KR100513436B1 - Thin film removing apparatus - Google Patents
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Abstract
기판 표면의 둘레가장자리부에 대하여 용제를 내뿜어, 이에 따라 기판표면의 둘레가장자리부를 덮는 불필요한 박막(薄膜)을 제거하는 박막 제거장치로서, 기판 표면의 둘레가장자리부에 대향하여 배치되는 용제토출부재(63,64)와, 이 용제토출부재내에 설치되어, 용제를 대기시키기 위한 용제대기부(65)와, 상기 용제토출부재의 상기 기판 표면의 둘레가장자리부에 대향하는 면으로 개구하여, 상기 용제대기부와 연통하는 토출구멍(67)과, 상기 용제토출부재의 상기 용제대기부에 대하여 용제를 소정의 압력으로 공급하고, 그에 따라 상기 토출구멍으로부터 용제를 토출시켜 상기 기판 표면의 둘레가장자리부를 덮는 불필요한 박막을 제거하는 용제공급부(71,73)를 가진다.A thin film removal device that blows out a solvent to a peripheral edge of a substrate surface and thus removes an unnecessary thin film covering the peripheral edge of the substrate surface, wherein the solvent discharge member 63 is disposed to face the peripheral edge of the substrate surface. 64, a solvent holding part 65 provided in the solvent discharging member for opening the solvent, and opening to a surface facing the peripheral portion of the substrate surface of the solvent discharging member, wherein the solvent holding portion And an unnecessary thin film for supplying a solvent at a predetermined pressure to the discharge hole 67 in communication with the solvent discharge portion of the solvent discharge member, thereby discharging the solvent from the discharge hole to cover a peripheral edge of the substrate surface. It has a solvent supply portion (71, 73) for removing.
Description
본 발명은, 예컨대 사각형 LCD 기판의 가장자리에 부착된 불필요한 레지스트막(resist film)을 제거하기 위한 박막(薄膜)제거장치에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thin film removing apparatus for removing an unnecessary resist film attached to an edge of a rectangular LCD substrate, for example.
일반적으로, 액정표시장치(LCD)의 제조공정에 있어서는, 유리기판(glass substrate)의 표면에 예를 들어 ITO(Indium Tin Oxide)의 박막이나 회로패턴 (Circuit pattern)을 형성하기 위해서, 반도체제조공정의 경우와 같은 포토리소그래피기술(photo-lithography technique)이 이용된다. 즉, LCD의 제조공정에서는, 레지스트액 도포처리에 의해 유리기판의 표면에 레지스트액이 도포되고, 노광처리에 의해 유리기판상의 레지스트막에 회로패턴이 노광되며, 현상처리에 의해 레지스트막에 노광된 회로패턴이 현상된다. In general, in the manufacturing process of a liquid crystal display (LCD), in order to form a thin film or circuit pattern of, for example, indium tin oxide (ITO) on a surface of a glass substrate, a semiconductor manufacturing process A photo-lithography technique as in the case of is used. That is, in the LCD manufacturing process, the resist liquid is applied to the surface of the glass substrate by the resist liquid coating process, the circuit pattern is exposed to the resist film on the glass substrate by the exposure process, and the resist film is exposed to the resist film by the developing process. The circuit pattern is developed.
여기서 레지스트액 도포처리를 행할 때에는, 소위 스핀코팅방법(spin coating method)이 널리 채용되고 있다. 이 방법은, 처리용기내에 설치된 스핀척 (spin chuck)상에 기판을 유지하여 고속으로 회전시키는 것으로, 기판상에 공급된 용제와 감광성수지로 이루어지는 레지스트액(resist liquid)을 원심력에 의해서 확산시킨다. 이에 따라 기판의 전체면에 걸쳐서 균일한 두께의 레지스트막을 형성하는 것이다. When performing a resist liquid coating process, what is called a spin coating method is widely employ | adopted here. In this method, a substrate is held on a spin chuck installed in a processing container and rotated at a high speed, whereby a resist liquid made of a solvent and a photosensitive resin supplied on the substrate is diffused by centrifugal force. As a result, a resist film having a uniform thickness is formed over the entire surface of the substrate.
그런데, 스핀 코팅방식으로 레지스트액 도포처리를 행하였을 경우, 도포직후에 있어서의 막두께는 균일하지만, 시간이 경과하면 균일성을 잃을 가능성이 있다. 예를 들어, 스핀척의 회전이 정지하여 원심력이 작용하지 않게 된 후, 표면장력의 영향에 의해 기판 둘레가장자리부의 레지스트액이 부풀어오르게 되어 두꺼워지는 경우가 있다. 또한, 기판의 표면에 공급된 레지스트액이 기판의 아래면 둘레가장자리부로 돌아 들어가 불필요한 막이 형성되는 경우도 있다. By the way, when a resist liquid coating process is performed by the spin coating method, the film thickness immediately after application | coating is uniform, but there exists a possibility that it may lose uniformity over time. For example, after the rotation of the spin chuck is stopped and the centrifugal force is not applied, the resist liquid may swell due to the influence of the surface tension, resulting in thickening. Moreover, the resist liquid supplied to the surface of a board | substrate may return to the edge part of the lower surface of a board | substrate, and an unnecessary film may be formed.
이와 같이 기판의 둘레가장자리부에 불균일한 막이 형성되면, 회로패턴 등의 현상시에 둘레가장자리부의 레지스트(resist)가 완전히 제거되지 않고 잔존하게 되어, 그 후의 처리에 악영향을 주거나, 또는 반송중에 잔존한 레지스트가 벗겨져 파티클(particle)발생의 원인이 될 우려가 있다. If a nonuniform film is formed at the periphery of the substrate as described above, the resist at the periphery of the periphery is not completely removed at the time of development of the circuit pattern or the like, which adversely affects subsequent processing or remains during transportation. There is a fear that the resist may peel off and cause particle generation.
이 때문에, 종래에는 레지스트액 도포후에 에지리무버(edge-remover)로 불리는 장치를 사용하여 기판 둘레가장자리부의 불필요한 레지스트막을 제거하는 처리가 행하여지고 있다. For this reason, conventionally, the process of removing the unnecessary resist film of the peripheral part of a board | substrate is performed using the apparatus called an edge remover after application | coating of a resist liquid.
여기서, 종래의 에지리무버(둘레가장자리부 레지스트막 제거장치)는, 도 12에 (101)로 나타낸 바와 같은 구성을 가지고 있다. 이 장치(101)는 노즐헤드 (102:nozzle-head)를 가지며, 이 노즐헤드(102)는 상부 헤드(head) 구성재(102a)와 하부 헤드(head) 구성재(102b)를 가지며, 이들을 상하방향으로 대향시키고 있다. 또한, 이 노즐헤드(102)는 노즐헤드(102)의 기초단부 측으로 통하는 흡인구(103)를 가지고 있다. Here, the conventional edge remover (circumferential resist film removing apparatus) has a structure as shown by 101 in FIG. The apparatus 101 has a nozzle head 102, which has an upper head component 102a and a lower head component 102b, which are moved up and down. Facing each other. The nozzle head 102 also has a suction port 103 that leads to the base end side of the nozzle head 102.
그리고 상부 헤드 구성재(102a)와 하부 헤드 구성재(102b)에는, 상부 헤드 구성재(102a)와 하부 헤드 구성재(102b) 사이의 처리공간(S) 내에 기판(G)의 가장자리를 위치시켰을 때에, 불필요한 막을 제거하는 부분을 향하여 용제를 토출시키기 위한 니들노즐(104:needle nozzle)이 고정되어 있다. 이들 각 니들노즐(104)에는, 별개로 설치한 예를 들면 탱크(105:tank)등의 용제공급원으로부터, 질소가스 (N2gas)에 의한 압송에 의해 용제가 소정압력으로 공급되도록 되어 있다.When the edge of the substrate G is positioned in the processing space S between the upper head component 102a and the lower head component 102b, an unnecessary film is applied to the upper head component 102a and the lower head component 102b. A needle nozzle 104 for discharging the solvent toward the part to be removed is fixed. Each of these needle nozzles 104 is supplied with a solvent at a predetermined pressure by pressurization with nitrogen gas (N 2 gas) from a solvent supply source such as a tank 105 (tank) separately provided.
이 니들노즐(104)은, 가는 선재 속에 토출구와 동일한 직경의 유통부(도시하지 않음)가 형성되어 이루어진 중공(中空)구조이다. 일반적으로 사용되고 있는 니들노즐(104)의 토출구의 직경은 약 260㎛ 정도이다. 그리고 탱크(105)에 가해지는 질소가스의 압력은 약 1kg/cm2 정도이며, 이에 따라 매분 4Occ 정도의 용제가 기판 (G)의 이면 및 표면의 둘레가장자리부에 대하여 토출되어, 불필요한 레지스트막이 용해되어 기판상에서 제거되도록 되어 있다. 또 토출된 용제나 용해된 레지스트액은, 상기 흡인구(103)로부터 흡인되어 외부로 배출되도록 되어 있다.This needle nozzle 104 is a hollow structure in which a distribution part (not shown) having the same diameter as the discharge port is formed in a thin wire. The diameter of the discharge port of the needle nozzle 104 which is generally used is about 260 micrometers. The pressure of the nitrogen gas applied to the tank 105 is about 1 kg / cm 2 , whereby about 40 cc of solvent is discharged per minute to the peripheral edges of the back surface and the surface of the substrate G, thereby dissolving unnecessary resist films. To be removed on the substrate. The discharged solvent and the dissolved resist liquid are sucked from the suction port 103 and discharged to the outside.
그리고 실제로 기판(G) 둘레가장자리부의 불필요한 막을 제거함에 있어서는, 도 13에 나타낸 바와 같이, 기판(G) 4변의 각 가장자리에 각각 에지 리무버(101)를 배치하여, 각 변의 길이 방향을 따라 이동시키면서, 상기 니들노즐(104)로부터 용제를 둘레가장자리부에 토출시켜, 각 변의 모든 둘레가장자리부의 불필요한 막을 제거하도록 하고 있다. And in actually removing the unnecessary film | membrane of the periphery of the board | substrate G, as shown in FIG. 13, the edge remover 101 is arrange | positioned at each edge of four sides of the board | substrate G, respectively, moving along the longitudinal direction of each side, The solvent is discharged from the needle nozzle 104 to the peripheral edge to remove unnecessary membranes of all peripheral edges of each side.
그런데, 레지스트막의 제거에 사용하는 용제는, 휘발성이 매우 높기 때문에, 휘발된 증기가 주위로 확산하여 버린다. 이 때문에, 안전성의 관점에서, 사용하는 용제는 될 수 있는 한 소량으로 억제할 필요가 있다. 또한 용제의 사용량을 저감시키는 것은 러닝 코스트(running cost)도 저감되게 되어, 이 관점에서도 바람직하다. By the way, since the solvent used for removal of a resist film has very high volatility, volatilized vapor will diffuse to surroundings. For this reason, from the viewpoint of safety, it is necessary to suppress the solvent to be used in as small amount as possible. Reducing the amount of the solvent used also reduces the running cost, which is preferable from this viewpoint.
용제의 사용량을 저감시키기 위해서는, 예를 들면 질소가스에 의한 가압의 압력을 낮게 하여 토출량을 줄이는 것을 고려할 수 있다. 그러나, 종래의 니들노즐 (104)은, 유로의 내부저항에 의한 압력손실이 크기 때문에, 질소가스에 의한 가압력을 낮게 하면, 토출압력 및 토출속도가 대폭 낮아진다. 이 때문에, 예컨대 도 12에 점선으로 나타낸 바와 같이, 토출된 용제가 흡인구(103)측으로 비스듬하게 빨려 들어가는 모양으로 토출되어, 원하는 장소에 정확하게 내뿜어지지 않을 가능성이 있었다. In order to reduce the amount of solvent used, for example, it is possible to reduce the discharge amount by lowering the pressure of pressurization by nitrogen gas. However, in the conventional needle nozzle 104, since the pressure loss due to the internal resistance of the flow path is large, when the pressing force by nitrogen gas is lowered, the discharge pressure and the discharge speed are significantly lowered. For this reason, as shown by the dotted line, for example in FIG. 12, the discharged solvent was discharged in the shape which obliquely sucks to the suction port 103 side, and there was a possibility that it was not sprayed correctly to a desired place.
니들노즐(104)내의 유통부 및 토출구의 직경을 작게 하려고 해도 가공상의 한계가 있고, 또한 내부저항에 의한 압력손실의 문제가 여전히 남아 있어, 안정된 압력하에서 토출시키는 것은 곤란하였다. Even when trying to reduce the diameters of the distribution part and the discharge port in the needle nozzle 104, there are limitations in processing and the problem of pressure loss due to internal resistance still remains, and it is difficult to discharge under a stable pressure.
이상의 점에서, 상기 종래 기술로서는, 용제의 사용량을 단순히 저감시키는 것은 곤란하였다. In view of the above, it was difficult to simply reduce the amount of solvent used as the conventional technique.
본 발명은, 이러한 점을 감안하여 이루어진 것으로서, 흡인구에서의 흡인구성을 바꾸거나, 질소가스의 가압에 의한 공급계 자체를 바꾸지 않고, 용제를 기판의 소정의 둘레가장자리부에 대하여 직각으로 토출시킬 수 있고, 또한 용제의 사용량을 대폭 저감시킬 수 있는 신규의 박막 제거장치를 제공하여 문제의 해결을 도모하는 것을 그 목적으로 하고 있다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of this point, and the solvent can be discharged at right angles to a predetermined circumferential edge of the substrate without changing the suction structure at the suction port or changing the supply system itself by pressurization of nitrogen gas. It is an object of the present invention to provide a novel thin film removing apparatus which can significantly reduce the amount of solvent used, and to solve the problem.
상기 종래의 기술에서 큰 문제가 되고 있는 것은, 니들노즐을 사용함에 의한 압력손실 및 미소한 직경의 토출구멍을 형성하는 가공상의 문제이다. 그래서 발명자들은, 그와 같은 니들노즐을 사용하지 않고, 용제를 토출시키는 구성을 채용하였다. A major problem in the above-described prior art is a problem in processing for forming a pressure drop and a small diameter discharge hole by using a needle nozzle. Therefore, the inventors adopted the structure which discharges a solvent, without using such a needle nozzle.
먼저 본 발명에 의하면, 기판 표면의 둘레가장자리부에 대하여 용제를 내뿜어, 이것에 의해 기판 표면의 둘레가장자리부를 덮는 불필요한 박막을 제거하는 박막 제거장치로서, 기판 표면의 둘레가장자리부에 대향하여 배치되는 용제토출부재와, 이 용제토출부재내에 설치되어 용제를 대기시키기 위한 용제대기부와, 상기 용제토출부재의 상기 기판 표면의 둘레가장자리부에 대향하는 면으로 개구하여 상기 용제대기부와 연통하는 토출구멍과, 상기 용제토출부재의 상기 용제대기부에 대하여 용제를 소정 압력으로 공급하고, 그에 따라 상기 토출구멍으로부터 용제를 토출시켜 상기 기판 표면의 둘레가장자리부를 덮는 불필요한 박막을 제거하는 용제공급부를 가진 장치가 제공된다. First, according to the present invention, there is provided a thin film removing device that blows out a solvent to a peripheral edge of a substrate surface, thereby removing an unnecessary thin film covering the peripheral edge of the substrate surface, wherein the solvent is disposed to face the peripheral edge of the substrate surface. A discharge member, a solvent holding portion provided in the solvent discharging member to hold the solvent, and a discharge hole communicating with the solvent holding portion by opening to a surface facing the peripheral edge portion of the substrate surface of the solvent discharging member; And a solvent supply portion for supplying a solvent to the solvent atmospheric portion of the solvent discharge member at a predetermined pressure, thereby discharging the solvent from the discharge hole to remove an unnecessary thin film covering the peripheral edge of the substrate surface. do.
이 박막 제거장치에 있어서는, 예를 들어 상기한 노즐헤드와 같은 토출부재 자체에 용제대기부를 설치하고, 이 용제대기부에 있어서의 기판측 면에 토출구멍을 형성하였으므로, 용제공급원에서 공급된 용제는, 용제대기부에서 버퍼(buffer)되어 토출구멍으로부터 토출된다. 따라서, 토출구멍과 용제대기부 사이의 거리를 짧게 설정하여도, 안정된 압력으로 용제가 토출되어, 압력손실도 대폭 억제할 수 있다. 또한 토출구멍은, 구멍을 용제대기부에 있어서의 기판측 면에 뚫어서 설치하는 것만으로 가공이 완료되므로, 종래보다도 작은 직경의 토출구멍을 형성하는 것이 용이하다. 따라서, 종래의 토출압력하에서 토출구멍의 직경을 작게 하여 용제의 토출량을 저감시켜도, 토출된 용제가 흡인구측으로 빨려 들어가 버리는 일은 없다. In this thin film removing apparatus, for example, a solvent standby portion is provided in the discharge member itself, such as the nozzle head, and a discharge hole is formed in the substrate side surface of the solvent standby portion, so that the solvent supplied from the solvent supply source It is buffered at the solvent atmospheric portion and discharged from the discharge hole. Therefore, even if the distance between the discharge hole and the solvent standby portion is set short, the solvent is discharged at a stable pressure, and the pressure loss can be greatly suppressed. In addition, since the discharge hole is completed by simply drilling the hole on the substrate side surface in the solvent standby portion, it is easy to form a discharge hole having a smaller diameter than in the prior art. Therefore, even if the diameter of the discharge hole is reduced under the conventional discharge pressure to reduce the discharge amount of the solvent, the discharged solvent is not sucked into the suction port side.
여기서 1의 실시형태에 의하면, 상기 장치는, 상기 용제토출부재를 기판의 둘레가장자리부를 따라 이동시키는 이동기구를 가지며, 이 이동기구는, 상기 용제토출부재를 기판의 둘레가장자리부를 따라 이동시킬 때마다, 이 토출부재에 의한 용제의 토출위치를 변화시키는 것이다. According to the embodiment 1, the apparatus has a moving mechanism for moving the solvent discharging member along the circumferential edge of the substrate, which moves each time the solvent discharging member is moved along the circumferential edge of the substrate. The discharge position of the solvent by this discharge member is changed.
이러한 구성에 의하면, 불필요한 레지스트막을 기판(G)의 안쪽에서 바깥쪽을 향하여 제거해 갈 수 있다. 이 경우, 용제의 토출위치가 변경되므로, 잔류 레지스트막의 가장자리가 용제를 흡수하여 부풀어오르는 현상(팽윤)을 효과적으로 방지할 수 있는 효과가 있다. According to this structure, an unnecessary resist film can be removed from the inside of the substrate G to the outside. In this case, since the discharging position of the solvent is changed, there is an effect that the phenomenon (swelling) of the edge of the residual resist film absorbing the solvent and swelling can be effectively prevented.
1의 실시형태에 의하면, 상기 장치는, 상기 용제토출부재를 기판의 둘레가장자리부를 따라 이동시키는 이동기구를 가지며, 상기 토출구멍은 복수로 형성되고, 이 복수의 토출구멍은, 이동방향의 앞쪽에서 뒤쪽을 향하여 소정 간격으로 설치되어 있다. According to one embodiment, the apparatus has a moving mechanism for moving the solvent discharging member along the periphery of the substrate, wherein the discharge holes are formed in plural, and the plurality of discharge holes are located in the front of the moving direction. It is provided at a predetermined interval toward the rear side.
이러한 구성에 의하면, 불필요한 레지스트막의 제거능력을 높일 수 있다. According to such a structure, the removal ability of an unnecessary resist film can be improved.
1의 실시형태에 의하면, 상기 장치는, 상기 토출구멍이, 이동방향의 앞쪽에서 뒤쪽을 향하여 소정 간격으로 설치되고, 또한, 점차 기판의 가장자리에 근접하도록 배치되어 있다. According to 1 embodiment, the said discharge hole is arrange | positioned so that the said discharge hole may be provided at predetermined intervals toward the back from the front of a movement direction, and is gradually approaching the edge of a board | substrate gradually.
이러한 구성에 의하면, 불필요한 레지스트막을 기판(G)의 안쪽에서 바깥쪽을 향하여 제거해 갈 수 있다. 이 경우, 용제의 토출위치가 변경되므로, 잔류 레지스트막의 가장자리가 용제를 흡수하여 부풀어오르는 현상(팽윤)을 효과적으로 방지할 수 있는 효과가 있다. According to this structure, an unnecessary resist film can be removed from the inside of the substrate G to the outside. In this case, since the discharging position of the solvent is changed, there is an effect that the phenomenon (swelling) of the edge of the residual resist film absorbing the solvent and swelling can be effectively prevented.
1의 실시형태에 의하면, 상기 장치는, 상기 기판의 이면에 대향하는 이면세정기구를 더욱 가진다. According to 1 embodiment, the said apparatus further has a back surface washing | cleaning mechanism which opposes the back surface of the said board | substrate.
이러한 구성에 의하면, 이면의 오염을 동시에 제거하는 것이 가능하다. According to such a structure, it is possible to remove the contamination of the back surface simultaneously.
1의 실시형태에 의하면, 상기 용제대기부는, 상기 용제토출부재에 형성되어 상기 기판에 대향하는 쪽으로 개구하는 오목부(convex portion)와, 이 오목부의 개구를 용제가 흘러나오지 않도록 폐쇄하고, 또한 상기 토출구멍이 형성되어 있는 박판을 가진다. According to one embodiment, the solvent holding portion is formed in the solvent discharging member and is closed with a convex portion opening toward the substrate and the opening is closed to prevent the solvent from flowing out. It has a thin plate in which discharge holes are formed.
이와 같이 구성하면, 간단하게 상기 작용효과를 발휘하는 용제대기부를 실현할 수 있다. 또한 토출구멍은 박판에 뚫어서 설치하여 형성한 것이기 때문에, 토출구멍의 길이는 박판의 두께 정도가 되어, 토출할 때의 토출구멍 내부에서의 저항에 의한 압력손실을 거의 없애는 것이 가능하다. In such a configuration, it is possible to easily realize the solvent atmosphere having the above-described effects. In addition, since the discharge hole is formed by drilling a thin plate, the length of the discharge hole is about the thickness of the thin plate, and it is possible to almost eliminate the pressure loss due to the resistance inside the discharge hole during discharge.
이 경우, 상기 박판은, 용제토출부재에 대하여 장착 및 이탈이 자유로운 것이 바람직하다. 또한, 상기 박판은, 금속제인 것이 바람직하다. In this case, the thin plate is preferably free to be attached to or detached from the solvent discharging member. Moreover, it is preferable that the said thin plate is made of metal.
1의 실시형태에 의하면, 상기 박판의 기판에 대향하는 면의 일부 또는 전부가 수지성의 커버로 덮여져 있는 것이 바람직하다. According to 1 embodiment, it is preferable that one part or all part of the surface which opposes the said board | substrate of the said thin plate is covered with the resinous cover.
이러한 구성에 의하면, 수지는 금속보다도 열전도율이 낮으므로, 상기 증발잠열에 의한 토출구 근방의 온도저하를 억제하는 것이 가능하게 된다. According to such a structure, since resin has lower thermal conductivity than metal, it becomes possible to suppress the temperature fall of the discharge port vicinity by the said latent heat of vaporization.
(발명의 실시형태)Embodiment of the Invention
이하, 첨부도면을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시형태를 설명한다. EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, preferred embodiment of this invention is described, referring an accompanying drawing.
본 실시형태의 장치는, 도포현상처리장치내에 조립된 도포·둘레가장자리부 제거장치내의 제거부에 설치되는 것이다. 도 1은 도포현상처리장치의 외관사시도를, 도 2는 도포현상처리장치의 평면도를 나타내는 것이다. The apparatus of this embodiment is provided in the removal part in the application | coating and peripheral edge removal apparatus assembled in the application | coating development apparatus. 1 is an external perspective view of a coating and developing apparatus, and FIG. 2 is a plan view of the coating and developing apparatus.
도포현상처리장치(1)는 도 1, 2에 나타낸 바와 같이, 예를 들면 사각형 형상의 LCD용 기판(G)을 반입 및 반출하는 로더(loader)부(2)와, 기판(G)을 처리하는 제 1 처리부(3)와, 이 제 1 처리부(3)와 인터페이스(interface)부(4)를 통해 연결된 제 2 처리부(5)와, 이 제 2 처리부(5)와 노광장치(도시하지 않음)와의 사이에서 기판(G)을 주고받기 위한 인터페이스부(7)를 구비하고 있다. As shown in Figs. 1 and 2, the coating and developing apparatus 1 processes, for example, a loader section 2 for loading and unloading a rectangular LCD substrate G and a substrate G. A first processing unit 3, a second processing unit 5 connected via the first processing unit 3 and an interface unit 4, the second processing unit 5 and an exposure apparatus (not shown). ) Is provided with an interface unit 7 for exchanging the substrate G therebetween.
로더부(2)에는 카세트(cassette) 재치대(10)가 설치되어 있으며, 이 카세트 재치대(10)에는, 예컨대 미처리의 기판(G)을 수납하는 카세트(11,11)와, 처리가 완료된 기판(G)을 수납하는 카세트(12,12)를, 각각 기판(G)의 출입구가 제 1 처리부 (3)측으로 향하게 한 상태로 일렬로 얹어 놓을 수 있도록 되어 있다. 또한 로더부 (2)에는 기판(G)을 상기 카세트(11,12)에 대하여 삽입 및 이탈시켜 반송하기 위한 부반송장치(13)가 구비되어 있다. The cassette mounting base 10 is provided in the loader part 2, The cassette mounting base 10 has the cassettes 11 and 11 which accommodate the unprocessed board | substrate G, for example, and the process is completed. Cassettes 12 and 12 for accommodating the substrate G can be placed in a line with the entrances and exits of the substrate G facing the first processing unit 3 side, respectively. Furthermore, the loader part 2 is equipped with the sub conveyance apparatus 13 for inserting and removing board | substrate G with respect to the said cassettes 11 and 12, and conveying it.
이 부반송장치(13)는 반송 레일(13a)을 따르는 방향(Y 방향)과, 각 카세트 (11,12)내의 기판(G)의 수납방향(Z방향; 수직방향)으로 이동이 자유로우며, 또한 θ방향으로도 회전이 자유롭도록 구성되어 있다. This sub-carrier 13 is free to move in the direction (Y direction) along the conveyance rail 13a, and the storage direction (Z direction; vertical direction) of the board | substrate G in each cassette 11, 12, Moreover, it is comprised so that rotation is free in the (theta) direction.
한편, 상기 제 1 처리부(3)에는, 기판(G)에 대하여 소정의 처리를 실시하는 각종 처리장치가 주반송장치(15)의 반송레일(16)을 사이에 두고 양쪽에 배치되어 있다. 즉, 반송레일(16)의 한쪽에는, 각 카세트(11,11)로부터 꺼내어진 기판(G)을 세정하는 스크러버(scrubber) 세정장치(17)와, 기판(G)에 대하여 현상처리를 실시하는 현상처리장치(18)가 나란히 배치되고, 반송레일(16)의 다른쪽에는 자외선 오존(ozone) 세정장치(19)와, 기판(G)을 냉각처리하는 냉각처리장치(20,21)와, 기판 (G)을 가열처리하는 가열처리장치(22)가 적절히 다단으로 배치되어 있다. 이들 각종 처리장치에 대한 기판(G)의 반입 및 반출은 주반송장치(15)에 장착된 반송아암 (15a)에 의해 행하여진다. 또, 이 제 1 처리부(3)와 후술하는 제 2 처리부(5)와의 사이에 형성된 상기 인터페이스부(4)에는, 기판(G)을 자유롭게 얹어놓는 받아넘김대(23)가 구비되어 있다. On the other hand, in the said 1st process part 3, the various processing apparatuses which perform predetermined process with respect to the board | substrate G are arrange | positioned on both sides with the conveyance rail 16 of the main conveyance apparatus 15 interposed. That is, one side of the conveyance rail 16 is a scrubber cleaning device 17 for cleaning the substrate G taken out from the cassettes 11 and 11, and a development treatment is performed on the substrate G. The developing processing apparatus 18 is arranged side by side, and the other side of the conveyance rail 16 is the ultraviolet ozone washing apparatus 19, the cooling processing apparatus 20 and 21 which cool-processes the board | substrate G, The heat treatment apparatus 22 for heat-processing the board | substrate G is arrange | positioned suitably in multistage. Loading and unloading of the board | substrate G with respect to these various processing apparatuses is performed by the conveyance arm 15a attached to the main conveying apparatus 15. As shown in FIG. Moreover, the said interface part 4 formed between this 1st process part 3 and the 2nd process part 5 mentioned later is equipped with the tread stand 23 which mounts the board | substrate G freely.
또한, 제 2 처리부(5)에는, 주반송장치(25)의 반송레일(26)을 사이에 두고 한쪽에 도포·둘레가장자리부 제거장치(27)가 배치되고, 이 반송레일(26)을 사이에 두고 다른 쪽에는 기판(G)에 소수화처리를 실시하는 소수화처리장치(28)와, 기판 (G)을 냉각하는 냉각처리장치(29)와, 가열처리장치(30,30)가 다단으로 배치되어 있다. 또, 상기 주반송장치(25)에는 제 2 처리부(5)에 속하는 각종처리장치에 기판(G)을 반입 및 반출하는 반송아암(25a)이 장착되어 있다. Moreover, in the 2nd process part 5, the application | coating and peripheral edge removal apparatus 27 is arrange | positioned at one side with the conveyance rail 26 of the main conveyance apparatus 25 interposed, and this conveyance rail 26 On the other side, the hydrophobization processing apparatus 28 which hydrophobizes the board | substrate G, the cooling processing apparatus 29 which cools the board | substrate G, and the heat processing apparatus 30 and 30 are arrange | positioned in multiple stages. It is. The main transport device 25 is also equipped with a transport arm 25a for carrying in and transporting the substrate G to various processing devices belonging to the second processing unit 5.
인터페이스부(7)에는 도포현상처리장치(1)와 노광장치(도시하지 않음)와의 택트(tact)를 조정하기 위해서, 기판(G)을 일시적으로 수납하여 대기시키는 카세트 (31,31)와, 기판(G)을 자유롭게 얹어 놓는 받아넘김대(32)와, 각 카세트(31,31), 받아넘김대(32), 상기 노광장치에 대하여 기판(G)의 반송이 자유로운 부반송장치 (33)가 장착되어 있다. The interface unit 7 includes cassettes 31 and 31 which temporarily receive and hold the substrate G in order to adjust the tact between the coating and developing apparatus 1 and the exposure apparatus (not shown), Sub-carrier 33 freely conveys substrate G to the substrate G, the cassette 32, the cassette 32, the apparatus 32, and the exposure apparatus. Is equipped.
다음에, 도포·둘레가장자리부 제거장치(27)의 상세한 내용에 대하여 도 3 이하를 참조하여 설명한다. Next, the detail of the coating | coating edge removal apparatus 27 is demonstrated with reference to FIG.
이 도포·둘레가장자리부 제거장치(27)는, 케이싱(27a)내에, 레지스트 도포부(41)와, 둘레가장자리부 제거부(51)가 인접하여 배치되어 있다. In the coating and peripheral edge removing device 27, a resist coating portion 41 and a peripheral edge removing portion 51 are disposed adjacent to the casing 27a.
레지스트 도포부(41)는, 처리용기로서의 회전컵(42)을 가지며, 이 컵부(42)내에 설치된 스핀척(43)상에 상기 기판(G)을 흡착유지한다. 그리고, 이 레지스트 도포부(4)는, 상기 기판(G)의 중심 윗쪽으로 레지스트노즐(44)을 이동시켜 레지스트액을 공급하고, 스핀척(43)을 고속으로 회전시킴으로써, 기판(G)상의 레지스트액을 원심력에 의해서 확산시킨다. 이리 하여, 기판(G)의 전체면에 얇고 균일한 두께로 레지스트액을 도포한다. 레지스트액이 도포된 기판(G)은, 반송레일(45)을 따라 이동하는 한 쌍의 반송아암(46)에 의해서 둘레가장자리부 제거부(51)에 반송된다. The resist coating part 41 has a rotating cup 42 as a processing container, and adsorbs and holds the substrate G on the spin chuck 43 provided in the cup part 42. Then, the resist coating part 4 moves the resist nozzle 44 above the center of the substrate G to supply the resist liquid, and rotates the spin chuck 43 at a high speed to form the substrate G. The resist liquid is diffused by centrifugal force. Thus, the resist liquid is applied to the entire surface of the substrate G with a thin and uniform thickness. The substrate G coated with the resist liquid is conveyed to the circumferential edge removal unit 51 by a pair of transport arms 46 moving along the transport rails 45.
이 둘레가장자리부 제거부(51)는, 반송된 기판(G)을 유지하는 재치대(52)와, 이 재치대(52)상에 놓인 기판(G)의 각 모서리부 근방을 홈 포지션(home position)으로 하도록 배치된 박막 제거장치(61)를 구비하고 있다. 각 박막 제거장치(61)는, 기본적으로 동일한 구성을 가지고 있다. 도 4는, 이 둘레가장자리부 제거부(51)만을 확대하여 나타내는 사시도이다. 각 박막 제거장치(61)는, 기판(G)이 대응하는 각 변, 즉 각 둘레가장자리부를 따라 이동이 자유로운 이동기구(M)에 부착되어 있다. 이 이동기구(M)는, 상기 박막 제거장치(61)를 기판(G)의 가장자리와 직행하는 방향으로도 구동할 수 있도록 구성되며, 이에 따라 용제의 토출위치를 변경 및 조절할 수 있도록 되어 있다. This circumferential edge removal part 51 has a home position (home position) in the vicinity of each edge part of the mounting base 52 holding the conveyed board | substrate G, and the board | substrate G placed on this mounting base 52. and a thin film removing device 61 arranged to be in a position). Each thin film removal device 61 has the same structure fundamentally. 4 is an enlarged perspective view showing only the peripheral edge removing portion 51. Each thin film removal apparatus 61 is attached to the movement mechanism M which the board | substrate G is movable along each corresponding side, ie, each peripheral edge part. This movement mechanism M is comprised so that the said thin film removal apparatus 61 can also be driven also in the direction which goes directly to the edge of the board | substrate G, and can change and adjust the discharge position of a solvent by this.
또한, 이 박막 제거장치(61)는, 도 5에 나타낸 바와 같이, 흡인구(62a)를 가진 흡인부재(62)와, 이 흡인부재(62)를 상하에 끼워 설치되어 서로 대향하는 상부 헤드(63) 및 하부 헤드(64)를 가진다. 여기서, 상부 헤드(63)와 하부 헤드(64)에 의해 끼워진 공간은 기판(G)을 위치시키는 공간이고, 처리공간(S)이라 칭한다. In addition, as shown in Fig. 5, the thin film removing device 61 includes a suction member 62 having a suction port 62a, and an upper head provided with the suction member 62 inserted up and down to face each other. 63) and the lower head 64. Here, the space fitted by the upper head 63 and the lower head 64 is a space in which the substrate G is located, and is referred to as a processing space S. FIG.
상기 상부 헤드(63)의 아래면 측에는, 하부 헤드(64)와의 대향면, 즉 처리공간(S)에 면한 부분으로 개구하여 용제를 대기시키기(용제대기부(X)를 구성하기) 위한 오목부(65)가 형성되어 있다. 그리고, 이 상부 헤드(63)의 아래면에는, 상기 오목부(65)의 개구부를 용제가 흘러나오지 않도록 폐쇄하는 스테인리스강의 박판(66)이 부착되어 있다. 이 박판(66)에는, 상기 오목부(65)와 연통하여 상기 처리공간(S)측으로 용제를 토출하기 위한 토출구멍(67)이 뚫려서 형성되어 있다. On the lower side of the upper head 63, a concave portion for opening the solvent to the surface facing the lower head 64, that is, the portion facing the processing space S, to hold the solvent (to constitute the solvent atmosphere X). 65 is formed. On the lower surface of the upper head 63, a stainless steel thin plate 66 is attached to close the opening of the recess 65 so that no solvent flows out. In the thin plate 66, a discharge hole 67 is formed in communication with the concave portion 65 for discharging the solvent toward the processing space S side.
상기 박판(66)의 아래면 측에는, 상기 토출구멍(67)을 제외한 부분을 덮는 합성수지성의 커버(68)가 부착되어 있다. 이 커버(68)는 박판(66)의 표면을 단열하여 레지스트액으로부터 휘발하는 용제가 냉각되는 것을 방지하는 기능을 가진다. On the lower side of the thin plate 66, a synthetic resin cover 68 is attached to cover a portion other than the discharge hole 67. As shown in FIG. The cover 68 has a function of insulating the surface of the thin plate 66 to prevent cooling of the solvent volatilized from the resist liquid.
또한, 상기 박판(66), 커버(68)는, 볼트(69a), 매립너트(69b)에 의해 상부 헤드(63)에 대하여 고정되어 있으므로, 박판(66), 커버(68)는 상부 헤드(63)에 대하여 장착 및 이탈이 자유롭도록 되어 있다. In addition, since the thin plate 66 and the cover 68 are fixed to the upper head 63 by the bolt 69a and the buried nut 69b, the thin plate 66 and the cover 68 have the upper head ( 63) The mounting and dismounting are free.
본 실시형태에 있어서는, 박판(66)의 두께는 0.2mm, 토출구멍(67)은, 직경이 50㎛인 원형의 구멍을 채용하고 있다. 단, 토출구멍(67)의 형태는, 이러한 원형의 구멍에 한정되지 않고, 평면형태가 삼각, 사각, 그 밖의 다각형 등 임의의 형태를 채용할 수 있다. In the present embodiment, the thickness of the thin plate 66 is 0.2 mm, and the discharge hole 67 employs a circular hole having a diameter of 50 µm. However, the shape of the discharge hole 67 is not limited to such a circular hole, and arbitrary shapes, such as a triangular shape, a square shape, and another polygonal shape, can be employ | adopted.
또한, 도 6은, 도 5에 있어서 A-A선에 따른 상기 상부 헤드(63)의 저면도이다. 토출구멍(67)은, 기판(G)의 변 방향을 따라 소정의 피치(D)하에서 일렬로, 즉, 기판(G)의 둘레가장자리부를 따른 방향으로 합계 4개소에 형성되어 있다. 본 실시형태에서는 D=4mm로 설정되어 있다. 또, 토출구멍(67)의 수 및 피치(D)는 이에 한정되는 것이 아니라 임의로 설정할 수 있음은 말할 필요도 없다. 6 is a bottom view of the upper head 63 along the line A-A in FIG. The discharge holes 67 are formed in a total of four places in a line along a side direction of the substrate G under a predetermined pitch D, that is, in a direction along the circumferential edge of the substrate G. As shown in FIG. In this embodiment, D = 4mm is set. It goes without saying that the number and pitch D of the discharge holes 67 are not limited to this, but can be arbitrarily set.
상술한 바와 같이, 상기 오목부(65) 및 박판(66)으로 형성된 공간은 용제대기부(X)를 구성한다. 그리고 이 용제대기부(X)에는, 외부에 설치되어 있는 탱크등의 용제공급원(71)으로부터, 용제가 질소가스나 기타 불활성가스의 가압에 의해서, 유로(72) 및 공급부(73)를 통하여 소정의 압력(본 실시형태에서는 1kg/cm2)으로 공급되도록 되어 있다. 공급부(73)는, 용제대기부(X)에 용제를 공급할 수 있는 장소이면, 상부 헤드(63)의 임의의 위치에 설정할 수 있다.As described above, the space formed by the concave portion 65 and the thin plate 66 constitutes the solvent atmosphere X. In the solvent standby part X, the solvent is predetermined from the solvent supply source 71 such as a tank installed outside through the flow path 72 and the supply part 73 by pressurization of nitrogen gas or other inert gas. Is supplied at a pressure of 1 kg / cm 2 in this embodiment. The supply part 73 can be set in arbitrary positions of the upper head 63, as long as it is a place which can supply a solvent to the solvent standby part X. As shown in FIG.
하부 헤드(64)도 상부 헤드(63)와 완전히 동일한 구성을 가지고 있으며, 오목부(65) 및 토출구멍(67)이 형성된 박판(66)으로 용제대기부(X)가 형성되고, 박판(66)은, 토출구멍(67) 부분을 제외하고 커버(68)로 덮여 있다. 그리고, 용제대기부(X)에는 용제공급원(71)으로부터의 용제가, 질소가스 등으로 가압되어 유로 (72), 공급부(73)를 통하여 소정의 압력으로 공급되도록 되어 있다. The lower head 64 also has the same configuration as the upper head 63, and the solvent atmospheric portion X is formed by the thin plate 66 on which the concave portion 65 and the discharge hole 67 are formed, and the thin plate 66 ) Is covered with the cover 68 except for the discharge hole 67. In addition, the solvent from the solvent supply source 71 is pressurized by the nitrogen gas or the like to the solvent standby part X so as to be supplied at a predetermined pressure through the flow path 72 and the supply part 73.
또 흡인부재(62)는, 예컨대 진공 제너레이터(vacuum generator) 등의 흡인수단(도시하지 않음)으로 통하고 있으며, 이 흡인수단에 의한 흡인에 의해 처리공간(S) 내의 분위기를 흡인구(62a)에서 흡인배기하도록 되어 있다. In addition, the suction member 62 communicates with suction means (not shown), for example, a vacuum generator, and sucks the atmosphere in the processing space S by suction by the suction means. It is designed to suck the exhaust air at.
이상의 구성에 따른 4개의 박막 제거장치(61)는, 도 4에 나타낸 바와 같이, 이동기구(M)의 구동에 의해서, 기판(G)의 각 변의 가장자리부를 따라 이동이 자유로우며, 또한 상하방향, 기판(G)에 대한 전후방향으로도 이동이 자유롭다. As shown in FIG. 4, the four thin film removing devices 61 according to the above configurations are free to move along the edges of the respective sides of the substrate G by driving the moving mechanism M. Movement in the front-rear direction with respect to the board | substrate G is also free.
다음으로, 이 박막 제거장치(61)의 동작에 대하여 설명한다. Next, operation | movement of this thin film removal apparatus 61 is demonstrated.
먼저 도포현상처리장치(1)(도 1)에 있어서의 카세트 재치대(10)의 카세트 (11)로부터, 처리해야 할 기판(G)이 부반송장치(13)에 의해서 1매 꺼내진다. 이어서, 이 기판(G)은 주반송장치(15)의 반송아암(15a)에 옮겨 실어진다. 그 후 이 기판(G)은, 자외선 오존세정장치(19), 스크러버 세정장치(17), 소수화처리장치(28)에 차례로 반송되어, 이들 장치에서 소정의 처리가 차례로 실시된다. 그리고 소수화처리가 종료된 기판(G)은, 반송아암(25a)에 의해 도포·둘레가장자리부 제거장치(27)로 반송된다. First, from the cassette 11 of the cassette placing table 10 in the coating and developing apparatus 1 (FIG. 1), one substrate G to be processed is taken out by the sub-carrier 13. Subsequently, this board | substrate G is carried to the conveyance arm 15a of the main conveyance apparatus 15, and is loaded. Subsequently, this substrate G is conveyed to the ultraviolet ozone washing apparatus 19, the scrubber washing | cleaning apparatus 17, and the hydrophobicization processing apparatus 28 in order, and predetermined processes are performed by these apparatuses one by one. And the board | substrate G in which hydrophobization process was complete | finished is conveyed to the application | coating and edge removal apparatus 27 by the conveyance arm 25a.
도포·둘레가장자리부 제거장치(27)(도 3)에서는, 우선 레지스트도포부(41)에 있어서 기판(G)에 대하여 스핀코팅방법에 의해서 레지스트액이 도포된다. 그 후 레지스트액에 의한 막, 즉 레지스트막이 형성된 기판(G)은, 반송아암(46)에 의해서 둘레가장자리부 제거부(51)의 재치대(52)로 반송된다. In the coating and peripheral edge removal device 27 (FIG. 3), the resist liquid is first apply | coated to the board | substrate G in the resist coating part 41 by the spin coating method. Then, the film | membrane by the resist liquid, ie, the board | substrate G in which the resist film was formed, is conveyed to the mounting base 52 of the peripheral edge removal part 51 by the conveyance arm 46. As shown in FIG.
기판(G)이 재치대(52)에 놓이면, 각 박막 제거장치(61)는, 이동기구(M)의 이동에 의해서, 도 7에 나타낸 바와 같이, 기판(G)에 있어서의 각 변의 가장자리의 일끝단을 각 처리공간(S)내에 위치시킨다. 그리고, 도 8에 나타낸 바와 같이, 상기 상부 헤드(63) 및 하부 헤드(64)의 토출구멍으로부터 용제를 토출시키면서, 상기 기판(G)의 가장자리를 따라 이동한다. 도 4에 있어서, 지면 앞쪽의 박막 제거장치 (61)를 예로 들면, 시작 위치에서 끝 위치까지 이동된다. When the substrate G is placed on the mounting table 52, each of the thin film removing devices 61 moves on the edge of each side of the substrate G as shown in FIG. 7 by the movement of the moving mechanism M. As shown in FIG. One end is placed in each processing space (S). 8, it moves along the edge of the said board | substrate G, discharging a solvent from the discharge hole of the said upper head 63 and the lower head 64. As shown in FIG. In Fig. 4, the thin film removing device 61 in front of the paper is moved from the start position to the end position, for example.
또, 레지스트막의 제거는, 용제의 토출위치를 기판(G)의 가장자리측으로 미끄러져 움직이게 하면서 상기 박막 제거장치(61)를 수회 왕복시켜 행하여도 좋다. 이 경우, 도 4에 있어서, 상기 박막 제거장치(61)를 시작점에서 끝점으로 이동시켜 레지스트막을 제거한 후, 용제의 토출을 도 8에 점선화살표로 나타내는 방향으로 미끄러져 움직이게 하면서 수회 시작점에서 끝점으로 이동시키는 동작을 행하도록 한다. The resist film may be removed by reciprocating the thin film removing device 61 several times while sliding the solvent discharging position toward the edge of the substrate G. In this case, in Fig. 4, after removing the resist film by moving the thin film removing device 61 from the starting point to the end point, the solvent discharge is moved from the starting point to the end point while slidingly discharging in the direction indicated by the dotted arrows in FIG. To perform the operation.
이상과 같이 하여 둘레가장자리부의 불필요한 레지스트막이 제거된 기판(G)은 이 둘레가장자리부 제거부(51)로부터 반송아암(25a)에 의해서 꺼내어지고, 가열처리장치(30)등으로 이송된 후, 최종적으로 상기 카세트에 수납된다. The board | substrate G from which the unnecessary resist film of the peripheral edge part was removed as mentioned above is taken out from this peripheral edge removal part 51 by the conveyance arm 25a, and is conveyed to the heat processing apparatus 30, etc., and finally, Is stored in the cassette.
이러한 구성에 의하면, 이하의 효과를 얻을 수 있다. According to such a structure, the following effects can be acquired.
첫째, 상기의 구성에 의하면, 용제를 안정된 고압력하에서 토출할 수 있어, 레지스트액을 효과적으로 제거할 수 있다. First, according to the above configuration, the solvent can be discharged under a stable high pressure, and the resist liquid can be effectively removed.
즉, 상기 구성에서는, 도 7, 도 8에 나타낸 바와 같이, 상부 헤드(63), 하부 헤드(64)의 각 토출구멍(67)으로부터 기판(G)의 둘레가장자리부 이면 및 표면의 불필요한 레지스트막에 대하여 용제가 직각으로 또 가는 실형상으로 토출된다. 이 용제는, 상기 박판에 형성된 토출구멍을 통하여 토출되고 있으므로, 종래의 니들노즐을 사용하는 경우와 비교하여 압력손실은 거의 없다. 따라서, 흡인구(62a)로부터의 분위기의 흡인이 있어도, 이 영향을 거의 받지 않고, 거의 수직으로 토출되기 때문에, 불필요한 레지스트막(R)을 적합한 형상으로 용해하여 제거할 수 있다. That is, in the above structure, as shown in Figs. 7 and 8, unnecessary resist films on the back surface and the surface of the periphery of the substrate G from the discharge holes 67 of the upper head 63 and the lower head 64 are shown. The solvent is discharged at right angles and in a thin thread shape. Since this solvent is discharged through the discharge hole formed in the said thin plate, there is almost no pressure loss compared with the case of using the conventional needle nozzle. Therefore, even if there is suction of the atmosphere from the suction port 62a, since it is discharged almost vertically with little effect of this, the unnecessary resist film R can be dissolved and removed in a suitable shape.
또한, 용제대기부(X)가 헤더로서도 기능하고 있으므로, 상부 헤드(63), 하부 헤드(64)에 각각 4개소에 형성되어 있는 각 토출구멍(67)으로부터는 동일한 압력으로 동일량의 용제가 토출되고 있다. 따라서, 이 점에서도 바람직하게 불필요한 레지스트막(R)의 용해제거작업을 실시할 수 있다. In addition, since the solvent holding | maintenance part X also functions as a header, the same amount of solvent is provided with the same pressure from each discharge hole 67 formed in four places in the upper head 63 and the lower head 64, respectively. It is discharged. Therefore, also from this point, the unnecessary dissolution removal operation of the resist film R can be performed preferably.
둘째, 상기 구성에 의하면, 사용하는 용제의 양을 저감하는 것이 가능하다. Second, according to the said structure, it is possible to reduce the quantity of the solvent used.
즉, 상기 토출구멍(67)의 직경은 50㎛로 종래보다도 대폭적으로 작은 직경으로 형성되어 있기 때문에, 당연히 종래와 동일한 토출압력하에서 토출하는 용제의 양을 저감시킬 수 있다. 발명자들의 지견에 의하면, 직경이 260㎛인 종래의 니들노즐을 사용한 경우, 1kg/cm2의 토출압력으로 4Occ/분의 용제를 토출했었지만, 본 실시형태와 같이 5O㎛ 직경의 토출구멍(67)에 의하면, 마찬가지로 1kg/cm2의 토출압력으로 약1/10의 양까지 토출하는 용제의 양을 저감할 수가 있다.That is, since the diameter of the said discharge hole 67 is 50 micrometers and is formed by the diameter significantly smaller than before, the quantity of the solvent discharged under the same discharge pressure as before can be reduced naturally. According to the findings of the inventors, in the case of using a conventional needle nozzle having a diameter of 260 µm, a solvent of 40 cc / min was discharged at a discharge pressure of 1 kg / cm 2 , but the discharge hole 67 having a diameter of 50 µm was formed as in the present embodiment. According to the above, the amount of solvent to be discharged to an amount of about 1/10 at a discharge pressure of 1 kg / cm 2 can be reduced.
셋째, 상기 구성에 의하면, LCD제조시에 근래 문제시되고 있는 전사(轉寫)를 효과적으로 방지할 수 있다. Third, according to the above configuration, it is possible to effectively prevent transfer, which is a problem recently in LCD manufacturing.
즉, 본 실시형태에 있어서는, 박판으로서 스테인리스강을 사용하고 있으므로, 매우 미소한 직경의 토출구멍(67)을 형성하는 것이 가능하지만, 스테인리스강은 열전달율이 높으므로, 휘발성의 용제가 증발할 때의 증발잠열로 냉각되기 쉽고, 때에 따라서 처리공간(S) 내에 있어서의 주위의 분위기를 냉각하여, 대기와의 온도차가 생겨, 이 온도차에 의해서 기판(G)에 전사를 발생시키는 것을 생각할 수 있다. 그러나, 본 실시형태에서는, 합성 수지성의 커버(68)가 박판(66)을 덮고 있으므로, 이러한 증발잠열에 의한 온도차의 전사는 방지된다. That is, in this embodiment, since stainless steel is used as a thin plate, it is possible to form the discharge hole 67 of very small diameter, but since stainless steel has a high heat transfer rate, when a volatile solvent evaporates, It is easy to cool by latent heat of evaporation, and it is possible to cool the surrounding atmosphere in the process space S at some time, and to generate a temperature difference with the atmosphere, and to generate transfer to the board | substrate G by this temperature difference. However, in this embodiment, since the synthetic resin cover 68 covers the thin plate 66, the transfer of the temperature difference by such latent heat of vaporization is prevented.
넷째, 상기 구성에 의하면, 박막 제거장치를 간단한 구조로 실현할 수 있다. Fourth, according to the above structure, the thin film removing device can be realized with a simple structure.
즉, 상기 박판(66) 및 커버(68)는, 볼트(69a)로 고정되어 있으므로, 상부 헤드(63), 하부 헤드(64)에 대하여 이들은 장착 및 이탈이 자유로우며, 유지관리, 세정, 교환 등을 용이하게 행할 수 있다. 기타, 구조적으로 보아도 상부 헤드(63), 하부 헤드(64)에 오목부(65)를 형성하고, 개구부를 토출구멍(67)이 뚫린 박판(66)으로 용제가 흘러나오지 않도록 폐쇄하는 것만으로 용제대기부(X)를 간단하게 구성할 수 있으므로, 제조도 용이하다. That is, since the thin plate 66 and the cover 68 are fixed by bolts 69a, they are free to be attached to or detached from the upper head 63 and the lower head 64, and are maintained, cleaned and replaced. Etc. can be performed easily. In addition, even if structurally seen, the concave portion 65 is formed in the upper head 63 and the lower head 64, and the opening is closed by simply closing the opening so that the solvent does not flow into the thin plate 66 through which the discharge hole 67 is opened. Since the umbilical cord portion X can be simply configured, manufacturing is also easy.
또, 본 발명은 상기 일실시형태에 한정되는 것이 아니라, 발명의 요지를 변경하지 않은 범위에서 여러가지 변형가능하다. In addition, this invention is not limited to the said one embodiment, A various deformation | transformation is possible in the range which does not change the summary of invention.
예를 들면, 상기 일실시형태에서는, 도 6에 나타낸 바와 같이, 상기 토출구멍(67)이 박막 제거장치(61)의 이동방향을 따르는 일직선상에 소정 간격으로 설치되어 있지만, 이에 한정되는 것은 아니고, 예를 들어 도 9에 나타낸 바와 같은 구성이어도 좋다. 도 9에 나타내는 구성에서는, 복수의 제 1∼ 제 4 토출구멍 (67a∼67d)이, 진행방향 앞쪽에서 뒤쪽을 향해 감으로써 점차로 기판(G)의 바깥가장자리(74)에 근접하도록 설치되어 있다. 이러한 구성에서는, 먼저, 제 1 토출구멍 (67a)으로 레지스트액막을 자르고, 다음으로, 제 2∼제 4 토출구멍(67a∼67d)으로 기판(G)의 바깥 가장자리(74)를 향하여 제거해 갈 수 있다. For example, in the above-described embodiment, as shown in FIG. 6, the discharge holes 67 are provided at a predetermined interval on a straight line along the moving direction of the thin film removing device 61, but are not limited thereto. For example, the structure as shown in FIG. 9 may be sufficient. In the structure shown in FIG. 9, the 1st-4th discharge holes 67a-67d are provided so that it may gradually approach the outer edge 74 of the board | substrate G by winding toward the back from the front of the advancing direction. In such a configuration, first, the resist liquid film is cut into the first discharge holes 67a, and then, the second to fourth discharge holes 67a to 67d are removed toward the outer edge 74 of the substrate G. have.
이러한 구성에 의하면, 동일한 개소에만 용제가 내뿜어지는 일이 없기 때문에, 잔류 레지스트막의 가장자리가 팽윤에 의해 부풀어오르는 현상을 방지할 수 있다. 즉, LCD기판(G)의 경우와 같이 레지스트액막으로부터 용제가 증발하기 어려운 경우에 있어서, 동일한 개소에 용제를 계속 내뿜으면, 이 부분의 레지스트액막에 용제가 흡수됨에 따라 부풀어오르게 되는 경우가 있다. 이에 대하여, 상기 구성에서는, 이러한 현상이 생기는 것을 방지할 수 있다. According to such a structure, since a solvent is not blown out only in the same location, the phenomenon which the edge of a residual resist film swells by swelling can be prevented. That is, in the case where the solvent is difficult to evaporate from the resist liquid film as in the case of the LCD substrate G, if the solvent is continuously sprayed at the same place, it may swell as the solvent is absorbed in the resist liquid film of this part. On the other hand, in the said structure, such a phenomenon can be prevented from occurring.
또한, 이 팽윤을 방지하기 위해서는, 도 10에 나타낸 바와 같이, 레지스트 도포부(41)와 둘레가장자리부 제거부(51)와의 사이에 감압건조장치[80(DV)]를 설치하는 것도 효과적이다. 이 감압건조장치(80)는, 상기 레지스트 도포부(41)로부터 반송아암(46)을 통해 레지스트액이 도포된 LCD기판(G)을 받아들이고, 이 LCD 기판 (G)의 주위의 분위기를 감압함으로써 레지스트액에 포함된 용제를 휘발시켜, 이 레지스트액을 건조시키는 기능을 가진다. In addition, in order to prevent this swelling, as shown in FIG. 10, it is also effective to provide a reduced pressure drying device 80 (DV) between the resist coating portion 41 and the peripheral edge removing portion 51. The pressure reduction drying apparatus 80 receives the LCD substrate G coated with the resist liquid from the resist coating portion 41 through the transfer arm 46, and decompresses the atmosphere around the LCD substrate G. It has a function to volatilize the solvent contained in a resist liquid, and to dry this resist liquid.
이 감압건조장치(80)에 의해서 감압건조된 기판(G)은, 상기 반송아암(46)에 의해서 상기 둘레가장자리부 제거부(51)로 받아 넘겨진다. 이 기판(G)상의 레지스트막은, 이미 어느 정도 건조되어 있기 때문에, 상기 박막 제거장치(61)를 사용하여 레지스트막의 제거를 행할 경우에, 팽윤의 발생을 적게 하는 효과가 있다. The board | substrate G dried under reduced pressure by this pressure reduction drying apparatus 80 is received by the said transfer arm 46 to the said edge removal part 51. Since the resist film on this board | substrate G has already dried to some extent, when removing a resist film using the said thin film removal apparatus 61, there exists an effect which reduces generation | occurrence | production of swelling.
또한, 상기 일실시형태에서는, 상하부 헤드(63,64)는 동일한 형상으로 형성되어 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 도 11에 나타낸 바와 같이, 하부 헤드(64)만 더 길게 돌출하도록 형성하고, 토출구멍(83,84)을 추가하여도 좋다. 이러한 구성에 의하면, 보다 넓은 범위를 이면세정하는 것이 가능해진다. In addition, in the said one embodiment, although the upper and lower heads 63 and 64 are formed in the same shape, it is not limited to this. For example, as shown in Fig. 11, only the lower head 64 may be formed to protrude longer, and discharge holes 83 and 84 may be added. According to such a structure, back washing of a wide range can be attained.
또한, 상하부 헤드(63,64)로부터 동일 타이밍으로 용제를 토출하지 않아도 되고, 예를 들어 이면세정에 있어서는, 오염이 심한 가장자리만을 중점적으로 세정할 수 있도록, 시작점, 끝점 부근에서만 용제를 토출하도록 하여도 좋다. In addition, it is not necessary to discharge the solvent from the upper and lower heads 63 and 64 at the same timing. For example, in back washing, the solvent is discharged only near the starting point and the end point so that only the heavily contaminated edge can be cleaned. Also good.
또한, 상기 실시형태는, LCD용의 기판의 둘레가장자리부의 불필요한 레지스트막을 제거하는 장치로서 구체화되어 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고 다른 종류의 기판에 형성되어 있는 각종 박막을, 용해액의 토출에 의해서 제거시키는 장치에 적용하는 것이 가능하다. In addition, although the said embodiment is embodied as an apparatus which removes the unnecessary resist film of the periphery of the board | substrate for LCD, this invention is not limited to this, The various thin films formed in another kind of board | substrate are used for discharge of a solution It is possible to apply to the device to remove by.
도 1은 본 발명의 일실시형태에 따른 박막 제거장치가 채용되고 있는 도포현상처리장치의 외관을 나타내는 사시도. 1 is a perspective view showing an appearance of a coating and developing apparatus in which a thin film removing device according to an embodiment of the present invention is employed.
도 2는 도 1의 도포현상처리장치의 평면도. 2 is a plan view of the coating and developing apparatus of FIG.
도 3은 일실시형태에 따른 박막 제거장치를 가진 도포·둘레가장자리부 제거장치의 내부 모양을 나타내는 평면도. 3 is a plan view showing the internal shape of the coating / circumference edge removal device having the thin film removal device according to one embodiment;
도 4는 일실시형태에 따른 박막 제거장치의 동작을 설명하는 둘레가장자리부 제거부의 사시도. 4 is a perspective view of a circumferential edge portion removing section for explaining the operation of the thin film removing apparatus according to the embodiment;
도 5는 일실시형태에 따른 박막 제거장치의 종단면도, 5 is a longitudinal sectional view of the thin film removing apparatus according to the embodiment;
도 6은 도 5의 A-A선 단면도. 6 is a cross-sectional view taken along the line A-A of FIG.
도 7은 일실시형태에 따른 박막 제거장치로 기판상의 불필요한 레지스트막 (resist film)을 제거하고 있는 상태를 나타내는 종단면도. FIG. 7 is a longitudinal sectional view showing a state in which an unnecessary resist film on a substrate is removed with a thin film removing device according to one embodiment; FIG.
도 8은 도 7의 박막 제거장치의 주요부 확대종단면도. 8 is an enlarged longitudinal sectional view of a main part of the thin film removing device of FIG.
도 9는 다른 실시형태에 따른 박막 제거장치의 저면도. 9 is a bottom view of a thin film removing apparatus according to another embodiment.
도 10은 다른 실시형태에 따른 도포·둘레가장자리부 제거장치를 나타내는 평면도. The top view which shows the application | coating and peripheral edge removal apparatus which concerns on other embodiment.
도 11은 다른 실시형태에 따른 박막 제거장치를 나타내는 종단면도. 11 is a longitudinal sectional view showing a thin film removing device according to another embodiment.
도 12는 종래 기술에 따른 박막 제거장치의 종단면도. 12 is a longitudinal sectional view of a thin film removing apparatus according to the prior art.
도 13은 종래 기술에 따른 박막 제거장치의 동작을 설명하는 설명도. 13 is an explanatory diagram for explaining the operation of the thin film removing apparatus according to the prior art;
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>
1 : 도포현상처리장치 2 : 로더부1: coating and developing apparatus 2: loader
3 : 제 1 처리부 4, 7 : 인터페이스부3: first processing section 4, 7: interface section
5 : 제 2 처리부 10 : 카세트 재치대5: second processing unit 10: cassette mounting table
11, 12, 31 : 카세트 13, 33 : 부반송장치11, 12, 31: cassette 13, 33: sub-carrier
13a, 16, 26, 45 : 반송레일 15, 25 : 주반송장치 13a, 16, 26, 45: conveying rail 15, 25: main conveying device
15a, 25a, 46 : 반송아암 17 : 스크러버 세정장치 15a, 25a, 46: carrier arm 17: scrubber cleaning device
18 : 현상처리장치 19 : 자외선오존세정장치 18: developing apparatus 19: ultraviolet ozone cleaning device
20, 21, 29 : 냉각처리장치 22, 30 : 가열처리장치 20, 21, 29: cooling treatment apparatus 22, 30: heating treatment apparatus
23, 32 : 받아넘김대 27 : 도포·둘레가장자리부 제거장치23, 32: take-back stand 27: coating, peripheral edge removal device
27a : 케이싱 28 : 소수화처리장치 27a: casing 28: hydrophobic treatment device
41 : 레지스트 도포부 42 : 컵부 41: resist coating portion 42: cup portion
43 : 스핀척 44 : 레지스트 노즐 43: spin chuck 44: resist nozzle
51 : 둘레가장자리부 제거부 52 : 재치대 51: circumferential edge removal portion 52: mounting table
61 : 박막 제거장치 62 : 흡인부재 61: thin film removal device 62: suction member
62a, 103 : 흡인구 63 : 상부 헤드 62a, 103: suction port 63: upper head
64 : 하부 헤드 65 : 오목부 64: lower head 65: recess
66 : 박판 67, 67a∼67d, 83, 84 : 토출구멍 66: thin plate 67, 67a to 67d, 83, 84: discharge hole
68 : 커버 69a : 볼트68: cover 69a: bolt
69b : 매립너트 71 : 용제공급원69b: landfill nut 71: solvent supply source
72 : 유로 73 : 공급부72: Euro 73: supply part
74 : 바깥가장자리 80 : 감압건조장치74: outer edge 80: decompression drying device
101 : 에지리무버(둘레가장자리부 레지스트막 제거장치)101: edge remover (resist film removal device around the edge)
102 : 노즐 헤드 102a : 상부 헤드 구성재102: nozzle head 102a: upper head component
102b : 하부 헤드 구성재 104 : 니들 노즐102b: lower head component 104: needle nozzle
104 : 탱크 G : 기판104: tank G: substrate
M : 이동기구 R : 레지스트막M: moving mechanism R: resist film
S : 처리공간 X : 용제대기부S: Treatment space X: Solvent atmosphere
Claims (10)
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP327501 | 1998-11-02 | ||
| JP32750198 | 1998-11-02 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020050052340A Division KR100563698B1 (en) | 1998-11-02 | 2005-06-17 | Thin film removing apparatus |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20000047577A KR20000047577A (en) | 2000-07-25 |
| KR100513436B1 true KR100513436B1 (en) | 2005-09-07 |
Family
ID=18199858
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR10-1999-0047896A KR100513436B1 (en) | 1998-11-02 | 1999-11-01 | Thin film removing apparatus |
| KR1020050052340A KR100563698B1 (en) | 1998-11-02 | 2005-06-17 | Thin film removing apparatus |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020050052340A KR100563698B1 (en) | 1998-11-02 | 2005-06-17 | Thin film removing apparatus |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (2) | KR100513436B1 (en) |
| TW (1) | TW434718B (en) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 1999-11-01 KR KR10-1999-0047896A patent/KR100513436B1/en not_active IP Right Cessation
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- 2005-06-17 KR KR1020050052340A patent/KR100563698B1/en not_active IP Right Cessation
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20000047577A (en) | 2000-07-25 |
| KR100563698B1 (en) | 2006-03-28 |
| TW434718B (en) | 2001-05-16 |
| KR20050063761A (en) | 2005-06-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| A107 | Divisional application of patent | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20100825 Year of fee payment: 6 |
|
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