KR100657169B1 - 박막증착용 반응용기 및 그를 채용하는 박막증착시스템 - Google Patents
박막증착용 반응용기 및 그를 채용하는 박막증착시스템 Download PDFInfo
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Abstract
Description
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- 탑리드(120)에 의하여 밀봉되는 챔버(110);상기 챔버(110) 내부에 설치되며 웨이퍼(w)가 로딩되는 웨이퍼블럭(130);상기 챔버(110) 내부에 남아있는 가스를 배기하는 배기라인(140);상기 챔버(110)에 직접 장착되는 것으로서 그 내부에 상기 챔버(110) 내부와 연결되는 다수의 유로가 형성된 피딩블럭(155)과, 상기 유로 각각에 대응되도록 상기 피딩블럭(155)의 상부에 설치되는 제1,2,3,4용기밸브(V1)(V2)(V3)(V4)를 가지는 밸브유닛(150);을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막증착용 반응용기.
- 웨이퍼(w)에 박막을 증착하는 반응용기(100)와, 상기 반응용기(100)로 반응가스 및/또는 퍼지가스를 공급하기 위한 가스박스(200)와, 상기 반응용기(100) 및/또는 가스박스(200)의 반응가스 및/또는 퍼지가스를 외부로 배기시키는 배기펌프(300)를 포함하는 박막증착시스템에 있어서,상기 가스박스(200)는, 상기 반응용기(100)로 반응가스를 공급하기 위한 반응가스공급원과, 상기 반응용기(100)를 퍼지시키기 위한 퍼지가스를 공급하는 퍼지가스공급원을 포함하고;상기 반응용기(100)는, 탑리드(120)에 의하여 밀봉되는 챔버(110)와, 상기 챔버(110) 내부에 설치되며 웨이퍼(w)가 로딩되는 웨이퍼블럭(130)과, 상기 챔버(110) 내부에 남아있는 가스를 배기하기 위하여 상기 배기펌프(300)와 연결되는 배 기라인(140)과, 상기 챔버(110)에 직접 장착되는 것으로서 다수개의 조작 가능한 밸브를 가지는 밸브유닛(150)을 포함하며;상기 밸브유닛(150)은, 상기 챔버(110)에 직접 장착되는 것으로서 그 내부에 챔버(110) 내부와 연결되는 다수의 유로가 형성된 피딩블럭(155)과, 상기 유로 각각에 대응되도록 상기 피딩블럭(155)의 상부에 설치되는 것으로서 상기 반응가스공급원을 통하여 유입되는 반응가스를 상기 챔버(110) 및/또는 배기라인(140)으로 선택적으로 흐르게 하는 제1,2용기밸브(V1)(V2)와, 상기 유로 각각에 대응되도록 상기 피딩블럭(155)의 상부에 설치되는 것으로서 상기 퍼지가스공급원에서 유입되는 퍼지가스를 상기 반응용기(100) 및/또는 배기라인(140)으로 선택적으로 흐르게 하는 제3,4용기밸브(V3)(V4)를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막증착시스템.
- 제2항에 있어서,상기 피딩블럭(155)의 내부에는, 상기 챔버(110) 내부와 연결되는 제2유로(L2)와, 상기 퍼지가스공급원과 제3연결라인(270)에 의하여 연결되는 제3유로(L3)와, 상기 제2반응가스공급원과 제2연결라인(240)에 의하여 연결되는 제4유로(L4)와, 상기 배기라인(140)과 연결되는 제5유로(L5) 및 제6유로(L6)가 형성되어 있고;상기 제1용기밸브(V1)는 상기 제2유로(L2)와 상기 제4유로(L4) 사이를 온/오프하고, 상기 제2용기밸브(V2)는 상기 제4유로(L4)와 제5유로(L5) 사이를 온/오프하며, 상기 제3용기밸브(V3)는 상기 제3유로(L3)와 제2유로(L2) 사이를 온/오프하고, 상기 제4용기밸브(V4)는 상기 제3유로(L3)와 제6유로(L6)를 온/오프하는 것;을 특징으로 하는 박막증착시스템.
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050124916A KR100657169B1 (ko) | 2005-12-17 | 2005-12-17 | 박막증착용 반응용기 및 그를 채용하는 박막증착시스템 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1020050124916A KR100657169B1 (ko) | 2005-12-17 | 2005-12-17 | 박막증착용 반응용기 및 그를 채용하는 박막증착시스템 |
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KR100657169B1 true KR100657169B1 (ko) | 2006-12-14 |
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ID=37733197
Family Applications (1)
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KR1020050124916A KR100657169B1 (ko) | 2005-12-17 | 2005-12-17 | 박막증착용 반응용기 및 그를 채용하는 박막증착시스템 |
Country Status (1)
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KR (1) | KR100657169B1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115595559A (zh) * | 2022-10-27 | 2023-01-13 | 拓荆科技股份有限公司(Cn) | 多腔室半导体设备 |
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2005
- 2005-12-17 KR KR1020050124916A patent/KR100657169B1/ko active IP Right Grant
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