KR100521130B1 - 스위치선로 제어전원회로 - Google Patents
스위치선로 제어전원회로 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100521130B1 KR100521130B1 KR10-2003-0003912A KR20030003912A KR100521130B1 KR 100521130 B1 KR100521130 B1 KR 100521130B1 KR 20030003912 A KR20030003912 A KR 20030003912A KR 100521130 B1 KR100521130 B1 KR 100521130B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- turned
- circuit
- load
- switching element
- bridge diode
- Prior art date
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M1/00—Details of apparatus for conversion
- H02M1/36—Means for starting or stopping converters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/74—Thyristor-type devices, e.g. having four-zone regenerative action
- H01L29/747—Bidirectional devices, e.g. triacs
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/04—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only
- H03F3/16—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only with field-effect devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Circuit Arrangement For Electric Light Sources In General (AREA)
Abstract
Description
Claims (8)
- 램프나 전기기기 등의 부하의 ON/OFF 제어를 스위치 선로에서 수행하는 회로에 있어서,교류입력을 ON/OFF 제어하여 부하에 공급하는 제1스위칭소자,상기 제1스위칭소자가 OFF되어 상기 부하가 꺼지게 되면 제1스위칭소자를 거치지 않은 무부하전류(i3)가 콘덴서 C4를 통해 인가되고, 상기 제1스위칭소자가 ON되어 상기 부하가 켜지게 되면 스위칭소자를 통하여 흐르는 부하전류(i4)가 인가되는 브리지다이오드 BD3,상기 브리지다이오드 BD3을 통하여 정류되어 부하에 공급되는 전류의 흐름을 단속하는 제2스위칭소자,상기 제2스위칭소자를 ON/OFF 제어하되, 상기 BD3의 전류의 크기에 따라 제2스위칭소자의 턴온/턴오프 시간을 조절하므로 제어전원을 일정하게 유지하는 제어회로로 구성되는 것을 특징으로 하는 스위치선로 전원회로.
- 청구항 1에 있어서,상기 제1스위칭소자는 교류입력단과 브리지다이오드 BD3의 입력단 사이에 연결된 트라이악 T2이며,상기 제2스위칭소자는 제어회로에 의해 턴온/오프되는 전계효과트랜지스터 FET1인 것을 특징으로 하는 스위치선로 전원회로.
- 청구항 2에 있어서, 상기 콘덴서 C4는 무부하시에는 무부하 전류를 흘려서 브리지다이오드 BD3에 인가시키는 역할을 하며, 동시에, 상기 트라이악 T2가 턴온/오프될 때에 스노버 역할을 하는 것을 특징으로 하는, 스위치선로 전원회로.
- 청구항 1에 있어서, 상기 제1스위칭소자 및 제2스위칭소자는 상기 제어회로에 의해 턴온/오프 제어되어 상기 브리지다이오드 BD3의 입력단을 단속하는 전계효과트랜지스터 Q1, Q2로서, 상호 병렬로 연결되는 것을 특징으로 하는, 스위치선로 전원회로.
- 청구항 1에 있어서, 상기 제1스위칭소자 및 제2스위칭소자는 상기 제어회로에 의해 턴온/오프 제어되어 상기 브리지다이오드 BD3의 입력단을 단속하는 전계효과트랜지스터 Q1, Q2로서, 상호 직렬로 연결되는 것을 특징으로 하는, 스위치선로 전원회로.
- 청구항 1에 있어서, 상기 제어회로는상기 브리지다이오드 BD3의 출력전류를 검출하는 전압감지 수단,감지된 전압을 기준전압과 비교하는 비교수단,상기 비교수단에서 출력되는 비교전압에 따라 상기 제2스위칭소자를 턴온/오프하는 구동회로로 구성되는 것을 특징으로 하는, 스위치선로 전원회로.
- 청구항 6에 있어서, 상기 비교수단은 비교기 IC인 것을 특징으로 하는, 스위치선로 전원회로.
- 청구항 6에 있어서, 상기 비교수단은 오차증폭기이며, 상기 제어회로는 오차증폭기로부터 출력되는 비교값의 크기에 따라 펄스폭을 변화시켜서 상기 구동회로의 출력신호를 제어하는 펄스폭변조기를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는, 스위치선로 전원회로.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2003-0003912A KR100521130B1 (ko) | 2003-01-21 | 2003-01-21 | 스위치선로 제어전원회로 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2003-0003912A KR100521130B1 (ko) | 2003-01-21 | 2003-01-21 | 스위치선로 제어전원회로 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20040066985A KR20040066985A (ko) | 2004-07-30 |
KR100521130B1 true KR100521130B1 (ko) | 2005-10-14 |
Family
ID=37356584
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR10-2003-0003912A KR100521130B1 (ko) | 2003-01-21 | 2003-01-21 | 스위치선로 제어전원회로 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100521130B1 (ko) |
-
2003
- 2003-01-21 KR KR10-2003-0003912A patent/KR100521130B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20040066985A (ko) | 2004-07-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4620835B2 (ja) | パルス幅変調制御装置 | |
US20110050130A1 (en) | Buck converter and method for providing a current for at least one led | |
JP2007014193A (ja) | デュアルゲート双方向hemtをもつ効率的な突入電流制限回路 | |
TWI434599B (zh) | A light-emitting element driving circuit | |
CN107736080B (zh) | 调光装置 | |
US7489531B2 (en) | Inverter with improved overcurrent protection circuit, and power supply and electronic ballast therefor | |
US6137233A (en) | Ballast circuit with independent lamp control | |
TWI618451B (zh) | 保護電路及配線器具 | |
US11343891B2 (en) | LED system for vehicle lighting having high efficiency and high reliability | |
JP7066060B2 (ja) | 駆動回路及び関連ランプ | |
KR100521130B1 (ko) | 스위치선로 제어전원회로 | |
US8488353B2 (en) | Control integrated circuit with combined output and input | |
JP2007329996A (ja) | スイッチング電源装置 | |
JP2004274824A (ja) | スイッチング電源装置 | |
CN111225478B (zh) | 开关组件保护电路 | |
JP4552849B2 (ja) | 2線式電子スイッチ | |
EP2028754B1 (en) | A dimmer with charge pump | |
JP4552850B2 (ja) | 2線式電子スイッチ | |
JP6101744B2 (ja) | スイッチング電源装置 | |
KR100301834B1 (ko) | 모니터의절전회로 | |
JP4251259B2 (ja) | スイッチング電源装置 | |
JP2007116873A (ja) | 電源装置 | |
KR100279629B1 (ko) | 소프트 스위칭 역률제어용 승압형 컨버터의 스위칭 회로 | |
CN112996185B (zh) | 固态光源驱动电路及应用其的投影机 | |
JP2599820Y2 (ja) | スイッチング電源装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120927 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130828 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140901 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150909 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160926 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170927 Year of fee payment: 13 |