KR102348968B1 - 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 진공 형성 방법 - Google Patents
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Abstract
질소나 산소가 포함된 공기로 공정 챔버의 진공을 해제한 후 다시 공정 챔버를 진공으로 형성하기 위하여 펌핑하는 경우 공정 챔버 내부에 포함된 질소나 산소 등을 포함하는 가스와 상기 공정 챔버를 펌핑하는 배기 펌프에 잔존하는 공정 가스가 반응을 일으키지 않도록 할 수 있고, 상기 공정 챔버의 진공도를 빠르게 높혀 생산성을 향상시킬 수 있도록 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 기판 상에 박막을 증착 또는 식각하는 반응 공간을 제공하는 공정 챔버; 상기 기판을 상기 공정 챔버 내부로 이송시키는 이송 챔버; 상기 공정 챔버의 내부 압력을 조절하고 펌핑(pumping)하는 제 1 배기 펌프; 상기 이송 챔버의 내부 압력을 조절하고 펌핑하는 제 2 배기 펌프; 및 상기 공정 챔버와 상기 제 1 배기 펌프는 제 1 배기 라인을 통해 연결되고, 상기 이송 챔버와 상기 제 2 배기 펌프는 제 2 배기 라인을 통해 연결되며, 상기 제 2 배기 라인은 상기 제 1 배기 라인과 연결되는 제 1 밸브를 포함할 수 있다.
Description
본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 진공 형성 방법에 관한 것으로, 더욱 구체적으로 공정 챔버 및 공정 챔버의 진공을 형성하는 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 태양전지(Solar Cell), 반도체 소자, 평판 디스플레이 등을 제조하기 위해서는 기판 표면에 소정의 박막층, 박막 회로 패턴, 또는 광학적 패턴을 형성하여야 하며, 이를 위해서는 기판에 특정 물질의 박막을 증착하는 박막 증착 공정, 감광성 물질을 사용하여 박막을 선택적으로 노출시키는 포토 공정, 선택적으로 노출된 부분의 박막을 제거하여 패턴을 형성하는 식각 공정 등의 반도체 제조공정을 수행하게 된다.
이러한 반도체 제조 공정은 해당 공정을 위해 최적의 환경으로 설계된 기판 처리 장치의 내부에서 진행되며, 최근에는 플라즈마를 이용하여 증착 또는 식각 공정을 수행하는 기판 처리 장치가 많이 사용되고 있다.
플라즈마를 이용한 기판 처리 장치에는 플라즈마를 이용하여 박막을 형성하는 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 장치, 박막을 식각하여 패터닝하는 플라즈마 식각장치 등이 있다.
반도체 제조 공정은 대부분 진공 또는 진공도가 매우 높은 상태에서 수행되고, 공정 챔버 내부에 소스 가스, 반응 가스, 퍼지 가스 등을 제외한 다른 가스가 존재하는 경우 박막에 불순물이 포함될 수 있기 때문에 공정 챔버 내부를 진공과 유사한 환경이 되도록 만드는 것이 중요하다.
도 1은 일반적인 기판 처리 장치를 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.
도 1을 참조하여 설명하면, 일반적인 기판 처리 장치의 경우 기판 상에 박막을 증착 또는 식각하는 반응 공간을 제공하는 공정 챔버(1); 상기 기판을 상기 공정 챔버 내부로 이송시키는 이송 챔버(2); 상기 이송 챔버(2)와 상기 공정 챔버(1) 사이에 연결되어 상기 이송 챔버(2)와 상기 공정 챔버(1)의 내부 압력을 조절하는 밸브(4); 및 상기 공정 챔버의 내부 압력을 조절하고 펌핑(pumping)하는 배기 펌프(3)를 포함할 수 있다.
이와 같은 일반적인 기판 처리 장치의 경우 공정이 종료된 후에 상기 공정 챔버의 진공을 해제하는 경우 대기 중에 존재하는 질소, 산소 등의 공기가 유입될 수 있고, 공정 챔버의 진공을 해제한 후 다시 공정을 수행하기 위해서 상기 배기 펌프를 통해 상기 공정 챔버의 내부에 있는 공기를 펌핑하는 경우 상기 배기 펌프 내부에 있던 공정 가스와 대기 중의 질소, 산소 등이 반응을 일으키는 문제가 있어 왔다.
본 발명은 전술한 종래의 문제점을 해결하기 위해 고안된 것으로서, 본 발명은 공정 챔버의 펌핑을 용이하게 하고, 배기 펌프에 잔존하는 가스와 대기 중에 포함된 가스가 서로 반응을 일으키지 않도록 하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 진공 형성 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
전술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 기판 상에 박막을 증착 또는 식각하는 반응 공간을 제공하는 공정 챔버; 상기 기판을 상기 공정 챔버 내부로 이송시키는 이송 챔버; 상기 공정 챔버의 내부 압력을 조절하고 펌핑(pumping)하는 제 1 배기 펌프; 상기 이송 챔버의 내부 압력을 조절하고 펌핑하는 제 2 배기 펌프; 및 상기 공정 챔버와 상기 제 1 배기 펌프는 제 1 배기 라인을 통해 연결되고, 상기 이송 챔버와 상기 제 2 배기 펌프는 제 2 배기 라인을 통해 연결되며, 상기 제 2 배기 라인은 상기 제 1 배기 라인과 연결되는 제 1 밸브를 포함할 수 있다.
또한, 기판 상에 박막을 증착 또는 식각하는 반응 공간을 제공하는 공정 챔버; 상기 공정 챔버의 내부를 진공 상태에서 소스가스와 반응가스가 배기되는 제 1 배기 펌프; 및 상기 공정 챔버의 내부의 압력을 대기압에서 P1 torr까지 펌핑하는 제 2 배기 펌프를 포함할 수 있다.
또한, 상기 이송 챔버와 상기 공정 챔버 사이에 연결되어 상기 이송 챔버와 상기 공정 챔버의 내부 압력을 조절하는 슬롯 밸브를 포함할 수 있다.
또한, 상기 제 2 배기 라인과 상기 제 1 배기 라인을 연결하는 제 2 밸브를 더 포함할 수 있고, 상기 제 2 밸브를 열림 상태로 변경하여 펌핑 속도를 빠르게 하는 것을 포함할 수 있다.
또한, 상기 공정 챔버의 내부 압력이 대기압 상태에서 진공 상태로 되는 경우에 상기 제 1 밸브는 열림 상태가 되어 상기 제 2 배기 펌프를 통해 상기 공정 챔버의 내부 압력을 P1 torr 이하로 펌핑할 수 있다.
또한, 상기 공정 챔버의 내부 압력이 대기압 상태에서 진공 상태로 되는 경우에 상기 제 1 밸브는 열림 상태가 되어 상기 제 2 배기 펌프를 통해 상기 공정 챔버의 내부 압력을 의 산소 농도가 기설정된 농도 이하로 펌핑할 수 있고, 상기 공정 챔버 내에서 수행되는 공정에는 아민기(amine)가 포함될 수 있다.
또한, 상기 공정 챔버의 내부 압력을 조절하고 펌핑하도록 하는 제 3 배기 펌프를 더 포함할 수 있고, 상기 공정 챔버의 내부 압력이 대기압 상태에서 진공 상태로 되는 경우에 상기 제 3 배기 펌프를 통해 상기 공정 챔버의 내부 압력의 산소 농도가 기설정된 농도 이하로 펌핑할 수 있다.
본 발명은 또한, 기판 상에 박막을 증착 또는 식각하는 반응 공간을 제공하는 공정 챔버; 상기 기판을 상기 공정 챔버 내부로 이송시키는 이송 챔버; 상기 공정 챔버의 내부 압력을 조절하고 펌핑하는 제 1 배기 펌프; 상기 이송 챔버의 내부 압력을 조절하고 펌핑하는 제 2 배기 펌프; 및 상기 공정 챔버와 상기 제 1 배기 펌프는 제 1 배기 라인을 통해 연결되고, 상기 이송 챔버와 상기 제 2 배기 펌프는 제 2 배기 라인을 통해 연결되며, 상기 제 2 배기 라인은 상기 공정 챔버와 연결되는 제 1 밸브를 포함할 수 있다.
또한, 상기 제 2 배기 라인과 상기 공정 챔버를 연결하는 제 2 밸브를 더 포함할 수 있고, 상기 제 1 배기 라인에는 제 1 게이트 밸브가 배치되고, 상기 제 2 배기 라인에는 제 2 게이트 밸브가 배치되며, 상기 제 2 배기 펌프로 상기 공정 챔버의 내부를 펌핑하는 경우 상기 제 1 게이트 밸브 및 상기 제 2 게이트 밸브가 닫힘 상태인 것을 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 기판 처리 장치의 진공 형성 방법은 공정 챔버 내부에서 증착 공정 또는 식각 공정이 종료되는 단계; 상기 공정 챔버의 진공이 해제되어 대기가 상기 공정 챔버의 내부로 유입되는 단계; 상기 공정 챔버의 진공을 형성하는데 있어서, 상기 공정 챔버의 내부 압력을 조절하고 펌핑하는 제 1 배기 펌프; 상기 이송 챔버의 내부 압력을 조절하고 펌핑하는 제 2 배기 펌프; 및 상기 공정 챔버와 상기 제 1 배기 펌프는 제 1 배기 라인을 통해 연결되고, 상기 이송 챔버와 상기 제 2 배기 펌프는 제 2 배기 라인을 통해 연결되며, 상기 제 2 배기 라인은 상기 제 1 배기 라인과 연결되는 제 1 밸브를 포함하고, 상기 제 1 밸브를 열고 상기 제 2 배기 펌프의 펌핑을 시작하는 단계; 상기 공정 챔버의 내부 압력이 P1 torr 이하가 되면 상기 제 1 밸브를 닫고 상기 제 1 배기 펌프의 펌핑을 시작하는 단계를 포함할 수 있다.
또한, 상기 제 1 배기 라인에는 제 1 게이트 밸브가 배치되고, 상기 제 2 배기 라인에는 제 2 게이트 밸브가 배치되며, 상기 제 2 배기 펌프로 상기 공정 챔버의 내부를 펌핑하는 경우 상기 제 1 게이트 밸브 및 상기 제 2 게이트 밸브를 닫는 단계를 포함할 수 있고, 상기 제 2 배기 라인과 상기 제 1 배기 라인을 연결하는 제 2 밸브를 더 포함하고, 상기 공정 챔버의 내부 압력이 P2 torr 이하가 되면 상기 제 2 밸브를 여는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명은 또한, 공정 챔버 내부에서 증착 공정 또는 식각 공정이 종료되는 단계; 상기 공정 챔버의 진공이 해제되어 대기가 상기 공정 챔버의 내부로 유입되는 단계; 상기 공정 챔버의 진공을 형성하는데 있어서, 상기 공정 챔버의 내부 압력을 조절하고 펌핑하는 제 1 배기 펌프; 상기 이송 챔버의 내부 압력을 조절하고 펌핑하는 제 2 배기 펌프; 및 상기 공정 챔버와 상기 제 1 배기 펌프는 제 1 배기 라인을 통해 연결되고, 상기 이송 챔버와 상기 제 2 배기 펌프는 제 2 배기 라인을 통해 연결되며, 상기 제 2 배기 라인은 상기 공정 챔버와 연결되는 제 1 밸브를 포함하고, 상기 제 1 밸브를 열고 상기 제 2 배기 펌프의 펌핑을 시작하는 단계; 상기 공정 챔버의 내부의 산소 농도가 기설정된 농도 이하로 되면 상기 제 1 밸브를 닫고 상기 제 1 배기 펌프의 펌핑을 시작하는 단계를 포함할 수 있다.
또한, 상기 공정 챔버 내에서 수행되는 공정에는 아민(amine)기가 포함되어 있는 것을 포함할 수 있고, 상기 공정 챔버 내부의 압력이 대기압 상태로 진공이 해제된 후 다시 진공 상태로 변경되는 경우에만 상기 제 2 배기 펌프로 펌핑하고, 상기 공정 챔버 내부가 진공 상태로 변경된 경우에는 상기 제 1 배기 펌프로 펌핑하는 것을 포함할 수 있다.
본 발명은 또한, 공정 챔버 내부에서 증착 공정 또는 식각 공정이 종료되는 단계; 상기 공정 챔버의 진공이 해제되어 대기가 상기 공정 챔버의 내부로 유입되는 단계; 상기 공정 챔버의 진공을 형성하는데 있어서, 상기 공정 챔버의 내부를 진공 상태에서 소스가스와 반응가스가 배기되는 제 1 배기 펌프; 및 상기 공정 챔버의 내부의 압력을 대기압에서 P1 torr까지 펌핑하는 제 2 배기 펌프를 포함하고, 상기 제 2 배기 펌프의 펌핑을 시작하여 대기압에서 P1 torr까지 펌핑하는 단계; 상기 공정 챔버의 내부 압력이 P1 torr 이하가 되면 상기 제 2 배기 펌프의 가동을 중지하고 상기 제 1 배기 펌프의 펌핑을 시작하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명은 또한, 공정 챔버 내부에서 증착 공정 또는 식각 공정이 종료되는 단계; 상기 공정 챔버의 진공이 해제되어 대기가 상기 공정 챔버의 내부로 유입되는 단계; 상기 공정 챔버의 진공을 형성하는데 있어서, 상기 공정 챔버의 내부를 진공 상태에서 소스가스와 반응가스가 배기되는 제 1 배기 펌프; 및 상기 공정 챔버의 내부의 압력을 대기압에서 P1 torr까지 펌핑하는 제 2 배기 펌프를 포함하고, 상기 제 2 배기 펌프의 펌핑을 시작하여 대기압에서 P2 torr까지 펌핑하는 단계; 상기 공정 챔버의 내부 압력이 P2 torr 이하가 되면 상기 제 2 배기 펌프의 가동을 중지하고 상기 제 1 배기 펌프의 펌핑을 시작하여 P1 torr이하로 펌핑하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명은 또한, 공정 챔버 내부에서 증착 공정 또는 식각 공정이 종료되는 단계; 상기 공정 챔버의 진공이 해제되어 대기가 상기 공정 챔버의 내부로 유입되는 단계; 상기 공정 챔버의 진공을 형성하는데 있어서, 상기 공정 챔버의 내부 압력을 조절하고 펌핑하는 제 1 배기 펌프 및 제 3 배기 펌프; 및 상기 제 3 배기 펌프의 펌핑을 시작하는 단계; 상기 공정 챔버의 내부 압력이 P1 torr 이하가 되면 상기 제 3 배기 펌프의 펌핑을 중지하고 상기 제 1 배기 펌프의 펌핑을 시작하는 단계를 포함할 수 있다.
이상과 같은 본 발명에 따르면 다음과 같은 효과가 있다.
질소나 산소가 포함된 공기로 공정 챔버의 진공을 해제한 후 다시 공정 챔버를 진공으로 형성하기 위하여 펌핑하는 경우 공정 챔버 내부에 포함된 질소나 산소 등을 포함하는 가스와 상기 공정 챔버를 펌핑하는 배기 펌프에 잔존하는 공정 가스가 반응을 일으키지 않도록 할 수 있고, 상기 공정 챔버의 진공도를 빠르게 높혀 생산성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 일반적인 기판 처리 장치를 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 6는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 진공 형성 방법을 개략적으로 나타낸 순서도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 진공 형성 방법을 개략적으로 나타낸 순서도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 진공 형성 방법을 개략적으로 나타낸 순서도이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 6는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 진공 형성 방법을 개략적으로 나타낸 순서도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 진공 형성 방법을 개략적으로 나타낸 순서도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 진공 형성 방법을 개략적으로 나타낸 순서도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급한 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.
시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.
제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성 요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.
본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.
이하, 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예에 대해서 상세히 설명하기로 한다. 이하에서 챔버 내부가 진공이라는 표현은 실제적으로 챔버 내부에 가스가 전혀 없는 진공 상태를 의미하는 것은 아니고, 챔버 내부에 존재하는 가스가 수십mmtorr 이내로 매우 작음을 의미할 수 있다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2를 참조하여 설명하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 기판 상에 박막을 증착 또는 식각하는 반응 공간을 제공하는 공정 챔버(100); 상기 기판을 상기 공정 챔버(100) 내부로 이송시키는 이송 챔버(200); 상기 공정 챔버(100)의 내부 압력을 조절하고 펌핑(pumping)하는 제 1 배기 펌프(10); 상기 이송 챔버(200)의 내부 압력을 조절하고 펌핑하는 제 2 배기 펌프(20); 및 상기 공정 챔버(100)와 상기 제 1 배기 펌프(10)는 제 1 배기 라인(50)을 통해 연결되고, 상기 이송 챔버(200)와 상기 제 2 배기 펌프(20)는 제 2 배기 라인(60)을 통해 연결되며, 상기 제 2 배기 라인(60)은 상기 제 1 배기 라인(50)과 연결되는 제 1 밸브(70)를 포함할 수 있다.
또한, 기판 상에 박막을 증착 또는 식각하는 반응 공간을 제공하는 공정 챔버(100); 상기 공정 챔버(100)의 내부를 진공 상태에서 소스가스와 반응가스가 배기되는 제 1 배기 펌프(10); 및 상기 공정 챔버의 내부의 압력을 대기압에서 P1 torr까지 펌핑하는 제 2 배기 펌프(20)를 포함할 수 있다.
상기 공정 챔버(100)는 상기 기판 상에 박막을 증착 또는 식각하는 반응 공간을 제공할 수 있다. 상기 공정 챔버(100)는 가스 분사부(미도시)와 연결되어 공정 가스가 상기 공정 챔버(100) 내부로 분사될 수 있다. 상기 공정 챔버(100)는 상기 이송 챔버(200)와 연결될 수 있다. 상기 공정 챔버(100)는 상기 이송 챔버(200)로부터 상기 기판이 이송될 수 있다. 상기 공정 챔버(100)는 상기 이송 챔버(200)와 슬롯 밸브(300)를 통해 연결될 수 있다.
상기 공정 챔버(100)는 상기 공정 챔버(100)의 내부를 진공 상태로 만들기 위해서 상기 제 1 배기 펌프(10)가 연결될 수 있다. 상기 공정 챔버(100)는 상기 제 1 배기 펌프(10)에 의해 진공 상태를 유지할 수 있고, 진공 상태에서 공정이 진행될 수 있다. 상기 공정 챔버(100)의 내부가 진공 상태를 유지하는 경우 상기 공정 챔버(100) 내부로 유입되는 공정 가스를 제외한 다른 가스는 모두 상기 제 1 배기 펌프(10)에 의해서 제거될 수 있어 박막 내에 불순물을 감소시킬 수 있다. 상기 공정 챔버(100)는 상기 제 1 배기 라인(50)을 통해 상기 제 1 배기 펌프(10)와 연결될 수 있다.
상기 이송 챔버(200)는 상기 공정 챔버(100)와 연결될 수 있다. 상기 이송 챔버(200)는 상기 기판을 상기 공정 챔버(100) 내부로 이송할 수 있다. 상기 이송 챔버(200)는 상기 공정 챔버(100)와 상기 슬롯 밸브(300)를 통해 연결될 수 있다. 상기 이송 챔버(200)는 진공 상태인 상기 공정 챔버(100) 내부로 상기 기판을 이송하여야 하기 때문에 상기 이송 챔버(200) 역시 진공 상태를 유지할 수 있다.
상기 이송 챔버(200)는 상기 이송 챔버(200)의 내부를 진공 상태로 만들기 위해서 상기 제 2 배기 펌프(20)가 연결될 수 있다. 상기 이송 챔버(200)는 상기 제 2 배기 펌프(20)에 의해 진공 상태를 유지할 수 있다. 상기 이송 챔버(200)와 상기 공정 챔버(100)가 모두 진공 상태를 유지하는 경우 상기 슬롯 밸브(300)를 열어서 상기 기판을 상기 이송 챔버(200) 내부로부터 상기 공정 챔버(100) 내부로 이송할 수 있다. 이 경우 상기 공정 챔버(100) 내부로 공정 가스가 분사되지 않을 수 있다. 상기 이송 챔버(200)는 상기 제 2 배기 라인(60)을 통해 상기 제 2 배기 펌프(20)와 연결될 수 있다.
상기 슬롯 밸브(300)는 상기 이송 챔버(200)와 상기 공정 챔버(100) 사이에 연결되어 상기 이송 챔버(200)와 상기 공정 챔버(100)의 내부 압력을 조절할 수 있다. 상기 슬롯 밸브(300)는 상기 공정 챔버(100)와 상기 이송 챔버(200) 사이에 배치될 수 있다. 상기 슬롯 밸브(300)는 상기 공정 챔버(100)에서 공정이 진행되는 경우 닫힘 상태가 되어 상기 공정 챔버(100) 내부의 공정 가스가 상기 이송 챔버(200) 내부로 유입되지 않도록 할 수 있다. 상기 슬롯 밸브(300)는 상기 공정 챔버(100) 및 상기 이송 챔버(200)가 모두 진공 상태가 되거나 또는 상기 공정 챔버(100) 및 상기 이송 챔버(200)가 모두 대기압 상태가 되는 경우 열림 상태가 되어 상기 공정 챔버(100) 및 상기 이송 챔버(200)의 내부 압력이 동일하게 되도록 할 수 있다.
상기 제 1 배기 펌프(10)는 상기 제 1 배기 라인(50)을 통해 상기 공정 챔버(100)와 연결될 수 있다. 상기 제 1 배기 펌프(10)는 상기 공정 챔버(100) 내부의 압력을 진공 상태로 유지시킬 수 있다. 상기 제 1 배기 펌프(10)는 상기 공정 챔버(100) 내에서 공정이 진행될 때 공정 가스를 펌핑할 수 있다. 상기 제 1 배기 펌프(10)는 상기 공정 가스를 펌핑하기 때문에 상기 공정 가스가 상기 제 1 배기 라인(50) 안에 잔류할 수 있다. 상기 제 1 배기 펌프(10)는 상기 공정 챔버(100)의 진공이 해제되어 대기압 상태가 된 후 다시 공정을 진행하기 위하여 진공 상태로 돌아갈 때 상기 공정 챔버(100) 내부의 공기를 펌핑할 수 있다.
상기 제 2 배기 펌프(20)는 상기 제 2 배기 라인(60)을 통해 상기 이송 챔버(200)와 연결될 수 있다. 상기 제 2 배기 펌프(20)는 상기 이송 챔버(200) 내부의 압력을 진공 상태로 유지시킬 수 있다. 상기 제 2 배기 펌프(20)는 상기 이송 챔버(200)의 진공이 해제되어 대기압 상태가 된 후 다시 진공 상태로 돌아갈 때 상기 이송 챔버(200) 내부의 공기를 펌핑할 수 있다. 상기 제 2 배기 펌프(20)는 상기 이송 챔버(200)에 연결되는 것으로 기술하였으나 상기 이송 챔버(200)에 연결되지 않고 별도로 배치되어 상기 공정 챔버(100)에 연결될 수 있다. 이 경우 상기 제 2 배기 펌프(20)는 상기 공정 챔버(100)에 직접 연결되거나 상기 제 1 배기 라인(50)에 연결될 수 있다.
상기 제 1 배기 라인(50)에는 제 1 게이트 밸브(30)가 배치되고, 상기 제 2 배기 라인(60)에는 제 2 게이트 밸브(40)가 배치되며, 상기 제 2 배기 펌프(20)로 상기 공정 챔버(100)의 내부를 펌핑하는 경우 상기 제 1 게이트 밸브(30) 및 상기 제 2 게이트 밸브(40)가 닫힘 상태인 것을 포함할 수 있다.
상기 제 1 게이트 밸브(30)는 상기 제 1 배기 라인(50)에 배치될 수 있다. 상기 제 1 게이트 밸브(30)는 상기 제 1 배기 라인(50)에 배치되어 상기 제 1 배기 라인(50)의 열림과 닫힘을 제어할 수 있다. 상기 제 1 게이트 밸브(30)가 열리고 상기 제 1 배기 펌프(10)가 가동되는 경우 상기 공정 챔버(100) 내부의 공기가 펌핑될 수 있다. 상기 제 1 게이트 밸브(30)가 닫히는 경우 상기 제 1 배기 펌프(10)로부터 펌핑이 되지 않을 수 있다.
상기 제 2 게이트 밸브(40)는 상기 제 2 배기 라인(60)에 배치될 수 있다. 상기 제 2 게이트 밸브(40)는 상기 제 2 배기 라인(60)에 배치되어 상기 제 2 배기 라인(60)의 열림과 닫힘을 제어할 수 있다. 상기 제 2 게이트 밸브(40)가 열리고 상기 제 2 배기 펌프(20)가 가동되는 경우 상기 이송 챔버(200) 내부의 공기가 펌핑될 수 있다. 상기 제 2 게이트 밸브(40)가 닫히는 경우 상기 제 2 배기 펌프(20)로부터 펌핑이 되지 않을 수 있다.
상기 제 1 배기 라인(50)은 상기 공정 챔버(100)와 상기 제 1 배기 펌프(10)를 연결할 수 있다. 상기 제 1 배기 라인(50)은 상기 제 1 게이트 밸브(30)가 배치되어 상기 제 1 배기 라인(50)의 열림과 닫힘이 제어될 수 있다. 상기 제 1 배기 라인(50)은 상기 제 2 배기 라인(60)과 상기 제 1 밸브(70)를 통해 연결될 수 있다. 상기 제 1 게이트 밸브(30) 및 상기 제 2 게이트 밸브(40)가 닫힘 상태일 때, 상기 제 1 밸브(70)가 열림 상태가 되고 상기 제 2 배기 펌프(20)가 가동되는 경우 상기 공정 챔버(100) 내부의 가스는 상기 제 2 배기 펌프(20)로부터 펌핑될 수 있다.
상기 제 2 배기 라인(60)은 상기 이송 챔버(200)와 상기 제 2 배기 펌프(20)를 연결할 수 있다. 상기 제 2 배기 라인(60)은 상기 제 2 게이트 밸브(40)가 배치되어 상기 제 2 배기 라인(60)의 열림과 닫힘이 제어될 수 있다. 상기 제 2 배기 라인(60)은 상기 제 1 배기 라인(50)과 상기 제 1 밸브(70)를 통해 연결될 수 있다.
상기 제 1 밸브(70)는 상기 제 1 배기 라인(50)과 상기 제 2 배기 라인(60)을 연결할 수 있다. 상기 제 1 밸브(70)가 열림 상태이고 상기 제 1 게이트 밸브(30) 및 상기 제 2 게이트 밸브(40)가 닫힘 상태인 경우, 상기 제 2 배기 펌프(20)를 가동하여 상기 공정 챔버(100)로부터 가스를 펌핑할 수 있다. 상기 제 1 밸브(70)는 상기 공정 챔버(100)가 대기에 의해 진공이 해제되었다가 다시 진공 상태로 되돌아 가는 경우에만 열림 상태가 될 수 있다. 상기 공정 챔버(100) 내부에 질소, 산소 등의 가스가 포함되어 있는 경우 상기 제 1 게이트 밸브(30) 및 상기 제 2 게이트 밸브(40)를 닫고, 상기 제 1 밸브(70)를 열어서 상기 제 2 배기 펌프(20)로 상기 공정 챔버(100) 내부의 가스를 펌핑할 수 있다.
상기 공정 챔버(100)의 내부 압력이 대기압 상태에서 진공 상태로 되는 경우에 상기 제 1 밸브(70)는 열림 상태가 되어 상기 제 2 배기 펌프(20)를 통해 상기 공정 챔버(100)의 내부 압력을 P1 torr 이하로 펌핑할 수 있다. 상기 P1 torr는 10 torr 일 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 상기 공정 챔버(100)의 내부 압력이 P1 torr 이하로 펌핑되어 상기 공정 챔버(100) 내부의 질소, 산소 등의 가스가 충분히 펌핑된 후에 상기 제 1 밸브(70)는 닫힘 상태가 되고, 상기 제 1 게이트 밸브(30)가 열림 상태가 되어 상기 제 1 배기 펌프(10)로 상기 공정 챔버(100)의 진공을 유지시킬 수 있다.
특히 상기 공정 챔버(100) 내에서 수행되는 공정에 아민기(amine)가 포함되어 있는 경우에 상기 제 1 배기 펌프(10) 및 제 1 배기 라인(50) 내부에 아민기가 잔류할 수 있고, 이 경우 상기 공정 챔버(100) 내부의 산소와 아민기가 반응을 일으킬 수 있다. 따라서, 상기 공정 챔버(100)의 내부 압력이 대기압 상태에서 진공 상태로 되는 경우에 상기 제 1 밸브(70)는 열림 상태가 되어 상기 제 2 배기 펌프(20)를 통해 상기 공정 챔버(100)의 내부의 산소 농도가 기설정된 농도 이하로 펌핑시킨 후에 상기 제 1 밸브(70)를 닫고, 상기 제 1 게이트 밸브(30)를 열어서 상기 제 1 배기 펌프(10)를 통해 상기 공정 챔버(100)의 내부 압력을 진공 상태로 유지시킬 수 있다.
본 발명에 따른 기판 처리 장치는 반도체, 디스플레이, 태양광 등의 박막을 증착 또는 식각하는 모든 공정에 적용될 수 있다.
도 3은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 3을 참조하여 설명하면, 제 2 밸브(80)가 추가된 것을 제외하고는 도 2의 기판 처리 장치와 동일하다. 상기 제 2 밸브(80)는 상기 제 2 배기 라인(60)과 상기 제 1 배기 라인(50)을 연결할 수 있다. 상기 제 2 밸브(80)는 상기 제 1 밸브(70)와는 별도로 상기 제 2 배기 라인(60)과 상기 제 1 배기 라인(50)을 연결시킬 수 있다. 상기 제 2 밸브(80)는 상기 제 1 밸브(70)와 동시에 열림 상태가 되어 펌핑 속도를 빠르게 할 수 있다. 따라서, 상기 제 1 밸브(70)를 먼저 열림 상태로 변경하여 상기 제 2 배기 펌프(20)를 통해 상기 공정 챔버(100)의 내부의 공기를 천천히 펌핑하고, 그 후 상기 제 2 밸브(80)를 열림 상태로 변경하여 상기 공정 챔버(100)의 내부의 공기를 빠르게 펌핑할 수 있다. 상기 제 2 밸브(80)를 상기 제 1 밸브(70)와 동시에 열어 상기 공정 챔버(100)의 펌핑 속도를 향상시켜 생산성을 향상시킬 수 있다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 4를 참고하여 설명하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 기판 상에 박막을 증착 또는 식각하는 반응 공간을 제공하는 공정 챔버(100); 상기 기판을 상기 공정 챔버(100) 내부로 이송시키는 이송 챔버(200); 상기 공정 챔버(100)의 내부 압력을 조절하고 펌핑하는 제 1 배기 펌프(10); 상기 이송 챔버(200)의 내부 압력을 조절하고 펌핑하는 제 2 배기 펌프(20); 및 상기 공정 챔버(100)와 상기 제 1 배기 펌프(10)는 제 1 배기 라인(50)을 통해 연결되고, 상기 이송 챔버(200)와 상기 제 2 배기 펌프(20)는 제 2 배기 라인(60)을 통해 연결되며, 상기 제 2 배기 라인(60)은 상기 공정 챔버(100)와 연결되는 제 1 밸브(70)를 포함할 수 있다. 또한 상기 제 2 배기 라인(60)과 상기 공정 챔버(100)를 연결하는 제 2 밸브(80)를 더 포함할 수 있다. 상기 제 1 밸브(70)가 상기 제 2 배기 라인(60)과 상기 공정 챔버(100)와 연결되는 것을 제외하면 도 2 및 도 3에서 서술한 것과 동일하다.
상기 제 1 밸브(70)는 상기 제 2 배기 라인(60)과 상기 공정 챔버(100)와 연결될 수 있다. 상기 제 1 밸브(70)가 상기 제 2 배기 라인(60)과 상기 공정 챔버(100)와 연결되는 경우 상기 제 1 게이트 밸브(30)의 개폐와 관계 없이 제 1 밸브(70)의 개폐를 제어하여 상기 공정 챔버(100)의 진공도를 제어할 수 있다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 5를 참고하여 설명하면, 상기 공정 챔버(100)의 내부 압력을 조절하고 펌핑하도록 하는 제 3 배기 펌프(25)를 더 포함할 수 있다. 동일한 내용에 대한 서술은 생략하고 차이점만을 서술하면 상기 공정 챔버(100)는 상기 제 3 배기 펌프(25)가 연결될 수 있다. 상기 제 3 배기 펌프(25)는 제 3 게이트 밸브(35)의 개폐를 통하여 상기 공정 챔버(100) 내부의 압력을 조절할 수 있다.
상기 공정 챔버(100)의 내부 압력이 대기압 상태에서 진공 상태로 되는 경우에 상기 제 3 배기 펌프(25)를 통해 상기 공정 챔버(100)의 내부 압력의 산소 농도가 기설정된 농도 이하로 펌핑할 수 있다. 상기 공정 챔버(100)의 내부 압력의 산소 농도가 기설정된 농도 이하로 펌핑한 후 상기 제 3 게이트 밸브(35)를 닫고 상기 제 1 배기 펌프(10)로 상기 공정 챔버(100)의 내부 압력을 진공상태로 형성할 수 있다. 이 경우 상기 제 3 배기 펌프(25)를 통해 빠르게 진공도를 향상시켜 생산성을 향상시킬 수 있다. 상기 제 3 배기 펌프(25)는 상기 공정 챔버(100)의 내부 공기를 빠르게 펌핑할 수 있도록 상기 제 1 배기 펌프(10)나 상기 제 2 배기 펌프(20)의 용량보다 더 크게 형성될 수 있다.
도 6는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 진공 형성 방법을 개략적으로 나타낸 순서도이다.
도 6를 참고하여 설명하면, 기판 처리 장치의 진공 형성 방법은 공정 챔버(100) 내부에서 증착 공정 또는 식각 공정이 종료되는 단계; 상기 공정 챔버(100)의 진공이 해제되어 대기가 상기 공정 챔버(100)의 내부로 유입되는 단계; 상기 공정 챔버(100)의 진공을 형성하는데 있어서, 상기 공정 챔버(100)의 내부 압력을 조절하고 펌핑하는 제 1 배기 펌프(10); 상기 이송 챔버(200)의 내부 압력을 조절하고 펌핑하는 제 2 배기 펌프(20); 및 상기 공정 챔버(100)와 상기 제 1 배기 펌프(10)는 제 1 배기 라인(50)을 통해 연결되고, 상기 이송 챔버(200)와 상기 제 2 배기 펌프(20)는 제 2 배기 라인(60)을 통해 연결되며, 상기 제 2 배기 라인(60)은 상기 제 1 배기 라인(50)과 연결되는 제 1 밸브(70)를 포함하고, 상기 제 1 밸브(70)를 열고 상기 제 2 배기 펌프(20)의 펌핑을 시작하는 단계; 상기 공정 챔버(100)의 내부 압력이 P1 torr 이하가 되면 상기 제 1 밸브(70)를 닫고 상기 제 1 배기 펌프(10)의 펌핑을 시작하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 P1 torr는 10 torr 일 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
상기 공정 챔버(100)의 내부 압력이 P1 torr 이하가 되면 상기 제 1 밸브(70)를 닫고 상기 제 1 배기 펌프(10)의 펌핑을 시작한다고 서술하였으나 상기 공정 챔버(100)의 내부 크기나 부피 등에 따라 내부 압력의 기준은 달라질 수 있으며 상기 공정 챔버(100) 내부에 포함되는 질소, 산소 등의 농도가 일정한 기준 이하로 떨어지는 경우 상기 제 1 밸브(70)를 닫고 상기 제 1 배기 펌프(10)의 펌핑을 시작할 수 있다.
상기 제 1 배기 라인(50)에는 제 1 게이트 밸브(30)가 배치되고, 상기 제 2 배기 라인(60)에는 제 2 게이트 밸브(40)가 배치되며, 상기 제 2 배기 펌프(20)로 상기 공정 챔버(100)의 내부를 펌핑하는 경우 상기 제 1 게이트 밸브(30) 및 상기 제 2 게이트 밸브(40)를 닫는 단계를 포함할 수 있다. 상기 제 1 게이트 밸브(30) 및 상기 제 2 게이트 밸브(40)를 다고 상기 공정 챔버(100)의 내부는 상기 제 2 배기 펌프(20)로 펌핑할 수 있다. 이에 따라 상기 공정 챔버(100)의 내부에 포함되는 질소, 산소 등의 가스는 상기 제 2 배기 펌프(20)로 배기될 수 있다.
상기 제 2 배기 라인(60)과 상기 제 1 배기 라인(50)을 연결하는 제 2 밸브(80)를 더 포함하고, 상기 공정 챔버(100)의 내부 압력이 P2 torr 이하가 되면 상기 제 2 밸브(80)를 여는 단계를 포함할 수 있다. 상기 P2 torr는 100 torr 일 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 즉, 상기 제 1 밸브(70) 및 상기 제 2 밸브(80)가 상기 제 1 배기 라인(50)과 상기 제 2 배기 라인(60)에 연결될 수 있고, 상기 제 1 밸브(70)를 먼저 열어 상기 공정 챔버(100) 내부의 가스를 상기 제 2 배기 펌프(20)로 배기한 후 상기 제 2 밸브(80)를 추가로 열어 상기 공정 챔버(100) 내부의 가스를 빠르게 배기시키 수 있다. 상기 공정 챔버(100)의 내부 압력이 P2 torr 이하라고 서술하였으나 마찬가지로 상기 공정 챔버(100)의 내부 크기나 부피 등에 따라 내부 압력의 기준은 달라질 수 있으며 상기 공정 챔버(100) 내부에 포함되는 질소, 산소 등의 농도가 일정한 기준 이하로 떨어지는 경우 상기 제 2 밸브(80)를 열고 상기 제 1 밸브(70)와 함께 펌핑할 수 있다.
도 7은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 진공 형성 방법을 개략적으로 나타낸 순서도이다.
도 7을 참고하여 설명하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 진공 형성 방법은 공정 챔버(100) 내부에서 증착 공정 또는 식각 공정이 종료되는 단계; 상기 공정 챔버(100)의 진공이 해제되어 대기가 상기 공정 챔버(100)의 내부로 유입되는 단계; 상기 공정 챔버(100)의 진공을 형성하는데 있어서, 상기 공정 챔버(100)의 내부 압력을 조절하고 펌핑하는 제 1 배기 펌프(10); 상기 이송 챔버(200)의 내부 압력을 조절하고 펌핑하는 제 2 배기 펌프(20); 및 상기 공정 챔버(100)와 상기 제 1 배기 펌프(10)는 제 1 배기 라인(50)을 통해 연결되고, 상기 이송 챔버(200)와 상기 제 2 배기 펌프(20)는 제 2 배기 라인(60)을 통해 연결되며, 상기 제 2 배기 라인(60)은 상기 공정 챔버(100)와 연결되는 제 1 밸브(70)를 포함하고, 상기 제 1 밸브(70)를 열고 상기 제 2 배기 펌프(20)의 펌핑을 시작하는 단계; 상기 공정 챔버(100)의 내부의 산소 농도가 기설정된 농도 이하로 되면 상기 제 1 밸브(70)를 닫고 상기 제 1 배기 펌프(10)의 펌핑을 시작하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 공정 챔버(100) 내에서 수행되는 공정에는 아민(amine)기가 포함될 수 있다. 상기 공정 챔버(100) 내에서 수행되는 공정에 아민기가 포함되어 있는 경우 상기 제 1 배기 펌프(10)로 펌핑을 하면 상기 제 1 배기 펌프(10)에 아민기가 잔류할 수 있다. 이 경우 상기 공정 챔버(100)의 진공이 대기에 의해 해제된 후 다시 상기 공정 챔버(100)를 진공으로 배기할 때 상기 공정 챔버(100) 내부에 포함된 산소와 상기 제 1 배기 펌프(10)에 포함된 아민기와 반응을 일으킬 수 있다. 따라서 상기 제 1 배기 펌프(10)가 아닌 상기 제 1 밸브(70)를 통해 상기 제 2 배기 펌프(20)로 펌핑을 하는 경우 상기 제 2 배기 펌프(20)에는 공정 가스가 잔류하지 않기 때문에 별도의 화학 반응 없이 펌핑될 수 있다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 진공 형성 방법을 개략적으로 나타낸 순서도이다.
도 8을 참고하여 설명하면, 공정 챔버(100) 내부에서 증착 공정 또는 식각 공정이 종료되는 단계; 상기 공정 챔버(100)의 진공이 해제되어 대기가 상기 공정 챔버(100)의 내부로 유입되는 단계; 상기 공정 챔버(100)의 진공을 형성하는데 있어서, 상기 공정 챔버(100)의 내부 압력을 조절하고 펌핑하는 제 1 배기 펌프(10) 및 제 3 배기 펌프(25); 및 상기 제 3 배기 펌프(25)의 펌핑을 시작하는 단계; 상기 공정 챔버(100)의 내부 압력이 P1 torr 이하가 되면 상기 제 3 배기 펌프(25)의 펌핑을 중지하고 상기 제 1 배기 펌프(10)의 펌핑을 시작하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 제 3 배기 펌프(25)는 상기 제 1 배기 펌프(10)보다 큰 용량으로 형성하여 상기 공정 챔버(100)의 진공도를 빠르게 상승시킬 수 있고, 이에 따라서 기판 처리 장치의 생산성을 향상시킬 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 청구 범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
10: 제 1 배기 펌프 20: 제 2 배기 펌프
25: 제 3 배기 펌프 35: 제 3 게이트 밸브
30: 제 1 게이트 밸브 40: 제 2 게이트 밸브
50: 제 1 배기 라인 60: 제 2 배기 라인
70: 제 1 밸브 80: 제 2 밸브
100: 공정 챔버 200: 이송 챔버
300: 슬롯 밸브
25: 제 3 배기 펌프 35: 제 3 게이트 밸브
30: 제 1 게이트 밸브 40: 제 2 게이트 밸브
50: 제 1 배기 라인 60: 제 2 배기 라인
70: 제 1 밸브 80: 제 2 밸브
100: 공정 챔버 200: 이송 챔버
300: 슬롯 밸브
Claims (22)
- 삭제
- 기판 상에 박막을 증착 또는 식각하는 반응 공간을 제공하는 공정 챔버;
상기 기판을 상기 공정 챔버 내부로 이송시키는 이송 챔버;
상기 공정 챔버의 내부 압력을 조절하고 펌핑(pumping)하는 제 1 배기 펌프;
상기 이송 챔버의 내부 압력을 조절하고 펌핑하는 제 2 배기 펌프; 및
상기 공정 챔버와 상기 제 1 배기 펌프는 제 1 배기 라인을 통해 연결되고, 상기 이송 챔버와 상기 제 2 배기 펌프는 제 2 배기 라인을 통해 연결되며, 상기 제 2 배기 라인은 상기 제 1 배기 라인과 연결되는 제 1 밸브를 포함하는 기판 처리 장치. - 제 2 항에 있어서;
상기 이송 챔버와 상기 공정 챔버 사이에 연결되어 상기 이송 챔버와 상기 공정 챔버의 내부 압력을 조절하는 슬롯 밸브를 포함하는 기판 처리 장치. - 제 2 항에 있어서;
상기 제 2 배기 라인과 상기 제 1 배기 라인을 연결하는 제 2 밸브를 더 포함하는 기판 처리 장치. - 제 2 항에 있어서,
상기 공정 챔버의 내부 압력이 대기압 상태에서 진공 상태로 되는 경우에 상기 제 1 밸브는 열림 상태가 되어 상기 제 2 배기 펌프를 통해 상기 공정 챔버의 내부 압력을 P1 torr 이하로 펌핑하는 기판 처리 장치. - 제 2 항에 있어서,
상기 공정 챔버의 내부 압력이 대기압 상태에서 진공 상태로 되는 경우에 상기 제 1 밸브는 열림 상태가 되어 상기 제 2 배기 펌프를 통해 상기 공정 챔버의 내부 압력의 산소 농도가 기설정된 농도 이하로 펌핑하는 기판 처리 장치. - ◈청구항 7은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈제 6 항에 있어서,
상기 공정 챔버 내에서 수행되는 공정에는 아민기(amine)가 포함되어 있는 기판 처리 장치. - 제 2 항에 있어서,
상기 공정 챔버의 내부 압력을 조절하고 펌핑하도록 하는 제 3 배기 펌프를 더 포함하는 기판 처리 장치. - 제 8 항에 있어서,
상기 공정 챔버의 내부 압력이 대기압 상태에서 진공 상태로 되는 경우에 상기 제 3 배기 펌프를 통해 상기 공정 챔버의 내부 압력의 산소 농도가 기설정된 농도 이하로 펌핑하는 기판 처리 장치. - 기판 상에 박막을 증착 또는 식각하는 반응 공간을 제공하는 공정 챔버;
상기 기판을 상기 공정 챔버 내부로 이송시키는 이송 챔버;
상기 공정 챔버의 내부 압력을 조절하고 펌핑하는 제 1 배기 펌프;
상기 이송 챔버의 내부 압력을 조절하고 펌핑하는 제 2 배기 펌프; 및
상기 공정 챔버와 상기 제 1 배기 펌프는 제 1 배기 라인을 통해 연결되고, 상기 이송 챔버와 상기 제 2 배기 펌프는 제 2 배기 라인을 통해 연결되며, 상기 제 2 배기 라인은 상기 공정 챔버와 연결되는 제 1 밸브를 포함하는 기판 처리 장치. - 제 10 항에 있어서;
상기 제 2 배기 라인과 상기 공정 챔버를 연결하는 제 2 밸브를 더 포함하는 기판 처리 장치. - 제 10 항에 있어서,
상기 제 1 배기 라인에는 제 1 게이트 밸브가 배치되고, 상기 제 2 배기 라인에는 제 2 게이트 밸브가 배치되며, 상기 제 2 배기 펌프로 상기 공정 챔버의 내부를 펌핑하는 경우 상기 제 1 게이트 밸브 및 상기 제 2 게이트 밸브가 닫힘 상태인 것을 포함하는 기판 처리 장치. - 공정 챔버 내부에서 증착 공정 또는 식각 공정이 종료되어 상기 공정 챔버의 진공이 해제된 뒤 상기 공정 챔버의 진공을 형성하는데 있어서,
상기 공정 챔버의 내부 압력을 조절하고 펌핑하는 제 1 배기 펌프;
기판을 상기 공정 챔버의 내부로 이송시키는 이송 챔버의 내부 압력을 조절하고 펌핑하는 제 2 배기 펌프; 및
상기 공정 챔버와 상기 제 1 배기 펌프는 제 1 배기 라인을 통해 연결되고, 상기 이송 챔버와 상기 제 2 배기 펌프는 제 2 배기 라인을 통해 연결되며, 상기 제 2 배기 라인은 상기 제 1 배기 라인과 연결되는 제 1 밸브를 포함하고,
상기 제 1 밸브를 열고 상기 제 2 배기 펌프의 펌핑을 시작하는 단계;
상기 공정 챔버의 내부 압력이 P1 torr 이하가 되면 상기 제 1 밸브를 닫고 상기 제 1 배기 펌프의 펌핑을 시작하는 단계를 포함하는 기판 처리 장치의 진공 형성 방법. - 제 13 항에 있어서,
상기 제 1 배기 라인에는 제 1 게이트 밸브가 배치되고, 상기 제 2 배기 라인에는 제 2 게이트 밸브가 배치되며, 상기 제 2 배기 펌프로 상기 공정 챔버의 내부를 펌핑하는 경우 상기 제 1 게이트 밸브 및 상기 제 2 게이트 밸브를 닫는 단계를 포함하는 기판 처리 장치의 진공 형성 방법. - 제 13 항에 있어서,
상기 제 2 배기 라인과 상기 제 1 배기 라인을 연결하는 제 2 밸브를 더 포함하고, 상기 공정 챔버의 내부 압력이 P2 torr 이하가 되면 상기 제 2 밸브를 여는 단계를 포함하는 기판 처리 장치의 진공 형성 방법. - 공정 챔버 내부에서 증착 공정 또는 식각 공정이 종료되어 상기 공정 챔버의 진공이 해제된 뒤 상기 공정 챔버의 진공을 형성하는데 있어서,
상기 공정 챔버의 내부 압력을 조절하고 펌핑하는 제 1 배기 펌프;
기판을 상기 공정 챔버의 내부로 이송시키는 이송 챔버의 내부 압력을 조절하고 펌핑하는 제 2 배기 펌프; 및
상기 공정 챔버와 상기 제 1 배기 펌프는 제 1 배기 라인을 통해 연결되고, 상기 이송 챔버와 상기 제 2 배기 펌프는 제 2 배기 라인을 통해 연결되며, 상기 제 2 배기 라인은 상기 공정 챔버와 연결되는 제 1 밸브를 포함하고,
상기 제 1 밸브를 열고 상기 제 2 배기 펌프의 펌핑을 시작하는 단계;
상기 공정 챔버의 내부의 산소 농도가 기설정된 농도 이하로 되면 상기 제 1 밸브를 닫고 상기 제 1 배기 펌프의 펌핑을 시작하는 단계를 포함하는 기판 처리 장치의 진공 형성 방법. - ◈청구항 17은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈제 16 항에 있어서,
상기 공정 챔버 내에서 수행되는 공정에는 아민(amine)기가 포함되어 있는 것을 포함하는 기판 처리 장치의 진공 형성 방법. - 제 16 항에 있어서,
상기 공정 챔버 내부의 압력이 대기압 상태로 진공이 해제된 후 다시 진공 상태로 변경되는 경우에만 상기 제 2 배기 펌프로 펌핑하고, 상기 공정 챔버 내부가 진공 상태로 변경된 경우에는 상기 제 1 배기 펌프로 펌핑하는 것을 포함하는 기판 처리 장치의 진공 형성 방법. - 삭제
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