CN111188026A - 气体处理系统、气体处理方法及原子层沉积设备 - Google Patents

气体处理系统、气体处理方法及原子层沉积设备 Download PDF

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CN111188026A CN201811351794.0A CN201811351794A CN111188026A CN 111188026 A CN111188026 A CN 111188026A CN 201811351794 A CN201811351794 A CN 201811351794A CN 111188026 A CN111188026 A CN 111188026A
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Abstract

本发明提供一种气体处理系统、气体处理方法及原子层沉积设备，该系统包括：第一气路，用于向反应腔室内通入第一工艺气体；在第一气路上设置有第一开关；第一旁路，其进气端与第一气路连接，用于排出第一气路中的第一工艺气体，使之不流入反应腔室；在第一旁路上设置有第二开关；第二气路，用于向反应腔室内通入第一吹扫气体；在第二气路上设置有第三开关；第二旁路，其进气端与第二气路连接，用于排出第二气路中的第一吹扫气体，使之不流入反应腔室；在第二旁路上设置有第四开关。本发明提供的气体处理系统，其可以平衡腔室压力，从而避免因泵口压力突然增加而产生气体回流至腔室的现象，造成腔室的颗粒污染严重。

Description

气体处理系统、气体处理方法及原子层沉积设备
技术领域
本发明涉及半导体制造领域，具体地，涉及一种气体处理系统、气体处理方法及原子层沉积设备。
背景技术
原子层沉积(Atomic Layer Deposition，以下简称ALD)技术作为一种优异的镀膜技术被广泛应用于半导体领域。ALD技术是通过将多种气相前驱体交替地通入反应腔室并发生化学反应而在基底上形成沉积膜的一种技术，该技术可以将物质以单原子膜形式逐层镀在基底表面。
在完成一种前驱体的反应之后，且在向反应腔室通入下一种前驱体之前，向反应腔室通入吹扫气体，以对基体表面及腔室内部进行吹扫，从而能够清除未吸附在基体表面的过剩前驱体，保证化学反应只在基体表面发生。以ALD Al2O3工艺为例，前躯体TMA和O3气体交替通入反应腔室，完成ALD Al2O3工艺。具体地，ALD Al2O3工艺包括以下步骤：
第一步，携带气体进入前躯体A(TMA)源瓶，携带前躯体A与前躯体A的稀释气体汇合后通入反应腔室。
第二步，上述前躯体A的携带气体不进入前躯体A源瓶，直接与前躯体A的稀释气体汇合后通入反应腔室，以进行吹扫。
第三步，前躯体B(O3)与前躯体B的稀释气体汇合后通入反应腔室。
第四步，前躯体B(O3)直接排出，而不经过反应腔室；只有前躯体B的稀释气体通入反应腔室，以进行吹扫。
上述ALD工艺在实际应用在不可避免地存在以下问题，即：在循环进行上述第一步至第四步的过程中，在第三步与第四步之间切换时，由于前躯体B在通入与不通入反应腔室之间切换，导致腔室进气总量的波动较大，腔室压力产生较大变化，从而会因泵口压力突然增加而产生气体回流至腔室的现象，造成腔室的颗粒污染严重。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种气体处理系统、气体处理方法及原子层沉积设备，其可以在将工艺气体通入或者不通入反应腔室之间切换时，避免腔室进气总量的波动较大，平衡腔室压力，从而避免因泵口压力突然增加而产生气体回流至腔室的现象，造成腔室的颗粒污染严重。
为实现本发明的目的而提供一种气体处理系统，包括：
第一气路，用于向反应腔室内通入第一工艺气体；在所述第一气路上设置有第一开关；
第一旁路，其进气端与所述第一气路连接，用于排出所述第一气路中的第一工艺气体，使之不流入所述反应腔室；在所述第一旁路上设置有第二开关；
第二气路，用于向反应腔室内通入第一吹扫气体；在所述第二气路上设置有第三开关；
第二旁路，其进气端与所述第二气路连接，用于排出所述第二气路中的第一吹扫气体，使之不流入所述反应腔室；在所述第二旁路上设置有第四开关。
可选的，还包括：
回收设备，与所述第一旁路的出气端连接，用于回收所述第一工艺气体。
可选的，所述第一工艺气体为臭氧；
所述气体处理系统还包括臭氧产生装置，所述臭氧产生装置的出气端与所述第一气路的进气端连接；
所述回收设备包括臭氧破解器、增压装置和存储装置，其中，
所述臭氧破解器分别与所述第一旁路的出气端和所述增压装置连接，用于将所述第一旁路流出的臭氧分解为氧气；
所述增压装置与所述存储装置连接，用于将来自所述臭氧破解器的氧气输送至所述存储装置；
所述存储装置与所述臭氧产生装置的进气端连接，用于存储所述氧气，并能够向所述臭氧产生装置提供所述氧气。
可选的，所述气体处理系统还包括：
第三气路，用于向所述存储装置提供氧气；在所述第三气路上设置有第一流量调节阀；
第四气路，用于向所述存储装置提供氮气；在所述第四气路上设置有第二流量调节阀。
可选的，所述回收设备还包括压力检测装置，用于检测所述存储装置中的气体压力。
可选的，所述气体处理系统还包括：
排气装置，分别与所述反应腔室和所述第二旁路的出气端连接，用于排出所述反应腔室中的气体和所述第二旁路中的第一吹扫气体。
可选的，所述排气装置包括排气气路，所述排气气路的两端分别与所述反应腔室和尾气处理系统连接；并且，在所述排气气路上设置有抽气装置，用于抽出所述反应腔室内的气体；
在所述排气气路上，且位于所述抽气装置与所述尾气处理系统之间设置有单向阀，并且，所述第二旁路的出气端位于所述单向阀与所述尾气处理系统之间。
可选的，所述气体处理系统还包括：
第五气路，用于向所述反应腔室内通入稀释气体；在所述第五气路上设置有第三流量调节阀；
第六气路，其出气端与所述第五气路连接，用于向所述第五气路输送第二吹扫气体；在所述第六气路上设置有第五开关和第四流量调节阀；
源瓶，用于存储第二工艺气体；
第三旁路，其进气端与所述第六气路连接，且位于所述第五开关的上游；所述第三旁路的出气端与所述源瓶的进气端连接；在所述第三旁路上设置有第六开关；
第四旁路，其出气端与所述第六气路连接，且位于所述第五开关的下游；所述第四旁路的进气端与所述源瓶的出气端连接；在所述第四旁路上设置有第七开关。
作为另一个技术方案，本发明还提供一种气体处理方法，采用本发明提供的上述气体处理系统，所述气体处理方法包括以下步骤：
S11，开启所述第一开关，同时关闭所述第二开关，以及开启所述第四开关，同时关闭所述第三开关，以利用所述第一气路向反应腔室内通入第一工艺气体，以及利用所述第二旁路排出所述第二气路中的第一吹扫气体，使之不流入所述反应腔室；
S12，关闭所述第一开关，同时开启所述第二开关，以及关闭所述第四开关，同时开启所述第三开关，以利用所述第一旁路排出所述第一气路中的第一工艺气体，使之不流入所述反应腔室，以及利用所述第二气路向反应腔室内通入第一吹扫气体。
可选的，所述气体处理系统还包括：
第五气路，用于向所述反应腔室内通入稀释气体；在所述第五气路上设置有第三流量调节阀；
第六气路，其出气端与所述第五气路连接，用于向所述第五气路输送第二吹扫气体；在所述第六气路上设置有第五开关和第四流量调节阀；
源瓶，用于存储第二工艺气体；
第三旁路，其进气端与所述第六气路连接，且位于所述第五开关的上游；所述第三旁路的出气端与所述源瓶的进气端连接；在所述第三旁路上设置有第六开关；
第四旁路，其出气端与所述第六气路连接，且位于所述第五开关的下游；所述第四旁路的进气端与所述源瓶的出气端连接；在所述第四旁路上设置有第七开关；
在所述步骤S11之前，还包括以下步骤：
S01，开启所述第六开关和第七开关，同时关闭所述第五开关，以使所述第六气路中的第二吹扫气体流入所述源瓶，并携带所述第二工艺气体流入所述第五气路与所述稀释气体混合，并利用所述第五气路通入所述反应腔室；
S02，关闭所述第六开关和第七开关，同时开启所述第五开关，以使所述第六气路中的第二吹扫气体流入所述第五气路与所述稀释气体混合，并利用所述第五气路通入所述反应腔室；
循环进行所述步骤S01、步骤S02、步骤S11和步骤S12至少一次。
可选的，所述气体处理系统还包括：
回收设备，与所述第一旁路的出气端连接，用于回收所述第一工艺气体；
在所述步骤S12中，利用所述回收设备回收自所述第一旁路排出的第一工艺气体。
作为另一个技术方案，本发明还提供一种原子层沉积设备，包括本发明提供的上述气体处理系统。
本发明具有以下有益效果：
本发明提供的气体处理系统、气体处理方法及原子层沉积设备的技术方案中，通过选择性地控制第一开关至第四开关，可以实现在工艺时利用第一气路向反应腔室内通入第一工艺气体，同时利用第二旁路排出第二气路中的第一吹扫气体，使之不流入反应腔室；或者，在吹扫时利用第一旁路排出第一气路中的第一工艺气体，使之不流入反应腔室，同时利用第二气路向反应腔室内通入第一吹扫气体。由此，第一吹扫气体可以用作压力平衡气体，从而在将工艺气体通入或者不通入反应腔室之间切换时，可以避免腔室进气总量的波动较大，平衡腔室压力，进而避免因真空泵的泵口压力突然增加而产生气体回流至腔室的现象，造成腔室的颗粒污染严重。
附图说明
图1为本发明第一实施例提供的气体处理系统的结构图；
图2为本发明第二实施例提供的气体处理系统的结构图；
图3为本发明第三实施例提供的气体处理方法的流程框图；
图4为本发明第四实施例提供的气体处理方法的流程框图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图来对本发明提供的气体处理系统、气体处理方法及原子层沉积设备进行详细描述。
请参阅图1，本发明第一实施例提供的气体处理系统，其包括第一气路101、第一旁路102、第二气路103和第二旁路104，其中，第一气路101用于向反应腔室100内通入第一工艺气体。并且，第一气路101上设置有第一开关105，用于接通或断开第一气路101；第一旁路102的进气端与第一气路101连接，用于排出第一气路101中的第一工艺气体，使之不流入反应腔室100。并且，在第一旁路102上设置有第二开关106，用于接通或断开第一旁路102。第二气路103用于向反应腔室100内通入第一吹扫气体；在第二气路103上设置有第三开关107，用于接通或断开第二气路103；第二旁路104的进气端与第二气路103连接，用于排出第二气路103中的第一吹扫气体，使之不流入反应腔室100；并且，在第二旁路104上设置有第四开关108，用于接通或断开第二旁路104。
在进行工艺时，通过开启第一开关105和第四开关108，关闭第二开关106和第三开关107，可以接通第一气路101，断开第一旁路102，以能够利用第一气路101向反应腔室101内通入第一工艺气体，同时接通第二旁路104，断开第二气路103，以能够利用第二旁路104排出第二气路103中的第一吹扫气体，使之不流入反应腔室100。
在进行吹扫时，通过开启第二开关106和第三开关107，关闭第一开关105和第四开关108，可以接通第一旁路102，断开第一气路101，以能够利用第一旁路102排出第一气路中101的第一工艺气体，使之不流入反应腔室100，同时接通第二气路103，断开第二旁路104，以能够利用第二气路103向反应腔室100内通入第一吹扫气体。
由上可知，本发明第一实施例提供的气体处理系统，其可以在不向反应腔室100内通入第一工艺气体时，将第一吹扫气体用作压力平衡气体通入反应腔室100，从而可以避免腔室进气总量的波动较大，平衡腔室压力，进而避免因真空泵的泵口压力突然增加而产生气体回流至腔室的现象，造成腔室的颗粒污染严重。
请参阅图2，本发明第二实施例提供的气体处理系统，其是在上述第一实施例的基础上所作的改进，具体地，该气体处理系统包括第一气路247、第一旁路245、第二气路246和第二旁路243。其中，第一气路247用于向反应腔室200内通入第一工艺气体。并且，第一气路247上设置有第一开关234，用于接通或断开第一气路247；第一旁路245的进气端与第一气路247连接，用于排出第一气路247中的第一工艺气体，使之不流入反应腔室200。并且，在第一旁路245上设置有第二开关238，用于接通或断开第一旁路245。第二气路246用于向反应腔室200内通入第一吹扫气体；在第二气路246上设置有第三开关236，用于接通或断开第二气路246；第二旁路243的进气端与第二气路246连接，用于排出第二气路246中的第一吹扫气体，使之不流入反应腔室200；并且，在第二旁路243上设置有第四开关235，用于接通或断开第二旁路243。
在本实施例中，气体处理系统还包括回收设备，其与第一旁路245的出气端连接，用于回收第一工艺气体。这样，可以对第一工艺气体进行再利用，从而可以提高工艺气体利用率，降低工艺成本。
可选的，若上述第一工艺气体为臭氧(O3)，则可以通过对臭氧分解成氧气，来实现臭氧的再利用。具体地，气体处理系统还包括臭氧产生装置214，该臭氧产生装置214的出气端与第一气路247的进气端连接。通过向臭氧产生装置214中通入氧气和催化剂(氮气)，可以生产臭氧。
而且，回收设备包括臭氧破解器220、增压装置222和存储装置217，其中，臭氧破解器220分别与第一旁路245的出气端和增压装置222连接，用于将第一旁路245流出的臭氧分解为氧气；增压装置222与存储装置217连接，用于将来自臭氧破解器220的氧气输送至存储装置217；存储装置217与臭氧产生装置214的进气端连接，用于存储氧气，并能够向臭氧产生装置214提供氧气。由此，可以实现臭氧的再利用。
在实际应用中，可以根据具体的工艺气体种类，采用相应的回收设备和回收方法。
在本实施例中，气体处理系统还包括第三气路250、第四气路251、氧气源213和氮气源280，其中，氧气源213通过第三气路250向存储装置217提供氧气；并且在第三气路250上设置有第一流量调节阀221，用于调节氧气的流量大小。氮气源280通过第四气路251向存储装置217提供氮气；并且在第四气路251上设置有第二流量调节阀216，用于调节氮气的流量大小。此外，在第三气路250上设置有第八开关237；在第四气路251上设置有第九开关239。
可选的，回收设备还包括压力检测装置218，用于检测存储装置217中的气体压力。可以根据压力检测装置218反馈的存储装置217中的气体压力，来调节氧气和氮气的流量大小。
在本实施例中，气体处理系统还包括排气装置，其分别与反应腔室200和第二旁路243的出气端连接，用于排出反应腔室200中的气体和第二旁路243中的第一吹扫气体。当然，在实际应用中，也可以分别为反应腔室200和第二旁路243单独配置排气装置。另外，第一旁路245也可以配置排气装置，直接排出第一气路247中的第一工艺气体，使之不流入反应腔室200。
具体的，排气装置包括排气气路252，该排气气路252的两端分别与反应腔室200和尾气处理系统204连接；并且，在排气气路252上设置有抽气装置203，用于抽出反应腔室200内的气体，该抽气装置203可以为真空泵或者分子泵等等。而且，在排气气路252上，且位于抽气装置203与尾气处理系统204之间设置有单向阀219，并且，第二旁路243的出气端位于单向阀219与尾气处理系统204之间。另外，在排气气路252上还设置有流量调节阀208，该流量调节阀208例如为蝶阀。
通过设置单向阀219，并使第二旁路243的出气端位于单向阀219与尾气处理系统204之间，即，位于抽气装置203的下游，可以避免抽气装置203的下游的气体因压力增加而反流至抽气装置203，影响抽气装置203的正常工作。
在本实施例中，气体处理系统还包括第五气路241、第六气路242、源瓶210、第三旁路253和第四旁路254，其中，第五气路241用于向反应腔室200内通入稀释气体；并且在第五气路241上设置有第三流量调节阀212，用于调节稀释气体的流量大小。第六气路242的出气端与第五气路241连接，用于向第五气路241输送第二吹扫气体；在第六气路242上设置有第五开关232和第四流量调节阀211。
源瓶210用于存储第二工艺气体；第三旁路253的进气端与第六气路242连接，且位于第五开关232的上游；第三旁路253的出气端与源瓶210的进气端连接；并且在第三旁路253上设置有第六开关231；第四旁路254的出气端与第六气路242连接，且位于第五开关232的下游；第四旁路254的进气端与源瓶210的出气端连接；并且在第四旁路254上设置有第七开关233。
以ALD Al2O3工艺为例，上述第二工艺气体为前躯体TMA；上述第一工艺气体为O3气体；二者交替通入反应腔室200，完成ALD Al2O3工艺。具体地，首先通入第二工艺气体，具体过程为：开启第六开关231和第七开关233，同时关闭第五开关232，以使第六气路242中的第二吹扫气体流入源瓶210，并携带第二工艺气体流入第五气路241与稀释气体混合，并利用第五气路241通入反应腔室200。
然后，停止通入第二工艺气体，开始通入第二吹扫气体，具体过程为：关闭第六开关231和第七开关233，同时开启第五开关232，以使第六气路242中的第二吹扫气体不经过源瓶210直接流入第五气路241与稀释气体混合，并利用第五气路241通入反应腔室200。
综上所述，本发明上述各个实施例提供的气体处理系统，通过选择性地控制第一开关至第四开关，可以实现在工艺时利用第一气路向反应腔室内通入第一工艺气体，同时利用第二旁路排出第二气路中的第一吹扫气体，使之不流入反应腔室；或者，在吹扫时利用第一旁路排出第一气路中的第一工艺气体，使之不流入反应腔室，同时利用第二气路向反应腔室内通入第一吹扫气体。由此，第一吹扫气体可以用作压力平衡气体，从而在将工艺气体通入或者不通入反应腔室之间切换时，可以避免腔室进气总量的波动较大，平衡腔室压力，进而避免因真空泵的泵口压力突然增加而产生气体回流至腔室的现象，造成腔室的颗粒污染严重。
作为另一个技术方案，本发明第三实施例还提供一种气体处理方法，其采用本发明上述各个实施例提供的气体处理系统。下面以上述第一实施例提供的气体处理系统为例对本实施例提供的气体处理方法进行详细描述。
具体地，请一并参阅图1和图3，该气体处理方法包括以下步骤：
S11，开启第一开关105，同时关闭第二开关106，以及开启第四开关108，同时关闭第三开关107，以利用第一气路101向反应腔室100内通入第一工艺气体进行相应的工艺，以及利用第二旁路104排出第二气路103中的第一吹扫气体，使之不流入反应腔室100。
S12，关闭第一开关105，同时开启第二开关106，以及关闭第四开关108，同时开启第三开关107，以利用第一旁路102排出第一气路101中的第一工艺气体，使之不流入反应腔室100，以及利用第二气路103向反应腔室100内通入第一吹扫气体。
在不向反应腔室100内通入第一工艺气体时，将第一吹扫气体用作压力平衡气体通入反应腔室100，从而可以避免腔室进气总量的波动较大，平衡腔室压力，进而避免因真空泵的泵口压力突然增加而产生气体回流至腔室的现象，造成腔室的颗粒污染严重。
本发明第四实施例提供的气体处理方法，其是在上述第三实施例的基础上所作的改进。下面以上述第二实施例提供的气体处理方法为例对本实施例提供的气体处理方法进行详细描述。
具体地，请一并参阅图2和图4，本实施例提供的气体处理方法同样包括上述步骤S11和步骤S12。并且，在步骤S11之前，还包括以下步骤：
S01，开启第六开关231和第七开关233，同时关闭第五开关232，以使第六气路242中的第二吹扫气体流入源瓶210，并携带第二工艺气体流入第五气路241与稀释气体混合，并利用第五气路241通入反应腔室200；
S02，关闭第六开关231和第七开关233，同时开启第五开关232，以使第六气路242中的第二吹扫气体不经过源瓶210直接流入第五气路241与稀释气体混合，并利用第五气路241通入反应腔室200。
循环进行上述步骤S01、步骤S02、步骤S11和步骤S12至少一次。
上述气体处理方法可以应用于ALD Al2O3工艺，其中，上述第二工艺气体为前躯体TMA；上述第一工艺气体为O3气体；二者交替通入反应腔室200，完成ALD Al2O3工艺。
可选的，在上述步骤S12中，利用回收设备回收自第一旁路245排出的第一工艺气体。这样，可以对第一工艺气体进行再利用，从而可以提高工艺气体利用率，降低工艺成本。
作为另一个技术方案，本发明还提供一种原子层沉积设备，其包括本发明提供的上述气体处理系统。
本发明提供的原子层沉积设备，其通过采用本发明提供的上述气体处理系统，可以在将工艺气体通入或者不通入反应腔室之间切换时，避免腔室进气总量的波动较大，平衡腔室压力，从而避免因泵口压力突然增加而产生气体回流至腔室的现象，造成腔室的颗粒污染严重。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (12)

1.一种气体处理系统，其特征在于，包括：
第一气路，用于向反应腔室内通入第一工艺气体；在所述第一气路上设置有第一开关；
第一旁路，其进气端与所述第一气路连接，用于排出所述第一气路中的第一工艺气体，使之不流入所述反应腔室；在所述第一旁路上设置有第二开关；
第二气路，用于向反应腔室内通入第一吹扫气体；在所述第二气路上设置有第三开关；
第二旁路，其进气端与所述第二气路连接，用于排出所述第二气路中的第一吹扫气体，使之不流入所述反应腔室；在所述第二旁路上设置有第四开关。
2.根据权利要求1所述的气体处理系统，其特征在于，还包括：
回收设备，与所述第一旁路的出气端连接，用于回收所述第一工艺气体。
3.根据权利要求2所述的气体处理系统，其特征在于，所述第一工艺气体为臭氧；
所述气体处理系统还包括臭氧产生装置，所述臭氧产生装置的出气端与所述第一气路的进气端连接；
所述回收设备包括臭氧破解器、增压装置和存储装置，其中，
所述臭氧破解器分别与所述第一旁路的出气端和所述增压装置连接，用于将所述第一旁路流出的臭氧分解为氧气；
所述增压装置与所述存储装置连接，用于将来自所述臭氧破解器的氧气输送至所述存储装置；
所述存储装置与所述臭氧产生装置的进气端连接，用于存储所述氧气，并能够向所述臭氧产生装置提供所述氧气。
4.根据权利要求3所述的气体处理系统，其特征在于，所述气体处理系统还包括：
第三气路，用于向所述存储装置提供氧气；在所述第三气路上设置有第一流量调节阀；
第四气路，用于向所述存储装置提供氮气；在所述第四气路上设置有第二流量调节阀。
5.根据权利要求3所述的气体处理系统，其特征在于，所述回收设备还包括压力检测装置，用于检测所述存储装置中的气体压力。
6.根据权利要求1-5任意一项所述的气体处理系统，其特征在于，所述气体处理系统还包括：
排气装置，分别与所述反应腔室和所述第二旁路的出气端连接，用于排出所述反应腔室中的气体和所述第二旁路中的第一吹扫气体。
7.根据权利要求6所述的气体处理系统，其特征在于，所述排气装置包括排气气路，所述排气气路的两端分别与所述反应腔室和尾气处理系统连接；并且，在所述排气气路上设置有抽气装置，用于抽出所述反应腔室内的气体；
在所述排气气路上，且位于所述抽气装置与所述尾气处理系统之间设置有单向阀，并且，所述第二旁路的出气端位于所述单向阀与所述尾气处理系统之间。
8.根据权利要求1-5任意一项所述的气体处理系统，其特征在于，所述气体处理系统还包括：
第五气路，用于向所述反应腔室内通入稀释气体；在所述第五气路上设置有第三流量调节阀；
第六气路，其出气端与所述第五气路连接，用于向所述第五气路输送第二吹扫气体；在所述第六气路上设置有第五开关和第四流量调节阀；
源瓶，用于存储第二工艺气体；
第三旁路，其进气端与所述第六气路连接，且位于所述第五开关的上游；所述第三旁路的出气端与所述源瓶的进气端连接；在所述第三旁路上设置有第六开关；
第四旁路，其出气端与所述第六气路连接，且位于所述第五开关的下游；所述第四旁路的进气端与所述源瓶的出气端连接；在所述第四旁路上设置有第七开关。
9.一种气体处理方法，其特征在于，采用权利要求1-8任意一项所述的气体处理系统，所述气体处理方法包括以下步骤：
S11，开启所述第一开关，同时关闭所述第二开关，以及开启所述第四开关，同时关闭所述第三开关，以利用所述第一气路向反应腔室内通入第一工艺气体，以及利用所述第二旁路排出所述第二气路中的第一吹扫气体，使之不流入所述反应腔室；
S12，关闭所述第一开关，同时开启所述第二开关，以及关闭所述第四开关，同时开启所述第三开关，以利用所述第一旁路排出所述第一气路中的第一工艺气体，使之不流入所述反应腔室，以及利用所述第二气路向反应腔室内通入第一吹扫气体。
10.根据权利要求9所述的气体处理方法，其特征在于，所述气体处理系统还包括：
第五气路，用于向所述反应腔室内通入稀释气体；在所述第五气路上设置有第三流量调节阀；
第六气路，其出气端与所述第五气路连接，用于向所述第五气路输送第二吹扫气体；在所述第六气路上设置有第五开关和第四流量调节阀；
源瓶，用于存储第二工艺气体；
第三旁路，其进气端与所述第六气路连接，且位于所述第五开关的上游；所述第三旁路的出气端与所述源瓶的进气端连接；在所述第三旁路上设置有第六开关；
第四旁路，其出气端与所述第六气路连接，且位于所述第五开关的下游；所述第四旁路的进气端与所述源瓶的出气端连接；在所述第四旁路上设置有第七开关；
在所述步骤S11之前，还包括以下步骤：
S01，开启所述第六开关和第七开关，同时关闭所述第五开关，以使所述第六气路中的第二吹扫气体流入所述源瓶，并携带所述第二工艺气体流入所述第五气路与所述稀释气体混合，并利用所述第五气路通入所述反应腔室；
S02，关闭所述第六开关和第七开关，同时开启所述第五开关，以使所述第六气路中的第二吹扫气体流入所述第五气路与所述稀释气体混合，并利用所述第五气路通入所述反应腔室；
循环进行所述步骤S01、步骤S02、步骤S11和步骤S12至少一次。
11.根据权利要求9所述的气体处理方法，其特征在于，所述气体处理系统还包括：
回收设备，与所述第一旁路的出气端连接，用于回收所述第一工艺气体；
在所述步骤S12中，利用所述回收设备回收自所述第一旁路排出的第一工艺气体。
12.一种原子层沉积设备，其特征在于，包括权利要求1-8任意一项所述的气体处理系统。
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