KR100533881B1 - 포토 마스크 및 그 제조방법 - Google Patents

포토 마스크 및 그 제조방법 Download PDF

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KR100533881B1 KR10-2003-0101845A KR20030101845A KR100533881B1 KR 100533881 B1 KR100533881 B1 KR 100533881B1 KR 20030101845 A KR20030101845 A KR 20030101845A KR 100533881 B1 KR100533881 B1 KR 100533881B1
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Abstract

본 발명은 포토 마스크 및 그 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에서는 투명기판을 위상반전 투광층으로 커버한 후, 이 위상반전 투광층의 고립 패턴홀 형성구역에 소형의 투광홀들을 조밀한 간격으로 밀집 형성하고, 이 투광홀들 및 위상반전 투광패턴을 통과하는 광들이 서로간에 일련의 간섭현상, 예컨대, 사이드 로브 현상을 강하게 일으킬 수 있도록 유도함으로써, 이 사이드 로브 현상에 의한 광 강도 상승이 고립 패턴홀의 수광 부족을 자연스럽게 보완할 수 있도록 가이드 할 수 있다.
이처럼, 본 발명의 실시에 따라, 소형의 투광홀들이 투명기판의 고립 패턴홀 형성구역에 밀집 정의되어, 통상, 불량 펙터로 치부되던 사이드 로브 현상이 고립 패턴홀의 수광 부족을 메우는 용도로 역이용될 수 있게 되는 경우, 전체 공정 절차 내에서, <세리프 홀 추가 형성작업>은 자연스럽게 배제될 수 있게 되며, 결국, 이에 기인한 <제품 생산효율 저하>, <제품 단가 상승> 등의 문제점 역시 자연스럽게 차단될 수 있게 된다.

Description

포토 마스크 및 그 제조방법{Photo mask and method for fabricating the same}
본 발명은 반도체 소자의 제조에 사용되는 포토 마스크에 관한 것으로, 좀더 상세하게는 투명기판을 위상반전 투광층으로 커버한 후, 이 위상반전 투광층의 고립 패턴홀 형성구역에 소형의 투광홀들을 조밀한 간격으로 밀집 형성하고, 이 투광홀들 및 위상반전 투광패턴을 통과하는 광들이 서로간에 일련의 간섭현상, 예컨대, 사이드 로브(Side lobe) 현상을 강하게 일으킬 수 있도록 유도함으로써, 이 사이드 로브 현상에 의한 광 강도 상승이 고립 패턴홀의 수광 부족을 자연스럽게 보완할 수 있도록 가이드 할 수 있는 포토 마스크에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 이러한 포토 마스크를 제조하는 방법에 관한 것이다.
최근, 반도체 소자의 고 집적화에 따라, 반도체 소자를 이루는 각 구조물들의 기하학적 구조 또한 점차 미세화 되고 있는 추세에 있으며, 이에 따라, 해당 구조물들을 패터닝 하기 위한 포토 마스크의 구조 또한 많은 변화를 겪고 있다.
이러한 종래의 기술에 따른 반도체 소자 제조용 포토 마스크(10)는 도 1에 도시된 바와 같이, 투명기판(4)과, 이 투명기판(4) 상부에 이격 형성되는 차광층(5)과, 이 차광층(5)을 오픈시켜 형성되는 투광홀들(6,7)이 조합된 구성을 취한다.
이 상황에서, 광원(100)으로부터 일련의 빛이 출력되고, 이 빛이 투광홀(6,7)을 통해 반도체 기판(1) 상부의 패턴대상 구조물(2)로 조사되는 경우, 해당 패턴대상 구조물(2)에는 투광홀(6,7)의 형태에 대응되는 잠재 이미지가 자연스럽게 형성될 수 있게 되며, 추후, 일련의 현상절차가 완료되면, 해당 패턴대상 구조물(2)에는 이 잠재 이미지에 대응되는 일련의 패턴홀들(H1,H2)이 형성될 수 있게 된다.
이때, 일부 패턴홀(H2)은 패턴대상 구조물(2)의 고유 특성에 따라, 다른 패턴홀들(H1)과 달리, 반도체 기판(1)의 일부에 고립 형성될 필요성이 제기되는 바, 종래 에서는 이러한 고립 패턴홀(H2)을 고려하여, 도 2에 도시된 바와 같이, 포토 마스크(10)의 일부에 투광홀들(6)과 떨어져 배치된 고립 투광홀(7)을 대응 형성시키는 방안을 강구하고 있다.
이러한 종래의 포토 마스크 체제 하에서, 통상, 밀집된 투광홀들(6)을 투과하여, 밀집된 패턴홀들(H1)의 형성에 기여하는 빛은 서로간의 상승작용 때문에, 고립 투광홀(7)을 투과하여, 고립 패턴홀(H2)의 형성에 기여하는 빛 보다 그 광 강도 분포가 상대적으로 큰 것이 일반적이다.
물론, 이처럼 밀집된 투광홀들(6)을 투과한 빛이 고립 투광홀(7)을 투과한 빛 보다 그 광 강도 분포가 더 큰 상황에서, 별도의 조치 없이, 일련의 구조물 패터닝 공정이 강행되는 경우, 밀집된 패턴홀들(H1)은 자신에게 필요한 충분한 강도의 빛을 별 어려움 없이 받아들일 수 있게 됨으로써, 추후, 일련의 현상절차가 완료되면. 정상적인 모양을 자연스럽게 이룰 수 있게 되지만, 고립 패턴홀(H2)은 자신에게 필요한 충분한 강도의 빛을 전혀 받아들일 수 없게 됨으로써, 추후, 일련의 현상공정이 완료된다 하더라도, 정상적인 모양을 이룰 수 없게 되며, 결국, 죄종 완성되는 반도체 소자는 그 품질이 크게 저하되는 문제점을 감수할 수밖에 없게 된다.
종래 에서는 이러한 고립 패턴홀(H2)의 불량문제를 고려하여, 도 2에 도시된 바와 같이, 고립 투광홀(7)의 주변에 일련의 세리프 홀(7a:Serif hall)을 추가 배치하고, 이 세리프 홀(7a)을 통해, 고립 패턴홀(H2) 측으로 출력되는 빛의 양을 극대화시킴으로써, 고립 패턴홀(H2)이 어느 정도 향상된 강도의 빛을 받아들일 수 있도록 유도하는 방안을 강구하고 있다.
그러나, 이처럼 고립 투광홀(7)의 주변에 세리프 홀(7a)을 추가 배치한다 하더라도, 밀집된 투광홀들(6)과 고립 투광홀(7) 사이에는 기본적인 광 강도 분포 차이가 엄연히 존재하기 때문에, 고립 패턴홀(7)의 수광 부족을 단지, 세리프 홀(7a)을 추가하는 조치만으로, 해결하기란 결코 쉽지 않은 일이며, 더욱이, 고립 투광홀(7)의 주변에 세리프 홀(7a)을 추가 배치하기 위해서는 복잡한 공정절차가 추가 진행되어야 하기 때문에, 전체적인 제품 생산효율이 크게 저하되고, 제품의 단가가 급상승하는 문제점이 불필요하게 발생할 수밖에 없게 된다.
따라서, 본 발명의 목적은 투명기판을 위상반전 투광층으로 커버한 후, 이 위상반전 투광층의 고립 패턴홀 형성구역에 소형의 투광홀들을 조밀한 간격으로 밀집 형성하고, 이 투광홀들 및 위상반전 투광패턴을 통과하는 광들이 서로간에 일련의 간섭현상, 예컨대, 사이드 로브 현상을 강하게 일으킬 수 있도록 유도함으로써, 이 사이드 로브 현상에 의한 광 강도 상승이 고립 패턴홀의 수광 부족을 자연스럽게 보완할 수 있도록 가이드 하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 소형의 투광홀들을 투명기판의 고립 패턴홀 형성구역에 밀집 정의하여, 통상, 불량 펙터로 치부되던 사이드 로브 현상이 고립 패턴홀의 수광 부족을 메우는 용도로 역이용될 수 있도록 유도하고, 이를 통해, 전체 공정 절차 내에서, <세리프 홀 추가 형성작업>을 자연스럽게 배제시킴으로써, 이에 기인한 <제품 생산효율 저하>, <제품 단가 상승> 등의 문제점을 미리 차단시키는데 있다.
본 발명의 또 다른 목적들은 다음의 상세한 설명과 첨부된 도면으로부터 보다 명확해질 것이다.
상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명에서는 투명기판, 투명기판의 전면을 커버하는 위상반전 투광층, 위상반전 투광층의 미리 선택된 특정 구역에서, 조밀한 간격으로 밀집 형성된 다수의 소형 투광홀들이 조합된 구성을 취하는 포토 마스크를 개시한다.
또한, 본 발명의 다른 측면에서는 투명기판의 전면에 위상반전 투광층을 형성하는 단계, 위상반전 투광층을 패터닝하여, 위상반전 투광층의 미리 선택된 특정 구역에 조밀한 간격으로 밀집 형성된 다수의 소형 투광홀들을 형성하는 단계가 조합된 포토 마스크 제조방법을 개시한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명에 따른 포토 마스크 및 그 제조방법을 좀더 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 포토 마스크(30)는 투명기판(14)과, 이 투명기판(14)의 전면을 커버하는 위상반전 투광층(15)과, 이 위상반전 투광층(15)을 오픈시켜 형성되는 투광홀들(16,20)이 조합된 구성을 취한다. 이 경우, 투명기판(14)으로는 예컨대, 유리기판, 석영기판 등이 탄력적으로 선택될 수 있으며, 위상반전 투광층(15)으로는 바람직하게, 감쇄형(Attenuated type) 위상반전 투광층이 선택될 수 있다.
이 상황에서, 광원(100)으로부터 일련의 빛이 출력되고, 이 빛이 투광홀들(16,20)을 통해 반도체 기판(11) 상부의 패턴대상 구조물(12)로 조사되는 경우, 해당 패턴대상 구조물(12)에는 투광홀들(16,20)의 형태에 대응되는 일련의 잠재 이미지가 자연스럽게 형성될 수 있게 되며, 추후, 일련의 현상절차가 완료되면, 해당 패턴대상 구조물(12)에는 이 잠재 이미지에 대응되는 일련의 패턴홀들(H1,H2)이 형성될 수 있게 된다.
이때, 상술한 바와 같이, 일부 패턴홀(H1)은 패턴대상 구조물(12)의 고유 특성에 따라, 다른 패턴홀들(H2)과 달리, 반도체 기판(11)의 일부에 고립 형성될 필요성이 제기되는 바, 본 발명에서는 이러한 고립 패턴홀(H2)을 고려하여, 도면에 도시된 바와 같이, 위상반전 투광층(15)의 고립 패턴홀 형성구역(I)에 그룹 패턴홀 형성구역(G)의 투광홀들(16)과 일정 거리 떨어져 배치된 고립 투광홀(20)을 대응 형성시키는 방안을 강구한다.
이러한 기반환경 하에서, 앞서 언급한 바와 같이, 밀집된 투광홀들(16)을 투과하여, 밀집된 패턴홀들(H1)의 형성에 기여하는 빛은 서로간의 상승작용 때문에, 고립 투광홀(20)을 투과하여, 고립 패턴홀(H2)의 형성에 기여하는 빛 보다 그 광 강도 분포가 상대적으로 큰 것이 일반적이다.
물론, 이처럼 밀집된 투광홀들(16)을 투과한 빛이 고립 투광홀(20)을 투과한 빛 보다 그 광 강도 분포가 더 큰 상황에서, 별도의 조치 없이, 일련의 구조물 패터닝 공정이 강행되는 경우, 밀집된 패턴홀들(H1)은 자신에게 필요한 충분한 강도의 빛을 별 어려움 없이 받아들일 수 있게 됨으로써, 추후, 일련의 현상절차가 완료되면. 정상적인 모양을 자연스럽게 이룰 수 있게 되지만, 고립 패턴홀(H2)은 자신에게 필요한 충분한 강도의 빛을 전혀 받아들일 수 없게 됨으로써, 추후, 일련의 현상공정이 완료된다 하더라도, 정상적인 모양을 이룰 수 없게 되며, 결국, 죄종 완성되는 반도체 소자는 그 품질이 크게 저하되는 문제점을 감수할 수밖에 없게 된다.
본 발명에서는 이러한 상황을 고려하여, 도 5a 및 도 5b에 도시된 바와 같이, 고립 투광홀(20)을 조밀한 간격으로 밀집 형성된 다수의 소형 투광홀들(21,22,23,24)의 조합으로 구성한다. 물론, 이러한 소형 투광홀들(21,22,23,24)의 배치 개수는 상황에 따라, 다양한 변형을 이룰 수 있다.
이때, 소형 투광홀들(21,22,23,24)은 위상반전 투광층(15)을 격벽으로 하여, 바람직하게, 서로 간에 균일한 간격으로 이격되면서, 0.02㎛~0.06㎛의 사이즈를 유지하게 되며, 이 상황에서, 소형 투광홀들(21,22,23,24) 사이에 배치된 위상반전 투광층(15a) 및 소형 투광홀들(21,22,23,24)의 외측에 배치된 위상반전 투광층(15b)은 바람직하게, 3%~12%의 투광율을 보유하게 된다.
이처럼, 위상반전 투광층(15)의 고립 패턴홀 형성구역(I)에서 소형의 투광홀들(21,22,23,24)이 예컨대, 위상반전 투광층(15a)을 격벽으로 하여, 조밀한 간격으로 밀집 형성되는 경우, 이 투광홀들(21,22,23,24) 및 위상반전 투광층(15a)을 통과하는 빛은 서로간에 일련의 간섭현상, 예컨대, 사이드 로브 현상을 강하게 일으킬 수 있게 되며, 결국, 고립 패턴홀(H2)은 이 사이드 로브 현상에 기인한 광 강도 상승의 영향을 직접적으로 받음으로써, 자신의 수광 부족을 자연스럽게 보완 받을 수 있게 된다.
물론, 이처럼, 소형의 투광홀들(21,22,23,24)이 투명기판(14)의 고립 패턴홀 형성구역(I)에 밀집 구현되어, 통상, 불량 펙터로 치부되던 사이드 로브 현상이 고립 패턴홀(H2)의 수광 부족을 메우는 용도로 역이용되는 경우, 전체 공정 절차 내에서, <세리프 홀 추가 형성작업>은 자연스럽게 배제될 수 있게 되며, 이에 기인한 <제품 생산효율 저하>, <제품 단가 상승> 등의 문제점은 그 발생이 미리 차단될 수 있게 된다.
이하, 소형 투광홀들(21,22,23,24) 간의 광 강도 분포에 대한 설명을 통해, 사이드 로브 현상을 기초로 하는 본 발명 고유의 고립 패턴홀(H2) 형성과정을 좀더 상세히 밝힌다.
우선, 도 5a의 B-B´선을 단면으로 잘라놓고 보았을 때, 도 6에 도시된 바와 같이, 위상반전 투광층(15a)을 격벽으로 하여 구획된 소형의 투광홀들(21,24)을 100% 통과한 빛은 (+) 진폭을 유지하게 되며, 소형 투광홀들(21,24)의 외측에 배치된 위상반전 투광층(15b)을 3%~12%의 범위로 통과한 빛은 (-) 진폭을 유지하게 되고, 소형 투광홀들(21,24)의 중간에 배치된 위상반전 투광층(15a)을 3%~12%의 범위로 통과한 빛은 (-) 진폭을 유지하게 된다.
또한, 도 5a의 C-C´선을 잘라놓고 보았을 때, 도 6에 도시된 바와 같이, 위상반전 투광층(15a)을 격벽으로 하여 구획된 소형의 투광홀들(22,23)을 100% 통과한 빛은 (+) 진폭을 유지하게 되며, 소형 투광홀들(22,23)의 외측에 배치된 위상반전 투광층(15b)을 3%~12%의 범위로 통과한 빛은 (-) 진폭을 유지하게 되고, 소형 투광홀들(22,23)의 중간에 배치된 위상반전 투광층(15a)을 3%~12%의 범위로 통과한 빛 역시 (-) 진폭을 유지하게 된다.
이때, 도 5a의 B-B´선 단면 및 C-C´선 단면을 광학적으로 겹쳐놓고 보았을 때, 소형의 투광홀들(21,24)을 통과한 빛과, 소형의 투광홀들(22,23)을 통과한 빛은 서로의 진폭이 겹치지 않기 때문에, 반도체 기판(11:즉, 패턴대상 구조물) 상에서, 자체 진폭에 대응되는 광 강도 이외에 별다른 광 강도 변화를 보이지 않게 된다.
그러나, 소형 투광홀들(21,22,23,24)의 중간에 배치된 위상반전 투광층(15a)을 통과한 빛, 즉, 공통지점 CP를 통과한 빛은 서로의 진폭이 겹쳐지기 때문에, 반도체 기판(즉, 패턴대상 구조물) 상에서, 일련의 사이드 로브 현상을 강하게 일으켜, 일정 수준 이상의 광 강도 상승을 자연스럽게 보일 수 있게 되며, 결국, 도 8a에 도시된 바와 같이, 패턴대상 구조물(12)에는 소형 투광홀들(21,22,23,24)에 의한 정규 잠재 이미지(12b) 이외에, 사이드 로브 현상에 의한 잠재 이미지(12a)가 빠르게 생성될 수 있게 된다.
다음으로, 도 5b의 A-A´선을 단면으로 잘라놓고 보았을 때, 도 7a에 도시된 바와 같이, 위상반전 투광층(15a)을 격벽으로 하여 구획된 소형의 투광홀(21)을 100% 통과한 빛은 (+) 진폭을 유지하게 되며, 소형 투광홀(21)의 외측에 배치된 위상반전 투광층(15b)을 3%~12%의 범위로 통과한 빛은 (-) 진폭을 유지하게 되고, 소형 투광홀들(21,22)의 중간에 배치된 위상반전 투광층(15b)을 3%~12%의 범위로 통과한 빛 역시, (-) 진폭을 유지하게 된다.
또한, 도 5b의 A´-A˝선을 잘라놓고 보았을 때, 도 7a에 도시된 바와 같이, 위상반전 투광층(15a)을 격벽으로 하여 구획된 소형의 투광홀(22)을 100% 통과한 빛은 (+) 진폭을 유지하게 되며, 소형 투광홀(22)의 외측에 배치된 위상반전 투광층(15b)을 3%~12%의 범위로 통과한 빛은 (-) 진폭을 유지하게 되고, 소형 투광홀들(21,22)의 중간에 배치된 위상반전 투광층(15a)을 3%~12%의 범위로 통과한 빛은 (-) 진폭을 유지하게 된다.
이때, 도 5b의 A-A´선 단면 및 A´-A˝선 단면을 광학적으로 겹쳐놓고 보았을 때, 소형의 투광홀(21)을 통과한 빛과, 소형의 투광홀(22)을 통과한 빛은 서로의 진폭이 겹치지 않기 때문에, 반도체 기판(11:즉, 패턴대상 구조물) 상에서, 자체 진폭에 대응되는 광 강도 이외에 별다른 광 강도 변화를 보이지 않게 된다.
그러나, 소형 투광홀들(21,22)의 중간에 배치된 위상반전 투광층(15a)을 통과한 빛, 즉, 공통지점 A´를 통과한 빛은 서로의 진폭이 겹쳐지기 때문에, 반도체 기판(11:즉, 패턴대상 구조물) 상에서, 일련의 사이드 로브 현상을 강하게 일으켜, 일정 수준 이상의 광 강도 상승을 자연스럽게 보일 수 있게 되며, 결국, 도 8a에 도시된 바와 같이, 패턴대상 구조물(12)에는 소형 투광홀들(21,22)에 의한 정규 잠재 이미지(12b) 이외에, 사이드 로브 현상에 의한 잠재 이미지(12a)가 빠르게 생성될 수 있게 된다.
이어, 도 5b의 D-D´선을 단면으로 잘라놓고 보았을 때, 도 7b에 도시된 바와 같이, 위상반전 투광층(15a)을 격벽으로 하여 구획된 소형의 투광홀(23)을 100% 통과한 빛은 (+) 진폭을 유지하게 되며, 소형 투광홀(23)의 외측에 배치된 위상반전 투광층(15b)을 3%~12%의 범위로 통과한 빛은 (-) 진폭을 유지하게 되고, 소형 투광홀들(23,21)의 중간에 배치된 위상반전 투광층(15a)을 3%~12%의 범위로 통과한 빛 역시, (-) 진폭을 유지하게 된다.
또한, 도 5b의 D´-D˝선을 잘라놓고 보았을 때, 도 7b에 도시된 바와 같이, 위상반전 투광층(15a)을 격벽으로 하여 구획된 소형의 투광홀(21)을 100% 통과한 빛은 (+) 진폭을 유지하게 되며, 소형 투광홀(21)의 외측에 배치된 위상반전 투광층(15b)을 3%~12%의 범위로 통과한 빛은 (-) 진폭을 유지하게 되고, 소형 투광홀들(23,21)의 중간에 배치된 위상반전 투광층(15a)을 3%~12%의 범위로 통과한 빛은 (-) 진폭을 유지하게 된다.
이때, 도 5b의 D-D´선 단면 및 D´-D˝선 단면을 광학적으로 겹쳐놓고 보았을 때, 소형의 투광홀(23)을 통과한 빛과, 소형의 투광홀(21)을 통과한 빛은 서로의 진폭이 겹치지 않기 때문에, 반도체 기판(11:즉, 패턴대상 구조물) 상에서, 자체 진폭에 대응되는 광 강도 이외에 별다른 광 강도 변화를 보이지 않게 된다.
그러나, 소형 투광홀들(23,21)의 중간에 배치된 위상반전 투광층(15a)을 통과한 빛, 즉, 공통지점 D´를 통과한 빛은 서로의 진폭이 겹쳐지기 때문에, 반도체 기판(11:즉, 패턴대상 구조물) 상에서, 일련의 사이드 로브 현상을 강하게 일으켜, 일정 수준 이상의 광 강도 상승을 자연스럽게 보일 수 있게 되며, 결국, 도 8a에 도시된 바와 같이, 패턴대상 구조물(12)에는 소형 투광홀들(23,21)에 의한 정규 잠재 이미지 이외(12b)에, 사이드 로브 현상에 의한 잠재 이미지(12d)가 빠르게 생성될 수 있게 된다.
다음으로, 도 5b의 E-E´선을 단면으로 잘라놓고 보았을 때, 도 7c에 도시된 바와 같이, 위상반전 투광층(15a)을 격벽으로 하여 구획된 소형의 투광홀(23)을 100% 통과한 빛은 (+) 진폭을 유지하게 되며, 소형 투광홀(23)의 외측에 배치된 위상반전 투광층(15b)을 3%~12%의 범위로 통과한 빛은 (-) 진폭을 유지하게 되고, 소형 투광홀(23,24)의 중간에 배치된 위상반전 투광층(15a)을 3%~12%의 범위로 통과한 빛 역시, (-) 진폭을 유지하게 된다.
또한, 도 5b의 E´-E˝선을 잘라놓고 보았을 때, 도 7c에 도시된 바와 같이, 위상반전 투광층(15a)을 격벽으로 하여 구획된 소형의 투광홀(24)을 100% 통과한 빛은 (+) 진폭을 유지하게 되며, 소형 투광홀(24)의 외측에 배치된 위상반전 투광층(15b)을 3%~12%의 범위로 통과한 빛은 (-) 진폭을 유지하게 되고, 소형 투광홀들(23,24)의 중간에 배치된 위상반전 투광층(15a)을 3%~12%의 범위로 통과한 빛은 (-) 진폭을 유지하게 된다.
이때, 도 5b의 E-E´선 단면 및 E´-E˝선 단면을 광학적으로 겹쳐놓고 보았을 때, 소형의 투광홀(23)을 통과한 빛과, 소형의 투광홀(24)을 통과한 빛은 서로의 진폭이 겹치지 않기 때문에, 반도체 기판(11:즉, 패턴대상 구조물) 상에서, 자체 진폭에 대응되는 광 강도 이외에 별다른 광 강도 변화를 보이지 않게 된다.
그러나, 소형 투광홀들(23,24)의 중간에 배치된 위상반전 투광층(15a)을 통과한 빛, 즉, 공통지점 E´를 통과한 빛은 서로의 진폭이 겹쳐지기 때문에, 반도체 기판(11:즉, 패턴대상 구조물) 상에서, 일련의 사이드 로브 현상을 강하게 일으켜, 일정 수준 이상의 광 강도 상승을 자연스럽게 보일 수 있게 되며, 결국, 도 8a에 도시된 바와 같이, 패턴대상 구조물(12)에는 소형 투광홀들(23,24)에 의한 정규 잠재 이미지(12b) 이외에, 사이드 로브 현상에 의한 잠재 이미지(12e)가 빠르게 생성될 수 있게 된다.
이외에, 도 5b의 F-F´선을 단면으로 잘라놓고 보았을 때, 도 7d에 도시된 바와 같이, 위상반전 투광층(15a)을 격벽으로 하여 구획된 소형의 투광홀(24)을 100% 통과한 빛은 (+) 진폭을 유지하게 되며, 소형 투광홀(24)의 외측에 배치된 위상반전 투광층(15b)을 3%~12%의 범위로 통과한 빛은 (-) 진폭을 유지하게 되고, 소형 투광홀들(24,22)의 중간에 배치된 위상반전 투광층을 3%~12%의 범위로 통과한 빛 역시, (-) 진폭을 유지하게 된다.
또한, 도 5b의 F´-F˝선을 잘라놓고 보았을 때, 도 7d에 도시된 바와 같이, 위상반전 투광층(15a)을 격벽으로 하여 구획된 소형의 투광홀(22)을 100% 통과한 빛은 (+) 진폭을 유지하게 되며, 소형 투광홀(22)의 외측에 배치된 위상반전 투광층(15b)을 3%~12%의 범위로 통과한 빛은 (-) 진폭을 유지하게 되고, 소형 투광홀들(24,22)의 중간에 배치된 위상반전 투광층(15b)을 3%~12%의 범위로 통과한 빛은 (-) 진폭을 유지하게 된다.
이때, 도 5b의 F-F´선 단면 및 F´-F˝선 단면을 광학적으로 겹쳐놓고 보았을 때, 소형의 투광홀(24)을 통과한 빛과, 소형의 투광홀(22)을 통과한 빛은 서로의 진폭이 겹치지 않기 때문에, 반도체 기판(11:즉, 패턴대상 구조물) 상에서, 자체 진폭에 대응되는 광 강도 이외에 별다른 광 강도 변화를 보이지 않게 된다.
그러나, 소형 투광홀들(24,22)의 중간에 배치된 위상반전 투광층을 통과한 빛, 즉, 공통지점 F´를 통과한 빛은 서로의 진폭이 겹쳐지기 때문에, 반도체 기판(!!:즉, 패턴대상 구조물) 상에서, 일련의 사이드 로브 현상을 강하게 일으켜, 일정 수준 이상의 광 강도 상승을 자연스럽게 보일 수 있게 되며, 결국, 도 8a에 도시된 바와 같이, 패턴대상 구조물(12)에는 소형 투광홀들(24,22)에 의한 정규 잠재 이미지(12b) 이외에, 사이드 로브 현상에 의한 잠재 이미지(12f)가 빠르게 생성될 수 있게 된다.
이러한 각 잠재 이미지들의 생성 상황에서, 추후, 일련의 현상절차가 완료되면, 도 8b에 도시된 바와 같이, 패턴대상 구조물(12)에는 밀집 패턴홀들(H1)의 형상과 거의 대동 소이한 정상적인 형태의 고립 패턴홀(H2)이 형성 완료될 수 있게 된다. 물론, 이러한 고립 패턴홀(H2)의 정상화에 통상, 불량 펙터로 치부되던 사이드 로브 현상이 크게 기여하였음은 당연하다 할 것이다.
한편, 이러한 본 발명을 실시함에 있어, 앞의 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 그룹 패턴홀 형성구역(G)에 배치된 각 투광홀들(16)은 고립 패턴홀 형성구역(I)에 배치된 고립 투광홀(20)과 유사하게, 위상반전 투광층(15)을 격벽으로 하여 분리된 구조를 취하고 있기 때문에, 이 투광홀들(16)에서도, 일련의 사이드 로브 현상이 유발되지 않을까 하는 의문이 제기될 수 있다. 물론, 이러한 사이드 로브 현상은 앞의 고립 패턴홀(H2)의 경우와 달리, 밀집 패턴홀들(H1)의 형성에 있어, 큰 악영향을 미치게 된다.
하지만, 각 투광홀들(16)의 격벽을 이루는 위상반전 투광층(15)의 폭 D2는 고립 투광홀(20), 즉, 소형 투광홀들(21,22,23,24)의 격벽을 이루는 위상반전 투광층(15a)의 폭 D1에 비해 그 크기가 훨씬 크기 때문에, 각 투광홀들(16)은 소형 투광홀들(21,22,23,24)에 비해, 그 조밀도가 크게 떨어지게 되며, 따라서, 비록, 그룹 패턴홀 형성구역(G)에 배치된 각 투광홀들(16)이 고립 패턴홀 형성구역(I)에 배치된 고립 투광홀(20)과 유사하게, 위상반전 투광층(15)을 격벽으로 하여 분리된 구조를 취하고 있다하더라도, 해당 투광홀들(16)은 사이드 로브 현상의 과잉 발현에 의한 악 영향을 손쉽게 벗어날 수 있게 된다.
이하, 상술한 구성을 취하는 본 발명에 따른 포토 마스크의 제조방법을 상세히 설명한다.
우선, 본 발명에서는 도 9a에 도시된 바와 같이, 일련의 화학기상증착 공정을 진행하여, 투명기판(14), 예컨대, 석영기판 상부에 일련의 위상반전 투광층으로 사용될 Cr 층(15s)을 형성한다. 이 경우, Cr 층(15s)은 예컨대, 3%~12%의 투광율을 갖는다.
이어, 본 발명에서는 앞의 Cr 층(15s)의 상부에 감광막을 증착하고, 이러한 감광막을 선택 식각하여, 그 개구부가 추후 정의될 소형 투광홀들(21,22,23,24)의 형성영역에 대응되는 일련의 감광막 패턴(101)을 형성한다.
그 다음에, 본 발명에서는 이 감광막 패턴(101)을 식각 마스크로 하여, 투명기판(14)의 표면 일부가 노출되도록 Cr 층(15s)을 건식 식각 함으로써, 도 9b에 도시된 바와 같이, 위상반전 투광층(15a,15b)의 고립 패턴홀 형성구역(I)에서, 조밀한 간격으로 밀집된 다수의 소형 투광홀들(21,22,23,24)을 형성하고, 이를 통해, 일련의 포토 마스크 제조공정을 마무리한다. 물론, 도면에 도시하지는 않았지만, 이러한 소형 투광홀들(21,22,23,24)의 형성절차 내에서, 위상반전 투광층(15)의 그룹 패턴홀 형성구역(G)에 다수의 투광홀들(16)이 동시 형성될 수 있음은 당연하다 할 것이다.
한편, 이러한 본 발명을 실시함에 있어, 소형 투광홀들(21,22,23,24) 사이에 배치된 위상반전 투광층(15a)의 투광율을 최대값으로 상정하는 경우, 해당 위상반전 투광층(15a)을 통과한 빛에 기인한 사이드 로브 현상은 위상반전 투광층(15a)의 투광율 증가에 비례하여, 좀더 격화될 수 있게 되며, 결국, 본 발명에서는 고립 패턴홀(H2)을 좀더 용이하게 형성할 수 있게 된다.
그러나, 앞의 설명에서와 같이, 소형 투광홀들(21,22,23,24) 사이에 배치된 위상반전 투광층(15a)은 소형 투광홀들(21,22,23,24) 외측에 배치된 위상반전 투광층(15b)과 그 투광율이 3%~12%로 동일하기 때문에, 만약, 별도의 조치 없이, 소형 투광홀(21,22,23,24)들 사이에 배치된 위상반전 투광층(15a)의 투광율을 상승시키는 경우, 소형 투광홀들(21,22,23,24) 외측에 배치된 위상반전 투광층(15b) 역시 그 투광율이 불필요하게 상승될 수밖에 없게 되며, 결국, 고립 투광홀(20)과 유사하게, 위상반전 투광층(15b)을 격벽으로 활용하고 있는 그룹 패턴홀 형성구역(G)의 각 투광홀들(16) 역시, 큰 영향을 받을 수밖에 없게 되고, 결국, 불필요한 사이드 로브 증가에 의해, 전체적인 패턴홀 형성품질이 크게 저하되는 문제점이 야기될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에서는 이러한 문제점을 충분히 고려하여, 도 10 및 도 11에 도시된 바와 같이, 소형 투광홀들(21,22,23,24) 사이에 배치된 위상반전 투광층(15a)을 예컨대, Cr으로 이루어진 단층구조로 형성시키고, 소형 투광홀들(21,22,23,24)의 외측에 배치된 위상반전 투광층(15b)을 바람직하게, Cr/MoSiN, Cr/Si3N4, Cr/SiO2 등과 같은 복층 구조물(15c,15d)로 형성시켜, 소형 투광홀들(21,22,23,24) 사이에 배치된 위상반전 투광층(15a)이 소형 투광홀들(21,22,23,24)의 외측에 배치된 위상반전 투광층(15b)에 비해, 더 높은 투광율을 보유할 수 있도록 유도한다.
이 경우, 소형 투광홀들(21,22,23,24) 사이에 배치된 위상반전 투광층(15a)은 바람직하게, 5%~12%의 투광율을 보유하게 되며, 소형 투광홀들(21,22,23,24) 외측에 배치된 위상반전 투광층(15b)은 3%~7%의 투광율을 보유하게 된다.
이처럼, 소형 투광홀들(21,22,23,24) 사이에 배치된 위상반전 투광층(15a)이 최적의 투광율을 보유할 수 있게 되는 해당 위상반전 투광층(15a)을 통과한 빛에 기인한 사이드 로브 현상은 위상반전 투광층(15a)의 투광율 증가에 비례하여, 좀더 격화될 수 있게 되며, 결국, 본 발명에서는 고립 패턴홀(H2)을 앞의 실시예에 비해, 좀더 용이하게 형성할 수 있게 된다.
물론, 본 발명의 다른 실시예 체제 하에서, 소형 투광홀들(21,22,23,24)의 외측에 배치된 위상반전 투광층(15b)은 소형 투광홀들(21,22,23,24) 사이에 배치된 위상반전 투광층(15a)과 그 투광율을 다르게 유지하고 있기 때문에, 위상반전 투광층(15a)의 투광율이 상승되더라도, 위상반전 투광층(15b)을 통과하는 빛은 그 영향을 전혀 받지 않게 되며, 결국, 그룹 패턴홀 형성구역(G)의 각 투광홀들(16)이 고립 투광홀(20)과 유사하게, 위상반전 투광층(15)을 격벽으로 활용하고 있다하더라도, 해당 투광홀들(16)은 그 영향을 전혀 받지 않게 되고, 결국, 불필요한 사이드 로브 증가에 의해, 전체적인 패턴홀 형성품질이 크게 저하되는 문제점은 그 발생이 사전에 차단될 수 있게 된다.
한편, 이러한 본 발명의 다른 실시예 체제 하에서, 최종 형성되는 고립 패턴홀(H2)은 소형 투광홀들(21,22,23,24) 사이에 배치된 위상반전 투광층(15a)의 투광율 변화에 주로 종속되어, 그 사이즈 변화를 겪게 되는 바, 본 발명에서는 이러한 사실을 기초로, 소형 투광홀들(21,22,23,24) 사이에 배치된 위상반전 투광층(15a)의 투광율을 탄력적으로 조절하는 절차를 진행하고, 이를 통해, 최종 형성되는 고립 패턴홀(H2)의 사이즈를 미리 계획된 설계면적에 맞추어, 탄력적으로 조절함으로써, 전체적인 패턴홀 형성공정을 좀더 효율적으로 운영할 수 있게 된다.
이하, 상술한 구성을 취하는 본 발명의 다른 실시예에 따른 포토 마스크의 제조방법을 상세히 설명한다.
도 12a에 도시된 바와 같이, 본 발명에서는 일련의 화학기상증착 공정을 진행하여, 투명기판(14), 예컨대, 석영기판의 상부에 일련의 위상반전 투광층(15)으로 사용될 Cr 층(15c) 및 MoSiN층(15d)을 순차적으로 적층 형성한다. 물론, 앞의 MoSiN층(15d)이 상황에 따라, Si3N4층, SiO2층 등으로 다양하게 변경될 수 있음은 당연하다 할 것이다.
이어, 본 발명에서는 앞의 Cr 층/MoSiN층(15c,15d)의 상부에 감광막을 증착하고, 이러한 감광막을 선택 식각하여, 그 개구부가 추후 정의될 소형 투광홀들(21,22,23,24)의 형성영역에 대응되는 일련의 감광막 패턴(102)을 형성한다.
그 다음에, 본 발명에서는 이 감광막 패턴(102)을 식각 마스크로 하여, 투명기판(14)의 표면 일부가 노출되도록 Cr 층/MOSiN층(15c,15d)을 일괄적으로 건식 식각함으로써, 도 12b에 도시된 바와 같이, 위상반전 투광층(15)의 고립 패턴홀 형성구역(I)에서, 조밀한 간격으로 밀집된 다수의 소형 투광홀들(21,22,23,24)을 형성한다. 물론, 도면에 도시하지는 않았지만, 이러한 소형 투광홀들(21,22,23,24)의 형성절차 내에서, 위상반전 투광층(15)의 그룹 패턴홀 형성구역(G)에 다수의 투광홀들(16)이 동시 형성될 수 있음은 당연하다 할 것이다. 그런 후, 앞의 단계에 사용된 감광막 패턴(102)을 제거한다.
계속해서, 본 발명에서는 Cr 층/MOSiN층(15c,15d) 및 소형 투광홀들(21,22,23,24)을 포함하는 반도체 기판의 상부에 일련의 감광막(103a)을 증착한 후, 이 감광막(103a)을 선택 식각하여, 도 12c에 도시된 바와 같이, 소형 투광홀들(21,22,23,24) 사이에 배치된 Cr 층/MOSiN층(15c,15d)을 노출시키는 감광막 패턴(103)을 형성한다.
이어, 본 발명에서는 이 감광막 패턴(103)을 식각 마스크로 하여, 일련의 건식 식각공정을 진행함으로써, 소형 투광홀들(21,22,23,24) 사이에 배치된 Cr 층(15c)의 상부로부터, MoSiN층(15d)을 선택적으로 제거한다.
결국, 이러한 절차가 모두 완료되면, 도 12d에 도시된 바와 같이, 소형 투광홀들(21,22,23,24) 사이에 배치된 위상반전 투광층(15a)은 예컨대, Cr으로 이루어진 단층구조를 이루어, Cr/MoSiN 과 같은 복층 구조물(15c,15d)로 이루어진 <소형 투광홀들(21,22,23,24)의 외측에 배치된 위상반전 투광층(15b)>에 비해, 더 높은 투광율을 보유할 수 있게 되며, 그 결과, 해당 위상반전 투광층(15b)을 통과한 빛은 별다른 문제점 없이, 좀더 강한 사이드 로브 현상을 일으킬 수 있게 된다.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명에서는 투명기판을 위상반전 투광층으로 커버한 후, 이 위상반전 투광층의 고립 패턴홀 형성구역에 소형의 투광홀들을 조밀한 간격으로 밀집 형성하고, 이 투광홀들 및 위상반전 투광패턴을 통과하는 광들이 서로간에 일련의 간섭현상, 예컨대, 사이드 로브 현상을 강하게 일으킬 수 있도록 유도함으로써, 이 사이드 로브 현상에 의한 광 강도 상승이 고립 패턴홀의 수광 부족을 자연스럽게 보완할 수 있도록 가이드 할 수 있다.
이처럼, 본 발명의 실시에 따라, 소형의 투광홀들이 투명기판의 고립 패턴홀 형성구역에 밀집 정의되어, 통상, 불량 펙터로 치부되던 사이드 로브 현상이 고립 패턴홀의 수광 부족을 메우는 용도로 역이용될 수 있게 되는 경우, 전체 공정 절차 내에서, <세리프 홀 추가 형성작업>은 자연스럽게 배제될 수 있게 되며, 결국, 이에 기인한 <제품 생산효율 저하>, <제품 단가 상승> 등의 문제점 역시 자연스럽게 차단될 수 있게 된다.
앞에서, 본 발명의 특정한 실시예가 설명되고 도시되었지만 본 발명이 당업자에 의해 다양하게 변형되어 실시될 가능성이 있는 것은 자명한 일이다. 이와 같은 변형된 실시예들은 본 발명의 기술적사상이나 관점으로부터 개별적으로 이해되어서는 안되며 이와 같은 변형된 실시예들은 본 발명의 첨부된 특허청구의 범위안에 속한다 해야 할 것이다.
도 1 및 도 2는 종래의 기술에 따른 포토 마스크를 개념적으로 도시한 예시도.
도 3 및 도 4는 본 발명에 따른 포토 마스크를 개념적으로 도시한 예시도.
도 5a 및 도 5b는 본 발명에 따른 고립 투광홀을 확대하여 도시한 예시도.
도 6은 본 발명에 따른 포토 마스크의 제 1 지역을 투광한 빛의 진폭 및 강도 변화를 도시한 그래프도.
도 7a 내지 도 7d는 본 발명에 따른 포토 마스크의 제 2 지역을 투광한 빛의 진폭 및 강도 변화를 도시한 그래프도.
도 8a 및 도 8는 본 발명의 실시에 따른 고립 패턴홀의 형성과정을 개념적으로 도시한 예시도.
도 9a 및 도 9b는 본 발명의 실시에 따른 포토 마스크의 제조과정을 순차적으로 도시한 공정 순서도.
도 10 및 도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 고립 투광홀을 확대하여 도시한 예시도.
도 12a 내지 도 12d는 본 발명의 다른 실시예에 따른 포토 마스크의 제조과정을 순차적으로 도시한 공정 순서도.

Claims (10)

  1. 투명기판;
    상기 투명기판의 전면을 커버하는 위상반전 투광층;
    상기 위상반전 투광층의 미리 선택된 특정 구역에서, 조밀한 간격으로 밀집 형성된 다수의 소형 투광홀들을 포함하여 구성된 포토 마스크.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 위상반전 투광층은 감쇄형(Attenuated type) 위상반전 투광층인 것을 특징으로 하는 포토 마스크.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 위상반전 투광층은 3%~12%의 투광율을 갖는 것을 특징으로 하는 포토 마스크.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 소형 투광홀들 사이에 배치된 위상반전 투광층은 상기 소형 투광홀들의 외측에 배치된 위상반전 투광층 보다 더 높은 투광율을 갖는 것을 특징으로 하는 포토 마스크.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 소형 투광홀들 사이에 배치된 위상반전 투광층은 5%~12%의 투광율을 갖으며, 상기 소형 투광홀들의 외측에 배치된 위상반전 투광층은 3%~7%의 투광율을 갖는 것을 특징으로 하는 포토 마스크.
  6. 제 4 항에 있어서, 상기 소형 투광홀들 사이에 배치된 위상반전 투광층은 단층의 Cr으로 이루어지고, 상기 소형 투광홀들의 외측에 배치된 위상반전 투광층은 Cr/MoSiN, Cr/Si3N4, Cr/SiO2 중 선택된 어느 하나의 복층 구조물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 포토 마스크.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 소형 투광홀들은 서로 간에 균일한 간격으로 이격되는 것을 특징으로 하는 포토 마스크.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 소형 투광홀들은 0.02㎛~0.06㎛의 사이즈를 갖는 것을 특징으로 하는 포토 마스크.
  9. 투명기판의 전면에 위상반전 투광층을 형성하는 단계;
    상기 위상반전 투광층을 패터닝하여, 위상반전 투광층의 미리 선택된 특정 구역에 조밀한 간격으로 밀집 형성된 다수의 소형 투광홀들을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토 마스크 제조방법.
  10. 투명기판의 전면에 제 1 및 제 2 위상반전 투광층을 차례로 적층하는 단계;
    상기 제 1 및 제 2 위상반전 투광층을 패터닝하여, 제 1 및 제 2 위상반전 투광층의 미리 선택된 특정 구역에 조밀한 간격으로 밀집 형성된 다수의 소형 투광홀들을 형성하는 단계;
    상기 소형 투광홀들 사이에 배치된 제 2 투광층을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토 마스크 제조방법.
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KR100244285B1 (ko) * 1996-11-04 2000-02-01 김영환 위상반전 마스크 및 그 제조방법
US6767682B1 (en) * 2000-04-27 2004-07-27 Infineon Technologies Ag Method for producing quadratic contact holes utilizing side lobe formation
JP2003114514A (ja) * 2001-10-02 2003-04-18 Sharp Corp マスクを用いたパターンの転写方法、ハーフトーンマスク、及びその製造方法、並びに回路基板の製造方法
TWI315027B (en) * 2002-04-23 2009-09-21 Canon Kabushiki Kaish Mask designing method, and exposure method for illuminatiing a mask and exposing an object
US7045255B2 (en) * 2002-04-30 2006-05-16 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Photomask and method for producing the same
US6777145B2 (en) * 2002-05-30 2004-08-17 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. In-line focus monitor structure and method using top-down SEM

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