KR100520378B1 - 액정표시소자의 금속 라인 형성방법 - Google Patents

액정표시소자의 금속 라인 형성방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100520378B1
KR100520378B1 KR1019980024346A KR19980024346A KR100520378B1 KR 100520378 B1 KR100520378 B1 KR 100520378B1 KR 1019980024346 A KR1019980024346 A KR 1019980024346A KR 19980024346 A KR19980024346 A KR 19980024346A KR 100520378 B1 KR100520378 B1 KR 100520378B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
metal line
liquid crystal
display device
crystal display
line
Prior art date
Application number
KR1019980024346A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20000003180A (ko
Inventor
정태균
강수웅
Original Assignee
비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 filed Critical 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사
Priority to KR1019980024346A priority Critical patent/KR100520378B1/ko
Publication of KR20000003180A publication Critical patent/KR20000003180A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100520378B1 publication Critical patent/KR100520378B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G02F1/136295—Materials; Compositions; Manufacture processes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

본 발명은 개구율을 향상시킬 수 있는 액정표시소자의 금속라인 형성방법을 개시한다. 개시된 본 발명에 따른 액정표시소자의 금속라인 형성방법은, 유리기판 상에 감광막을 도포하는 단계; 상기 도포된 감광막을 노광 및 현상한후 베이크하여 라인 형태를 가지면서 반원통형의 단면을 갖는 감광막패턴을 형성하는 단계; 및 상기 감광막패턴 상에 금속막을 증착하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

액정표시소자의 금속라인 형성방법
본 발명은 액정표시소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 개구율을 향상시킬 수 있는 액정표시소자의 금속라인 형성방법에 관한 것이다.
텔레비젼 및 그래픽 디스플레이 등의 표시 장치에 이용되는 액정표시소자(Liquid Crystal Display : 이하, LCD)는 CRT(Cathod-ray tube)를 대신하여 개발되어져 왔다. 특히, 매트릭스 형태로 배열된 각 화소마다 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor : 이하, TFT)가 구비되는 TFT-LCD는 고속 응답 특성을 갖는 잇점과 고화소수에 적합하다는 잇점 때문에 CRT에 필적할만한 화면의 고화질화 및 대형화, 컬러화 등을 실현하고 있다.
도 1은 종래 TFT-LCD의 단위 셀을 개략적으로 도시한 평면도로서, 도시된 바와 같이, 불투명 금속으로된 게이트라인(2) 및 데이터라인(4)이 수직 교차하도록 배열되며, 상기 게이트라인(2)과 데이터라인(4)에 의해 한정된 화소영역에는 ITO 금속으로된 화소전극(6)이 형성된다.
또한, 도시되지는 않았으나, 상기 게이트라인(2)과 데이터라인(4)의 교차부에 스위칭 소자인 TFT가 배치된다.
그러나, 상기와 같은 TFT-LCD는 통상 백라이트를 광원으로 사용하여 동작되는데, 이 경우에 불투명 금속으로된 게이트라인 및 데이터라인이 광을 차단시키는 블랙 매트릭스의 역할을 하기 때문에 전체적인 개구율이 저하되는 문제점이 있다.
또한, 게이트라인 및 데이터라인에 의해 감소된 개구율 만큼을 보상하기 위해서는 더 많은 전원전압이 요구되기 때문에 소비 전력이 증가되는 문제점도 있다.
한편, 개구율 향상을 위해서는 금속라인의 선폭을 감소시키면 되지만, 이 경우에는 금속라인의 저항이 증가되는 것에 기인하여 금속라인의 전기적 특성이 저하되기 때문에 금속라인의 선폭을 무한정 감소시킬 수는 없다.
따라서, 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 본 발명은, 금속라인의 선폭은 증대시키면서도 개구율을 향상시킬 수 있는 액정표시소자의 금속라인 형성방법을 제공하는데, 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 액정표시소자의 금속라인 형성방법은, 유리기판 상에 감광막을 도포하는 단계; 상기 도포된 감광막을 노광 및 현상한후 베이크하여 라인 형태를 가지면서 반원통형의 단면을 갖는 감광막패턴을 형성하는 단계; 및 상기 감광막패턴 상에 금속막을 증착하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 감광막은 PC335 또는 PC403 중에서 선택되는 어느 하나이다.
상기 PC335를 사용하여 감광막패턴을 형성하는 경우는 도포된 감광막을 120 내지 140℃의 온도에서 2 내지 3분간 1차 포스트 베이크한 후, 180 내지 230℃ 온도에서 30 내지 90분간 2차 베이크하는 방식으로 수행한다.
반면, 상기 PC403을 사용하여 감광막패턴을 형성하는 경우는 도포된 감광막을 120 내지 140℃의 온도에서 2 내지 3분간 1차 포스트 베이크한 후, 160 내지 210℃ 온도에서 30 내지 90분간 2차 베이크하는 방식으로 수행한다.
본 발명에 따르면, 금속라인을 반원통형으로 형성하기 때문에 실질적인 금속 라인의 선폭은 증가시키면서도 광차단 면적을 감소시킬 수 있다.
(실시예)
이하, 첨부한 도면에 의거하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명하도록 한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 액정표시소자의 금속라인 형성방법을 설명하기 위한 도면이다.
도시된 바와 같이, 게이트라인과 데이터라인과 같은 불투명 금속막으로된 금속라인을 형성함에 있어서, 우선, 유리기판(11) 상에 레진과 같은 감광성 수지로 이루어진 감광막을 도포한 후, 이를 노광 및 현상하고, 연이어, 소정 온도에서 베이크(bake)하여, 평면적으로 소정 폭의 라인 형태를 가지면서 반원통형의 단면을 갖는 감광막패턴(12)을 형성한다.
그런다음, 반원통형의 단면을 갖는 감광막패턴(12) 상에 금속막을 증착시켜 상기 감광막패턴(12)과 동일한 단면 형태, 즉, 반원통형의 단면을 갖는 금속라인(13)을 형성한다.
상기에서, 감광성 수지로는 경사 구조물을 형성하는데 매우 용이한 PC335, 또는, PC403를 이용한다. 여기서, 상기 PC335 및 PC403은 상용되고 있는 감광성 수지의 제품 번호이다.
이때, PC335를 사용하여 반원통형의 단면을 갖는 감광막패턴을 형성할 경우에는, 우선, 120 내지 140℃의 온도에서 2 내지 3분간 1차 포스트 베이크를 실시하고, 이어서, 180 내지 230℃ 온도에서 30 내지 90분간 2차 베이크를 실시한다.
반면, PC403을 사용하여 반원통형의 감광막패턴을 형성할 경우에는, 우선, 120 내지 140℃의 온도에서 2 내지 3분간 1차 포스트 베이크를 실시하고, 이어서, 160 내지 210℃ 온도에서 30 내지 90분간 2차 베이크를 실시한다.
상기와 같은 공정을 통해 형성된 반원통형의 단면을 갖는 본 발명에 따른 금속라인은 광차단 폭은 감소되고, 실질적인 금속라인의 선폭은 증가하게 된다.
자세하게, 도 3 및 하기에 나타낸 식 1의 공식을 참조하여 금속라인의 선폭을 100㎛ 정도로 설정하였을 때, 종래에는 금속라인에 의해 차단되는 광차단 폭이 상기 금속라인의 선폭과 동일한 100㎛가 되지만, 본 발명의 경우에는 선폭은 100㎛로 하면서도 광차단 폭은 대략 32㎛ 정도로 감소시킬 수 있게 된다.
원주 = 2πr ---- (식 1)
즉, 본 발명에 다른 반원통형의 금속라인의 경우에는 원주에 해당하는 길이가 실질적인 금속라인의 선폭이 되기 때문에 종래 보다는 광차단 폭을 감소시킬 수 있게 된다.
따라서, 이러한 방법으로 게이트라인 및 데이터라인들을 형성하게 되면, 원하는 정도의 선폭을 유지하면서도 광차단 폭을 감소시킬 수 있기 때문에 액정표시소자의 개구율을 향상시킬 수 있게 된다.
또한, 종래에는 게이트라인 및 데이터라인에 의해 발생되는 개구율의 감소를 공급 전압을 증가시키는 방법으로 보상하는 것에 기인하여 본 발명에 따른 금속 라인의 형성방법을 적용할 경우에는 소비 전력을 감소시킬 수 있는 장점을 얻게 된다.
이상, 여기에서는 본 발명의 특정 실시예에 대하여 설명하고 도시하였지만, 당업자에 의하여 이에 대한 수정과 변형을 할 수 있다. 따라서, 이하, 특허청구의 범위는 본 발명의 진정한 사상과 범위에 속하는 한 모든 수정과 변형을 포함하는 것으로 이해할 수 있다.
이상에서 설명된 바와 같이, 본 발명은 금속라인을 직선이 아닌 반원통형의 단면을 갖도록 형성하기 때문에 종래와 동일한 선폭을 유지하면서도 광차단 폭을 감소시킬 수 있으며, 이에 따라, 액정표시소자의 개구율을 향상시킬 수 있다.
또한, 개구율을 향상시킬 수 있기 때문에 증가분에 해당하는 만큼의 소비 전력을 감소시킬 수 있다.
게다가, 반원통형으로 금속라인을 형성하는 것에 기인하여 종래 보다 금속라인의 선폭을 더 증가시킬 수 있기 때문에 상기 금속라인의 전기적으로 특성을 향상시킬 수 있게 되어 고품위 제품의 제조가 가능해진다.
도 1은 종래 박막트랜지스터 액정표시소자의 단위 셀을 개략적으로 도시한 평면도.
도 2 및 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 액정표시소자의 금속라인 형성방법을 설명하기 위한 도면.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
11 : 유리기판 12 : 감광막 패턴
13 : 금속 라인

Claims (4)

  1. 유리기판 상에 감광막을 도포하는 단계;
    상기 도포된 감광막을 노광 및 현상한후 베이크하여 라인 형태를 가지면서 반원통형의 단면을 갖는 감광막패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 감광막패턴 상에 금속막을 증착하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 금속라인 형성방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 감광막은 PC335 또는 PC403 중에서 선택되는 하나인 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 금속라인 형성방법.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 PC335를 사용하여 감광막패턴을 형성하는 경우는
    도포된 감광막을 120 내지 140℃의 온도에서 2 내지 3분간 1차 포스트 베이크한 후, 180 내지 230℃ 온도에서 30 내지 90분간 2차 베이크하는 방식으로 수행하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 금속라인 형성방법.
  4. 제 2 항에 있어서, 상기 PC403을 사용하여 감광막패턴을 형성하는 경우는,
    도포된 감광막을 120 내지 140℃의 온도에서 2 내지 3분간 1차 포스트 베이크한 후, 160 내지 210℃ 온도에서 30 내지 90분간 2차 베이크하는 방식으로 수행하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 금속라인 형성방법.
KR1019980024346A 1998-06-26 1998-06-26 액정표시소자의 금속 라인 형성방법 KR100520378B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019980024346A KR100520378B1 (ko) 1998-06-26 1998-06-26 액정표시소자의 금속 라인 형성방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019980024346A KR100520378B1 (ko) 1998-06-26 1998-06-26 액정표시소자의 금속 라인 형성방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20000003180A KR20000003180A (ko) 2000-01-15
KR100520378B1 true KR100520378B1 (ko) 2006-01-12

Family

ID=19540929

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019980024346A KR100520378B1 (ko) 1998-06-26 1998-06-26 액정표시소자의 금속 라인 형성방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100520378B1 (ko)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR930002856A (ko) * 1991-07-22 1993-02-23 김광호 액정표시장치의 금속배선 방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR930002856A (ko) * 1991-07-22 1993-02-23 김광호 액정표시장치의 금속배선 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR20000003180A (ko) 2000-01-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101114119B (zh) 多色调光掩模及其制法和基于此的薄膜晶体管基底的制法
US5886761A (en) Process for producing actively addressing substrate, and liquid crystal display
KR100336884B1 (ko) 박막트랜지스터액정표시소자
JP2000002889A (ja) 液晶表示装置
JP2000155343A (ja) 液晶表示装置
US20050195343A1 (en) Liquid crystal display panel
US7982218B2 (en) TFT array substrate and method for forming the same
KR20020088272A (ko) 액정표시장치용 어레이 기판 및 그의 제조방법
KR100754126B1 (ko) 액정표시장치 어레이 기판 및 그 제조방법
JP3072984B2 (ja) 液晶表示装置
US6037084A (en) Method of making a color filter plate with multi-gap for LCD
US20160342037A1 (en) Liquid crystal display panel and manufacturing method thereof
US7588975B2 (en) Method of manufacturing pixel structure
KR100754128B1 (ko) 액정표시장치 어레이 기판 및 그 제조방법
KR100520378B1 (ko) 액정표시소자의 금속 라인 형성방법
KR20000004422A (ko) 고개구율 액정표시소자의 화소전극 형성방법
KR100648218B1 (ko) 고개구율 컬러 액정표시장치
KR100623443B1 (ko) 멀티 도메인 액정 표시소자
KR100827853B1 (ko) 고개구율 액정표시장치의 제조방법
KR20050070326A (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법
KR100453364B1 (ko) 블랙매트릭스가 제거된 고개구율 액정표시장치
KR101002470B1 (ko) 액정표시장치 제조방법
KR100205869B1 (ko) 스태거형 박막트랜지스터의 제조방법과 그 구조
KR100569262B1 (ko) 액정표시소자의 제조방법
KR100466393B1 (ko) 액정표시소자의 박막트랜지스터

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120906

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130911

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140919

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150918

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160920

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170921

Year of fee payment: 13

EXPY Expiration of term