KR100528931B1 - Discharge display apparatus wherein reset function is improved - Google Patents
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Abstract
본 발명에 따른 방전 디스플레이 장치에서는, 단위 프레임이 복수의 서브필드들을 포함하고, 복수의 서브필드들중에서 적어도 어느 하나의 초기에 리셋 주기가 포함된다. 여기에서, 상기 리셋 주기에서는 방전 디스플레이 패널의 전극 라인들에 인가되는 전위가 단계적으로 하강한다. 또한, 상기 인가 전위의 하강 시점들에서 모든 방전 셀들로부터의 전하들을 수집하는 복수의 캐페시터들이 존재한다. 상기 복수의 캐페시터들중에서 적어도 어느 하나의 정전 용량이 온도에 비례한다. 또한, 상기 복수의 캐페시터들중에서 적어도 어느 하나의 정전 용량이 온도에 반비례한다.In the discharge display apparatus according to the present invention, the unit frame includes a plurality of subfields, and at least one of the plurality of subfields initially includes a reset period. Here, in the reset period, the potential applied to the electrode lines of the discharge display panel drops in stages. In addition, there are a plurality of capacitors that collect charges from all the discharge cells at the falling points of the applied potential. At least one of the plurality of capacitors is proportional to temperature. In addition, at least one of the plurality of capacitors is inversely proportional to temperature.
Description
본 발명은, 방전 디스플레이 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 단위 프레임이 복수의 서브필드들을 포함하고, 이 복수의 서브필드들중에서 적어도 어느 하나의 초기에 리셋 주기가 포함되는 방전 디스플레이 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a discharge display apparatus, and more particularly, to a discharge display apparatus in which a unit frame includes a plurality of subfields, and a reset period is initially included in at least one of the plurality of subfields. will be.
통상적인 방전 디스플레이 장치 예를 들어, 플라즈마 디스플레이 장치에 있어서, 단위 프레임이 복수의 서브필드들을 포함하는 시분할 구동이 수행된다(미국 특허 제5,541,618호 참조). 각각의 서브필드에서는 리셋(reset), 어드레싱(addressing), 및 유지-방전(display-sustain) 주기들이 순차적으로 진행된다. 리셋 주기에서는 모든 방전 셀들의 전하 상태들이 균일해진다. 어드레싱 주기에서는, 선택된 방전 셀들에 설정 벽전압이 생성된다. 유지-방전 주기에서는, 어드레싱 주기에서 설정 벽전압이 형성된 방전 셀들이 유지-방전을 일으킨다. In a typical discharge display device, for example, a plasma display device, time division driving in which a unit frame includes a plurality of subfields is performed (see US Pat. No. 5,541,618). In each subfield, reset, addressing, and display-sustain cycles are performed sequentially. In the reset period, the charge states of all the discharge cells become uniform. In the addressing period, the set wall voltage is generated in the selected discharge cells. In the sustain-discharge cycle, discharge cells in which a set wall voltage is formed in the addressing cycle cause sustain-discharge.
상기와 같은 방전 디스플레이 장치의 구동 주기들에 있어서, 리셋 주기의 시작 시점에서 각 방전 셀의 전하 상태들이 균일하지 않고, 각 방전 셀의 동작 특성이 균일하지 않다. 이에 따라, 리셋 주기에서 과방전을 일으키는 방전 셀들이 존재함으로 인하여 리셋 주기의 종료 시점에서 각 방전 셀의 전하 상태들이 균일해지지 않는 문제점이 있다. 이 경우, 어드레싱 및 유지-방전 주기에서 오방전이 발생하여 디스플레이 성능을 떨어뜨릴 수 있다. In the driving cycles of the discharge display device as described above, the charge states of each discharge cell are not uniform at the start of the reset period, and the operation characteristics of each discharge cell are not uniform. Accordingly, there is a problem in that the charge states of each discharge cell are not uniform at the end of the reset period due to the presence of the discharge cells causing overdischarge in the reset period. In this case, erroneous discharges may occur in the addressing and sustaining-discharging cycles, thereby degrading display performance.
본 발명의 목적은, 리셋 기능이 향상됨에 따라 디스플레이 성능이 향상될 수 있는 방전 디스플레이 장치를 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide a discharge display device in which display performance can be improved as the reset function is improved.
상기 목적을 이루기 위한 본 발명의 방전 디스플레이 장치에서는, 단위 프레임이 복수의 서브필드들을 포함하고, 상기 복수의 서브필드들중에서 적어도 어느 하나의 초기에 리셋 주기가 포함된다. 여기에서, 상기 리셋 주기에서는 방전 디스플레이 패널의 전극 라인들에 인가되는 전위가 단계적으로 하강한다. 또한, 상기 인가 전위의 하강 시점들에서 상기 모든 방전 셀들로부터의 전하들을 수집하는 복수의 캐페시터들이 존재한다. 상기 복수의 캐페시터들중에서 적어도 어느 하나의 정전 용량이 온도에 비례한다. 또한, 상기 복수의 캐페시터들중에서 적어도 어느 하나의 정전 용량이 온도에 반비례한다.In the discharge display apparatus of the present invention for achieving the above object, the unit frame includes a plurality of subfields, and at least one of the plurality of subfields initially includes a reset period. Here, in the reset period, the potential applied to the electrode lines of the discharge display panel drops in stages. In addition, there are a plurality of capacitors that collect charges from all the discharge cells at the falling points of the applied potential. At least one of the plurality of capacitors is proportional to temperature. In addition, at least one of the plurality of capacitors is inversely proportional to temperature.
본 발명의 상기 방전 디스플레이 장치에 의하면, 상기 리셋 주기에서 방전 디스플레이 패널의 전극 라인들에 인가되는 전위가 연속적으로 하강하지 않고 단계적으로 하강하므로, 모든 방전 셀들에 동일한 전압이 인가되는 시간이 주기적으로 존재한다. 이에 따라, 상기 리셋 주기에서 과방전을 일으키는 방전 셀들이 최소화되면서 각 방전 셀의 전하 상태들이 균일해질 수 있다. 또한, 상기 복수의 캐페시터들의 합성 정전 용량이 온도에 대하여 일정해지므로, 각 방전 셀의 전하 상태들이 보다 균일해질 수 있다. 이에 따라, 어드레싱 및 유지-방전 주기들에서 오방전이 방지되어 디스플레이 성능이 높아질 수 있다. According to the discharge display device of the present invention, since the potential applied to the electrode lines of the discharge display panel does not fall continuously in the reset period, but falls in stages, the time for which the same voltage is applied to all the discharge cells periodically exists. do. Accordingly, the discharge cells causing the overdischarge in the reset period can be minimized and the charge states of each discharge cell can be made uniform. In addition, since the composite capacitance of the plurality of capacitors becomes constant with respect to temperature, the charge states of each discharge cell can be made more uniform. Accordingly, erroneous discharge can be prevented in the addressing and sustain-discharge cycles, thereby increasing display performance.
이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예가 상세히 설명된다. Hereinafter, preferred embodiments according to the present invention will be described in detail.
도 1은 본 발명에 따른 방전 디스플레이 장치의 디스플레이 패널로서의 3-전극 면방전 방식의 플라즈마 디스플레이 패널(1)의 구조를 보여준다. 도 2는 도 1의 플라즈마 디스플레이 패널(1)의 한 방전 셀의 예를 보여준다. 도 1 및 2를 참조하면, 통상적인 면방전 플라즈마 디스플레이 패널(1)의 앞쪽 및 뒤쪽 글라스 기판들(10, 13) 사이에는, 어드레스 전극 라인들(AR1, AG1, ..., AGm, A Bm), 유전층(11, 15), Y 전극 라인들(Y1, ..., Yn), X 전극 라인들(X1, ..., Xn ), 형광층(16), 격벽(17) 및 보호층으로서의 일산화마그네슘(MgO)층(12)이 마련되어 있다.1 shows the structure of a three-electrode surface discharge plasma display panel 1 as a display panel of a discharge display device according to the present invention. FIG. 2 shows an example of one discharge cell of the plasma display panel 1 of FIG. 1. 1 and 2, between the front and rear glass substrates 10 and 13 of the conventional surface discharge plasma display panel 1, the address electrode lines A R1 , A G1 ,..., A Gm , A Bm ), dielectric layers 11 and 15, Y electrode lines (Y 1 , ..., Y n ), X electrode lines (X 1 , ..., X n ), fluorescent layer 16, The partition 17 and the magnesium monoxide (MgO) layer 12 as a protective layer are provided.
어드레스 전극 라인들(AR1, AG1, ..., AGm, ABm)은 뒤쪽 글라스 기판(13)의 앞쪽에 일정한 패턴으로 형성된다. 아래쪽 유전층(15)은 어드레스 전극 라인들(AR1, AG1, ..., AGm, ABm)의 앞쪽에서 전면(全面) 도포된다. 아래쪽 유전층(15)의 앞쪽에는 격벽(17)들이 어드레스 전극 라인들(AR1, AG1, ..., AGm, ABm )과 평행한 방향으로 형성된다. 이 격벽(17)들은 각 방전 셀의 방전 영역을 구획하고 각 방전 셀 사이의 광학적 간섭(cross talk)을 방지하는 기능을 한다. 형광층(16)은, 격벽(17)들 사이에서 형성된다.The address electrode lines A R1 , A G1 ,..., A Gm , A Bm are formed in a predetermined pattern on the front side of the rear glass substrate 13. The lower dielectric layer 15 is entirely applied in front of the address electrode lines A R1 , A G1 ,..., A Gm , A Bm . In front of the lower dielectric layer 15, barrier ribs 17 are formed in a direction parallel to the address electrode lines A R1 , A G1 ,..., A Gm , A Bm . These partitions 17 function to partition the discharge area of each discharge cell and prevent optical cross talk between each discharge cell. The fluorescent layer 16 is formed between the partition walls 17.
X 전극 라인들(X1, ..., Xn)과 Y 전극 라인들(Y1, ..., Yn)은 어드레스 전극 라인들(AR1, AG1, ..., AGm, ABm)과 교차하도록 앞쪽 글라스 기판(10)의 뒤쪽에 일정한 패턴으로 형성된다. 각 교차점은 상응하는 방전 셀을 설정한다. 각 X 전극 라인(X1, ..., Xn)과 각 Y 전극 라인(Y1, ..., Yn)은 ITO(Indium Tin Oxide) 등과 같은 투명한 도전성 재질의 투명 전극 라인(도 2의 Xna, Yna)과 전도도를 높이기 위한 금속 전극 라인(도 2의 Xnb, Ynb)이 결합되어 형성된다. 앞쪽 유전층(11)은 X 전극 라인들(X1, ..., Xn)과 Y 전극 라인들(Y1, ..., Yn)의 뒤쪽에 전면(全面) 도포되어 형성된다. 강한 전계로부터 패널(1)을 보호하기 위한 보호층(12) 예를 들어, 일산화마그네슘(MgO)층은 앞쪽 유전층(11)의 뒤쪽에 전면 도포되어 형성된다. 방전 공간(14)에는 플라즈마 형성용 가스가 밀봉된다.The X electrode lines (X 1 , ..., X n ) and the Y electrode lines (Y 1 , ..., Y n ) are the address electrode lines (A R1 , A G1 , ..., A Gm , A Bm ) is formed in a constant pattern on the back of the front glass substrate 10 to intersect. Each intersection sets a corresponding discharge cell. Each X electrode line (X 1 , ..., X n ) and each Y electrode line (Y 1 , ..., Y n ) is a transparent electrode line of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) or the like (FIG. 2). X na , Y na ) and a metal electrode line (X nb , Y nb of FIG. 2) for increasing conductivity are formed. The front dielectric layer 11 is formed by applying the entire surface to the rear of the X electrode lines X 1 ,..., X n and the Y electrode lines Y 1 ..., Y n . A protective layer 12 for protecting the panel 1 from a strong electric field, for example, a magnesium monoxide (MgO) layer, is formed by applying the entire surface to the back of the front dielectric layer 11. The plasma forming gas is sealed in the discharge space 14.
이와 같은 플라즈마 디스플레이 패널에 기본적으로 적용되는 구동 방법에서는, 리셋(reset), 어드레스(address), 및 유지-방전(display-sustain) 단계들이 단위 서브필드에서 순차적으로 수행된다. 리셋 단계에서는 모든 방전 셀들의 전하 상태들이 균일해진다. 어드레싱 단계에서는, 선택된 방전 셀들에 소정의 벽전압이 생성된다. 유지-방전 단계에서는, 모든 XY 전극 라인쌍들에 소정의 교류 전압이 인가됨으로써 어드레싱 단계에서 상기 벽전압이 형성된 방전 셀들이 유지-방전을 일으킨다. 이 유지-방전 단계에 있어서, 유지-방전을 일으키는 선택된 방전 셀들의 방전 공간(도 1 및 2의 14) 즉, 가스층에서 플라즈마가 형성되고, 그 자외선 방사에 의하여 형광층(도 1 및 2의 16)이 여기되어 빛이 발생된다. In the driving method basically applied to such a plasma display panel, reset, address, and display-sustain steps are sequentially performed in the unit subfield. In the reset step, the charge states of all the discharge cells become uniform. In the addressing step, a predetermined wall voltage is generated in the selected discharge cells. In the sustain-discharge step, a predetermined alternating voltage is applied to all XY electrode line pairs, so that the discharge cells in which the wall voltage is formed in the addressing step cause sustain-discharge. In this sustain-discharge step, plasma is formed in the discharge space (14 in FIGS. 1 and 2), that is, the gas layer, of the selected discharge cells causing the sustain-discharge, and the fluorescent layer (16 in FIGS. 1 and 2) is formed by the ultraviolet radiation. ) Is excited to generate light.
도 3은 본 발명에 따른 방전 디스플레이 장치에서 도 1의 방전 디스플레이 패널이 구동되는 방법을 보여준다. 도 3을 참조하면, 모든 단위 프레임들 각각은 시분할 계조 디스플레이를 실현하기 위하여 8 개의 서브필드들(SF1, ..., SF8)로 분할된다. 또한, 각 서브필드(SF1, ..., SF8)는 리셋 주기(R1, ..., R 8), 어드레싱 주기(A1, ..., A8), 및 유지-방전 주기(S1, ..., S8)로 분할된다.3 illustrates a method of driving the discharge display panel of FIG. 1 in the discharge display apparatus according to the present invention. Referring to FIG. 3, each unit frame is divided into eight subfields SF 1 ,..., SF 8 to realize time division gray scale display. In addition, each subfield SF 1 , ..., SF 8 has a reset period R 1 , ..., R 8 , an addressing period A 1 , ..., A 8 , and a sustain-discharge period. (S 1 , ..., S 8 ).
모든 방전 셀들의 방전 조건들은 각 리셋 주기(R1, ..., R8)에서 균일해지면서 동시에 다음 단계에서 수행될 어드레싱에 적합해지도록 된다. 이 리셋 주기(R1, ..., R8)에 있어서, Y 전극 라인들(Y1, ..., Yn)에 인가되는 전위가 단계적으로 하강하는 시간(도 4의 t3 ~ t4)이 존재한다.The discharge conditions of all the discharge cells become uniform in each reset period (R 1 , ..., R 8 ) while being adapted to the addressing to be performed in the next step. In this reset period (R 1 , ..., R 8 ), the time when the potential applied to the Y electrode lines (Y 1 , ..., Y n ) falls in steps (t 3 to t in FIG. 4). 4 ) is present.
각 어드레싱 주기(A1, ..., A8)에서는, 어드레스 전극 라인들(도 1의 AR1 , ..., ABm)에 디스플레이 데이터 신호들이 인가됨과 동시에 각 Y 전극 라인(Y1, ..., Yn)에 상응하는 주사 펄스가 순차적으로 인가된다. 이에 따라 주사 펄스가 인가되는 동안에 높은 레벨의 디스플레이 데이터 신호들이 인가되면 상응하는 방전셀에서 어드레싱 방전에 의하여 벽전하들이 형성되며, 그렇지 않은 방전셀에서는 벽전하들이 형성되지 않는다.Each addressing period (A 1, ..., A 8 ), the address electrode lines (Fig. 1 A R1, ..., A Bm) display data signals are applied at the same time as soon each Y electrode lines in the (Y 1, ..., Y n ), the scanning pulses are sequentially applied. Accordingly, when high level display data signals are applied while the scan pulse is applied, wall charges are formed by the addressing discharge in the corresponding discharge cell, and wall charges are not formed in the discharge cell that is not.
각 유지-방전 주기(S1, ..., S8)에서는, 모든 Y 전극 라인들(Y1, ..., Y n)과 모든 X 전극 라인들(X1, ..., Xn)에 유지-방전 펄스가 교호하게 인가되어, 상응하는 어드레싱 주기(A1, ..., A8)에서 벽전하들이 형성된 방전셀들에서 디스플레이 방전을 일으킨다. 따라서 플라즈마 디스플레이 패널의 휘도는 단위 프레임에서 차지하는 유지-방전 주기(S1, ..., S8)의 길이에 비례한다. 단위 프레임에서 차지하는 유지-방전 주기(S1, ..., S8)의 길이는 255T(T는 단위 시간)이다. 따라서 단위 프레임에서 한 번도 디스플레이되지 않은 경우를 포함하여 256 계조로써 디스플레이할 수 있다.In each sustain-discharge period S 1 , ..., S 8 , all Y electrode lines Y 1 , ..., Y n and all X electrode lines X 1 , ..., X n The sustain-discharge pulses are alternately applied to generate display discharges in the discharge cells in which wall charges are formed in the corresponding addressing periods A 1 ,..., A 8 . Therefore, luminance of the plasma display panel is kept occupied in a unit frame-discharge cycle is proportional to the length (S 1, ..., S 8 ). The length of the sustain-discharge periods S 1 , ..., S 8 occupied in the unit frame is 255T (T is unit time). Therefore, it can be displayed in 256 gray levels, including the case where it is not displayed once in a unit frame.
여기에서, 제1 서브필드(SF1)의 유지-방전 주기(S1)에는 20에 상응하는 시간(1T)이, 제2 서브필드(SF2)의 유지-방전 주기(S2)에는 21에 상응하는 시간(2T)이, 제3 서브필드(SF3)의 유지-방전 주기(S3)에는 22에 상응하는 시간(4T)이, 제4 서브필드(SF4)의 유지-방전 주기(S4)에는 23에 상응하는 시간(8T)이, 제5 서브필드(SF5)의 유지-방전 주기(S5)에는 24에 상응하는 시간(16T)이, 제6 서브필드(SF6)의 유지-방전 주기(S6)에는 25에 상응하는 시간(32T)이, 제7 서브필드(SF7)의 유지-방전 주기(S7)에는 26에 상응하는 시간(64T)이, 그리고 제8 서브필드(SF8)의 유지-방전 주기(S8)에는 27에 상응하는 시간(128T)이 각각 설정된다.Here, in the sustain-discharge period S 1 of the first subfield SF 1 , a time 1T corresponding to 2 0 is in the sustain-discharge period S 2 of the second subfield SF 2 . The time 2T corresponding to 2 1 is maintained in the sustain-discharge period S 3 of the third subfield SF 3 , and the time 4T corresponding to 2 2 is maintained in the fourth subfield SF 4 . In the discharge period S 4 , a time 8T corresponding to 2 3 , and in the sustain-discharge period S 5 of the fifth subfield SF 5 , a time 16T corresponding to 2 4 is provided. maintenance of the sub-fields (SF 6) - discharge period (S 6), the time (32T) corresponding to 2 5, 7 keep the sub-fields (SF 7) - the discharge period (S 7) corresponding to 26 The time 64T and the time 128T corresponding to 2 7 are set in the sustain-discharge period S 8 of the eighth subfield SF 8 , respectively.
이에 따라, 8 개의 서브필드들중에서 디스플레이될 서브필드를 적절히 선택하면, 어느 서브필드에서도 디스플레이되지 않는 0(영) 계조를 포함하여 모두 256 계조의 디스플레이가 수행될 수 있다. Accordingly, if the subfield to be displayed among the eight subfields is appropriately selected, the display of 256 gray levels can be performed including all zero (zero) gray levels that are not displayed in any of the subfields.
도 4는 도 3의 단위 서브-필드(SF)에서 도 1의 플라즈마 디스플레이 패널(1)의 전극 라인들에 인가되는 신호들을 보여준다. 도 4에서 참조부호 SAR1..ABm은 각 어드레스 전극 라인(도 1의 AR1, AG1, ..., AGm, ABm)에 인가되는 구동 신호를, SX1..Xn은 X 전극 라인들(도 1의 X1, ...Xn)에 인가되는 구동 신호를, 그리고 S Y1, ..., SYn은 각 Y 전극 라인(도 1의 Y1, ...Yn)에 인가되는 구동 신호를 가리킨다. 도 5a는 도 4의 t3 시점에서 각 방전 셀의 벽전하 상태를 보여준다. 도 5b는 도 4의 t4 시점에서 각 방전 셀의 벽전하 상태를 보여준다. 도 5a 및 5b에서 도 2와 동일한 참조 부호는 동일한 기능의 대상을 가리킨다.4 illustrates signals applied to electrode lines of the plasma display panel 1 of FIG. 1 in the unit sub-field SF of FIG. 3. In FIG. 4, reference numeral S AR1 ..ABm denotes a drive signal applied to each address electrode line (A R1 , A G1 ,..., A Gm , A Bm in FIG. 1), and S X1 .. Xn denotes an X electrode. The driving signal applied to the lines (X 1 , ... X n in FIG. 1), and S Y1 , ..., S Yn are the respective Y electrode lines (Y 1 , ... Y n in FIG. 1). Indicates a drive signal applied to. FIG. 5A illustrates a wall charge state of each discharge cell at time t 3 of FIG. 4. 5B illustrates the wall charge state of each discharge cell at time t 4 of FIG. 4. In Figs. 5A and 5B, the same reference numerals as in Fig. 2 indicate the objects of the same function.
도 4 내지 5b를 참조하면, 단위 서브-필드(SF)의 리셋 주기(R)의 제1 시간(t1 ~ t2)에서는, 먼저 X 전극 라인들(X1, ..., Xn)에 인가되는 전위가 접지 전위(VG)로부터 제2 전위(VS)까지 지속적으로 상승된다. 여기에서, Y 전극 라인들(Y1, ..., Yn)과 어드레스 전극 라인들(AR1, ..., ABm )에는 접지 전위(VG)가 인가된다. 이에 따라, X 전극 라인들(X1, ..., Xn)과 Y 전극 라인들(Y1, ..., Yn) 사이, 및 X 전극 라인들(X1, ..., Xn)과 어드레스 전극 라인들(A1, ..., A m) 사이에 약한 방전이 일어나면서 X 전극 라인들(X1, ..., Xn) 주위에 부극성의 벽전하들이 형성된다.4 to 5B, in the first time t 1 to t 2 of the reset period R of the unit sub-field SF, first, the X electrode lines X 1 ,..., X n The potential applied to is continuously raised from the ground potential V G to the second potential V S. Here, the ground potential V G is applied to the Y electrode lines Y 1 ,..., Y n and the address electrode lines A R1 ,..., A Bm . Accordingly, between the X electrode lines (X 1 , ..., X n ) and the Y electrode lines (Y 1 , ..., Y n ), and the X electrode lines (X 1 , ..., X) A weak discharge occurs between n ) and the address electrode lines A 1 , ..., A m , and negative wall charges are formed around the X electrode lines X 1 , ..., X n . .
벽전하 축적 시간으로서의 제2 시간(t2 ~ t3)에서는, Y 전극 라인들(Y1 , ..., Yn)에 인가되는 전위가 제2 전위(VS)로부터 제2 전위(VS)보다 제4 전위(V SET)만큼 더 높은 제1 전위(VSET+VS)까지 지속적으로 상승된다. 여기에서, X 전극 라인들(X 1, ..., Xn)과 어드레스 전극 라인들(AR1, ..., ABm)에는 접지 전위(V G)가 인가된다. 이에 따라, Y 전극 라인들(Y1, ..., Yn)과 X 전극 라인들(X1, ..., X n) 사이에 약한 방전이 일어나는 한편, Y 전극 라인들(Y1, ..., Yn)과 어드레스 전극 라인들(A R1, ..., ABm) 사이에 더욱 약한 방전이 일어난다. 여기에서, Y 전극 라인들(Y1, ..., Y n)과 어드레스 전극 라인들(AR1, ..., ABm) 사이의 방전보다 Y 전극 라인들(Y1 , ..., Yn)과 X 전극 라인들(X1, ..., Xn) 사이의 방전이 더 강해지는 이유는, X 전극 라인들(X 1, ..., Xn) 주위에 부극성의 벽전하들이 형성되어 있었기 때문이다. 이에 따라, Y 전극 라인들(Y1, ..., Yn) 주위에는 부극성 벽전하들이 많이 형성되고, X 전극 라인들(X1, ..., Xn) 주위에는 정극성의 벽전하들이 형성되며, 어드레스 전극 라인들(AR1, ..., ABm) 주위에는 정극성의 벽전하들이 적게 형성된다(도 5a 참조).In the second time t 2 to t 3 as the wall charge accumulation time, the potential applied to the Y electrode lines Y 1 ,..., Y n is changed from the second potential V S to the second potential V. It is continuously raised to the first potential V SET + V S which is higher by the fourth potential V SET than S ). Here, the ground potential V G is applied to the X electrode lines X 1 ,..., X n and the address electrode lines A R1 ,..., A Bm . Accordingly, a weak discharge occurs between the Y electrode lines (Y 1 ,..., Y n ) and the X electrode lines (X 1 ,..., X n ), while the Y electrode lines (Y 1 , A weaker discharge occurs between ..., Y n ) and the address electrode lines A R1 , ..., A Bm . Here, Y electrode lines (Y 1, ..., Y n) and the address electrode lines (A R1, ..., A Bm ) than the discharge electrode line Y between the (Y 1, ..., Y n) and the X-electrode lines (X 1, ..., X n) because the discharge is stronger between is, the X electrode lines (X 1, ..., X n) of negative polarity wall around Because the charges were formed. Accordingly, many negative wall charges are formed around the Y electrode lines (Y 1 , ..., Y n ), and positive wall charges are formed around the X electrode lines (X 1 , ..., X n ). Are formed, and less positive wall charges are formed around the address electrode lines A R1 , ..., A Bm (see FIG. 5A).
벽전하 배분 시간으로서의 제3 시간(t3 ~ t4)에서는, X 전극 라인들(X1 , ..., Xn)에 인가되는 전위가 제2 전위(VS)로 유지된 상태에서, Y 전극 라인들(Y1 , ..., Yn)에 인가되는 전위가 제2 전위(VS)로부터 제3 전위으로서의 접지 전위(VG )까지 단계적으로 하강된다. 여기에서, 어드레스 전극 라인들(AR1, ..., ABm)에는 접지 전위(VG)가 인가된다. 이에 따라, X 전극 라인들(X1, ..., Xn)과 Y 전극 라인들(Y1, ..., Yn) 사이의 약한 방전으로 인하여, Y 전극 라인들(Y1, ..., Yn) 주위의 부극성의 벽전하들의 일부가 X 전극 라인들(X1, ..., Xn) 주위로 이동한다. 이에 따라, X 전극 라인들(X1, ..., Xn)의 벽전위(wall electric-potential)가 어드레스 전극 라인들(AR1, ..., ABm)의 벽전위보다 낮고 Y 전극 라인들(Y1, ..., Y n)의 벽전위보다 높아진다(도 5b 참조). 이에 따라, 이어지는 어드레싱 주기(A)에서 선택된 어드레스 전극 라인들과 Y 전극 라인 사이의 대향 방전에 요구되는 어드레싱 전압(VA-VG)이 낮아질 수 있다.In the third time t 3 to t 4 as the wall charge distribution time, in a state where the potential applied to the X electrode lines X 1 ,..., X n is maintained at the second potential V S , The potential applied to the Y electrode lines Y 1 ,..., Y n is stepped down from the second potential V S to the ground potential V G as the third potential. Here, the ground potential V G is applied to the address electrode lines A R1 ,..., A Bm . Accordingly, due to the weak discharge between the X electrode lines (X 1 ,..., X n ) and the Y electrode lines (Y 1 , ..., Y n ), the Y electrode lines (Y 1 ,. Some of the negative wall charges around .., Y n ) move around the X electrode lines X 1 ,..., X n . Accordingly, the wall electric-potential of the X electrode lines X 1 , ..., X n is lower than the wall potential of the address electrode lines A R1 , ..., A Bm and the Y electrode Higher than the wall potential of the lines Y 1 , ..., Y n (see FIG. 5B). As a result, the addressing voltage V A -V G required for the counter discharge between the selected address electrode lines and the Y electrode line in the following addressing period A may be lowered.
상기 벽전하 배분 시간으로서의 제3 시간(t3 ~ t4)에 있어서, Y 전극 라인들(Y1, ..., Yn)에 인가되는 전위가 연속적으로 하강하지 않고 단계적으로 하강하므로, 모든 방전 셀들에 동일한 전압이 인가되는 시간이 주기적으로 존재한다. 이에 따라, 벽전하 배분 시간으로서의 제3 시간(t3 ~ t4)에서 과방전을 일으키는 방전 셀들이 최소화되면서 각 방전 셀의 전하 상태들이 균일해질 수 있다. 이에 따라, 어드레싱 주기(A) 및 유지-방전 주기(S)에서 오방전이 방지되어 디스플레이 성능이 높아질 수 있다.In the third time (t 3 to t 4 ) as the wall charge distribution time, the potential applied to the Y electrode lines (Y 1 ,..., Y n ) does not fall continuously but falls in stages. There is a period of time during which the same voltage is applied to the discharge cells. Accordingly, the discharge cells causing overdischarge at the third time (t 3 to t 4 ) as the wall charge distribution time can be minimized while the charge states of each discharge cell can be made uniform. As a result, erroneous discharge is prevented in the addressing period A and the sustaining-discharging period S, thereby increasing display performance.
이어지는 어드레싱 주기(A)에서, 어드레스 전극 라인들에 디스플레이 데이터 신호가 인가되고, 제2 전위(VS)보다 낮은 제5 전위(VSCAN)로 바이어싱된 Y 전극 라인들(Y1, ..., Yn)에 접지 전위(VG)의 주사 신호가 순차적으로 인가됨에 따라, 원활한 어드레싱이 수행될 수 있다. 각 어드레스 전극 라인(AR1, ..., ABm)에 인가되는 디스플레이 데이터 신호들은 방전 셀을 선택할 경우에 정극성 어드레싱 전위(VA)가, 그렇지 않을 경우에 접지 전위(VG)가 된다. 이에 따라 접지 전위(VG)의 주사 펄스가 인가되는 동안에 정극성 어드레싱 전위(VA)의 디스플레이 데이터 신호가 인가되면 상응하는 방전 셀에서 어드레싱 방전에 의하여 벽전하들이 형성되며, 그렇지 않은 방전 셀에서는 벽전하들이 형성되지 않는다. 여기에서, 보다 정확하고 효율적인 어드레싱 방전을 위하여, X 전극 라인들(X1, ...Xn)에 제2 전위(VS)가 유지된다.In the following addressing period A, the display data signal is applied to the address electrode lines, and the Y electrode lines Y 1 ,... Biased to the fifth potential V SCAN lower than the second potential V S. , Y n ), as the scan signals of the ground potential V G are sequentially applied, smooth addressing may be performed. The display data signals applied to each of the address electrode lines A R1 , ..., A Bm become the positive addressing potential V A when the discharge cell is selected and the ground potential V G otherwise. . Accordingly, when the display data signal of the positive addressing potential V A is applied while the scan pulse of the ground potential V G is applied, wall charges are formed by the addressing discharge in the corresponding discharge cell. Wall charges do not form. Here, for a more accurate and efficient addressing discharge, the second potential V S is maintained at the X electrode lines X 1 ,... X n .
이어지는 유지-방전 주기(S)에서는, 모든 Y 전극 라인들(Y1, ...Yn)과 X 전극 라인들(X1, ...Xn)에 제2 전위(VS)의 유지-방전 펄스들이 교호하게 인가되어, 상응하는 어드레싱 주기(A)에서 벽전하들이 형성된 방전 셀들에서 유지-방전을 일으킨다.In the subsequent sustain-discharge period S , the maintenance of the second potential V S at all the Y electrode lines Y 1 , ... Y n and the X electrode lines X 1 , ... X n . -The discharge pulses are applied alternately, causing sustain-discharge in the discharge cells in which wall charges are formed in the corresponding addressing period A. FIG.
도 6을 참조하면, 본 발명에 따른 방전 디스플레이 장치로서의 플라즈마 디스플레이 장치는 상기 플라즈마 디스플레이 패널(1), 영상 처리부(66), 제어부(62), 어드레스 구동부(63), X 구동부(64) 및 Y 구동부(65)를 포함한다. 영상 처리부(66)는 외부 아날로그 영상 신호를 디지털 신호로 변환하여 내부 영상 신호 예를 들어, 각각 8 비트의 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 영상 데이터, 클럭 신호, 수직 및 수평 동기 신호들을 발생시킨다. 제어부(62)는 영상 처리부(66)로부터의 내부 영상 신호에 따라 구동 제어 신호들(SA, SY, SX)을 발생시킨다. 어드레스 구동부(63)는, 제어부(62)로부터의 구동 제어 신호들(SA, SY, SX)중에서 어드레스 신호(SA)에 따라 디스플레이 데이터 신호를 발생시키고, 발생된 디스플레이 데이터 신호를 어드레스 전극 라인들에 인가한다. X 구동부(64)는 제어부(62)로부터의 구동 제어 신호들(SA, SY, SX)중에서 X 구동 제어 신호(SX)에 따라 X 전극 라인들에 인가한다. Y 구동부(65)는 제어부(62)로부터의 구동 제어 신호들(SA, SY, S X)중에서 Y 구동 제어 신호(SY)에 따라 Y 전극 라인들에 인가한다.Referring to FIG. 6, a plasma display apparatus as a discharge display apparatus according to the present invention includes the plasma display panel 1, an image processor 66, a controller 62, an address driver 63, an X driver 64, and a Y. The drive unit 65 is included. The image processing unit 66 converts an external analog image signal into a digital signal to convert an internal image signal, for example, 8 bits of red (R), green (G), and blue (B) image data, a clock signal, vertical and horizontal, respectively. Generate sync signals. The controller 62 generates driving control signals S A , S Y , and S X according to an internal image signal from the image processor 66. The address driver 63 generates a display data signal according to the address signal S A among the driving control signals S A , S Y , and S X from the controller 62, and addresses the generated display data signal. Applied to the electrode lines. The X driver 64 is applied to the X electrode lines according to the X drive control signal S X among the drive control signals S A , S Y , and S X from the controller 62. The Y driver 65 applies the Y electrode lines according to the Y drive control signal S Y among the drive control signals S A , S Y , and S X from the controller 62.
도 7은 도 6의 Y 구동부(65)의 주사 구동 회로(AC) 및 스위칭 출력 회로(SIC)를 보여준다. 도 4 및 7을 참조하면, Y 구동부(65)는 스위칭 출력 회로(SIC), 리셋/유지 회로(RSC), 및 주사 구동 회로(AC)를 포함한다. 주사 구동 회로(AC)는 캐페시터(CSP), 상부 주사 회로(DU, SSCH), 하부 주사 회로(S SCL), 제1 스위칭 회로(SSSU1, SSSU2), 및 제2 스위칭 회로(SSSL)를 포함한다.FIG. 7 shows a scan driving circuit AC and a switching output circuit SIC of the Y driver 65 of FIG. 6. 4 and 7, the Y driver 65 includes a switching output circuit SIC, a reset / hold circuit RSC, and a scan drive circuit AC. The scan driving circuit AC includes the capacitor C SP , the upper scan circuits D U and S SCH , the lower scan circuit S SCL , and the first switching circuit S SSU1 , S SSU2 ), and a second switching circuit S SSL .
스위칭 출력 회로(SIC)에서는, 위쪽 트랜지스터들(YU1, ..., YUn) 및 아래쪽 트랜지스터들(YL1, ..., YLn)이 배열되어, 각 위쪽 트랜지스터 및 각 아래쪽 트랜지스터의 공통 출력 라인이 각각의 Y 전극 라인(Y1, ..., Yn)에 대응되도록 연결되어 있다. 스위칭 출력 회로(SIC)의 모든 트랜지스터들(YU1, ..., YUn, YL1, ..., YLn)은 전계 효과 트랜지스터들(Field Effect Transistors)이다. 각각의 전계 효과 트랜지스터(YU1, ..., YUn, YL1, ..., YLn)에는 내부 다이오드가 형성된다. 이 내부 다이오드의 에노드는 전계 효과 트랜지스터의 소오스에 접속된다. 내부 다이오드의 캐소드는 전계 효과 트랜지스터의 드레인에 접속된다. 스위칭 출력 회로(SIC)의 모든 위쪽 트랜지스터들(YU1, ..., YUn)의 소오스, 및 모든 아래쪽 트랜지스터들(YL1, ..., YLn)의 드레인이 각각의 Y 전극 라인(Y1, ..., Yn)에 대응되도록 연결된다.In the switching output circuit SIC, the upper transistors YU1, ..., YUn and the lower transistors YL1, ..., YLn are arranged so that the common output lines of each upper transistor and each lower transistor are respectively. Are connected to correspond to the Y electrode lines (Y 1 , ..., Y n ). All transistors YU1, ..., YUn, YL1, ..., YLn of the switching output circuit SIC are field effect transistors. An internal diode is formed in each of the field effect transistors YU1, ..., YUn, YL1, ..., YLn. The anode of this internal diode is connected to the source of the field effect transistor. The cathode of the internal diode is connected to the drain of the field effect transistor. The source of all the top transistors YU1, ..., YUn of the switching output circuit SIC, and the drain of all the bottom transistors YL1, ..., YLn are each Y electrode line Y 1 ,. .., Y n ).
리셋/유지 회로(RSC)는 리셋 및 유지-방전 단계에서 필요한 구동 신호들(ORS)을 출력한다.The reset / hold circuit RSC outputs drive signals O RS necessary in the reset and sustain-discharge stages.
상부 주사 회로(DU, SSCH)와 하부 주사 회로(SSCL) 사이에는 캐페시터(C SP)가 연결된다. 캐페시터(CSP)의 충전에 의한 전위는 상부 주사 회로(DU, SSCH )의 전계 효과 트랜지스터(SSCH)를 통하여 스위칭 출력 회로(SIC)의 위쪽 트랜지스터들(YU1, ..., YUn)의 공통 전원 라인에 인가된다.A capacitor C SP is connected between the upper scan circuit D U , S SCH and the lower scan circuit S SCL . Kaepesiteo (C SP) potential by the charging of the upper transistor of the output switching circuit (SIC) via the field effect transistor (S SCH) of the upper scanning circuit (D U, S SCH) of (YU1, ..., YUn) Is applied to the common power line.
상부 주사 회로(DU, SSCH)는, 스위칭 출력 회로(SIC)의 모든 위쪽 트랜지스터들(YU1, ..., YUn)의 공통 전원 라인에 연결되어, 어드레싱 단계에서 주사되지 않는 Y 전극 라인들에 주사용 바이어스 전위(VSCAN)를 인가한다. 상부 주사 회로(DU , SSCH)의 전계 효과 트랜지스터(SSCH)는, 스위칭 출력 회로(SIC)의 모든 위쪽 트랜지스터들(YU1, ..., YUn)의 공통 전원 라인을 주사용 바이어스 전위(VSCAN)의 단자와 연결하거나 차단한다. 전계 효과 트랜지스터(SSCH)에는 내부 다이오드가 형성되어 있다. 이 내부 다이오드의 에노드는 전계 효과 트랜지스터(SSCH)의 소오스에 접속되고, 내부 다이오드의 캐소드는 전계 효과 트랜지스터(SSCH)의 드레인에 접속된다. 전계 효과 트랜지스터(SSCH)의 소오스는 스위칭 출력 회로(SIC)의 모든 위쪽 트랜지스터들(YU1, ..., YUn)의 공통 전원 라인에 연결된다. 전계 효과 트랜지스터(SSCH)의 드레인과 주사용 바이어스 전위(VSCAN)의 단자 사이에는 일방향 전류 제어 소자로서의 다이오드(DU)가 연결된다. 이 다이오드(DU)의 캐소드, 캐페시터(CSP )의 일단, 및 전계 효과 트랜지스터(SSCH)의 드레인은 공통으로 연결된다.The upper scanning circuits D U and S SCH are connected to the common power line of all the upper transistors YU1,..., YUn of the switching output circuit SIC, so that the Y electrode lines are not scanned in the addressing step. The scanning bias potential V SCAN is applied to the. A field effect transistor (S SCH) is, all the top transistors in the output switching circuit (SIC) of the common power supply line for injection of bias potential (YU1, ..., YUn) of the upper scanning circuit (D U, S SCH) ( V SCAN ) terminal is connected or disconnected. An internal diode is formed in the field effect transistor S SCH . The anode of this internal diode is connected to the source of the field effect transistor S SCH , and the cathode of the internal diode is connected to the drain of the field effect transistor S SCH . The source of the field effect transistor S SCH is connected to the common power supply line of all the upper transistors YU1,..., YUn of the switching output circuit SIC. A diode D U as a one-way current control element is connected between the drain of the field effect transistor S SCH and the terminal of the scanning bias potential V SCAN . The cathode of this diode D U , one end of the capacitor C SP , and the drain of the field effect transistor S SCH are connected in common.
하부 주사 회로(SSCL)는 스위칭 출력 회로(SIC)의 모든 아래쪽 트랜지스터들(YL1, ..., YLn)의 공통 전원 라인에 연결되어, 어드레싱 단계에서 주사되는 Y 전극 라인들에 접지 전위(VG)를 인가한다. 보다 상세하게는, 캐페시터(CSP)의 타단과 접지 전위(VG)의 단자 사이에는 전계 효과 트랜지스터(S SCL)가 연결된다. 이 전계 효과 트랜지스터(SSCL)에는 내부 다이오드가 형성된다. 내부 다이오드의 에노드는 전계 효과 트랜지스터(SSCL)의 소오스에 접속되고, 내부 다이오드의 캐소드는 전계 효과 트랜지스터(SSCL)의 드레인에 접속된다. 전계 효과 트랜지스터(SSCL)의 소오스는 접지 전위(VG)의 단자에 연결되고, 전계 효과 트랜지스터(SSCL)의 드레인은 캐페시터(CSP)의 타단에 연결된다.The lower scanning circuit S SCL is connected to the common power line of all the lower transistors YL1,... YLn of the switching output circuit SIC, so that the ground potential V is connected to the Y electrode lines scanned in the addressing step. G ) is applied. More specifically, the field effect transistor S SCL is connected between the other end of the capacitor C SP and the terminal of the ground potential V G. An internal diode is formed in this field effect transistor S SCL . The anode of the internal diode is connected to the source of the field effect transistor S SCL , and the cathode of the internal diode is connected to the drain of the field effect transistor S SCL . The source of the field effect transistor S SCL is connected to the terminal of the ground potential V G , and the drain of the field effect transistor S SCL is connected to the other end of the capacitor C SP .
제1 스위칭 회로(SSSU1, SSSU2)는 스위칭 출력 회로(SIC)의 모든 위쪽 트랜지스터들(YU1, ..., YUn)의 공통 전원 라인을 리셋/유지 회로(RSC)의 출력 단자와 연결하거나 차단한다. 제1 스위칭 회로(SSSU1, SSSU2)는 스위칭 출력 회로(SIC)의 모든 위쪽 트랜지스터들(YU1, ..., YUn)의 공통 전원 라인과 리셋/유지 회로(RSC)의 출력 단자 사이에 연결된 제1 및 제2 트랜지스터들(SSSU1, SSSU2)을 포함한다. 전계 효과 트랜지스터들인 제1 및 제2 트랜지스터들(SSSU1, SSSU2) 각각에는 내부 다이오드가 형성된다. 이 내부 다이오드들 각각의 에노드는 제1 및 제2 전계 효과 트랜지스터들(SSSU1, SSSU2) 각각의 소오스에 접속된다. 내부 다이오드들 각각의 캐소드는 제1 및 제2 전계 효과 트랜지스터들(SSSU1, SSSU2) 각각의 드레인에 접속된다. 제1 전계 효과 트랜지스터(SSSU1)의 드레인은 리셋/유지 회로(RSC)의 출력 단자에 연결된다. 제2 전계 효과 트랜지스터(SSSU2)의 드레인은 스위칭 출력 회로(SIC)의 모든 위쪽 트랜지스터들(YU1, ..., YUn)의 공통 전원 라인에 연결된다. 제1 전계 효과 트랜지스터(SSSU1)의 소오스는 제2 전계 효과 트랜지스터(SSSU2)의 소오스에 연결된다. 한편, 제1 및 제2 전계 효과 트랜지스터들(SSSU1, SSSU2)이 턴 오프(turn off)되는 어드레싱 단계에 있어서, 제1 전계 효과 트랜지스터(SSSU1)의 내부 다이오드는 주사 전압(VSC)이 모든 위쪽 트랜지스터들(YU1, ..., YUn)의 공통 전원 라인에 인가되지 않게 하고, 제2 전계 효과 트랜지스터(SSSU2)의 내부 다이오드는 주사용 바이어스 전압(VSC_H)이 모든 아래쪽 트랜지스터들(YL1, ..., YLn)의 공통 전원 라인에 인가되지 않게 한다. 따라서, 제1 스위칭 회로(SSSU1, SSSU2)는 두 개의 트랜지스터들(SSSU1, SSSU2)이 필요하다.First switching circuit S SSU1 , S SSU2 connects or disconnects the common power line of all upper transistors YU1,..., And UnUn of the switching output circuit SIC with the output terminal of the reset / hold circuit RSC. First switching circuit S SSU1 , S SSU2 is the first and second transistors connected between the common power line of all the upper transistors YU1,..., And Un of the switching output circuit SIC and the output terminal of the reset / sustain circuit RCS. S SSU1 , S SSU2 ). First and second transistors S SSU1 which are field effect transistors, Internal diodes are formed in each of S SSU2 ). The anode of each of these internal diodes is provided with the first and second field effect transistors S SSU1,. S SSU2 ) is connected to each source. The cathode of each of the internal diodes may include the first and second field effect transistors S SSU1,. S SSU2 ) is connected to each drain. The drain of the first field effect transistor S SSU1 is connected to the output terminal of the reset / sustain circuit RCS . The drain of the second field effect transistor S SSU2 is connected to the common power line of all the upper transistors YU1,..., YUn of the switching output circuit SIC. The source of the first field effect transistor (S SSU1) is connected to the source of the second field effect transistor (S SSU2). Meanwhile, the first and second field effect transistors S SSU1 , In the addressing step in which S SSU2 is turned off, the internal diode of the first field effect transistor S SSU1 has a scan voltage V SC of all the upper transistors YU1,..., And YUn. no longer applied to the common power supply line, and the internal diode of the second field effect transistor (s SSU2) is injection bias voltage (V SC_H) is applied to the common power supply line of all the lower transistor (YL1, ..., YLn) Do not become. Therefore, the first switching circuit S SSU1 , S SSU2 has two transistors S SSU1 , S SSU2 ) is required.
제2 스위칭 회로(SSSL)는 스위칭 출력 회로(SIC)의 모든 아래쪽 트랜지스터들(YL1, ..., YLn)의 공통 전원 라인을 리셋/유지 회로(RSC)의 출력 단자와 연결하거나 차단한다. 이에 따라, 리셋/유지 회로(RSC)로부터의 구동 신호들(ORS)이 스위칭 출력 회로(SIC)의 모든 아래쪽 트랜지스터들(YL1, ..., YLn)의 내부 다이오드들을 통하여 Y 전극 라인들(Y1, ..., Yn) 모두에 인가됨이 제어될 수 있다. 예를 들어, 전계 효과 트랜지스터(SSSL)가 턴 오프(turn off)되는 혼합 유지-방전 주기(도 5의 MS4)에 있어서, 전계 효과 트랜지스터(SSSL)는 리셋/유지 회로(RSC)로부터의 구동 신호들(ORS)을 차단한다.The second switching circuit S SSL connects or disconnects the common power line of all the lower transistors YL1,..., YLn of the switching output circuit SIC to the output terminal of the reset / hold circuit RSC. Accordingly, the drive signals O RS from the reset / hold circuit RSC are connected to the Y electrode lines through the internal diodes of all the lower transistors YL1,..., YLn of the switching output circuit SIC. Y 1 , ..., Y n ) may be controlled. For example, a field effect transistor (S SSL) is turned off (turn off) mixture maintained that - in the discharge period (MS4 in Fig. 5), the field-effect transistor (S SSL) is from a reset / hold circuit (RSC) Blocks the drive signals O RS .
제2 스위칭 회로(SSSL)는 스위칭 출력 회로(SIC)의 모든 아래쪽 트랜지스터들(YL1, ..., YLn)의 공통 전원 라인과 리셋/유지 회로(RSC)의 출력 단자 사이에 연결된 전계 효과 트랜지스터(SSSL)를 포함한다. 이 전계 효과 트랜지스터(SSSL)에는 내부 다이오드가 형성되고, 이 내부 다이오드의 에노드는 전계 효과 트랜지스터(SSSL)의 소오스에 접속되며, 내부 다이오드의 캐소드는 전계 효과 트랜지스터(SSSL)의 드레인에 접속된다. 전계 효과 트랜지스터(SSSL)의 소오스는 스위칭 출력 회로(SIC)의 모든 아래쪽 트랜지스터들(YL1, ..., YLn)의 공통 전원 라인에 연결되고, 드레인은 리셋/유지 회로(RSC)의 출력 단자에 연결된다.The second switching circuit S SSL is a field effect transistor connected between the common power line of all the lower transistors YL1,..., YLn of the switching output circuit SIC and the output terminal of the reset / hold circuit RSC. (S SSL ) The field-effect transistor (S SSL) is formed with an internal diode, is connected to the source of enoic lifting field effect transistor (S SSL) of the internal diode, the cathode of the internal diode is connected to the drain of the field effect transistor (S SSL) do. The source of the field effect transistor S SSL is connected to the common power line of all the lower transistors YL1, ..., YLn of the switching output circuit SIC, and the drain thereof is an output terminal of the reset / hold circuit RSC. Is connected to.
도 4 및 7을 참조하여, 도 7의 Y 구동부의 동작 과정을 살펴보면 다음과 같다. Referring to FIGS. 4 and 7, the operation process of the Y driver of FIG. 7 will be described.
리셋 주기(R) 및 유지-방전 주기(S)에 있어서, 하부 주사 회로(SSCL)의 전계 효과 트랜지스터(SSCL), 상부 주사 회로(DU, SSCH)의 전계 효과 트랜지스터(S SCH), 및 제1 스위칭 회로(SSSU1, SSSU2)의 전계 효과 트랜지스터들(SSSU1 , SSSU2)이 턴 오프(turn off)된다. 또한, 제2 스위칭 회로(SSSL)의 전계 효과 트랜지스터(SSSL)가 턴 온(turn on)된다. 이에 따라, 리셋/유지 회로(RSC)로부터의 구동 신호들(ORS)이 스위칭 출력 회로(SIC)의 모든 아래쪽 트랜지스터들(YL1, ..., YLn)의 공통 전원 라인에 인가된다. 또한, 스위칭 출력 회로(SIC)의 모든 아래쪽 트랜지스터들(YL1, ..., YLn)이 턴 온(turn on)되고 모든 위쪽 트랜지스터들(YU1, ..., YUn)이 턴 오프(turn off)된다. 이에 따라, 리셋/유지 회로(RSC)로부터의 구동 신호들(ORS)이 모든 아래쪽 트랜지스터들(YL1, ..., YLn)을 통하여 모든 Y 전극 라인들(Y1, ..., Yn)에 인가된다.A reset period (R) and hold-in discharge period (S), the field-effect transistor of the field effect transistor (S SCL), the upper scanning circuit (D U, S SCH) of the lower scanning circuit (S SCL) (S SCH) , And the first switching circuit S SSU1 , The field effect transistor of SSU2 S) (S SSU1, S SSU2 is turned off. In addition, the field effect transistor S SSL of the second switching circuit S SSL is turned on. Accordingly, the drive signals O RS from the reset / hold circuit RSC are applied to the common power line of all the lower transistors YL1,..., YLn of the switching output circuit SIC. In addition, all lower transistors YL1, ..., YLn of the switching output circuit SIC are turned on and all upper transistors YU1, ..., YUn are turned off. do. Accordingly, the driving signals O RS from the reset / sustain circuit RCS are transferred through all the lower transistors YL1,..., YLn to all Y electrode lines Y 1 ,..., Y n. Is applied.
어드레싱 주기(A)에 있어서, 상부 주사 회로(DU, SSCH)의 전계 효과 트랜지스터(SSCH), 하부 주사 회로(SSCL)의 전계 효과 트랜지스터(SSCL), 및 제2 스위칭 회로(SSSL)의 전계 효과 트랜지스터(SSSL)가 턴 온(turn on)된다. 또한, 제1 스위칭 회로(SSSU1, SSSU2)의 전계 효과 트랜지스터들(SSSU1, SSSU2)이 턴 오프(turn off)된다. 이에 따라, 캐페시터(CSP)의 충전에 의한 주사용 바이어스 전위(VSCAN)이 상부 주사 회로(DU, SSCH)를 통하여 스위칭 출력 회로(SIC)의 위쪽 트랜지스터들(YU1, ..., YUn)의 공통 전원 라인에 인가된다. 또한, 주사 전위로서의 접지 전위(VG)가 하부 주사 회로(SSCL) 및 제2 스위칭 회로(SSSL)를 통하여 스위칭 출력 회로(SIC)의 아래쪽 트랜지스터들(YL1, ..., YLn)에 인가된다. 여기에서, 주사될 한 Y 전극 라인에 연결된 아래쪽 트랜지스터가 턴 온(turn on)되고 위쪽 트랜지스터가 턴 오프(turn off)된다. 또한, 주사되지 않을 나머지 모든 Y 전극 라인들에 연결된 아래쪽 트랜지스터들이 턴 오프(turn off)되고 위쪽 트랜지스터들이 턴 온(turn on)된다. 이에 따라, 주사될 한 Y 전극 라인에는 주사 전위로서의 접지 전위(VG)가 인가되고, 주사되지 않을 나머지 모든 Y 전극 라인들에는 주사용 바이어스 전위(VSCAN)가 인가된다.In the addressing period (A), the upper scanning circuit (D U, S SCH) of a field effect transistor (S SCH), the lower scanning circuit (S SCL) field effect transistor (S SCL), and a second switching circuit (S in a field effect transistor (S SSL) for SSL) is turned on (turn on). In addition, the first switching circuit S SSU1 , The field effect transistor of SSU2 S) (S SSU1, S SSU2 is turned off. Accordingly, the scanning bias potential V SCAN due to the charging of the capacitor C SP passes through the upper transistors YU1,..., Of the switching output circuit SIC through the upper scanning circuits D U and S SCH . YUn) is applied to the common power supply line. In addition, the ground potential V G as a scanning potential is applied to the lower transistors YL1,..., YLn of the switching output circuit SIC through the lower scanning circuit S SCL and the second switching circuit S SSL . Is approved. Here, the lower transistor connected to the Y electrode line to be scanned is turned on and the upper transistor is turned off. In addition, the bottom transistors connected to all remaining Y electrode lines that are not to be scanned are turned off and the top transistors are turned on. Accordingly, the ground potential V G as a scanning potential is applied to one Y electrode line to be scanned, and the scanning bias potential V SCAN is applied to all the other Y electrode lines that are not to be scanned.
어드레싱 주기(A)에 있어서, 주사될 한 Y 전극 라인에 주사 전위로서의 접지 전위(VG)가 인가되는 시점, 어드레스 전극 라인들(AR1, ..., ABm)에 디스플레이 데이터 신호가 인가되는 시점, 어드레스 전극 라인들(AR1, ..., ABm)에 디스플레이 데이터 신호의 인가가 종료되는 시점, 및 주사될 한 Y 전극 라인에 주사 전위로서의 접지 전위(VG)가 인가됨이 종료되는 시점에서의 전류 통로들을 살펴보면 다음과 같다.In the addressing period A, the display data signal is applied to the address electrode lines A R1 , ..., A Bm when the ground potential V G as the scanning potential is applied to one Y electrode line to be scanned. At the time point at which the display data signal is applied to the address electrode lines A R1 ,..., And A Bm , and the ground potential V G as the scanning potential is applied to the Y electrode line to be scanned. The current paths at the end point are as follows.
첫째, 주사될 한 Y 전극 라인에 주사 전위로서의 접지 전위(VG)가 인가되는 시점에서는, 주사될 한 Y 전극 라인에 연결된 방전 셀들(전기적 캐페시터들)로부터 스위칭 출력 회로(SIC)의 한 아래쪽 트랜지스터 및 제2 스위칭 회로(SSSL)를 통하여 하부 주사 회로(SSCL)로 전류가 흐른다.First, when a ground potential V G as a scanning potential is applied to one Y electrode line to be scanned, one lower transistor of the switching output circuit SIC from discharge cells (electrical capacitors) connected to the one Y electrode line to be scanned. And a current flows through the second switching circuit S SSL to the lower scanning circuit S SCL .
둘째, 어드레스 전극 라인들(AR1, ..., ABm)에 디스플레이 데이터 신호가 인가되는 시점에서는, 선택 전압이 인가된 어드레스 전극 라인들로부터 주사중인 한 Y 전극 라인으로 방전 전류가 흐를 뿐만 아니라, 주사되지 않은 나머지 모든 Y 전극 라인들, 스위칭 출력 회로(SIC)의 위쪽 트랜지스터들, 상부 주사 회로(DU, SSCH )의 전계 효과 트랜지스터(SSCH), 캐페시터(CSP)를 통하여 하부 주사 회로(SSCL )로 전류가 흐른다.Second, when the display data signal is applied to the address electrode lines A R1 ,..., A Bm , the discharge current flows from the address electrode lines to which the selection voltage is applied to the Y electrode line being scanned. , the non-injection balance of Y electrode lines, the upper transistor of a switching output circuit (SIC), a field effect transistor (s SCH), the lower scanning through the kaepesiteo (C SP) of the upper scanning circuit (D U, s SCH) Current flows through the circuit S SCL .
셋째, 어드레스 전극 라인들(AR1, ..., ABm)에 디스플레이 데이터 신호의 인가가 종료되는 시점에서는, 주사 구동 회로(AC)의 캐페시터(CSP)로부터 상부 주사 회로(DU, SSCH)의 전계 효과 트랜지스터(SSCH), 스위칭 출력 회로(SIC)의 위쪽 트랜지스터들, Y 전극 라인들을 통하여 어드레스 전극 라인들(AR1, ..., ABm)로 전류가 흐른다.Third, when the application of the display data signal to the address electrode lines A R1 , ..., A Bm is terminated, the upper scan circuits D U , S from the capacitor C SP of the scan drive circuit AC. SCH) of a field effect transistor (s SCH), the output switching circuit (SIC) of the upper transistor, through the Y-electrode line address electrode lines (a R1, a ..., a Bm), the current flows into.
그리고 넷째, 주사될 한 Y 전극 라인에 주사 전위로서의 접지 전위(VG)가 인가됨이 종료되는 시점에서는, 주사 구동 회로(AC)의 캐페시터(CSP)로부터 상부 주사 회로(DU, SSCH)의 전계 효과 트랜지스터(SSCH), 스위칭 출력 회로(SIC)의 위쪽 트랜지스터들, Y 전극 라인들을 통하여 방전 셀들(전기적 캐페시터들)로 전류가 흐른다.Fourth, at the time when the application of the ground potential V G as the scan potential to the one Y electrode line to be scanned is terminated, the upper scan circuits D U and S SCH from the capacitor C SP of the scan drive circuit AC. Current flows to the discharge cells (electric capacitors) through the field effect transistor S SCH , the upper transistors of the switching output circuit SIC, and the Y electrode lines.
도 8은 도 7의 리셋/유지 회로(RSC)를 보여준다. 도 9는 도 8의 하강 회로부(81)의 내부 회로를 보여준다. 도 8에서 제3 내지 제6 트랜지스터들(ST3, ..., ST6), 하강 회로부(81), 및 제8 트랜지스터(ST8)는 리셋 주기(도 4의 R)에서 Y 전극 라인들에 인가될 구동 신호(ORS)를 발생시킨다. 또한, 전력 재생용 캐페시터(CSY), 제1 내지 제5 트랜지스터들(ST1, ..., ST5), 동조 코일(LY), 및 제8 트랜지스터(ST8)는 유지-방전 주기(도 5의 S)에서 Y 전극 라인들에 인가될 구동 신호(ORS)를 발생시킨다. 제8 트랜지스터(ST8)는 어드레싱 주기(도 4의 A)에서 출력 구동 신호(ORS)가 플로팅(floating) 상태가 되게 한다. 도 4, 8 및 9를 참조하여 도 7의 리셋/유지 회로(RSC)의 동작을 설명하면 다음과 같다.FIG. 8 shows the reset / hold circuit RSC of FIG. 7. FIG. 9 shows the internal circuit of the falling circuit section 81 of FIG. In FIG. 8, the third to sixth transistors ST3,..., ST6, the falling circuit unit 81, and the eighth transistor ST8 are applied to the Y electrode lines in the reset period (R of FIG. 4). Generate the drive signal O RS . In addition, the power regeneration capacitor C SY , the first through fifth transistors ST1,..., ST5, the tuning coil L Y , and the eighth transistor ST8 have a sustain-discharge cycle (FIG. 5). In S), a driving signal O RS to be applied to the Y electrode lines is generated. The eighth transistor ST8 causes the output driving signal O RS to be in a floating state in the addressing period (A of FIG. 4). An operation of the reset / hold circuit RSC of FIG. 7 will be described with reference to FIGS. 4, 8, and 9 as follows.
리셋 주기(R)에 있어서, X 전극 라인들(X1, ..., Xn)에 인가되는 전위가 접지 전위(VG)로부터 유지-방전 전위(VS)과 동일한 제2 전위(VS)까지 지속적으로 상승되는 시간(t1 ~ t2)에는, 제4, 제5, 및 제8 트랜지스터들(ST4, ST5, ST8)만이 턴 온(turn on)된다. 이에 따라, 모든 Y 전극 라인들(Y1, ..., Yn)에는 접지 전압(V G)이 인가된다.In the reset period R, the second potential V whose potential applied to the X electrode lines X 1 ,..., X n is equal to the sustain-discharge potential V S from the ground potential V G. Only the fourth, fifth, and eighth transistors ST4, ST5, and ST8 are turned on at a time t 1 to t 2 that is continuously raised to S ). Accordingly, the ground voltage V G is applied to all of the Y electrode lines Y 1 ,..., Y n .
벽전하 형성 시간(t2 ~ t3)에 있어서, 제3, 제6, 및 제8 트랜지스터들(ST3, ST6, ST8)만이 턴 온(turn on)되고, 제6 트랜지스터(ST6)의 드레인에는 제3 전압(VSET)이 인가된다. 여기에서, 제6 트랜지스터(ST6)의 게이트에 지속적으로 상승되는 제어 전위가 인가되므로, 제6 트랜지스터(ST6)의 채널 저항값은 지속적으로 줄어든다. 또한, 제3 트랜지스터(ST3)의 소오스에 제2 전위(VS)가 인가되어 있으므로, 제3 트랜지스터(ST3)의 소오스와 제6 트랜지스터(ST6)의 드레인 사이에 연결된 캐페시터의 작용으로 인하여, 제6 트랜지스터(ST6)의 드레인에는 제2 전위(VS)로부터 최고 전위(VSET+VS)까지 지속적으로 상승되는 전위가 인가된다. 이에 따라, 모든 Y 전극 라인들(Y1, ..., Yn)에는 제2 전위(VS)로부터 최고 전위(V SET+VS)까지 지속적으로 상승되는 전위가 인가된다. 여기에서, X 전극 라인들(X1, ..., Xn)과 어드레스 전극 라인들(AR1, ..., ABm)에는 접지 전위(VG)가 인가된다. 이에 따라, Y 전극 라인들(Y1, ..., Yn)과 X 전극 라인들(X1, ..., Xn) 사이에 약한 방전이 일어나는 한편, Y 전극 라인들(Y1, ..., Yn)과 어드레스 전극 라인들(AR1, ..., A Bm) 사이에 더욱 약한 방전이 일어난다. 여기에서, Y 전극 라인들(Y1, ..., Yn)과 어드레스 전극 라인들(AR1, ..., ABm) 사이의 방전보다 Y 전극 라인들(Y1, ..., Y n)과 X 전극 라인들(X1, ..., Xn) 사이의 방전이 더 강해지는 이유는, X 전극 라인들(X1 , ..., Xn) 주위에 부극성의 벽전하들이 형성되어 있었기 때문이다. 이에 따라, Y 전극 라인들(Y1, ..., Yn) 주위에는 부극성 벽전하들이 많이 형성되고, X 전극 라인들(X 1, ..., Xn) 주위에는 정극성의 벽전하들이 형성되며, 어드레스 전극 라인들(AR1, ..., ABm) 주위에는 정극성의 벽전하들이 적게 형성된다(도 5a 참조).In the wall charge formation time t 2 to t 3 , only the third, sixth, and eighth transistors ST3, ST6, and ST8 are turned on, and the drain of the sixth transistor ST6 is turned on. The third voltage V SET is applied. Here, since the control potential that is continuously raised to the gate of the sixth transistor ST6 is applied, the channel resistance value of the sixth transistor ST6 is continuously reduced. In addition, since the second potential V S is applied to the source of the third transistor ST3, due to the action of a capacitor connected between the source of the third transistor ST3 and the drain of the sixth transistor ST6, the second potential V S is applied. A potential that is continuously raised from the second potential V S to the highest potential V SET + V S is applied to the drain of the six transistor ST6. Accordingly, a potential that is continuously raised from the second potential V S to the highest potential V SET + V S is applied to all of the Y electrode lines Y 1 ,..., Y n . Here, the ground potential V G is applied to the X electrode lines X 1 ,..., X n and the address electrode lines A R1 ,..., A Bm . Accordingly, a weak discharge occurs between the Y electrode lines (Y 1 ,..., Y n ) and the X electrode lines (X 1 ,..., X n ), while the Y electrode lines (Y 1 , A weaker discharge occurs between ..., Y n ) and the address electrode lines A R1 , ..., A Bm . Here, Y electrode lines (Y 1, ..., Y n) and the address electrode lines (A R1, ..., A Bm ) than the discharge electrode line Y between the (Y 1, ..., Y n) and the X-electrode lines (X 1, ..., X n) because the discharge is stronger between is, the X electrode lines (X 1, ..., X n) of negative polarity wall around Because the charges were formed. Accordingly, many negative wall charges are formed around the Y electrode lines (Y 1 , ..., Y n ), and positive wall charges are formed around the X electrode lines (X 1 , ..., X n ). Are formed, and less positive wall charges are formed around the address electrode lines A R1 , ..., A Bm (see FIG. 5A).
벽전하 배분 시간(t3 ~ t4)에 있어서, 초기에는, 제3, 제5, 및 제8 트랜지스터들(ST3, ST5, ST8)만이 턴 온(turn on)되어 제2 전위(VS)가 모든 Y 전극 라인들(Y1, ..., Yn)에 인가된다.In the wall charge distribution time t 3 to t 4 , initially, only the third, fifth, and eighth transistors ST3, ST5, and ST8 are turned on so that the second potential V S is turned on. Is applied to all Y electrode lines (Y 1 , ..., Y n ).
다음에, 제5, 및 제8 트랜지스터들(ST5, ST8)만이 턴 온(turn on)된 상태에서 하강 회로부(81)가 동작함에 의하여, Y 전극 라인들(Y1, ..., Yn)에 인가될 구동 신호(ORS)가 제2 전위(VS)로부터 제3 전위으로서의 접지 전위(VG)까지 단계적으로 하강된다. 즉, 전위 하강 시간과 동전위 유지 시간이 교호하게 경과된다. 여기에서, 어드레스 전극 라인들(AR1, ..., ABm)에는 접지 전위(VG)가 인가된다. 이에 따라, X 전극 라인들(X1, ..., Xn)의 벽전위(wall electric-potential)가 어드레스 전극 라인들(AR1, ..., ABm)의 벽전위보다 낮고 Y 전극 라인들(Y1, ..., Y n)의 벽전위보다 높아진다(도 5b 참조). 이에 따라, 이어지는 어드레싱 주기(A)에서 선택된 어드레스 전극 라인들과 Y 전극 라인 사이의 대향 방전에 요구되는 어드레싱 전압(VA-VG)이 낮아질 수 있다.Next, the falling circuit unit 81 operates while only the fifth and eighth transistors ST5 and ST8 are turned on, so that the Y electrode lines Y 1 ,..., Y n The driving signal (O RS ) to be applied to) is stepped down from the second potential (V S ) to the ground potential (V G ) as the third potential. That is, the potential fall time and the coin hold time alternately pass. Here, the ground potential V G is applied to the address electrode lines A R1 ,..., A Bm . Accordingly, the wall electric-potential of the X electrode lines X 1 , ..., X n is lower than the wall potential of the address electrode lines A R1 , ..., A Bm and the Y electrode Higher than the wall potential of the lines Y 1 , ..., Y n (see FIG. 5B). As a result, the addressing voltage V A -V G required for the counter discharge between the selected address electrode lines and the Y electrode line in the following addressing period A may be lowered.
전위 하강 동작 및 동전위 유지 동작을 순차적으로 설명하면 다음과 같다.The following describes the potential lowering operation and the coin operation.
하강 회로부(81)의 제91 트랜지스터(ST91)가 턴-온(turn on)됨에 따라 방전 셀들의 전하들이 Y 전극 라인들(Y1, ..., Yn)로부터 제8 트랜지스터(ST8), 제5 트랜지스터(ST5), 및 하강 회로부(81)의 제91 트랜지스터(ST91)를 통하여 제1 및 제2 캐페시터들(CDP, CDN)에 충전된다. 이에 따라, 제91 트랜지스터(ST91)의 소오스 전위가 상승한다. 제91 트랜지스터(ST91)의 소오스 전위가 상승하면, 제91 트랜지스터(ST91)가 자동적으로 턴-오프된다.As the ninetieth transistor ST91 of the falling circuit unit 81 is turned on, charges of the discharge cells are transferred from the Y electrode lines Y 1 ,..., Y n to the eighth transistor ST8, The first and second capacitors C DP and C DN are charged through the fifth transistor ST5 and the 91st transistor ST91 of the falling circuit unit 81. As a result, the source potential of the ninety-ninth transistor ST91 increases. When the source potential of the 91st transistor ST91 rises, the 91st transistor ST91 is automatically turned off.
다음에, 제91 트랜지스터(ST91)가 턴-오프(turn off)된 시점에서 게이트 신호 발생부(91)의 출력 전위(SFA)가 제91 트랜지스터(ST91)의 소오스 전위보다 낮아지도록 제어됨에 따라, 제1 및 제2 캐페시터들(CDP, CDN)에 충전되었던 전하들이 방전용 다이오드(DD)를 통하여 게이트 신호 발생부(91)로 방전된다. 이 방전이 완료된 시점에서 게이트 신호 발생부(91)는 제91 트랜지스터(ST91)를 턴-온(turn on)시키고, 상기 단계들이 반복적으로 수행된다.Next, when the 91st transistor ST91 is turned off, the output potential S FA of the gate signal generator 91 is controlled to be lower than the source potential of the 91st transistor ST91. The charges charged in the first and second capacitors C DP and C DN are discharged to the gate signal generator 91 through the discharge diode D D. When the discharge is completed, the gate signal generator 91 turns on the 91st transistor ST91 and the above steps are repeatedly performed.
요약하면, 제91 트랜지스터(ST91)의 턴-온 시간이 전위 하강 시간이 되고, 제91 트랜지스터(ST91)의 턴-오프 시간이 동전위 유지 시간이 된다. 즉, 벽전하 배분 시간(t3 ~ t4)에 있어서, Y 전극 라인들(Y1, ..., Yn)에 인가되는 전위가 연속적으로 하강하지 않고 단계적으로 하강하므로, 모든 방전 셀들에 동일한 전압이 인가되는 시간이 주기적으로 존재한다. 이에 따라, 벽전하 배분 시간(t3 ~ t4)에서 과방전을 일으키는 방전 셀들이 최소화되면서 각 방전 셀의 전하 상태들이 균일해질 수 있다. 이에 따라, 어드레싱 주기(A) 및 유지-방전 주기(S)에서 오방전이 방지되어 디스플레이 성능이 높아질 수 있다. 도 9에서 저항기들(RG1, RG2, R D, RPD)은 전위 하강 속도를 설정하고, 두 다이오드들(DDG, DD)은 노이즈를 제거한다.In summary, the turn-on time of the 91st transistor ST91 becomes the potential fall time, and the turn-off time of the 91st transistor ST91 becomes the coincidence holding time. That is, in the wall charge distribution time (t 3 ~ t 4), so that the potential applied to the Y electrode lines (Y 1, ..., Y n) without continuous fall in a stepwise lowered, all the discharge cells There is a period of time during which the same voltage is applied. Accordingly, the discharge cells causing overdischarge at the wall charge distribution times t 3 to t 4 may be minimized and the charge states of the respective discharge cells may be uniform. As a result, erroneous discharge is prevented in the addressing period A and the sustaining-discharging period S, thereby increasing display performance. In FIG. 9 the resistors R G1 , R G2 , R D , R PD set the potential drop rate, and the two diodes D DG , D D remove the noise.
여기에서, 제1 캐페시터(CDP) 및 제2 캐페시터(CDN)의 합성 정전 용량이 변한다면, 게이트 신호 발생부(91)의 제어의 정확도가 떨어질 것이다. 하지만, 서로 병렬 연결된 제1 캐페시터(CDP) 및 제2 캐페시터(CDN)의 합성 정전 용량은 온도에 따라 변하지 않는다. 왜냐하면, 제1 캐페시터(CDP)의 정전 용량이 온도에 비례하고, 제2 캐페시터(CDN)의 정전 용량이 온도에 반비례하기 때문이다. 이에 따라, 각 방전 셀의 전하 상태들이 보다 균일해질 수 있다. 이에 따라, 어드레싱 주기(A) 및 유지-방전 주기(S)에서 오방전이 방지되어 디스플레이 성능이 보다 높아질 수 있다.Here, if the combined capacitance of the first capacitor C DP and the second capacitor C DN is changed, the accuracy of the control of the gate signal generator 91 will be reduced. However, the combined capacitance of the first capacitor C DP and the second capacitor C DN connected in parallel with each other does not change with temperature. This is because the capacitance of the first capacitor C DP is proportional to the temperature, and the capacitance of the second capacitor C DN is inversely proportional to the temperature. Accordingly, the charge states of each discharge cell can be made more uniform. Accordingly, erroneous discharge is prevented in the addressing period A and the sustain-discharge period S, so that display performance can be higher.
어드레싱 주기(A)에서는 리셋/유지 회로(RSC)의 모든 트랜지스터들이 턴 오프(turn off)되어, 리셋/유지 회로(RSC)의 출력이 전기적인 플로팅(floating) 상태가 된다.In the addressing period A, all the transistors of the reset / hold circuit RSC are turned off, so that the output of the reset / hold circuit RSC is electrically floating.
유지-방전 주기(S)에서 모든 Y 전극 라인들에 인가되는 단위 펄스에 있어서, 디스플레이-유지 전위로서의 제2 전위(VS)로부터 접지 전위(VG)까지 하강하는 시간에서 제2, 제5, 및 제8 트랜지스터들(ST2, ST5, ST8)만이 턴 온(turn on)된다. 이에 따라, 디스플레이 셀들(전기적 캐페시터들)에 불필요하게 남아있는 전하들이 전력 재생용 캐페시터(CSY)에 수집된다. 이와 같이 수집된 전하들은 접지 전위(VG)로부터 제2 전위(VS)까지 상승하는 시간에서 모든 또는 선택된 Y 전극 라인들에 인가되어 재활용된다. 이에 대하여 단계적으로 설명하면 다음과 같다.In the unit pulse applied to all the Y electrode lines in the sustain-discharge period S, the second and fifth at the time of falling from the second potential V S as the display-hold potential to the ground potential V G. , And only the eighth transistors ST2, ST5, ST8 are turned on. Accordingly, charges that remain unnecessarily in the display cells (electrical capacitors) are collected in the power regenerative capacitor C SY . The charges thus collected are applied and recycled to all or selected Y electrode lines at a time rising from the ground potential V G to the second potential V S. This will be described step by step as follows.
유지-방전 주기(S)에서 모든 Y 전극 라인들에 인가되는 단위 펄스에 있어서, 접지 전위(VG)로부터 제2 전위(VS)까지 상승하는 시간에서 제1, 제5, 및 제8 트랜지스터들(ST2, ST5, ST8)만이 턴 온(turn on)된다. 이에 따라, 전력 재생용 캐페시터(CSY)에 수집되었던 전하들이 모든 또는 선택된 Y 전극 라인들(Y1, ..., Y n)에 인가된다.In the unit pulse applied to all the Y electrode lines in the sustain-discharge period S, the first, fifth and eighth transistors at a time rising from the ground potential V G to the second potential V S. Only ST2, ST5, ST8 are turned on. Accordingly, the charges collected in the power regenerative capacitor C SY are applied to all or selected Y electrode lines Y 1 ,..., Y n .
다음에, 제3, 제5, 및 제8 트랜지스터들(ST3, ST5, ST8)만이 턴 온(turn on)되어, 방전-유지 전위로서의 제2 전위(VS)가 모든 또는 선택된 Y 전극 라인들에 인가된다.Next, only the third, fifth, and eighth transistors ST3, ST5, ST8 are turned on so that the second potential V S as the discharge-hold potential is all or selected Y electrode lines. Is applied to.
다음에, 제2 전위(VS)로부터 접지 전위(VG)까지 하강하는 시간에서 제2, 제5, 및 제8 트랜지스터들(ST2, ST5, ST8)만이 턴-온(turn on)된다. 이에 따라, 방전 셀들(전기적 캐페시터들)에 불필요하게 남아있는 전하들이 전력 재생용 캐페시터(CSY)에 수집된다.Next, only the second, fifth, and eighth transistors ST2, ST5, ST8 are turned on at the time of falling from the second potential V S to the ground potential V G. Accordingly, the charges that remain unnecessarily in the discharge cells (electrical capacitors) are collected in the power regeneration capacitor C SY .
최종적으로, 제4, 제5, 및 제8 트랜지스터들(ST4, ST5, ST8)만이 턴 온(turn on)되어, 접지 전위(VG)가 모든 Y 전극 라인들에 인가된다.Finally, only the fourth, fifth, and eighth transistors ST4, ST5, ST8 are turned on so that the ground potential V G is applied to all Y electrode lines.
이상 설명된 바와 같이, 본 발명에 따른 방전 디스플레이 장치에 의하면, 리셋 주기에서 방전 디스플레이 패널의 전극 라인들에 인가되는 전위가 연속적으로 하강하지 않고 단계적으로 하강하므로, 모든 방전 셀들에 동일한 전압이 인가되는 시간이 주기적으로 존재한다. 이에 따라, 리셋 주기에서 과방전을 일으키는 방전 셀들이 최소화되면서 각 방전 셀의 전하 상태들이 균일해질 수 있다. 또한, 복수의 캐페시터들의 합성 정전 용량이 온도에 대하여 일정해지므로, 각 방전 셀의 전하 상태들이 보다 균일해질 수 있다. 이에 따라, 어드레싱 및 유지-방전 주기들에서 오방전이 방지되어 디스플레이 성능이 높아질 수 있다. As described above, according to the discharge display apparatus according to the present invention, since the potential applied to the electrode lines of the discharge display panel does not fall continuously but gradually falls in the reset period, the same voltage is applied to all the discharge cells. Time exists periodically. Accordingly, the discharge cells causing overdischarge in the reset period can be minimized and the charge states of each discharge cell can be made uniform. In addition, since the composite capacitance of the plurality of capacitors becomes constant with respect to temperature, the charge states of each discharge cell can be made more uniform. Accordingly, erroneous discharge can be prevented in the addressing and sustain-discharge cycles, thereby increasing display performance.
본 발명은, 상기 실시예에 한정되지 않고, 청구범위에서 정의된 발명의 사상 및 범위 내에서 당업자에 의하여 변형 및 개량될 수 있다.The present invention is not limited to the above embodiments, but may be modified and improved by those skilled in the art within the spirit and scope of the invention as defined in the claims.
도 1은 본 발명에 따른 방전 디스플레이 장치의 디스플레이 패널로서의 3-전극 면방전 방식의 플라즈마 디스플레이 패널의 구조를 보여주는 내부 사시도이다.1 is an internal perspective view showing the structure of a three-electrode surface discharge plasma display panel as a display panel of the discharge display device according to the present invention.
도 2는 도 1의 플라즈마 디스플레이 패널의 한 방전 셀의 예를 보여주는 단면도이다.FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating an example of one discharge cell of the plasma display panel of FIG. 1.
도 3은 본 발명에 따른 방전 디스플레이 장치에서 도 1의 방전 디스플레이 패널이 구동되는 방법을 보여주는 타이밍도이다.3 is a timing diagram illustrating a method of driving the discharge display panel of FIG. 1 in the discharge display apparatus according to the present invention.
도 4는 도 3의 어느 한 서브필드에서 도 1의 방전 디스플레이 패널의 각 전극 라인들에 인가되는 구동 신호들을 보여주는 타이밍도이다.FIG. 4 is a timing diagram illustrating driving signals applied to respective electrode lines of the discharge display panel of FIG. 1 in one subfield of FIG. 3.
도 5a는 도 4의 t3 시점에서 각 방전 셀의 벽전하 상태를 보여주는 단면도이다.5A is a cross-sectional view illustrating a wall charge state of each discharge cell at time t 3 of FIG. 4.
도 5b는 도 4의 t4 시점에서 각 방전 셀의 벽전하 상태를 보여주는 단면도이다.5B is a cross-sectional view illustrating a wall charge state of each discharge cell at time t 4 of FIG. 4.
도 6은 본 발명에 따른 방전 디스플레이 장치를 전체적으로 보여주는 블록도이다.Figure 6 is a block diagram showing an overall discharge display device according to the present invention.
도 7은 도 6의 Y 구동부의 주사 구동 회로 및 스위칭 출력 회로를 보여주는 도면이다.FIG. 7 illustrates a scan driving circuit and a switching output circuit of the Y driver of FIG. 6.
도 8은 도 7의 리셋/유지 회로를 보여주는 도면이다. FIG. 8 is a diagram illustrating the reset / hold circuit of FIG. 7.
도 9는 도 8의 하강 회로부를 보여주는 회로도이다. 9 is a circuit diagram illustrating a falling circuit of FIG. 8.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for main parts of the drawings>
1...플라즈마 디스플레이 패널, 10...앞쪽 글라스 기판,1 ... plasma display panel, 10 ... front glass substrate,
11, 15...유전층, 12...보호층,11, 15 dielectric layer, 12 protective layer,
13...뒤쪽 글라스 기판, 14...방전 공간,13 ... back glass substrate, 14 ... discharge space,
16...형광층, 17...격벽,16 fluorescent layers, 17 bulkheads,
X1, ..., Xn...X 전극 라인들, Y1, ..., Yn...Y 전극 라인들,X 1 , ..., X n ... X electrode lines, Y 1 , ..., Y n ... Y electrode lines,
AR1, ..., ABm...어드레스 전극 라인들, Xna, Yna...투명 전극 라인들,A R1 , ..., A Bm ... address electrode lines, X na , Y na ... transparent electrode lines,
Xnb, Ynb...금속 전극 라인들, SF1, ...SF5...서브-필드,X nb , Y nb ... metal electrode lines, SF 1 , ... SF 5 ... sub-field,
SY1, ..., SYn...Y 전극 구동 신호들, 62...논리 제어부,S Y1 , ..., S Yn ... Y electrode drive signals, 62 ... logical control,
SX1, ..., SXn...X 전극 구동 신호들, 63..어드레스 구동부,S X1 , ..., S Xn ... X electrode drive signals, 63 .. address driver,
SAR1..ABm...디스플레이 데이터 신호들, 64...X 구동부,S AR1 .. ABm ... display data signals, 64 ... X driver,
65...Y 구동부, 66...영상 처리부,65 ... Y drive unit, 66 ... image processing unit,
RSC...리셋/유지 회로, AC...주사 구동 회로,RSC ... reset / hold circuit, AC ... scan drive circuit,
SIC...스위칭 출력 회로, DU, SSCH...상부 주사 회로,SIC ... switching output circuit, D U , S SCH ...
SSCL...하부 주사 회로, SSSU1, SSSU2...제1 스위칭 회로,S SCL ... lower scanning circuit, S SSU1 , S SSU2 ... first switching circuit,
SSSL...제2 스위칭 회로.S SSL ... second switching circuit.
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