KR100552659B1 - 마이크로 스위칭 소자 및 그 제조 방법 - Google Patents

마이크로 스위칭 소자 및 그 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100552659B1
KR100552659B1 KR1020010011734A KR20010011734A KR100552659B1 KR 100552659 B1 KR100552659 B1 KR 100552659B1 KR 1020010011734 A KR1020010011734 A KR 1020010011734A KR 20010011734 A KR20010011734 A KR 20010011734A KR 100552659 B1 KR100552659 B1 KR 100552659B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
lower electrode
switching device
substrate
micro switching
oxide film
Prior art date
Application number
KR1020010011734A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20020071599A (ko
Inventor
강석진
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020010011734A priority Critical patent/KR100552659B1/ko
Publication of KR20020071599A publication Critical patent/KR20020071599A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100552659B1 publication Critical patent/KR100552659B1/ko

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B3/00—Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
    • B81B3/0018—Structures acting upon the moving or flexible element for transforming energy into mechanical movement or vice versa, i.e. actuators, sensors, generators
    • B81B3/0021—Transducers for transforming electrical into mechanical energy or vice versa
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00436—Shaping materials, i.e. techniques for structuring the substrate or the layers on the substrate
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/01—Switches
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2203/00—Basic microelectromechanical structures
    • B81B2203/04—Electrodes

Abstract

본 발명은 마이크로 스위칭 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 알루미늄 산화막을 이용한 MEMs(Miocro Electero Mechanical system)구조의 마이크로 스위칭 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 기판; 상기 기판의 상면에 위치하는 하부전극; 상기 하부전극의 노출된 표면에 형성된 산화막; 상기 하부 전극 상방에 소정의 간격을 두고 이격하여 위치하는 운동판; 상기 운동판과 상기 하부 전극 사이의 소정의 간격을 고정시키기 위하여 상기 운동판의 양측면과 상기 기판사이에 개재된 앵커;를 포함하는 마이크로 스위칭 소자를 제공하여, 낮은 비용과 안정적인 수율을 확보할 수 있으며, 유전율이 작은 절연막을 사용할 수 있고, 비교적 간단한 공정으로 MEMs 구조의 마이크로 스위칭 소자의 대량 생산이 가능하다.

Description

마이크로 스위칭 소자 및 그 제조 방법{Micro switching device and Manufacturing method thereof}
도 1은 종래 기술에 의한 강유전체 박막을 이용한 마이크로 스위칭 소자의 접촉부에 대한 수직 단면도이다.
도 2은 본 발명에 의한 알루미늄 산화막을 이용한 마이크로 스위칭 소자의 접촉부의 수직 단면도이다.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명에 의한 알루미늄 산화막을 이용한 마이크로 스위칭 소자의 제조 공정을 순서대로 보여주는 도면이다.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
11... 기판 12... 하부 복합 전극층
13... 강유전체 박막 14... 공기층
15... 상부 전극층(운동판) 21... 기판
22... 하부 전극층 23... 알루미늄 산화막
24... 공기층 25... 운동판
31... 기판 32... 알루미늄 전극층
33... 희생층 34... 운동판
35... 알루미늄 산화막
본 발명은 마이크로 스위칭 소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 알루미늄 산화막을 이용한 MEMs(Miocro Electero Mechanical system)구조의 마이크로 스위칭 소자에 관한 것이다.
강유전체 박막을 이용한 종래의 MEMs 구조의 마이크로 스위칭 소자의 구조를 도 1을 참고하여 설명하고자 한다. 도 1은 종래 기술에 의한 강유전체 박막을 이용한 마이크로 스위칭 소자의 접촉부에 대한 수직 단면도이다.
기판(11) 상부에는 통상적으로 하부전극층(12)이 형성되어 있으며, 이러한 하부전극층(12) 상에는 강유전체 박막(13)이 형성되어 있다. 상기와 같은 하부 전극(12) 및 강유전체 박막(13)이 순차적으로 형성된 기판의 상방에 운동판(구동스테이지)(15)이 위치하며, 이러한 운동판(15)은 그의 네 모서리가 지지체(앵커)에 의해 지지되어 통상적으로 기판(11)과 소정의 간격을 두고 이격되어 있다. 따라서 MEMs 구조의 마이크로 스위칭 소자는 기판(11)과 상기 운동판(15) 사이에는 공기층(14)이 마련된 구조를 가지고 있다.
이러한 종래의 MEMs 구조의 마이크로 스위칭 소자의 작동 방법을 살펴보면 다음과 같다. On 상태에서 상기 운동판(15)과 하부 전극(13) 사이의 정전기력에 의해 통상적으로 금속으로 이루어진 운동판(15)이 상기 기판(11)면의 법선 방향으로 움직이며, 유전체(13) 상부에 닿는다. 따라서, 하부전극/강유전체 박막/운동판의 형식으로 구성된 캐패시터에 있어서, 정전 용량에 반비례하는 손실을 발생시키면서 상기 운동판(15)과 하부 전극(12) 사이에 RF 신호가 상호 전달된다. 여기서, 상기 유전체층(13)의 유전율이 클수록, 또한 유전체층(13)의 두께가 얇을 수록 이러한 손실을 줄일 수 있다. 그리고, Off 상태에서는 상기 운동판(15)이 기판(11)면을 기준으로 양의 법선 방향으로 움직이면서 강유전체 박막(13)으로 부터 떨어지게 된다. 이 경우, 하부전극/강유전체 박막/공기층/운동판의 형식으로 구성된다. 이때, 유전율이 1인 공기층(14)이 상기 강유전체 박막(13)과 운동판(15) 사이에 개재되면서 금속으로 이루어진 운동판(15)과 하부 전극(12) 사이의 정전 용량이 매우 작아지게 되어 손실이 매우 커져서 RF 신호가 거의 전달되지 않는다. 종래에는 on 상태에서의 손실을 줄이기 위해 강유전체 박막을 사용하였는데, 박막의 두께는 누설 전류를 줄이기 위해서, 보통 수천 Å 이상 증착시켜야 하는 문제점이 있고, 또한 STO(Srontium Titanate Oxide)와 같은 강유전체를 전극층 상부에 형성시키기 위해서는 확산 방지용으로 Pt와 같은 고비용이 드는 박막의 증착이 추가로 필요한 문제점이 있다.
본 발명은 상기 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여, 수백 Å이하의 두께로도 누설전류가 없이, 비록 유전률은 작지만 정전용량은 충분히 크게할 수 있어, on 상태에서의 손실은 종래와 유사하고 제조비용은 매우 저렴한 MEMs 구조의 마이크로 스위칭 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에서는 상기 목적을 달성하기 위하여,
기판;
상기 기판의 상면에 위치하는 하부전극;
상기 하부전극의 노출된 표면에 형성된 산화막;
상기 하부 전극 상방에 소정의 간격을 두고 이격하여 위치하는 운동판;
상기 운동판과 상기 하부 전극 사이의 소정의 간격을 고정시키기 위하여 상기 운동판의 양측면과 상기 기판사이에 개재된 앵커;로 이루어진 것을 특징으로 하는 마이크로 스위칭 소자를 제공한다.
본 발명에 있어서, 상기 운동판은 Au 또는 Cu를 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서, 상기 하부전극은 알루미늄으로 이루어지며, 상기 산화막은 상기 하부전극의 산화물로 이루어진 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에서는
기판 상부에 하부전극을 형성시키는 단계;
상기 상기 기판 및 하부전극 상부에 희생층을 형성시키는 단계;
상기 희생층 상부에 운동판을 형성시키는 단계;
상기 희생층을 제거하고, 상기 하부전극의 노출된 표면에 산화막을 형성시키는 단계;로 이루어진 것을 특징으로 하는 마이크로 스위칭 소자의 제조 방법을 제공한다.
본 발명에 있어서, 상기 하부 전극은 알루미늄을 포함하며, 상기 산화막은 산소 플라즈마 처리 기술에 의하여 상기 하부 전극을 산화하여 이루어지는 것이 바 람직하다.
이하, 도면을 참고하면서 본 발명에 의한 MEMs 구조의 마이크로 스위칭 소자에 대해 보다 상세히 설명하기로 한다. 도 2는 본 발명에 의한 알루미늄 산화막을 이용한 마이크로 스위칭 소자의 접촉부의 수직 단면도이다. 기판(21) 상부에는 알루미늄으로 이루어진 하부전극층(22)으로 형성되어 있으며, 이러한 하부전극층(22)의 노출된 표면에는 알루미늄 산화막(Al2O3)(23)이 형성되어 있다. 이때, 이러한 알루미늄 산화막(23)은 100Å 이하인 것이 바람직하다. 상기와 같은 하부 전극(22) 및 알루미늄 산화막(23)이 순차적으로 형성된 기판(21)의 상방에 운동판(25)이 위치하며, 이러한 운동판(25)은 그의 네 모서리가 앵커(미도시)에 의해 지지되어 기판(21)과 소정의 간격을 두고 이격되어 있다. 이러한 구조는 상기 종래 기술의 MEMs 구조의 마이크로 스위칭 소자와 마찬가지로 기판(21)과 상기 운동판(25) 사이에는 공기층(24)이 마련된 구조를 가지고 있다. 다만, 상기 종래 기술에 있어서는 상기 하부 전극(22) 상부에 수천 Å 두께를 지닌 강유전체 막을 형성시켰으나, 본 발명에서는 알루미늄 하부 전극(22)의 노출된 표면에 약 100Å 이하의 알루미늄 산화막(23)을 형성시킨 것을 특징으로 하는데 차이점이 있다.
상기와 같은 본 발명에 의한 MEMs 구조의 마이크로 스위칭 소자의 제조 방법을 도 3a 내지 도 3d를 참고로 하여 설명하면 다음과 같다. 도 3a 내지 도 3d는 본 발명에 의한 MEMs 구조의 마이크로 스위칭 소자의 제조 과정을 순서대로 도시한 도면이다.
먼저, 도 3a에 나타낸 것과 같이 기판(31) 상부에 RF 신호를 전송하기 위한 전송선(신호선 및 접지선) 및 스위치 구동 전극의 역할을 하는 알루미늄층(32)을 형성시킨다. 상기 기판(31)은 통상적으로 실리콘 기판인 경우 그 표면에 실리콘 산화막이 형성된다. 상기 알루미늄층(32)은 CMOS 공정과 양립할 수 있는 알루미늄 금속 공정에 따른다.
다음으로 도 3b에 나타낸 것과 같이, 본 발명에 의한 MEMs 구조의 마이크로 스위칭 소자의 작동시 운동판의 구동 변위를 정의하는 희생층(33)을 상기 알루미늄 층(32) 및 기판(31) 상부에 도포한다. 이러한 운동판(34)의 구동 변위란, 스위칭 소자의 작동시 운동판(34)이 상기 기판(31)면의 법선의 음의 방향으로 이동하여 기판(31) 상부의 알루미늄 산화층(35)과 접촉하는 과정의 이동 거리로서, 소자 제작시 재료 특성 및 유전율을 고려하여 결정한다.
다음으로 도 3c에 나타낸 바와 같이, 기판(31) 및 알루미늄층(32) 상부에 형성된 희생층(33)에 상부 전극으로서의 기능을 하는 운동판(34)의 패턴을 형성시킨다. 이러한 운동판(34)은 상기에서 서술한 바와 같이, 기판의 법선 축을 따라 이동하면서 접촉부와 전기적으로 접촉 및 분리 운동을 하며 RF 신호의 전달/차단을 하게 된다. 이러한 운동판(34)은 Au, Cu등의 금속으로 형성시키는 것이 바람직하다.
마지막으로 도 3d에 나타낸 바와 같이, 상기 기판(31) 및 알루미늄층(32)과 운동판(34) 사이에 형성된 희생층(33)을 제거하고, 상기 알루미늄층(32)의 노출된 표면에 산화 알루미늄층(35)을 형성시킨다. 도 3a 내지 3d는 이러한 MEMs 구조의 마이크로 스위칭 소자의 접촉부의 단면을 나타낸 것으로, 상기 희생층(33)을 제거 한 뒤에는 앵커에 의해 운동판(34)이 기판(31)과 소정거리 이격된 채 고정되어 마치 알루미늄 산화막(35)과 운동판(34) 사이에 공기층이 삽입된 구조를 지니게 된다. 상기 희생층(33)을 제거된 알루미늄층(32)의 노출된 표면에 산소 플라즈마(oxide plasma) 공정을 이용하여 양질의 얇은 알루미늄 산화막(35)을 형성시킨다. 이러한 알루미늄 산화막(35)의 두께는 100Å이하인 것이 바람직하다.
이하, 본 발명에 의한 MEMs 구조의 마이크로 스위칭 소자의 작동 과정에 대해 보다 상세히 설명하고자 한다.
정전용량 결합형 RF 스위치는 On 상태에서 상기 운동판(31)과 하부 전극(32) 사이의 정전기력에 의해 통상적으로 금속으로 이루어진 운동판(34)이 상기 기판(31)면의 방향으로 이동하며 알루미늄 산화막(35)의 상부에 닿는다. 따라서, 하부전극/알루미늄 산화막/운동판의 형식으로 구성된 캐패시터에 있어서, 정전 용량에 반비례하는 손실을 발생시키면서 상기 운동판(34)과 하부 전극(32) 사이에 RF 신호가 상호 전달된다. 그리고, Off 상태에서는 상기 운동판(34)이 기판(31)면을 기준으로 양의 법선 방향으로 움직이면서 알루미늄 산화막(35)으로 부터 떨어지게 된다. 이 경우, 하부전극/알루미늄 산화막/운동판의 형식으로 구성된다.
여기서, 상기 종래 기술에서 설명한 바와 같이 On 동작시 상기 하부전극과 운동판 사이에 개재되는 물질이 유전율이 클수록, 또한 유전체의 두께가 얇을수록 손실이 거의 없는 신호가 전달되므로 종래의 수천 Å 이상의 두께를 지닌 강유전체층을 증착시켰지만, 본원에서는 CMOS 공정과 양립 가능한 알루미늄 금속 공정을 이용하여 하부 전극(32)으로 알루미늄을 증착시키고, 상기 알루미늄층(32)의 노출 된 표면에 산소 플라즈마 공정을 통하여 상기 알루미늄 하부 전극층(32) 상에 알루미늄 산화막(35)을 형성시킨다.
본 발명에 의하면, MEMs 구조의 마이크로 스위칭 소자에 있어서, 통상적으로 사용하는 수천 Å의 강유전체층의 사용시 발생하는 공정상의 문제점인 수율의 감소 및 고비용을 피할 수 있다. 즉 저비용 및 안정적인 수율을 확보할 수 있으며, 강유전체 물질에 비하여 유전율이 작은 알루미늄 산화막등의 절연막을 사용할 수 있으며, 비교적 간단한 공정에 의하여 MEMs 구조의 마이크로 스위칭 소자의 대량 생산이 가능한 장점이 있다.

Claims (7)

  1. 기판;
    상기 기판의 상면에 위치하는 하부전극;
    상기 하부전극의 노출된 표면에 형성된 산화막;
    상기 하부 전극 상방에 소정의 간격을 두고 이격하여 위치하는 운동판;
    상기 운동판과 상기 하부 전극 사이의 소정의 간격을 고정시키기 위하여 상기 운동판의 양측면과 상기 기판사이에 개재된 앵커;를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 스위칭 소자
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 운동판은 Au 또는 Cu를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 스위칭 소자.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 하부전극은 알루미늄으로 이루어진 것을 특징으로 하는 마이크로 스위칭 소자.
  4. 제 1항 또는 제 3항중 어느 한 항에 있어서,
    상기 산화막은 상기 하부전극의 산화물로 이루어진 것을 특징으로 하는 마이크로 스위칭 소자.
  5. 기판 상부에 하부전극을 형성시키는 단계;
    상기 상기 기판 및 하부전극 상부에 희생층을 형성시키는 단계;
    상기 희생층 상부에 운동판을 형성시키는 단계;
    상기 희생층을 제거하고, 상기 하부전극의 노출된 표면에 산화막을 형성시키는 단계;로 이루어진 것을 특징으로 하는 마이크로 스위칭 소자의 제조 방법.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 하부 전극은 알루미늄을 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로 스위칭 소자의 제조 방법.
  7. 제 5항 또는 제 6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 산화막은 산소 플라즈마 처리 기술에 의하여 상기 하부 전극을 산화하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 마이크로 스위칭 소자의 제조 방법.
KR1020010011734A 2001-03-07 2001-03-07 마이크로 스위칭 소자 및 그 제조 방법 KR100552659B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020010011734A KR100552659B1 (ko) 2001-03-07 2001-03-07 마이크로 스위칭 소자 및 그 제조 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020010011734A KR100552659B1 (ko) 2001-03-07 2001-03-07 마이크로 스위칭 소자 및 그 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20020071599A KR20020071599A (ko) 2002-09-13
KR100552659B1 true KR100552659B1 (ko) 2006-02-20

Family

ID=27696659

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020010011734A KR100552659B1 (ko) 2001-03-07 2001-03-07 마이크로 스위칭 소자 및 그 제조 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100552659B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7726010B2 (en) 2005-09-01 2010-06-01 International Business Machines Corporation Method of forming a micro-electromechanical (MEMS) switch
KR101455743B1 (ko) * 2013-07-03 2014-11-03 서울대학교산학협력단 저항 변화를 기반으로 한 나노 스케일의 전자기계적 구조의 스위치 소자

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4959515A (en) * 1984-05-01 1990-09-25 The Foxboro Company Micromechanical electric shunt and encoding devices made therefrom
US6143997A (en) * 1999-06-04 2000-11-07 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Low actuation voltage microelectromechanical device and method of manufacture
US6373007B1 (en) * 2000-04-19 2002-04-16 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Series and shunt mems RF switch
US6452124B1 (en) * 2000-06-28 2002-09-17 The Regents Of The University Of California Capacitive microelectromechanical switches

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4959515A (en) * 1984-05-01 1990-09-25 The Foxboro Company Micromechanical electric shunt and encoding devices made therefrom
US6143997A (en) * 1999-06-04 2000-11-07 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Low actuation voltage microelectromechanical device and method of manufacture
US6373007B1 (en) * 2000-04-19 2002-04-16 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Series and shunt mems RF switch
US6452124B1 (en) * 2000-06-28 2002-09-17 The Regents Of The University Of California Capacitive microelectromechanical switches

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7726010B2 (en) 2005-09-01 2010-06-01 International Business Machines Corporation Method of forming a micro-electromechanical (MEMS) switch
KR100992026B1 (ko) * 2005-09-01 2010-11-05 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 마이크로 캐비티 ｍｅｍｓ 장치 및 그 제조방법
KR101455743B1 (ko) * 2013-07-03 2014-11-03 서울대학교산학협력단 저항 변화를 기반으로 한 나노 스케일의 전자기계적 구조의 스위치 소자

Also Published As

Publication number Publication date
KR20020071599A (ko) 2002-09-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100419233B1 (ko) 멤스소자 및 그의 제작방법
EP1395516B1 (en) Membrane for micro-electro-mechanical switch, and methods of making and using it
US7098577B2 (en) Piezoelectric switch for tunable electronic components
KR101092536B1 (ko) 압전형 ｒｆ 멤스 소자 및 그 제조방법
JP4438786B2 (ja) Ｍｅｍｓ振動子及びその製造方法
KR100726436B1 (ko) 정전기력 및 압전력에 의해 구동되는 멤스 스위치
KR20070053515A (ko) Ｒｆ 멤스 스위치 및 그 제조방법
US20030042117A1 (en) High-speed mems switch with high-resonance-frequency beam
EP1840924A2 (en) Piezoelectric MEMS switch and method of fabricating the same
US7548144B2 (en) MEMS switch and method of fabricating the same
JP2001143595A (ja) マイクロ・エレクトロメカニカルｒｆスイッチをベースにした折り返しバネとその製造方法
JP2006210250A (ja) マイクロスイッチング素子
JP2007515306A (ja) 電子装置
JP2006269127A (ja) マイクロマシンスイッチ及び電子機器
KR100552659B1 (ko) 마이크로 스위칭 소자 및 그 제조 방법
US20020126455A1 (en) Tiled microelectromechanical device modules and fabrication methods
KR20080097023A (ko) Ｒｆ ｍｅｍｓ 스위치 및 그 제조 방법
US6750078B2 (en) MEMS switch having hexsil beam and method of integrating MEMS switch with a chip
US7026899B2 (en) Push/pull actuator for microstructures
US7300813B2 (en) Method for manufacturing micro-machined switch using pull-up type contact pad
JP4359923B2 (ja) エレクトロメカニカルスイッチの製造方法
JP4359920B2 (ja) エレクトロメカニカルスイッチ
KR100532991B1 (ko) 고주파 스위치 제조방법
KR100520891B1 (ko) 잔류응력 및 압전구동력을 이용한 초소형 전기 기계시스템 고주파 스위치
JPH04269417A (ja) 静電リレーの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130115

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140124

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150116

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160119

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170119

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180119

Year of fee payment: 13

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190116

Year of fee payment: 14

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200120

Year of fee payment: 15