KR100553819B1 - 퍼지효율이 향상된 박막증착장치 - Google Patents

퍼지효율이 향상된 박막증착장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100553819B1
KR100553819B1 KR1020030084986A KR20030084986A KR100553819B1 KR 100553819 B1 KR100553819 B1 KR 100553819B1 KR 1020030084986 A KR1020030084986 A KR 1020030084986A KR 20030084986 A KR20030084986 A KR 20030084986A KR 100553819 B1 KR100553819 B1 KR 100553819B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gas
reaction
reaction vessel
purge
valve
Prior art date
Application number
KR1020030084986A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20050051228A (ko
Inventor
장호승
서태욱
이상규
임홍주
Original Assignee
주식회사 아이피에스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 아이피에스 filed Critical 주식회사 아이피에스
Priority to KR1020030084986A priority Critical patent/KR100553819B1/ko
Publication of KR20050051228A publication Critical patent/KR20050051228A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100553819B1 publication Critical patent/KR100553819B1/ko

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4408Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber by purging residual gases from the reaction chamber or gas lines
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)

Abstract

본 발명은, 퍼지효율이 향상된 박막증착장치에 관한 것으로서, 웨이퍼(w)에 박막을 증착하는 반응용기(100)와, 반응용기(100)로 반응가스 및/또는 퍼지가스를 공급하기 위한 가스박스(200)와, 반응용기 및/또는 가스박스의 반응가스 및/또는 퍼지가스를 외부로 배기시키는 배기펌프(300)를 포함한다. 이때, 반응용기(100)에는, 가스박스(200)로부터 유입되는 반응가스를 반응용기(100) 및/또는 배기펌프(300)로 선택적으로 흐르게 하거나, 퍼지가스를 반응용기(100)로 선택적으로 흐르게 하는 밸브박스(400)가 설치된다.

Description

퍼지효율이 향상된 박막증착장치{Apparatus for depositing thin film on a wafer}
도 1은 종래 박막증착장치의 구성을 도시한 도면,
도 2는 본 발명에 따른 박막증착방치의 구성을 도시한 도면.
<도면의 주요부분에 대한 부호 설명>
100 ... 반응용기 200 ... 가스박스
210 ... 제1반응가스공급원 220 ... 제1연결라인
225 ... 제1바이패스라인 230 ... 제2반응가스공급원
231 ... 제2소스컨테이너 240 ... 제2연결라인
245 ... 제2바이패스라인 250 ... 제1퍼지가스공급원
260 ... 제2퍼지가스공급원 300 ... 배기펌프
400 ... 밸브박스 401, 401b ... 제1용기밸브
402 ... 제2용기밸브
본 발명은 반도체 기판, 예를 들어 웨이퍼에 박막을 증착하기 위한 박막증착 장치에 관한 것으로, 상세하게는 퍼지효율이 향상된 박막증착장치에 관한 것이다.
박막증착장치란 액상반응물질을 반응에 필요한 기상반응물질로 전환시키고 이 기상반응물질을 반응용기로 유입시킴으로써 웨이퍼상에 박막을 증착하는 장치이다.
도 1은 종래 박막증착장치의 구성을 도시한 도면이다.
도시된 바와 같이, 종래의 박막증착장치는, 크게 웨이퍼에 박막을 증착하는 반응용기(100)와, 반응용기(100)로 반응가스 및/또는 퍼지가스를 공급하기 위한 가스박스(200)와, 반응용기(100) 및/또는 가스박스(200)의 반응가스 및/또는 퍼지가스를 외부로 배기시키는 배기펌프(300)를 포함한다.
가스박스(200)는, 반응용기(100)로 제1반응가스와 제2반응가스를 각각 공급하기 위한 제1,2반응가스공급원(210)(230)과, 반응용기(100)를 퍼지시키기 위한 퍼지가스를 공급하는 제1,2퍼지가스공급원(250)(260)을 포함한다.
제1반응가스공급원(210)과 제2반응가스공급원(230) 각각은 제1연결라인(220)과 제2연결라인(240)을 통하여 반응용기(100)와 연결되고, 또 제1바이패스라인(225)과 제2바이패스라인(245)을 통하여 배기펌프(300)와 연결된다. 이때, 가스박스(200)와 반응용기(100)를 연결하여주는 제1,2연결라인(220)(240)의 길이는 통상적으로 2 m 이상을 이룬다.
제1반응가스공급원(210)에는 유입되는 오존을 제1연결라인(220) 또는 제1바이패스라인(225)으로 흐르게 하기 위한 온/오프형 밸브(212a, 212b)들이 설치되어 있다.
제1퍼지가스공급원(250)에는 MFC 에 의하여 유량제어된 퍼지가스를 제1연결라인(220) 또는 제1바이패스라인(225)으로 흐르게 하기 위한 온/오프형 밸브(252a, 252b)들이 설치되어 있다.
제2반응가스공급원(230)에는 액상의 반응물질이 일정량 채워진 제2소스컨테이너(231)와, 여러개의 온/오프형 밸브(232a, 232b, 232c, 232d, 232e)들이 설치되어 있다. 이러한 밸브들의 조작에 의하여 제2반응가스가 제2연결라인(240) 또는 제1바이패스라인(245)으로 흐르게 된다.
제2퍼지가스공급원(260)에는 MFC 에 의하여 유량제어된 퍼지가스를 제2연결라인(240) 또는 제2바이패스라인(245)으로 흐르게 하기 위한 온/오프형 밸브(262a, 262b)들이 설치되어 있다.
상기한 밸브들은 도시되지 않은 제어부에 의하여 제어된다.
이러한 구조에 있어서, 제1반응가스를 피딩할 경우, 밸브(212a)를 개방한다. 그러면, 오존은 제1연결라인(220)을 통하여 반응용기(100)로 피딩된다.
제1반응가스를 퍼지할 경우, 212b 밸브를 개방하고 212a 밸브를 닫으며, 252a 밸브를 개방한다. 그러면, 오존은 제1바이패스라인(225)을 거쳐 배기펌프(300)로 배기되고, 한편 제1퍼지가스공급원(250)으로부터의 퍼지가스는 252a 밸브 → 제1연결라인(220)을 경유하여 반응용기(100)로 공급되면서 제1연결라인(220) 및 반응용기(100)가 퍼지되게 된다.
제2반응가스를 피딩할 경우, 밸브(232a, 232b, 232e)를 개방한다. 그러면, 유입되는 캐리어가스(bubble Ar)는 제2소스컨테이너(231)의 제1반응가스와 함께 제2연결라인(240)을 통하여 반응용기(100)로 피딩된다.
제2반응가스를 퍼지할 경우, 232c, 232d 밸브를 개방하고, 232a, 232b, 232e 밸브를 닫으며, 262a 밸브를 개방한다. 그러면, 캐리어가스는 제2소스컨테이너(231)를 경유하지 않고 제2바이패스라인(245)을 거쳐 배기펌프(300)로 배기되고, 이때, 제1퍼지가스공급원(250)으로부터의 퍼지가스는 262a 밸브 → 제2연결라인(240)을 경유하여 반응용기(100)로 공급되면서 제2연결라인(240) 및 반응용기(100) 내부를 퍼지하게 된다.
즉, 반응용기를 퍼지하기 위하여, 제1,2퍼지가스공급부(250)(260)의 퍼지가스는 제1연결라인(220) 및 제2연결라인(240)을 경유하면서 제1,2연결라인(220)(240)을 퍼지한 후 반응용기(100)로 유입되어 반응용기(100)를 퍼지하게 되는 것이다.
그런데, 반응용기와 가스박스를 연결하는 제1연결라인 및 제2연결라인은 통상적으로 2m 이상의 길이를 가진다. 따라서, 퍼지가스가 제1연결라인과 제2연결라인을 퍼지하는데 많은 시간이 소요되며, 특히, 반응물질이 낮은 기화온도를 갖고 있거나 흡착력(sticky)이 클수록 퍼지시간은 길어진다. 퍼지시간이 길어짐은 장비를 효율적으로 운영하는데 장애가 된다.
또, 퍼지시간이 길어짐에 따라 제1,2연결라인 및 반응용기 내부가 충분히 퍼지되지 않게 되며, 이 경우 반응용기 내부에 반응가스가 남아 다음에 공급되는 다른 반응가스와 반응하게 되어 파티클이나 파우더를 형성하게 되고 이에 따라 박막의 품질을 저하시키게 된다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 창출된 것으로서, 반응가스를 퍼지하는데 소요되는 시간을 단축시킴과 동시에 보다 완벽한 퍼지가 가능하도록 할 수 있는 퍼지효율이 향상된 박막증착장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 박막증착장치는,
웨이퍼(w)에 박막을 증착하는 반응용기(100)와, 상기 반응용기(100)로 반응가스 및/또는 퍼지가스를 공급하기 위한 가스박스(200)와, 상기 반응용기 및/또는 가스박스의 반응가스 및/또는 퍼지가스를 외부로 배기시키는 배기펌프(300)를 포함하는 박막증착장치에 있어서,
상기 가스박스(200)는, 반응용기(100)로 반응가스를 공급하기 위한 반응가스공급원과, 상기 반응용기(100)를 퍼지시키기 위한 퍼지가스를 공급하는 퍼지가스공급원을 포함하고;
상기 반응용기(100)에는, 상기 가스박스(200)로부터 유입되는 반응가스를 상기 반응용기(100) 및/또는 배기펌프(300)로 선택적으로 흐르게 하거나, 퍼지가스를 상기 반응용기(100)로 선택적으로 흐르게 하는 밸브박스(400)가 설치되며;
상기 밸브박스(400)는, 상기 반응가스공급원을 통하여 유입되는 반응가스를 반응용기(100) 및/또는 배기펌프(300)로 선택적으로 흐르게 하는 제1용기밸브(401a, 401b)와, 상기 퍼지가스공급원(250)에서 유입되는 퍼지가스를 상기 반응용기(100)로 선택적으로 흐르게 할 수 있는 제2용기밸브(402)를 포함하는 것을 특징으로 한다.
삭제
삭제
삭제
삭제
이하, 본 발명에 따른 퍼지효율이 향상된 박막증착장치를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명에 따른 박막증착방치의 구성을 도시한 도면이다. 여기서, 도 1에서와 동일한 참조 부호는 동일 기능을 하는 동일 부재이다.
도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 박막증착장치는, 크게 웨이퍼(w)에 박막을 증착하는 반응용기(100)와, 반응용기(100)로 반응가스 및/또는 퍼지가스를 공급하기 위한 가스박스(200)와, 반응용기(100) 및/또는 가스박스(200)의 반응가스 및/또는 퍼지가스를 외부로 배기시키는 배기펌프(300)를 포함한다. 그리고, 반응용기(100)에는, 가스박스(200)로부터 유입되는 반응가스를 반응용기(100) 및/또는 배기펌프(300)로 선택적으로 흐르게 하거나, 퍼지가스를 반응용기(100)로 선택적으로 흐르게 하는 밸브박스(400)가 설치된다.
이러한 밸브박스(400)는 후술할 제1반응가스공급원(210) 및/또는 제2반응가스공급원(230), 제1,2퍼지가스공급원(250)(260)과 유기적으로 연결되는데, 본 실시예에서는 보다 용이한 설명을 위하여, 밸브박스(400)가 제2반응가스공급원(230) 및 제2퍼지가스공급원(260)과 유기적으로 연결된 것을 예로써 설명하겠다.
가스박스(200)는, 반응용기(100)로 제1반응가스와 제2반응가스를 각각 공급하기 위한 제1,2반응가스공급원(210)(230)과, 반응용기(100)를 퍼지시키기 위한 퍼지가스를 공급하는 제1,2퍼지가스공급원(250)(260)을 포함한다.
제1반응가스공급원(210)은 제1연결라인(220)을 통하여 반응용기(100)와 연결 되고, 또 제1바이패스라인(225)을 통하여 배기펌프(300)와 연결된다. 이러한 제1반응가스공급원(210)에는 유입되는 오존을 제1연결라인(220) 또는 제1바이패스라인(225)으로 흐르게 하기 위한 온/오프형 밸브(212a, 212b)들이 설치되어 있다. 따라서 이러한 밸브들의 조작에 의하여 제1반응가스가 제1연결라인(220) 또는 제1바이패스라인(225)으로 흐르게 된다.
제1퍼지가스공급원(250)은 MFC 에 의하여 유량제어된 퍼지가스를 제1연결라인(220) 또는 제1바이패스라인(225)으로 흐르게 하기 위한 온/오프형 밸브(252a, 252b)들을 포함한다.
제2반응가스공급원(230)은 제2연결라인(240)을 매개로 하여 반응용기(100)에 설치된 밸브박스(400)와 연결되고, 제2바이패스라인(245)을 통하여 배기펌프(300)와 연결된다. 이러한 제2반응가스공급원(230)에는 액상의 반응물질이 일정량 채워진 제2소스컨테이너(231)와, 여러개의 온/오프형 밸브(232a, 232b, 232c, 232d, 232e)들이 설치되어 있다. 따라서, 이러한 밸브들의 조작에 의하여 제2반응가스가 제2연결라인(240) 또는 제2바이패스라인(245)으로 흐르게 된다.
제2퍼지가스공급원(260)은 MFC 에 의하여 유량제어된 퍼지가스를 제2연결라인(240) 또는 제2바이패스라인(245)으로 흐르게 하기 위한 온/오프형 밸브(262a, 262b)들을 포함한다. 그리고, 제2퍼지가스공급원(260)은 밸브박스(400)의 제2용기밸브(402)와도 연결된다.
밸브박스(400)는 제2연결라인(240)을 통하여 유입되는 반응가스를 반응용기(100) 및/또는 배기펌프(300)로 선택적으로 흐르게 하는 제1용기밸브(401a, 401b)와, 제2퍼지가스공급원(260)에서 유입되는 퍼지가스를 반응용기(100)로 흐르게 할 수 있는 제2용기밸브(402)를 포함한다. 밸브박스(400)는 반응용기(100)의 탑리드 또는 리엑터블럭에 설치됨으로써, 그 밸브박스(400)와 반응용기(100) 사이에서 퍼지하기 위한 라인의 길이를 최소화한다.
이러한 구조에 있어서, 제1반응가스를 피딩할 경우, 밸브(212a)를 개방한다. 그러면, 오존은 제1연결라인(220)을 통하여 반응용기(100)로 피딩된다.
제1반응가스를 퍼지할 경우, 212b 밸브를 개방하고 212a 밸브를 닫으며, 252a 밸브를 개방한다. 그러면, 오존은 제1바이패스라인(225)을 거쳐 배기펌프(300)로 배기되고, 한편 제1퍼지가스공급원(250)으로부터의 퍼지가스는 252a 밸브 → 제1연결라인(220)을 경유하여 반응용기(100)로 공급되면서 제1연결라인(220) 및 반응용기(100)가 퍼지되게 된다.
제2반응가스를 피딩할 경우, 밸브(232a, 232b, 232e)와, 밸브박스(400)의 제1용기밸브(401a)를 개방한다. 그러면, 유입되는 캐리어가스(bubble Ar)는 제2소스컨테이너(231)의 제1반응가스와 함께 232b 밸브 → 232e 밸브 → 제2연결라인(240) → 401a 제1용기밸브를 경유한 후 곧바로 반응용기(100)로 피딩된다.
한편, 제2반응가스를 퍼지할 경우, 232c, 232d 밸브를 개방하고, 232a, 232b, 232e 밸브를 닫으며, 밸브박스(400)의 401b 제1용기밸브를 개방하고 401a 제1용기밸브를 닫는다. 그리고, 제2용기밸브(402)를 개방한다. 그러면, 캐리어가스는 제2소스컨테이너(231)를 경유하지 않고 제2바이패스라인(245)을 거쳐 배기펌프(300)로 배기되고, 이때, 제2퍼지가스공급원(260)으로부터의 퍼지가스는 제2용기밸브(402)를 거쳐 곧바로 반응용기(100)로 유입된다.
즉, 401a 제1용기밸브가 닫혀지고 제2용기밸브(402)가 개방되므로, 실질적으로 제2연결라인(240)을 퍼지할 필요가 없어지고 곧바로 반응용기(100)를 퍼지하게 되는 것이다. 이는, 종래와 같이 퍼지가스가 2m 이상의 제2연결라인(240)을 퍼지한 후 반응용기(100)를 퍼지하는 것과 대별된다. 따라서, 본 발명에서는 제2연결라인(240)을 실질적으로 퍼지할 필요가 없어지므로, 결과적으로 전체적인 퍼지시간이 단축된다.
특히, 반응물질이 낮은 기화온도를 갖고 있거나 흡착력이 클수록 종래에 비하여 퍼지시간을 현저히 단축할 수 있다. 또, 퍼지가스가 곧바로 반응용기로 공급되어 반응용기 내부의 퍼지가 충분히 이루어지므로, 반응용기 내부에서 다른 반응가스와 반응하여 파티클이나 파우더를 형성하지 않게 되고 박막의 품질의 저하를 막을 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다.
이와 같이 본 발명에 따른 박막증착장치에 따르면, 반응용기에 설치되는 밸브박스를 채용함으로써, 실질적으로 연결라인을 퍼지할 필요가 없어져 전체적인 퍼지시간을 줄일 수 있다. 특히, 반응물질이 낮은 기화온도를 갖고 있거나 흡착력이 클수록 퍼지시간을 현저히 단축할 수 있다.
또, 충분한 퍼지가 이루어지므로, 반응용기 내부에서 반응가스가 다른 반응가스와 반응하지 않게 되어 원하지 않는 파티클이나 파우더가 형성되지 않게 되므로, 결과적으로 박막 품질의 저하를 막을 수 있다.

Claims (2)

  1. 웨이퍼(w)에 박막을 증착하는 반응용기(100)와, 상기 반응용기(100)로 반응가스 및/또는 퍼지가스를 공급하기 위한 가스박스(200)와, 상기 반응용기 및/또는 가스박스의 반응가스 및/또는 퍼지가스를 외부로 배기시키는 배기펌프(300)를 포함하는 박막증착장치에 있어서,
    상기 가스박스(200)는, 반응용기(100)로 반응가스를 공급하기 위한 반응가스공급원과, 상기 반응용기(100)를 퍼지시키기 위한 퍼지가스를 공급하는 퍼지가스공급원을 포함하고;
    상기 반응용기(100)에는, 상기 가스박스(200)로부터 유입되는 반응가스를 상기 반응용기(100) 및/또는 배기펌프(300)로 선택적으로 흐르게 하거나, 퍼지가스를 상기 반응용기(100)로 선택적으로 흐르게 하는 밸브박스(400)가 설치되며;
    상기 밸브박스(400)는, 상기 반응가스공급원을 통하여 유입되는 반응가스를 반응용기(100) 및/또는 배기펌프(300)로 선택적으로 흐르게 하는 제1용기밸브(401a, 401b)와, 상기 퍼지가스공급원(250)에서 유입되는 퍼지가스를 상기 반응용기(100)로 선택적으로 흐르게 할 수 있는 제2용기밸브(402)를 포함하는 것을 특징으로 하는 퍼지효율이 향상된 박막증착장치.
  2. 삭제
KR1020030084986A 2003-11-27 2003-11-27 퍼지효율이 향상된 박막증착장치 KR100553819B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030084986A KR100553819B1 (ko) 2003-11-27 2003-11-27 퍼지효율이 향상된 박막증착장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030084986A KR100553819B1 (ko) 2003-11-27 2003-11-27 퍼지효율이 향상된 박막증착장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20050051228A KR20050051228A (ko) 2005-06-01
KR100553819B1 true KR100553819B1 (ko) 2006-02-20

Family

ID=38666478

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020030084986A KR100553819B1 (ko) 2003-11-27 2003-11-27 퍼지효율이 향상된 박막증착장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100553819B1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102180282B1 (ko) * 2016-01-26 2020-11-18 주식회사 원익아이피에스 박막 증착용 가스공급장치 및 그 제어방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR20050051228A (ko) 2005-06-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100282853B1 (ko) 연속기체분사에의한반도체박막증착장치
KR100330749B1 (ko) 반도체 박막증착장치
KR100522951B1 (ko) 기질 코팅 시스템 및 기질 코팅 시스템용 선-반응 장치
US7632757B2 (en) Method for forming silicon oxynitride film
US7442656B2 (en) Method and apparatus for forming silicon oxide film
US7758920B2 (en) Method and apparatus for forming silicon-containing insulating film
US8679253B2 (en) Deposition apparatus and method for depositing film
KR20190138272A (ko) 가스 분배 시스템 및 이를 포함하는 반응기 시스템
CN109666921B (zh) 用于原子层沉积的系统和方法
CN105177525A (zh) 成膜装置和成膜方法
US20050081787A1 (en) Apparatus and method for supplying a source, and method of depositing an atomic layer using the same
US6810897B2 (en) Process gas supply mechanism for ALCVD systems
KR20140097034A (ko) 성막 방법 및 성막 장치
US11286563B2 (en) Substrate processing apparatus, substrate processing system, and substrate processing method
KR100553819B1 (ko) 퍼지효율이 향상된 박막증착장치
KR100657169B1 (ko) 박막증착용 반응용기 및 그를 채용하는 박막증착시스템
US20050000426A1 (en) Methods and apparatus for depositing a thin film on a substrate
KR100682742B1 (ko) 박막증착장치
KR20170110518A (ko) 질화막의 형성 방법 및 기억 매체
KR100570085B1 (ko) 박막증착용 반응용기
JP7257025B2 (ja) 流体供給システム
US20040112290A1 (en) Apparatus for forming film in semiconductor process and method for feeding gas into the same apparatus
US20040112289A1 (en) Thin-film deposition apparatus and method for rapidly switching supply of source gases
JP4936310B2 (ja) Iii族窒化物系化合物半導体の製造装置
US20060231026A1 (en) Vapor deposition systems having separate portions configured for purging using different materials

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130114

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131206

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141230

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151209

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161206

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171204

Year of fee payment: 13

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181211

Year of fee payment: 14

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191210

Year of fee payment: 15