KR100549678B1 - Plasma device and plasma generating method - Google Patents

Plasma device and plasma generating method Download PDF

Info

Publication number
KR100549678B1
KR100549678B1 KR20037009440A KR20037009440A KR100549678B1 KR 100549678 B1 KR100549678 B1 KR 100549678B1 KR 20037009440 A KR20037009440 A KR 20037009440A KR 20037009440 A KR20037009440 A KR 20037009440A KR 100549678 B1 KR100549678 B1 KR 100549678B1
Authority
KR
Grant status
Grant
Patent type
Prior art keywords
waveguide
cavity
conductive member
electromagnetic field
connected
Prior art date
Application number
KR20037009440A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20040062870A (en )
Inventor
마코토 안도
이시이노부오
마사하루 타카하시
Original Assignee
동경 엘렉트론 주식회사
마코토 안도
마사하루 타카하시
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Grant date

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes, e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192Microwave generated discharge
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes, e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244Gas supply means

Abstract

급전부를 통해 공급되는 고주파 전자계(F)를 처리 용기(11) 내에 공급하는 슬롯 안테나(30)를 구비한 플라즈마 장치로서, 상기 급전부는 공진기를 구성하는 동시에 급전되는 고주파 전자계(F)를 회전 전자계로 변환하여 상기 슬롯 안테나(30)에 공급하는 캐비티(35)를 갖는다. A high-frequency electromagnetic field (F) which is supplied via the power supply portion A plasma device comprising a slot antenna 30 that is supplied into the processing vessel 11, the power supply unit the electromagnetic field to rotate the high-frequency electromagnetic field (F) fed in at the same time constituting the resonator It converted to have a cavity (35) to be supplied to the slot antenna 30.

Description

플라즈마 장치 및 플라즈마 생성 방법{PLASMA DEVICE AND PLASMA GENERATING METHOD} A plasma device and a plasma generation method {PLASMA DEVICE AND PLASMA GENERATING METHOD}

본 발명은 슬롯 안테나를 이용하여 처리 용기 내에 공급한 전자계에 의해 플라즈마를 생성하는 플라즈마 장치 및 플라즈마 생성 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a plasma apparatus and a plasma generation method for generating a plasma by a magnetic field supplied to the process vessel by using a slot antenna.

반도체 장치나 플랫 패널 디스플레이의 제조에 있어서, 산화막의 형성이나 반도체층의 결정 성장, 에칭, 또한 애싱 등의 처리를 하기 위해서 플라즈마 장치가 많이 이용되고 있다. In the production of semiconductor devices or flat panel displays, the oxide film formation or the crystal growth of the semiconductor layer, etching, and it has been widely used a plasma device to a treatment such as ashing. 이들 플라즈마 장치 중에, 슬롯 안테나를 이용하여 처리 용기 내에 고주파 전자계를 공급하여, 그 전자계에 의해 고밀도 플라즈마를 발생시키는 고주파 플라즈마 장치가 있다. Of these plasma apparatus, by supplying a high-frequency electromagnetic field within the processing vessel using a slot antenna, a high-frequency plasma device for generating a high density plasma by the magnetic field. 이 고주파 플라즈마 장치는 플라즈마 가스의 압력이 비교적 낮더라도 안정적으로 플라즈마를 생성할 수 있다고 하는 특색이 있다. The high-frequency plasma device has a feature that it is possible to generate the plasma stably, the pressure of the plasma gas is relatively low, even if the.

이러한 플라즈마 장치를 이용하여 각종 처리를 할 때에는 반도체 기판 등의 처리면 상에서의 플라즈마의 이차원적인 분포(이하「면내 분포」라고 함)를 균일하게 할 필요가 있다. When various processes using such a plasma apparatus, it is necessary to even out the (hereinafter referred to as "in-plane distribution"), two-dimensional distribution of the plasma on the treated surface such as a semiconductor substrate.

슬롯 안테나를 이용하여 균일한 면내 분포를 갖는 플라즈마를 생성하는 방법으로서, 고주파 전원으로부터 급전되는 고주파 전자계를 회전 전자계로 변환하여, 원편파로 이루어진 회전 고주파 전자계를 슬롯 안테나에 공급하는 것이 생각되고 있다. A method of generating plasma having a uniform in-plane distribution by using a slot antenna, it is considered to be converted into rotation of the high-frequency electromagnetic field to be supplied from the radio frequency electromagnetic field, and supplies the rotational high-frequency electromagnetic field consisting of a circular polarized wave in the slot antenna.

도 21은 종래의 고주파 플라즈마 장치의 일구성예를 도시한 도면이다. 21 is a view showing an exemplary configuration of a conventional high-frequency plasma device. 이 도 21에 있어서는 종래의 고주파 플라즈마 장치의 일부 구성에 관해서 종단면 구조가 도시되어 있다. In this Figure 21 a longitudinal cross-sectional structure is illustrated with respect to some of the configuration of a conventional high-frequency plasma device.

종래의 플라즈마 장치는 상부가 개구된 바닥 보유 원통형 처리 용기(111)와, 이 처리 용기(111)의 상부 개구를 폐쇄한 유전체판(113)과, 이 유전체판(113)의 위에 배치되어, 처리 용기(111) 내에 고주파 전자계를 방사하는 레디얼 안테나(130)를 구비하고 있다. Conventional plasma device is disposed on the dielectric plate 113 and the dielectric plate 113 by the top portion is open the bottom holding cylindrical processing vessel 111, it closes the upper opening of the processing vessel 111, the process and a radial antenna 130 in which a high frequency electromagnetic field in the vessel (111).

이 처리 용기(111)의 저부에는 기판대(122)가 고정되어, 이 기판대(122)의 적재면에 피처리체인 기판(121)이 배치된다. The bottom of the processing vessel 111 is fixed with a substrate board (122), the object to be processed the substrate 121 to the mounting surface of the substrate table 122 is arranged. 또한, 처리 용기(111)의 저부에는 진공 배기용의 배기구(116)가 설치되고, 처리 용기(111)의 측벽에는 플라즈마 가스 및 프로세스 가스 공급용의 노즐(117)이 설치되어 있다. Further, the side wall of the process vessel 111 has a bottom exhaust port 116 is installed, the process vessel 111 for evacuating the there is a nozzle (117) for the plasma gas and the process gas supply is provided.

유전체판(113)은 석영 유리 등으로 이루어지며, 처리 용기(111)와의 사이에 O링 등의 시일 부재(도시하지 않음)를 개재시킴으로써 처리 용기(111) 내의 플라즈마가 외부로 새지 않도록 하고 있다. A dielectric plate (113) has a plasma within the seal member (not shown) the treatment vessel (111) by interposing a such as an O-ring in between is made of quartz glass or the like, the processing vessel 111 does not leak to the outside.

또한, 레디얼 안테나(130)는 슬롯 안테나의 일종이며, 레디얼 도파로(133)를 형성하는 서로 평행한 2장의 원형 도체판(131, 132)과, 이들 도체판(131, 132)의 외주부를 접속하는 도체링(134)으로 구성되어 있다. In addition, the radial antenna 130 is a kind of a slot antenna, a radial waveguide (133) to each other parallel to two circular conductive plates 131 and 132 to form a and, for connecting the outer circumferential portion of these conductive plates 131 and 132 It consists of a conductive ring (134). 레디얼 도파로(133)의 상면이 되는 도체판(132)의 중심부에는 고주파 전자계를 레디얼 안테나(130) 내에 도입하는 도입구(135)가 형성되어 있다. The center of the radial waveguide 133, a conductive plate 132 which is the top surface of the is formed with a feed port 135 for introducing a high frequency electromagnetic field in the radial antenna 130. 레디얼 도파로(133)의 하면이 되는 도체판(131) 에는 레디얼 도파로(133) 내를 전파하는 전자계(F)를 유전체판(113)을 통해 처리 용기(111) 내에 방사하는 슬롯(136)이 주위 방향에 복수 형성되어, 레디얼 안테나(130)의 안테나면을 형성하고 있다. Slots 136 for the radiation in the conductive plate 131 has a radial waveguide 133, the processing vessel 111 through the dielectric plate 113, an electromagnetic field (F) propagating in that the lower face of the radial waveguide (133) is around the It is formed in plurality in the direction, and form an antenna surface of the radial antenna 130. 또한, 레디얼 안테나(130) 및 유전체판(113)의 외주는 환상의 실드재(112)에 의해서 덮이고, 전자계가 외부로 새지 않는 구조로 되어 있다. In addition, the radial outer periphery of the antenna 130 and dielectric plate 113 is covered by the shield member 112 of the cyclic, has a structure the magnetic field-tight to the exterior.

종래의 플라즈마 장치에 있어서는 다음과 같은 구성을 취함으로써 레디얼 안테나(130)에 회전 전자계를 공급하고 있었다. In the conventional plasma device by taking the following constitution it was supplied to rotate the electromagnetic field radial to the antenna 130.

즉, 종래의 플라즈마 장치는 회전 전자계를 공급하기 위해서 고주파 전자계를 발생하는 고주파 발생기(145)와, 고주파 발생기(145)로부터 출력되는 고주파 전자계를 유도하는 구형 도파관(143)과, 구형 도파관과 원통 도파관을 접속하기 위한 구형·원통 변환기(147)와, 직선 편파의 고주파 전자계를 회전 전자계로 변환하는 원편파 변환기(146)를 구비하고 있었다. That is, the conventional plasma device is a high frequency generator 145, a high frequency generator rectangular waveguide 143 for guiding the high frequency electromagnetic field which is output from 145 and the rectangular waveguide and the cylindrical waveguide for generating a high frequency electromagnetic field in order to supply the rotating electromagnetic field and the spherical-cylinder transducer (147) for connecting, one for converting a high-frequency electromagnetic field of a linear polarization with a rotary magnetic field was provided with a polarization converter (146).

여기서 원편파 변환기(146)로서는 예컨대, 도 22의 (c)에 도시하는 바와 같이 원통 도파관의 내벽에 대향하는 도체 제조의 원주형 돌기(146A)를 축 방향으로 1조 또는 복수조 설치한 것이 이용된다. Where circular polarization converter 146, as for example, to use a FIG. 22 (c) 1.The a columnar projection (146A) of the conductor produced opposite to the inner wall of the cylindrical pipe in an axial direction or a plurality of action as the installation illustrated in do. 이들 원주형 돌기(146A)는 구형·원통 변환기(147)로부터 입력되는 TE11 모드의 전자계의 전계의 주방향에 대하여 45°를 이루는 방향으로 배치되고, 복수조의 경우에는 축 방향으로 λ/4(λ는 전파하는 전자파의 관내 파장)의 간격으로 설치되어, 이 TE11 모드의 고주파 전자계를 그 전계의 주방향이 원통 도파관의 축선을 중심으로 회전하는 회전 전자계로 변환한다. If these columnar projections (146A) are arranged in a direction forming a 45 ° to the main direction of the electric field of the electromagnetic field of the TE11 mode, which is input from the spherical, cylindrical transducer 147, plural sets has axially λ / 4 (λ It is installed with an interval of the inner wavelength) of the electromagnetic wave propagated, and converts the high-frequency electromagnetic field of the TE11 mode by a rotary magnetic field that rotates about the axis of the cylindrical waveguide of the field kitchen smell.

이러한 구성을 갖는 종래의 플라즈마 장치에 있어서 회전 전자계가 공급되는 구조를 도 22를 참조하여 설명하면 다음과 같이 된다. Referring to Figure 22, a structure in which the rotating magnetic field is supplied in a conventional plasma apparatus having such a configuration is as follows. 또, 도 22는 구형 도파관(143), 구형·원통 변환기(147), 원편파 변환기(146)의 내부를 전파하는 전자계의 모습을 모식적으로 나타내는 도면이다. In addition, Figure 22 is a view showing the shape of the electromagnetic field propagating through the interior of the rectangular waveguide 143, a spherical, cylindrical transducer 147, the circular polarization converter 146. As shown in Fig. 여기서 도 22의 (a)는 도 21에 도시한 구형 도파관(143)을 전파하는 전자계의 A-A'에 있어서의 전계의 모습, 도 22의 (b), (e), (f)는 구형·원통 변환기(147)의 출구 B-B'에 있어서의 전계의 모습, 도 22의 (c), (d), (g)는 원편파 변환기(146)를 전파하는 전자계의 전계와 회전의 방향을 도시한다. Here, in Fig. 22 (a) is in the shape of the electric field in the A-A 'of the electromagnetic field propagating through rectangular waveguide 143, and 22 shown in Figure 21 (b), (e), (f) are spherical , appearance of an electric field at the outlet B-B 'of the cylinder transducer (147), (c), (d), (g) of Figure 22 is the direction of the electric field and the rotation of the electromagnetic field propagating in the circular polarization converter 146, It shows a.

고주파 발생기(145)로부터 TE10 모드에서 구형 도파관(143)을 전파한 고주파 전자계[도 22의 (a)]는 구형·원통 변환기(147)에 의해서 TE11 모드로 변환되어[도 22의 (b)] 원편파 변환기(146)의 원통 도파관에 도입된다. By propagating the rectangular waveguide 143 in TE10 mode from the high frequency generator 145, a high frequency electromagnetic field [(a) of FIG. 22] is converted into a TE11 mode by a spherical, cylindrical transducer (147) [(b) of Figure 22; source is introduced in the cylindrical waveguide of the polarization converter 146. 그리고 원편파 변환기(146)를 전파하면서 회전 전자계로 변환되어[도 22의 (c)], 도체판(132)의 중심부에 형성된 도입구(135)로부터 레디얼 안테나(130) 내에 공급된다. And is supplied into the circular polarization converter is converted to a rotational magnetic field while the radio wave (146) [(c) of FIG. 22], radial antenna 130 from the feed port 135 formed in the center of the conductive plate (132).

그러나, 레디얼 안테나(130)에 공급된 회전 전자계의 일부는 레디얼 도파로(133)의 단부에 위치하는 도체링(134)에 의해서 반사되어, 그 반사된 회전 전자계가 동일한 방향으로 회전하면서 원편파 변환기(146) 내를 역방향으로 전파한다[도 22의 (d)]. However, a portion of the rotating electromagnetic field supplied to the radial antenna 130 is reflected by the conductive ring 134 which is located at an end of a radial waveguide (133), and while the reflected rotating magnetic field rotating in the same direction circular polarization converter ( 146) and propagating in the opposite direction [(d) of FIG. 22]. 그리고, 이 반사 전자계는 구형·원통 변환기(147)에 있어서 고정단의 반사를 행하고[도 22의 (e), (f)], 다음번은 역방향으로 회전하는 회전 전자계가 되어 원편파 변환기(146) 내를 전파하여[도 22의 (g)], 레디얼 안테나(130)에 공급되게 된다. Then, the reflected electromagnetic field is subjected to the reflection of the fixing part in a spherical, cylindrical transducer (147) of FIG. 22 (e), (f)], the next time is a rotating electromagnetic field circular polarization converter 146, which rotates in the reverse direction by propagating in it is presented Fig. 22 (g)] supplied to the radial antenna 130.

그 결과, 레디얼 안테나(130)에는 위상 및 회전의 방향이 서로 다른 회전 전 자계가 혼재한 상태로 공급되게 되어, 그 때의 고주파 전자계의 편파는 도 23에 도시한 바와 같은 타원이 된다. As a result, the radial antenna 130, the direction of phase rotation and is presented to each other supplied with a different rotation around the magnetic field are mixed, and the polarization of the radio frequency electromagnetic field at the time becomes the ellipse as shown in Fig. 그렇게 하면, 처리 용기 내에서 생성되는 플라즈마의 면내 분포의 균일성이 저하하여, 특히 주연부에서의 플라즈마 처리에 불균일이 생기게 된다. Then, by the uniformity of the radial distribution of the plasma generated in the processing container deteriorated, in particular it is causing a non-uniform plasma processing in the peripheral portion.

이와 같이 원편파 변환기(146)로 변환한 회전 전자계를 레디얼 안테나(130)에 공급한 것만으로는 레디얼 안테나(130)로부터의 반사 전자계의 영향에 의해 플라즈마 분포의 면내 균일성을 얻는 것이 곤란하였다. In this way simply by supplying a rotating magnetic field converted to circular polarization converter 146 in the radial antenna 130 was difficult to obtain in-plane uniformity of the plasma distribution due to the influence of a reflection electromagnetic field from the radial antenna 130.

발명의 개시 Disclosure of the Invention

본 발명은 이러한 과제를 해결하기 위해서 이루어진 것으로, 그 목적은 플라즈마 분포의 면내 균일성을 개선하는 것에 있다. The present invention has been made to solve the above problems, and an object thereof is to improve the in-plane uniformity of the plasma distribution.

이러한 목적을 달성하기 위해서 본 발명에 따른 플라즈마 장치는 급전부를 통해 고주파 전자계가 공급되는 도파로에 형성된 슬롯 안테나와, 이 슬롯 안테나를 통해 공급되는 고주파 전자계에 의해서 플라즈마가 생성되는 처리 용기를 구비하고, 상기 급전부는 공진기를 구성하는 동시에 급전되는 고주파 전자계를 회전 전자계로 변환하여 상기 도파로에 공급하는 캐비티를 갖는 것을 특징으로 한다. In order to achieve this object, and the plasma apparatus according to the present invention is provided with a processing vessel in which plasma is generated by a high frequency electromagnetic field to be through the feed supplied through a slot antenna formed in a waveguide of a high-frequency magnetic field is supplied, a slot antenna, the power supply unit may convert the high-frequency electromagnetic field that is powered at the same time constituting the resonator at a rotational magnetic field having a cavity to be supplied to the waveguide. 본 발명에 있어서는 캐비티 내에서 회전 전자계가 공진하면서 도파로 내에 원편파로 이루어진 회전 고주파 전자계가 공급된다. The present invention is in the cavity rotating magnetic field rotates the high-frequency electromagnetic field consisting of a circular polarized wave in the waveguide and is provided in the resonator.

이 플라즈마 장치는 도파로 내에서의 캐비티의 개구부의 주위에 설치되어 캐비티의 내경과 동일한 내경을 갖는 링부재를 구비하고 있어도 좋다. The plasma device may be provided with a ring member is provided around the cavity in the waveguide opening which has the same inner diameter as the inner diameter of the cavity. 이 링부재의 두께와 폭을 조절함으로써 캐비티 내에서 공진하는 고주파 전자계 중, 도파로 내에 공급되는 고주파 전자계의 비율을 조절할 수 있다. Of the high frequency electromagnetic field resonating in the cavity by adjusting the thickness and width of the ring member, it is possible to adjust the ratio of high-frequency electromagnetic field which is fed into the waveguide.

본 발명에 따른 플라즈마 장치의 제1 구성예로서, 상기 캐비티는 고주파 전자계를 급전하는 동축 도파관의 외부 도체와 접속된 원형 도체 부재와, 일단이 이 원형 도체 부재와 접속되고 타단이 상기 도파로 내에 개구된 원통 도체 부재로 형성되는 동시에, 상기 원형 도체 부재의 중심로부터 그 직경 방향으로 이격된 위치에 설치되어 상기 동축 도파관의 내부 도체와 일단이 접속된 급전핀과, 이 급전핀과 상기 원형 도체 부재의 중심을 사이에 두고 소정의 각도를 이루는 위치에 설치되어 일단이 상기 원형 도체 부재와 접속된 섭동핀을 구비하는 것을 특징으로 한다. As a first configuration example of a plasma apparatus according to the present invention, the cavity is connected with the circular conductive member connected to the outer conductor of the coaxial waveguide feed to a high-frequency electromagnetic field, one end is a circular conductive member and the other end opening in which the waveguide At the same time formed with the cylindrical conductive member, the center of the from the center of the circular conductive member is provided in a position spaced the radial direction and the inner conductor of the coaxial waveguide end is connected a power supply pin, and the circular conductive member and the power supply pin put between installed in a predetermined angle position is characterized in that one end provided with the said circular conductive member and the connection pin perturbation. 이러한 구성에 있어서는 동축 도파관을 통해 급전되는 고주파 전자계는 급전핀과 섭동핀과의 상호 작용에 의해서 회전자계로 변환되어, 캐비티 내에서 공진하면서 도파로 내에 공급된다. In such a configuration high frequency electromagnetic field that is powered by a coaxial waveguide is converted into a rotating magnetic field by interaction with the power supply pin and the pin perturbation, is supplied into the waveguide, while the resonance in the cavity.

여기서 급전핀의 타단은 개방 상태로 되어 있어도 좋고, 슬롯 안테나를 구성하는 슬롯이 형성된 안테나면에 접속되어 있어도 좋다. The other end of the feeding pin is good even if the configuration is set to the open state, they may be connected to the antenna side slots constituting the slot antenna is formed. 급전핀의 타단이 안테나면에 접속되어 있는 경우, 그 급전핀의 타단에 안테나면 측으로 넓어지는 원추대형의 도전 부재가 설치되어 있어도 좋다. If the other end of the feeding pin is connected to the antenna side, it may be a conical formation of the conductive member which extends toward the antenna side to the other end of the feed pin is installed. 이러한 형상을 한 도체 부재를 이용하는 것에 의해 캐비티 내에서 공진하는 고주파 전자계를 도파로 내에 도입하기 쉽게 할 수 있다. Introducing a high frequency electromagnetic field resonating in the cavity in the waveguide by utilizing a conductive member such a shape can be readily.

섭동핀의 타단도 또 개방 상태로 되어 있어도 좋고, 안테나면에 접속되어 있어도 좋다. It may optionally in addition other dagger open state of the perturbation pin, or may be connected to the antenna side. 또한, 원통 도체 부재에 접속되어 있어도 좋다. In addition, it may be connected to the conductive cylindrical member.

또한, 급전핀의 타단이 원통 도체 부재에 접속되어 있어도 좋다. It is also possible that even if the other end of the feeding pin is connected to a cylindrical conductive member. 이 경우, 섭동핀의 타단은 슬롯 안테나를 구성하는 슬롯이 형성된 안테나면에 접속되어 있어도 좋고, 원통 도체 부재에 접속되어 있어도 좋다. In this case, the other end of the pin may be the perturbation may be connected to the antenna side slots constituting the slot antenna is formed, or may be connected to the conductive cylindrical member.

본 발명에 따른 플라즈마 장치의 제2 구성예로서, 상기 캐비티는 고주파 전자계를 급전하는 동축 도파관의 외부 도체와 접속된 원형 도체 부재와, 일단이 이 원형 도체 부재와 접속되고 타단이 상기 도파로 내에 개구된 원통 도체 부재와, 이 원통 도체 부재의 측벽 내부에 대향 배치된 도전 부재로 형성되는 동시에, 상기 원형 도체 부재의 중심으로부터 그 직경 방향으로 이격된 위치에 설치되어 상기 동축 도파관의 내부 도체와 일단이 접속된 급전핀을 구비하는 것을 특징으로 한다. As a second configuration example of a plasma apparatus according to the present invention, the cavity is connected with the circular conductive member connected to the outer conductor of the coaxial waveguide feed to a high-frequency electromagnetic field, one end is a circular conductive member and the other end opening in which the waveguide the cylindrical conductive member, the cylinder of the conductive member at the same time formed as a side wall inside the conductive member disposed opposite to the circular installed in a position spaced the radial direction from the center of the conductive member the inner conductor and one end is connected to the coaxial waveguide It characterized in that it comprises a power supply pin. 이러한 구성에 있어서, 캐비티는 상기 원통 도체 부재의 측벽 내부에 대향 배치된 도전 부재에 의해서 그 원통 도체 부재의 축에 수직한 단면이 서로 대향하는 노치부를 갖도록 형성된다. In such a configuration, the cavity is formed with a notch portion, which are opposed to each other a section perpendicular to the axis of the cylindrical conductive member by a conductive member disposed opposite to the internal side wall of the cylindrical conductive members. 그 결과, 동축 도파관을 통해 급전되는 고주파 전자계는 캐비티 내에서 회전 전자계로 변환되어, 공진하면서 도파로 내에 공급된다. As a result, high frequency electromagnetic field that is powered by a coaxial waveguide is converted in the cavity to rotate the electromagnetic field, it is supplied into the waveguide and resonator.

여기서 상기 원통 도체 부재의 측벽 내부에 대향 배치된 도전 부재는 이 원통 도체 부재의 일단으로부터 타단까지 연장하고 있어도 좋다. Wherein the conductive member is disposed opposite to the side wall inside the cylindrical conductive member, and may be extended to the other end from one end of the cylindrical conductive members.

또한, 도전 부재는 원통 도체 부재의 축 방향의 길이가 고주파 전자계의 파장의 대략 1/4이라도 좋다. Further, the conductive member has a length in the axial direction of the cylindrical conductive member may be a substantially one-quarter of the wavelength of the high frequency electromagnetic field. 이 경우, 도전 부재와 급전핀과의 평행 부분의 길이가 상기 고주파 전자계의 파장의 대략 1/4이 되어, 캐비티 내에 양호한 회전 전자계를 얻을 수 있다. In this case, the conductive member and the approximately 1/4 wavelength of the power supply of the high frequency electromagnetic field the length of the parallel portion of the pin, it is possible to obtain a good rotating electromagnetic field in the cavity.

또한, 도전 부재는 도파로 측의 단부가 슬로프형으로 성형되어 있어도 좋다. Further, the conductive member may be an end of the waveguide-side is formed into a slope shape. 이와 같이 성형함으로써, 캐비티 내에서 도전 부재가 존재하는 영역과 존재하지 않는 영역과의 임피던스의 변화를 완만하게 하여, 2개의 영역의 경계에서의 고주파 전자계의 반사를 억제할 수 있다. With such a molding, by a change in the impedance of which it does not exist and a region where the conductive members existing in the cavity region slowly, it is possible to suppress the reflection of the high frequency electromagnetic field in the two regions border.

도전 부재의 단부를 슬로프형으로 성형하는 경우, 그 단부를 제외한 본체는 원통 도체 부재의 축 방향의 길이가 고주파 전자계의 파장의 대략 1/4이라도 좋다. When forming the end portion of the conductive member in a slope shape, the main body except the end portion is the length in the axial direction of the cylindrical conductive member may be a substantially one-quarter of the wavelength of the high frequency electromagnetic field. 이에 따라, 캐비티 내에 양호한 회전 전자계를 얻을 수 있다. Accordingly, it is possible to obtain a good rotating electromagnetic field in the cavity.

또한, 급전핀의 타단은 슬롯 안테나를 구성하는 슬롯이 형성된 안테나면에 접속되어 있어도 좋고, 원형 도체 부재로부터 원통 도체 부재의 축 방향에 고주파 전자계의 파장의 대략 1/4 떨어진 위치에서 도체 부재에 접속되어 있어도 좋다. In addition, the other end of the feed pin is good may be connected to the antenna side slots constituting the slot antenna is formed, connected to the conductor member at a position about one quarter of the wavelength of the radio frequency electromagnetic field in the axial direction of the cylindrical conductive member from the circular conductive member is may be.

또, 원통 도체 부재의 측벽 내부에 설치되는 도전 부재로서 서로 대향하는 1조 또는 복수조의 도체 제조의 원주형 돌기를 축 방향으로 설치하더라도 좋다. In addition, may be provided a circumferential projection of one set or plural sets of conductors produced facing each other as the conductive member provided in the side wall of the inner cylindrical conductive member in the axial direction.

본 발명에 따른 플라즈마 장치의 제3 구성예로서, 상기 캐비티는 고주파 전자계를 급전하는 동축 도파관의 외부 도체와 접속된 타원형 도체 부재와, 일단이 이 타원형 도체 부재와 접속되고 타단이 상기 도파로 내에 개구되어, 단면이 타원 형상의 통형상 도체 부재로 형성되는 동시에, 상기 타원형 도체 부재의 중심으로부터 그 직경 방향으로 이격하며 또한 그 장직경 및 단직경과 소정의 각도를 이루는 위치에 설치되어 상기 동축 도파관의 내부 도체와 접속된 급전핀을 구비하는 것을 특징으로 한다. In a third configuration of a plasma apparatus according to the invention, the cavity is connected with an oval conductor member, one end of the oval conductor member connected to the outer conductor of the coaxial waveguide feed to a high-frequency electromagnetic field and the other end opening in which the waveguide , at the same time that end face is formed of a tubular conductor members of an elliptical shape, and spaced apart in the radial direction from the center of the oval conductor member and is provided at a position forming the field diameter and a short diameter and a predetermined angle with the interior of the coaxial waveguide It characterized in that it comprises a feed pin connected to the conductor. 이러한 구성에 있어서, 동축 도파관을 통해 급전되는 고주파 전자계는 타원형의 단면을 갖는 캐비티 내에서 회전 전자계로 변환되어, 공진하면서 도파로 내에 공급된다. In such a configuration, high-frequency electromagnetic field that is powered by a coaxial waveguide is converted into a rotating electromagnetic field in the cavity having a cross-section of an ellipse, is supplied into the waveguide and resonator.

여기서 급전핀의 타단은 슬롯 안테나를 구성하는 슬롯이 형성된 안테나면에 접속되어 있어도 좋고, 원형 도체 부재로부터 원통 도체 부재의 축 방향에 고주파 전자계의 파장의 대략 1/4 떨어진 위치에서 도체 부재에 접속되어 있어도 좋다. The other end of the feeding pin is connected to the conductive member at a position away approximately 1/4 of the wavelength of the radio frequency electromagnetic field in the axial direction of the cylindrical conductive member from the circular conductive member may optionally be connected to the antenna side slots constituting the slot antenna formed It may be.

본 발명에 따른 플라즈마 장치의 제4 구성예로서, 상기 캐비티는 고주파 전자계를 급전하는 제1, 제2 동축 도파관의 외부 도체와 접속된 원형 도체 부재와, 일단이 이 원형 도체 부재와 접속되고 타단이 상기 도파로 내에 개구된 원통 도체 부재로 형성되는 동시에, 상기 원형 도체 부재의 중심로부터 그 직경 방향으로 이격된 위치에 설치되어 상기 제1 동축 도파관의 내부 도체와 접속된 제1 급전핀과, 이 제1 급전핀과 상기 원형 도체 부재의 중심을 사이에 두고 소정의 각도를 이루는 위치에 설치되어 상기 제2 동축 도파관의 내부 도체와 접속된 제2 급전핀을 구비하는 것을 특징으로 한다. As a fourth configuration example of a plasma apparatus according to the present invention, the cavity is connected with the circular conductive member connected to the first, the outer conductor of the second coaxial waveguide for feeding a high-frequency electromagnetic field, one end is a circular conductive member and the other end At the same time formed with the cylindrical conductive member opening in the waveguide, it is provided in a position spaced the radial direction from the center of the circular conductor members of the first feed pin connected to the inner conductor of the first coaxial waveguide, a first is installed in the feed pin and across the center of the circular conductor member at a predetermined angle position is characterized in that it comprises a second power supply pin connected to the inner conductor of the second coaxial waveguide. 이러한 구성에 있어서, 제1, 제2 급전핀에 위상이 다른 고주파 전자계를 급전함으로써 회전 전자계가 생성되어, 이 회전 전자계가 캐비티 내에서 공진하면서 도파로 내에 공급된다. In such a configuration, the first and second phases to the feed pin is generated by the rotating magnetic field by supplying an electric power to the other high-frequency electromagnetic field, the rotation is supplied into the waveguide and the resonant magnetic field in the cavity.

여기서 제1, 제2 급전핀의 각각의 타단은 슬롯 안테나를 구성하는 슬롯이 형성된 안테나면에 접속되어 있어도 좋고, 원형 도체 부재로부터 원통 도체 부재의 축 방향에 고주파 전자계의 파장의 대략 1/4 떨어진 위치에서 도체 부재에 접속되어 있어도 좋다. Wherein the first and second power supply each of the other end of the pin may optionally be connected to the antenna side slots constituting the slot antenna formed of a circular cylindrical conductive member from the high frequency electromagnetic field conductor members axially apart about 1/4 of the wavelength of the It may be in a position that is connected to the conductive member.

본 발명에 따른 플라즈마 장치의 제5 구성예로서, 상기 캐비티는 고주파 전자계를 급전하는 적어도 1개의 동축 도파관의 외부 도체와 접속된 원형 도체 부재와, 일단이 이 원형 도체 부재와 접속되고 타단이 도파로 내에 개구된 원통 도체 부재로 형성되는 동시에, 적어도 1개의 동축 도파관으로부터 급전된 고주파 전자계를 회전 전자계로서 캐비티 내에 방사하는 패치 안테나를 구비하고, 이 패치 안테나는 원형 도체 부재와, 이 원형 도체 부재와 소정의 간격을 두고 대향 배치되어 적어도 1개의 동축 도파관의 내부 도체와 접속된 도체판을 포함하는 것을 특징으로 한다. As a fifth configuration of a plasma apparatus according to the invention, the cavity is connected with the circular connected to the outer conductor of at least one of the coaxial waveguide feed to a high-frequency electromagnetic field conductor members, one is a circular conductive member the other end within the waveguide at the same time formed as an opening cylindrical conductive member, at least, and as the magnetic field rotates the high-frequency electromagnetic field supplied from the one coaxial waveguide with a patch antenna to radiate into the cavity, the patch antenna and a circular conductive member, a circular conductive member and the predetermined is disposed at a distance counter characterized in that it comprises a conductive plate connected to the inner conductor of at least one of the coaxial waveguide. 이러한 구성에 있어서, 동축 도파관을 통해 급전되는 고주파 전자계는 패치 안테나에 의해서 회전 전자계로서 캐비티 내에 방사되어, 공진하면서 도파로 내에 공급된다. In such a configuration, high-frequency electromagnetic field that is powered by a coaxial waveguide is radiated as a rotating electromagnetic field in the cavity by a patch antenna, is supplied into the waveguide and resonator.

또한, 본 발명에 따른 플라즈마 장치의 제6 구성예로서, 상기 캐비티는 고주파 전자계를 급전하는 구형 도파관의 일측면 또는 종단면과, 일단이 이 구형 도파관의 일측면 또는 종단면과 접속되고 타단이 도파로 내에 개구된 원통 도체 부재로 형성되고, 상기 구형 도파관의 일측면 또는 종단면에는 고주파 전자계를 회전 전자계로서 캐비티 내에 방사하는 복수의 슬롯이 형성되어 있는 것을 특징으로 한다. Further, as a sixth configuration example of a plasma apparatus according to the present invention, the cavity is connected with one side or longitudinal section and, once the one side or the longitudinal section of the rectangular waveguide of rectangular waveguide to feed a high-frequency electromagnetic field the other end opening in the waveguide is formed of a cylindrical conductive member, one side or the longitudinal section of the rectangular waveguide is characterized in that a plurality of slots for radiating the electromagnetic field in the cavity as a high-frequency rotating magnetic field is formed. 이러한 구성에 있어서, 구형 도파관을 통해 급전되는 고주파 전자계는 그 구형 도파관의 일측면 또는 종단면에 형성된 복수의 슬롯에 의해서 회전 전자계로서 캐비티 내에 방사되어, 공진하면서 도파로 내에 공급된다. In such a configuration, high-frequency electromagnetic field that is powered through a rectangular waveguide is radiated as a rotating electromagnetic field in the cavity by a plurality of slots formed on one side or longitudinal section of the rectangular waveguide, it is supplied into the waveguide and resonator.

여기서 복수의 슬롯은 서로의 중점에서 교차하는 2개의 슬롯이라도 좋다. Wherein a plurality of slots but may be two slots, which intersect at the midpoint of each other. 이 2개의 슬롯에 의해서 구성되는 슬롯을 크로스 슬롯이라고 부른다. A slot constituted of two slots is referred to as a cross slot. 또한 복수의 슬롯은 서로 이격되어 배치된 서로 대략 수직한 방향으로 신장하는 2개의 슬롯이라도 좋다. In addition, a plurality of slots but may be two slots extending in a substantially perpendicular direction to each other spaced apart from each other. 이 2개의 슬롯에 의해서 구성되는 슬롯을 팔자(八字) 슬롯이라고 부른다. A slot constituted of two slots is referred to as handlebar (八字) slot.

또한, 본 발명에 따른 플라즈마 생성 방법은 공진기를 구성하는 캐비티에 고주파 전자계를 급전하고, 이 고주파 전자계를 회전 전자계로 변환하는 동시에 상기 캐비티 내에서 공진시키면서 회전 전자계로 변환된 고주파 전자계를 도파로에 공급하고, 상기 도파로에 공급된 고주파 전자계를 상기 도파로에 형성된 슬롯 안테나를 통해 처리 용기 내에 공급함으로써 플라즈마를 생성하는 것을 특징으로 한다. Further, the plasma generation process according to the invention is a power supply for a high frequency electromagnetic field in the cavity constituting the resonator, and at the same time of converting the high frequency electromagnetic field to the rotating magnetic field, while the resonance in the cavity, supplying a high-frequency electromagnetic fields converted to a rotating electromagnetic field in the waveguide and the high frequency electromagnetic field supplied to the waveguide characterized in that for generating a plasma by supplying into the processing container through the slot antenna formed on the waveguide. 이 방법에 있어서는 회전 전자계를 공진시키면서 도파로에 공급함으로써, 도파로에 공급되는 고주파 전자계를 원편파로 이루어진 회전 전자계로 할 수 있다. In supplied by the waveguide while the resonance rotating electromagnetic field to the method, may be a rotary magnetic field consisting of a high-frequency electromagnetic field supplied to the waveguide with circular polarization.

본 발명에 따른 플라즈마 생성 방법의 제1 구성예는, 공진기를 구성하는 캐비티 내에 급전핀과 섭동핀을 설치하는 것에 따라, 동축 도파관을 통해 급전된 고주파 전자계를 회전 전자계로 변환하며 또한 캐비티 내에서 공진시키는 것이다. A first configuration example of the plasma generating method according to the present invention, as the installation of the feed pin and the perturbation pin into the cavity constituting the resonator, and converted to a rotation of the power supply the high-frequency electromagnetic field electromagnetic field via a coaxial waveguide also resonated within the cavity It is to.

또한, 본 발명에 따른 플라즈마 생성 방법의 제2 구성예는, 고주파 전자계의 전파 방향에 수직한 단면이 서로 대향하는 노치를 갖는 캐비티에 동축 도파관을 통해 고주파 전자계를 급전함으로써, 이것을 회전 전자계로 변환하며 또한 캐비티 내에서 공진시키는 것이다. In the second configuration example of the plasma generating method according to the invention, by supplying an electric power to the high frequency electromagnetic field through the coaxial waveguide in the cavity is a cross-section perpendicular to the propagation direction of the high-frequency electromagnetic field having a notch facing each other, and converts it to a rotating electromagnetic field in addition to that the resonance in the cavity.

또한, 본 발명에 따른 플라즈마 생성 방법의 제3 구성예는, 고주파 전자계의 전파 방향에 수직한 단면이 타원 형상의 캐비티에 동축 도파관을 통해 고주파 전자계를 급전함으로써, 이것을 회전 전자계로 변환하며 또한 캐비티 내에서 공진시키는 것이다. Furthermore, the third configuration example of the plasma generating method according to the invention is characterized by feeding a high-frequency electromagnetic field is a cross-section perpendicular to the direction of propagation of the high frequency electromagnetic field through the coaxial waveguide to the cavity of the elliptical shape, and converts it to a rotating magnetic field also the cavity It is to resonate at.

또한, 본 발명에 따른 플라즈마 생성 방법의 제4 구성예는, 공진기를 구성하는 캐비티에 제1, 제2 동축 도파관을 통해 서로 위상이 90° 다른 고주파 전자계를 급전함으로써, 회전 전자계를 생성하며 또한 캐비티 내에서 공진시키는 것이다. The fourth configuration example of the plasma generating method according to the invention is characterized by the power supply 1, and the second coaxial waveguide of the phase is 90 ° different high-frequency electromagnetic fields with each other through the cavity constituting the resonator, and generates a rotating magnetic field, and also the cavity It is to resonance within.

또한, 본 발명에 따른 플라즈마 생성 방법의 제5 구성예는, 동축 도파관을 통해 패치 안테나에 고주파 전자계를 급전함으로써, 캐비티 내에 회전 전자계를 생성하는 것이다. Further, in the fifth configuration example of the plasma generating method according to the invention, by using a coaxial waveguide feed to a high-frequency electromagnetic field in the patch antenna, to generate a rotating electromagnetic field in the cavity.

또한, 본 발명에 따른 플라즈마 생성 방법의 제6 구성예는, 구형 도파관으로부터 급전된 고주파 전자계를 그 구형 도파관의 일측면 또는 종단면에 형성된 복수의 슬롯으로부터 캐비티 내에 방사함으로써, 회전 전자계를 생성하는 것이다. Moreover, a sixth configuration example of the plasma generating method according to the present invention is to, by the radiation in the cavity for the high frequency electromagnetic field supplied from the rectangular wave guide from a plurality of slots formed on one side or longitudinal section of the rectangular waveguide, generating a rotating electromagnetic field.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마 장치를 설명하는 도면이다. 1 is a view illustrating a plasma apparatus according to a first embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마 장치의 급전부를 설명하는 도면이다. Figure 2 is a view for explaining the feed of the plasma apparatus according to a first embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마 장치의 급전부에서의 전계 분포를 설명하는 도면이다. Figure 3 is a view illustrating an electric field distribution at the feed of the plasma apparatus according to a first embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 플라즈마 장치의 급전부를 설명하는 도면이다. Figure 4 is a view for explaining the feed of the plasma apparatus according to a second embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 플라즈마 장치의 급전부의 작용 효과를 설명하는 도면이다. Figure 5 is a view for explaining an operational effect of the power feeding section of the plasma apparatus according to a second embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 플라즈마 장치의 급전부의 변형예를 설명하는 도면이다. 6 is a view illustrating a modification of the power supply portion of the plasma apparatus according to a second embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 플라즈마 장치의 급전부의 변형예를 설명하는 도면이다. 7 is a view for explaining a modified example of the power feeding section of the plasma apparatus according to a second embodiment of the present invention.

도 8은 본 발명의 제3 실시예에 따른 플라즈마 장치의 급전부를 설명하는 도면이다. Figure 8 is a view for explaining the feed of the plasma apparatus according to a third embodiment of the present invention.

도 9는 본 발명의 제3 실시예에 따른 플라즈마 장치의 급전부의 변형예를 설명하는 도면이다. 9 is a view for explaining modification of the power supply portion of the plasma apparatus according to a third embodiment of the present invention.

도 10은 본 발명의 제3 실시예에 따른 플라즈마 장치의 급전부의 변형예를 설명하는 도면이다. 10 is a view for explaining modification of the power supply portion of the plasma apparatus according to a third embodiment of the present invention.

도 11은 본 발명의 제4 실시예에 따른 플라즈마 장치의 급전부를 설명하는 도면이다. 11 is a view for explaining the feed of the plasma apparatus according to a fourth embodiment of the present invention.

도 12는 본 발명의 제5 실시예에 따른 플라즈마 장치의 급전부를 설명하는 도면이다. 12 is a view for explaining the feed of the plasma apparatus according to a fifth embodiment of the present invention.

도 13은 본 발명의 제6 실시예에 따른 플라즈마 장치의 급전부를 설명하는 도면이다. 13 is a view for explaining the feed of the plasma apparatus according to a sixth embodiment of the present invention.

도 14는 본 발명의 제7 실시예에 따른 플라즈마 장치의 급전부를 설명하는 도면이다. 14 is a view for explaining the feed of the plasma apparatus according to a seventh embodiment of the present invention.

도 15는 본 발명의 제8 실시예에 따른 플라즈마 장치의 급전부를 설명하는 도면이다. 15 is a view for explaining the feed of the plasma apparatus according to an eighth embodiment of the present invention.

도 16은 본 발명의 제8 실시예에 따른 플라즈마 장치에 이용되는 크로스 슬롯의 설계예를 설명하는 도면이다. 16 is a view for explaining a design example of the cross-slots to be used in a plasma apparatus according to an eighth embodiment of the present invention.

도 17은 본 발명의 제8 실시예에 따른 플라즈마 장치의 급전부의 변형예를 설명하는 도면이다. 17 is a view for explaining modification of the power supply portion of the plasma apparatus according to an eighth embodiment of the present invention.

도 18은 본 발명의 제8 실시예에 따른 플라즈마 장치에 이용되는 슬롯의 다른 예를 설명하는 도면이다. 18 is a view for explaining another example of the slot to be used in a plasma apparatus according to an eighth embodiment of the present invention.

도 19는 슬롯의 형상을 도시하는 평면도이다. 19 is a plan view showing the shape of the slot.

도 20은 본 발명에서 사용 가능한 레디얼 안테나의 구성예를 설명하는 도면이다. 20 is a view for explaining an example of the configuration of the radial antenna can be used in the present invention.

도 21은 종래의 플라즈마 장치를 설명하는 도면이다. 21 is a view for explaining a conventional plasma apparatus.

도 22는 종래의 플라즈마 장치에 있어서의 전자계의 모드를 설명하는 도면이다. 22 is a view for explaining an electromagnetic field mode in a conventional plasma apparatus.

도 23은 종래의 플라즈마 장치에 있어서의 플라즈마의 면내 분포를 도시하는 모식도이다. Figure 23 is a schematic diagram showing the radial distribution of plasma in a conventional plasma apparatus.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명한다. With reference to the drawings, a description will be given of an embodiment of the present invention.

도 1 내지 도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마 장치를 설명하는 도면이다. 1 to 3 is a view illustrating a plasma apparatus according to a first embodiment of the present invention.

이 플라즈마 장치는 도 1의 (a)에 도시한 바와 같이, 상부가 개구된 바닥 보유 원통형 처리 용기(11)와, 이 처리 용기(11)의 상부 개구를 폐쇄하는 유전체판(13)과, 이 유전체판(13)의 위에 배치되어, 처리 용기(11) 내에 고주파 전자계를 방사(또는 리크)하는 레디얼 안테나(30)와, 레디얼 안테나(30) 및 유전체판(13)의 외주를 덮는 실드재(12)를 구비하고 있다. The plasma apparatus as shown in (a) of Figure 1, and a top portion is open the bottom holding cylindrical processing vessel 11, and the dielectric plate 13 for closing the upper opening of the processing container 11, the and a dielectric plate (13) emitting a radio frequency electromagnetic field in disposed above, the processing chamber 11 (or leakage) radial antenna 30 to a shield for covering the outer periphery of the radial antenna 30 and the dielectric plate 13 material ( 12) and a. 또, 처리 용기(11)와 유전체판(13)과의 사이에는 O링 등의 시일 부재(14)를 개재시켜, 처리 용기(11) 내의 진공을 유지하는 동시에 플라즈마가 외부로 새지 않도록 하고 있다. Further, and so it does not leak to maintain a vacuum at the same time the plasma is outside in between the processing vessel 11 and the dielectric plate 13 is interposed a seal member 14 such as O-rings, the processing chamber 11.

이 처리 용기(11)의 내부에는 피처리체인 기판(21)을 얹어 놓은 기판대(22)가 승강축(23)을 통해 승강 가능하게 설치되어 있다. The interior of the processing container 11 has been installed to enable the substrate table 22 placed topped the object to be processed the substrate 21 through the elevating lift shaft (23). 이 기판대(22)는 매칭 박스(25)를 통해 바이어스용 고주파 전원(26)과 전기적으로 접속되어 있다. The substrate table 22 is electrically connected to the high frequency power source 26 for biasing through the matching box 25. 또, 처리 용기(11)의 기밀성을 유지하기 위해서, 기판대(22) 저면과 처리 용기(11) 저면에 설치된 절연체판(15)과 결합된 벨로우즈(24)가 승강축(23)의 주위에 설치되어 있다. Further, around the substrate board (22) bottom surface and the processing chamber 11 of the bellows 24, the vertical moving shaft 23 is combined with the insulation plate 15 installed on the bottom surface in order to maintain the airtightness of the processing chamber 11 there is installed.

이 처리 용기(11)에는 또한 진공 배기용의 배기구(16)와 플라즈마 가스 및 프로세스 가스 공급용의 노즐(17)이 설치되어 있다. The processing chamber 11 also has a nozzle 17 for the outlet port 16 and the plasma gas and a process gas supply for vacuum exhaust is provided.

한편, 레디얼 안테나(30)는 레디얼 도파로(33)를 형성하는 서로 평행한 2장의 원형 도체판(31, 32)과, 이들 도체판(31, 32)의 외주부를 접속하는 도체링(34)으로 구성되어 있다. On the other hand, the conductor ring 34 for connecting the outer peripheral portion of the radial antenna 30 sheets of circular conductors parallel to each other 2 to form a radial waveguide (33) plates (31, 32) and these conductive plates (31, 32) Consists of.

여기서 도 1의 (a)에 도시하는 플라즈마 장치의 Ib-Ib'선에 있어서의 단면도를 도 1의 (b)에 도시한다. Here it is shown in (b) a cross-sectional view of the Figure 1 in the Ib-Ib 'line of the plasma apparatus shown in (a) of FIG. 레디얼 도파로(33)의 하면이 되는 도체판(31)에는 예컨대 도 1의 (b)에 도시한 바와 같이, 슬롯(36)이 주위 방향에 복수 형성되어, 레디얼 안테나(30)의 안테나면을 형성하고 있다. Radial as illustrated in the conductive plate 31, for example, in Fig. 1 (b) that the lower surface of the waveguide 33, a slot 36 is formed a plurality in the circumferential direction, form an antenna surface of the radial antenna 30 and. 또한, 도체판(31)에 복수 형성되는 슬롯(36)에 의해 슬롯 안테나가 구성된다. In addition, the slot antenna by a slot 36 formed in the plurality of the conductive plate 31 is configured.

또한, 레디얼 도파로(33)의 상면이 되는 도체판(32)의 중심부에는 후술하는 급전부가 설치되어 있다. In addition, the center of the conductive plate 32 which is the upper face of the radial waveguide 33. There is the power supply portion is provided, which will be described later.

도 1의 (a)에 도시하는 바와 같이, 고주파 발생기(45)에 있어서 발생한 고주파 전자계는 매칭 회로(44)를 통해 구형 도파관(43)을 전파하여, 구형·동축 변환 기(42)에 있어서 TE10 모드로부터 TEM 모드로 변환되어, 동축 도파관(41)을 통해 레디얼 안테나(30)의 급전부에 급전된다. As shown in FIG.'s 1 (a), high frequency electromagnetic field generated in the high-frequency generator 45 is to spread the rectangular waveguide 43 through a matching circuit 44, in a spherical, coaxial transducer (42) TE10 is converted from a mode to the TEM mode, it is fed to the feed section of the radial antenna 30 through the coaxial waveguide 41.

본 실시예에 있어서 이 급전부는 고주파 전자계를 급전하는 동축 도파관(41)의 외부 도체(41A)와 접속된 원형 도체 부재(51A)와, 일단이 이 원형 도체 부재(51A)와 접속되고, 타단이 레디얼 안테나(30) 내에 개구된 원통 도체 부재(51B)로 형성되는 캐비티(35)와, 이 캐비티(35) 내에 설치되어, 일단이 동축 도파관(41)의 내부 도체(41B)와 접속되고 타단이 개방 상태로 되어 있는 급전핀(52)과, 일단이 원형 도체 부재(51A)와 접속되고 타단이 개방 상태로 되어 있는 섭동핀(53)으로 이루어진다. With the embodiment according to for example the power supply portion of a circular conductive member (51A) connected to the outer conductor (41A) of the coaxial waveguide (41) for feeding a high-frequency electromagnetic field, one end of which is connected to the circular conductor members (51A), the other end and a cavity 35 formed in a cylindrical conductive member (51B) opening in the radial antenna 30, is provided within the cavity 35, one end is connected with the inner conductor of the coaxial waveguide (41) (41B) and the other end and the power feeding pin 52 is in the open state, one end connected to the circular conductor members (51A) and the other end is made to the open state perturbation pin 53 which is in. 급전핀(52)과 섭동핀(53)은 동축 도파관(41)을 통해 공급되는 전자계를 회전 전자계로 변환한다. The feed pin 52 and the perturbation pin 53 will be converted into a magnetic field to rotate the electromagnetic field is supplied by a coaxial waveguide (41). 또, 도 1의 (c)는 도 1의 (a)의 Ic-Ic'선에 있어서의 단면도이다. In addition, (c) of Fig. 1 is a sectional view taken along the Ic-Ic 'of the line (a) of FIG.

이 캐비티(35)는 레디얼 안테나(30)의 도체판(31)과 동시에 공진기를 구성하여, 캐비티(35) 내에서 공진하는 고주파 전자계의 일부가 레디얼 도파로(33)에 공급된다. This cavity 35 is to configure the resonator at the same time as the conductive plate 31 of the radial antenna 30, a portion of the high frequency electromagnetic field resonating in the cavity 35 is supplied to the radial waveguide (33).

레디얼 안테나(30)의 도체판(32)의 중앙에 설치된 캐비티(35)의 개구부의 주위에는 원통 도체 부재(51B)의 내경[즉 캐비티(35)의 내경]과 동일한 내경을 갖는 링부재(54)가 배치되어 있다. Around the opening of the radial antenna 30, a cavity 35 is provided at the center of the conductive plate 32 of the, the ring member having the same inner diameter as the inner diameter of the cylindrical conductive member (51B) [i.e., the inner diameter of the cavity 35 (54 ) it is arranged. 이 링부재(54)의 두께와 폭을 조절함으로써, 캐비티(35) 내에서 공진하는 고주파 전자계 중, 레디얼 도파로(33)에 공급되는 고주파 전자계의 비율을 조절할 수 있다. By controlling the thickness and width of the ring member 54, the cavity 35 may adjust the ratio of high-frequency electromagnetic field which is of the high-frequency electromagnetic field resonating in, supplied to the radial waveguide (33).

또, 캐비티(35)에 공급된 전자계 중, 공진하여 캐비티(35) 내에 남는 전자계 의 에너지를 캐비티(35)로부터 레디얼 도파로(33)에 공급되는 전자계의 에너지로 나눈 값은「Q값」이라고 불린다. In addition, divided by the energy of the electromagnetic field which supplies energy to the radial waveguide 33 from the cavity 35 of the remaining electromagnetic field within of the supplied electromagnetic field, the resonance in the cavity 35, the cavity 35 is referred to as "Q value" .

도 2를 참조하여 이러한 급전부의 구성을 상술한다. Referring to Fig. 2 will be described the configuration of the feed portion.

도 2의 (a)는 측면으로부터 본 경우의 급전부를 나타내는 모식도, 도 2의 (b)는 급전핀(52)과 섭동핀(53)의 배치를 도시하는 모식도이다. 2 (a) is a schematic view showing the power supply portion of the case from the side, (b) of Fig. 2 is a schematic diagram showing the placement of the feed pin 52 and the perturbation pin 53.

본 실시예에서는 고주파 발생기(45)로부터 2.45 GHz의 고주파 전자계를 급전하는 것으로 하면, 원통형의 캐비티(35)의 중심축(이하 「중심축」이라고 함)으로부터 원통 도체 부재(51B)의 내면까지의 거리(이하, 「캐비티의 반경」이라고 함) a를 약 7.3∼7.5 cm, 원형 도체 부재(51A)와 레디얼 안테나(30)의 원형 도체판(31)과의 거리(이하, 「캐비티의 깊이」라고 함) d를 약 3.6 cm으로 할 수 있다. In this embodiment, to the inner surface of the cylindrical conductive member (51B) from the lower surface by feeding a high-frequency electromagnetic field of 2.45 GHz from the high-frequency generator (45), (hereinafter referred to as "central axis"), the central axis of the cylindrical cavity (35) distance (hereinafter referred to as the "radius of the cavity") a about 7.3~7.5 cm, the distance to the circular conductor members (51A) and the radial antenna 30, a circular conductive plate 31 (hereinafter, "the depth of the cavity" is called hereinafter) d may be about 3.6 cm. 또, 이 때의 레디얼 안테나(30)의 직경은 약 48 cm, 도체판(31, 32) 사이의 거리인 높이 h는 1.5∼1.6 cm이다. The distance between the height h of the radial diameter of the antenna 30 at this time is about 48 cm, a conductive plate (31, 32) is 1.5~1.6 cm.

원통 도체 부재(51B)와 함께 캐비티(35)를 형성하는 링부재(54)의 폭 c는 약 3.1 cm이며, 이것은 전자파의 파장의 약1/4에 상당한다. Width c of the ring member 54 to form a cavity 35 with a cylindrical conductive member (51B) is about 3.1 cm, which corresponds to about 1/4 of the wavelength of the electromagnetic wave.

또한, 동축 도파관(41)의 내부 도체(41B)와 접속된 급전핀(52)의 길이 l 1 을 1.75∼2.6 cm, 섭동핀(53)의 길이 l 2 를 1.75∼2.1 cm으로 할 수 있다. In addition, the length l 2 of the feed pin (52), 1.75~2.6 cm, the length l 1 of the perturbation pin 53 connected to the inner conductor (41B) of the coaxial wave guide 41 can be made 1.75~2.1 cm. 이 때, 급전핀(52)을 섭동핀(53)보다도 약간 길게 설계하면 좋다. At this time, it may be slightly longer than the design power feeding pin 52 the perturbation pin 53.

또, 핀(52, 53)을 길게 하거나, 또는, 캐비티(35)를 깊게 하면, 캐비티(35)의 Q값은 커지고, 레디얼 도파로(33)에 공급되는 전자계의 비율을 작게 할 수 있 다. The hold pins 52 and 53, or, if a deep cavity 35, Q value of the cavity (35) is can be made smaller the ratio of the electromagnetic field is increased and supplied to the radial waveguide (33). 플라즈마 장치로서의 용도에는 Q값은 약 30이 기준이 된다. Purposes, the Q value as a plasma apparatus is about 30 used as a reference.

한편, 급전핀(52)과 섭동핀(53)은 도 2의 (b)에 도시한 바와 같이, 모두 원형 도체 부재(51A)의 중심축으로부터 b 1 =b 2 =약 3.6 cm의 위치에, 그 중심을 사이에 두고 45°의 홀수배, 예컨대 φ=135°의 각도를 이루도록 배치되어 있다. On the other hand, the feed pin 52 and the perturbation pin 53 in b 1 = b 2 = position of about 3.6 cm from the central axis of both the circular conductor members (51A) as shown in (b) 2, sandwiching the center are arranged to fulfill the angle of an odd multiple of 45 °, for example, φ = 135 °. 이것에 의해서, 동축 도파관(41)을 통해 급전되는 고주파 전자계는 캐비티(35) 내에서 TM 모드의 회전 전자계로 변환된다. With this, the high frequency electromagnetic field that is powered by a coaxial waveguide 41 is converted in the cavity 35 to the rotating electromagnetic field of the TM mode.

여기서 나타낸 급전부의 치수는 반사 계수(VS)를 중시하여 설계한 결과 얻어진 것이며, 이것에 한정되지 않는 것은 물론이다. The dimensions of the illustrated feed section will focus on the obtained result of design by the reflection coefficient (VS), it is not limited thereto, of course. 예컨대 회전 전자계의 축비를 중시하는 경우에는, 도 2에 있어서, a=약 7.3 cm, d=약 3.5 cm, c=약 2.6 cm, t=약 1.0 cm, l 1 =l 2 =약 1.5 cm, b 1 =약 4.3 cm, b 2 =약 4.4 cm의 위치에, φ=115°로 하면 좋다. For example, when an emphasis on the aspect ratio of the rotating magnetic field is, in Fig. 2, a = about 7.3 cm, d = about 3.5 cm, c = about 2.6 cm, t = about 1.0 cm, l 1 = l 2 = about 1.5 cm, b = 1 to about 4.3 cm, b = 2 position of about 4.4 cm, may be by φ = 115 °.

도 3을 참조하면, 급전핀(52)과 섭동핀(53)에 의해서 회전 전자계를 생성하는 구조는 다음과 같이 설명할 수 있다. 3, the power supply pin arrangement to generate a rotating magnetic field by 52 and the perturbation pin 53 may be described as follows.

만일 섭동핀(53)이 없으면, 급전핀(52)에 의해서 생기는 전계는 도 3에 도시하는 E(점선)와 같이 되어, 회전 전자계를 얻을 수 없다. If there is no perturbation pin 53, as is a power supply pin (52) E (dotted line) showing the electric field generated by the Figure 3, the rotating magnetic field can not be obtained.

이에 대하여, 섭동핀(53)을 설치한 경우에는 상기 전계(E) 중, 섭동핀(53) 방향의 성분(E1)은 급전핀(52)과 섭동핀(53)과의 사이의 용량 성분의 영향에 의해 위상이 지연된다. In case of contrast, the installation of perturbation pin 53, the electric field (E) wherein the perturbation pin 53 components (E1) in the direction of capacitance between the feed pin 52 and the perturbation pin 53 components of the the phase is delayed by the impact. 이 위상 지연이 90°가 되도록 급전핀(52), 섭동핀(53)의 길이를 조정함으로써 TM11 모드의 회전 전자계를 얻을 수 있다. By adjusting the length of the power feeding pin 52, the perturbation pin 53 such that the phase delay is 90 ° it is possible to obtain a rotation magnetic field of the TM11 mode.

따라서, 이러한 플라즈마 장치에 있어서, 고주파 발생기(45)로부터 발생한 고주파 전자계는 동축 도파관(41)을 통해 상기 캐비티(35)에 급전되어, 급전핀(52)과 섭동핀(53)에 의해서 회전 전자계로 변환되는 동시에, 상기 캐비티(35)에 있어서 공진하면서, 그 일부가 레디얼 안테나(30)의 레디얼 도파로(33)에 공급된다. Thus, in such a plasma apparatus, a high frequency electromagnetic field generated from the high frequency generator 45 is fed to the cavity 35 through the coaxial waveguide 41, a rotary magnetic field by the feed pin 52 and the perturbation pin 53 at the same time it is converted, and the resonance in the cavity 35, and is partially fed to the radial waveguides 33 of the radial antenna 30. 레디얼 안테나(30) 내에 공급된 고주파 전자계는 레디얼 도파로(33)를 전파하여, 이 레디얼 도파로(33) 내를 전파하는 전자계(F)가 이들 슬롯(36)으로부터 처리 용기(11) 내에 방사(또는 리크)되어, 노즐(17)을 통하여 처리 용기(11) 내에 도입되는 플라즈마 가스를 전리시켜 플라즈마(S)를 생성한다. The high frequency electromagnetic field supplied to the radial antenna 30 is to spread the radial waveguide 33, a radiation (or in the radial waveguide (33) magnetic field (F) the treatment vessel 11 from these slots (36) for propagating in is a leak), by ionizing the plasma gas introduced into the processing vessel 11 through the nozzle 17 to create a plasma (S).

이 때 캐비티(35)에 있어서 회전 전자계는 공진하고 있기 때문에 캐비티(35) 내의 회전 전자계가 레디얼 도파로(33)에 공급된다. At this time, since the electromagnetic field is rotated and a resonance in the cavity (35) rotates the electromagnetic field in the cavity (35) is supplied to the radial waveguide (33). 따라서, 급전핀(52)과 섭동핀(53)에 의해서 고주파 전자계를 원편파로 변환함으로써, 레디얼 안테나(30)로부터 양호한 원편파 고주파 전자계를 처리 용기(11) 내에 방사(또는 리크)하여, 생성되는 플라즈마(S)의 면내 분포의 균일성을 향상시킬 수 있다. Accordingly, the feeding pin 52 and the perturbation pin 53 radiation (or leak) in the by converting the high frequency electromagnetic field in the circular polarization, the radial antenna 30 good circular polarization high-frequency electromagnetic field treatment vessel 11 from by to generate that it is possible to improve the uniformity of the radial distribution of the plasma (S).

본 실시예에서는 일단이 동축 도파관(41)의 내부 도체(41B)에 접속된 급전핀(52)의 타단(선단)을 개방 상태로 하여 전압 모드로 전자계를 여기하기 때문에, 급전핀(52)의 선단에 있어서 전압 진폭이 최대가 된다. Since the present embodiment, one end to the other end (front end) of the feeding pin 52 connected to the inner conductor (41B) of the coaxial waveguide 41 to the open state to excite the magnetic field into a voltage mode, the power supply pin 52 the voltage amplitude is maximum in the front end. 이 때문에, 수 kW∼수십 kW라는 고전력으로 급전하는 경우에는 급전핀(52)의 선단과, 섭동핀(53)의 선단, 캐비티(35)의 원통 도체 부재(51B) 또는 레디얼 안테나(30)의 도체판(31)과의 사이에서 방전이 일어나지 않도록 급전부를 설계하는 것이 바람직하다. Therefore, if the number of the power supply with a high power of several tens kW is kW~ of the feed pin 52 and the distal end, the perturbation pin 53 distal end, the cavity 35 is a cylindrical conductive member (51B) or radial antenna 30 of the to design the feed so that a discharge occurs between the conductor plate 31 is preferred. 방전을 억제하기 위해서는 급전핀(52)의 선단으로부터 섭동핀(53)의 선단, 원통 도체 부재(51B) 또는 도체판(31)까지의 거리를 크게 하면 좋고, 예컨대 급전핀(52)과 섭동핀(53)에 관해서는 양자를 다른 길이로 해도 좋다. In order to suppress the discharge well by increasing the distance from the feeding pin 52 the perturbation pin 53 distal end, the cylindrical conductive member (51B) or the conductive plate 31 from the front end of, for example, the feed pin 52 and the perturbation pin as for the unit 53 it may be both different lengths.

다음에 본 발명의 제2 실시예에 관해서 도 4를 참조하여 설명한다. Next will be described with reference to Figure 4. As for the second embodiment of the present invention. 또, 제1 실시예와 공통되는 부재에 관해서는 동일한 부호를 이용하고, 그 설명을 생략한다. In addition, the use of the same reference numbers to the members common to those in the first embodiment, and a description thereof will be omitted.

전술한 제1 실시예에서는 캐비티(35) 내에 설치된 급전핀(52)의 선단이 개방 상태로 되어 있는 데 대하여, 이 제2 실시예에 따른 플라즈마 장치에서는 급전핀(52A)의 선단이 단락 상태로 되어 있다. The above-described first example in this second embodiment the short circuit state the front end of the feed pin (52A) in the plasma apparatus according to the example with respect to which the tip of the power feeding pin 52 is installed in the cavity 35 is in the open state It is. 즉, 도 4에 도시한 바와 같이, 급전핀(52A)의 일단은 동축 도파관(41)의 내부 도체(41B)에 접속되고, 선단을 이루는 타단은 레디얼 안테나(30)의 안테나면인 도체판(31)과 접속되어 단락 상태로 되어 있다. That is, one end of the feeding pin (52A), as shown in Figure 4 is connected to the inner conductor (41B) of the coaxial waveguide 41, the conductive plate antenna surface of the other end forming the tip is a radial antenna 30 ( is connected to the 31) is a short-circuited state.

캐비티(35)의 원형 도체 부재(51A)와 레디얼 안테나(30)의 도체판(31)과의 거리인 캐비티(35)의 깊이(d)는 λ/2 정도로 한다. The depth (d) of the cavity 35, a circular conductive member (51A) and the radial antenna 30, a conductive plate 31 of the cavity 35, the distance of a is about λ / 2. 선단이 도체판(31)에 접속된 급전핀(52A)의 길이 l 1 은 캐비티(35)의 깊이 d와 같으니까, λ/2 정도가 된다. Because tip length l 1 of the feed pin (52A) connected to the conductive plate 31 is the same as the depth d of the cavity 35, and a λ / 2 degree. 여기에 λ는 고주파 전자계의 파장이며, 주파수가 2.45 GHz인 고주파 전자계를 이용하는 경우, d=l 1 =약 6 cm이다. Here is λ is the wavelength of the high frequency electromagnetic field, when the frequency of the electromagnetic field using a high frequency of 2.45 GHz, d = l 1 = about 6 cm.

이러한 구성으로 한 것에 의하는 캐비티(35) 내에서의 여진 원리를 도 5의 (a) 내지 (c)를 참조하여 설명한다. Uiha to those with such a configuration will be described with the principles of the excitation in the cavity (35), see (a) to (c) of FIG. 도 5의 (a)는 측면으로부터 본 경우의 급전부를 나타내는 모식도, 도 5의 (b)는 급전핀(52A) 상에서의 전류 분포를 도시하는 개념도, 도 5의 (c)는 급전핀(52A) 상에서의 전압 분포를 도시하는 개념도이다. Fig. (A) 5 is a schematic view showing the power supply portion of the case from the side, (b) of Fig. 5 is a conceptual diagram showing the current distribution on the feed pin (52A), (c) of Figure 5 is a power supply pin (52A ) is a conceptual diagram showing a voltage distribution on.

급전핀(52A)의 선단을 레디얼 안테나(30)의 도체판(31)에 접속하여 단락 상태로 하면, 도 5의 (b)에 도시한 바와 같이 급전핀(52A)의 선단에 있어서 전류 진폭이 최대가 되어 전류와 전압은 위상이 90°틀어지기 때문에, 급전핀(52A)의 선단에 있어서의 전압 진폭은 0(제로)이 된다. When the front end of the feed pin (52A) to the short-circuited by connecting the conductive plate 31 of the radial antenna 30, the current amplitude in the front end of the feed pin (52A) as shown in Fig. 5 (b) is the largest since the current and voltage are in phase 90 ° turn, the voltage amplitude at the front end of the feed pin (52A) is 0 (zero). 또한, 급전핀(52A)의 길이 l 1 은 λ/2 정도이기 때문에, 급전핀(52A) 상에서의 전압 분포는 도 5의 (c)에 도시한 바와 같이 되어, 전압 진폭이 최대가 되는 위치는 캐비티(35)의 깊이 d의 중앙 주변이 되어, 그 교류 전계에서 캐비티(35) 내의 전자계가 여진된다. In addition, the power supply because of the length l 1 of the pin (52A) will be about λ / 2, the power supply voltage range on the pin (52A) is as shown in Fig. 5 (c), where the voltage amplitude is maximized is this is close to the center of the depth d of the cavity 35, the electromagnetic field in the cavity 35 is excited in the alternating electric field.

한편, 섭동핀(53)은 급전핀(52)에 의해서 여진되는 전계(E) 중, 섭동핀(53) 방향의 성분(E1)의 위상 지연이 90°가 되는 길이를 가지고 있으면 좋고, 그 길이 l 2 는 예컨대 λ/4 정도이면 좋다. On the other hand, perturbations pin 53 of the power feeding pin 52 the electric field (E) which is excited by the, well if there is a phase delay of a perturbation pin 53 components (E1) in a direction having a length which is 90 °, its length l 2 may, for example if the λ / 4 approximately. 주파수가 2.45 GHz인 고주파 전자계를 이용하는 경우, l 2 =약 3 cm이다. If the frequency of using a high-frequency magnetic field is 2.45 GHz, l 2 = about 3 cm. 이러한 길이로 하는 것에 의해 캐비티(35) 내에 여진된 고주파 전자계를 양호한 TM11 모드의 회전 전자계로 변환할 수 있다. By such a length it may convert the high-frequency excitation magnetic field in the cavity (35) to rotate the electromagnetic field of TM11 mode preferred.

이러한 구성으로 하는 것에 의해 다음과 같은 효과를 얻을 수 있다. By making such a constitution the following effects can be obtained. 예컨대 주파수가 2.45 GHz인 고주파 전자계를 이용하여, 섭동핀(53)의 길이 l 2 를 λ/4로 하면, 캐비티(35)의 깊이 d=약 6 cm에 대하여 섭동핀(53)의 길이 l 2 =약 3 cm이 되어, 섭동핀(53)의 선단으로부터 안테나면인 도체판(31)까지의 간격을 3 cm 정도 확보할 수 있다. For example, by frequency of use of the high frequency electromagnetic 2.45 GHz, the perturbation when the length l 2 of the pin 53 to λ / 4, the length l of the perturbation pin 53 with respect to the depth d = about 6 cm of the cavity (35) 2 = is approximately 3 cm, the distance from the perturbation pin 53 of the conductive plate 31 from the front end of the antenna surface can be secured around 3 cm. 이에 따라, 양자의 간격이 짧은 경우에 생기는 방전을 완화할 수 있다. This makes it possible to ease the discharge is generated in the gap of the two short.

또한, 도 6의 (a)에 도시한 바와 같이, 레디얼 안테나(30)의 도체판(31)에 접속된 급전핀(52A)의 선단에 도전 부재(37)를 설치하더라도 좋다. In addition, as shown in FIG. 6 (a), it may be provided to the conductive member 37 to the front end of the feed pin (52A) connected to the conductive plate 31 of the radial antenna 30. 이 도전 부재(37)는 도체판(31)과의 접속면을 저면으로 하여, 도체판(31)측으로 넓어지는 원추대형을 하고 있다. The conductive member 37 has a conical formation which is in the connecting surface of the conductive plate 31 in the bottom surface, it widened toward the conductive plate (31). 이러한 형상을 한 도체 부재(37)를 이용하는 것에 의하여 캐비티(35) 내에서 공진하는 고주파 전자계를 레디얼 도파로(33)에 도입하기 쉽게 할 수 있다. By using as the conductive member 37 a such a shape to introduce a high-frequency electromagnetic field resonating in the cavity 35 to the radial waveguide 33 it can be easily. 또, 도전 부재(37)는 급전핀(52A)의 연장선에 대하여 대칭일 필요는 없다. The conductive member 37 is not necessarily symmetrical with respect to the extension line of the power supply pin (52A). 즉, 급전핀(52A)의 연장선에 대한 도전 부재(37)의 측면의 경사각은 그 측면이 대향하는 도체판(32)과의 거리가 작을수록 크게 하더라도 좋다. That is, the feed angle of inclination of the side surface of the pin (52A), the conductive member 37 on the extension line of the may be larger the smaller the distance between the conductive plate 32 to the side of the counter. 도 6의 (a)에서 말하면, 도전 부재(37)의 좌측 측면의 경사각을 우측 측면의 경사각보다 크게 하더라도 좋다. FIG words in 6 (a), the angle of inclination of the left side surface of the conductive member 37 may be larger than the inclination angle of the right side.

또한, 도 6의 (a)에 도시한 바와 같이, 일단이 원형 도체 부재(51A)에 접속된 섭동핀(53A)의 타단을 급전핀(52A)과 같이 레디얼 안테나(30)의 도체판(31)에 접속하더라도 좋다. In addition, as shown in Fig.'s 6 (a), one end of the circular conductive plate (31 of the perturbation pin radial antenna 30 as a power supply pin (52A), the other end of (53A) connected to the conductive member (51A) ) it may be connected to. 이에 따라, 섭동핀(53A)과 도체판(31)과의 사이에서 방전이 생기는 것을 방지할 수 있다. Accordingly, it is possible to prevent a discharge occurring between the perturbation and the pin (53A) and a conductor plate (31).

또한, 급전핀(52A)의 선단을 원통 도체 부재(51B)에 접속하더라도 좋다. Also, it may be connected to the front end of the feed pin (52A) on a cylindrical conductive member (51B). 구체적으로는 도 7의 (a) 및 (b)에 도시한 바와 같이, 급전핀(52A)은 동축 도파관(41)의 내부 도체(41B)와의 접속점에서부터 원통 도체 부재(51B)의 축 방향으로 신장하여, 직각으로 구부러져 원통 도체 부재(51B)의 내벽면에 대하여 수직으로 접속된다. Specifically, as shown in (a) and (b) of Figure 7, the feed pin (52A) is extended in the axial direction of the cylindrical conductive member (51B) from the node between the inner conductor (41B) of the coaxial waveguide (41) and, bent at right angles and is connected perpendicularly to the inner wall surface of the cylindrical conductive member (51B). 이와 같이 하여도 급전핀(52A)으로부터의 방전을 억제할 수 있다. In this way it is possible to also suppress the discharge from the feed pin (52A). 이 경우, 섭동핀의 선단은 개방 상태로 해도 좋고, 레디얼 안테나(30)의 도체판(31)에 접속하더라도 좋고, 도 7의 (a) 및 (b)에 도시한 바와 같이 원통 도체 부재(51B)에 접속하더라도 좋다. In this case, the front end of the perturbation pin may be opened and may even if connected to the conductive plate 31 of the radial antenna 30, the cylindrical conductive member as shown in (a) and (b) of FIG. 7 (51B ) it may be connected to. 여기서, 급전핀(52A)과 섭동핀과의 평행 부분의 길이를 λ/4 정도로 하는 것에 의해 캐비티(53)에 양호한 회전 전자계를 생성할 수 있다. Here, it is possible to produce a good rotating electromagnetic field in the cavity 53 by the length of the parallel portion of the feeding pin (52A) and pin perturbation about λ / 4.

또한, 급전핀의 선단을 개방 상태 또는 레디얼 안테나(30)의 도체판(31)에 접속한 상태로 섭동핀(53A)을 원통 도체 부재(51B)에 접속하더라도 좋다. Further, the perturbation may be connected to the feed pin tip in a state connected to the conductive plate 31 in the open state or radial antenna 30 pin (53A) on a cylindrical conductive member (51B).

다음에 본 발명의 제3 실시예에 관해서 도 8의 (a) 및 (b)를 참조하여 설명한다. It will now be described with reference to the following (a) and (b) of FIG. 8 with respect to the third embodiment of the present invention. 또, 제1 실시예와 공통되는 부재에 관해서는 동일한 부호를 이용하고, 그 설명을 생략한다. In addition, the use of the same reference numbers to the members common to those in the first embodiment, and a description thereof will be omitted.

전술한 제1 실시예는 급전부를 구성하는 캐비티(35) 내에 섭동핀(53)을 설치한 데 대하여, 이 제3 실시예에 따른 플라즈마 장치는 캐비티(35)가 고주파 전자계를 급전하는 동축 도파관(41)의 외부 도체(41A)와 접속된 원형 도체 부재(51A)와, 일단이 이 원형 도체 부재(51A)와 접속되고 타단이 레디얼 안테나(30) 내에 개구된 원통 도체 부재(51B)와, 이 원통 도체 부재(51B)의 측벽 내부에 대향 배치된 도전 부재(61A, 61B)로 형성되는 동시에, 동축 도파관(41)의 내부 도체(41B)와 접속된 급전핀(52)이 원형 도체 부재(51A)의 중심으로부터 그 직경 방향으로 이격된 위치에 설치되어 있다. The above-described first embodiment is a coaxial waveguide with respect to installing the perturbation pin 53 in a cavity 35 constituting the feeding section, a plasma apparatus according to this third embodiment the cavity 35 is feeding a high-frequency magnetic field and the outer conductor (41A) and the and the circular conductor members (51A), one end of which is connected to the circular conductor members (51A), the other end a radial antenna 30, the cylindrical conductive member (51B) opening in the connection 41, the At the same time formed with the cylindrical conductive member the conductive member (61A, 61B) disposed opposite to the side wall inside the (51B), the feed pin 52 is connected to the inner conductor (41B) of the coaxial waveguide 41, the circular conductor members ( from the center of the 51A) is provided in a position spaced the radial direction.

도전 부재(61A, 61B)는 도 8의 (b)에 도시한 바와 같이 일단이 캐비티(35)의 일단면을 형성하는 원형 도체 부재(51A)에 접속되고, 또한 원통 도체 부재(51B)의 축 방향으로 연장한다. Conductive members (61A, 61B) is connected to the one end a circular conductive member (51A) forming the surface of the cavity 35, as shown in (b) of Figure 8, and the axis of the cylindrical conductive member (51B) It extends in a direction. 도전 부재(61A, 61B)의 Ⅷa-Ⅷa' 선 방향의 단면 형상은 도 8의 (a)에 도시한 바와 같이 원통 도체 부재(51B)의 측벽 내부를 따르는 원호와, 그 원호를 연결하는 현으로 이루어진다. Ⅷa-Ⅷa 'cross-sectional shape of the line direction of the conductive members (61A, 61B) is a current connecting and along the side wall inside the cylindrical conductive member (51B) circular arc, the circular arc as shown in FIG. 8 (a) achieved.

그 결과, 이 제3 실시예에 있어서는 원통 도체 부재(51B)의 측벽 내부에 도 전 부재(61A, 61B)를 대향 배치한 것에 의해서 캐비티(35)의 중심축에 수직한 단면이 노치부를 갖게 된다. As a result, the third embodiment is a cross-section perpendicular to the central axis of the In the cylindrical conductive member side wall inner Fig former members (61A, 61B) to a cavity (35) by being disposed opposite to the (51B) will have parts of the notch in . 즉, 캐비티(35)의 단면은 노치부를 연결하는 방향(이하「노치 방향」이라고 함)이 노치 방향과 직교하는 방향보다도 짧게 되어 있다. That is, the cross-section of the cavity 35 has a (hereinafter referred to as "Notch direction") direction connecting the notch portion is shorter than a direction perpendicular to the direction of the notch. 따라서, 캐비티(35)의 노치 방향의 용량은 상대적으로 증대한다. Thus, the capacity of the notch direction of the cavity 35 is relatively increased.

또, 이러한 단면 형상을 갖는 캐비티(35)를 형성하기 위해서 본 실시예에서는 원통 도체 부재(51B)에 전술한 바와 같은 단면 형상을 갖는 도전 부재(61A, 61B)를 설치하여 전기적으로 접속하도록 했지만, 이것을 주조에 의해 일체 성형하더라도 좋다. Further, in this embodiment, so as to electrically connect to install the conductive member (61A, 61B) having a cross-sectional shape as described above, the cylindrical conductive member (51B) so as to form a cavity (35) having such cross-sectional shape, it may be integrally formed by casting.

한편, 이들 캐비티(35)의 단면의 노치부와 급전핀(52)은 도 8의 (a) 및 (b)에 도시한 바와 같이 급전핀(52)과 중심축[원형 도체 부재(51A)의 중심]을 통하는 직선과 노치 방향이 약45°의 각도를 이루는 위치 관계에 있다. On the other hand, the feed pin 52 and the center axis - a circular conductive member (51A), as shown in cross-section of the notch and the power supply pin 52 (a) and (b) of Fig. 8 of these cavities (35) center - this leads to a positional relationship between lines and the notch direction that forms an angle of approximately 45 °.

이와 같이 캐비티(35)와 급전핀(52)을 설치하는 것에 따라 급전핀(52)에 의해서 생기는 전계(E) 중, 노치 방향 성분(E1)은 상대적으로 커진 용량의 영향에 의해 위상이 지연된다. In this way the cavity 35 and the feeding pin 52 the electric field (E) generated by the feeding pin 52, as the installation of, a notch direction component (E1) is the phase delay due to the influence of the relatively larger capacity . 따라서, 노치 방향과 직교하는 성분(E2)과의 위상차가 90°가 되도록 노치부의 크기 및 급전핀(52)의 위치를 설정함으로써 TE11 모드의 회전 전자계를 얻을 수 있다. Accordingly, it is possible to obtain a rotating magnetic field of the TE11 mode by setting the position of the notches and the direction perpendicular component (E2) a phase difference of 90 ° with a notch portion size, and the power feeding pin 52 and so on.

전술한 바와 같은 급전부를 갖는 플라즈마 장치에 있어서는 고주파 발생기(45)로부터 발생한 고주파 전자계는 동축 도파관(41)을 통해 상기 캐비티(35)에 급전된다. High frequency magnetic field generated from the high frequency generator (45) in the plasma apparatus having the power supply portion as mentioned above is fed to the cavity 35 through the coaxial waveguide 41. 급전된 고주파 전자계는 급전핀(52)과 중심축에 수직한 단면이 서로 대향하는 한 쌍의 노치부를 갖는 캐비티(35)에 의해서 회전 전자계로 변 환되는 동시에, 상기 캐비티(35)에 있어서 공진하면서 그 일부가 레디얼 안테나(30)의 레디얼 도파로(33)에 공급된다. The feeding high frequency electromagnetic field, while the resonance in the feed pin 52 and the center at the same time that conversion to the rotational magnetic field by a cavity 35 having a pair of notch portions to the end face are opposed to each other perpendicular to the axis, said cavity (35) part of it is supplied to the radial waveguides 33 of the radial antenna 30. 레디얼 안테나(30) 내에 공급된 고주파 전자계는 레디얼 도파로(33)를 전파하여, 이 레디얼 도파로(33) 내를 전파하는 전자계(F)가 이들 슬롯(36)으로부터 처리 용기(11) 내에 방사(또는 리크)되어, 노즐(17)을 통하여 처리 용기(11) 내에 도입되는 플라즈마 가스를 전리시켜 플라즈마(S)를 생성한다. The high frequency electromagnetic field supplied to the radial antenna 30 is to spread the radial waveguide 33, a radiation (or in the radial waveguide (33) magnetic field (F) the treatment vessel 11 from these slots (36) for propagating in is a leak), by ionizing the plasma gas introduced into the processing vessel 11 through the nozzle 17 to create a plasma (S).

이 때, 캐비티(35)에 있어서 공진하고 있는 회전 전자계가 레디얼 도파로(33)에 공급된다. At this time, the rotating magnetic field that is resonant in the cavity (35) is supplied to the radial waveguide (33). 따라서, 캐비티(35) 내에서 고주파 전자계를 원편파로 변환함으로써, 레디얼 안테나(30)로부터 양호한 원편파 고주파 전자계를 처리 용기(11) 내에 방사(또는 리크)하여, 생성되는 플라즈마(S)의 면내 분포의 균일성을 향상시킬 수 있다. Thus, the plane of the plasma (S) that is by converting a high-frequency electromagnetic field with circular polarization in the cavity 35, the radial (or leak), a good circular polarization high-frequency electromagnetic field from the radial antenna 30 within the processing chamber 11, generating it is possible to improve the uniformity of distribution.

이 제3 실시예에 있어서 급전핀(52)에 의해서 생기는 전계(E) 중 노치 방향성분(E1)과 그리고 직교하는 방향 성분(E2)과의 위상차를 90°로 하여 양호한 회전 전자계를 얻기 위해서는 캐비티(35)에 설치되는 도체 부재(61A, 61B)와 급전핀(52)과의 평행 부분의 길이 l 3 을 λ/4 정도로 하면 좋다. For the third embodiment according to the example to the phase difference and the power supply pin generated by the 52 electric field (E) of the notch direction component (E1) and and the directional component orthogonal (E2) by 90 ° to obtain a satisfactory rotation magnetic field cavity conductor members (61A, 61B) and may be a length l 3 of the parallel portion of the feeding pin 52 about λ / 4, which is installed in (35). 따라서, 도 9a에 도시한 바와 같이 급전핀(52A)을 레디얼 안테나(30)의 도체판(31)에 접속시키는 경우에는 도체 부재(61C, 61D)의 길이[원통 도체 부재(51B)의 축 방향의 길이]를 l 3 =λ/4 정도로 하면 좋다. Accordingly, the axial direction of the feed pin length [a cylindrical conductive member (51B) of, the conductor member (61C, 61D) when connecting the (52A) in the conductive plate 31 of the radial antenna 30 as shown in Figure 9a in length] it may be the so l 3 = λ / 4. 또한, 도전 부재(61A, 61B)를 원통 도체 부재(51B)의 일단으로부터 타단까지 연장시키는 경우에는 급전핀(52A)에서의 도전 부재(61A, 61B)와 평행한 부 분의 길이를 l 3 =λ/4 정도로 하면 좋다. Further, the conductive members (61A, 61B) of the cylinder when an extended end to from the other end of the conductive member (51B), the feed pin (52A) conductive members (61A, 61B) and the length of the parallel part l 3 = in It may be about λ / 4. 이 경우, 도 9의 (b)에 도시하는 바와 같이, 원형 도체 부재(51A)에서 l 3 =λ/4의 위치에서 급전핀(52A)을 직각으로 접어 구부려, 그 선단을 도전 부재(61A)에 대하여 수직으로 접속하도록 하더라도 좋다. In this case, in the circular conductor members (51A) l 3 = λ / 4 position by bending fold feed pin (52A) at a right angle, the challenge to the distal end member (61A), as shown in FIG. 9 (b) It may be connected to the vertical with respect to the. 이에 따라, 급전핀의 선단이 개방 상태인 경우에 생기는 방전을 억제할 수 있다. Accordingly, it is possible to suppress the discharge of the feed pin to the distal end occurs when in an open state.

또한, 도 10에 도시하는 바와 같이 도전 부재(61E, 61F)의 레디얼 안테나(30)측의 단부가 슬로프형으로 성형되어 있어도 좋다. In addition, the radial antenna 30 of the conductive member (61E, 61F) as shown in Fig. 10 may be the side of the end portion is formed into a slope shape. 이 경우, 캐비티(35)의 중심축에 대하여 수직한 방향에서 본 캐비티(35)의 단면 형상은 레디얼 도파로(33)와의 접속 부분에 테이퍼를 갖는 형상이 된다. In this case, the cross-sectional shape of the cavity 35 in a direction perpendicular to the central axis of the cavity 35 is a shape having a taper in the radial connecting portion between the waveguide (33). 이와 같이 함으로써, 캐비티(35) 내에서 도전 부재가 존재하는 영역과 존재하지 않는 영역과의 임피던스의 변화를 완만하게 하여, 2개의 영역의 경계에서의 고주파 전자계의 반사를 억제할 수 있다. Thus, in the in the cavity 35, the gradual change in the impedance between the conductive members are present and the area does not exist, the area that can suppress the reflection of the high frequency electromagnetic field in the two regions by boundaries, such as. 도전 부재(61E, 61F)의 단부를 슬로프형으로 성형하는 경우라도 그 단부를 제외한 본체 부분의 길이를 l 3 =λ/4 정도로 하는 것에 의해 양호한 회전 전자계를 얻을 수 있다. Even when forming the end portion of the conductive member (61E, 61F) as slopes type it is possible to obtain a satisfactory rotation magnetic field by the length of the body portion other than the end portions so l 3 = λ / 4.

또, 이 제3 실시예에서는 원통 도체 부재(51B)의 내벽면에 그 일단으로부터 축 방향으로 연장하는 도전 부재(61A∼61F)를 설치하여, 캐비티(35)의 단면에 노치부를 갖게 하여, 즉 노치 방향의 거리를 짧게 하는 것으로서 설명했지만, 도전 부재로서 원통 도체 부재(51B)의 내벽면에 서로 대향하는 1조 또는 복수조의 도체 제조의 원주형 돌기를 축 방향에 설치하더라도 좋다. Further, by this third embodiment, by installing the conductive member (61A~61F) extending axially from one end to the inner wall surface of the cylindrical conductive member (51B) has a notch portion on the end face of the cavity 35, that is has been described as to shorten the distance of the notch direction, as the conductive member may be provided a cylindrical conductor member (51B) of the inner wall surface of the columnar projection one set or plural sets of conductors produced facing each other in the axial direction.

다음에 도 11을 참조하여 제4 실시예에 관해서 설명한다. Next, with reference to Fig. 11 will be described in the fourth embodiment.

제4 실시예에 따른 플라즈마 장치는 급전부를 형성하는 캐비티(35)의 중심축에 수직한 단면을 타원형으로 형성한 것이다. The plasma apparatus according to the fourth embodiment is the formation of a cross-section perpendicular to the central axis of the cavity 35 to form the feed into an oval.

구체적으로는, 상기 캐비티(35)는 고주파 전자계를 급전하는 동축 도파관(41)의 외부 도체(41A)와 접속된 타원형 도체 부재와, 일단이 이 타원형 도체 부재와 접속되고 타단이 레디얼 안테나(30) 내에 개구되고, 단면이 타원 형상의 통형상 도체 부재(51B')로 형성되어 있다. Specifically, the cavity 35 is connected to the elliptical conductor member, one end of the oval conductor member connected to the outer conductor (41A) of the coaxial waveguide (41) for feeding a high-frequency electromagnetic field and the other end a radial antenna 30 and the opening in the can cross-section is formed in the tubular conductive member (51B ') of the elliptical shape. 이 때, 통형상 도체 부재(51B')와 동일한 내면 형상을 갖는 링부재(54)를 레디얼 안테나(30)의 도체판(32)의 중앙에 설치된 캐비티(35)의 개구부의 주위에 설치하더라도 좋다. At this time, may be provided a ring member 54 having the same inner shape and the cylindrical conductive member (51B ') around the opening of the cavity (35) provided at the center of the conductive plate 32 of the radial antenna 30 .

이 제4 실시예에 있어서 급전핀(52)은 타원형 도체 부재의 중심으로부터 그 직경 방향으로 이격하며 또한 그 타원의 장직경 및 단직경으로부터 각각 45°의 각도를 이루는 위치에 배치되어 있다. The feed pin 52 according to the fourth embodiment is spaced the radial direction from the center of the oval and the conductor members are also disposed at a position that forms an angle of 45 ° from each section diameter and a short diameter of the ellipse.

그 결과, 급전핀(52)에 의해서 생기는 전계(E) 중, 타원의 단직경 방향 성분(E1)은 상대적으로 커진 용량의 영향에 의해 위상이 지연된다. As a result, the electric field (E) wherein only the radial direction component (E1) of the ellipse generated by the power feeding pin 52 is that the phase is delayed by the influence of a relatively larger capacity. 따라서, 장직경 방향 성분(E2)과의 위상차가 90°가 되도록 캐비티(35)의 단면 형상 및 급전핀(52)의 위치를 설정함으로써 TE11 모드의 회전 전자계를 얻을 수 있다. Thus, by setting the position of the cross-sectional shape and the feed pin 52 of the cavity 35, the phase difference sheet and the radial direction component (E2) so that 90 ° can be obtained the rotating magnetic field of the TE11 mode.

이러한 급전부를 갖는 플라즈마 장치에 있어서 동축 도파관(41)을 통해 상기 캐비티(35)에 급전된 고주파 전자계는 급전핀(52)과 상기 타원 형상의 단면을 갖는 캐비티(35)에 의해서 회전 전자계로 변환되는 동시에, 상기 캐비티(35)에 있어서 공진하면서 그 일부가 레디얼 안테나(30)의 레디얼 도파로(33)에 공급된다. In the plasma apparatus having such a feeding part through the coaxial waveguide 41, a high frequency electromagnetic field the power supply to the cavity 35 is converted into a rotation magnetic field by the feed pin cavity (35) (52) and having a cross-section of the oval-shaped at the same time, while the resonance in the cavity 35, a portion thereof is supplied to the radial waveguides 33 of the radial antenna 30.

따라서, 전술한 제1, 제3 실시예와 같이 캐비티(35) 내에서 고주파 전자계를 원편파로 변환함으로써, 레디얼 안테나(30)로부터 양호한 원편파 고주파 전자계를 처리 용기(11) 내에 방사(또는 리크)하여, 생성되는 플라즈마(S)의 면내 분포의 균일성을 향상시킬 수 있다. Thus, the radiation (or leak into the cavity (35) by converting in a high-frequency electromagnetic field with circular polarization, a radial antenna 30 good circular polarization high-frequency electromagnetic field treatment vessel 11 from the as the above-described first, third example ) to, it is possible to improve the uniformity of the radial distribution of the plasma (S) is generated.

또, 캐비티(35)의 깊이 및 링부재(54)의 두께 등을 조정함으로써 캐비티(35) 내에서 공진하는 고주파 전자계 중, 레디얼 도파로(33)에 공급되는 고주파 전자계의 비율, 즉 Q값을 조절할 수 있다. In addition, by adjusting the thickness and the like of the depth and the ring member 54 of the cavity 35. Cavity 35 is the ratio of high-frequency electromagnetic field which is of the high-frequency electromagnetic field resonating in, supplied to the radial waveguide 33, that is, to control the Q value can.

다음에 제5 실시예에 관해서 도 12를 참조하여 설명한다. Next will be described with reference to Figure 12. As in the fifth embodiment.

이 제5 실시예에 따른 플라즈마 장치는 원형 도체 부재(51A)와 원통 도체 부재(51B)로 형성되는 캐비티(35)에 2개의 동축 도파관을 통해 2점 급전하는 것이다. It is a plasma apparatus according to a fifth embodiment is to feed two points through two coaxial waveguide to the cavity (35) formed of a circular conductor members (51A) and a cylindrical conductive member (51B).

본 실시예에서는 도 12에 도시한 바와 같이 원형 도체 부재(51A)에 제1, 제2 동축 도파관의 내부 도체와 접속된 제1, 제2 급전핀(52A, 52B)이 원형 도체 부재(51A)의 중심축으로부터 그 직경 방향으로 이격된 위치에 설치되어 있고, 이들 2개의 급전핀(52A, 52B)의 위치는 중심축에 대하여 직각을 이루고 있다. In this embodiment a first, a second feed pin (52A, 52B) is a circular conductive member (51A) connected to the first, the inner conductor of the second coaxial waveguide to a circular conductor members (51A) as shown in FIG. 12 from the central axis is provided in a position spaced the radial direction, the position of the two power supply pins (52A, 52B) may constitute a right angle with respect to the center axis.

그리고, 제1, 제2 동축 도파관으로부터 위상이 서로 90°다른 고주파 전자계를 급전함으로써 캐비티(35) 내에 TE11 모드의 회전 전자계가 생성된다. And, the first and the rotating magnetic field of the TE11 mode in the cavity 35 by feeding the phase is 90 ° different from each other a high-frequency electromagnetic field from the second coaxial waveguide is produced.

또, 90°의 위상차를 갖게 하기 위해서는 위상 변환 회로를 이용하더라도 좋지만, 전파 전자계의 파장의 1/4만큼 길이가 다른 2개의 동축 도파관에 동위상의 고주파 전자계를 공급하더라도 좋다. In addition, but even with the phase conversion circuit it may be a quarter the length of the propagating electromagnetic wave supplying a high-frequency electromagnetic field in-phase to the other two coaxial waveguide in order to have a phase difference of 90 °.

이러한 급전부를 갖는 플라즈마 장치에 있어서 전술한 바와 같은 2점 급전을 행하는 것에 따라 2개의 동축 도파관으로부터 급전되는 고주파 전자계가 회전 전자 계로 변환되는 동시에, 상기 캐비티(35)에 있어서 공진하면서 그 일부가 레디얼 안테나(30)의 레디얼 도파로(33)에 공급된다. The feeding part at the same time being converted high-frequency electromagnetic field is to step rotation electrons supplied from the two coaxial waveguides, as performing the two-point feeding, as described above in the plasma apparatus having, as the resonance in the cavity 35 is partially radial It is supplied to the radial waveguides 33 of the antenna 30.

따라서, 전술한 제1∼제3 실시예와 같이 캐비티(35) 내에서 고주파 전자계를 원편파로 변환함으로써, 레디얼 안테나(30)로부터 양호한 원편파 고주파 전자계를 처리 용기(11) 내에 방사(또는 리크)하여 생성되는 플라즈마(S)의 면내 분포의 균일성을 향상시킬 수 있다. Thus, the radiation (or leak into the cavity 35 by converting the high frequency electromagnetic field in the circular polarization in the, radial antenna 30, the processing chamber 11 in good circular polarization high-frequency electromagnetic field from the third embodiment as in the foregoing first to ) generated by it is possible to improve the uniformity of the radial distribution of the plasma (S).

이 때, 캐비티(35)의 깊이 및 링부재(54)의 두께 등을 조정함으로써 캐비티(35) 내에서 공진하는 고주파 전자계 중, 레디얼 도파로(33)에 공급되는 고주파 전자계의 비율, 즉 Q값을 조절할 수 있는 것은 전술한 다른 실시예와 동일하다. At this time, the ratio, that is, Q value of the high frequency electromagnetic field to be supplied from the high frequency electromagnetic field resonating in the cavity 35 by adjusting the thickness and the like of the depth and the ring member 54 of the cavity 35, the radial waveguides 33 it can be adjusted the same as the other embodiments described above.

다음에 제6 실시예에 관해서 도 13의 (a) 및 (b)를 참조하여 설명한다. Next will be described with reference to (a) and (b) of Fig. 13 with respect to the sixth embodiment.

이 제6 실시예에 따른 플라즈마 장치는 원형 도체 부재(51A)와 원통 도체 부재(51B)로 형성되는 캐비티(35) 내에 패치 안테나 급전에 의해 회전 전자계를 생성하는 것이다. Is a plasma apparatus according to a sixth embodiment is to create a rotating magnetic field by the patch antenna feed into the cavity (35) formed of a circular conductor members (51A) and a cylindrical conductive member (51B).

이 패치 안테나 급전에 이용하는 패치 안테나(71)는 도 13의 (a)에 도시한 바와 같이 접지된 원형 도체 부재(51A)와, 이 원형 도체 부재(51A)의 하면에 배치된 유전체판(72)과, 이 유전체판(72)을 통해 원형 도체 부재(51A)에 대향 배치된 도체판(73)으로 구성되어 있다. The patch antenna and the power supply used for the patch antenna 71 is a circular conductive member (51A), the ground as shown in FIG. 13 (a), the dielectric plate 72 is disposed on the lower surface of the circular conductive member (51A) and, via a dielectric plate (72) consists of a conductive plate (73) disposed opposite to the circular conductor members (51A). 원형 도체 부재(51A)에는 2개의 동축 도파관(41, 47)의 외부 도체(41A, 47A)[외부 도체(47A)는 도시하지 않음]가 접속되고, 도체판(73)에는 2개의 동축 도파관(41, 47)의 내부 도체(41B, 47B)[내부 도체(47B) 는 도시하지 않음]가 접속되어 있다. Round conductor members (51A), the outer conductors of two coaxial waveguide (41, 47) (41A, 47A) has two coaxial pipe [outer conductor (47A) is not shown] is connected, the conductor plate 73 ( inner conductor (41B, 47B) of the 41, 47) an inner conductor (47B) is not shown] is connected. 또한, 도체판(73)의 중심을 접지 전위에 고정하기 위해서 도체판(73)의 중심을 도체 기둥으로 원형 도체 부재(51A)에 접속하더라도 좋다. Also, it may be connected to the circular conductor members (51A) to center the conductor posts of the conductive plate 73 to secure the center of the conductive plate 73 to the ground potential. 원형 도체 부재(51A), 도체판(73) 및 도체 기둥은 구리 또는 알루미늄 등에 의해 형성되고, 유전체판(72)은 세라믹 등에 의해 형성된다. Round conductor members (51A), is formed by a conductive plate 73 and the conductive pillar is copper or aluminum, the dielectric plate 72 is formed by ceramic.

도 13의 (b)는 도체판(73)을 ⅩⅢb-ⅩⅢb'선 방향에서 보았을 때의 평면도이다. (B) of Fig. 13 is a plan view as viewed conductor plate 73 in ⅩⅢb-ⅩⅢb 'line direction. 이 도 13b에 도시한 바와 같이 도체판(73)의 평면 형상은 한변이 약 λg 1 /2인 정방형을 하고 있다. The planar shape of the conductor plate 73 as shown in Figure 13b has a one side is about λg 1/2 of the square. λg 1 은 원형 도체 부재(51A)와 도체판(73)과의 사이를 전파하는 고주파 전자계의 파장을 의미하고 있다. λg 1 has the meaning of a high-frequency electromagnetic wave to propagate between the circular conductive member (51A) and the conductive plate 73.

좌표계의 원점(O)을 도체판(73)의 중심에 설정하고, 도체판(73)의 각 변과 평행하게 x축, y축을 설정하면, 2개의 동축 도파관(41, 47)의 내부 도체(41B, 47B)는 도체판(73) 상의 원점(O)으로부터 대략 등거리에 있는 x축, y축상의 두 점에 접속되어 있다. Setting the reference point (O) of the coordinate system at the center of the conductive plate 73, parallel to respective sides of the conductive plate 73, x-axis, and sets the y-axis, the inner conductor of two coaxial waveguide (41, 47) ( 41B, 47B) is connected to two points on the x-axis in a substantially equal distance from the origin (O) on the conductive plate (73), y. 이 두 점을 급전점(P, Q)이라고 부른다. These two points is referred to as the feed point (P, Q).

이러한 구성의 패치 안테나(71)에 대하여 두 개의 동축 도파관(41, 47)으로부터 등진폭 또한 위상이 서로 90°다른 고주파 전자계를 급전함으로써 캐비티(35) 내에 TE11 모드의 회전 전자계를 생성할 수 있다. With respect to the patch antenna 71 in this configuration deungjin from two coaxial waveguide (41, 47), the width may also generate a rotational magnetic field of the TE11 mode in the cavity (35) by phase-feeding a 90 ° different high-frequency electromagnetic field from each other. 그 원리는 다음과 같다. The principle is as follows.

도체판(73)의 x축 방향의 길이는 λg 1 /2이기 때문에, 한쪽의 동축 도파관(41)으로부터 급전점(P)에 공급된 전류는 x축 방향으로 공진하여, 도체판(73)의 y축으로 평행한 두 변에서 x축으로 평행한 직선 편파가 방사된다. Since the length of the x-axis direction of the conductor plate 73 is λg 1/2, the current supplied to the feeding point (P) from a coaxial waveguide (41) on one side and the resonance in the x-axis direction, of the conductor plate 73 in the two sides parallel to the y-axis is parallel to the radiation linearly polarized in the x-axis. 또한, 도체판(73)의 y축 방향의 길이도 λg 1 /2이기 때문에, 다른쪽의 동축 도파관(47) 으로부터 급전점(Q)에 공급된 전류는 y축 방향으로 공진하여, 도체판(73)의 x축으로 평행한 두 변에서 y축으로 평행한 직선 편파가 방사된다. In addition, since the length in the y-axis direction of the conductor plate 73 is also λg 1/2, the current supplied to the feeding point (Q) from the coaxial waveguide 47 and the other by the resonance in the y-axis direction, a conductive plate ( 73) the parallel linearly polarized in the y-axis in the two sides parallel to the x axis of the emitted. 2개의 동축 도파관(41, 47)에 의한 급전 위상은 서로 90°다르기 때문에 방사되는 2개의 직선 편파의 위상도 서로 90°다르다. Two-phase power supply according to the coaxial waveguide (41, 47) are different from FIG. 90 ° to each other the two phases of each other linearly polarized wave to be emitted, because 90 ° is different. 더구나 양자는 진폭이 같고, 공간적으로 직교하고 있기 때문에 원편파가 되어 캐비티(35) 내에 회전 전자계가 생성된다. Moreover, both are the same, the amplitude, is a rotating circular polarized wave electromagnetic field in the cavity 35 is generated because the spatially orthogonal.

이와 같이 하여 생성된 회전 전자계는 캐비티(35)에서 공진하면서 그 일부가 레디얼 안테나(30)의 레디얼 도파로(33)에 공급된다. In this way, the generated rotating magnetic field is supplied to that portion while the resonance in the cavity 35 to the radial waveguide (33) of the radial antenna 30.

따라서, 전술한 다른 실시예와 같이 레디얼 안테나(30)로부터 양호한 원편파 고주파 전자계를 처리 용기(11) 내에 방사(또는 리크)하여 생성되는 플라즈마(S)의 면내 분포의 균일성을 향상시킬 수 있다. Therefore, it is possible to improve the uniformity of the radial distribution of the radiation (or leakage) plasma (S) is generated by a good circular polarization high-frequency electromagnetic field from the radial antenna 30 as in the other embodiments described above in the processing vessel 11 .

이 때, 캐비티(35)의 깊이 및 링부재(54)의 두께 등을 조정함으로써 캐비티(35) 내에서 공진하는 고주파 전자계 중, 레디얼 도파로(33)에 공급되는 고주파 전자계의 비율, 즉 Q값을 조절할 수 있는 것은 전술한 다른 실시예와 동일하다. At this time, the ratio, that is, Q value of the high frequency electromagnetic field to be supplied from the high frequency electromagnetic field resonating in the cavity 35 by adjusting the thickness and the like of the depth and the ring member 54 of the cavity 35, the radial waveguides 33 it can be adjusted the same as the other embodiments described above.

또, 패치 안테나(71)에의 급전 위상차를 90°로 하기 위해서는 위상 변환 회로를 이용하더라도 좋지만, 전파 전자계의 파장의 1/4만큼 길이가 다른 2개의 동축 도파관에 동위상의 고주파 전자계를 공급하도록 하더라도 좋다. Also, in order to feed a phase difference to the patch antenna 71 by 90 ° but even with the phase conversion circuit may be a quarter the length of the propagating electromagnetic wave to supply a high frequency electromagnetic field in-phase to the other two coaxial waveguide .

또한, 패치 안테나(71)가 갖는 도체판(73)의 평면 형상은 도 13의 (b)에 도시한 정방형 외, 원형 등의 90°회전 대칭 형상[도체판(73)을 그 중심의 주위에 90°회전시켰을 때에 중복되는 형상]이라도 좋다. In addition, the patch antenna 71 is 90 ° rotationally symmetrical shape of the conductive plate 73 of the flat shape of the outer showing a square in (b) of Figure 13, a circular shape having [a conductive plate (73) around its center shapes that overlap when rotated 90 ° sikyeoteul] even better. 단, 원형인 경우에는 직경을 약 1.17 ×λg 1 /2로 하면 좋다. However, if the circle has a diameter may be from about 1.17 × λg 1/2. 더 말하자면, 도체판(73)의 평면 형상은 직사각형 등 그 중심으로부터 본 직교하는 2방향의 길이가 다른 형상이라도 좋다. The words, the planar shape of the conductive plate 73 may be a length of the second direction to the perpendicular from the center such as a rectangular shape other. 이 경우, 2개의 급전점(P, Q)에서의 급전 위상의 차를 90°로는 하지 않고, 상기 2방향의 길이에 의해서 조정한다. In this case, without roneun the difference between the power supply phase 90 ° in the two power supply points (P, Q), it is adjusted by the length of the second direction.

다음에 제7 실시예에 관해서 도 14의 (a) 및 (b)를 참조하여 설명한다. Next will be described with reference to (a) and (b) of Fig. 14 with respect to the seventh embodiment. 또, 제6 실시예와 공통되는 부재에 관해서는 동일한 부호를 이용하고, 그 설명을 생략한다. In addition, the use of the same reference numbers in the sixth embodiment and the common members, and the description thereof will be omitted.

제6 실시예는 2개의 동축 도파관(41, 47)을 이용한 이점 급전의 패치 안테나(71)를 이용하고 있는 데 대하여, 이 제7 실시예는 1개의 동축 도파관(41)을 이용한 일점 급전의 패치 안테나(75)를 이용하고 있다. The sixth embodiment with respect to that using the two coaxial waveguide (41, 47), the patch antenna 71 of the advantages feeding with, the seventh embodiment is a patch of the one-dot feed using one coaxial waveguide (41) and using the antenna 75.

이 패치 안테나(75)는 도 14의 (a)에 도시하는 바와 같이 접지된 원형 도체 부재(51A)와, 이 원형 도체 부재(51A)의 하면에 배치된 유전체판(72)과, 이 유전체판(72)을 통해 원형 도체 부재(51A)에 대향 배치된 도체판(76)으로 구성되어 있다. And the patch antenna 75 includes a dielectric plate 72 disposed on the lower surface of the circular conductive member (51A), and a circular conductor members (51A) ground as illustrated in Figure 14 (a), the dielectric plate It is composed of a conductive plate (76) disposed opposite to the circular conductor member (51A) through (72). 원형 도체 부재(51A)에는 동축 도파관(41)의 외부 도체(41A)가 접속되고, 도체판(73)에는 동축 도파관(41)의 내부 도체(41B)가 접속되어 있다. Round conductor member (51A) is connected to an outer conductor (41A) of the coaxial waveguide 41, the conductive plate 73 has an inner conductor (41B) of the coaxial waveguide 41 is connected.

도 14의 (b)는 도체판(76)을 XⅣb-XⅣb'선 방향에서 보았을 때의 평면도이다. (B) of Figure 14 is a plan view as viewed with a conductive plate 76 at XⅣb-XⅣb 'line direction. 이 도 14의 (b)에 도시하는 바와 같이 도체판(76)의 평면 형상은 원(76A)의 주연 영역의 일부를 잘라낸 형상을 하고 있다. The planar shape of the conductive plate 76, as shown in (b) of Figure 14 has a shape cut out a portion of the peripheral region of the circle (76A). 보다 자세히 말하면, 원주와 y축이 교차하는 부근의 2영역을 구형상으로 잘라낸 형상을 하고 있다. In other more closely, and the shape cut out in the second region to obtain the image of the vicinity of the circumference and the y-axis crossing. 노치 면적은 원(76A)의 면적의 3 % 정도로 하면 좋다. Notch area may be about 3% of the area of ​​a circle (76A). 여기서는, 도체판(76)의 x축 방향의 길이를 1.17 ×λg 1 /2로 하고, y축 방향의 길이를 1.17 ×λg 1 /2-2d로 한다. Here, the length of the x-axis direction of the conductor plate 76 to 1.17 × λg 1/2, and the length of the y-axis direction by 1.17 × λg 1 / 2-2d.

동축 도파관(41)의 내부 도체(41B)는 x축, y축과 45°의 각도로 교차하는 직선상의 일점에 접속되어 있다. Inner conductor (41B) of the coaxial waveguide 41 is connected to one point on a straight line intersecting at an angle of x-axis, y-axis and 45 °. 이 점을 급전점(V)이라고 부른다. This point is referred to as the feed point (V).

동축 도파관(41)으로부터 도체판(76)의 급전점(V)에 공급된 전류는 x축 방향 및 y축 방향으로 각각 독립적으로 흐른다. The current supplied from the coaxial waveguide 41 to the feed point (V) of the conductive plate (76) flows independently in the x axis direction and y axis direction. 이 때, y축 방향의 길이는 1.17 ×λg 1 /2보다도 2d만큼 짧기 때문에, 전자계가 본 유전률이 커져 y축 방향을 흐르는 전류의 위상이 지연된다. At this time, the length of the y-axis direction is 1.17 × Since λg 1/2 than 2d is short enough, the phase of the current flowing through the y-axis direction is delayed increases the dielectric constant of an electromagnetic field is present. 이 위상 지연이 90°가 되도록 2d의 값과 노치부의 길이를 설정함으로써 패치 안테나(75)로부터 원편파가 방사되어 캐비티(35) 내에 TE11 모드의 회전 전자계가 생성된다. Is a phase delay of rotation of the electromagnetic field in the TE11 mode by setting the length of the value and the notch portion 2d such that 90 ° is the circular polarized wave radiated from the patch antenna 75, the cavity 35 is generated.

이와 같이 하여 생성된 회전 전자계는 캐비티(35)에 있어서 공진하면서, 그 일부가 레디얼 안테나(30)의 레디얼 도파로(33)에 공급된다. In this way, the generated rotating magnetic field, while the resonance in the cavity 35, and is partially fed to the radial waveguides 33 of the radial antenna 30.

따라서, 전술한 제6 실시예와 같이 레디얼 안테나(30)로부터 양호한 원편파 고주파 전자계를 처리 용기(11) 내에 방사(또는 리크)하여 생성되는 플라즈마(S)의 면내 분포의 균일성을 향상시킬 수 있다. Therefore, to improve the uniformity of the radial distribution of the radiation (or leakage) plasma (S) is generated by a good circular polarization high-frequency electromagnetic field from the radial antenna 30 as shown in the above-described sixth embodiment in the processing vessel 11 have.

또, 도체판(76)의 평면 형상은 도 14의 (b)에 도시한 형상에 한정되는 것이 아니라, 적어도 도체판(76)의 중심으로부터 본 직교하는 두 방향의 길이가 다른 형상이면 좋다. The heart of the orthogonal if other shapes may be the length of the two directions from which the conductive plate 76, the planar shape has at least one conductive plate 76 is not limited to the shape shown in (b) of FIG. 14. 따라서, 예컨대 타원형이라도 좋고, 긴 변의 길이가 약 λg 1 /2이며, 짧은 변이 길이가 약 λg 1 /2 미만인 구형이라도 좋다. Thus, for example, may even elliptical, the long side length 1 is about λg / 2, may be a short side length of the rectangle is less than about λg 1/2.

다음에 제8 실시예에 관해서 도 15를 참조하여 설명한다. Next will be described with reference to Figure 15 as to the eighth embodiment.

이 제8 실시예에 따른 플라즈마 장치는 원형 도체 부재(51A)와 원통 도체 부재(51B)로 형성되는 캐비티(35) 내에 TE10 모드의 구형 도파관(81)을 이용한 슬롯 급전에 의해 회전 전자계를 생성하는 것이다. The plasma apparatus according to this eighth embodiment is for generating a rotating magnetic field by a slot feeding with a rectangular waveguide 81 of the TE10 mode in the cavity (35) formed of a circular conductor members (51A) and a cylindrical conductive member (51B) will be.

이 슬롯 급전에 이용하는 구형 도파관(81)의 E면(관내의 전계에 수직한 측면)에는 크로스 슬롯(82)이 형성되어 있다. E-plane of the rectangular waveguide (81) used for feeding the slot (the side perpendicular to the electric field of the tube) has a cross-slot 82 is formed. 이 크로스 슬롯(82)은 서로 길이가 다른 2개의 슬롯이 서로의 중심에서 교차한 구성을 하고 있다. The cross-slot 82 has a configuration in which each length of the other two slots intersect in the center of each other. 이들 2개의 슬롯 각각의 중심, 즉 크로스 슬롯(82)의 중심은 E면의 대략 중심축 상에 있다. The second center of each slot, that is, the center of the cross slot 82 is in a substantially central axis of the E-plane.

크로스 슬롯(82)을 구성하는 2개의 슬롯은 2.45 GHz에 대한 주파수 특성이 상대적으로 55°∼70°정도 다르게 각 슬롯의 길이가 조정되고, 각 슬롯에 의한 방사 전계의 진폭이 같게 되도록 각 슬롯의 각도가 조정된다. Two slots that make up the cross slot 82 is such that the frequency characteristics for the 2.45 GHz and the length of each slot is relatively adjusted differently about 55 ° ~70 °, the same as the amplitude of the radial electric field due to each slot of each slot the angle is adjusted.

구형 도파관(81)의 종단(83)은 금속으로 폐쇄되어 있기 때문에, 크로스 슬롯(82)에 의한 방사 전자계의 진폭이 최대가 되도록 크로스 슬롯(82)은 그 중심이 구형 도파관(81)의 종단(83)으로부터 대략 λg 2 /2만큼 떨어진 위치에 배치된다. Since the end 83 of the rectangular waveguide 81 is closed with a metal, the end of the cross slot 82 is the center of the rectangular waveguide 81, the amplitude of the radiated electromagnetic field by the cross slot (82) is maximized ( 83) it is disposed approximately λg 2/2 as long as the position away from. λg 2 란 구형 도파관(81) 내를 전파하는 고주파 전자계의 파장이다. 2 λg is the wavelength of the high frequency electromagnetic field to propagate within rectangular waveguide (81).

크로스 슬롯(82)의 설계예를 도 16의 (a) 및 (b)에 도시한다. Designed for the cross-slot 82 it is shown in (a) and (b) of Fig. 또, 이 도 16의 (a) 및 (b)는 구형 도파관(81)의 E면을 XⅥ-XⅥ'선 방향에서 본 평면도이다. Also, the (a) and (b) of Fig. 16 is a plan view of the E-plane of the rectangular waveguide 81 in XⅥ-XⅥ 'line direction.

도 16의 (a)에 도시하는 크로스 슬롯(82A)에서는 그것을 구성하는 2개의 슬롯은 서로 대략 직각으로 교차하고, 또한 구형 도파관(81)의 E면의 중심축에 대하여 대략 45°경사져 있다. Cross slot (82A) shown in FIG. 16 (a) has the two slots constituting it is crossing substantially at right angles to each other, and also inclined approximately 45 ° with respect to the center axis of the E-plane of the rectangular waveguide (81). 각 슬롯의 길이는 각각 5.57 cm, 6.06 cm이다. The length of each slot are each 5.57 cm, 6.06 cm.

또한, 도 16의 (b)에 도시하는 크로스 슬롯(82B)에서는 그것을 구성하는 2개의 슬롯은 서로 대략 107°에서 교차하며, 또한 구형 도파관(81)의 E면의 중심축에 대하여 대략 36.5°경사져 있다. Further, in Fig. Cross slot (82B) shown in 16 (b) 2-slot constituting it is, and cross each other at about 107 °, also inclined approximately 36.5 ° with respect to the center axis of the E-plane of the rectangular waveguide (81) have. 각 슬롯의 길이는 각각 5.32 cm, 7.26 cm이다. The length of each slot are each 5.32 cm, 7.26 cm.

이러한 크로스 슬롯(82A, 82B)을 구형 도파관(81)의 E면에 형성함으로써 2.45 GHz인 주파수에 대하여 축비가 매우 작은 TE11 모드의 원편파를 얻을 수 있다. These cross-slots (82A, 82B) can be obtained for the circular polarized wave of the TE11 mode, the axial ratio is very small with respect to the 2.45 GHz to form the E-plane of the rectangular waveguide (81) frequency.

이 제8 실시예에서는 도 15에 도시한 바와 같이 크로스 슬롯(82)이 형성된 구형 도파관(81)의 E면이 캐비티(35)의 일단면을 형성하는 원형 도체 부재(51A)에 접합되어, 크로스 슬롯(82)은 그 중심이 캐비티(35)의 중심축과 일치하도록 배치되어 있다. This claim is joined to the eighth embodiment in a cross slot (82) one circular conductor member (51A) forming the surface of the cavity (35) E side of the rectangular waveguide 81 is formed as shown in Figure 15, a cross slot 82 is arranged such that its center matches the central axis of the cavity (35). 또한, 원형 도체 부재(51A)에는 적어도 크로스 슬롯(82)과 대향하는 영역이 개구되어, 구형 도파관(81)을 전파하는 고주파 전자계가 캐비티(35) 내에 방사되도록 되어 있다. In addition, the circular conductor members (51A) there is a region at least opposed to the cross-slot (82) opening, is such that the high frequency electromagnetic field propagating through rectangular waveguide 81 is emitted in the cavity (35).

또, 크로스 슬롯(82)의 중심과 캐비티(35)의 중심축은 반드시 일치하지 않더라도 좋다. In addition, even if the central axis may not necessarily match the center of the cavity 35 of the cross slot (82). 또한, 원통 도체 부재(51B)의 일단을 구형 도파관(81)의 E면에서 막아, 이 구형 도파관(81)의 E면의 일부에서 원형 도체 부재(51A)를 구성하더라도 좋다. In addition, blocking one end of the cylindrical conductive member (51B) in the E-plane of the rectangular waveguide 81, it may be configured in a circular conductive member (51A) in a portion of the E-plane of the rectangular waveguide (81).

이러한 플라즈마 장치에 있어서 고주파 발생기(45)로부터 발생한 고주파 전자계는 구형 도파관(81)을 전파하여, E면에 형성된 크로스 슬롯(82)으로부터 캐비티(35) 내에 방사된다. High frequency magnetic field generated from the high frequency generator (45) in such a plasma apparatus is to spread the rectangular waveguide 81, and is emitted from the cross slot 82 formed in the E plane in the cavity (35). 캐비티(35) 내에 방사된 고주파 전자계는 TE11 모드의 원편파가 되어 회전 전자계가 생성된다. The high frequency electromagnetic radiation within the cavity 35 is a circular polarized wave of the TE11 mode, the rotating magnetic field is generated. 이 회전 전자계는 캐비티(35) 내를 공진하면서 그 일부가 레디얼 안테나(30)의 레디얼 도파로(33)에 공급된다. The rotating magnetic field is a part thereof, while the resonant cavity 35 is supplied to the radial waveguides 33 of the radial antenna 30.

따라서, 전술한 다른 실시예와 같이 레디얼 안테나(30)로부터 양호한 원편파 고주파 전자계를 처리 용기(11) 내에 방사(또는 리크)하여 생성되는 플라즈마(S)의 면내 분포의 균일성을 향상시킬 수 있다. Therefore, it is possible to improve the uniformity of the radial distribution of the radiation (or leakage) plasma (S) is generated by a good circular polarization high-frequency electromagnetic field from the radial antenna 30 as in the other embodiments described above in the processing vessel 11 .

도 17의 (a)에 도시하는 바와 같이 TE10 모드의 구형 도파관(84)의 종단면에 크로스 슬롯(85)을 설치하여 슬롯 급전을 행하더라도 좋다. By installing a cross slot 85, the longitudinal section of the rectangular waveguide 84 in the TE10 mode may be performed by feeding the slot as illustrated in Figure 17 (a). 이 구형 도파관(84)의 종단면에 형성되는 크로스 슬롯(85)의 구성은 E면에 형성되는 크로스 슬롯(82)의 구성과 대강 동일하다. The configuration of the cross slot 85 is formed in the longitudinal section of the rectangular waveguide 84 is the same configuration and the general rules of the cross slot 82 formed in the E surface. 즉, 크로스 슬롯(85)은 서로의 중심에서 교차하는 2개의 슬롯으로 구성되고, 이들 2개의 슬롯은 2.45 GHz에 대한 주파수 특성이 상대적으로 55°∼70°정도 다르게 조정되어 그 길이가 서로 다르다. That is, the cross slot 85 is composed of two slots which cross at the center of each other, these two slots are frequency characteristics of the 2.45 GHz is relatively adjusted differently about 55 ° ~70 ° whose length is different from each other. 단, 크로스 슬롯(85)의 중심은 구형 도파관(84)의 종단면의 대략 중심에 배치된다. However, the center of the cross slot 85 is placed in the approximate center of the longitudinal section of the rectangular waveguide (84).

크로스 슬롯(85)의 설계예를 도 17의 (b)에 도시한다. The design of the cross slot 85, for example, is shown in (b) of Fig. 또, 이 도 17의 (b)는 구형 도파관(84)의 종단면을 XⅦb-XⅦb'선 방향에서 본 평면도이다. Also, the (b) of Fig. 17 is a plan view of the longitudinal section of the rectangular waveguide 84 in XⅦb-XⅦb 'line direction. 도 17의 (b)에 도시하는 크로스 슬롯(85A)에서는 그것을 구성하는 2개의 슬롯은 서로 대략 직각으로 교차하며, 또한 구형 도파관(84)의 중심부에 생성되는 가상적인 전계선에 대하여 대략 45°경사져 있다. A cross slot in the diagram (b) of Fig. 17 (85A), the two slots that make it intersect substantially at right angles to each other, and also inclined approximately 45 ° with respect to imaginary I field lines that are generated in the center of the rectangular waveguide (84) have. 각 슬롯의 길이는 각각 5.57 cm, 6.06 cm이다. The length of each slot are each 5.57 cm, 6.06 cm. 이러한 크로스 슬롯(85A)을 구형 도파관(84)의 종단면에 형성함으로써 2.45 GHz인 주파수에 대하여 축비가 매우 작은 TE11 모드의 원편파를 얻을 수 있다. By forming the cross slot (85A) in the longitudinal section of the rectangular waveguide 84, it is possible to obtain a circular polarization of the TE11 mode, the axial ratio is very small with respect to the 2.45 GHz frequency.

따라서, 구형 도파관(84)의 종단면에 형성된 크로스 슬롯(85)으로부터 고주파 전자계를 급전함으로써 캐비티(35) 내에 회전 전자계를 생성할 수 있다. Therefore, it is possible to produce a rotating electromagnetic field in the cavity 35 by feeding a high-frequency electromagnetic field from the cross slot 85 is formed in the longitudinal section of the rectangular waveguide (84). 따라서, 구형 도파관(81)의 E면에 형성된 크로스 슬롯(82)으로부터 급전한 경우와 같이 처리 용기(11) 내에 생성되는 플라즈마(S)의 면내 분포의 균일성을 향상시킬 수 있다. Therefore, it is possible to improve the uniformity of the radial distribution of the plasma (S) generated in the processing chamber 11, such as when a power supply from the cross slot 82 formed in the E plane of the rectangular waveguide (81).

이 제8 실시예에서는 크로스 슬롯(82, 85)에 의한 슬롯 급전의 예를 나타냈지만, 도 18에 도시하는 바와 같이 서로 수직한 방향의 2개의 슬롯(87A, 87B)을 이격된 위치에 배치한 소위 팔자(八字) 슬롯을 이용하여 슬롯 급전을 행하더라도 좋다. The eighth embodiment, arranged in a spaced apart position the cross-slot and two slots (87A, 87B) in a direction perpendicular to each other as shown in Figure 18. Despite an example of a slot feed, according to the (82, 85) so-called using the handlebar (八字) slot may be a slot feeding line.

또한, 크로스 슬롯(82, 85) 또는 하의 글자 슬롯을 구성하는 슬롯의 평면 형상은 도 19의 (a)에 도시하는 바와 같은 구형이라도 좋고, 도 19의 (b)에 도시하는 바와 같은 평행 이직선의 양단을 원호 등의 곡선으로 이은 형상이라도 좋다. In addition, the cross slot (82, 85) or under the character planar shape of the slots constituting a slot line parallel turnover as shown in rectangle may even, in Figure 19 (b) as shown in (a) of FIG. 19 or the shape followed by the ends by a curve such as an arc. 슬롯의 길이(L)란, 도 19의 (a)에서는 구형의 긴 변의 길이이며, 도 19의 (b)에서는 대향하는 두 곡선의 간격이 최대가 되는 위치의 길이이다. The long side length of the length (L) is, (a) of Fig. 19 of the rectangular slot, (b) in FIG. 19, the length of a position where the distance of the two curved facing is maximized.

또, 도 15, 도 17의 (a) 및 (b)에 도시하는 바와 같이 구형 도파관(81, 84)에 있어서 크로스 슬롯(82, 85)이 형성되어 있는 부분과 고주파 발생기(45)와의 사이에 매칭 회로(44)를 배치하더라도 좋다. In addition, between 15, with the portion and the high frequency generator 45 with a cross slot (82, 85) are formed in the rectangular waveguide (81, 84) as shown in (a) and (b) of Figure 17 It may be disposed a matching circuit (44). 이에 따라, 플라즈마 부하로부터의 반사 전력을 고주파 발생기(45)로 되돌리는 일없이 다시 부하측으로 되돌려 효율적으로 플라즈마에 전력 공급할 수 있다. In this way, the power reflected from the plasma back to the load-side load again without returning to the high frequency generator 45 can efficiently supply electric power to the plasma.

이상의 본 발명의 실시예에서 이용하는 레디얼 안테나(30)는 슬롯면을 구성하는 도체판(31)이 평판형이지만, 도 20에 도시하는 레디얼 안테나(30A)와 같이 슬롯면을 구성하는 도체판(31A)이 원추면형을 하고 있어도 좋다. Radial antenna 30 used in the above embodiment of the present invention includes a conductive plate (31A constituting the slot side as a radial antenna (30A) shown in Fig. 20, but the conductive plates 31 are plate-like constituting the slot surface ) and this may be a conical shape. 원추면형을 한 슬롯면에서 방사(또는 리크)되는 전자계는 평판형을 한 유전체판(13)에 의해서 규정되 는 플라즈마면에 대하여 경사 방향으로부터 입사되게 된다. The electromagnetic field radiated (or leak) from one slot face the conical-type is to be incident from an oblique direction with respect to the plasma surface is being defined by the dielectric plate 13 by the plate-like. 이 때문에, 플라즈마에 의한 전자계의 흡수 효율이 향상하기 때문에 안테나면과 플라즈마면과의 사이에 존재하는 정재파를 약하게 하여 플라즈마 분포의 균일성을 향상시킬 수 있다. Therefore, it is possible to improve the absorption efficiency because of the electromagnetic field by the plasma to weaken the standing wave that exists between the antenna surface and a plasma surface enhance uniformity of plasma distribution.

또, 레디얼 안테나(30A)의 안테나면을 구성하는 도체판(31A)은 원추면형 이외의 볼록 형상이라도 좋다. In addition, a radial conductive plate (31A) constituting the antenna side of the antenna (30A) has a convex shape may be a type other than the conical surface. 그 볼록 형상은 위로 볼록해도 좋고, 아래로 볼록해도 좋다. The convex shape may be convex to the top, and may be convex downward. 또한, 캐비티(35)의 일단면을 형성하는 원형 도체 부재(51A)는 레디얼 안테나(30A)의 도체판(31A)을 따른 볼록 형상을 하고 있어도 좋다. In addition, a circular conductive member forming the end face of the cavity (35) (51A) has a convex shape and may be in accordance with the conductive plate (31A) of the radial antenna (30A).

이상과 같이, 전술한 실시예에 따르면 급전부에 공진기를 구성하는 캐비티를 설치하여, 이 캐비티에 급전되는 고주파 전자계를 회전 전자계로 변환하는 동시에, 이 회전 전자계를 상기 캐비티에 있어서 공진시키면서 그 일부를 도파로 내에 공급하기 때문에, 이 캐비티 내에서 회전 전자계를 원편파로 함으로써 상기 도파로에 원편파로 이루어진 회전 전자계를 공급할 수 있어, 이것에 의해서 생성되는 플라즈마의 면내 분포의 균일성을 향상시킬 수 있다. As described above, by installing the cavity constituting the resonator on the power feeder according to the aforementioned embodiments, while converting a high-frequency electromagnetic field which is fed to the cavity by a rotary magnetic field, while the resonance in the rotating electromagnetic field in the cavity, a part of since supplied into the waveguides, since in the cavity the rotating electromagnetic field in the circular polarization can supply a rotational electromagnetic field consisting of a circular polarized wave in the waveguide, it is possible to improve the uniformity of the radial distribution of the plasma generated by it.

본 발명은 에칭이나 CVD, 애싱 등의 플라즈마를 이용하는 처리에 이용할 수 있다. The invention can be used for the process using a plasma such as etching, CVD, ashing.

Claims (29)

  1. 급전부를 통해 고주파 전자계가 공급되는 도파로에 형성된 슬롯 안테나와, The power supply portion and the slot antenna formed on a waveguide of a high-frequency magnetic field is supplied through,
    상기 슬롯 안테나를 통해 공급되는 고주파 전자계에 의해서 플라즈마가 생성되는 처리 용기를 구비하고, By the high frequency electromagnetic field to be supplied through the slot antenna and a processing container in which plasma is generated,
    상기 급전부는, The power supply unit,
    공진기를 구성하는 동시에, 급전되는 고주파 전자계를 회전 전자계로 변환하여 상기 도파로에 공급하는 캐비티를 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 장치. By converting a high-frequency electromagnetic field that is powered at the same time constituting a resonator, a rotary magnetic field plasma device comprising the cavity to be supplied to the waveguide.
  2. 제1항에 있어서, 상기 도파로에서의 상기 캐비티의 개구부의 주위에 설치되어 상기 캐비티의 내경과 동일한 내경을 갖는 링부재를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 장치. The method of claim 1, is provided around the opening of the cavity in the waveguide plasma apparatus comprising a ring member that has the same inner diameter as the inner diameter of the cavity.
  3. 제1항에 있어서, 상기 캐비티는, The method of claim 1, wherein the cavity,
    고주파 전자계를 급전하는 동축 도파관의 외부 도체와 접속된 원형 도체 부재와, And a circular conductive member connected to the outer conductor of the coaxial waveguide feed to a high-frequency electromagnetic field,
    일단이 상기 원형 도체 부재와 접속되고 타단이 상기 도파로 내에 개구된 원통 도체 부재로 형성되는 동시에, One end connected to the circular conductor members and at the same time that the other end formed with the cylindrical conductive member an opening in the waveguide,
    상기 원형 도체 부재의 중심으로부터 그 직경 방향으로 이격된 위치에 설치되어 상기 동축 도파관의 내부 도체와 일단이 접속된 급전핀과, The circle is provided in a position spaced the radial direction from the center of the conductive member and the inner conductor of the coaxial waveguide connected to one end of the feed pin and,
    상기 급전핀과 상기 원형 도체 부재의 중심을 사이에 두고 소정의 각도를 이루는 위치에 설치되어 일단이 상기 원형 도체 부재와 접속된 섭동핀을 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 장치. Plasma apparatus comprising the feed pin and is provided at a position sandwiching the center at a predetermined angle of the circular conductor members is one, the ring-conductive member and the connecting pin perturbation.
  4. 제3항에 있어서, 상기 급전핀의 타단은 개방 상태로 되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 장치. The method of claim 3 wherein the other end of the feeding pin is a plasma device, characterized in that it is in the open state.
  5. 제3항에 있어서, 상기 급전핀의 타단은 상기 슬롯 안테나를 구성하는 슬롯이 형성된 안테나면에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 장치. The method of claim 3 wherein the other end of the feeding pin is a plasma device, characterized in that it is connected to the antenna side slots constituting the slot antenna is formed.
  6. 제5항에 있어서, 상기 급전핀의 타단에는 상기 안테나면측으로 넓어지는 원추대형의 도전 부재가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 장치. The method of claim 5, wherein the other end of the feed pin has a plasma device, characterized in that the conductive member of the large cone that widens toward the surface of the antenna is installed.
  7. 제5항에 있어서, 상기 섭동핀의 타단은 상기 안테나면에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 장치. The method of claim 5, wherein the other end of the pin is perturbed plasma device, characterized in that connected to the antenna side.
  8. 제5항에 있어서, 상기 섭동핀의 타단은 상기 원통 도체 부재에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 장치. The method of claim 5, wherein the other end of the pin is perturbed plasma device, characterized in that connected to the cylindrical conductive member.
  9. 제3항에 있어서, 상기 급전핀의 타단은 상기 원통 도체 부재에 접속되어 있 는 것을 특징으로 하는 플라즈마 장치. The method of claim 3 wherein the other end of the feed pin is plasma and wherein there is connected to said cylindrical conductor members.
  10. 제9항에 있어서, 상기 섭동핀의 타단은 상기 슬롯 안테나를 구성하는 슬롯이 형성된 안테나면 또는 상기 원통 도체 부재에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 장치. 10. The method of claim 9, wherein the other end of the pin is perturbed plasma device, characterized in that connected to the antenna face and the cylindrical conductive member a slot is formed constituting the slot antenna.
  11. 제1항에 있어서, 상기 캐비티는, The method of claim 1, wherein the cavity,
    고주파 전자계를 급전하는 동축 도파관의 외부 도체와 접속된 원형 도체 부재와, And a circular conductive member connected to the outer conductor of the coaxial waveguide feed to a high-frequency electromagnetic field,
    일단이 상기 원형 도체 부재와 접속되고 타단이 상기 도파로 내에 개구된 원통 도체 부재와, Once with the said circular conductor member and being connected to the other end of the cylindrical conductor opening in the waveguide member;
    상기 원통 도체 부재의 측벽 내부에 대향 배치된 도전 부재로 형성되는 동시에, The inner side wall of the cylindrical conductive member at the same time formed as a conductive member disposed opposite,
    상기 원형 도체 부재의 중심으로부터 그 직경 방향으로 이격된 위치에 설치되어 상기 동축 도파관의 내부 도체와 일단이 접속된 급전핀을 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 장치. Installed in spaced the radial direction position from the center of the circular conductor members plasma apparatus comprising an inner conductor and one end is connected to the power supply pin of the coaxial waveguide.
  12. 제11항에 있어서, 상기 도전 부재는 상기 원통 도체 부재의 축 방향의 길이가 상기 고주파 전자계의 파장의 대략 1/4인 것을 특징으로 하는 플라즈마 장치. 12. The method of claim 11, wherein the conductive member is plasma and wherein the length in the axial direction of the cylindrical conductive member is about 1/4 of the wavelength of the high frequency electromagnetic field.
  13. 제11항에 있어서, 상기 도전 부재는 상기 도파로 측의 단부가 슬로프형으로 성형되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 장치. 12. The method of claim 11, wherein the conductive member includes a plasma device, characterized in that the end side of the waveguide is formed into a slope shape.
  14. 제13항에 있어서, 상기 도전 부재의 상기 단부를 제외한 본체는 상기 원통 도체 부재의 축 방향의 길이가 상기 고주파 전자계의 파장의 대략 1/4인 것을 특징으로 하는 플라즈마 장치. The method of claim 13, wherein the main body except the end portion of the conductive member is plasma and wherein the length in the axial direction of the cylindrical conductive member is about 1/4 of the wavelength of the high frequency electromagnetic field.
  15. 제11항에 있어서, 상기 급전핀의 타단은 상기 슬롯 안테나를 구성하는 슬롯이 형성된 안테나면에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 장치. The method of claim 11, wherein the other end of the feeding pin is a plasma device, characterized in that it is connected to the antenna side slots constituting the slot antenna is formed.
  16. 제11항에 있어서, 상기 급전핀의 타단은 상기 원형 도체 부재로부터 상기 원통 도체 부재의 축 방향에 상기 고주파 전자계의 파장의 대략 1/4 떨어진 위치에서 상기 도체 부재에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 장치. The method of claim 11, wherein the other end of the feed pin to the plasma at about 1/4 wavelength of the high frequency electromagnetic field in a position away in the axial direction of the cylindrical conductive member from the circular conductive member characterized in that it is connected to the conductive member Device.
  17. 제1항에 있어서, 상기 캐비티는, The method of claim 1, wherein the cavity,
    고주파 전자계를 급전하는 동축 도파관의 외부 도체와 접속된 타원형 도체 부재와, And the oval conductor member connected to the outer conductor of the coaxial waveguide feed to a high-frequency electromagnetic field,
    일단이 상기 타원형 도체 부재와 접속되고 타단이 상기 도파로 내에 개구되어, 단면이 타원 형상의 통형상 도체 부재로 형성되는 동시에, One end is connected to the elliptical conductor members at the same time that the other end is opened in said waveguide, the cross-section is formed of a tubular conductor members of an elliptical shape,
    상기 타원형 도체 부재의 중심으로부터 그 직경 방향으로 이격하며 또한 그 장직경 및 단직경과 소정의 각도를 이루는 위치에 설치되어 상기 동축 도파관의 내부 도체와 접속된 급전핀을 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 장치. The oval and spaced apart in the radial direction from the center of the conductive member and is provided at a position forming the field diameter and a short diameter and a predetermined angle of a plasma apparatus comprising a feed pin connected to the inner conductor of the coaxial wave guide .
  18. 제1항에 있어서, 상기 캐비티는, The method of claim 1, wherein the cavity,
    고주파 전자계를 급전하는 제1, 제2 동축 도파관의 외부 도체와 접속된 원형 도체 부재와, And the circle connected to the first and the second outer conductor of the coaxial waveguide feed to a high-frequency electromagnetic field conductor members,
    일단이 상기 원형 도체 부재와 접속되고 타단이 상기 도파로 내에 개구된 원통 도체 부재로 형성되는 동시에, One end connected to the circular conductor members and at the same time that the other end formed with the cylindrical conductive member an opening in the waveguide,
    상기 원형 도체 부재의 중심으로부터 그 직경 방향으로 이격된 위치에 설치되어 상기 제1 동축 도파관의 내부 도체와 접속된 제1 급전핀과, Is installed in a position spaced the radial direction from the center of the circular conductor members of the first of the first power supply pin connected to the inner conductor of the coaxial waveguide and,
    상기 제1 급전핀과 상기 원형 도체 부재의 중심을 사이에 두고 소정의 각도를 이루는 위치에 설치되어 상기 제2 동축 도파관의 내부 도체와 접속된 제2 급전핀을 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 장치. It said first sandwiching the center of the circular conductive member and first feeding pin is installed in a predetermined angle position plasma apparatus comprising a second power supply pin connected to the inner conductor of the second coaxial waveguide.
  19. 제1항에 있어서, 상기 캐비티는, The method of claim 1, wherein the cavity,
    고주파 전자계를 급전하는 적어도 1개의 동축 도파관의 외부 도체와 접속된 원형 도체 부재와, And a circular member connected to the conductor and the outer conductor of at least one of the coaxial waveguide feed to a high-frequency electromagnetic field,
    일단이 상기 원형 도체 부재와 접속되고 타단이 상기 도파로 내에 개구된 원통 도체 부재로 형성되는 동시에, One end connected to the circular conductor members and at the same time that the other end formed with the cylindrical conductive member an opening in the waveguide,
    상기 적어도 1개의 동축 도파관으로부터 급전된 상기 고주파 전자계를 상기 회전 전자계로서 상기 캐비티 내에 방사하는 패치 안테나를 구비하고, The at least said high frequency electromagnetic field supplied from the coaxial waveguide 1 as the rotating magnetic field and a patch antenna to radiate into the cavity,
    상기 패치 안테나는, The patch antenna,
    상기 원형 도체 부재와, And the circular conductive member,
    상기 원형 도체 부재와 소정의 간격을 두고 대향 배치되어 상기 적어도 1개의 동축 도파관의 내부 도체와 접속된 도체판을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 장치. It said circular opposed conductor members arranged at a predetermined interval and the plasma apparatus comprising: a conductive plate connected to the inner conductor of the at least one coaxial waveguide.
  20. 제1항에 있어서, 상기 캐비티는, The method of claim 1, wherein the cavity,
    고주파 전자계를 급전하는 구형 도파관의 일측면 또는 종단면과, One side or longitudinal section of the rectangular waveguide to feed a high-frequency electromagnetic field and,
    일단이 상기 구형 도파관의 일측면 또는 종단면과 접속되고 타단이 상기 도파로 내에 개구된 원통 도체 부재로 형성되고, One end of which is connected with one side or the longitudinal section of the rectangular waveguide and the other end formed with the cylindrical conductive member an opening in the waveguide,
    상기 구형 도파관의 일측면 또는 종단면에는 상기 고주파 전자계를 상기 회전 전자계로서 상기 캐비티 내에 방사하는 복수의 슬롯이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 장치. A plasma device, characterized in that a plurality of slots for radiation in the cavity is formed as one side or the longitudinal section has the high frequency electromagnetic field to rotate the electromagnetic field in the rectangular waveguide.
  21. 제20항에 있어서, 상기 복수의 슬롯은 서로의 중점에서 교차하는 2개의 슬롯인 것을 특징으로 하는 플라즈마 장치. 21. The method of claim 20, wherein the plurality of slots is a plasma device, characterized in that two slots, which intersect at the midpoint of each other.
  22. 제20항에 있어서, 상기 복수의 슬롯은 서로 이격되어 배치된 서로 대략 수직한 방향으로 신장하는 2개의 슬롯인 것을 특징으로 하는 플라즈마 장치. The method of claim 20, wherein the plasma device, characterized in that the two slots extending the plurality of slots in a substantially perpendicular direction to each other spaced apart from each other.
  23. 공진기를 구성하는 캐비티에 고주파 전자계를 급전하고, 상기 고주파 전자계를 회전 전자계로 변환하는 동시에, 상기 캐비티 내에서 공진시키면서 회전 전자계로 변환된 고주파 전자계를 도파로에 공급하고, Feeding a high-frequency electromagnetic field in the cavity constituting the resonator, and at the same time converting the high frequency electromagnetic field to the rotating magnetic field, while the resonance within the cavity, and supplying a high-frequency electromagnetic fields converted to a rotating electromagnetic field in the waveguide,
    상기 도파로에 공급된 고주파 전자계를 상기 도파로에 형성된 슬롯 안테나를 통해 처리 용기 내에 공급함으로써 플라즈마를 생성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 생성 방법. The plasma generating method characterized by generating a plasma by supplying into the processing container through the slot antenna formed in the high frequency electromagnetic field supplied to the waveguide in the waveguide.
  24. 제23항에 있어서, 24. The method of claim 23,
    동축 도파관의 외부 도체와 접속된 원형 도체 부재와, 일단이 상기 원형 도체 부재와 접속되고 타단이 도파로 내에 개구된 원통 도체 부재로 상기 캐비티를 형성하는 단계와, And forming the cavity in a circular conductive member, and one end of the cylindrical conductive member is connected to the circular conductor member and the other end opening in the waveguide connected to the outer conductor of the coaxial waveguide,
    상기 캐비티 내에 상기 동축 도파관의 내부 도체와 접속된 급전핀을 상기 원형 도체 부재의 중심으로부터 그 직경 방향으로 이격된 위치에 설치하는 단계와, And the step of installing the power supply pin connected to the inner conductor of the coaxial waveguide at a position spaced the radial direction from the center of the circular conductor members in the cavity,
    상기 급전핀과 상기 원형 도체 부재의 중심을 사이에 두고 소정의 각도를 이루는 위치에 상기 원형 도체 부재와 접속된 섭동핀을 설치하는 단계와, The method comprising: at a position sandwiching the center of the feed pin and the round conductor member at a predetermined angle of installing the perturbation pin connected to the circular conductive member,
    상기 동축 도파관을 통해 상기 캐비티에 고주파 전자계를 급전하는 단계와, The method comprising the steps of feeding a high-frequency electromagnetic field in the cavity through the coaxial waveguide,
    상기 고주파 전자계를 상기 급전핀과 상기 섭동핀에 의해서 회전 전자계로 변환하는 동시에, 상기 캐비티에 있어서 공진시키면서 회전 전자계로 변환된 고주파 전자계를 상기 도파로에 공급하는 단계와, And wherein the high-frequency electromagnetic field at the same time to convert a rotation magnetic field by the feed pin and the pin perturbation, while a resonance in the cavity, supplying a high-frequency electromagnetic fields converted to a rotating electromagnetic field in the waveguide,
    상기 도파로에 형성된 슬롯 안테나를 통해 처리 용기 내에 공급함으로써 플라즈마를 생성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 생성 방법. The plasma generating method comprising the steps of generating plasma by feeding in a processing container through a slot formed in the waveguide antenna.
  25. 제23항에 있어서, 24. The method of claim 23,
    동축 도파관의 외부 도체와 접속된 원형 도체 부재와, 일단이 상기 원형 도체 부재와 접속되고 타단이 상기 도파로 내에 개구된 원통 도체 부재와, 상기 원통 도체 부재의 측벽 내부에 대향 배치된 도전 부재로부터, 상기 원통 도체 부재의 축에 수직한 단면이 서로 대향하는 한 쌍의 노치부를 갖는 상기 캐비티를 형성하는 단계와, And the connection with the outer conductor of the coaxial waveguide circular conductive member, one end from the connected with a circular conductive member, and the other end with the cylindrical conductive member opening in the waveguide, disposed opposite to the side wall inside the cylindrical conductive member electrically conductive member, wherein the method comprising: a cross-section perpendicular to the axis of the cylindrical conductive member forming said cavity having a pair of notches opposite to each other,
    이 캐비티 내에 상기 동축 도파관의 내부 도체와 접속된 급전핀을 상기 원형 도체 부재의 중심으로부터 그 직경 방향으로 이격되며, 또한 상기 캐비티의 단면의 상기 노치부의 중심선으로부터 이격된 위치에 설치하는 단계와, The method comprising spaced a feed pin connected to the inner conductor of the coaxial waveguide in the radial direction from the center of the circular conductive member, and installed in a position spaced from the center line of the cross section of the notch portion of the cavity within the cavity,
    상기 동축 도파관을 통해 상기 캐비티에 고주파 전자계를 급전하는 단계와, The method comprising the steps of feeding a high-frequency electromagnetic field in the cavity through the coaxial waveguide,
    상기 고주파 전자계를 상기 급전핀과 상기 노치부를 갖는 상기 캐비티에 의해서 회전 전자계로 변환하는 동시에, 상기 캐비티에 있어서 공진시키면서 회전 전자계로 변환된 고주파 전자계를 상기 도파로에 공급하는 단계와, Comprising the steps of: simultaneously converting a rotary magnetic field, while the resonance in the cavity, supplying a high-frequency electromagnetic fields converted to a rotating electromagnetic field in the waveguide by the high frequency electromagnetic field the cavity with the said power supply pin and the parts of the notches,
    상기 도파로에 형성된 슬롯 안테나를 통해 처리 용기 내에 공급함으로써 플라즈마를 생성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 생성 방법. The plasma generating method comprising the steps of generating plasma by feeding in a processing container through a slot formed in the waveguide antenna.
  26. 제23항에 있어서, 24. The method of claim 23,
    동축 도파관의 외부 도체와 접속된 타원형 도체 부재와, 일단이 상기 타원형 도체 부재와 접속되고 타단이 상기 도파로 내에 개구되어, 단면이 타원 형상의 통형상 도체 부재로 상기 캐비티를 형성하는 단계와, And forming the cavity in the oval conductor member connected to the outer conductor of the coaxial wave guide, one end of the oval conductive member and the connection and the other end is opened in said waveguide, the cross-section of the cylindrical conductive member is an elliptical shape,
    상기 캐비티 내에 상기 동축 도파관의 내부 도체와 접속된 급전핀을 상기 타원형 도체 부재의 중심으로부터 이격되며 또한 그 장직경 및 단직경과 소정의 각도를 이루는 위치에 설치하는 단계와, Comprising the steps of: spacing a feed pin connected to the inner conductor of the coaxial wave guide from the center of the oval conductive member is also provided at a position forming the field diameter and a short diameter and a predetermined angle in the cavity,
    상기 동축 도파관을 통해 상기 캐비티에 고주파 전자계를 급전하는 단계와, The method comprising the steps of feeding a high-frequency electromagnetic field in the cavity through the coaxial waveguide,
    상기 고주파 전자계를 상기 급전핀과 상기 타원 형상의 단면을 갖는 캐비티에 의해서 회전 전자계로 변환하는 동시에, 상기 캐비티에 있어서 공진시키면서 회전 전자계로 변환된 고주파 전자계를 상기 도파로에 공급하는 단계와, Comprising the steps of: simultaneously converting a rotary magnetic field, while the resonance in the cavity, supplying a high-frequency electromagnetic fields converted to a rotating electromagnetic field in the waveguide by the high frequency electromagnetic field and said feed pin in the cavity having a cross-section of the oval shape,
    상기 도파로에 형성된 슬롯 안테나를 통해 처리 용기 내에 공급함으로써 플라즈마를 생성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 생성 방법. The plasma generating method comprising the steps of generating plasma by feeding in a processing container through a slot formed in the waveguide antenna.
  27. 제23항에 있어서, 24. The method of claim 23,
    제1, 제2 동축 도파관의 외부 도체와 접속된 원형 도체 부재와, 일단이 이 원형 도체 부재와 접속되고 타단이 도파로 내에 개구된 원통 도체 부재로 상기 캐비티를 형성하는 단계와, And the step of forming the cavity in a circular conductive member, and one end and the other end connected to a circular conductive member, and a cylindrical conductive member connected to the opening in the waveguide 1, the outer conductor of the second coaxial waveguide,
    상기 캐비티 내에 상기 제1 동축 도파관의 내부 도체와 접속된 제1 급전핀을 상기 원형 도체 부재의 중심으로부터 그 직경 방향으로 이격된 위치에 설치하는 동시에, 상기 제2 동축 도파관의 내부 도체와 접속된 제2 급전핀을 상기 제1 급전핀과 상기 원형 도체 부재의 중심을 사이에 두고 소정의 각도를 이루는 위치에 설치하는 단계와, A first power supply pin connected to the first internal conductor of the first coaxial waveguide in the cavity at the same time to install in a position spaced the radial direction from the center of the circular conductive member, and the connected with the inner conductor of the second coaxial waveguide 2 with the power supply pin between a center of the circular conductive member and the first feed step of the pin installed in a predetermined angle position and,
    상기 제1, 제2 동축 도파관을 통해 상기 캐비티에 서로 위상이 90°다른 고주파 전자계를 급전하는 단계와, The method comprising the phases to each other in the cavity, feeding a 90 ° different high frequency electromagnetic field through the first and second coaxial waveguide,
    상기 동축 도파관으로부터 급전되는 고주파 전자계를 회전 전자계로 변환하는 동시에, 상기 캐비티에 있어서 공진시키면서 회전 전자계로 변환된 고주파 전자계를 상기 도파로에 공급하는 단계와, The method comprising: at the same time of converting the high frequency electromagnetic field to be supplied from the coaxial waveguide to the rotating magnetic field, while the resonance in the cavity, supplying a high-frequency electromagnetic fields converted to a rotating electromagnetic field in the waveguide,
    상기 도파로에 형성된 슬롯 안테나를 통해 처리 용기 내에 공급함으로써 플라즈마를 생성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 생성 방법. The plasma generating method comprising the steps of generating plasma by feeding in a processing container through a slot formed in the waveguide antenna.
  28. 제23항에 있어서, 24. The method of claim 23,
    적어도 1개의 동축 도파관의 외부 도체와 접속된 원형 도체 부재와, 일단이 상기 원형 도체 부재와 접속되고 타단이 도파로 내에 개구된 원통 도체 부재로 상기 캐비티를 형성하는 단계와, And forming the cavity by at least one conductor and a circular member connected to the outer conductor of the coaxial wave guide, one end of the circular conductive member and the connection and the other end of the cylindrical conductive member opening in a waveguide,
    상기 캐비티 내에 상기 적어도 1개의 동축 도파관의 내부 도체와 접속된 도체판을 상기 원형 도체 부재와 소정의 간격을 두고 대향 배치하여, 상기 도체판과 상기 원형 도체 부재를 포함하는 패치 안테나를 구성하는 단계와, Step of the at least a conductive plate connected to the inner conductor of one coaxial waveguide with the circular conductive member and the predetermined distance oppositely disposed in the cavity, a patch antenna including the conductor plate and the circular conductive member, and ,
    상기 적어도 1개의 동축 도파관을 통해 상기 패치 안테나에 고주파 전자계를 급전하여, 상기 캐비티에 회전 전자계를 생성하는 단계와, And generating a rotating electromagnetic field in the cavity by feeding a high-frequency electromagnetic field in the patch antenna, with the at least one coaxial waveguide,
    상기 캐비티에 있어서 공진시키면서 회전 전자계로 변환된 고주파 전자계를 상기 도파로에 공급하는 단계와, The method comprising the steps of resonance while supplying a high-frequency electromagnetic fields converted to a rotating electromagnetic field in the waveguide in the cavity,
    상기 도파로에 형성된 슬롯 안테나를 통해 처리 용기 내에 공급함으로써 플라즈마를 생성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 생성 방법. The plasma generating method comprising the steps of generating plasma by feeding in a processing container through a slot formed in the waveguide antenna.
  29. 제23항에 있어서, 24. The method of claim 23,
    고주파 전자계를 급전하는 구형 도파관의 일측면 또는 종단면과, 일단이 상기 구형 도파관의 일측면 또는 종단면과 접속되고 타단이 상기 도파로 내에 개구된 원통 도체 부재로 상기 캐비티를 형성하는 단계와, Forming a cavity in one side or the longitudinal section, one end of the cylindrical conductive member and connected to the one side or the longitudinal section of the rectangular waveguide the other end opening in which the waveguide of rectangular waveguide to feed a high-frequency electromagnetic field,
    상기 구형 도파관으로부터 급전된 고주파 전자계를 상기 일측면 또는 종단면에 형성된 복수의 슬롯으로부터 상기 캐비티에 방사함으로써 회전 전자계를 생성하는 단계와, And generating a rotating magnetic field by spinning in the cavity, the high frequency electromagnetic field supplied from the rectangular waveguide for a plurality of slots formed in the one side or the longitudinal section,
    상기 캐비티에 있어서 공진시키면서 회전 전자계로 변환된 고주파 전자계를 상기 도파로에 공급하는 단계와, The method comprising the steps of resonance while supplying a high-frequency electromagnetic fields converted to a rotating electromagnetic field in the waveguide in the cavity,
    상기 도파로에 형성된 슬롯 안테나를 통해 처리 용기 내에 공급함으로써 플라즈마를 생성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 생성 방법. The plasma generating method comprising the steps of generating plasma by feeding in a processing container through a slot formed in the waveguide antenna.
KR20037009440A 2001-01-18 2002-01-18 Plasma device and plasma generating method KR100549678B1 (en)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2001-00010291 2001-01-18
JP2001010291 2001-01-18
JP2001247853A JP3625197B2 (en) 2001-01-18 2001-08-17 Plasma apparatus and plasma generation method
JPJP-P-2001-00247853 2001-08-17
PCT/JP2002/000323 WO2002058441A1 (en) 2001-01-18 2002-01-18 Plasma device and plasma generating method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20040062870A true KR20040062870A (en) 2004-07-09
KR100549678B1 true KR100549678B1 (en) 2006-02-08

Family

ID=26607895

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR20037009440A KR100549678B1 (en) 2001-01-18 2002-01-18 Plasma device and plasma generating method

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7243610B2 (en)
EP (1) EP1361782A4 (en)
JP (1) JP3625197B2 (en)
KR (1) KR100549678B1 (en)
WO (1) WO2002058441A1 (en)

Families Citing this family (116)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4504511B2 (en) * 2000-05-26 2010-07-14 ローム株式会社 The plasma processing apparatus
JP4576291B2 (en) * 2005-06-06 2010-11-04 株式会社日立ハイテクノロジーズ The plasma processing apparatus
JP5189999B2 (en) * 2009-01-29 2013-04-24 東京エレクトロン株式会社 Microwave power supply method of a microwave plasma processing apparatus, and a microwave plasma processing apparatus
US8415884B2 (en) * 2009-09-08 2013-04-09 Tokyo Electron Limited Stable surface wave plasma source
US20120186747A1 (en) * 2011-01-26 2012-07-26 Obama Shinji Plasma processing apparatus
JP5913817B2 (en) * 2011-02-25 2016-04-27 株式会社日立ハイテクノロジーズ The plasma processing apparatus
NL2007809C (en) * 2011-11-17 2013-05-21 Draka Comteq Bv An apparatus for performing a plasma chemical vapour deposition process.
WO2013098795A1 (en) * 2011-12-29 2013-07-04 Selex Galileo S.P.A. Slotted waveguide antenna for near-field focalization of electromagnetic radiation
US9155183B2 (en) * 2012-07-24 2015-10-06 Tokyo Electron Limited Adjustable slot antenna for control of uniformity in a surface wave plasma source
US9113347B2 (en) 2012-12-05 2015-08-18 At&T Intellectual Property I, Lp Backhaul link for distributed antenna system
US10009065B2 (en) 2012-12-05 2018-06-26 At&T Intellectual Property I, L.P. Backhaul link for distributed antenna system
JP6411449B2 (en) * 2013-03-13 2018-10-24 ラドム コーポレイションRadom Corporation Plasma generator that uses the dielectric resonator, an optical spectrometer, mass spectrometers, and plasma generation methods
US9999038B2 (en) 2013-05-31 2018-06-12 At&T Intellectual Property I, L.P. Remote distributed antenna system
US9525524B2 (en) 2013-05-31 2016-12-20 At&T Intellectual Property I, L.P. Remote distributed antenna system
US8897697B1 (en) 2013-11-06 2014-11-25 At&T Intellectual Property I, Lp Millimeter-wave surface-wave communications
US9209902B2 (en) 2013-12-10 2015-12-08 At&T Intellectual Property I, L.P. Quasi-optical coupler
US9488601B2 (en) * 2014-03-26 2016-11-08 Paneratech, Inc. Material erosion monitoring system and method
US9880110B2 (en) 2014-03-26 2018-01-30 Paneratech, Inc. Material erosion monitoring system and method
US9692101B2 (en) 2014-08-26 2017-06-27 At&T Intellectual Property I, L.P. Guided wave couplers for coupling electromagnetic waves between a waveguide surface and a surface of a wire
US9768833B2 (en) 2014-09-15 2017-09-19 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for sensing a condition in a transmission medium of electromagnetic waves
US10063280B2 (en) 2014-09-17 2018-08-28 At&T Intellectual Property I, L.P. Monitoring and mitigating conditions in a communication network
US9628854B2 (en) 2014-09-29 2017-04-18 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for distributing content in a communication network
US9615269B2 (en) 2014-10-02 2017-04-04 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus that provides fault tolerance in a communication network
US9685992B2 (en) 2014-10-03 2017-06-20 At&T Intellectual Property I, L.P. Circuit panel network and methods thereof
US9503189B2 (en) 2014-10-10 2016-11-22 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for arranging communication sessions in a communication system
US9973299B2 (en) 2014-10-14 2018-05-15 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for adjusting a mode of communication in a communication network
US9762289B2 (en) 2014-10-14 2017-09-12 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for transmitting or receiving signals in a transportation system
US9564947B2 (en) 2014-10-21 2017-02-07 At&T Intellectual Property I, L.P. Guided-wave transmission device with diversity and methods for use therewith
US9780834B2 (en) 2014-10-21 2017-10-03 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for transmitting electromagnetic waves
US9769020B2 (en) 2014-10-21 2017-09-19 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for responding to events affecting communications in a communication network
US9520945B2 (en) 2014-10-21 2016-12-13 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus for providing communication services and methods thereof
US9577306B2 (en) 2014-10-21 2017-02-21 At&T Intellectual Property I, L.P. Guided-wave transmission device and methods for use therewith
US9653770B2 (en) 2014-10-21 2017-05-16 At&T Intellectual Property I, L.P. Guided wave coupler, coupling module and methods for use therewith
US9627768B2 (en) 2014-10-21 2017-04-18 At&T Intellectual Property I, L.P. Guided-wave transmission device with non-fundamental mode propagation and methods for use therewith
US9312919B1 (en) 2014-10-21 2016-04-12 At&T Intellectual Property I, Lp Transmission device with impairment compensation and methods for use therewith
US9544006B2 (en) 2014-11-20 2017-01-10 At&T Intellectual Property I, L.P. Transmission device with mode division multiplexing and methods for use therewith
US9800327B2 (en) 2014-11-20 2017-10-24 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus for controlling operations of a communication device and methods thereof
US9654173B2 (en) 2014-11-20 2017-05-16 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus for powering a communication device and methods thereof
US9680670B2 (en) 2014-11-20 2017-06-13 At&T Intellectual Property I, L.P. Transmission device with channel equalization and control and methods for use therewith
US9954287B2 (en) 2014-11-20 2018-04-24 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus for converting wireless signals and electromagnetic waves and methods thereof
US9742462B2 (en) 2014-12-04 2017-08-22 At&T Intellectual Property I, L.P. Transmission medium and communication interfaces and methods for use therewith
US10009067B2 (en) 2014-12-04 2018-06-26 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for configuring a communication interface
US9876570B2 (en) 2015-02-20 2018-01-23 At&T Intellectual Property I, Lp Guided-wave transmission device with non-fundamental mode propagation and methods for use therewith
US9749013B2 (en) 2015-03-17 2017-08-29 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for reducing attenuation of electromagnetic waves guided by a transmission medium
US9705561B2 (en) 2015-04-24 2017-07-11 At&T Intellectual Property I, L.P. Directional coupling device and methods for use therewith
US20160315662A1 (en) 2015-04-24 2016-10-27 At&T Intellectual Property I, Lp Passive electrical coupling device and methods for use therewith
US9948354B2 (en) 2015-04-28 2018-04-17 At&T Intellectual Property I, L.P. Magnetic coupling device with reflective plate and methods for use therewith
US9793954B2 (en) 2015-04-28 2017-10-17 At&T Intellectual Property I, L.P. Magnetic coupling device and methods for use therewith
US9748626B2 (en) 2015-05-14 2017-08-29 At&T Intellectual Property I, L.P. Plurality of cables having different cross-sectional shapes which are bundled together to form a transmission medium
US9490869B1 (en) 2015-05-14 2016-11-08 At&T Intellectual Property I, L.P. Transmission medium having multiple cores and methods for use therewith
US9871282B2 (en) 2015-05-14 2018-01-16 At&T Intellectual Property I, L.P. At least one transmission medium having a dielectric surface that is covered at least in part by a second dielectric
US9917341B2 (en) 2015-05-27 2018-03-13 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus and method for launching electromagnetic waves and for modifying radial dimensions of the propagating electromagnetic waves
US9866309B2 (en) 2015-06-03 2018-01-09 At&T Intellectual Property I, Lp Host node device and methods for use therewith
US9912381B2 (en) 2015-06-03 2018-03-06 At&T Intellectual Property I, Lp Network termination and methods for use therewith
US10103801B2 (en) 2015-06-03 2018-10-16 At&T Intellectual Property I, L.P. Host node device and methods for use therewith
US9913139B2 (en) 2015-06-09 2018-03-06 At&T Intellectual Property I, L.P. Signal fingerprinting for authentication of communicating devices
US9997819B2 (en) 2015-06-09 2018-06-12 At&T Intellectual Property I, L.P. Transmission medium and method for facilitating propagation of electromagnetic waves via a core
US9608692B2 (en) 2015-06-11 2017-03-28 At&T Intellectual Property I, L.P. Repeater and methods for use therewith
US10142086B2 (en) 2015-06-11 2018-11-27 At&T Intellectual Property I, L.P. Repeater and methods for use therewith
US9820146B2 (en) 2015-06-12 2017-11-14 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for authentication and identity management of communicating devices
US9667317B2 (en) 2015-06-15 2017-05-30 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for providing security using network traffic adjustments
US9509415B1 (en) 2015-06-25 2016-11-29 At&T Intellectual Property I, L.P. Methods and apparatus for inducing a fundamental wave mode on a transmission medium
US9640850B2 (en) 2015-06-25 2017-05-02 At&T Intellectual Property I, L.P. Methods and apparatus for inducing a non-fundamental wave mode on a transmission medium
US9865911B2 (en) 2015-06-25 2018-01-09 At&T Intellectual Property I, L.P. Waveguide system for slot radiating first electromagnetic waves that are combined into a non-fundamental wave mode second electromagnetic wave on a transmission medium
US9836957B2 (en) 2015-07-14 2017-12-05 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for communicating with premises equipment
US9847566B2 (en) 2015-07-14 2017-12-19 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for adjusting a field of a signal to mitigate interference
US9853342B2 (en) 2015-07-14 2017-12-26 At&T Intellectual Property I, L.P. Dielectric transmission medium connector and methods for use therewith
US9882257B2 (en) 2015-07-14 2018-01-30 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for launching a wave mode that mitigates interference
US10044409B2 (en) 2015-07-14 2018-08-07 At&T Intellectual Property I, L.P. Transmission medium and methods for use therewith
US9628116B2 (en) 2015-07-14 2017-04-18 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus and methods for transmitting wireless signals
US10033107B2 (en) 2015-07-14 2018-07-24 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for coupling an antenna to a device
US10033108B2 (en) 2015-07-14 2018-07-24 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus and methods for generating an electromagnetic wave having a wave mode that mitigates interference
US9722318B2 (en) 2015-07-14 2017-08-01 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for coupling an antenna to a device
US9608740B2 (en) 2015-07-15 2017-03-28 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for launching a wave mode that mitigates interference
US9793951B2 (en) 2015-07-15 2017-10-17 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for launching a wave mode that mitigates interference
US10090606B2 (en) 2015-07-15 2018-10-02 At&T Intellectual Property I, L.P. Antenna system with dielectric array and methods for use therewith
US9948333B2 (en) 2015-07-23 2018-04-17 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for wireless communications to mitigate interference
US9749053B2 (en) 2015-07-23 2017-08-29 At&T Intellectual Property I, L.P. Node device, repeater and methods for use therewith
US9912027B2 (en) 2015-07-23 2018-03-06 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for exchanging communication signals
US9871283B2 (en) 2015-07-23 2018-01-16 At&T Intellectual Property I, Lp Transmission medium having a dielectric core comprised of plural members connected by a ball and socket configuration
US10020587B2 (en) 2015-07-31 2018-07-10 At&T Intellectual Property I, L.P. Radial antenna and methods for use therewith
US9461706B1 (en) 2015-07-31 2016-10-04 At&T Intellectual Property I, Lp Method and apparatus for exchanging communication signals
US9735833B2 (en) 2015-07-31 2017-08-15 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for communications management in a neighborhood network
US9967173B2 (en) 2015-07-31 2018-05-08 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for authentication and identity management of communicating devices
US9904535B2 (en) 2015-09-14 2018-02-27 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for distributing software
US9705571B2 (en) 2015-09-16 2017-07-11 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for use with a radio distributed antenna system
US10079661B2 (en) 2015-09-16 2018-09-18 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for use with a radio distributed antenna system having a clock reference
US10009901B2 (en) 2015-09-16 2018-06-26 At&T Intellectual Property I, L.P. Method, apparatus, and computer-readable storage medium for managing utilization of wireless resources between base stations
US10009063B2 (en) 2015-09-16 2018-06-26 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for use with a radio distributed antenna system having an out-of-band reference signal
US10136434B2 (en) 2015-09-16 2018-11-20 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for use with a radio distributed antenna system having an ultra-wideband control channel
US10051629B2 (en) 2015-09-16 2018-08-14 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for use with a radio distributed antenna system having an in-band reference signal
US9769128B2 (en) 2015-09-28 2017-09-19 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for encryption of communications over a network
US9729197B2 (en) 2015-10-01 2017-08-08 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for communicating network management traffic over a network
US9876264B2 (en) 2015-10-02 2018-01-23 At&T Intellectual Property I, Lp Communication system, guided wave switch and methods for use therewith
US10074890B2 (en) 2015-10-02 2018-09-11 At&T Intellectual Property I, L.P. Communication device and antenna with integrated light assembly
US9882277B2 (en) 2015-10-02 2018-01-30 At&T Intellectual Property I, Lp Communication device and antenna assembly with actuated gimbal mount
US10051483B2 (en) 2015-10-16 2018-08-14 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for directing wireless signals
US9912419B1 (en) 2016-08-24 2018-03-06 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for managing a fault in a distributed antenna system
US9860075B1 (en) 2016-08-26 2018-01-02 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and communication node for broadband distribution
US10135146B2 (en) 2016-10-18 2018-11-20 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus and methods for launching guided waves via circuits
US10135147B2 (en) 2016-10-18 2018-11-20 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus and methods for launching guided waves via an antenna
US9991580B2 (en) 2016-10-21 2018-06-05 At&T Intellectual Property I, L.P. Launcher and coupling system for guided wave mode cancellation
US9876605B1 (en) 2016-10-21 2018-01-23 At&T Intellectual Property I, L.P. Launcher and coupling system to support desired guided wave mode
US10090594B2 (en) 2016-11-23 2018-10-02 At&T Intellectual Property I, L.P. Antenna system having structural configurations for assembly
US10135145B2 (en) 2016-12-06 2018-11-20 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus and methods for generating an electromagnetic wave along a transmission medium
US10020844B2 (en) 2016-12-06 2018-07-10 T&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for broadcast communication via guided waves
US9927517B1 (en) 2016-12-06 2018-03-27 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus and methods for sensing rainfall
US9893795B1 (en) 2016-12-07 2018-02-13 At&T Intellectual Property I, Lp Method and repeater for broadband distribution
US10139820B2 (en) 2016-12-07 2018-11-27 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for deploying equipment of a communication system
US10027397B2 (en) 2016-12-07 2018-07-17 At&T Intellectual Property I, L.P. Distributed antenna system and methods for use therewith
US10069535B2 (en) 2016-12-08 2018-09-04 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus and methods for launching electromagnetic waves having a certain electric field structure
US10103422B2 (en) 2016-12-08 2018-10-16 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for mounting network devices
US9998870B1 (en) 2016-12-08 2018-06-12 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for proximity sensing
US9911020B1 (en) 2016-12-08 2018-03-06 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for tracking via a radio frequency identification device
US9838896B1 (en) 2016-12-09 2017-12-05 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for assessing network coverage
US9973940B1 (en) 2017-02-27 2018-05-15 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus and methods for dynamic impedance matching of a guided wave launcher

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3899759A (en) * 1974-04-08 1975-08-12 Microwave Ass Electric wave resonators
CA1216907A (en) * 1983-01-26 1987-01-20 Yoshiaki Kaneko Cavity resonator coupling type power distributor/power combiner
JP2760845B2 (en) 1988-07-08 1998-06-04 株式会社日立製作所 The plasma processing apparatus and method
US5134965A (en) * 1989-06-16 1992-08-04 Hitachi, Ltd. Processing apparatus and method for plasma processing
JP2595729B2 (en) * 1989-10-19 1997-04-02 日本電気株式会社 Dielectric resonator controlled oscillator
JPH06110059A (en) * 1992-09-25 1994-04-22 Casio Comput Co Ltd Method and device for orientation processing
US5647944A (en) * 1993-03-17 1997-07-15 Hitachi, Ltd. Microwave plasma treatment apparatus
JPH07263187A (en) * 1994-03-18 1995-10-13 Hitachi Ltd Plasma treatment device
DE19507077C1 (en) * 1995-01-25 1996-04-25 Fraunhofer Ges Forschung Plasma reactor for diamond layer deposition
JPH09102400A (en) 1995-07-31 1997-04-15 Hitachi Ltd Processing device using microwave plasma
US5853801A (en) * 1995-09-04 1998-12-29 Fuji Photo Film Co., Ltd. Process for the preparation of continuous optical compensatory sheet
EP0791949A2 (en) 1996-02-20 1997-08-27 Hitachi, Ltd. Plasma processing method and apparatus
JP3469987B2 (en) 1996-04-01 2003-11-25 株式会社日立製作所 The plasma processing apparatus
JP3739137B2 (en) 1996-06-18 2006-01-25 キヤノンアネルバ株式会社 Plasma generating apparatus and the surface treatment apparatus using the plasma generator
JPH10107011A (en) 1996-09-26 1998-04-24 Nippon Koshuha Kk Plasma processing apparatus
JPH11195500A (en) * 1997-12-31 1999-07-21 Anelva Corp Surface treatment device
JP3957397B2 (en) * 1998-04-14 2007-08-15 キヤノンアネルバ株式会社 The plasma processing apparatus
JP3855468B2 (en) * 1998-06-19 2006-12-13 株式会社日立製作所 The plasma processing apparatus
JP2000073175A (en) 1998-08-28 2000-03-07 Anelva Corp Surface treating device
JP3430053B2 (en) 1999-02-01 2003-07-28 真 安藤 The plasma processing apparatus
JP3640204B2 (en) 1999-04-14 2005-04-20 株式会社日立製作所 The plasma processing apparatus and plasma processing method
JP3482904B2 (en) * 1999-05-10 2004-01-06 松下電器産業株式会社 The plasma processing method and apparatus
US6222170B1 (en) * 1999-08-24 2001-04-24 Ut-Battelle, Llc Apparatus and method for microwave processing of materials using field-perturbing tool
JP4464550B2 (en) * 1999-12-02 2010-05-19 保能 八坂 The plasma processing apparatus
JP4478352B2 (en) * 2000-03-29 2010-06-09 キヤノン株式会社 Method of manufacturing a plasma processing apparatus and a plasma processing method and structure
JP3519678B2 (en) * 2000-08-23 2004-04-19 三菱重工業株式会社 Surface treatment apparatus and a surface treatment method

Also Published As

Publication number Publication date Type
JP2002289398A (en) 2002-10-04 application
EP1361782A1 (en) 2003-11-12 application
US20040095074A1 (en) 2004-05-20 application
US7243610B2 (en) 2007-07-17 grant
EP1361782A4 (en) 2006-03-29 application
JP3625197B2 (en) 2005-03-02 grant
WO2002058441A1 (en) 2002-07-25 application
KR20040062870A (en) 2004-07-09 application

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6158383A (en) Plasma processing method and apparatus
US4906900A (en) Coaxial cavity type, radiofrequency wave, plasma generating apparatus
US6818852B2 (en) Microwave plasma processing device, plasma processing method, and microwave radiating member
US6343565B1 (en) Flat antenna having rounded slot openings and plasma processing apparatus using the flat antenna
US6204606B1 (en) Slotted waveguide structure for generating plasma discharges
US6325018B1 (en) Flat antenna having openings provided with conductive materials accommodated therein and plasma processing apparatus using the flat antenna
US20040011465A1 (en) Plasma Processing apparatus
JPH09181052A (en) Plasma treating apparatus
US6717368B1 (en) Plasma generator using microwave
JPH08111297A (en) Plasma processing device
US6847003B2 (en) Plasma processing apparatus
US5580387A (en) Corrugated waveguide for a microwave plasma applicator
CN1231397A (en) Waveguide tube for microwave oven
JP2005149887A (en) Matching method of antenna for plasma generator, and plasma generator
US7243610B2 (en) Plasma device and plasma generating method
US20090045749A1 (en) Plasma generating apparatus and plasma treatment apparatus
US20040045674A1 (en) Radial antenna and plasma device using it
JPH09321031A (en) Plasma treating apparatus
KR20080067042A (en) Inductively coupled plasma reactor with core cover
US20040026039A1 (en) Microwave plasma processing apparatus, microwave processing method and microwave feeding apparatus
US6290807B1 (en) Apparatus and method for microwave plasma process
US20110175531A1 (en) Plasma generation device with split-ring resonator and electrode extensions
CN101385129A (en) Microwave plasma source and plasma processing apparatus
US6076484A (en) Apparatus and method for microwave plasma process
JP2002203844A (en) Plasma treatment device

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20101223

Year of fee payment: 6

LAPS Lapse due to unpaid annual fee