 조성물은 140℃에서 발열반응을 나타내었다. 발열 반응은 에폭시 수지와 경화제의 화학 반응에 따른 것으로 경화가 발생하는 것을 나타낸다. 한편, 비교예 1의 에폭시 수지 조성물은 120℃에서 경화가 발생하였다. 또한, 모든 에폭시 수지 조성물들은 약 350℃에서 흡열반응을 나타내었으며, 이는 에폭시 수지 조성물들이 열분해되는 것을 나 타낸다. 상기 에폭시 수지 조성물들은 경화온도에서 열분해 온도까지 무게감소가 거의 없다. 따라서, 각 경화조건에서 경화가 충분히 되었음을 알 수 있다.
(광투과도)
상기 실시예 1 내지 3의 에폭시 수지 조성물 및 비교예 1의 에폭시 수지 조성물을 각 경화조건에서 경화한 후, 파장에 따른 광투과도를 측정하였다. 각 시료는 지름이 1.5cm인 석영기판 위에 각 에폭시 수지 조성물을 1 내지 1.5 mm의 두께로 코팅하고, 각 경화조건에서 경화하여 제작하였다. 이들 각 시료에 대해 유브이-비스 스펙트로미터(UV-vis Spectrometer)를 사용하여 광투과도를 측정하였으며, 실시예 1 내지 3 및 비교예 1의 에폭시 수지 조성물의 광투과도를 각각 도 3a 내지 도 3d에 도시하였다.
도 3a 내지 도 3d를 참조하면, 실시예 1 내지 3의 에폭시 수지 조성물을 경화하여 제작한 시료들은 400 nm 이상의 파장 영역에서 90% 이상의 광투과도를 나타내었다. 특히, 옥탄올 또는 PEG를 첨가한 실시예 2 및 실시예 3의 에폭시 수지 조성물은 실시예 1의 에폭시 수지 조성물에 비해 더 높은 광투과도를 나타내었으며, 특히 옥탄올을 첨가한 실시예 2의 에폭시 수지 조성물은 400 nm 이상의 파장영역에서 약 98%의 광투과도를 나타내었다.
이에 반해, 비교예 1의 에폭시 수지 조성물을 경화하여 제작한 시료는 모든 파장영역에서 90% 미만의 광투과도를 나타내었으며, 420 내지 480 nm의 청색광 파장 영역에서 약 85% 이하의 광투과도를 나타내었다. 비교예 1의 에폭시 수지 조성물은 경화하는 동안 황변현상이 발생하였으며, 이에 따라 광투과도가 낮은 것으로 판단된다.
(경도)
실시예 1 내지 3 및 비교예 1의 에폭시 수지 조성물들을 경화한 후 경도를 측정하였다. 경도 측정을 위한 시료는 각 에폭시 수지 조성물을 넓이 1×1 cm2, 두께 8 ~ 10 mm로 각 경화조건에서 경화하여 제작하였다. 상기 각 시료들의 경도는 경도 측정 기기인 듀로미터(Durometer, type D)를 사용하여 측정하였다.
실시예 1의 경도는 80, 실시예 2의 경도는 50, 실시예 3의 경도는 60이었으며, 비교예 1의 경도는 80이었다. 즉, 실시예 1의 경도는 비교예 1의 경도와 같으며, 옥탄올 또는 PEG 등의 첨가제를 첨가한 실시예 2 및 실시예 3의 에폭시 수지 조성물들은 비교예 1 및 실시예 1에 비해 경도가 작았다.
(굴절률)
실시예 1 및 실시예 3의 에폭시 수지 조성물을 경화하여 굴절률을 측정하였다. 시료는 실리콘 기판 위에 500 ~ 1000 nm의 두께로 각 에폭시 수지 조성물을 스핀 코팅한 후, 각 경화조건에서 경화하여 제작하였다. 에폭시 수지 조성물에 대한 굴절률은 엘립소미터(ellipsometer)를 사용하여 측정하였으며, 그 결과를 도 4a 및 도 4b에 나타내었다.
도 4a 및 도 4b는 각각 실시예 1 및 실시예 3의 에폭시 수지 조성물을 경화한 후, 파장에 따라 측정한 굴절률들을 나타내는 그래프들이다.
도 4a 및 도 4b를 참조하면, 실시예 1의 에폭시 수지 조성물은 600 nm 이하 에서 1.8 이상의 굴절률을 나타내었으며, 실시예 3의 에폭시 수지 조성물은 600 nm 이하에서 1.85 이상의 굴절률을 나타내었다. 즉, PEG를 첨가함에 따라, 에폭시 수지 조성물의 굴절률이 증가하였다.
결과적으로, 화학식 1로 표현되는 에폭시 수지와 화학식 2로 표현되는 경화제를 혼합하여 제조된 본 발명의 에폭시 수지 조성물은 종래의 아민형 경화제를 사용한 에폭시 수지 조성물에 비해 광투과도가 높다. 또한, 화학식 3으로 표현되는 첨가제를 첨가함에 따라, 경화시간을 단축하고, 광투과도를 향상시키고, 경도를 조절할 수 있으며, 굴절률을 증가시킬 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 광투과율이 90% 이상인 에폭시 수지 조성물 및 그것을 채택하는 발광소자를 제공할 수 있다. 또한, 80D 미만의 듀로미터 쇼어 경도값을 갖는 에폭시 수지 조성물 및 그것을 채택하는 발광소자를 제공할 수 있다. 이에 더하여, 종래 에폭시 수지에 비해 높은 굴절률을 갖는 에폭시 수지 조성물 및 그것을 채택하는 발광 소자를 제공하는 데 있다.
Claims (3)
- 화학식 1로 표현되는 에폭시 수지 25 내지 80 중량%와 화학식 2로 표현되는 경화제 20 내지 75 중량%를 혼합하여 제조된 봉지용 에폭시 수지 조성물.[화학식 1]
여기서 Q는 페닐, 사이클로헥실 및 나프탈렌으로 이루어진 군으로부터 선택되며, R1, R2, R3 및 R4는 서로에 관계없이 수소, 탄소수 1~20의 알킬기, 알킬에스터기, 할로겐 원자, 할로알킬기 및 시아노알킬기로 이루어진 군으로부터 선택되며, n 및 m은 중합도로서 1~100이고, R은 에폭시 주구성원의 연결고리인 격자(spacer)로서 메틸렌, 이소프로필, 2-사이클로헥실에틸렌, 케톤 및 설폰으로 이루어진 군으로부터 선택된다.[화학식 2]
여기서 X는 페닐, 사이클로헥실 및 사이클로헥센으로 이루어진 군으로부터 선택되고, Y는 탄소수 1~30의 알킬기, 알킬에스터기, 할로겐화 알킬기, 할로겐기, 카르복실기 및 수산기로 이루어진 군으로부터 선택된다. - 화학식 1로 표현되는 에폭시 수지 25 내지 80 중량%, 화학식 2로 표현되는 경화제 15 내지 45 중량%, 및 화학식 3으로 표현되는 첨가제 5 내지 30 중량%를 혼합하여 제조된 봉지용 에폭시 수지 조성물.[화학식 1]
여기서 Q는 페닐, 사이클로헥실 및 나프탈렌으로 이루어진 군으로부터 선택되며, R1, R2, R3 및 R4는 서로에 관계없이 수소, 탄소수 1~20의 알킬기, 알킬에스터기, 할로겐 원자, 할로알킬기 및 시아노알킬기로 이루어진 군으로부터 선택되며, n 및 m은 중합도로서 1~100이고, R은 에폭시 주구성원의 연결고리인 격자(spacer)로서 메틸렌, 이소프로필, 2-사이클로헥실에틸렌, 케톤 및 설폰으로 이루어진 군으로부터 선택된다.[화학식 2]
여기서 X는 페닐, 사이클로헥실 및 사이클로헥센으로 이루어진 군으로부터 선택되고, Y는 탄소수 1~30의 알킬기, 알킬에스터기, 할로겐화 알킬기, 할로겐기, 카르복실기 및 수산기로 이루어진 군으로부터 선택된다.[화학식 3]
여기서 A 및 A' 각각은 카르복실기 및 수산기로 이루어진 군으로부터 선택되고, B는 메틸렌기, 에테르기, 에스터기, 설포닐기 및 아미노기로 이루어진 군으로부터 선택되고, n은 중합도로서 1~100이다. - 발광칩; 및상기 발광칩을 봉지하는 청구항 1 또는 청구항 2의 봉지용 에폭시 수지 조성물을 포함하는 발광소자.
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| KR920001443B1 (ko) * | 1988-12-24 | 1992-02-14 | 고려화학 주식회사 | 발광 소자용 열경화성 에폭시 수지 조성물 |
| KR940001073B1 (ko) * | 1990-12-29 | 1994-02-12 | 고려화학 주식회사 | 발광소자용 열경화성 수지 조성물 |
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2004
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